JP2001156457A - Manufacturing method of electronic circuit device - Google Patents
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体集積回路のパッドと回路基板との間の
導電接続の信頼性を高めた電子回路装置の製造方法を提
供する。
【解決手段】 端子パッド12aが形成されている面を
上側にして半導体集積回路のベアチップ12をベース基
板11a上に実装した後、ベアチップ12の端子パッド
12aを覆うようにベース基板11aの上面に絶縁層1
1bを形成し、端子パッド12a上の絶縁層11bを除
去してビアホール15を形成し、ビアホール15内に端
子パッド12aに導電接続する導電体16を充填した
後、絶縁層11bの上面に配線導体14を形成する。さ
らに、配線導体14の上に絶縁層11cを形成する。ビ
ルドアップ方式によって電子回路装置10を製造する。
(57) Abstract: Provided is a method of manufacturing an electronic circuit device having improved reliability of conductive connection between a pad of a semiconductor integrated circuit and a circuit board. SOLUTION: A bare chip 12 of a semiconductor integrated circuit is mounted on a base substrate 11a with a surface on which a terminal pad 12a is formed facing upward, and then insulated on an upper surface of the base substrate 11a so as to cover the terminal pad 12a of the bare chip 12. Layer 1
1b, the insulating layer 11b on the terminal pad 12a is removed to form a via hole 15, and the via hole 15 is filled with a conductor 16 electrically conductively connected to the terminal pad 12a, and then a wiring conductor is formed on the upper surface of the insulating layer 11b. 14 is formed. Further, the insulating layer 11c is formed on the wiring conductor 14. The electronic circuit device 10 is manufactured by a build-up method.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、多層構造の電子回
路装置及びその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic circuit device having a multilayer structure and a method for manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、半導体
集積回路(IC)のベアチップを高密度実装した電子回
路装置が用いられるようになってきた。さらに、電子回
路装置に用いられる回路基板を多層化して回路基板の小
型化が図られており、回路基板を多層化する際にビルド
アップ基板の採用が増えている。2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of electronic devices, electronic circuit devices in which bare chips of semiconductor integrated circuits (ICs) are mounted at high density have been used. Further, circuit boards used in electronic circuit devices are multilayered to reduce the size of the circuit boards, and when multilayering circuit boards, the use of build-up boards is increasing.
【0003】一方、半導体ICのベアチップを回路基板
上にマウントする場合には、ベアチップの信号パッドを
直接回路基板上の接続用ランドに接続して実装するフリ
ップチップ接続が行われる。On the other hand, when a bare chip of a semiconductor IC is mounted on a circuit board, flip-chip connection is performed in which signal pads of the bare chip are directly connected to connection lands on the circuit board and mounted.
【0004】一般に、半導体ICのベアチップは、その
1つの面の周縁部に沿って電極を構成するパッドが配列
されており、ベアチップを直接回路基板にマウントする
ときは、パッドの表面に半田バンプを形成し、この半田
バンプと回路基板の接続用ランドとを異方性導電フィル
ム或いは異方性導電樹脂を介して電気的に接続するフリ
ップチップ接続が行われている。In general, a bare chip of a semiconductor IC has pads constituting electrodes arranged along a peripheral edge of one surface thereof. When the bare chip is directly mounted on a circuit board, solder bumps are formed on the surface of the pad. Flip chip connection is performed in which the solder bumps are formed and the connection lands of the circuit board are electrically connected through an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive resin.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
小型化技術の進歩に伴い半導体ICベアチップのパッド
間ピッチがさらに狭くなってきているので、異方性導電
フィルムや異方性導電樹脂の中に混入されている導電粒
子の大きさが、半導体ICベアチップのパッドやパッド
間ピッチの大きさに近づきつつあり、このためパッド間
で短絡が発生する不具合が生じることが多くなってき
た。これは、製造コストが低くならない一要因となって
いる。However, since the pitch between pads of a semiconductor IC bare chip is becoming narrower with the recent development of miniaturization technology, anisotropic conductive films and resins have been developed. The size of the mixed conductive particles is approaching the size of the pads of the semiconductor IC bare chip and the pitch between the pads, so that a short circuit between the pads often occurs. This is one factor that does not reduce the manufacturing cost.
【0006】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、半導
体集積回路のパッドと回路基板との間の導電接続の信頼
性を高めた電子回路装置の製造方法を提供することであ
る。An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electronic circuit device in which the reliability of conductive connection between a pad of a semiconductor integrated circuit and a circuit board is improved in view of the above problems.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項1では、多層回路基板と、1つの主
面に端子パッドを有するチップ状電子部品とを備えた電
子回路装置の製造方法であって、前記端子パッドが形成
されている主面を上側にして前記チップ状電子部品をベ
ース基板上に実装する工程と、前記ベース基板の上面
に、前記ベース基板に実装されたチップ状電子部品の側
面から上面に亘って前記端子パッドを覆うように絶縁層
を形成する工程と、前記絶縁層の前記端子パッド上の部
分を除去してビアホールを形成する工程と、該ビアホー
ル内に前記端子パッドに導電接続する導電体を充填する
工程と、前記絶縁層の上面に配線導体を形成する工程と
を実施して電子回路装置を製造する電子回路装置の製造
方法を提案する。According to the present invention, there is provided an electronic circuit device comprising a multilayer circuit board and a chip-shaped electronic component having terminal pads on one main surface. A method of mounting the chip-shaped electronic component on a base substrate with the main surface on which the terminal pads are formed facing upward, and mounting the chip-shaped electronic component on the base substrate on the upper surface of the base substrate. Forming an insulating layer so as to cover the terminal pad from the side surface to the upper surface of the chip-shaped electronic component; removing a portion of the insulating layer on the terminal pad to form a via hole; In addition, the present invention proposes a method of manufacturing an electronic circuit device by performing a step of filling a conductor to be conductively connected to the terminal pad and a step of forming a wiring conductor on the upper surface of the insulating layer.
