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JP2001194676A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2001194676A
JP2001194676A JP2000005856A JP2000005856A JP2001194676A JP 2001194676 A JP2001194676 A JP 2001194676A JP 2000005856 A JP2000005856 A JP 2000005856A JP 2000005856 A JP2000005856 A JP 2000005856A JP 2001194676 A JP2001194676 A JP 2001194676A
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electrode
wiring
aluminum
film
common
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JP2000005856A
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Toshiteru Kaneko
寿輝 金子
Kazumi Fujii
和美 藤井
Kikuo Ono
記久雄 小野
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】大サイズ化に好適な配線構造および画素構造を
形成する。 【解決手段】絶縁基板ＳＵＢ１上に、アルミニウムもし
くはアルミニウムを主体とする合金層ｇ１に高融点金属
層ｇ２を被覆した積層構造膜に透明導電膜ｇ３を被覆し
てコモン配線／電極ＣＬ（ＣＴ）を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】パソコンのディスプレイモニターやテレ
ビ受像機の表示デバイス等、各種電子機器に液晶表示装
置が多用されている。液晶表示装置には、種々の形式が
知られているが、その中でも、横電界方式（In plane S
wicting:ＩＰＳ方式）と称される液晶表示装置は、液晶
を介して対向配置した一般に２枚の基板で構成される液
晶パネルの一方の基板の液晶と接する側の各画素領域
に、画素電極と、この画素電極に近接した位置にコモン
電極（対向電極とも称する）とを形成し、画素電極とコ
モン電極の間に当該基板面と平行な電界（横電界）を発
生せしめて液晶の配向方向を基板面内で制御するもので
ある。
【０００３】すなわち、横電界方式の液晶表示装置は、
画素電極とコモン電極の間の領域を透過する光に対し
て、その透過量を前記電界が印加された液晶の配向方向
によって制御するようになっている。なお、液晶パネル
に駆動回路、照明光源などの構成要素をモジュール化し
たものを液晶表示装置と称するが、本明細書では、液晶
パネルや液晶表示装置を纏めて液晶表示装置として説明
する。
【０００４】このような液晶表示装置は、表示面に対し
て斜めの方向から観察しても表示に変化のない、いわゆ
る広視野角特性に優れたものとして知られている。
【０００５】そして、これまで、前記画素電極と対向電
極は光を透過させることのない導電層で形成されてい
た。
【０００６】しかし、近年、画素領域の周辺を除く領域
の全域に透明電極材からなる一方の電極を形成し、この
電極上に絶縁膜を介して透明電極からなる帯状あるいは
短冊状の他方の電極を形成したものが知られるに到っ
た。これら画素駆動用の電極に透明電極を用いること
で、所謂開口率が大幅に向上する。
【０００７】上記のような技術を開示したものとして
は、例えばＳＩＤ（Society for Information Display
）９９ＤＩＧＥＳＴ：Ｐ２０２〜Ｐ２０５、あるいは
特開平１１−２０２３５６号公報を挙げることができ
る。
【０００８】ところで、対角４６ｃｍ（公称１８イン
チ）や対角５１ｃｍ（公称２０インチ）、あるいはそれ
以上の、所謂大サイズの液晶表示装置では、薄膜トラン
ジスタＴＦＴ等のスイッチング素子への電圧印加線（ゲ
ートが配線、ドレイン配線）あるいはコモン配線の低抵
抗化が要求されている。
【０００９】このような配線の低抵抗化を満たすものと
して、当該配線の材料にアルミニウムまたはアルミニウ
ムを主体とした合金（以下、単にアルミニウムと称す
る）が適している。
【００１０】他方、画面の輝度向上のために、画素電極
やコモン電極をＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイ
ド）、ＩＺＯ（インジウム・ジンク・オキサイド）ある
いはＩＧＯ（インジウム・ゲルマニウム・オキサイド）
などの透明導電膜（以下、ＩＴＯ等と称する）で構成す
ることが望ましい。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ゲート配線、ドレイン
配線あるいはコモン配線にアルミニウムを用い、画素電
極やコモン電極としてＩＴＯ等を用いる場合、電気的接
続や画素パターンを形成する上での構成上の必要から、
当該画素電極やコモン電極を構成するＩＴＯ等をそれら
の配線を構成するアルミニウム膜と積層する必要があ
る。
【００１２】しかし、アルミニウムとＩＴＯ等とは、そ
の腐食電位が大きく異なることから、配線や画素電極あ
るいはコモン電極の各パターンをウエットエッチング処
理する際、現像液中にアルミニウムが溶解すると共に、
ＩＴＯ等が還元されてしまい、透明度が劣化して画素の
透過率が大幅に低下することがある。
【００１３】また、アルミニウムのパターン（配線パタ
ーン）の形成後、ＩＴＯ等のパターンを形成すると、Ｉ
ＴＯ等のエッチング処理でアルミニウムが腐食され、所
期の機能を喪失することがある。
【００１４】さらに、アルミニウムで配線を形成する
と、酸化物透明導電層であるＩＴＯ等は接触抵抗が大き
いため、アルミニウム膜に直接コンタクトさせて電気的
に接続することが困難である。このため、アルミニウム
とＩＴＯ等を電気的にコンタクトさせる場合には、アル
ミニウム膜上にＩＴＯ等に対して電気的接触抵抗が小さ
い金属膜を別途成膜し、加工する必要があった。
【００１５】本発明は、上記のような従来技術における
諸問題を解消することを目的とし、大サイズ化に好適な
