JPH03292788A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH03292788A JPH03292788A JP9451790A JP9451790A JPH03292788A JP H03292788 A JPH03292788 A JP H03292788A JP 9451790 A JP9451790 A JP 9451790A JP 9451790 A JP9451790 A JP 9451790A JP H03292788 A JPH03292788 A JP H03292788A
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- H01S5/223—Buried stripe structure
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- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、情報処理用単一横モード半導体レーザ、特
に閾値電流値が低く高効率な単一横モド半導体し−サ及
びその製造方法に関するものである。
に閾値電流値が低く高効率な単一横モド半導体し−サ及
びその製造方法に関するものである。
量子井戸活性層を用いた単一横モート発振半導体レーザ
の低閾値化、高効率化には、（ｉ）導波構造の吸収損失
の小さくすることと、（ｉｉ）４波部が含む活性領域へ
効率良く電流を注入することが有効である。
の低閾値化、高効率化には、（ｉ）導波構造の吸収損失
の小さくすることと、（ｉｉ）４波部が含む活性領域へ
効率良く電流を注入することが有効である。
第１の従来例として次の構造が挙げられる。すなわち、
（ｉ）を目的とした例で、メサストライプ上にクラッド
層に挾まれて形成された量子井戸活性層のメサ平坦部に
屈折率差制御型導波路が得られる構造をもつ半導体レー
ザが報告されている。例えば、１９８１年り、ＲｏＳｃ
ｊｆｒｅｓらにｌ）７プライト・フィジックス・レター
ズ巻３８，９１５頁で報告されたｒＭＯＣＶＤｉ長メサ
導波Ｇ ａ Ａ ｓ ／Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓレ−サ
ｊ（Ｍｅｓａ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ＧａＡｓ／ＧａＡ
７Ａｓ １ｎ−ｊｅｃｔｉｏｎ １ａｓｅｒ ｇｒｏｗ
ｎ ｂｙ ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉ −
ｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ’ ）の概
略構造を第３図（句に示す。第３図（ａｌのレーザ構造
は、順メサストライプの形成されたｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ
基板１１上にＭＯＶＰＥ技術によシ、ｎ型Ａ ＩＧａＡ
ｓクラッド層１２、ＡＩＧ ａＡ ｓ量子井戸活性層
１３、ｐ型ＡＡ’ＧａＡｓ７ラツド層１４、ｐ十型Ｇ
ａ Ａ ｓキャラプ層１５を順次形成した後、を流汗入
部として残すメサ平坦部の一部を除いて、プロトン打ち
込み技術により少なくともｐ型ＡＪＧａＡｓクラッド層
に達する領域１６を高抵抗化し、さらに上面と底面に電
極を形成してなる。この構造により得られるメサ平坦部
上の活性領域でキャリアが再結合して発生する光は、メ
サストライク９Ａｊ部の屈曲部でｐクラッド層１４の屈
折率導波の光閉じこめ効果を受けるので、吸収損失が小
さい。
（ｉ）を目的とした例で、メサストライプ上にクラッド
層に挾まれて形成された量子井戸活性層のメサ平坦部に
屈折率差制御型導波路が得られる構造をもつ半導体レー