【0008】該電子回路装置の製造方法では、端子パッ
ドが形成されている主面を上側にして前記チップ状電子
部品が前記ベース基板上に実装された後、前記チップ状
電子部品の端子パッドを覆うように前記ベース基板の上
面に絶縁層が形成され、前記端子パッド上の絶縁層が除
去されてビアホールが形成され、該ビアホール内に前記
端子パッドに導電接続する導電体が充填されたのち、前
記絶縁層の上面に配線導体が形成されて電子回路装置が
ビルドアップ方式によって製造される。これにより、前
記チップ状電子部品が多層回路基板の内部に埋設された
電子回路装置が製造される。In the method of manufacturing an electronic circuit device, after the chip-shaped electronic component is mounted on the base substrate with the main surface on which the terminal pad is formed facing upward, the terminal pad of the chip-shaped electronic component is removed. An insulating layer is formed on the upper surface of the base substrate so as to cover, the insulating layer on the terminal pad is removed to form a via hole, and after the via hole is filled with a conductor conductively connected to the terminal pad, A wiring conductor is formed on the upper surface of the insulating layer, and an electronic circuit device is manufactured by a build-up method. Thus, an electronic circuit device in which the chip-shaped electronic component is embedded inside the multilayer circuit board is manufactured.
【0009】また、請求項2では、請求項1記載の電子
回路装置の製造方法において、前記配線導体が形成され
た絶縁層上にさらに第2絶縁層を形成した後、前記配線
導体の所定位置上部の第2絶縁層を除去してビアホール
を形成し、該ビアホール内に前記配線導体に導電接続す
る導体を充填して電子回路装置を製造する。According to a second aspect of the present invention, in the method for manufacturing an electronic circuit device according to the first aspect, after a second insulating layer is further formed on the insulating layer on which the wiring conductor is formed, a predetermined position of the wiring conductor is formed. The upper second insulating layer is removed to form a via hole, and the via hole is filled with a conductor conductively connected to the wiring conductor to manufacture an electronic circuit device.
【0010】また、請求項3では、請求項1記載の電子
回路装置の製造方法において、電気的絶縁性を有する感
光性樹脂を前記絶縁層の形成材料として用い、該感光性
樹脂を絶縁層形成対象部分に被覆し、前記ビアホールを
形成する位置を覆うフォトマスクを介して前記感光性樹
脂を露光して硬化させた後、非露光部分を除去して前記
ビアホールを形成する電子回路装置の製造方法を提案す
る。According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing an electronic circuit device according to the first aspect, a photosensitive resin having electrical insulating properties is used as a material for forming the insulating layer, and the photosensitive resin is formed on the insulating layer. A method for manufacturing an electronic circuit device, comprising exposing and curing the photosensitive resin through a photomask covering a target portion and covering a position where the via hole is to be formed, and then removing the unexposed portion to form the via hole. Suggest.
【0011】該電子回路装置の製造方法では、感光性樹
脂を用いて前記絶縁層を形成しているので、所望の厚み
の絶縁層を容易に形成できると共に、所望の口径のビア
ホールを所望位置に正確に形成することができる。In the method of manufacturing an electronic circuit device, since the insulating layer is formed using a photosensitive resin, an insulating layer having a desired thickness can be easily formed, and a via hole having a desired diameter can be formed at a desired position. It can be formed accurately.
【0012】また、請求項4では、請求項1記載の電子
回路装置の製造方法において、前記端子パッドが銅から
なるチップ状電子部品を用いると共に、前記ビアホール
内に前記端子パッドに導電接続する導電体を充填する工
程では、前記ビアホール内に露出した端子パッドの表面
の酸化層を除去し、該端子パッドの表面にパラジウム処
理を施した後、該端子パッド表面に銅メッキ層を化学的
に成長させることにより前記ビアホール内に導電体を充
填する電子回路装置の製造方法を提案する。According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an electronic circuit device according to the first aspect, the terminal pad uses a chip-shaped electronic component made of copper, and is electrically connected to the terminal pad in the via hole. In the step of filling the body, the oxide layer on the surface of the terminal pad exposed in the via hole is removed, the surface of the terminal pad is subjected to palladium treatment, and then a copper plating layer is chemically grown on the surface of the terminal pad. The present invention proposes a method of manufacturing an electronic circuit device that fills the via holes with a conductor.
【0013】該電子回路装置の製造方法では、前記端子
パッドの酸化層を除去してパラジウム処理を施すことに
より端子パッド表面にパラジウムを付着させることによ
り、化学的な銅メッキ層が成長しやすくしている。In the method of manufacturing the electronic circuit device, the oxide layer of the terminal pad is removed and palladium treatment is applied to attach palladium on the surface of the terminal pad, thereby facilitating the growth of the chemical copper plating layer. ing.
【0014】また、請求項5では、請求項1記載の電子
回路装置の製造方法において、前記絶縁層の表面に配線
導体を形成する工程では、前記絶縁層の表面を粗化した
後に配線導体を形成する電子回路装置の製造方法を提案
する。According to a fifth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an electronic circuit device according to the first aspect, the step of forming a wiring conductor on the surface of the insulating layer includes the step of forming the wiring conductor after roughening the surface of the insulating layer. A method of manufacturing an electronic circuit device to be formed is proposed.
【0015】該電子回路装置の製造方法では、前記絶縁
層の表面を粗化した後に配線導体を形成することによ
り、絶縁層の表面と配線導体との接触面積が増加され、
これらの間の接着強度が増大する。In the method of manufacturing an electronic circuit device, a contact area between the surface of the insulating layer and the wiring conductor is increased by forming the wiring conductor after roughening the surface of the insulating layer,
The adhesive strength between them increases.
