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JP2001156569A - 積層型ｌｃ複合部品 - Google Patents

積層型ｌｃ複合部品

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Publication number
JP2001156569A
JP2001156569A JP33665799A JP33665799A JP2001156569A JP 2001156569 A JP2001156569 A JP 2001156569A JP 33665799 A JP33665799 A JP 33665799A JP 33665799 A JP33665799 A JP 33665799A JP 2001156569 A JP2001156569 A JP 2001156569A
Authority
JP
Japan
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capacitor
inductor
pattern
patterns
laminated
Prior art date
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Pending
Application number
JP33665799A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoto Yamaguchi
直人 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP33665799A priority Critical patent/JP2001156569A/ja
Priority to CNB001333402A priority patent/CN1150674C/zh
Priority to US09/722,756 priority patent/US6504451B1/en
Priority to EP00403307A priority patent/EP1104098A3/en
Publication of JP2001156569A publication Critical patent/JP2001156569A/ja
Priority to US10/176,035 priority patent/US6542053B2/en
Pending legal-status Critical Current

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    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 挿入損失を大きくすることなく、中心周波数
近傍での減衰量を向上させることができる積層型ＬＣ複
合部品を提供する。 【解決手段】 インダクタ用パターン２７，２８の一端
は接続パターン３１に接続されて短絡端とされている。
インダクタ用パターン２７，２８はそれぞれインダクタ
Ｌ１，Ｌ２を形成している。周波数調整用コンデンサパ
ターン２９は、インダクタ用パターン２７の開放端に対
向し、コンデンサＣ１を形成する。そして、コンデンサ
Ｃ１とインダクタＬ１とでＬＣ共振器Ｑ１を構成する。
周波数調整用コンデンサパターン３０は、インダクタ用
パターン２８の開放端に対向し、コンデンサＣ２を形成
する。そして、コンデンサＣ２とインダクタＬ２とでＬ
Ｃ共振器Ｑ２を構成する。接続パターン３１は絶縁体シ
ート２３，２４を挟んでシールドパターン３２，３３に
対向し、共通コンデンサＣｄを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層型ＬＣ複合部
品、特に、高周波の周波数帯域で使用される積層型ＬＣ
