JP2000286378A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂モールドの際に、露出した外部電極端子
リード面に発生するモールド・フラッシングを防ぎ、実
装時の接続不良を防止することにある。さらに、実装時
の半田フィレットを高く形成でき、半導体装置の剥離を
防止することにある。 【構成】 本発明は、銅系又は鉄系の帯状素材から、
プレス加工、又は／及びエッチンク加工により、形成さ
れたリードフレームを構成部材とし、感光性エポキシ系
樹脂接着剤層の下面に前記リードフレームの接続端子リ
ード及び半導体チップ支持パッドが突出した構成とした
ことにある。
リード面に発生するモールド・フラッシングを防ぎ、実
装時の接続不良を防止することにある。さらに、実装時
の半田フィレットを高く形成でき、半導体装置の剥離を
防止することにある。 【構成】 本発明は、銅系又は鉄系の帯状素材から、
プレス加工、又は／及びエッチンク加工により、形成さ
れたリードフレームを構成部材とし、感光性エポキシ系
樹脂接着剤層の下面に前記リードフレームの接続端子リ
ード及び半導体チップ支持パッドが突出した構成とした
ことにある。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、リードフレームを
構成部材とするＱＦＮ（クワッド・フラット・ノンリー
ド）、ＳＯＮ（スモール・アウトライン・ノンリード）
構造の樹脂封止型半導体装置に関する。
構成部材とするＱＦＮ（クワッド・フラット・ノンリー
ド）、ＳＯＮ（スモール・アウトライン・ノンリード）
構造の樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近来、樹脂封止型半導体装置の高密度化
にともない、小型化、薄型の方向に進み、実装技術、及
び放熱技術もより高度な対応が要求されている。
にともない、小型化、薄型の方向に進み、実装技術、及
び放熱技術もより高度な対応が要求されている。
【０００３】この種の樹脂封止型半導体装置としては、
半導体装置の端子リード（接続端子リード）の下側の面
をＰＷＢ（プリント配線基板）等の外部配線基板への接
続に必要な接触面を、平坦に形成された封止樹脂の裏面
と同一面に配置し、前記接触面以外の残部の表面が前記
封止樹脂に埋設固定されたＱＦＮ、ＳＯＮ構造のものが
提案されている。
半導体装置の端子リード（接続端子リード）の下側の面
をＰＷＢ（プリント配線基板）等の外部配線基板への接
続に必要な接触面を、平坦に形成された封止樹脂の裏面
と同一面に配置し、前記接触面以外の残部の表面が前記
封止樹脂に埋設固定されたＱＦＮ、ＳＯＮ構造のものが
提案されている。
【０００４】このＱＦＮ、ＳＯＮ構造の樹脂封止型半導
体装置は、その外形が半導体チップと略同等の大きさで
形成されているので、ＣＳＰ（チップ・スケール・パッ
ケージ）と呼称され、表面実装部品としてプリント配線
基板上に搭載される。
体装置は、その外形が半導体チップと略同等の大きさで
形成されているので、ＣＳＰ（チップ・スケール・パッ
ケージ）と呼称され、表面実装部品としてプリント配線
基板上に搭載される。
【０００５】従来の樹脂封止型半導体装置の一例である
ＳＯＮ構造の樹脂封止型半導体装置の構成について添付
した図面を参照しつつ説明する。ここで、図５は従来の
ＳＯＮ構造の樹脂封止型半導体装置の構成を示す断面図
である。
ＳＯＮ構造の樹脂封止型半導体装置の構成について添付
した図面を参照しつつ説明する。ここで、図５は従来の
ＳＯＮ構造の樹脂封止型半導体装置の構成を示す断面図
である。
【０００６】図に示すように、従来のＳＯＮ構造の樹脂
封止型半導体装置５０は、中央部位に半導体チップ搭載
パッド５２を形成し、該半導体チップ搭載パッド５２の
両側に隣接して配置された複数の外部連結リード（接続
端子リード）５３を備えたリードフレーム５４を構成部
材としており、前記半導体チップ搭載パッド５２の上面
に、主面に複数の電極パッド５１ａを設けた半導体チッ
プ５１が絶縁性接着剤６０を介して固着され、前記各電
極パッド５１ａと前記外部連結リード５３とがそれぞれ
各金属ワイヤ（ボンディング・ワイヤ）５５により電気
的に接続されている。そして、前記リードフレーム５４
の上部領域の半導体チップ５１及び金属ワイヤ５５が封
止樹脂５６により封止され、各外部連結リード５３の下
側の面がプリン配線基板５７上のメタル配線パターン５
８にソルダー・ペースト５８を介して直接ソルダリング
されるように露出した構成されている（実開平６−２７
１０号）。
封止型半導体装置５０は、中央部位に半導体チップ搭載
パッド５２を形成し、該半導体チップ搭載パッド５２の
両側に隣接して配置された複数の外部連結リード（接続
端子リード）５３を備えたリードフレーム５４を構成部
材としており、前記半導体チップ搭載パッド５２の上面
に、主面に複数の電極パッド５１ａを設けた半導体チッ
プ５１が絶縁性接着剤６０を介して固着され、前記各電
極パッド５１ａと前記外部連結リード５３とがそれぞれ
各金属ワイヤ（ボンディング・ワイヤ）５５により電気
的に接続されている。そして、前記リードフレーム５４
の上部領域の半導体チップ５１及び金属ワイヤ５５が封
止樹脂５６により封止され、各外部連結リード５３の下
側の面がプリン配線基板５７上のメタル配線パターン５
８にソルダー・ペースト５８を介して直接ソルダリング
されるように露出した構成されている（実開平６−２７