【0016】また、請求項6では、請求項1記載の電子
回路装置の製造方法において、前記ビアホール内に充填
する導電体として銅を用いると共に、前記絶縁層の上面
に配線導体を形成する工程では、前記絶縁層及び前記導
電体の表面に銅メッキ層を化学的に形成し、該銅メッキ
層の表面に感光性樹脂を被覆し、前記配線導体を形成す
る位置を覆うフォトマスクを介して前記感光性樹脂を露
光して硬化させ、さらに非露光部分の感光性樹脂を除去
して前記銅メッキ層を露出させた後、ピロリン酸銅メッ
キ溶液に浸して前記銅メッキ層に通電し、前記銅メッキ
層の露出部分に銅メッキ層を電気的に成長させた後、前
記感光性樹脂を除去すると共に前記化学に形成した銅メ
ッキ層の露出部分を除去することにより前記配線導体を
形成している。これにより、配線導体を容易に形成する
ことができる。According to a sixth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an electronic circuit device according to the first aspect, it is preferable that copper is used as a conductor filled in the via hole and a wiring conductor is formed on an upper surface of the insulating layer. Forming a copper plating layer chemically on the surface of the insulating layer and the conductor, coating the surface of the copper plating layer with a photosensitive resin, and applying a photomask covering a position where the wiring conductor is formed; After exposing and curing the photosensitive resin, and further exposing the copper plating layer by removing the non-exposed portion of the photosensitive resin, the copper plating layer is immersed in a copper pyrophosphate plating solution, and the copper plating layer is energized, and After electrically growing a copper plating layer on the exposed portion of the plating layer, the wiring conductor is formed by removing the photosensitive resin and removing the exposed portion of the chemically formed copper plating layer. . Thus, the wiring conductor can be easily formed.
【0017】また、請求項7では、請求項1記載の電子
回路装置の製造方法において、前記絶縁層を形成する工
程では、電気的絶縁性を有する樹脂をスピンコートした
後に該樹脂を硬化させて前記絶縁層としている。According to a seventh aspect of the present invention, in the method for manufacturing an electronic circuit device according to the first aspect, in the step of forming the insulating layer, the resin is cured by spin-coating a resin having an electrical insulation property. The insulating layer is used.
【0018】また、請求項8では、請求項2記載の電子
回路装置の製造方法において、前記第2絶縁層の表面に
ビアホール内の導電体に導電接続するランドを形成する
工程と、前記第2絶縁層の表面に電子部品を実装し、該
電子部品の端子電極を前記ランドに導電接続する工程と
を有する電子回路装置の製造方法を提案する。According to an eighth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an electronic circuit device according to the second aspect, a step of forming a land conductively connected to a conductor in a via hole on a surface of the second insulating layer; Mounting an electronic component on the surface of the insulating layer and conductively connecting a terminal electrode of the electronic component to the land.
【0019】該電子回路装置の製造方法では、チップ状
電子部品が埋設された多層回路基板上に電子部品が実装
された電子回路装置が構成される。According to the method of manufacturing an electronic circuit device, an electronic circuit device in which electronic components are mounted on a multilayer circuit board in which chip-shaped electronic components are embedded is formed.
【0020】また、請求項9では、請求項1記載の電子
回路装置の製造方法において、前記チップ状電子部品が
半導体集積回路素子のベアチップである電子回路装置の
製造方法を提案する。In a ninth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an electronic circuit device according to the first aspect, wherein the chip-shaped electronic component is a bare chip of a semiconductor integrated circuit element.
【0021】該電子回路装置の製造方法では、半導体集
積回路素子のベアチップが埋設された多層回路基板を容
易に製造できる。According to the method of manufacturing an electronic circuit device, a multilayer circuit board in which a bare chip of a semiconductor integrated circuit element is embedded can be easily manufactured.
【0022】[0022]
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の一
実施形態を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0023】図1は、本発明の第1の実施形態における
電子回路装置を示す側断面図である。図において、10
は電子回路装置で、多層回路基板11の内部に半導体集
積回路のベアチップ12が埋設され、ベアチップ12の
端子パッドに接続された外部電極としての半田バンプ1
3を多層回路基板11の上面に有するものである。即
ち、電子回路装置10は、ベアチップ12のパッケージ
を多層回路基板によって形成したものである。FIG. 1 is a side sectional view showing an electronic circuit device according to a first embodiment of the present invention. In the figure, 10
Denotes an electronic circuit device, in which a bare chip 12 of a semiconductor integrated circuit is embedded in a multilayer circuit board 11, and solder bumps 1 as external electrodes connected to terminal pads of the bare chip 12.
3 is provided on the upper surface of the multilayer circuit board 11. That is, the electronic circuit device 10 is one in which the package of the bare chip 12 is formed by a multilayer circuit board.
【0024】多層回路基板11は、複数の絶縁層11a
〜11cと、絶縁層の間に設けられた配線導体14、及
びビアホール15に充填された導電体16から構成され
ている。図に示す最下層の絶縁層11aはベース基板と
なるもので、その材質は樹脂、金属、セラミックスなど
が用いられる。また、この他の絶縁層11b,11cは
樹脂によって形成されている。The multilayer circuit board 11 includes a plurality of insulating layers 11a.
11c, a wiring conductor 14 provided between the insulating layers, and a conductor 16 filled in the via hole 15. The lowermost insulating layer 11a shown in the figure serves as a base substrate, and its material is resin, metal, ceramics, or the like. The other insulating layers 11b and 11c are formed of resin.
【0025】ベアチップ12は、矩形の板状をなし、1
つの主面(図1では上面)にグリッド状に配置された銅
(Cu)から成る複数の端子パッド12aを有してい
る。この複数の端子パッド12aのそれぞれはビアホー
ル15内の導電体16及び配線導体14を介して最上層
の絶縁層11c表面に形成された半田バンプ13に導電
接続されている。The bare chip 12 has a rectangular plate shape.
It has a plurality of terminal pads 12a made of copper (Cu) arranged in a grid on one main surface (the upper surface in FIG. 1). Each of the plurality of terminal pads 12a is conductively connected to the solder bump 13 formed on the surface of the uppermost insulating layer 11c via the conductor 16 and the wiring conductor 14 in the via hole 15.