配線構造および画素構造を有する液晶表示装置を提供す
ることにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ゲート配線、ドレイン配線、コモン配線
などの液晶表示装置を構成する上で必要とする各種の配
線のうち、少なくともゲート配線と同層で構成する配線
をアルミニウムまたはアルミニウムを主体とする材料で
形成し、その後にアモルファス透明導電膜を用いて画素
を構成するコモン電極や画素電極を形成した。以下、本
発明の代表的な構成を記述する。
【００１７】（１）アルミニウムもしくはアルミニウム
を主体とする合金層に高融点金属層を被覆した積層膜に
透明導電膜を被覆した配線を有する絶縁基板で構成し
た。
【００１８】（２）絶縁基板に薄膜トランジスタと、そ
のゲート配線／電極、ドレイン配線／電極、およびコモ
ン配線／電極を有し、前記各配線／電極の少なくとも１
つを、アルミニウムもしくはアルミニウムを主体とする
合金層に高融点金属層を被覆した積層構造膜に透明導電
膜を被覆した構成とした。
【００１９】（３）液晶を介して互いに対向配置される
一対の基板のうちの一方にゲート配線／電極、ドレイン
配線／電極およびソース電極を有する薄膜トランジスタ
と、２本の前記ゲート配線と２本のドレイン配線で囲ま
れる画素領域またはその近傍に配置したコモン配線およ
びこのコモン配線に接続して前記画素領域の略々全域に
ベタ形成したコモン電極と、前記ソース電極に接続して
前記コモン電極の上層に絶縁層を介して形成した略櫛形
を有する画素電極とを有し、前記ゲート配線／電極、か
つまたはドレイン配線／電極、コモン配線はアルミニウ
ムもしくはアルミニウムを主体とする合金層に高融点金
属層を被覆した積層構造膜で形成し、前記コモン電極が
前記画素領域の略々全域にベタ形成の透明導電膜を具備
した。
【００２０】（４）液晶を介して互いに対向配置される
一対の基板のうちの一方にゲート配線／電極、ドレイン
配線／電極およびソース電極を有する薄膜トランジスタ
と、２本の前記ゲート配線と２本のドレイン配線で囲ま
れる画素領域またはその近傍に形成したコモン配線およ
びこのコモン配線に接続したコモン電極と、前記ソース
電極に接続して前記コモン電極の上層に絶縁層を介して
形成した略櫛形を有する画素電極とを有し、前記ゲート
配線／電極、ドレイン配線／電極、コモン配線はアルミ
ニウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層に高融
点金属層を被覆した積層構造膜で形成し、前記コモン電
極を前記高融点金属層に導電接続した透明導電膜で構成
した。
【００２１】（５）液晶を介して互いに対向配置される
一対の基板のうちの一方にゲート配線／電極、ドレイン
配線／電極およびソース電極を有する薄膜トランジスタ
と、２本の前記ゲート配線と２本のドレイン配線で囲ま
れる画素領域またはその近傍に形成したコモン配線およ
びこのコモン配線に接続したコモン電極と、前記ソース
電極に接続して前記コモン電極の上層に絶縁層を介して
形成した略櫛形を有する画素電極とを有し、前記ゲート
配線／電極、かつまたはドレイン配線／電極はアルミニ
ウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層の上層に
アルミナ層を有し、前記コモン配線はアルミニウムもし
くはアルミニウムを主体とする合金層の上層にアルミナ
層を有すると共に、このアルミナ層の一部表面側から当
該アルミナ層を貫通してアルミニウムもしくはアルミニ
ウムを主体とする合金層に至る高融点金属層を有し、前
記コモン電極を前記高融点金属層に導電接続した透明導
電膜で構成した。
【００２２】（６）前記アルミニウムを主体とする合金
は、アルミニウムにレアアース元素を添加したアルミニ
ウム−レアアース合金であり、レアアース元素としてネ
オジムＮｄ、イットリウムＹ、ランタンＬａ、サマリウ
ムＳｍのうちの何れか、または２以上を用いた。
【００２３】（７）前記高融点金属が、モリブデンＭ
ｏ、クロムＣｒ、タングステンＷ、チタンＴｉのうちの
何れか、またはそれらの２以上の合金とした。
【００２４】（８）前記透明導電膜が、アモルファスＩ
ＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）、同ＩＺＯ（イ
ンジウム・ジンク・オキサイド）、同ＩＧＯ（インジウ
ム・ゲルマニウム・オキサイド）の何れかとした。
【００２５】（９）ゲート配線、コモン配線として、ア
ルミニウムの上層にモリブデンＭｏまたはチタンＴｉな
どの高融点金属または上記の合金からなる高融点金属を
被覆した積層膜を用い、これらと同層にアモルファス透
明導電膜からなる平面画素電極を形成し、ソース，ドレ
イン配線と同層、または絶縁膜（ＰＡＳ膜）を介してコ
モン電極としてアモルファス透明導電膜からなる櫛歯電
極を形成した。
【００２６】ゲート配線、コモン配線のうち、透明電極
で形成するコモン電極とコンタクトする部分、およびゲ
ート端子、コモン端子以外の部分において上層の例えば
モリブデンＭｏ合金またはチタンＴｉなどの高融点金属
の膜をエッチング処理で除去し、露呈したアルミニウム
の表面を酸化してアルミナ膜を形成した。
【００２７】（１０）ゲート配線をモリブデンＭｏ等の
高融点金属膜を下層としたアルミニウム／ネオジム合金
（Ａｌ／Ｎｄ）とし、その下層にアモルファス透明導電
膜を形成した。
【００２８】（１１）多結晶ＩＴＯを用いることを前提
とした場合、当該多結晶ＩＴＯを最下層とし、その上に
ゲート配線やコモン配線としてモリブデンとアルミニウ
ムおよびモリブデン（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）を積層した。
【００２９】次に、上記本発明の構成としたことによる
効果とその理由について詳細に説明する。
【００３０】絶縁基板の同一平面内にゲート配線と画素
を構成する透明導電膜（ＩＴＯ等）を形成したことによ
り、高開口率、高視野角の液晶表示装置の大サイズ化が
可能となる。
【００３１】アルミニウム配線形成後、そのアルミニウ
ム配線上にＩＴＯ等を同層で成膜した後、ＩＴＯ等のレ
ジストパターン現像中に、通常、多結晶のＩＴＯ等の導
電膜では現像液中でアルミニウムとの間に強い電池反応
を起こし、酸化膜であるＩＴＯ等が還元されてしまう。
