JP2000268406A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ヘッドクラッシュが起きにくく、さらに光学
的特性が損なわれることのない潤滑層を有する近接場光
記録用媒体を提供する。 【解決手段】 基板１１上に少なくとも光記録層を形成
した光記録媒体において、表面に潤滑層１６として、パ
ーフルオロポリエーテル誘導体からなる層を膜厚０．３
ｎｍ以上２．０ｎｍ未満で形成した光記録媒体である。
的特性が損なわれることのない潤滑層を有する近接場光
記録用媒体を提供する。 【解決手段】 基板１１上に少なくとも光記録層を形成
した光記録媒体において、表面に潤滑層１６として、パ
ーフルオロポリエーテル誘導体からなる層を膜厚０．３
ｎｍ以上２．０ｎｍ未満で形成した光記録媒体である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は書き換えが可能な光
記録媒体、特に、レーザービームによって記録層に光学
的変化を生じさせ、情報の記録、再生および消去を行う
光磁気記録媒体、あるいは相変化記録媒体に関する。
記録媒体、特に、レーザービームによって記録層に光学
的変化を生じさせ、情報の記録、再生および消去を行う
光磁気記録媒体、あるいは相変化記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体は大容量・高密度記録が可能
な可搬型記録媒体であり、近年のマルチメディア化に伴
うコンピュータの大容量保存ファイルとして動画等を記
録する書き換え型メディアとして需要が急増しつつあ
る。
な可搬型記録媒体であり、近年のマルチメディア化に伴
うコンピュータの大容量保存ファイルとして動画等を記
録する書き換え型メディアとして需要が急増しつつあ
る。
【０００３】従来の書き換え型光記録媒体は一般にプラ
スチック等の円盤状の基板に記録層を含む多層膜を形成
し、プラスチック基板側からレーザーを照射して記録、
再生、消去を行っていた。
スチック等の円盤状の基板に記録層を含む多層膜を形成
し、プラスチック基板側からレーザーを照射して記録、
再生、消去を行っていた。
【０００４】これに対して、光学ヘッドを記録膜に近づ
けて記録再生する、いわゆる、近接場光記録が高密度化
の手段として注目されている（アプライド フィジクス
レター（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．），ｖｏ
ｌ．６８，ｐ．１４１（１９９６））。
けて記録再生する、いわゆる、近接場光記録が高密度化
の手段として注目されている（アプライド フィジクス
レター（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．），ｖｏ
ｌ．６８，ｐ．１４１（１９９６））。
【０００５】この記録方法ではＳｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒ
ｓｉｏｎ ｌｅｎｓ（以下ＳＩＬと略す）ヘッドを使用
しレーザービームスポットサイズを縮小することによ
り、従来光源のレーザー波長（λ）によって決まる記録
限界（〜λ／２ＮＡ：ＮＡは対物レンズの開口数）より
短いマークでの再生が可能であり、超高記録密度の記録
再生が実現できる。
ｓｉｏｎ ｌｅｎｓ（以下ＳＩＬと略す）ヘッドを使用
しレーザービームスポットサイズを縮小することによ
り、従来光源のレーザー波長（λ）によって決まる記録
限界（〜λ／２ＮＡ：ＮＡは対物レンズの開口数）より
短いマークでの再生が可能であり、超高記録密度の記録
再生が実現できる。
【０００６】近接場光記録では上述のように超高記録密
度が可能であるが、光学ヘッドを記録媒体に近づける必
要がある（〜１００ｎｍ）。このため浮上式のスライダ
ーヘッドを利用することが提案されている。
度が可能であるが、光学ヘッドを記録媒体に近づける必
要がある（〜１００ｎｍ）。このため浮上式のスライダ
ーヘッドを利用することが提案されている。
【０００７】同様にスライダーヘッドを使用しているハ
ードディスクでは、スライダーヘッドの浮上性確保のた
め、媒体表面に潤滑層を設けている場合が多い。
ードディスクでは、スライダーヘッドの浮上性確保のた
め、媒体表面に潤滑層を設けている場合が多い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】近接場光記録では上述
のように超高記録密度が可能であるが、光学ヘッドを媒
体に近づける必要がある。この場合、浮上式のスライダ
ーヘッドが媒体に衝突する、いわゆる、ヘッドクラッシ
