JP2001244551A

JP2001244551A - パルセーションレーザ

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Publication number: JP2001244551A
Application number: JP2000051626A
Authority: JP
Inventors: Shoji Hirata; 照二平田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-02-28
Filing date: 2000-02-28
Publication date: 2001-09-07

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】パルセーション動作を確実に行わせ、また、
設計、製造の容易性、信頼性、歩留りの向上を図る。【解決手段】第１導電型の第１クラッド層２と、活性
層３と、第２導電型の第２クラッド層４とを有する半導
体積層構造部５を構成する。この半導体積層構造部５
の、電流注入領域の上に、第２導電型の電極コンタクト
層６が形成され、この層６と、第２クラッド層４に差し
渡って第１電極１１が被着される。第１電極１１は、層
６に対してはオーミックコンタクトされ、層４に対して
はショットキ障壁を形成してコンタクトされ、この障壁
ＳＢを含むフォトトランジスタを、活性層３の活性域３
ａを挟んでその両外側に配置された構成とし、レーザ光
の照射によってスイッチングしてパルセーション動作を
行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パルセーションレ
ーザに係わる。

【０００２】

【従来の技術】パルセーションレーザ、すなわち自励発
振レーザは、戻り光ノイズを効果的に回避できることか
ら、各種光源例えば光ディスクの光学ピックアップにお
ける光源として用いて好適である。

【０００３】従来のパルセーションレーザの代表的例と
しては、いわゆるＳＡＬ（Saturable Absorbing Layer)
型のレーザと、いわゆるＷＩ(Weakly Index Guide)型の
レーザとがある。ＳＡＬ型のパルセーションレーザは、
図９にその概略断面図を示すように、例えばｎ型のＧａ
Ａｓによる半導体基板１０１上に、ｎ型のＡｌＧａＡｓ
による第１クラッド層１０２と、クラッド層に比しバン
ドギャップの小さいＡｌＧａＡｓ活性層１０３と、活性
層い比しバンドギャップの大きいｐ型のＡｌＧａＡｓに
よる第２クラッド層１０４と、この第２クラッド層１０
４中に活性層１０３と対向活性層１０３と同程度のバン
ドギャップを有するＡｌＧａＡｓによる可飽和吸収層
（ＳＡＬ）１０５が配置形成される。また、ｎ型のＧａ
Ａｓによる電流狭搾を行う対の電流阻止領域１０６が、
所要の間隔を保持して形成され、これら電流阻止領域１
０６によって挟み込まれて、図９において紙面と直交す
る方向に延びるストライプ状の電流注入領域１０７が形
成される。そして、この電流注入領域１０７と電流阻止
領域１０６とに差し渡って、この例ではアノード電極と
なる第１電極１１１がオーミックに被着され、基板１０
１側にこの例ではカソード電極となる第２電極１１２が
オーミックに被着されて成る。

【０００４】電流阻止領域１０６は、その厚さが例えば
１μｍないしは１．５μｍとされて、レーザ動作時にお
いて、この電流阻止領域１０７から第２のクラッド層１
０４への電流のリークは阻止されるようになされてい
る。

【０００５】この構成によるパルセーションレーザは、
第１および第２電極間に所要の動作電圧を印加すること
によって、活性層１０３に、電流注入領域１０９下の中
央部に電流注入がなされることによって、レーザ発光が
なされる。このレーザ光は、可飽和吸収層１０５に吸収
され、キャリアすなわち電子が基底状態から伝導帯に持
ち上げられることによってキャリアの減少が生じ、可飽
和吸収状態となる。このキャリアの減少によって活性域
に対するキャリアの注入が減少することになり、レーザ
発光が停止する。このようにレーザ発光が停止すると、
可飽和吸収層１０５におけるレーザ光の吸収が減少し、
電子は基底状態に落ち、フォトンを発生すると共に、電
子が増加することによって、活性層の活性域に対する電
子の注入が大となり、これによってレーザ発光が生じ
る。この現象すなわち光とキャリアの相互作用によって
レーザ発光の断続、すなわちパルセーションが生じるよ
うになされる。