１０号）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記、
従来の樹脂封止型半導体装置５０は、ＰＷＢ（プリント
配線基板）５７等の外部基板への接続に必要な外部連結
リード５３の接触面が封止樹脂５６の裏面と同一面に露
出配置された構成とされているので、次にのような解決
すべき課題をもっている。 １）．図６に示すように、樹脂封止型半導体装置５０の
平坦面とこれに露出した外部連結リード５３の接触面と
が同一平面上にあるため、実装時のスタンドオフとして
外装半田めっきの厚み分（７μｍ）程度しか取れないた
め、半田フィレット６１の高さが７μｍ程度と低く、前
記半導体装置５０の熱サイクルによって半田接合部にク
ラックが生じて電気的導通不良や前記半導体装置５０が
剥離するという問題があった。 ２）．さらに、図７に示すように、前記リードフレーム
５４の上部領域の半導体チップ５１及び金属ワイヤ５５
を封止樹脂５６により封止し、封止樹脂５６の平坦面に
外部連結リード５３の接触面を露出させる際に、露出し
た外部連結リード５３の接触面にモールド・フラッシン
グが発生するという問題があった。しかも、モールド・
フラッシングにより、プリント配線基板５７に実装する
際には、外部連結リード５３の接触面が狭くなり、プリ
ント配線基板５７への実装時の接触不良が生じて前記半
導体装置５０の信頼性を低下させるので、その除去に際
してはさまざまな工夫と努力を要するという問題があっ
た。 ３）．さらに、半導体チップ５１はリードフレーム５４
の半導体チップ搭載パッド５２に固着されているので、
半導体チップ搭載パッド５２と封止樹脂５６との熱膨張
係数の差によって生じる応力が発生して封止樹脂５６に
クラックが生じるという問題があった。
従来の樹脂封止型半導体装置５０は、ＰＷＢ（プリント
配線基板）５７等の外部基板への接続に必要な外部連結
リード５３の接触面が封止樹脂５６の裏面と同一面に露
出配置された構成とされているので、次にのような解決
すべき課題をもっている。 １）．図６に示すように、樹脂封止型半導体装置５０の
平坦面とこれに露出した外部連結リード５３の接触面と
が同一平面上にあるため、実装時のスタンドオフとして
外装半田めっきの厚み分（７μｍ）程度しか取れないた
め、半田フィレット６１の高さが７μｍ程度と低く、前
記半導体装置５０の熱サイクルによって半田接合部にク
ラックが生じて電気的導通不良や前記半導体装置５０が
剥離するという問題があった。 ２）．さらに、図７に示すように、前記リードフレーム
５４の上部領域の半導体チップ５１及び金属ワイヤ５５
を封止樹脂５６により封止し、封止樹脂５６の平坦面に
外部連結リード５３の接触面を露出させる際に、露出し
た外部連結リード５３の接触面にモールド・フラッシン
グが発生するという問題があった。しかも、モールド・
フラッシングにより、プリント配線基板５７に実装する
際には、外部連結リード５３の接触面が狭くなり、プリ
ント配線基板５７への実装時の接触不良が生じて前記半
導体装置５０の信頼性を低下させるので、その除去に際
してはさまざまな工夫と努力を要するという問題があっ
た。 ３）．さらに、半導体チップ５１はリードフレーム５４
の半導体チップ搭載パッド５２に固着されているので、
半導体チップ搭載パッド５２と封止樹脂５６との熱膨張
係数の差によって生じる応力が発生して封止樹脂５６に
クラックが生じるという問題があった。
【０００８】本発明の目的は、樹脂封止の際に、封止樹
脂の平坦面に露出した接続端子リードの接触面に生じる
モールド・フラッシングを防ぎ、実装時の接続不良を防
止することにある。さらに、第２の目的は、実装時の半
田フィレットを高く、なめらかに形成して樹脂封止型半
導体装置の固着を強固なものにし、前記樹脂封止型半導
体装置の剥離を防止することにある。さらに第３の目的
は、熱膨張係数の差によって生じる応力を吸収し、半導
体チップや封止樹脂のクラックを防止することにある。
脂の平坦面に露出した接続端子リードの接触面に生じる
モールド・フラッシングを防ぎ、実装時の接続不良を防
止することにある。さらに、第２の目的は、実装時の半
田フィレットを高く、なめらかに形成して樹脂封止型半
導体装置の固着を強固なものにし、前記樹脂封止型半導
体装置の剥離を防止することにある。さらに第３の目的
は、熱膨張係数の差によって生じる応力を吸収し、半導
体チップや封止樹脂のクラックを防止することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を達成する請
求項１記載の樹脂封止型半導体装置は、上側の面、及び
下側の面を有し、同一平坦面上に配置され、吊りリード
で支持された半導体チップ支持パッドとその周縁部に配
置された複数の接続端子リードとを有するリードフレー
ムを構成部材とし、前記リードフレームの上側の面に貼
着され、半導体チップ搭載領域部に近接して配置された
複数の内部接続端子ランド部を露出する複数の開口部を
設けた感光性樹脂接着剤層と、前記感光性樹脂接着剤層
の上側の面に接着剤を介して固着され、主面に複数の電
極パッドを備えた半導体チップと、一端部が前記接続端
子リードのそれぞれに接続し、他端部が前記各接続端子
リードに対応する前記電極パッドに接続して電気的導通
回路を形成するボンディング・ワイヤと、前記ボンディ
ング・ワイヤを含む前記半導体チップを前記感光性樹脂
接着剤層の上面側で片面封止した封止樹脂とからなる構
成とし、前記接続端子リード、前記半導体チップ支持パ
ット、及び前記吊りリードのそれぞれの下側の面とその
