JP2611486B2 - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 30
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
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- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、情報処理用単一横モード半導体レーザ、
特に閾値電流値が低く高効率な単一横モード半導体レー
ザ及びその製造方法に関するものである。
特に閾値電流値が低く高効率な単一横モード半導体レー
ザ及びその製造方法に関するものである。
量子井戸活性層を用いた単一横モード発振半導体レー
ザの低閾値化、高効率化には、（ｉ）導波構造の吸収損
失の小さくすることと、（ii）導波部が含む活性領域へ
効率良く電流を注入することが有効である。
ザの低閾値化、高効率化には、（ｉ）導波構造の吸収損
失の小さくすることと、（ii）導波部が含む活性領域へ
効率良く電流を注入することが有効である。
第１の従来例として次の構造が挙げられる。すなわ
ち、（ｉ）を目的とした例で、メサストライプ上にクラ
ッド層に挟まれて形成された量子井戸活性層のメサ平坦
部に屈折率差制御型導波路が得られる構造をもつ半導体
レーザが報告されている。例えば、1981年D.R.Scifres
らによりアプライド・フィジックス・レターズ巻38、91
5頁で報告された「MOCVD成長メサ導波GaAs/AlGaAsレー
ザ」（″Mesa waveguide GaAs/GaAlAs injection laser
grown by metalorganic chemical vapor depositio
n″）の概略構造を第３図（ａ）に示す。第３図（ａ）
のレーザ構造は、順メサストライプの形成されたｎ型Ga
As基板11上にMOVPE技術により、ｎ型AlGaAsクラッド層1
2、AlGaAs量子井戸活性層13、ｐ型AlGaAsクラッド層1
4、p+型GaAsキャップ層15を順次形成した後、電流注入
部として残すメサ平坦部の一部を除いて、プロトン打ち
込み技術により少なくともｐ型AlGaAsクラッド層に達す
る領域16を高抵抗化し、さらに上面と底面に電極を形成
してなる。この構造により得られるメサ平坦部上の活性
領域でキャリアが再結合して発生する光は、メサストラ
イプ側部の屈曲部でｐクラッド層14の屈折率導波の光閉
じこめ効果を受けるので、吸収損失が小さい。
ち、（ｉ）を目的とした例で、メサストライプ上にクラ
ッド層に挟まれて形成された量子井戸活性層のメサ平坦
部に屈折率差制御型導波路が得られる構造をもつ半導体
レーザが報告されている。例えば、1981年D.R.Scifres
らによりアプライド・フィジックス・レターズ巻38、91
5頁で報告された「MOCVD成長メサ導波GaAs/AlGaAsレー
ザ」（″Mesa waveguide GaAs/GaAlAs injection laser
grown by metalorganic chemical vapor depositio
n″）の概略構造を第３図（ａ）に示す。第３図（ａ）
のレーザ構造は、順メサストライプの形成されたｎ型Ga
As基板11上にMOVPE技術により、ｎ型AlGaAsクラッド層1
2、AlGaAs量子井戸活性層13、ｐ型AlGaAsクラッド層1
4、p+型GaAsキャップ層15を順次形成した後、電流注入
部として残すメサ平坦部の一部を除いて、プロトン打ち
込み技術により少なくともｐ型AlGaAsクラッド層に達す
る領域16を高抵抗化し、さらに上面と底面に電極を形成
してなる。この構造により得られるメサ平坦部上の活性
領域でキャリアが再結合して発生する光は、メサストラ
イプ側部の屈曲部でｐクラッド層14の屈折率導波の光閉
じこめ効果を受けるので、吸収損失が小さい。
第２の従来例として次の構造が挙げられる。すなわ
ち、（ii）を目的とする例で、活性層上のクラッド部に
形成されたメサストライプと、該ストライプ側面に電流