【０００６】また、ＷＩ型のパルセーションレーザは、
図１０にその概略断面図を示すように、図９における可
飽和吸収層を設けておらず、活性層１０３において可飽
和領域の形成がなされる。図１０において、図９と対応
する部分には、同一符号を付して重複説明を省略する。
この構成においては、例えば電流狭搾領域１０６による
レーザ光の吸収によって活性層１０３の中央部とその両
側において屈折率差を生じさせてこれによって活性層に
横方向の適度の閉じ込めを行い、中央部にレーザ発光を
なす活性域１０３Ａを形成するとともに、その両側に可
飽和領域１０３Ｓが形成されるようになされる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たＳＡＬ型による場合、高温、高出力におけるパルセー
ション動作に問題があり、可飽和吸収層における不純物
濃度が比較的大であることから、これによる特性への影
響すなわち経時変化の問題、信頼性の問題がある。ま
た、ＷＩ型においては、微妙な屈折率差の設定が必要で
あることから、設計の自由度が小さく、また、ゲインガ
イドライク構成であることから、低出力ときの量子ノイ
ズがやや悪いなどの問題がある。

【０００８】上述したように、ＳＡＬ型、ＷＩ型のいず
れにおいても、従来一般のパルセーションレーザは、可
飽和吸収のメカニズムによることから、温度依存性が大
で、高温動作時におけるパルセーションの抑制問題があ
るとか、目的とする特性を有するパルセーション動作を
確実に行わせるための、設計、製造に高精度が要求され
るとか、可飽和吸収領域が不安定になり易いとか、信頼
性、製造の歩留りに問題がある。

【０００９】本発明は、いわば、新しいメカニズムによ
ってパルセーションを発生させ、温度依存性が小さく、
確実にパルセーション動作が安定して行うことができ、
信頼性が高く、更に、製造が容易で、歩留りが高く、し
たがって、廉価に製造ができるパルセーションレーザを
提供するものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明によるパルセーシ
ョンレーザは、レーザ内に、フォトトランジスタを構成
してパルセーション動作を行わしめるものである。すな
わち、本発明によるパルセーションレーザは、少なくと
も、第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第２導
電型の第２クラッド層とを有する半導体積層構造部を有
する。そして、この半導体積層構造部の、電流注入領域
の構成部上に、第２導電型の電極コンタクト層が形成さ
れ、この電極コンタクト層と、この電極コンタクト層を
挟んでその両側の、第２クラッド層に差し渡って第１電
極が被着される。この第１電極は、電極コンタクト層に
対してはオーミックコンタクトされ、第２クラッド層に
対してはショットキ障壁を形成してコンタクトされ、こ
のショットキ障壁を含むフォトトランジスタが、活性層
の活性域を挟んでその両外側に配置された構成とする。

【００１１】すなわち、本発明においては、レーザ内に
フォトトランジスタを作り込み、レーザ発光による光照
射によってこのフォトトランジスタをオンさせて、これ
によって本来電流注入領域に注入すべき注入電流を、他
部にすなわち両外側にリークして活性層の活性域に対す
る電流注入を減少させ、レーザ発光を停止させる。この
レーザ発光が停止すると、フォトトランジスタに対する
光照射が停止することによってフォトトランジスタがオ
フする。このフォトトランジスタがオフすれば、本来の
電流注入領域に対する注入電流が増加し、活性層の活性
域に対する電流注入が増加し、レーザ発光が再びなされ
る。この現象の繰り返しによって目的とするパルセーシ
ョン動作を行うものである。すなわち、本発明によるパ
ルセーションレーザは、ゲインガイド型的構成によるも
のであり、また、本発明では、可飽和吸収体を設けるこ
とを回避し、作り込まれたフォトトランジスタによる言
わば半強制的にパルセーションを発生させるものであ
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明によるパルセーションレー
ザの一実施形態の一例を図１の概略断面図を参照して説
明する。この例では、ＡｌＧａＡｓ系のパルセーション
レーザを構成した場合である。この場合、ＧａＡｓ単結
晶による基体１上に、第１導電型例えばｎ型のＡｌ_x1Ｇ
ａ_1-X1Ａｓによる第１クラッド層２と、例えばＧａＡｓ
による活性層３と、第２導電型例えばｐ型のＡｌ_x1 Ｇ
ａ_1-X1Ａｓによる第２クラッド層４とを有する半導体積
層構造部５を構成する。そして、この半導体積層構造部
５の、電流注入領域の構成部上、すなわち活性層３の、
例えば図１において紙面と直交する方向に延長するスト
ライプ状の活性域５ａの形成部と対向する部分上に、第
２導電型例えばｐ型の例えばＡｌ_x0Ｇａ _1-X0Ａｓ例えば
ＧａＡｓ（ｘ₀＝０）による電極コンタクト層６をスト
ライプ状に形成する。