側面とが前記感光性樹脂接着剤層の下面側に突出した構
成としたことにある。
求項１記載の樹脂封止型半導体装置は、上側の面、及び
下側の面を有し、同一平坦面上に配置され、吊りリード
で支持された半導体チップ支持パッドとその周縁部に配
置された複数の接続端子リードとを有するリードフレー
ムを構成部材とし、前記リードフレームの上側の面に貼
着され、半導体チップ搭載領域部に近接して配置された
複数の内部接続端子ランド部を露出する複数の開口部を
設けた感光性樹脂接着剤層と、前記感光性樹脂接着剤層
の上側の面に接着剤を介して固着され、主面に複数の電
極パッドを備えた半導体チップと、一端部が前記接続端
子リードのそれぞれに接続し、他端部が前記各接続端子
リードに対応する前記電極パッドに接続して電気的導通
回路を形成するボンディング・ワイヤと、前記ボンディ
ング・ワイヤを含む前記半導体チップを前記感光性樹脂
接着剤層の上面側で片面封止した封止樹脂とからなる構
成とし、前記接続端子リード、前記半導体チップ支持パ
ット、及び前記吊りリードのそれぞれの下側の面とその
側面とが前記感光性樹脂接着剤層の下面側に突出した構
成としたことにある。
【００１０】また、請求項２記載の樹脂封止型半導体装
置は、請求項１記載の樹脂封止型半導体装置であって、
前記感光性樹脂接着剤層には、半導体チップ搭載パット
の領域内に導電性ペーストを充填した複数のフィルド・
ビアを設けた構成としたことにある。
置は、請求項１記載の樹脂封止型半導体装置であって、
前記感光性樹脂接着剤層には、半導体チップ搭載パット
の領域内に導電性ペーストを充填した複数のフィルド・
ビアを設けた構成としたことにある。
【００１１】また、請求項３記載の樹脂封止型半導体装
置は、請求項１記載の樹脂封止型半導体装置であって、
前記導電性接着剤はＡｇペーストを用いたことにある。
置は、請求項１記載の樹脂封止型半導体装置であって、
前記導電性接着剤はＡｇペーストを用いたことにある。
【００１２】さらに、請求項４記載の樹脂封止型半導体
装置は、請求項１及び２記載の樹脂封止型半導体装置で
あって、前記感光性樹脂接着剤層は、感光性エポキシ系
樹脂接着剤層を用いたことにある。
装置は、請求項１及び２記載の樹脂封止型半導体装置で
あって、前記感光性樹脂接着剤層は、感光性エポキシ系
樹脂接着剤層を用いたことにある。
【００１３】請求項１〜４記載の半導体装置は、接続端
子リード、半導体チップ支持パッドを備えたリードフレ
ームの上側の面に、感光性樹脂接着フィルムを貼着した
感光性樹脂接着層を有し、前記接続端子リード及び前記
半導体チップ支持パッドの下側の面とその側面とが前記
感光性樹脂接着層に突出した構成としているので、樹脂
封止の際に、前記感光性樹脂接着層が、接続端子リード
の間、及び半導体チップ支持パッドの間への封止樹脂の
流入を阻止するように機能する。従来技術で生じていた
接続端子リード、及び半導体チップ支持パッドの下側の
面のモールド・フラッシング（樹脂バリが付着するこ
と）を防止することができる。
子リード、半導体チップ支持パッドを備えたリードフレ
ームの上側の面に、感光性樹脂接着フィルムを貼着した
感光性樹脂接着層を有し、前記接続端子リード及び前記
半導体チップ支持パッドの下側の面とその側面とが前記
感光性樹脂接着層に突出した構成としているので、樹脂
封止の際に、前記感光性樹脂接着層が、接続端子リード
の間、及び半導体チップ支持パッドの間への封止樹脂の
流入を阻止するように機能する。従来技術で生じていた
接続端子リード、及び半導体チップ支持パッドの下側の
面のモールド・フラッシング（樹脂バリが付着するこ
と）を防止することができる。
【００１４】また、前記接続端子リードの側面をも露出
しているため、スタンドオフが板厚（１００μｍ〜１５
０μｍ範囲）程度の範囲で確保することが可能となる。
これによって、プリント配線基板と接続端子リードの接
触面に介在するクリーム半田が前記接続端子リードの側
面に向かってなめらかに濡れ上がり半田フィレットを素
材厚程度に高く形成することができる。
しているため、スタンドオフが板厚（１００μｍ〜１５
０μｍ範囲）程度の範囲で確保することが可能となる。
これによって、プリント配線基板と接続端子リードの接
触面に介在するクリーム半田が前記接続端子リードの側
面に向かってなめらかに濡れ上がり半田フィレットを素
材厚程度に高く形成することができる。
【００１５】また、前記感光性樹脂接着層の半導体チッ
プ搭載面側を封止樹脂で片面封止しているので、半導体
装置としての薄型化が実現できる。
プ搭載面側を封止樹脂で片面封止しているので、半導体
装置としての薄型化が実現できる。
【００１６】さらに、封止樹脂とリートフレームとの間
に感光性樹脂接着剤層が介在しているので、封止樹脂と
リードフレームとの熱膨張係数の差により生じる応力を
吸収し封止樹脂のクラックや半導体チップの破損を防止
することができる。
に感光性樹脂接着剤層が介在しているので、封止樹脂と
リードフレームとの熱膨張係数の差により生じる応力を
吸収し封止樹脂のクラックや半導体チップの破損を防止
することができる。
【００１７】さらにまた、接続端子リード、及び半導体
チップ支持パッドが露出した構造とされているため、放
熱性を著しく高めることができる。
チップ支持パッドが露出した構造とされているため、放
熱性を著しく高めることができる。
【００１８】さらにまた、感光性樹脂接着剤フィルムを
用いているため、露光・現像技術やスクリーン印刷技術
を用いることにより内部接続端子パッド部を露出する開