複合部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の積層型ＬＣ複合部品として、従
来より、図１５および図１６に示す構造の積層型ＬＣフ
ィルタが知られている。図１５に示すように、この積層
型ＬＣフィルタ１は、インダクタ用パターン７，８およ
び周波数調整用コンデンサパターン９，１０を表面に設
けたセラミックシート４と、シールドパターン１２，１
３をそれぞれ表面に設けたセラミックシート３，５等に
て構成されている。
【０００３】セラミックシート２〜５は積み重ねられ、
一体的に焼成されることにより、図１６に示す積層体１
５とされる。積層体１５には、入力端子１６、出力端子
１７およびグランド端子Ｇ１，Ｇ２が形成されている。
入力端子１６にはインダクタ用パターン７の引出し部７
ａが接続され、出力端子１７にはインダクタ用パターン
８の引出し部８ａが接続されている。グランド端子Ｇ１
には、周波数調整用コンデンサパターン９，１０および
シールドパターン１２，１３の一方の端部が接続されて
いる。グランド端子Ｇ２には、インダクタ用パターン
７，８の接地側端部およびシールドパターン１２，１３
の他方の端部が接続されている。
【０００４】以上のＬＣフィルタ１は、インダクタ用パ
ターン７により形成されるインダクタと、周波数調整用
コンデンサパターン９がインダクタ用パターン７の開放
端部に対向することにより形成されるコンデンサとでＬ
Ｃ共振器Ｑ１を構成している。同様に、インダクタ用パ
ターン８により形成されるインダクタと、周波数調整用
コンデンサパターン１０がインダクタ用パターン８の開
放端部に対向することにより形成されるコンデンサとで
ＬＣ共振器Ｑ２を構成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図１５およ
び図１６に示した構造のＧＨｚ帯のＬＣフィルタ１を製
作した場合、中心周波数の高域側に減衰極が一つ形成さ
れる。そこで、中心周波数近傍での減衰量を向上させる
ため、中心周波数の高域側（例えば、中心周波数Ｆ0＋
０．１２ＧＨｚ近傍）にさらに減衰極を追加するように
設計しても、殆んど減衰が得られなかった。しかも、中
心周波数の近傍に複数の減衰極を有するように設計する
と、挿入損失が大きくなるという新たな問題も発生し
た。
【０００６】そこで、本発明の目的は、挿入損失を大き
くすることなく、中心周波数近傍での減衰量を向上させ
ることができる積層型ＬＣ複合部品を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る積層型ＬＣ複合部品は、複数のインダ
クタを構成しているそれぞれのインダクタ用導体の一端
を接続電極にて電気的に短絡し、前記接続電極を一方の
コンデンサ電極とするコンデンサを介して前記各インダ
クタ用導体の一端が接地されていることを特徴とする。
【０００８】また、本発明に係る積層型ＬＣ複合部品
は、複数のインダクタが、絶縁体層の積み重ね方向に連
接されたビアホールにより構成され、それぞれの前記イ
ンダクタの一端を接続電極にて電気的に短絡し、前記接
続電極を一方のコンデンサ電極とするコンデンサを介し
て前記各インダクタの一端が接地され、かつ、前記イン
ダクタの他端がＬＣ共振器のコンデンサの一方のコンデ
ンサ電極に電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００９】
【作用】各インダクタ用導体の短絡端側は、接続電極に
よってコムライン結合され、さらに、コンデンサを介し
て接地される。これにより、中心周波数の近傍に減衰極
が複数個形成され、中心周波数近傍での減衰特性が改善
される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層型ＬＣ複
合部品の実施形態について添付図面を参照して説明す
る。
【００１１】［第１実施形態、図１〜図５］図１に積層
型ＬＣフィルタ２１の構成を示し、図２および図３にそ
れぞれＬＣフィルタ２１の外観斜視図および電気等価回