ブロック層を有する自己整合型半導体レーザが報告され
ている。例えば、1989年石川らにより春季応用物理学会
予稿集4a−ZC−６で報告された「高出力高信頼セルファ
ライン型量子井戸レーザ」の概略構造を第３図（ｂ）に
示す。第３図（ｂ）のレーザ構造は、ｎ型GaAs基板上21
に、MOVPE技術により、ｎ型AlGaAsクラッド層22、AlGaA
s量子井戸活性層23、ｐ型AlGaAsクラッド層24、p+キャ
ップ層25を順次形成した後、活性層より上の領域をメサ
ストライプ部を残してエッチングし、選択成長により電
流ブロック層26で埋め込み、さらに上面と底面に電極を
形成してなる。この構造により、メサ部直下の量子井戸
活性層に効率良く電流が注入される。
ち、（ii）を目的とする例で、活性層上のクラッド部に
形成されたメサストライプと、該ストライプ側面に電流
ブロック層を有する自己整合型半導体レーザが報告され
ている。例えば、1989年石川らにより春季応用物理学会
予稿集4a−ZC−６で報告された「高出力高信頼セルファ
ライン型量子井戸レーザ」の概略構造を第３図（ｂ）に
示す。第３図（ｂ）のレーザ構造は、ｎ型GaAs基板上21
に、MOVPE技術により、ｎ型AlGaAsクラッド層22、AlGaA
s量子井戸活性層23、ｐ型AlGaAsクラッド層24、p+キャ
ップ層25を順次形成した後、活性層より上の領域をメサ
ストライプ部を残してエッチングし、選択成長により電
流ブロック層26で埋め込み、さらに上面と底面に電極を
形成してなる。この構造により、メサ部直下の量子井戸
活性層に効率良く電流が注入される。
閾値電流値の低減、高効率化を図るためには、導波構
造の吸収損失を小さくすること及び導波部に含まれる活
性層に効率良く電流を注入することを同時に満たすこと
が重要である。
造の吸収損失を小さくすること及び導波部に含まれる活
性層に効率良く電流を注入することを同時に満たすこと
が重要である。
ところが、実際、第１の従来例で示した構造において
は、吸収損失の小さい導波構造が得られているものの、
プロトン打ち込みによって得られる高抵抗化領域の近傍
は結晶の品質が低下するため、高抵抗化領域を活性層に
近接させることができず、電流を効率良く活性領域に注
入させることは困難である。また、第２の従来例で示し
た構造においては、活性領域への電流注入効率が高い構
造が得られているものの、電流ブロック層がｎ型GaAsで
ある場合は吸収損失の大きい導波構造となり、電流ブロ
ック層が、バンドギャップが活性領域のそれよりも大き
いｎ型AlxGa1-xAs（ｘ＜0.3）である場合は、吸収損失
は低減するものの、クラッド層のアルミ組成が通常0.3
以上のとき、メサストライプ部とメサストライプ側部の
間に有効な屈折率差が得られず、また電流ブロック層が
ｎ型AlxGa1-xAs（ｘ＞0.3）の場合は、選択埋め込み成
長が不可能となり、メサストライプ上の多結晶を除去し
なければならず、製作プロセスが複雑となるという不都
合が生じる。
は、吸収損失の小さい導波構造が得られているものの、
プロトン打ち込みによって得られる高抵抗化領域の近傍
は結晶の品質が低下するため、高抵抗化領域を活性層に
近接させることができず、電流を効率良く活性領域に注
入させることは困難である。また、第２の従来例で示し
た構造においては、活性領域への電流注入効率が高い構
造が得られているものの、電流ブロック層がｎ型GaAsで
ある場合は吸収損失の大きい導波構造となり、電流ブロ
ック層が、バンドギャップが活性領域のそれよりも大き
いｎ型AlxGa1-xAs（ｘ＜0.3）である場合は、吸収損失
は低減するものの、クラッド層のアルミ組成が通常0.3
以上のとき、メサストライプ部とメサストライプ側部の
間に有効な屈折率差が得られず、また電流ブロック層が
ｎ型AlxGa1-xAs（ｘ＞0.3）の場合は、選択埋め込み成
長が不可能となり、メサストライプ上の多結晶を除去し
なければならず、製作プロセスが複雑となるという不都
合が生じる。
本発明の目的は、吸収損失の少ない導波構造で、かつ
活性領域への電流注入効率の高い半導体レーザの構造と