ザが報告されている。例えば、１９８１年り、ＲｏＳｃ
ｊｆｒｅｓらにｌ）７プライト・フィジックス・レター
ズ巻３８，９１５頁で報告されたｒＭＯＣＶＤｉ長メサ
導波Ｇ ａ Ａ ｓ ／Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓレ−サ
ｊ（Ｍｅｓａ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ＧａＡｓ／ＧａＡ
７Ａｓ １ｎ−ｊｅｃｔｉｏｎ １ａｓｅｒ ｇｒｏｗ
ｎ ｂｙ ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉ −
ｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ’ ）の概
略構造を第３図（句に示す。第３図（ａｌのレーザ構造
は、順メサストライプの形成されたｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ
基板１１上にＭＯＶＰＥ技術によシ、ｎ型Ａ ＩＧａＡ
ｓクラッド層１２、ＡＩＧ ａＡ ｓ量子井戸活性層
１３、ｐ型ＡＡ’ＧａＡｓ７ラツド層１４、ｐ十型Ｇ
ａ Ａ ｓキャラプ層１５を順次形成した後、を流汗入
部として残すメサ平坦部の一部を除いて、プロトン打ち
込み技術により少なくともｐ型ＡＪＧａＡｓクラッド層
に達する領域１６を高抵抗化し、さらに上面と底面に電
極を形成してなる。この構造により得られるメサ平坦部
上の活性領域でキャリアが再結合して発生する光は、メ
サストライク９Ａｊ部の屈曲部でｐクラッド層１４の屈
折率導波の光閉じこめ効果を受けるので、吸収損失が小
さい。
第２の従来例として次の構造が挙げられる。すなわち、
（ｉｉ）を目的とする例で、活性層上のクラフト部に形
成されたメサストライプと、該ストライブ４１１ＩＩＩ
面に電流ブロック層を有する自己整金型半導体レーザが
報告されている。例えば、１９８９年石月１らにより春
季応用物理学会予稿集４ａ−ＺＣ−６で報告きれた「高
出力高信頼セルファライン型量子井戸レーザ」の概略構
造を第３図（ｂ）に示す。
（ｉｉ）を目的とする例で、活性層上のクラフト部に形
成されたメサストライプと、該ストライブ４１１ＩＩＩ
面に電流ブロック層を有する自己整金型半導体レーザが
報告されている。例えば、１９８９年石月１らにより春
季応用物理学会予稿集４ａ−ＺＣ−６で報告きれた「高
出力高信頼セルファライン型量子井戸レーザ」の概略構
造を第３図（ｂ）に示す。
第３図（ｂｌのレーザ構造は、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板
上２１に、ＭＯＶＰＥ技術により、ｎ型ＡＡ’ＧａＡｓ
クラッド層２２、ＡＩＧａＡ ｓ ｉ子井戸活性層２３
、ｐ型Ａ［（Ｊ ａ Ａ ｓクラッド層２４、ｐ＋キャ
７ブ層２５を１１次形成した後、活性層よシ上の領域を
メサストライプ部を残してエツチングし、選択成長によ
り電流ブロック層２６で埋め込み、さらに上面と底面に
電極を形成してなる。この構造により、メサ部直下の量
子井戸活性層に効率良くｔＩＬ流が注入される。
上２１に、ＭＯＶＰＥ技術により、ｎ型ＡＡ’ＧａＡｓ
クラッド層２２、ＡＩＧａＡ ｓ ｉ子井戸活性層２３
、ｐ型Ａ［（Ｊ ａ Ａ ｓクラッド層２４、ｐ＋キャ
７ブ層２５を１１次形成した後、活性層よシ上の領域を
メサストライプ部を残してエツチングし、選択成長によ
り電流ブロック層２６で埋め込み、さらに上面と底面に
電極を形成してなる。この構造により、メサ部直下の量
子井戸活性層に効率良くｔＩＬ流が注入される。
閾値を流頭の低減、高効率化を図るためには、導波構造
の吸収損失を小さくすること及び導波部に含まれる活性
層に効率良く電流を注入すること１ｒＩＨＪ時に満たす