【００１３】この電極コンタクト層６と、この電極コン
タクト層６を挟んでその両側の、第２クラッド層４上に
差し渡って第１電極１１を被着する。この第１電極１１
は、電極コンタクト層６に対してはオーミックコンタク
トされ、第２クラッド層４に対してはショットキ障壁Ｓ
Ｂを形成するコンタクトがなされる構成とする。この第
１電極１１は、例えば順次Ｔｉ，Ｐｔ，Ａｕを形成する
ことによって構成する。同時に、本発明においては、共
通の第１電極１１がコンタクトされる第２クラッド層４
とコンタクト層６の各Ａｌ組成（原子比）ｘ₁およびｘ
₀を、ｘ₁＞ｘ ₀とする。例えば、ｘ₁＝０．４〜０．
５とし、ｘ₀＝０とする。

【００１４】このようにして活性層３の活性域３ａを挟
んでその両外側に、それぞれショットキ障壁ＳＢによっ
て構成されるショットキ障壁型のフォトトランジスタが
配置された構成とする。すなわち、ショットキ障壁ＳＢ
と、これらの直下の第２クラッド層４、第１クラッド層
２によってフォトトランジスタを構成する。

【００１５】ショットキ障壁ＳＢの形成部、すなわちフ
ォトトランジスタの形成部は、コンタクト層６の形成部
の両側に所要の幅Ｗを有する限定的された領域とする。
すなわち、ショットキ障壁ＳＢは、半導体積層構造部５
の両外側縁を除く位置に限定的に形成する。基板１の裏
面には、第２電極１２が形成される。

【００１６】ショットキ障壁ＳＢの障壁の高さφ_Bは、
第１電極１１からの注入電流を阻止し、コンタクト層の
形成部、したがって、活性層３の活性域３ａに電流集中
を行わしめる電流狭搾効果を有するものの、この障壁の
高さは、活性層３からのレーザ光によってオンできる程
度に低い高さの例えば０．３ｅＶ〜０．５ｅＶ程度に選
定する。

【００１７】本発明によるパルセーションレーザは、図
２にその等価回路図を示すように、半導体レーザＬＤと
並列に上述したフォトトランジスタＴＲが接続された構
成となる。この構成において、第１電極１１による例え
ばアノード端子Ａと例えば第２電極１２による例えばカ
ソード端子Ｋとの間に、所要の順方向電圧を供給する
と、ショットキ障壁ＳＢによって電流の狭搾がなされ、
活性層３の中心部に集中的に電流注入がなされ、この中
心部が活性域３ａとなってレーザ発光が生じる。このレ
ーザ発光は、フォトトランジスタＴＲに吸収され、ショ
ットキ障壁ＳＢがオンする。すなわちフォトトランジス
タＴＲがオンする。このように、フォトトランジスタＴ
Ｒがオン状態となると、これによる電流狭搾効果が小さ
くなることから、注入電流が広がり、無効電流が増大す
ることから、しきい値電流Ｉ_thが高くなって、活性域３
ａにおけるレーザ発光動作が停止する。このレーザ発光
が停止すると、フォトトランジスタＴＲに対する照射光
が減少することによってフォトトランジスタＴＲはオフ
する。これにより、電流狭搾効果が大となって、再び電
流注入領域の構成部６に集中的に電流注入がなされ、活
性層３の活性域３ａに対する電流注入が集中的になされ
ることから、レーザ発光が生じる。このような動作が繰
り返し連続的になされることによってパルセーションが
生じる。

【００１８】このように、フォトトランジスタのオン・
オフのいわばスイッチング効果によってパルセーション
をいわば半強制的に発生させる。

【００１９】図１で示した例では、第１電極１１を、第
２クラッド層４上に、幅Ｗをもって跨る幅に形成して、
ショットキ障壁ＳＢの形成位置を限定して不必要な電流
の広がりを回避する構成としたものであるが、この場
合、第１電極１１の幅が制約を受けることになる。この
第１電極１１は、これにワイヤボンディングや、他の端
子部等との電気的接続がなされることから、幅広に構成
することが望まれる場合がある。この場合は、図３にそ
の一例の概略構成の断面図を示すように、ショットキ障
壁ＳＢの幅Ｗの規制を、半導体積層構造部５のクラッド
層４上にＳｉＮあるいはＳｉＯ₂等よりなる絶縁層７を
被着形成することによって行う。このようにするとき
は、第１電極１１を、絶縁層７上に跨がって形成するこ
とによって幅広に、しかもショットキ障壁ＳＢを所定の
幅Ｗに限定的に形成することができる。