口部やビアホールが容易に形成できるので作業性を著し
く向上させることができる。
用いているため、露光・現像技術やスクリーン印刷技術
を用いることにより内部接続端子パッド部を露出する開
口部やビアホールが容易に形成できるので作業性を著し
く向上させることができる。
【００１９】特に、請求項２記載の樹脂封止型半導体装
置においては、感光性樹脂接着剤層の半導体チップ支持
パットの領域内に複数のフィルド・ビアを設けた構造と
しているので、半導体チップと半導体チップ支持パット
と間に接地回路、及び熱伝導回路を容易に形成すること
ができ、半導体装置の電気的特性及び放熱特性を向上さ
せることができる。
置においては、感光性樹脂接着剤層の半導体チップ支持
パットの領域内に複数のフィルド・ビアを設けた構造と
しているので、半導体チップと半導体チップ支持パット
と間に接地回路、及び熱伝導回路を容易に形成すること
ができ、半導体装置の電気的特性及び放熱特性を向上さ
せることができる。
【００２０】また、請求項３記載の樹脂封止型半導体装
置においては、導電性接着剤としてＡｇペーストを用い
ているので、スクリーン印刷法により、半導体チップの
接合、及び感光性樹脂接着剤層に穿設したビア・ホール
の充填が容易になり、且つ半導体チップと半導体チップ
支持パットと間に形成される接地回路、及び熱伝導回路
の導伝性を向上させることができる。
置においては、導電性接着剤としてＡｇペーストを用い
ているので、スクリーン印刷法により、半導体チップの
接合、及び感光性樹脂接着剤層に穿設したビア・ホール
の充填が容易になり、且つ半導体チップと半導体チップ
支持パットと間に形成される接地回路、及び熱伝導回路
の導伝性を向上させることができる。
【００２１】さらに、請求項４記載の樹脂封止型半導体
装置は、感光性樹脂接着剤層に感光性エポキシ系樹脂接
着剤層を用いているので、リードフレームの強度が増
し、且つ平坦度を確保できると共に、材料コストを低減
させることができる。
装置は、感光性樹脂接着剤層に感光性エポキシ系樹脂接
着剤層を用いているので、リードフレームの強度が増
し、且つ平坦度を確保できると共に、材料コストを低減
させることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】続いて、本発明の実施の形態を添
付した図面を参照しつつ詳細に説明する。
付した図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２３】図１は本発明の実施の形態に係る樹脂封止
型半導体装置の構成を示す断面図、図２は本発明の実施
の形態に係る樹脂封止型半導体装置の平坦面側を示す平
面図、図３は本発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導
体装置の半導体チッブキヤリアを示す平面図、図４は本
発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の実装状
態を示す部分断面図である。
型半導体装置の構成を示す断面図、図２は本発明の実施
の形態に係る樹脂封止型半導体装置の平坦面側を示す平
面図、図３は本発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導
体装置の半導体チッブキヤリアを示す平面図、図４は本
発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の実装状
態を示す部分断面図である。
【００２４】まず、図１、図２を参照しつつ本発明の樹
脂封止型半導体装置の構造について説明する。
脂封止型半導体装置の構造について説明する。
【００２５】図１には、本発明の実施の形態に係るリー
ドフレームを構成部材としたＱＦＮ構造の樹脂封止型半
導体装置の構成が示されている。図２には、図１に示す
樹脂封止型半導体装置の裏面に配置された半導体チップ
支持パッドと複数の接続端子リードの配列状態が示され
ている。
ドフレームを構成部材としたＱＦＮ構造の樹脂封止型半
導体装置の構成が示されている。図２には、図１に示す
樹脂封止型半導体装置の裏面に配置された半導体チップ
支持パッドと複数の接続端子リードの配列状態が示され
ている。
【００２６】図１、図２によれば、本発明の一実施の形
態に係るＱＦＮ構造の樹脂封止型半導体装置１０は、プ
レス加工、又はエッチング加工により、上側の面Ａ、及
び下側の面Ｂを有し、同一平坦面に配置され、吊りリー
ド１１で支持された半導体チップ支持パッド１２とその
周縁部に配置され、上側の面Ａに半導体チップ搭載領域
部１４と該半導体チップ搭載領域部１４に近接して配置
された内部接続端子パッド（ランド）部１３とを（図３
参照）、下側の面Ｂに外部接続端子ランド部１５を備え
た複数の接続端子リード１６を有するリードフレーム１
７と、前記リードフレーム１７の上側の面Ａに貼着さ
れ、前記内部接続端子パッド部１３のそれぞれを露出す
る開口部１８を設けた感光性樹脂接着剤層の一例である
感光性エポキシ系樹脂接着剤層１９と、前記感光性エポ
キシ系樹脂接着剤層１９の上面に導電性ペースト（例え
ば、Ａｇペースト）２０を介し、フェースアップ構造で
半導体チップ搭載領域部１４に固着され（図３参照）、
表面に複数の電極パッド２１を備えた半導体チップ２２
と、一端部が前記接続端子リード１６の前記内部接続端
子パッド部１３のそれぞれに接続され、他端部が前記各
内部接続端子パッド部１３に対応する前記半導体チップ
２２の前記電極パッド２１に接続されて電気的導通回路