ことが重要である。
の吸収損失を小さくすること及び導波部に含まれる活性
層に効率良く電流を注入すること１ｒＩＨＪ時に満たす
ことが重要である。
ところが、実阪、第１の従来例で示した構造においては
、吸収損失の小さい導波構造が得られている吃のの、プ
ロトン打ち込みによって得られる高抵抗化領域の近傍は
結晶の品質が低）するため、高抵抗化領域を活性層に近
棗でせることかできず、電流を効率良ぐ活性領域に注入
させることは困難である。また、第２の従来例で示した
構造においては、活性領域へのＩＩ九注入効率が高い構
造が得らＩＬでいるものの、′を流ブロック層がｎ型Ｇ
ａ Ａ ｓである場合は吸収損失の大きい導波構造と
なり、電流ブロック層が、バントキャップが活性領域の
−それよりも大きいｎ ＴｈＡｌｘＧａ、−ｘＡｓ （
ｘ＜０．３ ）である場合は、吸収損失は低減するもの
の、クラッド層のアルミ組成が通常０．３以上のとき、
メサストライプ部とメサストライプ側部の間に有効な屈
折率差が得られず、また′ＩＬ流ブロック膚がｎ型ＡＡ
’ ｘ ’−ｘａ ｒ ｘ Ａ ｓ （Ｘ ＞α３）の
場合に、選択埋め込み成長が不可能となり、メサストラ
イプ上の多結晶を除去しなければならず、製作７０セス
が複雑となるという不都合が生じる。
、吸収損失の小さい導波構造が得られている吃のの、プ
ロトン打ち込みによって得られる高抵抗化領域の近傍は
結晶の品質が低）するため、高抵抗化領域を活性層に近
棗でせることかできず、電流を効率良ぐ活性領域に注入
させることは困難である。また、第２の従来例で示した
構造においては、活性領域へのＩＩ九注入効率が高い構
造が得らＩＬでいるものの、′を流ブロック層がｎ型Ｇ
ａ Ａ ｓである場合は吸収損失の大きい導波構造と
なり、電流ブロック層が、バントキャップが活性領域の
−それよりも大きいｎ ＴｈＡｌｘＧａ、−ｘＡｓ （
ｘ＜０．３ ）である場合は、吸収損失は低減するもの
の、クラッド層のアルミ組成が通常０．３以上のとき、
メサストライプ部とメサストライプ側部の間に有効な屈
折率差が得られず、また′ＩＬ流ブロック膚がｎ型ＡＡ
’ ｘ ’−ｘａ ｒ ｘ Ａ ｓ （Ｘ ＞α３）の
場合に、選択埋め込み成長が不可能となり、メサストラ
イプ上の多結晶を除去しなければならず、製作７０セス
が複雑となるという不都合が生じる。
本発明の目的は、吸収損失の少ない導波構造で、かつ活
性領域への電流注入効率の高い半導体レーザの構造とそ
の製造方法を得ることにある。
性領域への電流注入効率の高い半導体レーザの構造とそ
の製造方法を得ることにある。
本発明の半導体レーザは、平坦部を有する順メサストラ
イプが形成された■−■族化合物半導体基板に、第１導
電型クラッド層、量子井戸活性層、第２導電型クラッド
層が順次形成されてなるダブルヘテロ構造を内包する多
層積層構造をもつ半導体レーザにおいて、前記第２導電
型クラッド層が前記メサストライク平坦部の上部を除い
て層厚０．１μｍから０．３μｍと薄く、かつ前記薄い
第２導電型クラッド層の上部が、第１導電型、かつ、バ
ンドギャップが前記活性層よりも大きい組成の電流ブロ
ック層で埋め込まれてなることを特徴とし、その製造方
法は、メサストライプ状凸部を有する半導体基板上に、
量子井戸活性層を含む多層積層構造を形成した後に、メ
サストライプ平坦部を除いた領域をエツチングする工程
において、蒸着により形成された絶縁体膜をし／ストマ
スクを用いてメサストライク平坦部とメサストライプ傾
斜部の一部をへして除去し、さらにメサストライク平坦
部よりも薄く形成されているメサストライプ傾斜部の絶
縁体膜をレジストマスクを用いることなく除去すること
によりメサストライス平坦部のみに絶縁体エツチングマ
スクを残す工程を有することを％似としている。
イプが形成された■−■族化合物半導体基板に、第１導