その結果、ＩＴＯ等が黒化し（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎ2
Ｏ5 ）の場合、Ｉｎ2 Ｏ5 ＋ｅ（電子）→２・Ｉｎ＋
（5/2)・Ｏ2 （↑）の反応でインジウムＩｎが析出して
透過率が低下する。
【００３２】アモルファスのＩＴＯ等の腐蝕電位は多結
晶のＩＴＯ等に比較して低いため、アルミニウムとの間
の腐蝕電位差を低減することができる。これにより、同
層でも現像液中での電池反応が抑制され、アルミニウム
上でのＩＴＯ等の透明導電膜の現像処理が可能となる。
【００３３】さらに、アモルファスの透明導電膜は弱酸
でエッチングできるため、透明導電膜のエッチングで下
部のアルミニウムが腐食されることはない。したがっ
て、アモルファスの透明導電膜を用いることで、アルミ
ニウム上でのＩＴＯ等の透明導電膜のエッチングが可能
となる。
【００３４】また、アルミニウム配線を用いた場合に、
露出したアルミニウム配線の端面をＣＶＤ加工前にＩＴ
Ｏ等で被覆することで、所謂サイドヒロックを陽極化成
を施すことなく防止できる。
【００３５】すなわち、アルミニウム配線の露出部分は
陽極化成を施して保護膜を形成しなければ、例えば上層
にモリブデンを積層した積層配線は、その上にＣＶＤで
絶縁膜を成膜する際にその端面にヒロックが成長し、層
間ショートが高い頻度で発生することになる。そこで、
露出したアルミニウム膜の端面を覆ってＩＴＯ等を室温
が１２０°Ｃ程度の比較的低温で比較的硬い膜として成
膜する。その結果、ＣＶＤ工程で３００°Ｃに加熱して
も酸化物膜（ＩＴＯ等）で被覆されたアルミニウム表面
は安定であり、ヒロックの発生を完全に抑制することが
できる。
【００３６】このように、アルミニウム配線の露出部分
を透明導電膜で被覆することで、ゲート配線とドレイン
配線、あるいはゲート配線とコモン配線間のショート耐
圧を改善でき、液晶表示装置の信頼性を向上することが
できる。
【００３７】ＩＴＯ等の透明導電膜とコモン配線とをコ
ンタクトさせるために、１画素内にモリブデンあるいは
モリブデン合金またはチタンあるいはチタン合金の端子
部分、およびゲート端子部分を残してアルミニウムを酸
化させ、アルミナ膜を形成する。このアルミナ膜によ
り、ゲート配線とドレイン配線の交叉部、およびゲート
配線とコモン配線の交叉部は全てプラズマ処理膜すなわ
ちＣＶＤ処理による窒化シリコン等の絶縁膜とアルミナ
の積層構造膜となり、液晶表示装置の高精細化や画素を
構成する電極構造に起因する当該交叉部が増加しても、
層間ショートの発生確率を大幅に低減することが可能と
なる。
【００３８】ＩＴＯ等のゲート配線乗り越え部分におけ
る断線をさらに抑制する場合は、ＩＴＯ等を最下層に形
成し、その上にモリブデンやモリブデン合金またはクロ
ムやクロム合金を介してアルミニウム配線を形成する。
【００３９】多結晶のＩＴＯ等を用いる場合は、最下層
にＩＴＯ等を形成し、その上にモリブデンあるいはモリ
ブデン合金／アルミニウム／モリブデンあるいはモリブ
デン合金の多層構造膜を形成する。ゲート配線現像処理
時にアルミニウムが表面に出ないため、下部のＩＴＯ等
との電池反応を未然に防止できる。
【００４０】ゲート配線をアルミニウムとネオジムの合
金（Ａｌ−Ｎｄ合金）または純アルミニウムとチタンの
積層構造膜で形成する場合、その下層にアモルファスの
ＩＴＯ等の導電膜を形成する。Ｔｉ膜のＡＬ膜は結晶粒
の配向がそろうためにヒロックレス化できるといわれて
いる。このようなヒロックレスのアルミニウム配線を用
いた場合は、ＣＶＤによる成膜時にアルミニウム配線の
表面を露出させたままとすることができる。また、ＩＴ
Ｏ等の導電膜としてアルミニウムと腐蝕電位差が小さい
（低い）アモルファスのＩＴＯ等を用いることで、ゲー
ト配線のアルミニウム膜とＩＴＯ等との電池反応を抑制
することができる。アモルファスのＩＴＯ等はその後の
工程で熱処理を施して結晶化し、アルミニウムおよびク
ロムまたはモリブデンのエッチング処理時に、これらの
エッチングに対して耐性を持たせることができる。
【００４１】多結晶のＩＴＯ等を用いることを前提とし
た場合、ＩＴＯ等の透明導電膜は最下層に形成する。そ
の上にコモン配線としてモリブデン／アルミニウム／モ
リブデンの積層構造膜を形成する。下層のモリブデン膜
はその下部に形成されているＩＴＯ等の透明導電膜との
コンタクトを取るためのもので、上層のモリブデン膜は
配線の端子である。また、アルミニウム膜をモリブデン
で被覆することで、ＩＴＯ等とアルミニウムとが現像液
中で直接接触することを防止する。そのため、電池反応
は起こらない。
【００４２】さらに、コモン電極を画素領域にベタ形成
した場合には、上部に形成する櫛歯画素電極とのオーバ
ーラップで形成される容量が増大して、これがコモン配
線に乗って時定数が大きくなる。しかし、配線をアルミ
ニウムまたはアルミニウム合金とすることで、その抵抗
分を小さくすることができ、上記時定数の増大を抑制で
きる。
【００４３】以上から、高視野角、高透過率の横電界方
式で、特に画素電極を画素領域にベタ形成した構造のエ
ッチング表示装置における配線の時定数増大を抑制し、
画面サイズを大型化することが容易になる。
【００４４】また、ゲートおよびコモン配線をアルミニ
ウムまたはアルミニウムを主体とした合金で形成するこ
とにより、配線抵抗を低減しつつ、画素駆動のための電
極の一方をＩＴＯ等の透明導電膜でゲート配線または電
極と同層に形成でき、他方の電極である櫛形電極をパッ
シベーション膜（絶縁膜）上に形成して両者の容量（積
層容量）が最小限となるように設計できる。
【００４５】さらに、アルミニウム配線を用いること
で、その所要部分の表面を酸化することでヒロック発生
を低減し、画面上でのシミ等の表示欠陥の発生を防止
し、信頼性の高い液晶表示装置を得るとができる。
【００４６】なお、本発明は、上記の構成および後述す
る実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技
術思想を逸脱するこなく、種々の変更が可能であること
は言うまでもない。
【００４７】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例について説明をする。
【００４８】図１は本発明による液晶表示装置の第１実
施例の構成を模式的に説明する要部断面図であり、液晶