を形成したボンディング・ワイヤ２３と、前記ボンディ
ング・ワイヤ２３を含む前記集積回路チップ２２を前記
感光性エポキシ系樹脂接着剤層１９の上面側で片面封止
した封止樹脂２４とを含む構成とされ、図１、図２に示
すように、前記感光性エポキシ系樹脂接着剤層１９の下
面側に半導体チップ支持パッド１２、及び複数の接続端
子リード１６の下側の面Ｂ、及び側面が突出した状態で
配置された構造を有するものである。
態に係るＱＦＮ構造の樹脂封止型半導体装置１０は、プ
レス加工、又はエッチング加工により、上側の面Ａ、及
び下側の面Ｂを有し、同一平坦面に配置され、吊りリー
ド１１で支持された半導体チップ支持パッド１２とその
周縁部に配置され、上側の面Ａに半導体チップ搭載領域
部１４と該半導体チップ搭載領域部１４に近接して配置
された内部接続端子パッド（ランド）部１３とを（図３
参照）、下側の面Ｂに外部接続端子ランド部１５を備え
た複数の接続端子リード１６を有するリードフレーム１
７と、前記リードフレーム１７の上側の面Ａに貼着さ
れ、前記内部接続端子パッド部１３のそれぞれを露出す
る開口部１８を設けた感光性樹脂接着剤層の一例である
感光性エポキシ系樹脂接着剤層１９と、前記感光性エポ
キシ系樹脂接着剤層１９の上面に導電性ペースト（例え
ば、Ａｇペースト）２０を介し、フェースアップ構造で
半導体チップ搭載領域部１４に固着され（図３参照）、
表面に複数の電極パッド２１を備えた半導体チップ２２
と、一端部が前記接続端子リード１６の前記内部接続端
子パッド部１３のそれぞれに接続され、他端部が前記各
内部接続端子パッド部１３に対応する前記半導体チップ
２２の前記電極パッド２１に接続されて電気的導通回路
を形成したボンディング・ワイヤ２３と、前記ボンディ
ング・ワイヤ２３を含む前記集積回路チップ２２を前記
感光性エポキシ系樹脂接着剤層１９の上面側で片面封止
した封止樹脂２４とを含む構成とされ、図１、図２に示
すように、前記感光性エポキシ系樹脂接着剤層１９の下
面側に半導体チップ支持パッド１２、及び複数の接続端
子リード１６の下側の面Ｂ、及び側面が突出した状態で
配置された構造を有するものである。
【００２７】また、前記樹脂封止型半導体装置１０にあ
って、半導体チップ支持パッド１２の領域内に位置し、
前記感光性エポキシ系樹脂接着剤層１９に複数のビア・
ホールを穿設し、これに導電性接着剤の一例であるＡｇ
ペースト２７を充填した複数のフィルド・ビア２８を設
けた構造とすることもできる。これによって、半導体チ
ップ２２と半導体チップ支持パッド１２との間に半導体
装置の接地回路、及び熱伝導回路として機能させること
ができる。
って、半導体チップ支持パッド１２の領域内に位置し、
前記感光性エポキシ系樹脂接着剤層１９に複数のビア・
ホールを穿設し、これに導電性接着剤の一例であるＡｇ
ペースト２７を充填した複数のフィルド・ビア２８を設
けた構造とすることもできる。これによって、半導体チ
ップ２２と半導体チップ支持パッド１２との間に半導体
装置の接地回路、及び熱伝導回路として機能させること
ができる。
【００２８】図３には、本発明の樹脂封止型半導体装置
の構成部材として形成された半導体チップが搭載される
半導体チップ搭載キャリア２９が示されている。
の構成部材として形成された半導体チップが搭載される
半導体チップ搭載キャリア２９が示されている。
【００２９】図に示すように、半導体チップ搭載キャリ
ア２９は、素材の一例である５０μｍ〜２５０μｍ（好
ましくは１２５μｍ）の銅系帯状材から、プレス加工、
又は／及びエッチング加工により、上側の面Ａに、内部
接続端子パッド部１３、下側の面Ｂに、外部接続端子ラ
ンド部１５（図２参照）を備えた複数の接続端子リード
１６と吊りリード１１で支持された半導体チップ支持パ
ッド１２を含むリードフレーム１７と（透視図で示
す）、該リードフレーム１７の上側の面Ａに、感光性樹
脂接着剤テープの一例である２５μｍ〜１７５μｍ（好
ましくは７５μｍ）厚の感光性エポキシ系樹脂接着剤テ
ープ１９ａが貼着され、該感光性エポキシ系樹脂接着剤
テープ１９ａに、半導体チップ搭載領域部１４に隣接し
て形成された内部接続端子ランド部１３を露出する開口
部１８、及び半導体チップ支持パッド１２に導通する導
電性ペーストの一例であるＡｇペースト２０を、スクリ
ーン印刷法により、充填した複数のフィルド・ビア２８
とが形成された感光性エポキシ系樹脂接着剤層１９（斜
線部で示す）とからなる構成とされている。
ア２９は、素材の一例である５０μｍ〜２５０μｍ（好
ましくは１２５μｍ）の銅系帯状材から、プレス加工、
又は／及びエッチング加工により、上側の面Ａに、内部
接続端子パッド部１３、下側の面Ｂに、外部接続端子ラ
ンド部１５（図２参照）を備えた複数の接続端子リード
１６と吊りリード１１で支持された半導体チップ支持パ
ッド１２を含むリードフレーム１７と（透視図で示
す）、該リードフレーム１７の上側の面Ａに、感光性樹
脂接着剤テープの一例である２５μｍ〜１７５μｍ（好
ましくは７５μｍ）厚の感光性エポキシ系樹脂接着剤テ
ープ１９ａが貼着され、該感光性エポキシ系樹脂接着剤
テープ１９ａに、半導体チップ搭載領域部１４に隣接し
て形成された内部接続端子ランド部１３を露出する開口
部１８、及び半導体チップ支持パッド１２に導通する導
電性ペーストの一例であるＡｇペースト２０を、スクリ
ーン印刷法により、充填した複数のフィルド・ビア２８
とが形成された感光性エポキシ系樹脂接着剤層１９（斜
線部で示す）とからなる構成とされている。