路図を示す。ＬＣフィルタ２１はＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２
を有する２段のフィルタである。
【００１２】図１に示すように、積層型ＬＣフィルタ２
１は、インダクタ用パターン２７，２８、周波数調整用
コンデンサパターン２９，３０および接続パターン３１
を表面に設けた絶縁体シート２４と、シールドパターン
３２，３３をそれぞれ表面に設けた絶縁体シート２３，
２５等にて構成されている。絶縁体シート２２〜２５
は、誘電体粉末や磁性体粉末を結合剤等と一緒に混練し
たものをシート状にしたものである。パターン２７〜３
３はＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等から
なり、印刷等の方法により形成される。
【００１３】一定のパターン幅を有する直線状のインダ
クタ用パターン２７，２８は、絶縁体シート２４の左辺
から右辺に向かって平行に並走された状態で配置されて
いる。インダクタ用パターン２７，２８のそれぞれの一
端は接続パターン３１に接続されて短絡端とされ、他端
は開放端とされている。インダクタ用パターン２７，２
８は、それぞれインダクタＬ１，Ｌ２を形成している。
インダクタＬ１，Ｌ２の軸は、絶縁体シート２４の左辺
から右辺に向かう方向に対して平行である。そして、イ
ンダクタＬ１，Ｌ２に電流が流れると、インダクタＬ
１，Ｌ２のそれぞれの周囲に、インダクタＬ１，Ｌ２の
軸方向に対して垂直な面を周回する磁界が発生する。
【００１４】インダクタ用パターン２７の引出し部２７
ａはシート２４の手前側の辺に露出し、インダクタ用パ
ターン２８の引出し部２８ａはシート２４の奥側の辺に
露出している。インダクタ用パターン２７，２８の長さ
は、それぞれ実質的にλ／４（λ：中心周波数の波長）
に設定されている。
【００１５】周波数調整用コンデンサパターン２９，３
０は、それぞれシート２４の左側に配置されている。周
波数調整用コンデンサパターン２９は、インダクタ用パ
ターン２７の開放端に対向し、コンデンサＣ１を形成す
る。そして、コンデンサＣ１とインダクタＬ１とでＬＣ
共振器Ｑ１を構成する。さらに、周波数調整用コンデン
サパターン３０は、インダクタ用パターン２８の開放端
に対向し、コンデンサＣ２を形成する。そして、コンデ
ンサＣ２とインダクタＬ２とでＬＣ共振器Ｑ２を構成す
る。
【００１６】接続パターン３１は、絶縁体シート２３，
２４を間に挟んでシールドパターン３２，３３の右側に
対向し、共通コンデンサＣｄを形成する。これにより、
インダクタ用パターン２７，２８の短絡端側は、接続パ
ターン３１によってコムライン結合され、さらに、共通
コンデンサＣｄを介して接地されることになる。そし
て、インダクタ用パターン２７と２８が平行に並走され
ているため、インダクタ用パターン２７と２８が対向し
ている部分で静電容量が生ずる。この静電容量は、共振
器Ｑ１とＱ２を結合する結合コンデンサＣｓとなる。さ
らに、インダクタ用パターン２７と２８の間には相互イ
ンダクタンスＭが形成され、共振器Ｑ１とＱ２を磁気的
に結合する。そして、パターン２７〜３１を間に挟んで
広面積のシ−ルドパターン３２，３３が配置されてい
る。
【００１７】絶縁体シート２２〜２５は積み重ねられ、
一体的に焼成されることにより、図２に示す積層体４０
とされる。積層体４０の左右の端面にはそれぞれグラン
ド端子Ｇ１，Ｇ２が形成されている。積層体４０の手前
側の側面には入力端子４１が形成され、奥側の側面には
出力端子４２が形成されている。
【００１８】入力端子４１にはインダクタ用パターン２
７の引出し部２７ａが接続され、出力端子４２にはイン
ダクタ用パターン２８の引出し部２８ａが接続されてい
る。グランド端子Ｇ１には周波数調整用コンデンサパタ
ーン２９，３０およびシールドパターン３２，３３の一
方の端部が接続され、グランド端子Ｇ２にはシールドパ
ターン３２，３３の他方の端部が接続されている。