電型クラッド層、量子井戸活性層、第２導電型クラッド
層が順次形成されてなるダブルヘテロ構造を内包する多
層積層構造をもつ半導体レーザにおいて、前記第２導電
型クラッド層が前記メサストライク平坦部の上部を除い
て層厚０．１μｍから０．３μｍと薄く、かつ前記薄い
第２導電型クラッド層の上部が、第１導電型、かつ、バ
ンドギャップが前記活性層よりも大きい組成の電流ブロ
ック層で埋め込まれてなることを特徴とし、その製造方
法は、メサストライプ状凸部を有する半導体基板上に、
量子井戸活性層を含む多層積層構造を形成した後に、メ
サストライプ平坦部を除いた領域をエツチングする工程
において、蒸着により形成された絶縁体膜をし／ストマ
スクを用いてメサストライク平坦部とメサストライプ傾
斜部の一部をへして除去し、さらにメサストライク平坦
部よりも薄く形成されているメサストライプ傾斜部の絶
縁体膜をレジストマスクを用いることなく除去すること
によりメサストライス平坦部のみに絶縁体エツチングマ
スクを残す工程を有することを％似としている。
本発明によれは、メサ平坦部の上部に平滑に形成された
量子井戸活性領域の両側部にバントキセツフ−が活性領
域のそれよシも大きく、屈折率が活性層のそれよりも小
さいクラッド層のｔ流狭搾層が傾斜して形成されている
ため、活性領域で、千ヤリアの再結合により発生する光
は、吸収損失が少ない屈折率差制御で活性領域内に導波
される。
量子井戸活性領域の両側部にバントキセツフ−が活性領
域のそれよシも大きく、屈折率が活性層のそれよりも小
さいクラッド層のｔ流狭搾層が傾斜して形成されている
ため、活性領域で、千ヤリアの再結合により発生する光
は、吸収損失が少ない屈折率差制御で活性領域内に導波
される。
また量子井戸層と電流狭搾層の間のクラッド層厚が０．
１〜０．３μｍと薄く、その薄いクラッド層を通って活
性領域以外の量子井戸層へ注入される無効電流が小さく
、活性領域へ効率良く電流を注入できる。
１〜０．３μｍと薄く、その薄いクラッド層を通って活
性領域以外の量子井戸層へ注入される無効電流が小さく
、活性領域へ効率良く電流を注入できる。
また、本発明によｎｄ１メサ側部の鶴以下のフォトレジ
ストマスクの位置決め精ｉ（＜０．４μｍ）があれば、
メサストライプ平坦部のみに自己整せ的に絶縁体マスク
をつけることができ、メサストライプ両Ｉ１１のエツチ
ング工程において、メサを中心にして灼称性艮く、かつ
メサストライプ長手方向に均一にエツチングすることが
できる。
ストマスクの位置決め精ｉ（＜０．４μｍ）があれば、
メサストライプ平坦部のみに自己整せ的に絶縁体マスク
をつけることができ、メサストライプ両Ｉ１１のエツチ
ング工程において、メサを中心にして灼称性艮く、かつ
メサストライプ長手方向に均一にエツチングすることが
できる。
以下、第２図を参照して、本発明の一夫施例を説明する
うフォトリングラフィ技術とリン酸ホエッチング孜何に
より平坦部の幅３μｍ、高さ１μｍのメサストライプが
形成されているｎ９．ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＶＰＥ
技術によりｎ型Ａ！！ｏ４５（ｊａ（ｉ５５Ａｓクラッ
ド層２ ｋ：、 １ ｆｉｍ、 Ａｌｇ、３Ｇａ、）、
７ Ａｓ ：ｙｔ、ガイＡｓ光力イド口００Ａからなる
２３ｋｌ子井戸活性層３、ｐ型ｋｌ！ ｏ、４ Ｓ Ｕ
ａ ６．５ ｓ Ａ ＳクラッドＮ ４ ｔ ｔ、ｓμ
ｍ１ｐ＋ＧａＡｓキャップ７１５を０５μｍ會順次成長
させ、さらに電子ビーム魚倉技術によジＳｉＯ□絶縁体
膜５０を全体に１μｍの厚さに付ける（第２図（ａ））
。
うフォトリングラフィ技術とリン酸ホエッチング孜何に
より平坦部の幅３μｍ、高さ１μｍのメサストライプが
形成されているｎ９．ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＶＰＥ
技術によりｎ型Ａ！！ｏ４５（ｊａ（ｉ５５Ａｓクラッ
ド層２ ｋ：、 １ ｆｉｍ、 Ａｌｇ、３Ｇａ、）、
７ Ａｓ ：ｙｔ、ガイＡｓ光力イド口００Ａからなる
２３ｋｌ子井戸活性層３、ｐ型ｋｌ！ ｏ、４ Ｓ Ｕ
ａ ６．５ ｓ Ａ ＳクラッドＮ ４ ｔ ｔ、ｓμ
ｍ１ｐ＋ＧａＡｓキャップ７１５を０５μｍ會順次成長
させ、さらに電子ビーム魚倉技術によジＳｉＯ□絶縁体
膜５０を全体に１μｍの厚さに付ける（第２図（ａ））
。
この時、メサストライプの傾糾部には、平坦部に対して
５４°＃Ｉいているため、ＳｉＯ□絶縁体膜５０に０６
μｍの厚さに釘〈。フォ） ＩＪソグラフィ技術とフッ
葭糸エツチング技術により、ＳＩＯ□絶縁体膜上に形成
したレジスト５１をマスクにしてＳｉＯ□絶蘇体膜をエ
ツチングし、メサ平坦部全体とメサｃＩＡ糾部の一部の
上部のみＳｉＯ□絶蘇体膜５０を残す（第２図（ｂ））
。さらに、し７スト５１を除去した後、マスクを用いる
ことなくエツチングし、メサ傾謝部より淳く付いたメサ
平坦部のみに０３〜０３５μｍの厚さにＳｌす２？峠体
膜５０を残す（第２ ［ｉｕｃ： ）。この後を派扶搾
部形成工程に杉る、１４、茄狭達部形成工程・ｅｌます
、ｐ１型Ｇ ａ Ａ ｓキヤツプ層５をアンモニアと過
敞化水素の容積比１２０の混′７６敵を用いて、５秒ｔ
１エッナングする（エッチフグ速度に、８μｍ／分）。
５４°＃Ｉいているため、ＳｉＯ□絶縁体膜５０に０６
μｍの厚さに釘〈。フォ） ＩＪソグラフィ技術とフッ
葭糸エツチング技術により、ＳＩＯ□絶縁体膜上に形成
したレジスト５１をマスクにしてＳｉＯ□絶蘇体膜をエ
ツチングし、メサ平坦部全体とメサｃＩＡ糾部の一部の
上部のみＳｉＯ□絶蘇体膜５０を残す（第２図（ｂ））
。さらに、し７スト５１を除去した後、マスクを用いる
ことなくエツチングし、メサ傾謝部より淳く付いたメサ
平坦部のみに０３〜０３５μｍの厚さにＳｌす２？峠体
膜５０を残す（第２ ［ｉｕｃ： ）。この後を派扶搾
部形成工程に杉る、１４、茄狭達部形成工程・ｅｌます
、ｐ１型Ｇ ａ Ａ ｓキヤツプ層５をアンモニアと過
敞化水素の容積比１２０の混′７６敵を用いて、５秒ｔ
１エッナングする（エッチフグ速度に、８μｍ／分）。
このエツチングにより、キヤツプ層５にメサ平坦部の上
部を残して除去さＱ、ｐ型Ａｌｏ、４５ Ｇａ ｏ、５
ｓ Ａ ３７２７１層４の表−にζ、酸化膜１０が形
成きれる（第２図（ｄ））。次に酸化膜１０を除去する
ためにバッファド・フッ酸で１５秒間エツチングし、ｐ
型ＡＩｔｏ、ａ ｓＧ２ｇ、５５ＡＳクラッド層４の表
面を出す（第２図ｔｅｌ）。
部を残して除去さＱ、ｐ型Ａｌｏ、４５ Ｇａ ｏ、５
ｓ Ａ ３７２７１層４の表−にζ、酸化膜１０が形
成きれる（第２図（ｄ））。次に酸化膜１０を除去する
ためにバッファド・フッ酸で１５秒間エツチングし、ｐ
型ＡＩｔｏ、ａ ｓＧ２ｇ、５５ＡＳクラッド層４の表
面を出す（第２図ｔｅｌ）。
この際メサ平坦部の８ｉ０□絶縁体膜５０も全厚の１／
１０以下だけ薄くエツチングされるが後に続く工程に影
響はない。次に、リン酸系エツチング液（エツチング速
ｉｈ、ＡｌＯ４５Ｇａ ｏ４５ Ａ ｓに対して２μｍ
／分、ＧａＡｓに対して１．２μｍ／分）を用い、３９
秒の時間制御でエツチングし、メサ側部の傾斜部とメサ
外の平坦部のｐ型Ａ＃、４５Ｇａ、５５Ａｓクラッド層
４を厚さ０．２μｍだけ残して除去する（第２図げ））
。次にＭＯＶＰＥ減圧選択埋め込み成長を行なう。１０
ｔｏｒｒの減圧下においてに、ＡｌｘＧａ１−ＸＡｓ
（ｘ＜０．３ ）層をエピタキシャル層の表面に選択
的に成長することができる。この性質を利用し、メサ脇
のｐ型Ａ／、４．Ｇａｏ、５５Ａｓクラッド層４の上部
をｎ型７Ｖｌ （Ｌ３ Ｇａ ｇ、ｙ Ａ ｓ を流ブ
ロック層６で完全に埋め込む（第２図（ｇ））。