【0026】上記構成の電子回路装置10は次の製造方
法によって形成されたものである。以下、電子回路装置
10の製造方法に関して図2乃至図15を参照しながら
説明する。The electronic circuit device 10 having the above configuration is formed by the following manufacturing method. Hereinafter, a method of manufacturing the electronic circuit device 10 will be described with reference to FIGS.
【0027】まず、厚みが0.3mmのアルミナ基板2
1をベース基板となる絶縁層11aとして用意する。こ
の絶縁層11aの上面に、ベアチップ12の裏面を上に
向けて、即ち端子パッド12aが形成されている面を上
面として、エポキシ系樹脂22で接着する(図2)。First, an alumina substrate 2 having a thickness of 0.3 mm
1 is prepared as an insulating layer 11a to be a base substrate. The epoxy resin 22 is bonded to the upper surface of the insulating layer 11a with the back surface of the bare chip 12 facing upward, that is, with the surface on which the terminal pads 12a are formed as the upper surface (FIG. 2).
【0028】ここで、エポキシ系樹脂22は、硬化した
後に5μm厚になるように塗布されている。さらに、こ
のエポキシ系樹脂22の線形膨張係数は、アルミナ基板
21やシリコン(Si)の線形膨張係数との差が±20
%以内に調整されている。Here, the epoxy resin 22 is applied so as to have a thickness of 5 μm after being cured. Further, the difference between the linear expansion coefficient of the epoxy resin 22 and the linear expansion coefficient of the alumina substrate 21 or silicon (Si) is ± 20.
Adjusted to within%.
【0029】次に、以下で使用するメッキ液に対して耐
性を有するエポキシ系の感光性樹脂(粘度20ps)2
3を、アルミナ基板21上に配置されたベアチップ12
を覆うようにスピンコートする(図3)。このとき、ベ
アチップ12上が厚み20μmで塗布されるように、ス
ピンコーターを調整する。絶縁層の樹脂は、メッキ液に
対する耐性があれば、ポリイミド等を用いても良い。Next, an epoxy photosensitive resin (viscosity: 20 ps) having resistance to the plating solution used below 2
3 is a bare chip 12 disposed on an alumina substrate 21.
(FIG. 3). At this time, the spin coater is adjusted so that the bare chip 12 is applied with a thickness of 20 μm. As the resin of the insulating layer, polyimide or the like may be used as long as it has resistance to a plating solution.
【0030】次いで、感光性樹脂23を乾燥した後、ベ
アチップ12のCu端子パッド12aだけを覆うように
パターンが配置されたフォトマスク(図示せず)を用い
て、感光性樹脂23を露光及び現像して硬化させる。こ
うして、Cu端子パッド12aの上部だけが開口した絶
縁層11bが形成される(図4)。この開口部23aが
ビアホール15になる。Next, after the photosensitive resin 23 is dried, the photosensitive resin 23 is exposed and developed using a photomask (not shown) in which a pattern is arranged so as to cover only the Cu terminal pads 12a of the bare chip 12. And cure. Thus, an insulating layer 11b having an opening only at the upper portion of the Cu terminal pad 12a is formed (FIG. 4). The opening 23a becomes the via hole 15.
【0031】次に、Cu端子パッド12aの表面に形成
されている酸化層を酸性溶液で除去した後、パラジウム
処理をする。パラジウムは、Cu端子パッド12aの表
面に選択的に付着する。この後、化学的なCuメッキ処
理を施す。これにより、Cuメッキ層24が、Cu端子
パッド12a上に成長する。こうして、ビアホール15
がCuメッキ層24によって完全に充填されるまで、化
学的なCuメッキ処理を実施する(図5)。ビアホール
15内に充填されたCuメッキ層24が導電体16にな
る。Next, after removing the oxide layer formed on the surface of the Cu terminal pad 12a with an acidic solution, palladium treatment is performed. Palladium selectively adheres to the surface of the Cu terminal pad 12a. Thereafter, a chemical Cu plating process is performed. Thereby, the Cu plating layer 24 grows on the Cu terminal pad 12a. Thus, the via hole 15
Is chemically filled until Cu is completely filled with the Cu plating layer 24 (FIG. 5). The Cu plating layer 24 filled in the via hole 15 becomes the conductor 16.
【0032】ビアホール15がCuメッキ24によって
充填された後、過マンガン酸カリウムを主成分とする溶
液を用いて、絶縁層11bの表面を適度に粗化する。こ
れにより、絶縁層11bの表面とこの上に形成する配線
導体14との接触面積が増加され、これらの間の接着強
度を高めることができ、信頼性を向上できる。After the via holes 15 are filled with the Cu plating 24, the surface of the insulating layer 11b is appropriately roughened using a solution containing potassium permanganate as a main component. Thereby, the contact area between the surface of the insulating layer 11b and the wiring conductor 14 formed thereon is increased, the adhesive strength between them can be increased, and the reliability can be improved.
【0033】次いで、絶縁層11bとビアホール15内
に充填されたCuの上面に、化学的なCuメッキ処理を
施して、0.3μmの厚みのCuメッキ層25を形成す
る(図6)。Next, the upper surface of the Cu filled in the insulating layer 11b and the via hole 15 is subjected to chemical Cu plating to form a Cu plating layer 25 having a thickness of 0.3 μm (FIG. 6).
【0034】次に、この化学Cuメッキ層25の表面
を、10μmの厚みに感光性樹脂26で被覆する(図
7)。Next, the surface of the chemical Cu plating layer 25 is coated with a photosensitive resin 26 to a thickness of 10 μm (FIG. 7).
【0035】次いで、感光性樹脂26を乾燥した後、1
層目の配線パターンが配置されたフォトマスク(図示せ
ず)を用いて、感光性樹脂26を露光及び現像して硬化
させる。こうして、配線パターンに対応した開口部26
aが形成された絶縁層が形成される(図8)。Next, after drying the photosensitive resin 26, 1
The photosensitive resin 26 is exposed, developed, and cured using a photomask (not shown) on which the wiring pattern of the layer is arranged. Thus, the opening 26 corresponding to the wiring pattern
An insulating layer on which a is formed is formed (FIG. 8).