【００３０】ここで、前記内部接続端子パッド部１３に
金属めっきの一例である銀めっき層２５を、半導体チッ
プ支持パッド１２、及び接続端子リード１６に外装半田
めっき層２６を設けることもできる（図１参照）。これ
によって、ワイヤ・ボンディング性、半田濡れ性を著し
く向上させることができる。また、パラジュウムめっき
層を設けることもできる。
金属めっきの一例である銀めっき層２５を、半導体チッ
プ支持パッド１２、及び接続端子リード１６に外装半田
めっき層２６を設けることもできる（図１参照）。これ
によって、ワイヤ・ボンディング性、半田濡れ性を著し
く向上させることができる。また、パラジュウムめっき
層を設けることもできる。
【００３１】図４には、本発明の樹脂封止型半導体装置
１０をクリーム半田３０を介してプリント配線基板２７
に搭載した実装構造が示されている。
１０をクリーム半田３０を介してプリント配線基板２７
に搭載した実装構造が示されている。
【００３２】図に示すように、本発明の樹脂封止型半導
体装置１０の実装は、スクリーン印刷により、クリーム
半田３０が塗布されたプリント配線基板２７上の接続端
子ランド３２に、感光性エポキシ系樹脂接着剤層１９に
突出した前記リードフレーム１７の接続端子リード１６
を位置決め載置し、これらを加熱リフローすることによ
って達成される。
体装置１０の実装は、スクリーン印刷により、クリーム
半田３０が塗布されたプリント配線基板２７上の接続端
子ランド３２に、感光性エポキシ系樹脂接着剤層１９に
突出した前記リードフレーム１７の接続端子リード１６
を位置決め載置し、これらを加熱リフローすることによ
って達成される。
【００３３】そして、実装状態においては、樹脂封止型
半導体装置１０の平坦面から接続端子リード１６の下側
の面Ｂ及び側面が板厚程度（素材厚は５０μｍ〜１５０
μｍの範囲を用い、実施例は１００μｍ）のスタンドオ
フを有する構造となっているので、これらをリフローす
ることにより、プリント配線基板２７上の接続端子ラン
ド３２に堆積されたクリーム半田３０のフラックスが蒸
発して半田が接続端子リード１６の側面に濡れ上がり、
図に示すように、従来技術（図６参照）に比べて、高く
（素材厚程度）、且つなめらかな半田フィレット３１を
形成して接合する。これによって、樹脂封止型半導体装
置１０の接合が強固になり、樹脂封止型半導体装置１０
の剥離を防止することができる。
半導体装置１０の平坦面から接続端子リード１６の下側
の面Ｂ及び側面が板厚程度（素材厚は５０μｍ〜１５０
μｍの範囲を用い、実施例は１００μｍ）のスタンドオ
フを有する構造となっているので、これらをリフローす
ることにより、プリント配線基板２７上の接続端子ラン
ド３２に堆積されたクリーム半田３０のフラックスが蒸
発して半田が接続端子リード１６の側面に濡れ上がり、
図に示すように、従来技術（図６参照）に比べて、高く
（素材厚程度）、且つなめらかな半田フィレット３１を
形成して接合する。これによって、樹脂封止型半導体装
置１０の接合が強固になり、樹脂封止型半導体装置１０
の剥離を防止することができる。
【００３４】以上で説明したように、本発明の樹脂封止
型半導体装置は、銅系又は鉄系の帯状素材から、プレス
加工、又は／及びエッチンク加工により、形成されたリ
ードフレームを構成部材とし、感光性エポキシ系樹脂接
着剤層の下面に前記リードフレームの接続端子リード及
び半導体チップ支持パッドが突出した構成としたことを
特徴とするものである。
型半導体装置は、銅系又は鉄系の帯状素材から、プレス
加工、又は／及びエッチンク加工により、形成されたリ
ードフレームを構成部材とし、感光性エポキシ系樹脂接
着剤層の下面に前記リードフレームの接続端子リード及
び半導体チップ支持パッドが突出した構成としたことを
特徴とするものである。
【００３５】従って、その精神又は主要な特徴から逸脱
することなく、他の色々な型で実施することができる。
そのため、前述の実施例はあらゆる点で単なる例示にす
ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は、
特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文
には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の
均等範囲に属する変形や変更は、すべて本発明の範囲内
のものである。例えば、本発明の実施の態様の一例とし
てＱＦＮ構造の樹脂封止型半導体装置として説明した
が、ＳＯＮ構造の樹脂封止型半導体装置にも適用でき
る。
することなく、他の色々な型で実施することができる。
そのため、前述の実施例はあらゆる点で単なる例示にす
ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は、
特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文
には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の
均等範囲に属する変形や変更は、すべて本発明の範囲内
のものである。例えば、本発明の実施の態様の一例とし
てＱＦＮ構造の樹脂封止型半導体装置として説明した
が、ＳＯＮ構造の樹脂封止型半導体装置にも適用でき
る。
【００３６】
【発明の効果】請求項１〜４記載の樹脂封止型半導体装
置は、ボンデング・ワイヤを含む半導体チップを封止樹
脂で封止する際に、感光性樹脂接着層が電極端子リー