【００１９】図３はこうして得られた積層型ＬＣフィル
タ２１の電気等価回路図である。共振器Ｑ１とＱ２は、
結合コンデンサＣｓおよび相互インダクタンスＭを介し
て電磁気的に接続され、２段のフィルタを構成してい
る。共振器Ｑ１，Ｑ２のインダクタＬ１，Ｌ２の一端
（インダクタ用パターン２７，２８の開放端）は、それ
ぞれコンデンサＣ１，Ｃ２の一端に接続されている。コ
ンデンサＣ１，Ｃ２の他端は接地されている。一方、イ
ンダクタＬ１，Ｌ２の他端（インダクタ用パターン２
７，２８の短絡端）はコムライン結合され、共通コンデ
ンサＣｄを介して接地されている。これにより、この積
層型ＬＣフィルタ２１は、図４に示すように、中心周波
数の高域側に二個の減衰極Ｐ１，Ｐ２を形成することが
でき、中心周波数近傍での減衰特性を改善することがで
きる。図４において、実線の曲線Ｓ２１，Ｓ１１はそれ
ぞれＬＣフィルタ２１の通過特性および反射特性を表示
している。比較のため、従来のＬＣフィルタの通過特性
Ｓ２１’および反射特性Ｓ１１’も、点線の曲線にて記
載している。さらに、フィルタ帯域の低周波側の減衰
が、従来のＬＣフィルタと比較して緩やかであるため、
狭帯域化による挿入損失の劣化も少ない。
【００２０】また、図５に示すように、ＬＣフィルタ２
１において、共通コンデンサＣｄの静電容量を大きくす
るため、コンデンサパターン３６を表面に形成した薄い
絶縁体シート３７を絶縁体シート２４と２５の間に配置
し、絶縁体シート２４に設けたビアホール３５を介して
接続パターン３１とコンデンサパターン３６とを電気的
に接続してもよい。これにより、コンデンサパターン３
６とシールドパターン３３との間の距離が狭くなり、コ
ンデンサパターン３６とシールドパターン３３との間に
大きな静電容量が形成される。
【００２１】［第２実施形態、図６および図７］図６に
示すように、積層型ＬＣフィルタ５０は、周波数調整用
コンデンサパターン６０〜６２を表面に設けた絶縁体シ
ート５３と、インダクタ用パターン５７，５８，５９お
よび接続パターン６３を表面に設けた絶縁体シート５４
と、コンデンサパターン６４を表面に設けた絶縁体シー
ト５５と、シールドパターン６５，６６をそれぞれ表面
に設けた絶縁体シート５２，５６等にて構成されてい
る。
【００２２】一定のパターン幅を有する直線状のインダ
クタ用パターン５７〜５９は、絶縁体シート５４の左辺
から右辺に向かって平行に並走された状態で配置されて
いる。インダクタ用パターン５７〜５９のそれぞれの一
端は接続パターン６３に接続されて短絡端とされ、他端
は開放端とされている。インダクタ用パターン５７，５
８，５９は、それぞれインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３を形
成している。インダクタＬ１〜Ｌ３の軸は、絶縁体シー
ト５４の左辺から右辺に向かう方向に対して平行であ
る。
【００２３】インダクタ用パターン５７の引出し部５７
ａはシート５４の手前側の辺に露出し、インダクタ用パ
ターン５９の引出し部５９ａはシート５４の奥側の辺に
露出している。インダクタ用パターン５７〜５９の長さ
は、それぞれ実質的にλ／４に設定されている。
【００２４】周波数調整用コンデンサパターン６０〜６
２は、それぞれ絶縁体シート５３の左側に配置されてい
る。周波数調整用コンデンサパターン６０は、シート５
３を挟んでインダクタ用パターン５７の開放端に対向
し、コンデンサＣ１を形成する。そして、コンデンサＣ
１とインダクタＬ１とでＬＣ共振器Ｑ１を構成する。同
様にして、周波数調整用コンデンサパターン６１，６２
は、それぞれシート５３を挟んでインダクタ用パターン
５８，５９の開放端に対向し、コンデンサＣ２，Ｃ３を
形成する。そして、コンデンサＣ２とインダクタＬ２と
でＬＣ共振器Ｑ２を構成し、コンデンサＣ３とインダク
タＬ３とでＬＣ共振器Ｑ３を構成する。
【００２５】接続パターン６３は、絶縁体シート５４を
間に挟んでコンデンサパターン６４に対向し、共通コン
デンサＣｄを形成する。これにより、インダクタ用パタ
