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JP2001253999A - Epoxy resin molding material and semiconductor device - Google Patents

Epoxy resin molding material and semiconductor device

Info

Publication number
JP2001253999A
JP2001253999A JP2000068243A JP2000068243A JP2001253999A JP 2001253999 A JP2001253999 A JP 2001253999A JP 2000068243 A JP2000068243 A JP 2000068243A JP 2000068243 A JP2000068243 A JP 2000068243A JP 2001253999 A JP2001253999 A JP 2001253999A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
molding material
vinylidene fluoride
resin molding
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000068243A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Mori
恒治 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2000068243A priority Critical patent/JP2001253999A/en
Publication of JP2001253999A publication Critical patent/JP2001253999A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epoxy resin molding material for sealing semiconductor which is excellent in adhesion to various members such as lead frames, resistance to soldering crack and resistance to temperature cycling. SOLUTION: This epoxy resin molding material for sealing semiconductor prepared by heat-kneading an epoxy resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a phenolic resin, (C) an inorganic filler, (D) a hardening accelerator and (E) a vinylidene fluoride-based rubber having a weight average molecular weight of 30,000-70,000 in an amount of 0.02-5 wt.% based on the total weight of the epoxy resin composition features that the dispersed particle diameter of the vinylidene fluoride-based rubber is not larger than 50 μm.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、低応力性及びリー
ドフレーム等の各種部材への密着性に優れた半導体封止
用エポキシ樹脂成形材料、及びこれを用いた半導体装置
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation having excellent low stress properties and excellent adhesion to various members such as lead frames, and a semiconductor device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、IC、LSI等の半導体素子を、
主にエポキシ樹脂成形材料で封止された半導体装置は、
QFPやSOJ等の表面実装型が主流となりつつある。
又、この半導体装置の大型化、半導体素子の大型化、フ
ァインピッチ化が進み、耐半田クラック性に対する要求
も厳しくなってきている。従来のエポキシ樹脂成形材料
は、無機充填材の高充填化による高強度化と低吸水率化
により耐半田クラック性を改良してきたが、大型の半導
体装置では、パッド下の剥離が起こり易く、又、耐温度
サイクル性の低下もある。このように、従来のエポキシ
樹脂成形材料では、特に大型の半導体装置に対しては、
耐半田クラック性と耐温度サイクル性の両立が難しかっ
た。
2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices such as ICs and LSIs have been
Semiconductor devices mainly sealed with epoxy resin molding materials
Surface mount types such as QFP and SOJ are becoming mainstream.
In addition, the size of the semiconductor device, the size of the semiconductor element, and the fine pitch have been advanced, and requirements for solder crack resistance have also become strict. Conventional epoxy resin molding materials have improved the solder crack resistance by increasing the strength of the inorganic filler and increasing the water absorption rate by increasing the filling of the inorganic filler.However, in large semiconductor devices, peeling under the pad is likely to occur. Also, there is a decrease in temperature cycle resistance. Thus, in the conventional epoxy resin molding material, especially for a large semiconductor device,
It was difficult to achieve both solder crack resistance and temperature cycle resistance.