１０以下だけ薄くエツチングされるが後に続く工程に影
響はない。次に、リン酸系エツチング液（エツチング速
ｉｈ、ＡｌＯ４５Ｇａ ｏ４５ Ａ ｓに対して２μｍ
／分、ＧａＡｓに対して１．２μｍ／分）を用い、３９
秒の時間制御でエツチングし、メサ側部の傾斜部とメサ
外の平坦部のｐ型Ａ＃、４５Ｇａ、５５Ａｓクラッド層
４を厚さ０．２μｍだけ残して除去する（第２図げ））
。次にＭＯＶＰＥ減圧選択埋め込み成長を行なう。１０
ｔｏｒｒの減圧下においてに、ＡｌｘＧａ１−ＸＡｓ
（ｘ＜０．３ ）層をエピタキシャル層の表面に選択
的に成長することができる。この性質を利用し、メサ脇
のｐ型Ａ／、４．Ｇａｏ、５５Ａｓクラッド層４の上部
をｎ型７Ｖｌ （Ｌ３ Ｇａ ｇ、ｙ Ａ ｓ を流ブ
ロック層６で完全に埋め込む（第２図（ｇ））。
最後に８７０□絶縁体換５０を除去し、ｐｔ電極及びｎ
ＴＬ極８を付け、へき開し、半導体レーザが完成される
（第１図及び第２図（ｈ））。
ＴＬ極８を付け、へき開し、半導体レーザが完成される
（第１図及び第２図（ｈ））。
本発明の半導体レーザの構造により、吸収損失の小さい
導波構造をもつ活性領域に効率良く電流が注入されるた
め、より電流閾値が低く、高効率な半導体レーザが得ら
れる。
導波構造をもつ活性領域に効率良く電流が注入されるた
め、より電流閾値が低く、高効率な半導体レーザが得ら
れる。
また、本発明の半導体レーザの製造方法によシ、高鞘度
のフォトレジストマスクの位置決めを要することなくメ
サストライプ平坦部にのみ自己整合的に絶縁体エツチン
グマスクを残すことができ、メサ両脇を対称性良くエツ
チングできるため、容易にかつ歩留まりよく本発明の半
導体レーザの構造を製作することができる。
のフォトレジストマスクの位置決めを要することなくメ
サストライプ平坦部にのみ自己整合的に絶縁体エツチン
グマスクを残すことができ、メサ両脇を対称性良くエツ
チングできるため、容易にかつ歩留まりよく本発明の半
導体レーザの構造を製作することができる。
第１図は、本発明の半導体レーザの構造概略図構造概略
図である。 １−・−ｎ型ＧａＡｓ基板、２・−ｎ型ＡＺ 。、４５
Ｇ ２ ｏ、ｓ ｓＡｓクラッド層、３−・・量子井
戸活性層、４−・ｐ型ｋｌｏ４．、 Ｇａｏ、、５Ａｓ
クラツド膚、５−ｐ十型Ｇ ａ Ａ ｓキャ７プ層、６
−＝ ｎ型ｋｌ（，３Ｇａ、、 Ａｓ ｉｌ 流ブ０７
り層、７・・・ｐ［極、８・・・ｎ電極、１１・・・ｎ
型ＧａＡｓ基板、１２・・・ｎ型ＡＩＧ ａ Ａ ｓク
ラッド層、１３・・・童子井戸活性層、１４・・・ｐ型
ＡＡ’ＧａＡｓクラッド層、１５°−ｐ＋型Ｇ ａ Ａ
ｓキャツフ゛層、１６・・・プロトン打ち込み傾城（
高抵抗層）、２１・・・ｎ型（ｊ ａ Ａ ｓ基板、２
２− ｎ型Ａ７ ｏ、４５ （ｊ ａ ｏ、５５ Ａ
Ｓクラッド層、２３−童子井戸活性層、２４− ｐ型Ａ
Ｚ ６．ａ ｓ Ｃ１０ｏ、５５Ａｓクラッド層、２５
・・・ｐ十型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層、２６’−ｎ型
Ａ１６３Ｇａ ｏ４ Ａ Ｓ １１ｔ流ブ０７り層、５
０・・・８ｉ０□絶縁体膜、５１・・・レジスト。 ５（：□Ａｓ千ヤ１１．ブ贋 と 男 １ 層
図である。 １−・−ｎ型ＧａＡｓ基板、２・−ｎ型ＡＺ 。、４５
Ｇ ２ ｏ、ｓ ｓＡｓクラッド層、３−・・量子井
戸活性層、４−・ｐ型ｋｌｏ４．、 Ｇａｏ、、５Ａｓ
クラツド膚、５−ｐ十型Ｇ ａ Ａ ｓキャ７プ層、６
−＝ ｎ型ｋｌ（，３Ｇａ、、 Ａｓ ｉｌ 流ブ０７
り層、７・・・ｐ［極、８・・・ｎ電極、１１・・・ｎ
型ＧａＡｓ基板、１２・・・ｎ型ＡＩＧ ａ Ａ ｓク
ラッド層、１３・・・童子井戸活性層、１４・・・ｐ型
ＡＡ’ＧａＡｓクラッド層、１５°−ｐ＋型Ｇ ａ Ａ
ｓキャツフ゛層、１６・・・プロトン打ち込み傾城（