を介して互いに対向配置される絶縁基板のうちの一方の
基板（下側基板）の断面を模式的に示したものである。
【００４９】図１において、ＳＵＢはガラス基板を好適
とする下側基板で、この内面にアルミニウム合金ｇ１と
モリブデン合金ｇ２の積層構造膜からなるゲート配線／
電極ＧＴ（ＧＬ）、アルミニウム合金ｇ１とモリブデン
合金ｇ１の積層構造膜にＩＴＯからなる透明導電膜ｇ３
を被覆したコモン電極／配線ＣＴ（ＣＬ）を有する。な
お、図１においては、薄膜トランジスタＴＦＴを構成す
るゲート電極ＧＴと、コモン配線ＣＬに接続したコモン
電極ＣＴの部分で示してある。
【００５０】これらゲート配線／電極ＧＴ（ＧＬ）とコ
モン電極／配線ＣＴ（ＣＬ）を覆ってゲート絶縁膜ＧＩ
を有し、ゲート電極ＧＴの上方には半導体膜ＡＳＩとコ
ンタクト層となる半導体膜Ｎ+ ＡＳＩからなる半導体層
が形成してある。この半導体層ＡＳＩには、ソース／ド
レイン電極ＳＤ１とＳＤ２が分離して形成されている。
ここでは、ＳＤ１をソース電極、ＳＤ２をドレイン電極
として示す。
【００５１】ソース電極ＳＤ１とドレイン電極ＳＤ２、
およびコモン電極／配線ＣＴ（ＣＬ）の上方を覆って絶
縁膜ＰＡＳが形成してあり、コモン電極／配線ＣＴ（Ｃ
Ｌ）の上方には、コンタクトホールすなわちスルーホー
ルＴＨを通してソース電極ＳＤ１に接続した画素電極Ｐ
Ｘが成膜されている。
【００５２】図２は図１に示した一画素部分平面構成を
模式的に説明する平面図であり、ＤＬはドレイン配線、
他の符号は図１と同一部分に対応する。この形式の液晶
表示装置は、その一画素は２本のドレイン配線ＤＬと２
本のゲート配線ＧＬ（一本のみ示す）で囲まれた領域に
形成されている。
【００５３】この一画素領域を横断する如くコモン配線
ＣＬを有し、コモン配線ＣＬに接続して一画素の略全域
にコモン電極ＣＴが形成されている。そして、一方のド
レイン配線ＤＬとゲート配線ＧＬの交叉部に薄膜トラン
ジスタＴＦＴが形成されており、そのゲート電極ＧＴは
ゲート配線ＧＬであり、ドレイン電極ＳＤ２はドレイン
配線ＤＬから延び、ソース電極ＳＤ１はコンタクトホー
ルＴＨで画素電極ＰＸに接続している。
【００５４】図１と図２に示した構成の製作は次のとお
りである。先ず、ガラス基板ＳＵＢ１上にアルミニウム
（Ａｌ）合金ｇ１とモリブデン（Ｍｏ）合金ｇ２を順次
成膜して積層構造膜を形成する。これにフォトレジスト
を塗布し、乾燥し、パターニングした後、りん酸系エッ
チング液でウエットエッチング処理し、ゲート配線／電
極ＧＬ（ＧＴ）およびコモン配線ＣＬを形成する。
【００５５】モリブデン合金の代わりにチタンＴｉを用
いてもよい。チタンを用いる場合は、アルミニウムとチ
タンの積層膜をドライエッチング処理で一括でパターニ
ングする。また、アルミニウム合金としては、耐ヒロッ
ク性に優れるアルミニウム−ネオジム合金（Ａｌ−Ｎ
ｄ）、またはアルミニウム−シリコン合金（Ａｌ−Ｓ
ｉ）等又は純ＡＬが好適である。本実施例ではアルミニ
ウム−ネオジム合金（Ａｌ−Ｎｄ）を用いた。
【００５６】アルミニウム合金膜ｇ１の上層にモリブデ
ン（Ｍｏ）合金膜ｇ２を用いる場合、フッ素系ガスによ
るドライエッチングレートが遅くなるようなモリブデン
−クロム合金（Ｍｏ−Ｃｒ）を用いる。
【００５７】上記積層構造膜の材料組成およびエッチン
グ液の組成を調整することで、両者のエッチングレート
を制御して、加工側縁が図１に示したような順テーパを
持つように加工する。
【００５８】次に、透明電極であるコモン電極ＣＴとし
てアモルファスのＩＴＯ膜ｇ３を成膜する。ＩＴＯに代
えて、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛・オキサイド）、ＩＧ
Ｏ（インジウム・ゲルマニウム・オキサイド）などを用
いてもよい。
【００５９】ＩＴＯの場合、その成膜中に水を添加して
室温成膜することでアモルファス化する。但し、室温成
膜であるため、その膜はＣＶＤ工程での熱履歴を経て結
晶化することができる。ＩＺＯやＩＧＯの場合は、その
成膜時の基板温度を２００°Ｃで成膜してもアモルファ
ス状態となり、高い基板密着性を維持したまま、アモル
ファス構造を得るとができる。
【００６０】図３は透明導電膜をアモルファス化したこ
との効果の説明図であり、結晶性のＩＴＯ、アモルファ
スＩＴＯ、ＩＺＯ（もともとアモルファス状態）、およ
びモリブデンＭｏ、アルミニウムＡｌの現像液（レジス
トの現像液）中での各腐蝕電位の相違を示す。なお、こ
の腐蝕電位は、現像液としてＮＭＤ（ＴＭＡＨ（テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイド）２．３８％水
溶液）を用いた場合である。
【００６１】図示したように、現像液中でのアルミニウ
ムＡｌの腐蝕電位が最も低いく、次にモリブデンＭｏ、
以下ＩＺＯ、アモルファスＩＴＯ、結晶性ＩＴＯの順で
高い。現像液中にアルミニウムと透明導電膜（ＩＺＯ、
アモルファスＩＴＯ、結晶性ＩＴＯ）の何れかを浸す
と、腐蝕電位差に基づく電池反応が起こり、アルミニウ
ムが酸化され透明導電膜が還元される。
【００６２】ここで、通常の結晶性ＩＴＯ（多結晶性Ｉ
ＴＯ）では、その腐蝕電位差が大きく、それぞれの反応
が激しく発生し、それぞれにダメージを与える。一方、
アモルファスＩＴＯでは、その材料組成による差はある
が、多結晶性ＩＴＯに比べてアルミニウムとの腐蝕電位
差は小さくなる。したがって、現像時の各材料膜に与え
るダメージを抑制することができる。
【００６３】図４はエッチング液によるアルミニウム膜
と透明導電膜のエッチングレートの説明図である。エッ
チングレートは相対値で示す。エッチング液には、蓚酸
または塩酸濃度の低い王水を用いる。高塩酸濃度の王水
や臭化水素酸（ＨＢｒ）では、多結晶ＩＴＯに比較して
アルミニウムのエッチングレートが高いため、当該ＩＴ
Ｏ膜のエッチング処理時に、その直下にあるアルミニウ
ム膜にダメージが発生する。一方、蓚酸または低塩素濃
度の王水では、アルミニウム膜よりアモルファスＩＴＯ
膜のエッチングレートが高い。したがって、アルミニウ
ムＩＴＯ等の透明導電膜のエッチング処理時にその直下
のアルミニウム膜にダメージを与えることがない。
【００６４】透明電極であるコモン電極は、当該コモン
電極の上層膜であるモリブデン合金またはチタンでコモ
ン配線とコンタクトする。モリブデン合金およびチタン