【００２０】あるいは、図４に他の一例の概略断面図を
示すように、図２の絶縁層に代えて、第１電極１１に対
してショットキ障壁ＳＢより高いショットキ障壁を形成
する、第２導電型の例えばＡｌＧａＡｓより成るショッ
トキ障壁制御層８を形成することができる。この場合の
ショットキ障壁制御層８は、そのＡｌ組成を、第２クラ
ッド層４より大きくすればよい。例えばクラッド層を、
Ａｌ_x1Ｇａ_1-X1Ａｓとし、ショットキ障壁制御層８をＡ
ｌ_x3 Ｇａ_1-X3Ａｓとするとき、ｘ₁＝０．４とし、ｘ
₃＝０．６とすることができる。

【００２１】また、上述した例では、第２クラッド層４
が単一層によって構成した場合であるが、図５にその一
例の概略断面図を示すように、第２クラッド層４を、シ
ョットキ障壁ＳＢが形成される例えば１００ｎｍ〜２０
０ｎｍの厚さの表面層４１と、これより活性層側に配置
される内部層４２とによる構成として、表面層４１の例
えばＡｌ濃度を選定することによってショットキ障壁の
高さの選定の自由度を高めることができる。このとき、
内部層４２をＡｌ_x1 Ｇａ_1-X1Ａｓ、表面層４１を、Ａ
ｌ_x2Ｇａ_1- _X2Ａｓ( ｘ₂は原子比) 、コンタクト層をＡ
ｌ_x0Ｇａ_1-X0Ａｓとするとき、ｘ₁＞ｘ₂＞ｘ₀とし
て、例えばｘ₁＝０．４〜０．５、ｘ₂＝０．２、ｘ₀
＝０とする。

【００２２】図３〜図５のいずれの構造のレーザにおい
ても、図１および２で説明したと同様の動作によってパ
ルセーション動作がなされる。すなわち、パルセーショ
ンレーザが構成される。

【００２３】次に、図６〜図８を参照して本発明による
パルセーションの製造方法の一例を説明する。この例に
おいてもＡｌＧａＡｓ系のパルセーションレーザを構成
した場合である。この場合、図６に示すように、ＧａＡ
ｓ単結晶による基体１上に、第１導電型例えばｎ型のＡ
ｌ_x1 Ｇａ_1-X1Ａｓによる第１クラッド層２と、例えば
ＧａＡｓによる活性層３と、第２導電型例えばｐ型のＡ
ｌ_x1 Ｇａ_1-X1Ａｓによる第２クラッド層４と、更にこ
の上にエッチングストッパ層１０を、それぞれ例えばＭ
ＯＣＶＤ（Metalorganic Chemical Vapor Deposition:
有機金属気相成長）法によって形成して半導体積層構造
部５を構成する。また、この半導体積層構造部５の成膜
に続いて、同様に例えばＭＯＣＶＤ法によって、例えば
ＧａＡｓによるコンタクト層６を成膜する。この場合に
おいても、第２クラッド層４と、コンタクト層６のＡｌ
組成ｘ₁とｘ₀は、ｘ₁＞ｘ₀とするものであるが、エ
ッチングストッパ層１０のＡｌ組成ｘ₃も、ｘ₁＞ｘ₃
の例えば０．２とする。その後、コンタクト層６の最終
的に電流注入領域の構成部上に、マスク層２０を形成す
る。マスク層２０は、例えばフォトレジスト層を、パタ
ーン露光および現像することによって形成することがで
きる。

【００２４】次に、図７に示すように、マスク層２０
を、エッチングマスクとして、マスク層２０によって覆
われていない部分の、コンタクト層６とその下のストッ
パ層１０とを例えばアンモニア系エッチング液によって
除去する。この場合、ストッパ層１０は、その下のクラ
ッド層４に比してＡｌ濃度が大に選定されていることに
よってエッチング性が低いので、エッチング性が変化す
る時点でエッチングの停止を行うことによって、所定の
深さのエッチングを行うことができる。

【００２５】その後、図８に示すように、電流注入領域
の構成部以外のコンタクト層６を除去し、残されたコン
タクト層６上と、その両外側のエッチングによって露呈
した第２クラッド層４上に跨がって上述た例えばＴｉ、
Ｐｔ、Ａｕを順次例えば蒸着、スパッタリング等によっ
て被着形成し、フォトリソグラフィによって所望のパタ
ーンに形成して第１電極１１を構成する。また、基板１
の裏面には、第２電極１２をオーミックに被着する。こ
のようにして、パルセーションレーザを構成することが
できる。このパルセーションレーザの製造において、共
通の基体１上に複数のレーザを同時に形成して、これら
を分断して同時に多数のパルセーションレーザを構成す
ることもできるし、マルチビーム構成とすることもでき
る。