ーン５７〜５９の短絡端側は、接続パターン６３によっ
てコムライン結合され、さらに、共通コンデンサＣｄを
介して接地されることになるそして、インダクタ用パタ
ーン５７〜５９が平行に並走されているため、インダク
タ用パターン５７と５８が対向している部分およびイン
ダクタ用パターン５８と５９が対向している部分でそれ
ぞれ静電容量が生ずる。この静電容量は、共振器Ｑ１〜
Ｑ３を結合する結合コンデンサとなる。さらに、インダ
クタ用パターン５７と５８の間およびインダクタ用パタ
ーン５８と５９の間にはそれぞれ相互インダクタンスが
形成され、共振器Ｑ１〜Ｑ３を磁気的に結合する。さら
に、パターン５７〜６４を間に挟んで広面積のシールド
パターン６５，６６が配置されている。
【００２６】絶縁体シート５１〜５６は積み重ねられ、
一体的に焼成されることにより、図７に示す積層体７０
とされる。積層体７０の左右の端面にはそれぞれグラン
ド端子Ｇ１，Ｇ２が形成されている。積層体７０の手前
側の側面には入力端子７１が形成され、奥側の側面には
出力端子７２が形成されている。
【００２７】入力端子７１にはインダクタ用パターン５
７の引出し部５７ａが接続され、出力端子７２にはイン
ダクタ用パターン５９の引出し部５９ａが接続されてい
る。グランド端子Ｇ１には周波数調整用コンデンサパタ
ーン６０〜６２およびシールドパターン６５，６６の一
方の端部が接続され、グランド端子Ｇ２にはコンデンサ
パターン６４およびシールドパターン６５，６６の他方
の端部が接続されている。
【００２８】こうして得られた積層型ＬＣフィルタ５０
は、３段のフィルタを構成している。共振器Ｑ１〜Ｑ３
のインダクタＬ１〜Ｌ３の一端（インダクタ用パターン
５７〜５９の開放端）は、それぞれコンデンサＣ１〜Ｃ
３の一端に接続されている。コンデンサＣ１〜Ｃ３の他
端は接地されている。一方、インダクタＬ１〜Ｌ３の他
端（インダクタ用パターン５７〜５９の短絡端）はコム
ライン結合され、共通コンデンサＣｄを介して接地され
ている。これにより、この積層型ＬＣフィルタ５０は、
中心周波数の高域側に二個の減衰極を形成することがで
き、中心周波数近傍での減衰特性を改善することができ
る。
【００２９】［第３実施形態、図８〜図１２］図８に示
すように、積層型ＬＣフィルタ８１は、インダクタ用ビ
アホール９０ａ〜９０ｄ，９１ａ〜９１ｄ，９２ａ〜９
２ｄ、コンデンサパターン９３〜９５、周波数調整用コ
ンデンサパターン９６〜９８、結合用コンデンサパター
ン９９〜１０１、接続パターン１０２およびシールドパ
ターン１０５，１０６等をそれぞれ設けた絶縁体シート
８２〜８９等にて構成されている。
【００３０】インダクタ用ビアホール９０ａ〜９０ｄ，
９１ａ〜９１ｄ，９２ａ〜９２ｄは、それぞれ絶縁体シ
ート８４〜８７の積み重ね方向に連接して柱状インダク
タＬ１，Ｌ２，Ｌ３を構成する。インダクタＬ１〜Ｌ３
の軸方向はシート８４〜８７の表面に対して垂直であ
る。インダクタＬ１〜Ｌ３のそれぞれの一端（ビアホー
ル９０ｄ，９１ｄ，９２ｄ）は接続パターン１０２に接
続されて短絡されている。
【００３１】周波数調整用コンデンサパターン９６，９
７，９８は、それぞれ絶縁体シート８３を挟んでシール
ドパターン１０５に対向し、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ
３を形成する。周波数調整用コンデンサパターン９６は
インダクタＬ１の端部（ビアホール９０ａ）に直接に接
続し、インダクタＬ１とコンデンサＣ１とでＬＣ共振器
Ｑ１が形成される。周波数調整用コンデンサパターン９
７はインダクタＬ２の端部（ビアホール９１ａ）に直接
に接続し、インダクタＬ２とコンデンサＣ２とでＬＣ共
振器Ｑ２が形成される。周波数調整用コンデンサパター
ン９８はインダクタＬ３の端部（ビアホール９２ａ）に
直接に接続し、インダクタＬ３とコンデンサＣ３とでＬ
Ｃ共振器Ｑ３が形成される。
【００３２】接続パターン１０２は絶縁体シート８８を