【0036】この後、ピロリン酸Cuメッキ浴中で化学
Cuメッキ層25に通電し(電流密度60A/m2)、
配線パターン状の開口部26a内に、電気的なCuメッ
キ層27を高さ10μmに成長させる(図9)。Thereafter, a current is applied to the chemical Cu plating layer 25 in a Cu pyrophosphate plating bath (current density: 60 A / m 2 ),
An electrical Cu plating layer 27 is grown to a height of 10 μm in the wiring pattern opening 26a (FIG. 9).
【0037】次に、感光性樹脂26によって形成した絶
縁層を、専用の剥離液で除去(図10)した後、8%w
t−HCl溶液を用いて化学Cuメッキ層25の露出さ
れている部分だけを完全に除去する(図11)。これに
より、1層目の配線導体14が形成される。Next, after the insulating layer formed of the photosensitive resin 26 is removed with a dedicated stripper (FIG. 10), 8% w
Using a t-HCl solution, only the exposed portion of the chemical Cu plating layer 25 is completely removed (FIG. 11). Thus, the first-layer wiring conductor 14 is formed.
【0038】この後、電気Cuメッキ層27の表面を、
亜塩素酸ナトリウムを主成分とする溶液で黒化処理し、
前述同様の感光性樹脂(粘度20ps)23を、Cuメ
ッキ層27を覆うようにスピンコートする(図12)。
このとき、Cuメッキ層27上に20μmの厚みで塗布
されるように、スピンコーターを調整する。Thereafter, the surface of the electric Cu plating layer 27 is
Blackening treatment with a solution mainly containing sodium chlorite,
The same photosensitive resin (viscosity: 20 ps) 23 is spin-coated so as to cover the Cu plating layer 27 (FIG. 12).
At this time, the spin coater is adjusted so as to be applied on the Cu plating layer 27 with a thickness of 20 μm.
【0039】次いで、感光性樹脂23を乾燥した後、ビ
アホール15の形成位置だけを覆うようにパターンが配
置されたフォトマスク(図示せず)を用いて、感光性樹
脂23を露光及び現像して硬化させる。この際に用いる
フォトマスクは、1層目と2層目の配線を接続するビア
ホール15のパターンを有するものである。Next, after the photosensitive resin 23 is dried, the photosensitive resin 23 is exposed and developed using a photomask (not shown) in which a pattern is arranged so as to cover only the position where the via hole 15 is formed. Let it cure. The photomask used at this time has a pattern of a via hole 15 for connecting the first layer wiring and the second layer wiring.
【0040】こうして、ビアホール15となる開口部2
3aが形成された絶縁層11cが形成される(図1
3)。Thus, the opening 2 serving as the via hole 15 is formed.
An insulating layer 11c on which the insulating layer 3a is formed is formed.
3).
【0041】次に、開口部23aの底に露出しているC
u配線導体14の表面に形成されている酸化層を酸性溶
液で除去した後、前述と同様にパラジウム処理をする。
パラジウムは、Cu配線導体14の表面に選択的に付着
する。この後、化学的なCuメッキ処理を施す。これに
より、Cuメッキ層28が、Cu配線導体14上に成長
する。こうして、ビアホール15がCuメッキ層28に
よって完全に充填されるまで、化学的なCuメッキ処理
を実施する(図14)。ビアホール15内に充填された
Cuメッキ層28が導電体16になる。Next, C exposed at the bottom of the opening 23a
After removing the oxide layer formed on the surface of the u wiring conductor 14 with an acidic solution, palladium treatment is performed in the same manner as described above.
Palladium selectively adheres to the surface of the Cu wiring conductor 14. Thereafter, a chemical Cu plating process is performed. As a result, the Cu plating layer 28 grows on the Cu wiring conductor 14. Thus, chemical Cu plating is performed until the via hole 15 is completely filled with the Cu plating layer 28 (FIG. 14). The Cu plating layer 28 filled in the via hole 15 becomes the conductor 16.
【0042】ビアホール15がCuメッキによって充填
された後、最表層の絶縁層11cの表面に露出している
ビアホール15内のCuメッキ層28上に、半田バンプ
13を形成する(図15)。これにより、電子回路装置
10が完成する。After the via hole 15 is filled by Cu plating, the solder bump 13 is formed on the Cu plating layer 28 in the via hole 15 exposed on the surface of the outermost insulating layer 11c (FIG. 15). Thereby, the electronic circuit device 10 is completed.
【0043】半田バンプ13は、メッキや半田ボールな
どによって形成される。また、半田バンプ13ではな
く、ボンディングパッドを形成しても良い。The solder bumps 13 are formed by plating or solder balls. Further, a bonding pad may be formed instead of the solder bump 13.
【0044】また、前述した工程を適宜繰り返すことに
より、所望する層数の多層回路基板を形成することがで
きる。さらに、他のベアチップを任意の層に埋設するこ
とも可能であり、またベアチップ以外のチップ状電子部
品を埋設することも容易に可能である。By appropriately repeating the above steps, a multilayer circuit board having a desired number of layers can be formed. Further, other bare chips can be embedded in an arbitrary layer, and chip-like electronic components other than bare chips can be easily embedded.
【0045】前述した製造方法によれば、ベアチップ1
2の端子パッド12a上の絶縁層11bにビアホール1
5を形成し、ビアホール15内にCuメッキ処理によっ
て導電体16を充填するビルドアップ方式を用いている
ので、端子パッド12aと導電体16の間の電気的接続
を高めることができる。According to the above-described manufacturing method, the bare chip 1
Via hole 1 in the insulating layer 11b on the second terminal pad 12a.