その製造方法を得ることにある。
活性領域への電流注入効率の高い半導体レーザの構造と
その製造方法を得ることにある。
本発明の半導体レーザは、平坦部を有する順メサスト
ライプが形成されたIII−Ｖ族化合物半導体基板に、第
１導電型クラッド層、量子井戸活性層、第２導電型クラ
ッド層が順次形成されてなるダブルヘテロ構造を内包す
る多層積層構造をもつ半導体レーザにおいて、前記第２
導電型クラッド層が前記メサストライプ平坦部の上部を
除いて層厚0.1μｍから0.3μｍと薄く、かつ前記薄い第
２導電型クラッド層の上部が、第１導電型、かつ、バン
ドギャップが前記活性層よりも大きい組成の電流ブロッ
ク層で埋め込まれてなることを特徴とし、その製造方法
は、メサストライプ状凸部を有する半導体基板上に、量
子井戸活性層を含む多層積層構造を形成した後に、メサ
ストライプ平坦部を除いた領域をエッチングする工程に
おいて、蒸着により形成された絶縁体膜をレジストマス
クを用いてメサストライプ平坦部とメサストライプ傾斜
部の一部を残して除去し、さらにメサストライプ平坦部
よりも薄く形成されているメサストライプ傾斜部の絶縁
体膜をレジストマスクを用いることなく除去することに
よりメサストライプ平坦部のみに絶縁体エッチングマス
クを残す工程を有することを特徴としている。
ライプが形成されたIII−Ｖ族化合物半導体基板に、第
１導電型クラッド層、量子井戸活性層、第２導電型クラ
ッド層が順次形成されてなるダブルヘテロ構造を内包す
る多層積層構造をもつ半導体レーザにおいて、前記第２
導電型クラッド層が前記メサストライプ平坦部の上部を
除いて層厚0.1μｍから0.3μｍと薄く、かつ前記薄い第
２導電型クラッド層の上部が、第１導電型、かつ、バン
ドギャップが前記活性層よりも大きい組成の電流ブロッ
ク層で埋め込まれてなることを特徴とし、その製造方法
は、メサストライプ状凸部を有する半導体基板上に、量
子井戸活性層を含む多層積層構造を形成した後に、メサ
ストライプ平坦部を除いた領域をエッチングする工程に
おいて、蒸着により形成された絶縁体膜をレジストマス
クを用いてメサストライプ平坦部とメサストライプ傾斜
部の一部を残して除去し、さらにメサストライプ平坦部
よりも薄く形成されているメサストライプ傾斜部の絶縁
体膜をレジストマスクを用いることなく除去することに
よりメサストライプ平坦部のみに絶縁体エッチングマス
クを残す工程を有することを特徴としている。
本発明によれば、メサ平坦部の上部に平滑に形成され
た量子井戸活性領域の両側部にバンドギャップが活性領
域のそれよりも大きく、屈折率が活性層のそれよりも小
さいクラッド層の電流狭窄層が傾斜して形成されている
ため、活性領域で、キャリアの再結合により発生する光
は、吸収損失が少ない屈折率差制御で活性領域内に導波
される。また量子井戸層と電流狭窄層の間のクラッド層
厚が0.1〜0.3μｍと薄く、その薄いクラッド層を通って
活性領域以外の量子井戸層へ注入される無効電流が小さ
く、活性領域へ効率良く電流を注入できる。
た量子井戸活性領域の両側部にバンドギャップが活性領
域のそれよりも大きく、屈折率が活性層のそれよりも小
さいクラッド層の電流狭窄層が傾斜して形成されている
ため、活性領域で、キャリアの再結合により発生する光
は、吸収損失が少ない屈折率差制御で活性領域内に導波
される。また量子井戸層と電流狭窄層の間のクラッド層
厚が0.1〜0.3μｍと薄く、その薄いクラッド層を通って
活性領域以外の量子井戸層へ注入される無効電流が小さ
く、活性領域へ効率良く電流を注入できる。
また、本発明によれば、メサ側部の幅以下のフォトレ
ジストマスクの位置決め精度（＜0.4μｍ）があれば、
メサストライプ平坦部のみに自己整合的に絶縁体マスク
をつけることができ、メサストライプ両側のエッチング
工程において、メサを中心にして対称性良く、かつメサ
ストライプ長手方向に均一にエッチングすることができ
る。
ジストマスクの位置決め精度（＜0.4μｍ）があれば、
メサストライプ平坦部のみに自己整合的に絶縁体マスク
をつけることができ、メサストライプ両側のエッチング