高抵抗層）、２１・・・ｎ型（ｊ ａ Ａ ｓ基板、２
２− ｎ型Ａ７ ｏ、４５ （ｊ ａ ｏ、５５ Ａ
Ｓクラッド層、２３−童子井戸活性層、２４− ｐ型Ａ
Ｚ ６．ａ ｓ Ｃ１０ｏ、５５Ａｓクラッド層、２５
・・・ｐ十型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層、２６’−ｎ型
Ａ１６３Ｇａ ｏ４ Ａ Ｓ １１ｔ流ブ０７り層、５
０・・・８ｉ０□絶縁体膜、５１・・・レジスト。 ５（：□Ａｓ千ヤ１１．ブ贋 と 男 １ 層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、平坦部を有する順メサストライプが形成されたIII
−Ｖ族化合物半導体基板に第１導電型クラッド層、量子
井戸活性層、第２導電型クラッド層が、次形成されてな
るダブルヘテロ構造を内包する多層積層構造をもつ半導
体レーザにおいて、前記第２導電型クラッド層が前記メ
サストライプ平坦部の上部を除いて層厚０．１μｍから
０．３μｍと薄く、かつ前記薄い第２導電型クラッド層
の上部が、第１導電型かつバンドギャップが前記活性層
よりも大きい組成の電流ブロック層で埋め込まれてなる
ことを特徴とする半導体レーザ。 ２、平坦部を有する順メサストライプが形成されたIII
−Ｖ族化合物半導体基板に、少くとも第１導電型クラッ
ド層、量子井戸活性層、第２導電型クラッド層を順次形
成してダブルヘテロ構造を内包する多層積層構造を形成
する工程と、前記第２導電型クラッド層の前記メサスト
ライプ平坦部分を除いた前記第２クラッド層の厚さを０
．１μｍ〜０．３μｍとするエッチング工程と、前記第
２導電型クラッド層の層厚の薄い部分上部に第１導電型
かつバンドギャップが前記活性層よりも大きい組成の電
流ブロック層を埋め込む工程とを少くとも備えている半
導体レーザの製造方法において、前記エッチング工程が
、蒸着により形成された絶縁体膜をレジストマスクを用
いてメサストライプ平坦部の全部とメサストライプ傾斜
部の一部を残して除去し、さらにメサストライプ平坦部
よりも薄く形成されているメサストライプ傾斜部の絶縁
体膜をレジストマスクを用いることなく除去することに
よりメサストライプ平坦部のみに絶縁体エッチングマス
クを残す工程を有することを特徴とする半導体レーザの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094517A JP2611486B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094517A JP2611486B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03292788A true JPH03292788A (ja) | 1991-12-24 |
| JP2611486B2 JP2611486B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=14112521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2094517A Expired - Lifetime JP2611486B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2611486B2 (ja) |
-
1990
- 1990-04-10 JP JP2094517A patent/JP2611486B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2611486B2 (ja) | 1997-05-21 |
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