【００２６】尚、上述した各例では、ＡｌＧａＡｓ系の
パルセーションレーザについて説明したが、ＡｌＧａＩ
ｎＰ系、ＧａＮ系のいずれの構成とすることもできる。
例えばＡｌＧａＩｎＰ系のレーザにおいては、第２クラ
ッド層４もしくはその内部層４２を（Ａｌ_x1Ｇａ_1-X1）
Ｉｎ_0.5Ｐ_0.5とし、表面層４１を（Ａｌ_x2Ｇａ_1-X2）
Ｉｎ_0.5Ｐ_0.5とし、コンタクト層６をＧａＡｓとする
ことができる。この場合においても、コンタクト層６の
Ａｌ組成をｘ₀とするとき、ｘ₁＞ｘ₂＞ｘ₀とする、
例えばｘ₀＝０、ｘ₁＝０．５、０＜ｘ₂＜０．５とす
ることにより前述したと同様のパルセーションレーザを
構成することができる。

【００２７】また、例えばＧａＮ系のレーザにおいて
は、第２クラッド層４もしくはその内部層４２を（Ａｌ
_x1Ｇａ_1-X1）Ｎとし、表面層４１を（Ａｌ_x2Ｇａ_1-X2）
Ｎとし、コンタクト層６をＧａＮとすることができる。
この場合においても、コンタクト層６のＡｌ組成をｘ₀
とするとき、ｘ₁＞ｘ₂＞ｘ₀とする、例えばｘ＝０、
ｘ₁＝０．３、０＜ｘ₂＜０．３とすることにより前述
したと同様のパルセーションレーザを構成することがで
きる。

【００２８】上述したように、本発明によるパルセーシ
ョンレーザは、レーザ内にフォトトランジスタを作り込
み、レーザ発光による光照射によってこのフォトトラン
ジスタをオンさせて、これによって活性層の活性域に対
する電流注入を減少させ、レーザ発光を停止させ、この
レーザ発光が停止によってフォトトランジスタに対する
光照射が停止させてフォトトランジスタがオフし、活性
層の活性域に対する電流注入が増加させレーザ発光を行
うという動作を繰り返えすことによってパルセーション
動作を行うものである。

【００２９】すなわち、本発明では、従来における可飽
和吸収体の形成を回避することから、これに伴う不安定
性、製造の歩留りの低さ、信頼性の問題を回避でき、ま
た、温度依存性の改善も図られ、高温、高出力動作時に
おいても、安定してパルセーションを生じさせることが
できる。

【００３０】尚、上述した例では、第１導電型がｎ型
で、第２導電型がｐ型とした場合であるが、これらを逆
導電型とすることもできる。また、本発明は、上述した
構造に限定されるものではなく、例えば活性層が多重構
造とされるなどの構成に適用することができる。

【００３１】

【発明の効果】上述したように、本発明によるパルセー
ションレーザは、レーザ内にフォトトランジスタを作り
込み、このスイッチングによってパルセーションを発生
機構を構成して言わば半強制的にパルセーション動作を
行わしめることにより、可飽和吸収による微妙なキャリ
アと光の相互作用によってパルセーションを起こす従来
構造に比し、低温から高温に至る広範囲の温度で安定し
たパルセーションが可能となる。また、広範囲のパワ
ー、すなわち高出力動作においても安定してパルセーシ
ョン動作を行うことができる。また、前述したＷＩ型に
おけるような微妙な屈折率差を得る構成を必要としない
ことから、レーザの適応範囲が広く、例えばインデック
スガイドからゲインガイドまでの適応が可能となる。

【００３２】また、その製造方法についても工程数の増
加を生じることがなく、更に信頼性の高いパルセーショ
ンを、歩留り良く、したがって、廉価に製造することが
できる。

【００３３】上述したように、本発明によるパルセーシ
ョンレーザは、従来のパルセーションレーザによっては
得られない多くの利点を有するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるパルセーションレーザの一例の概
略断面図である。