とコモン電極であるＩＴＯ等の界面ではコンタクト抵抗
が低いため、良好なコンタクト特性が得られる。
【００６５】さらに、コモン配線の側端面に露出してい
るアルミニウム層がＩＴＯ等で被覆されているため、そ
の後のゲート絶縁膜等の形成のためのＣＶＤ工程でヒロ
ックが発生することがない。
【００６６】その後、ゲート絶縁膜、半導体層膜、コン
タクト用の半導体膜を、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ膜、
ｎ+ アモルファスＳｉ膜をそれぞれプラズマＣＶＤ処理
により成膜してゲート絶縁膜、半導体層膜、コンタクト
用の半導体膜を連続成膜して形成する。
【００６７】そして、半導体層膜のアモルファスＳｉ膜
とコンタクト用の半導体膜のｎ+ アモルファスＳｉ膜を
ドライエッチング処理で加工して島状の半導体膜とし、
ソース電極とドレイン電極を形成する。このソース電極
とドレイン電極はスパッタリングで成膜し、ホトリソグ
ラフィー技法でパターニングし、ウエットエッチング処
理で配線を加工する。この配線材料には、クロム系合
金、モリブデン系合金を用いる。クロム系合金として
は、クロム−モリブデン／クロムの積層材料（Ｃｒ−Ｍ
ｏ／Ｃｒ）を用いる。モリブデン系合金としては、耐ド
ライエッチング性の高いモリブデン−クロム合金（Ｍｏ
−Ｃｒ）を用いる。
【００６８】ソース電極とドレイン電極のエッチング処
理後、同一のエッチングマスクでチャネル部のコンタク
ト層をドライエッチングで除去してチャネルを形成す
る。
【００６９】その後、パッシベーション層をＣＶＤ法で
成膜する。ソース電極部にドライエッチングでコンタク
トホールを形成する。このスルーホール以外にも、ゲー
ト電極、コモン電極、ソース電極の端子部にもスルーホ
ールを形成する。このとき、ゲート電極、コモン電極、
ソース電極の最上部は、ドライエッチングで金属膜自身
がエッチングされないように、ＳｉＮとのドライエッチ
ング選択比を５以上となるような材料を用いる。
【００７０】その後再度、画素電極の透明導電膜として
ＩＴＯ等を形成する。これは、ホトリソグラフィー技法
で櫛歯状に形成する（図２のＰＸ参照）。この透明導電
膜は、結晶性でもアモルファスでもよい。結晶性の透明
導電膜を用いる場合は、高塩酸の王水か臭化水素酸ＨＢ
ｒを用いる。また、アモルファスの透明導電膜を用いる
場合には、蓚酸または低塩酸の王水を用いればよい。
【００７１】結晶性の透明導電膜を臭化水素酸ＨＢｒを
用いて加工する場合、または蓚酸を用いたアモルファス
透明導電膜をエッチングした場合そのサイドエッチング
量を極めて少なく抑えることができるので、図２に示し
たような微細な櫛歯状透明電極（画素電極ＰＸ）の形成
に適している。
【００７２】本実施例によれば、上記のようにして薄膜
トランジスタＴＦＴと各配線および各電極を形成した基
板（ＴＦＴ基板）であるため、微細な透明櫛歯電極（画
素ＰＸ）と平面透明電極（コモン電極ＣＴ）を有するこ
とで、透過率が大幅に向上した液晶表示装置を得ること
ができる。また、透明電極同士の交叉容量が増大する
が、コモン配線にアルミニウムを用いているために配線
抵抗が低減され、時定数の増加を抑制するこができる。
【００７３】又、平面透明電極（ＣＴ）はここでは画素
一面のベタ状としたが、通常のＩＰＳのように上部櫛歯
電極（ＰＸ）と交互に櫛歯を形成するように加工して
も、同様に開口率は向上できる。
【００７４】図５は本発明による液晶表示装置の第２実
施例の構成を模式的に説明する要部断面図であり、液晶
を介して互いに対向配置される絶縁基板のうちの一方の
基板（下側基板）の断面を模式的に示したものである。
また、図６は図５に示した一画素部分平面構成を模式的
に説明する平面図である。そして、図７乃至図１２は本
実施例のＴＦＴ基板の作製工程の説明図で、図７はゲー
ト配線とコモン配線／電極の作製工程図、図８乃至図１
２は図７の工程をさらに説明するための要部平面図を示
す。
【００７５】本実施例は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の内面
に、ゲート電極／配線ＧＴ（ＧＬ）およびコモン配線Ｃ
Ｌをアルミニウム膜ｇ１で形成する。ゲート電極／配線
ＧＴ（ＧＬ）はアルミニウム膜ｇ１の全面を覆ってアル
ミナ膜ｇ４を有し、コモン配線ＣＬも同様にアルミナ膜
ｇ４の上層にアルミナ膜ｇ４を被覆すると共に、このア
ルミナ膜ｇ４の上面の一部に当該上面からアルミニウム
膜ｇ１に貫通するモリブデンまたはチタン膜（本実施例
ではモリブデン）の膜ｇ２を有している。
【００７６】なお、ＡＬ膜の表面酸化を促進するため、
ガラス基板ＳＵＢ上に塗布型ガラス膜ＳＯＧを形成する
のが酸化膜質向上の為効果的である。
【００７７】コモン電極ＣＴを構成する透明導電膜ＩＴ
Ｏ等は、アルミナ膜ｇ４を覆って図６に示したように画
素領域の略全面に形成され、アルミニウム膜ｇ１の上方
の一部に成膜したモリブデン膜ｇ２を介してコモン配線
ＣＬを構成するアルミニウム膜ｇ１と良好にコンタクト
して形成される。このモリブデン膜ｇ２の具体的な位置
は図６に示した。なお、モリブデン膜ｇ２の平面形状は
図６に示した矩形に限るものではなく、菱形、円形（楕
円形を含む）、あるいは複数の適宜の形状の組み合わせ
とすることができる。
【００７８】上記したコモン配線ＣＬのアルミニウム膜
ｇ１を被覆したアルミナ膜ｇ３は、その上層に積層する
コモン電極ＣＴを構成する透明導電膜ＩＴＯ等とのコン
タクト性が良好でないため、当該アルミナ膜ｇ３の表面
から下層のアルミニウム膜ｇ１に達する如く貫通して成
膜したモリブデン膜ｇ２を設けることでコモン配線ＣＬ
とコモン電極ＣＴのコンタクト性を向上している。
【００７９】そして、上記ゲート配線／電極ＧＬ（Ｇ
Ｔ）とコモン配線ＣＬおよびコモン電極ＣＴの上層に、
図１乃至図４で説明した第１実施例と同様に、ゲート絶
縁膜ＧＩ、半導体膜ＡＳＩ、コンタクト膜Ｎ+ ＡＳＩ、
ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２、絶縁膜ＰＡ
Ｓ、および画素電極ＰＸを形成してある。
【００８０】次に、図７乃至図１２を参照して本実施例
の製作工程を説明する。先ず、図７の（１）に示したよ
うに、ゲート配線／電極ＧＬ（ＧＴ）およびコモン配線
ＣＬとしてアルミニウム合金（ここでは、アルミニウム
−ネオジム合金：Ａｌ−Ｎｄ）膜ｇ１とモリブデン合金