【0003】耐半田クラック性を改良するためには、前
述した無機充填材の高充填化による高強度化と低吸水率
化の手法の他に、半導体装置に用いる各種部材、特にリ
ードフレームとの密着性の改良が重要である。このため
リードフレームにディンプルを付けたり、スリットを入
れる方法が提案され、実用化されている。又、シランカ
ップリング剤を使用したり、離型剤であるワックスを調
整することにより、ある程度の密着性の向上ができる。
しかし、耐半田クラック性の評価が、剥離の有無によっ
てなされるようになってきたため、密着性について更に
厳しい要求が出されてきており、従来からの手法だけで
は不十分になってきている。又、耐温度サイクル性を向
上するためには、従来からシリコーンオイル等を添加し
たり、シリコーンオイルとエポキシ樹脂、フェノール樹
脂等との反応物を添加して低弾性率化を計ってきたが、
シリコーンオイルを用いると、強度の低下と共に、各種
部材との密着性の低下という不具合が発生する。
In order to improve the solder cracking resistance, in addition to the above-described techniques for increasing the strength and lowering the water absorption by increasing the amount of the inorganic filler, various members used in a semiconductor device, particularly a lead frame. It is important to improve the adhesion. For this reason, a method of forming dimples or slits on a lead frame has been proposed and put to practical use. Further, by using a silane coupling agent or adjusting a wax as a release agent, the adhesion can be improved to some extent.
However, since the evaluation of the solder crack resistance has been made based on the presence or absence of peeling, stricter requirements have been issued for the adhesion, and the conventional method alone has become insufficient. In addition, in order to improve the temperature cycle resistance, conventionally, silicone oil or the like has been added, or a reaction product of the silicone oil and an epoxy resin, a phenol resin or the like has been added to reduce the elastic modulus.
When a silicone oil is used, there is a problem that the strength is reduced and the adhesion to various members is reduced.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、リードフレ
ーム等の各種部材への密着性、耐半田クラック性、耐温
度サイクル性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂成形材
料、及びこれを用いた半導体装置を提供するものであ
る。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention relates to an epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation which is excellent in adhesion to various members such as a lead frame, solder crack resistance, and temperature cycle resistance. A semiconductor device is provided.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)エポキ
シ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)無機充填材、
(D)硬化促進剤、及び(E)全エポキシ樹脂組成物中
に0.02〜5重量%の重量平均分子量3万〜7万のフ
ッ化ビニリデン系ゴムを含有するエポキシ樹脂組成物を
加熱混練し粉砕した成形材料において、前記フッ化ビニ
リデン系ゴムの分散粒径が、50μm以下であることを
特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこ
れを用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする
半導体装置である。
The present invention provides (A) an epoxy resin, (B) a phenolic resin, (C) an inorganic filler,
An epoxy resin composition containing (D) a curing accelerator, and (E) an epoxy resin composition containing 0.02 to 5% by weight of a vinylidene fluoride rubber having a weight average molecular weight of 30,000 to 70,000 in all epoxy resin compositions. In a pulverized molding material, the dispersed particle size of the vinylidene fluoride rubber is 50 μm or less, and an epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation, and a semiconductor element is encapsulated using the same. A semiconductor device characterized by the above-mentioned.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明に用いるエポキシ樹脂とし
ては、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、特に限定される
ものではない。例えば、オルソクレゾールノボラック型
エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、
ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、
ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ
樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキ
シ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリア
ジン核含有エポキシ樹脂、及びこれらの変性樹脂等が挙
げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。エポ
キシ樹脂成形材料の耐湿性向上のためには、塩素イオ
ン、ナトリウムイオン等の不純物イオンが極力少ないこ
とが望ましい。又、硬化性のためには、エポキシ当量が
150〜300g/eq程度が好ましい。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The epoxy resin used in the present invention includes all monomers, oligomers and polymers having two or more epoxy groups in one molecule, and is not particularly limited. For example, ortho-cresol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin,
Dicyclopentadiene-modified phenolic epoxy resin,
Bisphenol-type epoxy resin, biphenyl-type epoxy resin, stilbene-type epoxy resin, naphthol-type epoxy resin, triphenolmethane-type epoxy resin, triazine nucleus-containing epoxy resin, and modified resins thereof, and the like. May be used. In order to improve the moisture resistance of the epoxy resin molding material, it is desirable that impurity ions such as chlorine ions and sodium ions be as small as possible. For curability, the epoxy equivalent is preferably about 150 to 300 g / eq.

【0007】本発明に用いるフェノール樹脂としては、
1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を有するモノ
マー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、特に限定され
るものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、
ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェノール
アラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、及びこれ
らの変性樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して
用いてもよい。エポキシ樹脂成形材料の耐湿性向上のた
めには、塩素イオン、ナトリウムイオン等の不純物イオ
ンが極力少ないことが望ましい。又、硬化性のために
は、水酸基当量が80〜250g/eq程度が好まし
い。
The phenolic resin used in the present invention includes:
It refers to all monomers, oligomers and polymers having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, and is not particularly limited. For example, phenol novolak resin,
Examples thereof include a dicyclopentadiene-modified phenol resin, a phenol aralkyl resin, a triphenolmethane resin, and modified resins thereof, and these may be used alone or in combination. In order to improve the moisture resistance of the epoxy resin molding material, it is desirable that impurity ions such as chlorine ions and sodium ions be as small as possible. For curability, the hydroxyl equivalent is preferably about 80 to 250 g / eq.