工程において、メサを中心にして対称性良く、かつメサ
ストライプ長手方向に均一にエッチングすることができ
る。
以下、第２図を参照して、本発明の一実施例を説明す
る。フォトリングラフィ技術とリン酸系エッチング技術
により平坦部の幅３μm,高さ１μｍのメサストライプが
形成されているｎ型GaAs基板１上に、MOVPE技術により
ｎ型Al0.45Ga0.55Asクラッド層２を１μｍ、Al0.3Ga0.7
As光ガイド600Å/GaAs量子井戸80Å／Al0.3Ga0.7Asバリ
ア50Å/GaAs量子井戸80Å／Al0.3Ga0.7As光ガイド600Å
からなる２重量子井戸活性層３、ｐ型Al0.45Ga0.55Asク
ラッド層４を1.5μｍ、p+GaAsキャップ層５を0.5μｍを
順次成長させ、さらに電子ビーム蒸着技術によりSiO2絶
縁体膜50を全体に１μｍの厚さに付ける（第２図
（ａ））。この時、メサストライプの傾斜部には、平坦
部に対して54°傾いているため、SiO2絶縁体膜50は0.6
μｍの厚さに付く。フォトリングラフィ技術とフッ酸系
エッチング技術により、SiO2絶縁体膜上に形成したレジ
スト51をマスクにしてSiO2絶縁体膜をエッチングし、メ
サ平坦部全体とメサ傾斜部の一部の上部のみSiO2絶縁体
膜50を残す（第２図（ｂ））。さらに、レジスト51を除
去した後、マスクを用いることなくエッチングし、メサ
傾斜部より厚く付いたメサ平坦部のみに0.3〜0.35μｍ
の厚さにSiO2絶縁体膜50を残す（第２図（ｃ））。この
後電流狭窄部形成工程に移る。
る。フォトリングラフィ技術とリン酸系エッチング技術
により平坦部の幅３μm,高さ１μｍのメサストライプが
形成されているｎ型GaAs基板１上に、MOVPE技術により
ｎ型Al0.45Ga0.55Asクラッド層２を１μｍ、Al0.3Ga0.7
As光ガイド600Å/GaAs量子井戸80Å／Al0.3Ga0.7Asバリ
ア50Å/GaAs量子井戸80Å／Al0.3Ga0.7As光ガイド600Å
からなる２重量子井戸活性層３、ｐ型Al0.45Ga0.55Asク
ラッド層４を1.5μｍ、p+GaAsキャップ層５を0.5μｍを
順次成長させ、さらに電子ビーム蒸着技術によりSiO2絶
縁体膜50を全体に１μｍの厚さに付ける（第２図
（ａ））。この時、メサストライプの傾斜部には、平坦
部に対して54°傾いているため、SiO2絶縁体膜50は0.6
μｍの厚さに付く。フォトリングラフィ技術とフッ酸系
エッチング技術により、SiO2絶縁体膜上に形成したレジ
スト51をマスクにしてSiO2絶縁体膜をエッチングし、メ
サ平坦部全体とメサ傾斜部の一部の上部のみSiO2絶縁体
膜50を残す（第２図（ｂ））。さらに、レジスト51を除
去した後、マスクを用いることなくエッチングし、メサ
傾斜部より厚く付いたメサ平坦部のみに0.3〜0.35μｍ
の厚さにSiO2絶縁体膜50を残す（第２図（ｃ））。この
後電流狭窄部形成工程に移る。
電流狭窄部形成工程は、まず、p+型GaAsキャップ層５
をアンモニアと過酸化水素の容積比1:20の混合液を用い
て、５秒間エッチングする（エッチング速度は、８μm/
分）。このエッチングにより、キャップ層５はメサ平坦
部の上部を残して除去され、ｐ型Al0.45Ga0.55Asクラッ
ド層４の表面には、酸化膜10が形成される（第２図
（ｄ））。次に酸化膜10を除去するためにバッファド・
フッ酸で15秒間エッチングし、ｐ型Al0.45Ga0.55Asクラ
ッド層４の表面を出す（第２図（ｅ））。この際メサ平
坦部のSiO2絶縁体膜50も全厚の1/10以下だけ薄くエッチ
ングされるが後に続く工程に影響はない。次に、リン酸
系エッチング液（エッチング速度は、Al0.45Ga0.55Asに
対して２μm/分,GaAsに対して1.2μm/分）を用い、39秒
の時間制御でエッチングし、メサ側部の傾斜部とメサ外
の平坦部のｐ型Al0.45Ga0.55Asクラッド層４を厚さ0.2
μｍだけ残して除去する（第２図（ｆ））。次にMOVPE
減圧選択埋め込み成長を行なう。10torrの減圧下におい
ては、AlxGa1-xAs（ｘ＜0.3）層をエピタキシャル層の