またはチタン合金あるいはクロム合金（ここでは、モリ
ブデン−クロム合金：Ｍｏ−Ｃｒ）膜ｇ２の積層構造膜
を形成し、パターニングする。この平面図を図８に模式
的に示す。
【００８１】次に、コモン配線ＣＬの上層膜であるＭｏ
−Ｃｒ膜ｇ２の上層に形成するコモン電極を構成する透
明導電膜ＩＴＯ等とコンタクトする部分にホトレジスト
ＲＥＧを形成する（図７の（２））。このホトレジスト
ＲＥＧは、ホトレジストの塗布とマスクを介した露光と
現像処理で所定のパターンに形成する。
【００８２】コモン配線ＣＬの上部にホトレジストＲＥ
Ｇを形成した基板ＳＵＢ１をエッチング処理してホトレ
ジストＲＥＧ部分以外を残してＭｏ−Ｃｒ膜ｇ２を除去
する。このとき、ゲート配線ＧＬの上層にあったＭｏ−
Ｃｒ膜ｇ２も同時に除去される（図７の（３））。
【００８３】ホトレジストＲＥＧを残したまま、Ａｌ−
Ｎｄ膜ｇ１に表面を酸化処理し、コモン配線ＣＬの上記
Ｍｏ−Ｃｒ膜ｇ２の残留部分を除いた部分、およびゲー
ト配線ＧＬの表面にアルミナ膜ｇ４を形成する（図７の
（４））。なお、この表面酸化処理では、表面に露出し
たＡｌ−Ｎｄ膜の厚みは上記アルミナ膜ｇ４の生成によ
り若干薄くなる。この状態の平面図を図９に模式的に示
す。
【００８４】その後、ホトレジストＲＥＧを除去してＭ
ｏ−Ｃｒ膜ｇ２を露出させる（図７の（５））。露出し
たＭｏ−Ｃｒ膜ｇ２はコンタクト膜となる。
【００８５】ホトレジストを除去後、コモン配線ＣＬの
上部を覆ってアモルファスの透明導電膜ｇ３を成膜して
コモン電極ＣＴを形成する（図７の（６））。この状態
の平面図を図１０に模式的に示す。
【００８６】この実施例ではコモン電極ＣＴは平面とし
たが、通常のＩＰＳモードでは櫛歯状に加工しても良
い。
【００８７】アモルファスの透明導電膜ｇ３として、前
記したＩＴＯ等が用いられる。また、ゲート配線ＧＬ、
コモン配線ＣＬを構成するアルミニウム合金（Ａｌ−Ｎ
ｄ）膜Ｇ１の大部分がアルミナ膜ｇ４で被覆してあり、
アルミニウム合金膜ｇ１とコモン電極ＣＴそれぞれの表
面が直接エッチング液に触れることがないため、透明導
電膜ｇ３として結晶性の透明導電膜を用いてもよい。
【００８８】コモン電極ＣＴを形成後、図１１に示した
ように、半導体層ＡＳＩおよびコンタクト層の半導体層
（Ｎ+ ＡＳＩ）、ソース電極ＳＤ１、ドレイン配線ＤＬ
およびドレイン電極ＳＤ２を形成する。
【００８９】さらに絶縁膜ＰＡＳを形成後、図１２に示
したように、ＰＡＳ膜を貫通してソース電極ＳＤ１にス
ルーホールＴＨを形成し、櫛形の透明導電膜からなる画
素電極ＰＸ（図５、図６参照）を形成する。
【００９０】本実施例により、アルミニウム合金を用い
たゲート配線／電極ＧＬ（ＧＴ）、コモン配線ＣＬに表
面酸化処理を施すことで、ゲート絶縁膜ＧＩ（ＳｉＮ）
の単層で層間絶縁する場合に比較して、その絶縁耐圧の
低下を防止でき、信頼性が大幅に増大する。また、陽極
化成されない部分であるコモン配線ＣＬのコンタクト部
分は、高融点金属であるモリブデン、モリブデン／チタ
ン、モリブデン／クロム等の積層構造であるため、アル
ミニウム膜のヒロック発生を完全に防止できる。
【００９１】図１３は本発明による液晶表示装置の第３
実施例の構成を模式的に説明する要部断面図であり、液
晶を介して互いに対向配置される絶縁基板のうちの一方
の基板（下側基板）の断面を模式的に示したものであ
る。
【００９２】本実施例では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の内面
にコモン電極ＣＴを構成するアモルファスの透明導電膜
ｇ３としてＩＴＯ等を成膜する。その上にクロムまたは
モリブデンあるいはチタン膜ｇ２を下地（下層）とし、
上層にアルミニウム合金（Ａｌ−Ｎｄ等）膜ｇ１を有す
る積層構造膜からなるコモン配線ＣＬを形成する。
【００９３】コモン配線ＣＬを構成する下層のクロムま
たはモリブデンあるいはチタン膜ｇ２とコモン電極ＣＴ
を構成するアモルファスの透明導電膜ｇ３とは良好なコ
ンタクト性を有する。
【００９４】また、アルミニウム合金膜ｇ１とクロムま
たはモリブデンあるいはチタン膜ｇ２の積層構造膜をパ
ターニングするエッチング処理の際に、当該積層構造膜
を構成する上下層の両者に現像液中での腐食電位差に基
づく電池反応が生じるが、これを抑制するために、当該
電位差が小さくなるようなアモルファスの透明導電膜を
用いる。ここでは、１２０膜を用いた。
【００９５】なお、ゲート配線／電極ＧＬ（ＧＴ）とガ
ラス基板の間には透明導電膜は形成していない。
【００９６】本実施例によれば、コモン電極ＣＴを構成
する透明導電膜ｇ３をガラス基板（ＴＦＴ基板）ＳＵＢ
１に直接形成するため、他の配線に対する所謂パターン
乗り越え部が無く、従ってパターン乗り越え部に起因す
る断線などの不具合の発生がなく、高信頼性の液晶表示
装置を得ることができる。
【００９７】図１４は本発明による液晶表示装置の第４
実施例の構成を模式的に説明する要部断面図であり、液
晶を介して互いに対向配置される絶縁基板のうちの一方
の基板（下側基板）の断面を模式的に示したものであ
る。
【００９８】本実施例では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の内面
に、先ずコモン電極ＣＴとなる透明導電膜としてアモル
ファスまたは多結晶のＩＴＯ等の膜ｇ３を形成し、その
上にモリブデンまたはチタン膜ｇ２とアルミニウム膜ｇ
１およびモリブデンまたはチタン膜ｇ６の積層構造膜
（３層構造膜）を形成する。なお、ゲート配線／電極Ｇ
Ｌ（ＧＴ）の下層にはＩＴＯ等の膜ｇ３を形成しない。
【００９９】この積層構造膜のアルミニウム膜ｇ１はモ
リブデンまたはチタン膜ｇ６の下層にあるため、当該積
層構造膜のパターニング時にアルミニウム膜表面がエッ
チング液に直接接触することがない。したがって、アル
ミニウム膜と透明導電膜が同一エッチング液中に共存す
ることがないため、両者の腐食電位差に基づく電池反応
は発生しない。なお、上記積層構造膜のアルミニウム膜
ｇ１の下地（下層）であるモリブデンまたはチタン膜ｇ
２はコモン配線ＣＬではその下地の透明導電膜ｇ３と、
またゲート配線／電極ＧＬ（ＧＴ）ではガラス基板との
密着性を向上させる。
【０１００】コモン配線ＣＬとゲート配線／電極ＧＬ
（ＧＴ）を本実施例のような３層構造膜としたことで、
コモン配線ＣＬの下地となる透明導電膜ｇ３はアモルフ