【0008】本発明に用いる無機充填材としては、例え
ば、溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ、2次凝集シ
リカ、多孔質シリカ、2次凝集シリカ又は多孔質シリカ
を粉砕したシリカ、アルミナ等が挙げられ、これらは単
独でも混合して用いてもよい。又、粒子の形状として
は、破砕状でも球状でも特に問題ないが、流動特性、機
械強度、及び熱的特性のバランスのとれた球状の溶融シ
リカが好ましい。更にこれらの無機充填材は、カップリ
ング剤で表面処理されていてもよい。
Examples of the inorganic filler used in the present invention include fused silica, spherical silica, crystalline silica, secondary aggregated silica, porous silica, silica obtained by pulverizing secondary aggregated silica or porous silica, and alumina. These may be used alone or as a mixture. The shape of the particles may be crushed or spherical without any particular problem, but spherical fused silica having a good balance of flow characteristics, mechanical strength and thermal characteristics is preferred. Further, these inorganic fillers may be surface-treated with a coupling agent.

【0009】本発明に用いる硬化促進剤としては、一般
に封止材料に用いられているものを広く使用できる。代
表的なものとしては、例えば、1,8−ジアザビシクロ
(5,4,0)ウンデセン−7、トリフェニルホスフィ
ン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレ
ート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイッ
クアシッドボレート、ベンジルジメチルアミン、2−メ
チルイミダゾール等が挙げられ、これらは単独でも混合
して用いてもよい。これらの硬化促進剤は、エポキシ樹
脂成形材料中にドライブレンドされても、溶融ブレンド
されても、又は両者の併用でも構わない。
As the curing accelerator used in the present invention, those generally used in sealing materials can be widely used. Representative examples include, for example, 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium / tetranaphthoic acid borate, benzyldimethylamine , 2-methylimidazole and the like, and these may be used alone or as a mixture. These curing accelerators may be dry-blended, melt-blended, or both in the epoxy resin molding material.