表面に選択的に成長することができる。この性質を利用
し、メサ脇のｐ型Al0.45Ga0.55Asクラッド層４の上部を
ｎ型Al0.3Ga0.7As電流ブロック層６で完全に埋め込む
（第２図（ｇ））。
をアンモニアと過酸化水素の容積比1:20の混合液を用い
て、５秒間エッチングする（エッチング速度は、８μm/
分）。このエッチングにより、キャップ層５はメサ平坦
部の上部を残して除去され、ｐ型Al0.45Ga0.55Asクラッ
ド層４の表面には、酸化膜10が形成される（第２図
（ｄ））。次に酸化膜10を除去するためにバッファド・
フッ酸で15秒間エッチングし、ｐ型Al0.45Ga0.55Asクラ
ッド層４の表面を出す（第２図（ｅ））。この際メサ平
坦部のSiO2絶縁体膜50も全厚の1/10以下だけ薄くエッチ
ングされるが後に続く工程に影響はない。次に、リン酸
系エッチング液（エッチング速度は、Al0.45Ga0.55Asに
対して２μm/分,GaAsに対して1.2μm/分）を用い、39秒
の時間制御でエッチングし、メサ側部の傾斜部とメサ外
の平坦部のｐ型Al0.45Ga0.55Asクラッド層４を厚さ0.2
μｍだけ残して除去する（第２図（ｆ））。次にMOVPE
減圧選択埋め込み成長を行なう。10torrの減圧下におい
ては、AlxGa1-xAs（ｘ＜0.3）層をエピタキシャル層の
表面に選択的に成長することができる。この性質を利用
し、メサ脇のｐ型Al0.45Ga0.55Asクラッド層４の上部を
ｎ型Al0.3Ga0.7As電流ブロック層６で完全に埋め込む
（第２図（ｇ））。
最後にSiO2絶縁体膜50を除去し、ｐ電極７及びｎ電極
８を付け、へき開し、半導体レーザが完成される（第１
図及び第２図（ｈ））。
８を付け、へき開し、半導体レーザが完成される（第１
図及び第２図（ｈ））。
本発明の半導体レーザの構造により、吸収損失の小さ
い導波構造をもつ活性領域に効率良く電流が注入される
ため、より電流閾値が低く、高効率な半導体レーザが得
られる。
い導波構造をもつ活性領域に効率良く電流が注入される
ため、より電流閾値が低く、高効率な半導体レーザが得
られる。
また、本発明の半導体レーザの製造方法により、高精
度のフォトレジストマスクの位置決めを要することなく
メサストライプ平坦部にのみ自己整合的に絶縁体エッチ
ングマスクを残すことができ、メサ両脇を対称性良くエ
ッチングできるため、容易にかつ歩留まりよく本発明の
半導体レーザの構造を製作することができる。
度のフォトレジストマスクの位置決めを要することなく
メサストライプ平坦部にのみ自己整合的に絶縁体エッチ
ングマスクを残すことができ、メサ両脇を対称性良くエ
ッチングできるため、容易にかつ歩留まりよく本発明の
半導体レーザの構造を製作することができる。
第１図は、本発明の半導体レーザの構造概略図であり、
第２図は、その製造工程概略図である。第３図（ａ）
は、第１の従来例の半導体レーザの構造概略図、第３図
（ｂ）は、第２の従来例の半導体レーザの構造概略図で
ある。 １……ｎ型GaAs基板、２……ｎ型Al0.45Ga0.55Asクラッ
ド層、３……量子井戸活性層、４……ｐ型Al0.45Ga0.55
Asクラッド層、５……p+型GaAsキャップ層、６……ｎ型
Al0.3Ga0.7As電流ブロック層、７……ｐ電極、８……ｎ
電極、11……ｎ型GaAs基板、12……ｎ型AlGaAsクラッド
層、13……量子井戸活性層、14……ｐ型AlGaAsクラッド
層、15……p+型GaAsキャップ層、16……プロトン打ち込
み領域（高抵抗層）21……ｎ型GaAs基板、22……ｎ型Al
0.45Ga0.55Asクラッド層、23……量子井戸活性層、24…
…ｐ型Al0.45Ga0.55Asクラッド層、25……p+GaAsキャッ
プ層、26……ｎ型Al0.3Ga0.7As電流ブロック層、50……
SiO2絶縁体膜、51……レジスト。
第２図は、その製造工程概略図である。第３図（ａ）
は、第１の従来例の半導体レーザの構造概略図、第３図
（ｂ）は、第２の従来例の半導体レーザの構造概略図で
ある。 １……ｎ型GaAs基板、２……ｎ型Al0.45Ga0.55Asクラッ