5 is formed and the conductor 16 is filled in the via hole 15 by Cu plating, so that the electrical connection between the terminal pad 12a and the conductor 16 can be improved.
【0046】さらに、感光性を利用してビアホール15
を形成しているため、微細な口径のビアホール15を容
易に形成することができるので、ベアチップ12の端子
パッド12a間のピッチが狭くなっても、十分に隣接ビ
アホール間の絶縁性を維持することができる。Further, via holes 15 are formed by utilizing photosensitivity.
Since the via holes 15 having a small diameter can be easily formed, even if the pitch between the terminal pads 12a of the bare chip 12 becomes narrow, sufficient insulation between adjacent via holes can be maintained. Can be.
【0047】また、メッキ処理によってビアホール15
内に導電体16を充填しているので、容易に形成するこ
とができる。Further, the via holes 15 are formed by plating.
Since the inside is filled with the conductor 16, it can be easily formed.
【0048】次に、本発明の第2の実施形態を説明す
る。Next, a second embodiment of the present invention will be described.
【0049】図16は、第2の実施形態における電子回
路装置30を示す側断面図である。図において、前述し
た第1の実施形態と同一構成部分は同一符号を持って表
しその説明を省略する。また、第2の実施形態と第1の
実施形態との相違点は、ベース基板であるアルミナ基板
21に代えて、一部分が熱伝導率の高い金属32からな
り、他の部分が樹脂からなるベース基板31を用いたこ
とである。この金属32の上面にベアチップ12を実装
している。これにより、ベアチップ12からの発熱を効
率的に外部に発散することができる。FIG. 16 is a side sectional view showing an electronic circuit device 30 according to the second embodiment. In the figure, the same components as those in the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The difference between the second embodiment and the first embodiment is that, instead of the alumina substrate 21 serving as the base substrate, a base made of a metal 32 having a high thermal conductivity and another made of a resin is used. That is, the substrate 31 is used. The bare chip 12 is mounted on the upper surface of the metal 32. As a result, heat generated from the bare chip 12 can be efficiently radiated to the outside.
【0050】次に、本発明の第3の実施形態を説明す
る。Next, a third embodiment of the present invention will be described.
【0051】図17は、第3の実施形態における電子回
路装置40を示す側断面図である。図において、前述し
た第1の実施形態と同一構成部分は同一符号を持って表
しその説明を省略する。また、第3の実施形態と第1の
実施形態との相違点は、層数を増やして4つの絶縁層4
1a〜41dを有する多層回路基板41を備え、多層回
路基板41の上面に部品搭載用のランド42及び配線導
体43を形成して電子部品44を搭載し、最下層のベー
ス基板41aの底面に接続用の半田バンプ45を形成し
たことである。この場合も製造方法は第1の実施形態と
同様である。FIG. 17 is a side sectional view showing an electronic circuit device 40 according to the third embodiment. In the figure, the same components as those in the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The difference between the third embodiment and the first embodiment is that the number of layers is increased and four insulating layers 4 are provided.
A multilayer circuit board 41 having 1a to 41d is provided. A component mounting land 42 and a wiring conductor 43 are formed on the upper surface of the multilayer circuit board 41, and an electronic component 44 is mounted thereon. Is formed. In this case, the manufacturing method is the same as that of the first embodiment.
【0052】尚、前述した実施形態は本発明の一具体例
であり、本発明がこれらのみに限定されることはない。The above-described embodiment is a specific example of the present invention, and the present invention is not limited to only these.
【0053】[0053]
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1乃
至請求項9記載の電子回路装置の製造方法によれば、多
層回路基板の内部にチップ状電子部品を埋設し、該チッ
プ状電子部品の端子パッド上にビアホールを形成し導電
体を充填して端子パッドと導電体を接続した後、さらに
前記導電体に接続する配線導体を形成するというビルド
アップ方式を用いているので、前記端子パッドと前記導
電体及び配線導体との間の電気的接続を高めることがで
きると共に、端子パッド間のピッチが狭くなっても端子
パッド間が短絡し難い。As described above, according to the method for manufacturing an electronic circuit device according to the first to ninth aspects of the present invention, a chip-shaped electronic component is embedded in a multilayer circuit board, and Since a via hole is formed on the terminal pad of the component, a conductor is filled and the terminal pad and the conductor are connected, and then a wiring conductor connected to the conductor is formed. The electrical connection between the pad and the conductor and the wiring conductor can be improved, and even if the pitch between the terminal pads becomes narrow, the terminal pads are hardly short-circuited.
【0054】また、請求項3によれば、上記の効果に加
えて、感光性を利用してビアホールを形成しているの
で、微細な口径のビアホールを形成可能になり、チップ
状電子部品の端子パッド間ピッチがさらに狭まっても、
十分に隣接ビアホール間の絶縁性を維持することができ
る。According to the third aspect, in addition to the above-described effects, the via hole is formed by utilizing photosensitivity, so that a via hole having a small diameter can be formed, and the terminal of the chip-shaped electronic component can be formed. Even if the pitch between pads is narrower,
It is possible to sufficiently maintain insulation between adjacent via holes.
【0055】また、請求項4によれば、上記の効果に加
えて、端子パッドに導電接続したビアホール内の導電体
を容易に形成することができる。According to the fourth aspect, in addition to the above effects, the conductor in the via hole conductively connected to the terminal pad can be easily formed.
【0056】また、請求項5によれば、上記の効果に加
えて、絶縁層の表面を粗化した後に配線導体を形成して
いるので、絶縁層の表面と配線導体との接触面積が増加
され、これらの間の接着強度を高めることができ、信頼
性を向上できる。According to the fifth aspect, in addition to the above effects, the wiring conductor is formed after the surface of the insulating layer is roughened, so that the contact area between the surface of the insulating layer and the wiring conductor is increased. Thus, the adhesive strength between them can be increased, and the reliability can be improved.
【0057】また、請求項6によれば、上記の効果に加
えて、前記絶縁層上に配線導体を簡単に形成することが
できる。According to the sixth aspect, in addition to the above effects, a wiring conductor can be easily formed on the insulating layer.