【0010】本発明に用いる重量平均分子量3万〜7万
のフッ化ビニリデン系ゴムについて、以下に詳細に説明
する。本発明のフッ化ビニリデン系ゴムとしては、例え
ば、フッ化ビニリデンと5フッ化プロピレンとの共重合
体、又はフッ化ビニリデンと6フッ化プロピレンとの共
重合体等が挙げられ、特に、フッ化ビニリデンと6フッ
化プロピレンとの共重合体が好ましい。又、エポキシ樹
脂成形材料においてフッ化ビニリデン系ゴムの分散粒径
を50μm以下とするためには、本発明のフッ化ビニリ
デン系ゴムの性状としては、粉末が好ましい。フッ化ビ
ニリデン系ゴムは柔軟性があるため、クラム或いはペレ
ットだと、通常の加熱混練時のせん断力では細かく分散
せず、50μm以下の分散粒径を得ることが難しいので
好ましくない。重量平均分子量(Mw)としては、3万
〜7万であることが必須であり、更に好ましくは4万〜
5万である。Mwが3万未満だと、成形時にブリードし
易くなり、金型汚れ等を引き起こすので好ましくない。
Mwが7万を越えると、粘性が高くなり、流動性が低下
したり、又、低応力性、密着性が不十分となり、耐半田
クラック性試験、耐温度サイクル性試験において剥離等
の不良が発生するので好ましくない。本発明のフッ化ビ
ニリデン系ゴムのMwは、ポリスチレンを基準物質と
し、展開溶媒としてテトラヒドロフランを用いるゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で求め
る。エポキシ樹脂成形材料における分散粒径としては、
50μm以下が必須であり、更に好ましくは30μm以
下である。このためには、粉末状のフッ化ビニリデン系
ゴムを使用すると共に、混合混練時にも分散粒径を細か
くするような設備、条件を選定することが好ましい。分
散粒径が50μmを越えると、成形性(ブリード、曇
り、流動性)に劣るので好ましくない。本発明のフッ化
ビニリデン系ゴムの分散粒径は、エポキシ樹脂成形材料
の成形物の断面を研磨仕上げして、電子顕微鏡を用いて
1000〜2000倍で観察する。配合量としては、全
エポキシ樹脂成形材料中に0.02〜5重量%、より好
ましくは0.2〜3重量%である。0.02重量%未満
だと、撥水性及び各種部材への密着性の向上、及び耐温
度サイクル性の向上の効果が得られないので好ましくな
い。5重量%を越えると、粘性が高くなりすぎ、流動性
が低下したり、成形性(ブリード)に劣るおそれがあ
り、又、コスト高となるので好ましくない。
The vinylidene fluoride rubber having a weight average molecular weight of 30,000 to 70,000 used in the present invention will be described in detail below. Examples of the vinylidene fluoride-based rubber of the present invention include a copolymer of vinylidene fluoride and propylene pentafluoride or a copolymer of vinylidene fluoride and propylene hexafluoride. A copolymer of vinylidene and propylene hexafluoride is preferred. Further, in order to make the dispersed particle size of the vinylidene fluoride rubber in the epoxy resin molding material 50 μm or less, the vinylidene fluoride rubber of the present invention is preferably a powder. Since vinylidene fluoride rubber has flexibility, crumbs or pellets are not preferable because they do not disperse finely by a shearing force during ordinary heating and kneading, and it is difficult to obtain a dispersed particle size of 50 μm or less. It is essential that the weight average molecular weight (Mw) is 30,000 to 70,000, more preferably 40,000 to 70,000.
50,000. If the Mw is less than 30,000, bleeding is likely to occur during molding, causing mold contamination and the like, which is not preferable.
If the Mw exceeds 70,000, the viscosity increases, the fluidity decreases, and the low stress property and the adhesiveness become insufficient. It is not preferable because it occurs. The Mw of the vinylidene fluoride rubber of the present invention is determined by gel permeation chromatography (GPC) using polystyrene as a reference substance and using tetrahydrofuran as a developing solvent. As the dispersed particle size in the epoxy resin molding material,
50 μm or less is essential, and more preferably 30 μm or less. For this purpose, it is preferable to use powdered vinylidene fluoride rubber and to select equipment and conditions for reducing the dispersion particle size even during mixing and kneading. If the dispersed particle size exceeds 50 μm, the moldability (bleeding, clouding, fluidity) is poor, which is not preferable. The dispersed particle size of the vinylidene fluoride rubber of the present invention is observed at a magnification of 1,000 to 2,000 using an electron microscope after a cross section of a molded product of the epoxy resin molding material is polished and finished. The compounding amount is 0.02 to 5% by weight, more preferably 0.2 to 3% by weight, based on the entire epoxy resin molding material. If the content is less than 0.02% by weight, the effects of improving water repellency, adhesion to various members, and improving temperature cycle resistance cannot be obtained. If it exceeds 5% by weight, the viscosity becomes too high, the fluidity may be lowered, or the moldability (bleed) may be poor, and the cost may be increased, which is not preferable.