ド層、３……量子井戸活性層、４……ｐ型Al0.45Ga0.55
Asクラッド層、５……p+型GaAsキャップ層、６……ｎ型
Al0.3Ga0.7As電流ブロック層、７……ｐ電極、８……ｎ
電極、11……ｎ型GaAs基板、12……ｎ型AlGaAsクラッド
層、13……量子井戸活性層、14……ｐ型AlGaAsクラッド
層、15……p+型GaAsキャップ層、16……プロトン打ち込
み領域（高抵抗層）21……ｎ型GaAs基板、22……ｎ型Al
0.45Ga0.55Asクラッド層、23……量子井戸活性層、24…
…ｐ型Al0.45Ga0.55Asクラッド層、25……p+GaAsキャッ
プ層、26……ｎ型Al0.3Ga0.7As電流ブロック層、50……
SiO2絶縁体膜、51……レジスト。
Claims (2)
- 【請求項１】平坦部を有する順メサストライプが形成さ
れたIII−Ｖ族化合物半導体基板に第１導電型クラッド
層、量子井戸活性層、第２導電型クラッド層が順次形成
されてなるダブルヘテロ構造を内包する多層積層構造を
もつ半導体レーザにおいて、前記第２導電型クラッド層
が前記メサストライプ平坦部の上部を除いて層厚0.1μ
ｍから0.3mμｍと薄く、かつ前記薄い第２導電型クラッ
ド層の上部が、第１導電型かつバンドギャップが前記活
性層よりも大きい組成の電流ブロック層で埋め込まれて
なることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】平坦部を有する順メサストライプが形成さ
れたIII−Ｖ族化合物半導体基板に、少くとも第１導電
型クラッド層、量子井戸活性層、第２導電型クラッド層
を順次形成してダブルヘテロ構造を内包する多層積層構
造を形成する工程と、前記第２導電型クラッド層の前記
メサストライプ平坦部分を除いた前記第２クラッド層の
厚さを0.1μｍ〜0.3μｍとするエッチング工程と、前記
第２導電型クラッド層の層厚の薄い部分上部に第１導電
型かつバンドギャップが前記活性層よりも大きい組成の
電流ブロック層を埋め込む工程とを少くとも備えている
半導体レーザの製造方法において、前記エッチング工程
が、蒸着により形成された絶縁体膜をレジストマスクを
用いてメサストライプ平坦部の全部とメサストライプ傾
斜部の一部を残して除去し、さらにメサストライプ平坦
部よりも薄く形成されているメサストライプ傾斜部の絶
縁体膜をレジストマスクを用いることなく除去すること
によりメサストライプ平坦部のみに絶縁体エッチングマ
スクを残す工程を有することを特徴とする半導体レーザ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094517A JP2611486B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094517A JP2611486B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03292788A JPH03292788A (ja) | 1991-12-24 |
| JP2611486B2 true JP2611486B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=14112521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2094517A Expired - Lifetime JP2611486B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2611486B2 (ja) |
-
1990
- 1990-04-10 JP JP2094517A patent/JP2611486B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03292788A (ja) | 1991-12-24 |
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