【図２】図１のパルセーションレーザの等価回路図であ
る。

【図３】本発明によるパルセーションレーザの他の一例
の概略断面図である。

【図４】本発明によるパルセーションレーザの他の一例
の概略断面図である。

【図５】本発明によるパルセーションレーザの他の一例
の概略断面図である。

【図６】本発明によるパルセーションレーザの一例の製
造方法の一例の一工程における概略断面図である。

【図７】本発明によるパルセーションレーザの一例の製
造方法の一例の一工程における概略断面図である。

【図８】本発明によるパルセーションレーザの一例の製
造方法の一例の一工程における概略断面図である。

【図９】従来のパルセーションレーザの概略断面図であ
る。

【図１０】従来のパルセーションレーザの概略断面図で
ある。

【符号の説明】

１・・・基体、２・・・第１クラッド層、３・・・活性
層、３ａ・・・活性域、４・・・第２クラッド層、５・
・・半導体積層構造部、６・・・コンタクト層７・・・
絶縁層、１０・・・エッチングストッパ層、１１・・・
第１電極、１２・・・第２電極、２０・・・マスク層、
ＳＢ・・・ショットキ障壁、ＬＤ・・・レーザ、ＴＲ・
・・フォトトランジスタ、２０・・・マスク、４１・・
・表面層、４２・・・内部層、１０１・・・基体、１０
２・・・第１クラッド層、１０３・・・活性層、１０３
Ａ・・・活性域、１０３Ｓ・・・可飽和吸収領域、１０
４・・・第２クラッド層、１０５・・・可飽和吸収層、
１０６・・・電流阻止領域、１０７・・・電流注入領
域、１１１・・・第１電極、１１２・・・第２電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、第１導電型の第１クラッド
層と、活性層と、第２導電型の第２クラッド層とを有す
る半導体積層構造部を有し、該半導体積層構造部の、電流注入領域の構成部上に、第
２導電型の電極コンタクト層が形成され、該電極コンタクト層と該電極コンタクト層を挟んでその
両側の上記半導体積層構造部の上記第２クラッド層に差
し渡って第１電極が被着され、該第１電極は、上記電極コンタクト層に対してはオーミ
ックコンタクトされ、上記第２クラッド層に対してはシ
ョットキ障壁を形成してコンタクトされ、該ショットキ障壁を含むフォトトランジスタが、活性層
の活性域を挟んでその両外側に構成され成ることを特徴
とするパルセーションレーザ。
【請求項２】上記フォトトランジスタを構成する上記
第２クラッド層に対するショットキ障壁は、上記半導体
積層構造部の両外側縁を除く、上記電極コンタクト層の
形成部に隣接する部分に所要の幅をもって限定的に形成
されて成ることを特徴とする請求項１に記載のパルセー
ションレーザ。
【請求項３】上記ショットキ障壁が限定的に形成され
る領域の外側に絶縁層が形成されて、上記ショットキ障
壁の形成位置が規制されて成ることを特徴とする請求項
２に記載のパルセーションレーザ。
【請求項４】上記クラッド層が、上記ショットキ障壁
が形成される表面層とこれより活性層側に配置される内
部層とによる構成とし、上記ショットキ障壁の高さの選
定がなされることを特徴とする請求項１に記載のパルセ
ーションレーザ。
【請求項５】上記第２クラッド層に対するショットキ
障壁の形成部以外に、該ショットキ障壁より高い障壁
を、上記第１電極との間に形成するショットキ障壁制御
層が形成されて成ることを特徴とする請求項１に記載の
パルセーションレーザ。
【請求項６】上記パルセーションレーザが、ＡｌＧａ
Ａｓ系半導体レーザであることを特徴とする請求項１に
記載のパルセーションレーザ。
【請求項７】上記パルセーションレーザが、ＡｌＧａ
ＩｎＰ系半導体レーザであることを特徴とする請求項１
に記載のパルセーションレーザ。
【請求項８】上記パルセーションレーザが、ＧａＮ系
半導体レーザであることを特徴とする請求項１に記載の
パルセーションレーザ。
【請求項９】上記クラッド層が、上記ショットキ障壁
が形成される表面層とこれより活性層側に配置される内
部層とによる構成とし、上記表面層によって上記ショットキ障壁の高さの選定が
なされ、上記下層のクラッド層の構成材料のＡｌ組成比をｘ
₁（原子比）とし、上記上層のクラッド層の構成材料の
Ａｌ組成比をｘ₂（原子比）とし、上記コンタクト層の
構成材料のＡｌ組成比をｘ₀（原子比）とするとき、ｘ
₁＞ｘ₂＞ｘ₀に選定することを特徴とする請求項１に
記載のパルセーションレーザ。