【0011】本発明のエポキシ樹脂成形材料は、(A)
〜(E)成分を必須成分とするが、必要に応じてシラン
カップリング剤等のカップリング剤、臭素化エポキシ樹
脂、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック等
の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等の離型剤、シ
リコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤等の種々の添加
剤を適宜配合しても差し支えない。本発明のエポキシ樹
脂成形材料は、(A)〜(E)成分、及びその他の添加
剤をミキサー等を用いて十分に均一に常温混合した後、
更に熱ロール、又はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉
砕して得られる。本発明のエポキシ樹脂成形材料を用い
て、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製
造するには、トランスファーモールド、コンプレッショ
ンモールド、インジェクションモールド等の従来からの
成形方法で硬化成形すればよい。
The epoxy resin molding material of the present invention comprises (A)
To (E) as an essential component, but if necessary, a coupling agent such as a silane coupling agent, a brominated epoxy resin, a flame retardant such as antimony trioxide, a coloring agent such as carbon black, a natural wax, and a synthetic wax. Various additives such as a release agent such as wax and low-stress additives such as silicone oil and rubber may be appropriately compounded. The epoxy resin molding material of the present invention is obtained by mixing the components (A) to (E) and other additives sufficiently uniformly at room temperature using a mixer or the like,
Furthermore, it is obtained by melt-kneading with a hot roll or a kneader, cooling, and pulverizing. Using the epoxy resin molding material of the present invention to encapsulate electronic components such as semiconductor elements and manufacture semiconductor devices, transfer molding, compression molding, injection molding, and other conventional molding methods can be used to cure and mold. Good.

【0012】[0012]

【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。
配合割合は重量部とする。 実施例1 ビフェニル型エポキシ樹脂(融点105℃、エポキシ当量195) 8.6重量部 フェノールアラルキル樹脂(軟化点80℃、水酸基当量174) 7.9重量部 球状溶融シリカ 80.0重量部 1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUという ) 0.2重量部 フッ化ビニリデン系ゴム(フッ化ビニリデンと6フッ化プロピレンとの共重合 体、重量平均分子量45000、粉末粒径500μm以下。以下、(E−1)と いう) 0.5重量部 エポキシシランカップリング剤 0.5重量部 臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂 1.0重量部 三酸化アンチモン 0.5重量部 カーボンブラック 0.3重量部 カルナバワックス 0.5重量部 をミキサーを用いて常温で混合し、70〜130℃で二
軸ロールを用いて混練し、冷却後粉砕しエポキシ樹脂成
形材料を得た。得られたエポキシ樹脂成形材料を以下の
方法で評価した。結果を表1に示す。
The present invention will be specifically described below with reference to examples.
The mixing ratio is by weight. Example 1 Biphenyl type epoxy resin (melting point 105 ° C, epoxy equivalent 195) 8.6 parts by weight Phenol aralkyl resin (softening point 80 ° C, hydroxyl equivalent 174) 7.9 parts by weight Spherical fused silica 80.0 parts by weight 1,8 -Diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 (hereinafter referred to as DBU) 0.2 parts by weight vinylidene fluoride rubber (copolymer of vinylidene fluoride and propylene hexafluoride, weight average molecular weight 45,000, powder particles) Diameter of 500 μm or less, hereinafter referred to as (E-1)) 0.5 part by weight Epoxysilane coupling agent 0.5 part by weight Brominated phenol novolak type epoxy resin 1.0 part by weight Antimony trioxide 0.5 part by weight Carbon Black 0.3 parts by weight Carnauba wax 0.5 parts by weight was mixed at room temperature using a mixer and biaxially heated at 70 to 130 ° C. It was kneaded with Lumpur, to obtain a pulverized epoxy resin molding material after cooling. The obtained epoxy resin molding material was evaluated by the following method. Table 1 shows the results.