ァスである必要はなく、結晶性のＩＴＯ等を採用するこ
とができる。
【０１０１】本実施例によっても、前記第３実施例と同
様に、コモン電極ＣＴを構成する透明導電膜ｇ５をガラ
ス基板（ＴＦＴ基板）ＳＵＢ１に直接形成するため、他
の配線に対する所謂パターン乗り越え部が無く、従って
パターン乗り越え部に起因する断線などの不具合の発生
がなく、高信頼性の液晶表示装置を得ることができる。
【０１０２】次に、上記各実施例を適用した本発明によ
る液晶表示装置の駆動、構造、適用例などについて説明
する。
【０１０３】図１５は本発明による液晶表示装置の等価
回路の説明図である。同図に示すように、液晶表示装置
を構成する液晶パネルは表示部がマトリクス状に配置さ
れた複数の画素の集合により構成され、各画素は液晶パ
ネルの背部に配置されたバックライトからの透過光を独
自に変調制御できるように構成されている。
【０１０４】液晶パネルの構成要素の１つであるＴＦＴ
基板ＳＵＢ１上には、有効画素領域ＡＲにｘ方向（行方
向）に延在し、ｙ方向（列方向）に並設されたゲート配
線ＧＬとコモン配線ＣＬ、およびｙ方向に延在し、ｘ方
向に並設されたドレイン配線ＤＬが形成されている。上
記ゲート配線ＧＬとコモン配線ＣＬは前記実施例の何れ
かの構成を有している。そして、ゲート配線ＧＬとドレ
イン配線ＤＬによって囲まれる矩形状の領域に単位画素
が形成されている。
【０１０５】液晶表示装置は、その液晶パネルの外部回
路として垂直走査回路Ｖ及び映像信号駆動回路Ｈを備
え、垂直走査回路Ｖによって複数のゲート配線ＧＬのそ
れぞれに順次走査信号（電圧）が供給され、そのタイミ
ングに合わせて映像信号駆動回路Ｈからドレイン配線Ｄ
Ｌに映像信号（電圧）を供給するようになっている。
【０１０６】なお、垂直走査回路Ｖ及び映像信号駆動回
路Ｈは、液晶駆動電源回路ＰＯＷから電源が供給される
とともにパソコンあるいはテレビ受信回路等のホストＣ
ＰＵからの画像（映像）情報がコントローラＣＴＬによ
ってそれぞれ表示データ及び制御信号に分けられて入力
される。
【０１０７】図１６は本発明を適用した液晶表示装置の
駆動波形例の説明図である。同図では、コモン配線を介
してコモン電極に印加するコモン電圧をＶCHとＶCLの２
値の交流矩形波にし、それに同期させて走査信号Ｖ
G （ｉ−１）、ＶG （ｉ）の非選択電圧を１走査期間毎
に、ＶCHとＶCLの２値で変化させる。コモン電圧の振幅
幅と非選択電圧の振幅値は同一にする。
【０１０８】画像（映像）信号電圧は、液晶層に印加し
たい電圧からコモン電圧の振幅の１／２を差し引いた電
圧である。
【０１０９】コモン電圧は直流でも良いが、交流化する
ことで画像（映像）信号電圧の最大振幅を低減でき、映
像信号駆動回路（信号側ドライバ）Ｈに耐圧の低いもの
を用いることが可能になる。
【０１１０】図１７は本発明を適用した液晶表示装置の
液晶パネルに外付け回路を実装した状態の一例を示す平
面図である。液晶パネルＰＮＬの周辺には、垂直走査回
路Ｖを搭載した第１の駆動回路基板ＰＣＢ１、映像信号
駆動回路Ｈを搭載した第２の駆動回路基板ＰＣＢ２、お
よび電源回路基板ＰＣＢ３が実装されている。第１の駆
動回路基板ＰＣＢ１と第２の駆動回路基板ＰＣＢ２は、
所謂フレキシブル回路基板ＦＰＣで構成されている。
【０１１１】垂直走査回路Ｖは、複数のフィルムキャリ
ア方式（ＴＣＰ方式）で実装した駆動ＩＣチップＣＨＩ
１を有し、その出力バンプは液晶パネルのゲート信号端
子ＧＴＭに接続され、入力バンプは第１の駆動回路基板
ＰＣＢ１上の端子に接続されている。
【０１１２】映像信号駆動回路Ｈも同様に、複数のフィ
ルムキャリア方式で形成された駆動ＩＣチップＣＨＩ２
から構成され、その出力バンプは液晶パネルのドレイン
信号端子ＤＴＭに接続され、入力バンプは第２の駆動回
路基板ＰＣＢ２上の端子に接続されている。
【０１１３】電源回路基板ＰＣＢ３はフラットケーブル
ＦＣを介して第２の駆動回路基板ＰＣＢ２上の映像信号
駆動回路Ｈに接続され、この映像信号駆動回路Ｈはフラ
ットケーブルＦＣを介して第１の駆動回路基板ＰＣＢ１
上の垂直走査回路Ｖに接続されている。
【０１１４】なお、本発明では、このようなものに限定
されることはなく、各回路を構成する半導体チップをＴ
ＦＴ基板ＳＵＢ１に直接搭載し、その入出力バンプのそ
れぞれを当該基板ＳＵＢ１に形成された端子（あるいは
配線層）に接続させるいわゆるＣＯＧ（Chip On Glass
）方式にも適用できることはいうまでもない。
【０１１５】。
【０１１６】図１８は本発明の液晶表示装置を適用した
ディスプレイモニターの一例を示す正面図である。この
ディスプレイモニターは、前記本発明の実施例にかかる
液晶表示装置を表示部に搭載し、その液晶パネルＰＮＬ
に画像を表示する。表示部はスタンド部で指示されてい
る。このディスプレイモニターは、図示しない外部信号
源（パソコン、あるいはテレビ受信回路）に接続するも
のに限らず、スタンド部あるいはその周辺に上記の外部
信号源を内蔵させることもできる。
【０１１７】本発明により、信頼性が高く、明るい画面
の画像表示を得ることができる。
【０１１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による液晶
表示装置によれば、ゲート配線、ドレイン配線、コモン
配線などの液晶表示装置を構成する上で必要とする各種
の配線のうち、少なくともゲート配線と同層で構成する
配線をアルミニウムまたはアルミニウムを主体とする材
料で形成し、その後にアモルファス透明導電膜を用いて
画素を構成するコモン電極や画素電極を形成したため、
信頼性が高く、明るい画像表示を可能とした液晶表示装
置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の第１実施例の構成
を模式的に説明する要部断面図である。
【図２】図１に示した一画素部分平面構成を模式的に説
明する平面図である。
【図３】透明導電膜をアモルファス化したことの効果の
説明図である。
【図４】エッチング液によるアルミニウム膜と透明導電
膜のエッチングレートの説明図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の第２実施例の構成
を模式的に説明する要部断面図である。
【図６】図５に示した一画素部分平面構成を模式的に説
明する平面図である。