間に挟んでシールドパターン１０６に対向し、共通コン
デンサＣｄを形成する。これにより、インダクタＬ１〜
Ｌ３の短絡端側は、接続パターン１０２によってコムラ
イン結合され、さらに共通コンデンサＣｄを介して接地
されることになる。
【００３３】絶縁体シート８６上のコンデンサパターン
９３〜９５は、それぞれ、シート８６の手前側の辺から
奥側の辺に向かう方向に対して平行に延在している。こ
れらコンデンサパターン９３，９４，９５は、それぞれ
インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３を構成しているビアホール
９０ｃ，９１ｃ，９２ｃに直接に接続している。さら
に、コンデンサパターン９３，９５は、それぞれ入力用
引出しパターン１０８および出力用引出しパターン１０
９に接続している。入力用引出しパターン１０８はシー
ト８６の左辺に露出し、出力用引出しパターン１０９は
シート８６の右辺に露出している。
【００３４】コンデンサパターン９３，９４はシート８
５を挟んで結合用コンデンサパターン９９に対向してお
り、ＬＣ共振器Ｑ１とＱ２間を結合するための結合コン
デンサＣｓ１を形成する。コンデンサパターン９４，９
５はシート８５を挟んで結合用コンデンサパターン１０
０に対向しており、ＬＣ共振器Ｑ２とＱ３間を結合する
ための結合コンデンサＣｓ２を形成する。また、結合コ
ンデンサパターン１０１は、入力側コンデンサパターン
９３から出力側コンデンサパターン９５に渡って対向し
ており、入力側ＬＣ共振器Ｑ１と出力側ＬＣ共振器Ｑ３
間を結合するための結合コンデンサＣｓ３を形成する。
この結合コンデンサＣｓ３の静電容量を変えることによ
り、減衰極の位置を調整することができる。
【００３５】以上の各シート８２〜８９は図８に示すよ
うに順に積み重ねられ、一体的に焼成されることによ
り、図９および図１０に示す積層体１１０とされる。積
層体１１０の左右の端面にはそれぞれ入力端子１１１，
出力端子１１２が形成され、手前側および奥側の側面に
はそれぞれグランド端子Ｇ１，Ｇ２が形成されている。
入力端子１１１には入力用引出しパターン１０８が接続
され、出力端子１１２には出力用引出しパターン１０９
が接続され、グランド端子Ｇ１，Ｇ２にはシールドパタ
ーン１０５，１０６が接続されている。
【００３６】図１１はこうして得られた積層型ＬＣフィ
ルタ８１の電気等価回路図である。共振器Ｑ１〜Ｑ３は
結合コンデンサＣｓ１〜Ｃｓ３を介して相互に電気的に
接続され、チェビシェフ形３段フィルタを構成してい
る。共振器Ｑ１〜Ｑ３のインダクタＬ１〜Ｌ３の一方の
端部（ビアホール９０ａ〜９２ａ）は、それぞれコンデ
ンサＣ１〜Ｃ３の一端に接続されている。一方、インダ
クタＬ１〜Ｌ３の他端（ビアホール９０ｄ〜９２ｄ）は
コムライン結合され、共通コンデンサＣｄを介して接地
されている。これにより、この積層型ＬＣフィルタ８１
は、図１２に示すように、中心周波数（Ｆ0＝１．８９
８７ＧＨｚ）の高域側に二個の減衰極Ｐ１，Ｐ２を形成
することができ、中心周波数の近傍での減衰特性を改善
することができる。また、フィルタ帯域の低周波側の減
衰が緩やかであるため、狭帯域化による挿入損失の劣化
も少ない。より具体的には、ＬＣフィルタ８１の挿入損
失は１．４１ｄＢ、中心周波数近傍（Ｆ0＋０．１２Ｇ
Ｈｚ）での減衰量は２６．４ｄＢであった。これに対し
て、従来のＬＣフィルタの挿入損失は１．６１ｄＢ、中
心周波数（Ｆ0＝１．９６ＧＨｚ）の近傍（Ｆ0＋０．１
２ＧＨｚ）での減衰量は８．３ｄＢであった。
【００３７】［第４実施形態、図１３および図１４］図
１３に示すように、積層型ＬＣフィルタ１２１は、コン
デンサパターン１２７，１２８、インダクタ用パターン
１２９，１３０、接続パターン１３１およびシールドパ
ターン１３２，１３３等をそれぞれ設けた絶縁体シート
１２２〜１２６等にて構成されている。
【００３８】絶縁体シート１２５上のミアンダ形状のイ
ンダクタ用パターン１２９，１３０は、それぞれインダ