【0058】また、請求項7によれば、上記の効果に加
えて、表面が平らで凹凸のない絶縁層を容易に形成する
ことができる。According to the seventh aspect, in addition to the above effects, an insulating layer having a flat surface and no irregularities can be easily formed.
【0059】また、請求項8によれば、上記の効果に加
えて、チップ状電子部品を備えた電子回路装置を小型化
することができる。According to the eighth aspect, in addition to the above effects, the size of the electronic circuit device provided with the chip-shaped electronic components can be reduced.
【0060】また、請求項9によれば、上記の効果に加
えて、半導体集積回路のベアチップを備えた電子回路装
置を小型化することができると共に、半導体集積回路の
ベアチップを埋設した多層回路基板自体をベアチップの
パッケージにすることも可能になる。According to the ninth aspect, in addition to the above effects, the electronic circuit device having the bare chip of the semiconductor integrated circuit can be reduced in size, and the multilayer circuit board in which the bare chip of the semiconductor integrated circuit is embedded. It is also possible to make the package itself a bare chip.
【図1】本発明の第1の実施形態における電子回路装置
を示す側断面図FIG. 1 is a side sectional view showing an electronic circuit device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1の実施形態における製造方法を説
明する工程図FIG. 2 is a process chart illustrating a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第1の実施形態における製造方法を説
明する工程図FIG. 3 is a process chart illustrating a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第1の実施形態における製造方法を説
明する工程図FIG. 4 is a process chart illustrating a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第1の実施形態における製造方法を説
明する工程図FIG. 5 is a process chart illustrating a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第1の実施形態における製造方法を説
明する工程図FIG. 6 is a process chart illustrating a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第1の実施形態における製造方法を説
明する工程図FIG. 7 is a process chart illustrating a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第1の実施形態における製造方法を説
明する工程図FIG. 8 is a process chart illustrating a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第1の実施形態における製造方法を説
明する工程図FIG. 9 is a process chart illustrating a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図10】本発明の第1の実施形態における製造方法を
説明する工程図FIG. 10 is a process chart illustrating a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図11】本発明の第1の実施形態における製造方法を
説明する工程図FIG. 11 is a process chart illustrating a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図12】本発明の第1の実施形態における製造方法を
説明する工程図FIG. 12 is a process chart illustrating a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図13】本発明の第1の実施形態における製造方法を
説明する工程図FIG. 13 is a process chart illustrating a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図14】本発明の第1の実施形態における製造方法を
説明する工程図FIG. 14 is a process chart illustrating a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図15】本発明の第1の実施形態における製造方法を
説明する工程図FIG. 15 is a process chart illustrating a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図16】本発明の第2の実施形態における電子回路装
置を示す側断面図FIG. 16 is a side sectional view showing an electronic circuit device according to a second embodiment of the present invention.
【図17】本発明の第3の実施形態における電子回路装
置を示す側断面図FIG. 17 is a side sectional view showing an electronic circuit device according to a third embodiment of the present invention.
10,30,40…電子回路装置、11…多層回路基
板、11a,11b,11c…絶縁層、12…半導体集
積回路ベアチップ、12a…端子パッド、13…半田バ
ンプ、14…配線導体、15…ビアホール、16…導電
体、21…アルミナ基板、22…エポキシ系樹脂、23
…感光性樹脂、23a…開口部、24…Cuメッキ層、
25…Cuメッキ層、26…感光性樹脂、27…Cuメ
ッキ層、28…Cuメッキ層、31…ベース基板、32
…熱導電性金属、41…多層回路基板、41a〜41d
…絶縁層、42…ランド、43…配線導体、44…電子
部品、45…半田バンプ。10, 30, 40: electronic circuit device, 11: multilayer circuit board, 11a, 11b, 11c: insulating layer, 12: semiconductor integrated circuit bare chip, 12a: terminal pad, 13: solder bump, 14: wiring conductor, 15: via hole , 16: Conductor, 21: Alumina substrate, 22: Epoxy resin, 23
... photosensitive resin, 23a ... opening, 24 ... Cu plating layer,
25: Cu plating layer, 26: photosensitive resin, 27: Cu plating layer, 28: Cu plating layer, 31: base substrate, 32
... thermal conductive metal, 41 ... multilayer circuit board, 41a-41d
... an insulating layer, 42 ... land, 43 ... wiring conductor, 44 ... electronic components, 45 ... solder bumps.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 重本 広也 東京都台東区上野6丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 Fターム(参考) 5E336 AA11 BB03 CC32 CC58 GG11 5E346 AA43 CC08 CC32 CC40 DD23 DD24 DD44 EE35 EE38 FF07 FF13 FF14 FF37 FF45 GG17 GG18 GG22 GG28 HH07 HH31 5F061 AA02 BA03 CA10 CB02 CB13 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Hiroya Shigemoto 6-16-20 Ueno, Taito-ku, Tokyo Taiyo Denki Co., Ltd. F-term (reference) 5E336 AA11 BB03 CC32 CC58 GG11 5E346 AA43 CC08 CC32 CC40 DD23 DD24 DD44 EE35 EE38 FF07 FF13 FF14 FF37 FF45 GG17 GG18 GG22 GG28 HH07 HH31 5F061 AA02 BA03 CA10 CB02 CB13
Claims (9)
ドを有するチップ状電子部品とを備えた電子回路装置の
製造方法であって、 前記端子パッドが形成されている主面を上側にして前記
チップ状電子部品をベース基板上に実装する工程と、 前記ベース基板の上面に、前記ベース基板に実装された
チップ状電子部品の側面から上面に亘って前記端子パッ
ドを覆うように絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層の前記端子パッド上の部分を除去してビアホ
ールを形成する工程と、 該ビアホール内に前記端子パッドに導電接続する導電体
を充填する工程と、 前記絶縁層の上面に配線導体を形成する工程とを実施し
て電子回路装置を製造することを特徴とする電子回路装
置の製造方法。1. A method for manufacturing an electronic circuit device comprising: a multilayer circuit board; and a chip-shaped electronic component having terminal pads on one main surface, wherein the main surface on which the terminal pads are formed faces upward. Mounting the chip-shaped electronic component on a base substrate by using an insulating layer on the upper surface of the base substrate so as to cover the terminal pad from the side surface to the upper surface of the chip-shaped electronic component mounted on the base substrate. Forming a via hole by removing a portion of the insulating layer on the terminal pad; filling a conductive material in the via hole to be conductively connected to the terminal pad; And a step of forming a wiring conductor on the upper surface to manufacture an electronic circuit device.