【図７】ゲート配線とコモン配線／電極の作製工程図で
ある。
【図８】図７の工程をさらに説明するための要部平面図
である。
【図９】図７の工程をさらに説明するための図８に続く
要部平面図である。
【図１０】図７の工程をさらに説明するための図９に続
く要部平面図である。
【図１１】図７の工程をさらに説明するための図１０に
続く要部平面図である。
【図１２】図７の工程をさらに説明するための図１１に
続く要部平面図である。
【図１３】本発明による液晶表示装置の第３実施例の構
成を模式的に説明する要部断面図である。
【図１４】本発明による液晶表示装置の第４実施例の構
成を模式的に説明する要部断面図である。
【図１５】本発明による液晶表示装置の等価回路の説明
図である。
【図１６】本発明を適用した液晶表示装置の駆動波形例
の説明図である。
【図１７】本発明を適用した液晶表示装置の液晶パネル
に外付け回路を実装した状態の一例を示す平面図であ
る。
【図１８】本発明の液晶表示装置を適用したディスプレ
イモニターの一例を示す正面図である。
【符号の説明】
ＧＬ・・・ゲート配線、ＧＴ・・・ゲート電極、ＧＩ・
・・絶縁膜、ＤＬ・・・ドレイン配線、ＣＬ・・・コモ
ン配線、ＣＴ・・・コモン電極、ＰＸ・・・画素電極、
ＡＳＩ・・・半導体層、ＴＦＴ・・・薄膜トランジス
タ、ＰＳＶ・・・保護膜（絶縁膜）、ＳＵＢ（ＳＵＢ
１）・・・下側基板、ｇ１・・・アルミニウム合金、ｇ
２・・・モリブデン合金、ｇ３・・・ＩＴＯ膜（透明導
電膜）、ＴＦＴ・・・薄膜トランジスタ、ＡＳＩ・・・
半導体膜、Ｎ+ ＡＳＩ・・・コンタクト層、ＳＤ１／Ｓ
Ｄ２・・・ソース／ドレイン電極、ＰＡＳ・・・絶縁
膜、ＴＨ・・・コンタクトホール（スルーホール）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 記久雄 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H092 GA14 JA26 JA37 JA41 JB05 JB14 JB16 JB24 JB33 JB56 KB04 KB13 KB25 MA13 MA17 NA28 NA29 5C094 AA10 AA14 AA31 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EA07 EB02

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁基板上に、アルミニウムもしくはアル
    ミニウムを主体とする合金層に高融点金属層を被覆した
    積層構造膜に透明導電膜を被覆した配線／電極を有する
    ことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】絶縁基板上に、薄膜トランジスタと、その
    ゲート配線／電極、ドレイン配線／電極、およびコモン
    配線／電極を有し、前記各配線／電極の少なくとも前記
    ゲート配線／電極がアルミニウムもしくはアルミニウム
    を主体とする合金層に高融点金属層を被覆した積層構造
    膜に透明導電膜を被覆した配線であることを特徴とする
    請求項１記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】液晶を介して互いに対向配置される一対の
    基板のうちの一方にゲート配線／電極、ドレイン配線／
    電極およびソース電極を有する薄膜トランジスタと、 ２本の前記ゲート配線と２本のドレイン配線で囲まれる
    画素領域またはその近傍に配置したコモン配線およびこ
    のコモン配線に接続して前記画素領域の略々全域に面形
    成したコモン電極と、 前記ソース電極に接続して前記コモン配線／電極の上層
    に絶縁層を介して形成した略櫛形を有する画素電極とを
    有し、 前記ゲート配線／電極、かつまたはドレイン配線／電
    極、コモン配線はアルミニウムもしくはアルミニウムを
    主体とする合金層に高融点金属層を被覆した積層構造膜
    で形成し、前記コモン電極が前記画素領域の略々全域に
    面形成した透明導電膜としたことを特徴とする液晶表示
    装置。
  4. 【請求項４】液晶を介して互いに対向配置される一対の
    基板のうちの一方にゲート配線／電極、ドレイン配線／
    電極およびソース電極を有する薄膜トランジスタと、 ２本の前記ゲート配線と２本のドレイン配線で囲まれる
    画素領域またはその近傍に形成したコモン配線およびこ
    のコモン配線に接続したコモン電極と、 前記ソース電極に接続して前記コモン電極の上層に絶縁
    層を介して形成した略櫛形を有する画素電極とを有し、 前記ゲート配線／電極、かつまたはドレイン配線／電
    極、コモン配線はアルミニウムもしくはアルミニウムを
    主体とする合金層に高融点金属層を被覆した積層構造膜
    で形成し、前記コモン電極が前記高融点金属層に導電接
    続した透明導電膜であることを特徴とする液晶表示装
    置。
  5. 【請求項５】液晶を介して互いに対向配置される一対の
    基板のうちの一方にゲート配線／電極、ドレイン配線／
    電極およびソース電極を有する薄膜トランジスタと、 ２本の前記ゲート配線と２本のドレイン配線で囲まれる
    画素領域またはその近傍に形成したコモン配線およびこ
    のコモン配線に接続したコモン電極と、 前記ソース電極に接続して前記コモン電極の上層に絶縁
    層を介して形成した略櫛形を有する画素電極とを有し、 前記ゲート配線／電極、ドレイン配線／電極はアルミニ
    ウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層の上層に
    アルミナ層を有し、前記コモン配線はアルミニウムもし
    くはアルミニウムを主体とする合金層の上層にアルミナ
    層を有すると共に、このアルミナ層の一部表面側から当
    該アルミナ層を貫通してアルミニウムもしくはアルミニ
    ウムを主体とする合金層に至る高融点金属層を有し、 前記コモン電極が前記高融点金属層に導電接続した透明
    導電膜であることを特徴とする液晶表示装置。
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