クタＬ１，Ｌ２を形成している。インダクタ用パターン
１２９，１３０のそれぞれの一方の端部は、接続パター
ン１３１に接続されて短絡端とされている。インダクタ
用パターン１２９，１３０の他方の端部は、それぞれ絶
縁体シート１２４に設けたビアホール１３５，１３６を
介してコンデンサパターン１２７，１２８に電気的に接
続している。
【００３９】コンデンサパターン１２７は、その一端が
グランド端子Ｇ１（図１４参照）に対向して周波数調整
用コンデンサＣ１を形成する。そして、コンデンサＣ１
とインダクタＬ１とでＬＣ共振器Ｑ１を構成する。コン
デンサパターン１２８は、その一端が後述のグランド端
子Ｇ２（図１４参照）に対向して周波数調整用コンデン
サＣ２を形成する。そして、コンデンサＣ２とインダク
タＬ２とでＬＣ共振器Ｑ２を構成する。
【００４０】接続パターン１３１は絶縁体シート１２５
を挟んでシールドパターン１３３の右側に対向し、共通
コンデンサＣｄを形成する。これにより、インダクタ用
パターン１２９，１３０の短絡端側は、接続パターン１
３１によってコムライン結合され、さらに、共通コンデ
ンサＣｄを介して接地されることになる。そして、コン
デンサパターン１２７と１２８がシート１２４上で対置
しているため、コンデンサパターン１２７と１２８との
間に静電容量が形成される。この静電容量は、共振器Ｑ
１とＱ２を結合する結合コンデンサＣｓとなる。
【００４１】絶縁体シート１２２〜１２６は積み重ねら
れ、一体的に焼成されることにより、図１４に示す積層
体１４０とされる。積層体１４０の左端面にはグランド
端子Ｇ１，Ｇ２が形成され、右端面にはグランド端子Ｇ
３が形成されている。積層体１４０の手前側の側面には
入力端子１４１が形成され、奥側の側面には出力端子１
４２が形成されている。
【００４２】入力端子１４１には入力用引出しパターン
１３７を介してコンデンサパターン１２７が電気的に接
続され、出力端子１４２には出力用引出しパターン１３
８を介してコンデンサパターン１２８が電気的に接続さ
れ、グランド端子Ｇ１〜Ｇ３にはシールドパターン１３
２，１３３が電気的に接続されている。
【００４３】以上の構成からなる積層型ＬＣフィルタ１
２１は、前記第１実施形態のＬＣフィルタ２１と同様の
作用効果を奏する。
【００４４】［他の実施形態］なお、本発明に係る積層
型ＬＣ複合部品は前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【００４５】ＬＣ複合部品としては、バンドパスフィル
タ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ等がある。さ
らに、ＬＣ複合部品としては、バンドパスフィルタを組
み合わせて構成したデュプレクサ、ローパスフィルタ、
ハイパスフィルタおよびトラップ回路、あるいは、これ
ら異なる種類の回路を組み合わせたデュプレクサであっ
てもよい。さらに、デュプレクサ以外に、トリプレク
サ、ダイプレクサ等のように、一つの積層体内に複数個
のフィルタが内蔵されたものを含む。ダイプレクサは、
例えばローパスフィルタとハイパスフィルタを組み合わ
せて構成される。また、シールドパターンが積層体の上
部又は下部のいずれか一方にのみ配設されているもので
あってもよい。
【００４６】さらに、前記実施形態は、それぞれ導体パ
ターンやビアホールが形成された絶縁体シートを積み重
ねた後、一体的に焼成するものであるが、必ずしもこれ
に限定されない。絶縁体シートは予め焼成されたものを
用いてもよい。また、以下に説明する製法によってＬＣ
複合部品を製造してもよい。印刷等の方法によりぺース
ト状の絶縁材料にて絶縁体層を形成した後、その絶縁体
層の表面にペースト状の導電性材料を塗布して導体パタ
ーンやビアホールを形成する。次に、ペースト状の絶縁
材料を上から塗布して絶縁体層とする。同様にして、順
に重ね塗りすることにより、積層構造を有するＬＣ複合
部品が得られる。