2絶縁層を形成する工程と、 前記配線導体の所定位置上部の第2絶縁層を除去してビ
アホールを形成する工程と、 該ビアホール内に前記配線導体に導電接続する導体を充
填する工程とを有することを特徴とする請求項1記載の
電子回路装置の製造方法。A step of forming a second insulating layer on the insulating layer on which the wiring conductor is formed; a step of removing a second insulating layer above a predetermined position of the wiring conductor to form a via hole; Filling the via hole with a conductor conductively connected to the wiring conductor. 2. The method according to claim 1, further comprising:
絶縁層の形成材料として用い、該感光性樹脂を絶縁層形
成対象部分に被覆し、前記ビアホールを形成する位置を
覆うフォトマスクを介して前記感光性樹脂を露光して硬
化させた後、非露光部分を除去して前記ビアホールを形
成することを特徴とする請求項1記載の電子回路装置の
製造方法。3. A photosensitive resin having electrical insulation properties is used as a material for forming the insulating layer, and the photosensitive resin is coated on a portion where the insulating layer is to be formed, and a photomask covering a position where the via hole is to be formed is provided. 2. The method according to claim 1, wherein the via hole is formed by exposing and curing the photosensitive resin, and then removing an unexposed portion.
子部品を用いると共に、 前記ビアホール内に前記端子パッドに導電接続する導電
体を充填する工程では、 前記ビアホール内に露出した端子パッドの表面の酸化層
を除去し、 該端子パッドの表面にパラジウム処理を施した後、 該端子パッド表面に銅メッキ層を化学的に成長させるこ
とにより前記ビアホール内に導電体を充填することを特
徴とする請求項1記載の電子回路装置の製造方法。4. A step of using a chip-shaped electronic component in which said terminal pad is made of copper and filling said via hole with a conductor electrically conductively connected to said terminal pad, comprising: Removing the oxide layer, subjecting the surface of the terminal pad to palladium treatment, and then filling the via hole with a conductor by chemically growing a copper plating layer on the surface of the terminal pad. Item 2. A method for manufacturing an electronic circuit device according to Item 1.
工程では、前記絶縁層の表面を粗化した後に配線導体を
形成することを特徴とする請求項1記載の電子回路装置
の製造方法。5. The method for manufacturing an electronic circuit device according to claim 1, wherein in the step of forming a wiring conductor on the surface of the insulating layer, the wiring conductor is formed after roughening the surface of the insulating layer. .
て銅を用いると共に、 前記絶縁層の上面に配線導体を形成する工程では、 前記絶縁層及び前記導電体の表面に銅メッキ層を化学的
に形成し、 該銅メッキ層の表面に感光性樹脂を被覆し、 前記配線導体を形成する位置を覆うフォトマスクを介し
て前記感光性樹脂を露光して硬化させ、さらに非露光部
分の感光性樹脂を除去して前記銅メッキ層を露出させた
後、 ピロリン酸銅メッキ溶液に浸して前記銅メッキ層に通電
し、前記銅メッキ層の露出部分に銅メッキ層を電気的に
成長させた後、 前記感光性樹脂を除去すると共に前記化学に形成した銅
メッキ層の露出部分を除去することにより前記配線導体
を形成することを特徴とする請求項1記載の電子回路装
置の製造方法。6. A step of using copper as a conductor filled in the via hole and forming a wiring conductor on an upper surface of the insulating layer, chemically forming a copper plating layer on the surface of the insulating layer and the conductor. Forming, covering the surface of the copper plating layer with a photosensitive resin, exposing and curing the photosensitive resin through a photomask covering a position where the wiring conductor is formed, and further exposing the photosensitive resin in an unexposed portion. Is removed to expose the copper plating layer, the copper plating layer is immersed in a copper pyrophosphate plating solution, and the copper plating layer is energized to electrically grow the copper plating layer on the exposed portion of the copper plating layer. 2. The method according to claim 1, wherein the wiring conductor is formed by removing the photosensitive resin and removing an exposed portion of the chemically formed copper plating layer.
絶縁性を有する樹脂をスピンコートした後に該樹脂を硬
化させて前記絶縁層とすることを特徴とする請求項1記
載の電子回路装置の製造方法。7. The electronic circuit device according to claim 1, wherein in the step of forming the insulating layer, a resin having an electrical insulation property is spin-coated, and then the resin is cured to form the insulating layer. Manufacturing method.
導電体に導電接続するランドを形成する工程と、 前記第2絶縁層の表面に電子部品を実装し、該電子部品
の端子電極を前記ランドに導電接続する工程とを有する
ことを特徴とする請求項2記載の電子回路装置の製造方
法。8. A step of forming a land conductively connected to a conductor in a via hole on a surface of the second insulating layer; mounting an electronic component on a surface of the second insulating layer; 3. The method for manufacturing an electronic circuit device according to claim 2, further comprising: a step of conductively connecting to the land.
路素子のベアチップであることを特徴とする請求項1記
載の電子回路装置の製造方法。9. The method of manufacturing an electronic circuit device according to claim 1, wherein said chip-shaped electronic component is a bare chip of a semiconductor integrated circuit device.
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|---|---|---|---|
| JP33989599A JP2001156457A (en) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | Manufacturing method of electronic circuit device |
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|---|---|
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