【0013】評価方法 スパイラルフロー:EMMI−1−66に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度175℃、
注入圧力70kg/cm2、硬化時間2分で測定した。
単位はcm。 成形性(ブリード):低圧トランスファー成形機を用い
て、金型温度175℃、圧力70kg/cm2、硬化時
間1.5分で160pQFPを成形し、得られたパッケ
ージの表面の状態を目視で観察し、ブリードの有無を
○、△、×で判定した。フッ化ビニリデン系ゴムの分散
粒径:成形性の評価に使用した160pQFPの断面を
研磨仕上げし、電子顕微鏡を用いて1000〜2000
倍で観察した。 耐半田クラック性:低圧トランスファー成形機を用い
て、金型温度175℃、圧力70kg/cm2、硬化時
間2分で208pQFP(3.2mm厚)を成形し、更
にポストモールドキュアとして、175℃で8時間の処
理を行った(サンプル数は12個)。得られたパッケー
ジを85℃、相対湿度60%の雰囲気中で168時間吸
湿後、240℃のIRリフロー処理を行った。処理後の
パッケージ内部を超音波探傷機を用いて観察し、チップ
表面、又はパッド裏面の剥離又はクラックがあるパッケ
ージの個数で耐半田クラック性(及び密着性)を評価し
た。耐温度サイクル性:低圧トランスファー成形機を用
いて金型温度175℃、圧力70kg/cm2、硬化時
間2分で208pQFP(3.2mm厚)を成形し、更
にポストモールドキュアとして、175℃で8時間の処
理を行った(サンプル数は12個)。得られたパッケー
ジを、30℃、相対湿度60%の雰囲気中で192時間
吸湿後、MIL規格883Cに準じて、耐温度サイクル
性試験を−65℃〜150℃で1000サイクル行い、
試験後のパッケージ内部を超音波探傷機を用いて観察
し、チップ表面、又はパッド裏面の剥離離又はクラック
があるパッケージの個数で耐温度サイクル性を評価し
た。
Evaluation method Spiral flow: Using a mold for spiral flow measurement in accordance with EMMI-1-66, a mold temperature of 175 ° C.
The measurement was performed at an injection pressure of 70 kg / cm 2 and a curing time of 2 minutes.
The unit is cm. Moldability (bleed): 160pQFP was molded using a low-pressure transfer molding machine at a mold temperature of 175 ° C., a pressure of 70 kg / cm 2 and a curing time of 1.5 minutes, and the state of the surface of the obtained package was visually observed. Then, the presence or absence of bleed was judged by ○, Δ, and ×. Dispersion particle size of vinylidene fluoride rubber: A 160 pQFP cross section used for evaluation of moldability was polished and finished, and then subjected to 1000 to 2000 using an electron microscope.
Observed at times. Solder crack resistance: 208 pQFP (3.2 mm thick) was molded using a low-pressure transfer molding machine at a mold temperature of 175 ° C., a pressure of 70 kg / cm 2 , and a curing time of 2 minutes. The treatment was performed for 8 hours (the number of samples was 12). The obtained package was absorbed in an atmosphere at 85 ° C. and a relative humidity of 60% for 168 hours, and then subjected to an IR reflow treatment at 240 ° C. The inside of the package after the treatment was observed using an ultrasonic flaw detector, and the solder crack resistance (and adhesion) was evaluated by the number of packages having peeling or cracks on the chip surface or the pad back surface. Temperature cycle resistance: 208 pQFP (3.2 mm thick) was molded using a low-pressure transfer molding machine at a mold temperature of 175 ° C., a pressure of 70 kg / cm 2 , and a curing time of 2 minutes. Time processing was performed (the number of samples was 12). After the obtained package absorbs moisture for 192 hours in an atmosphere at 30 ° C. and a relative humidity of 60%, a temperature cycle resistance test is performed at −65 ° C. to 150 ° C. for 1000 cycles in accordance with MIL standard 883C.
The inside of the package after the test was observed using an ultrasonic flaw detector, and the temperature cycle resistance was evaluated based on the number of packages having peeling or cracking on the chip surface or the pad back surface.