ド、及び半導体チップ支持パッドの間に封止樹脂が流入
を阻止するように機能するので、従来技術で生じていた
接続端子リード、及び半導体チップ支持パッドの下側面
に発生していたモールドフラッシング（樹脂バリが付着
すること）を防止できる。その結果として、樹脂封止型
半導体装置の実装不良がなくなり、樹脂封止型半導体装
置の長期信頼性が向上する。
置は、ボンデング・ワイヤを含む半導体チップを封止樹
脂で封止する際に、感光性樹脂接着層が電極端子リー
ド、及び半導体チップ支持パッドの間に封止樹脂が流入
を阻止するように機能するので、従来技術で生じていた
接続端子リード、及び半導体チップ支持パッドの下側面
に発生していたモールドフラッシング（樹脂バリが付着
すること）を防止できる。その結果として、樹脂封止型
半導体装置の実装不良がなくなり、樹脂封止型半導体装
置の長期信頼性が向上する。
【００３７】また、前記接続端子リードの下側の面及び
側面も露出しているので、板厚相当（素材厚は５０μｍ
〜１５０μｍの範囲を用い、実施例は１００μｍ）のス
タンドオフが確保可能となり、半田が前記電極端子リー
ド側面に濡れ上がり半田フィレットを高く形成すること
ができる。その結果として、樹脂封止型半導体装置の実
装が強固になると共に、樹脂封止型半導体装置剥離を防
止することができる。
側面も露出しているので、板厚相当（素材厚は５０μｍ
〜１５０μｍの範囲を用い、実施例は１００μｍ）のス
タンドオフが確保可能となり、半田が前記電極端子リー
ド側面に濡れ上がり半田フィレットを高く形成すること
ができる。その結果として、樹脂封止型半導体装置の実
装が強固になると共に、樹脂封止型半導体装置剥離を防
止することができる。
【００３８】また、前記感光性樹脂接着層の半導体チッ
プ搭載面側を封止樹脂で片面封止しているので、半導体
装置としての薄型化が実現できる。
プ搭載面側を封止樹脂で片面封止しているので、半導体
装置としての薄型化が実現できる。
【００３９】さらに、封止樹脂とリートフレームとの間
に感光性樹脂接着剤層が介在しているので、封止樹脂と
リードフレームとの熱膨張係数の差により生じる応力を
吸収し封止樹脂のクラックを防止することができる。
に感光性樹脂接着剤層が介在しているので、封止樹脂と
リードフレームとの熱膨張係数の差により生じる応力を
吸収し封止樹脂のクラックを防止することができる。
【００４０】さらにまた、電極端子リード、及び半導体
チップ支持パッドが突出した構造としているため、放熱
性を高めることができる。
チップ支持パッドが突出した構造としているため、放熱
性を高めることができる。
【００４１】さらにまた、感光性樹脂接着剤フィルムを
用いているため、ボンディンク領域部を露出する開口部
やビアホールの形成が容易になり作業性を向上させるこ
とかができる。
用いているため、ボンディンク領域部を露出する開口部
やビアホールの形成が容易になり作業性を向上させるこ
とかができる。
【００４２】特に、請求項２記載の樹脂封止型半導体装
置は、前記感光性樹脂接着剤層には、半導体チップ支持
パットの領域内に複数のフィルド・ビアを設けた構造と
しているので、半導体チップと半導体チップ支持パット
と間に接地回路、及び熱伝導回路を形成することがで
き、半導体装置の電気的特性を向上させることができ
る。
置は、前記感光性樹脂接着剤層には、半導体チップ支持
パットの領域内に複数のフィルド・ビアを設けた構造と
しているので、半導体チップと半導体チップ支持パット
と間に接地回路、及び熱伝導回路を形成することがで
き、半導体装置の電気的特性を向上させることができ
る。
【００４３】また、請求項３記載の樹脂封止型半導体装
置は、導電性接着剤にＡｇペーストを用いているので、
半導体チップと半導体チップ支持パットと間に接地回
路、及び熱伝導回路を容易に形成することができ、作業
性が向上する。
置は、導電性接着剤にＡｇペーストを用いているので、
半導体チップと半導体チップ支持パットと間に接地回
路、及び熱伝導回路を容易に形成することができ、作業
性が向上する。
【００４４】さらに、請求項４記載の樹脂封止型半導体
装置は、感光性樹脂接着剤層に感光性エポキシ系樹脂接
着剤層を用いているので、従来のポリイミド系樹脂に比
べて材料コストを低減させることができる。
装置は、感光性樹脂接着剤層に感光性エポキシ系樹脂接
着剤層を用いているので、従来のポリイミド系樹脂に比
べて材料コストを低減させることができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装
置の構成を示す断面図である。
置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装
置の裏面側を示す平面図である。
置の裏面側を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装
置の半導体チップ搭載キャリヤの上側の面を示す平面図
である。
置の半導体チップ搭載キャリヤの上側の面を示す平面図
である。
【図４】本発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装
置の実装状態を示す部分断面図である。
置の実装状態を示す部分断面図である。
【図５】従来技術に係る樹脂封止型半導体装置の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】従来技術に係る樹脂封止型半導体装置の実装状
態を示す部分断面図である。
態を示す部分断面図である。