【００４７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、複数の共振器の各インダクタ用導体の一端を
接続電極にてコムライン結合し、さらに、コンデンサを
介して接地したので、中心周波数近傍で高い減衰特性を
得ることができる。しかも、フィルタ帯域の低周波側の
減衰が緩やかになり、狭帯域化による挿入損失の劣化も
少ない。この結果、狭帯域にもかかわらず挿入損失が少
なく、中心周波数近傍で高い減衰特性を有する積層型Ｌ
Ｃ複合部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る積層型ＬＣ複合部品の第１実施形
態を示す分解斜視図。
【図２】図１に示した積層型ＬＣ複合部品の外観斜視
図。
【図３】図１に示した積層型ＬＣ複合部品の電気等価回
路図。
【図４】図１に示した積層型ＬＣ複合部品の通過特性お
よび反射特性を示すグラフ。
【図５】図１に示した積層型ＬＣ複合部品の変形例を示
す分解斜視図。
【図６】本発明に係る積層型ＬＣ複合部品の第２実施形
態を示す分解斜視図。
【図７】図６に示した積層型ＬＣ複合部品の外観斜視
図。
【図８】本発明に係る積層型ＬＣ複合部品の第３実施形
態を示す分解斜視図。
【図９】図８に示した積層型ＬＣ複合部品の外観斜視
図。
【図１０】図９に示した積層型ＬＣ複合部品の断面図。
【図１１】図９に示した積層型ＬＣ複合部品の電気等価
回路図。
【図１２】図９に示した積層型ＬＣ複合部品の通過特性
および反射特性を示すグラフ。
【図１３】本発明に係る積層型ＬＣ複合部品の分解斜視
図。
【図１４】図１３に示した積層型ＬＣ複合部品の外観斜
視図。
【図１５】従来の積層型ＬＣ複合部品の分解斜視図。
【図１６】図１５に示した積層型ＬＣ複合部品の外観斜
視図。
【符号の説明】
２１，５０，８１，１２１…積層型ＬＣフィルタ ２２〜２５，５１〜５６，８２〜８９，１２２〜１２６
…絶縁体シート ２７，２８，５７〜５９，１２９，１３０…インダクタ
用パターン ２９，３０，６０〜６２，９６〜９８…周波数調整用コ
ンデンサパターン ３１，６３，１０２，１３１…接続パターン ３２，３３，６５，６６，１０５，１０６，１３２，１
３３…シールドパターン ３６，６４，１２７，１２８…コンデンサパターン ４０，７０，１１０，１４０…積層体 ９０ａ〜９０ｄ，９１ａ〜９１ｄ，９２ａ〜９２ｄ…イ
ンダクタ用ビアホール Ｌ１〜Ｌ３…インダクタ Ｃ１〜Ｃ３…コンデンサ Ｃｄ…共通コンデンサ Ｑ１〜Ｑ３…ＬＣ共振器

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁体層を積み重ねて構成した積層体内
    に複数のインダクタと複数のコンデンサを形成し、該イ
    ンダクタとコンデンサとにより複数のＬＣ共振器を形成
    した積層型ＬＣ複合部品において、 前記複数のインダクタを構成しているそれぞれのインダ
    クタ用導体の一端を接続電極にて電気的に短絡し、前記
    接続電極を一方のコンデンサ電極とするコンデンサを介
    して前記各インダクタ用導体の一端が接地されているこ
    とを特徴とする積層型ＬＣ複合部品。
  2. 【請求項２】 絶縁体層を積み重ねて構成した積層体内
    に複数のインダクタと複数のコンデンサを形成し、該イ
    ンダクタとコンデンサとにより複数のＬＣ共振器を形成
    した積層型ＬＣ複合部品において、 前記複数のインダクタが、前記絶縁体層の積み重ね方向
    に連接されたビアホールにより構成され、それぞれの前
    記インダクタの一端を接続電極にて電気的に短絡し、前
    記接続電極を一方のコンデンサ電極とするコンデンサを
    介して前記各インダクタの一端が接地され、かつ、前記
    インダクタの他端が前記ＬＣ共振器のコンデンサの一方
    のコンデンサ電極に電気的に接続されていることを特徴
    とする積層型ＬＣ複合部品。
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