【0014】実施例2〜4、比較例1〜6 表1、表2の配合に従い、実施例1と同様にしてエポキ
シ樹脂成形材料を得、実施例1と同様にして評価した。
結果を表1、表2に示す。なお、実施例2では、フッ化
ビニリデンと5フッ化プロピレンとの共重合体(重量平
均分子量44000、粉末粒径500μm以下。以下、
(E−2)という)を使用した。比較例1では、フッ化
ビニリデンと6フッ化プロピレンとの共重合体(重量平
均分子量25000、粉末粒径500μm以下。以下、
(E−3)という)を、比較例2では、フッ化ビニリデ
ンと6フッ化プロピレンとの共重合体(重量平均分子量
75000、粉末粒径500μm以下。以下、(E−
4)という)を、比較例3では、フッ化ビニリデンと6
フッ化プロピレンとの共重合体(重量平均分子量450
00、ペレット状。以下、(E−5)という)を使用し
た。
Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 to 6 According to the formulations shown in Tables 1 and 2, an epoxy resin molding material was obtained in the same manner as in Example 1, and evaluated in the same manner as in Example 1.
The results are shown in Tables 1 and 2. In Example 2, a copolymer of vinylidene fluoride and propylene pentafluoride (weight average molecular weight: 44,000, powder particle size: 500 μm or less.
(Referred to as (E-2)). In Comparative Example 1, a copolymer of vinylidene fluoride and propylene hexafluoride (weight average molecular weight 25,000, powder particle size 500 μm or less.
(E-3) is referred to in Comparative Example 2 as a copolymer of vinylidene fluoride and propylene hexafluoride (weight average molecular weight 75,000, powder particle size 500 μm or less.
4)), in Comparative Example 3, vinylidene fluoride and 6
Copolymer with propylene fluoride (weight average molecular weight 450
00, pellet form. Hereinafter, this is referred to as (E-5).

【表1】 [Table 1]

【0015】[0015]

【表2】 [Table 2]

【0016】[0016]

【発明の効果】本発明に従うと、リードフレーム等の各
種部材への密着性、耐半田クラック性、耐温度サイクル
性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を得るこ
とができる。
According to the present invention, it is possible to obtain an epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation having excellent adhesion to various members such as a lead frame, solder crack resistance, and temperature cycle resistance.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 Fターム(参考) 4J002 BD143 CC03X CC06X CC11X CD04W CD05W CD06W CD07W CD13W CD18W DE146 DJ016 EN067 EU117 EV207 EW147 EY017 FD016 FD157 GQ05 4J036 AD08 AD18 AF06 AF07 DB15 FA05 FB02 FB07 JA07 4M109 AA01 EA03 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB12 EB13 EB19 EC03 EC05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 F-term (Reference) 4J002 BD143 CC03X CC06X CC11X CD04W CD05W CD06W CD07W CD13W CD18W DE146 DJ016 EN067 EU117 EV207 EW147 EY017 FD016 FD157 GQ05 4J036 AD08 AD18 AF06 AF07 DB15 FA05 FB02 FB07 JA07 4M109 AA01 EA03 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB12 EB13 EB19 EC03 EC05

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール
樹脂、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤、及び
(E)全エポキシ樹脂組成物中に0.02〜5重量%の
重量平均分子量3万〜7万のフッ化ビニリデン系ゴムを
含有するエポキシ樹脂組成物を加熱混練し粉砕した成形
材料において、前記フッ化ビニリデン系ゴムの分散粒径
が、50μm以下であることを特徴とする半導体封止用
エポキシ樹脂成形材料。
1. An epoxy resin, (B) a phenolic resin, (C) an inorganic filler, (D) a curing accelerator, and (E) 0.02 to 5% by weight of the total epoxy resin composition. In a molding material obtained by heating, kneading and pulverizing an epoxy resin composition containing a vinylidene fluoride rubber having a weight average molecular weight of 30,000 to 70,000, the dispersed particle size of the vinylidene fluoride rubber is 50 μm or less. Epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation.
【請求項2】 重量平均分子量3万〜7万のフッ化ビニ
リデン系ゴムが、フッ化ビニリデンと5フッ化プロピレ
ンとの共重合体、又はフッ化ビニリデンと6フッ化プロ
ピレンとの共重合体である請求項1記載の半導体封止用
エポキシ樹脂成形材料。
2. A vinylidene fluoride rubber having a weight average molecular weight of 30,000 to 70,000 is a copolymer of vinylidene fluoride and propylene pentafluoride or a copolymer of vinylidene fluoride and propylene hexafluoride. The epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation according to claim 1.
【請求項3】 請求項1、又は2記載のエポキシ樹脂成
形材料を用いて半導体素子を封止してなることを特徴と
する半導体装置。
3. A semiconductor device comprising a semiconductor element encapsulated with the epoxy resin molding material according to claim 1.
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