【図７】従来技術に係る樹脂封止型半導体装置の電極端
子リードに発生したモールドフラッシュを示す部分平面
図である。
子リードに発生したモールドフラッシュを示す部分平面
図である。
１０ 樹脂封止型半導体装置 １１ 吊りリード １２ 半導体チップ支持パッド １３ 内部接続端子パッド部 １４ 半導体チップ搭載領域部 １５ 外部接続端子ランド部 １６ 接続端子リード １７ リードフレーム １８ 開口部 １９ 感光性エポキシ系樹脂接着剤層 １９ａ 感光性エポキシ系樹脂接着剤フィルム ２０ 導電性ペースト ２１ 電極パッド ２２ 半導体チップ ２３ ボンディング・ワイヤ ２４ 封止樹脂 ２５ 銀めっき層 ２６ 外装半田めっき層 ２７ プリント配線基板 ２８ フィルド・ビア ２９ 半導体チップ搭載キャリア ３０ クリーム半田 ３１ 半田フィレット ３２ 接続端子ランド Ａ 上側の面 Ｂ 下側の面 ５０ 樹脂封止型半導体装置 ５１ 半導体チップ ５１ａ 電極パッド ５２ 半導体搭載パッド ５３ 外部連結リード ５４ リードフレーム ５５ 金属ワイヤ ５６ 封止樹脂 ５７ プリン配線基板 ５８ メタルパターン ５９ ソルダー ６０ 絶縁性接着剤 ６１ フィレット Ａ リードフレームの上側面 Ｂ リードフレームの下側面
Claims (4)
- 【請求項１】 上側の面、及び下側の面を有し、同一平
坦面上に配置され、吊りリードで支持された半導体チッ
プ支持パッドとその周縁部に配置された複数の接続端子
リードとを有するリードフレームを構成部材とし、前記
リードフレームの上側の面に貼着され、半導体チップ搭
載領域部に近接して配置された複数の内部接続端子パッ
ド部を露出する複数の開口部を設けた感光性樹脂接着剤
層と、前記感光性樹脂接着剤層の上側の面に接着剤を介
して固着され、主面に複数の電極パッドを備えた半導体
チップと、一端部が前記接続端子リードのそれぞれに接
続し、他端部が前記各接続端子リードに対応する前記電
極パッドに接続して電気的導通回路を形成するボンディ
ング・ワイヤと、前記ボンディング・ワイヤを含む前記
半導体チップを前記感光性樹脂接着剤層の上面側で片面
封止した封止樹脂とからなる構成し、前記接続端子リー
ド、前記半導体チップ支持パット、及び前記吊りリード
のそれぞれの下側の面とその側面とが前記感光性樹脂接
着剤層の下面側に突出した構成としたことを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置で
あって、前記感光性樹脂接着剤層には、半導体チップ支
持パットの領域内に、導電性ペーストが充填された複数
のフィルド・ビアを設けた構成としたことを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置で
あって、前記接着剤は、Ａｇペーストであることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１及び２記載の樹脂封止型半導体
装置であって、前記感光性樹脂接着剤層は、感光性エポ
キシ系樹脂接着剤層であることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11092250A JP2000286378A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11092250A JP2000286378A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286378A true JP2000286378A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=14049192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11092250A Pending JP2000286378A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000286378A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002305267A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2018056165A (ja) * | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 株式会社ジェイデバイス | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| CN111584451A (zh) * | 2019-02-18 | 2020-08-25 | 艾普凌科有限公司 | 半导体装置 |
| CN112189253A (zh) * | 2018-06-12 | 2021-01-05 | 德州仪器公司 | 具有当附着到pwb时能够检查焊点的机构的qfn器件及其制造方法 |
| WO2023085033A1 (ja) * | 2021-11-12 | 2023-05-19 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP11092250A patent/JP2000286378A/ja active Pending
Cited By (7)
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