ュが起きやすいという問題がある。
のように超高記録密度が可能であるが、光学ヘッドを媒
体に近づける必要がある。この場合、浮上式のスライダ
ーヘッドが媒体に衝突する、いわゆる、ヘッドクラッシ
ュが起きやすいという問題がある。
【０００９】また、近接場光記録ではハードディスクと
は異なり、レーザービームの照射を伴って記録、再生、
消去を行うため、レーザーにより記録媒体の温度が上昇
したとしても、安定した光学特性やその他の物性を示す
表面潤滑層が必要である。
は異なり、レーザービームの照射を伴って記録、再生、
消去を行うため、レーザーにより記録媒体の温度が上昇
したとしても、安定した光学特性やその他の物性を示す
表面潤滑層が必要である。
【００１０】本発明の目的は、ヘッドクラッシュが起き
にくく、さらに光学的特性等が損なわれることのない潤
滑層を有する近接場光記録用媒体を提供することであ
る。
にくく、さらに光学的特性等が損なわれることのない潤
滑層を有する近接場光記録用媒体を提供することであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は上述のような
現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。
現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。
【００１２】すなわち、本発明は基板上に少なくとも光
記録層及び潤滑下地層を形成した光記録媒体において、
潤滑下地層の表面に潤滑層として、パーフルオロポリエ
ーテル誘導体からなる層を膜厚０．３ｎｍ以上２．０ｎ
ｍ未満で形成したことを特徴とする光記録媒体に関す
る。
記録層及び潤滑下地層を形成した光記録媒体において、
潤滑下地層の表面に潤滑層として、パーフルオロポリエ
ーテル誘導体からなる層を膜厚０．３ｎｍ以上２．０ｎ
ｍ未満で形成したことを特徴とする光記録媒体に関す
る。
【００１３】本発明の光記録媒体の光記録層はＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅ
Ｃｏ等の光磁気記録膜、あるいはＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ等の相変化記録膜など偏光面、反射率、光の
位相などの変化で記録が可能な膜で構成される。
Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅ
Ｃｏ等の光磁気記録膜、あるいはＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ等の相変化記録膜など偏光面、反射率、光の
位相などの変化で記録が可能な膜で構成される。
【００１４】本発明の光記録媒体の潤滑層は、パーフル
オロポリエーテル誘導体で構成される。パーフルオロポ
リエーテルの主鎖構造は直鎖構造でも側鎖構造でも構わ
ないが、潤滑特性から特に直鎖構造が望ましい。誘導体
構造としては主鎖の両端、または片端にエステル基（−
ＣＯＯＲ）、ピペロニル基（３，４−メチレンジオキシ
ベンジル）等の官能基が導入されているものが好まし
い。
オロポリエーテル誘導体で構成される。パーフルオロポ
リエーテルの主鎖構造は直鎖構造でも側鎖構造でも構わ
ないが、潤滑特性から特に直鎖構造が望ましい。誘導体
構造としては主鎖の両端、または片端にエステル基（−
ＣＯＯＲ）、ピペロニル基（３，４−メチレンジオキシ
ベンジル）等の官能基が導入されているものが好まし
い。
【００１５】エステル基としては、炭素数１〜１０の置
換されていてもよいアルキル基等を例示することができ
る。官能基は分子の両端、または片端のいずれかに導入
されていれば良いが、潤滑下地層への吸着力がより高い
ことから、特に両端にあることが望ましい。
換されていてもよいアルキル基等を例示することができ
る。官能基は分子の両端、または片端のいずれかに導入
されていれば良いが、潤滑下地層への吸着力がより高い
ことから、特に両端にあることが望ましい。
【００１６】パーフルオロポリエーテル誘導体の重量平
均分子量は１０００以上１００００以下、特に２０００
以上１００００以下が好ましい。重量平均分子量が１０
００未満では流動性が高すぎ、媒体表面での分布が不均
一となりやすい。重量平均分子量が１００００を越える
と流動性が低すぎ、十分な潤滑特性が得られにくい。ま
た、低分子量のものは高分子量のものに比べ、熱分解に
よる重量減少がより低温度から起こるため、高分子量の
もののほうが長期的な安定性に優れている。
均分子量は１０００以上１００００以下、特に２０００
以上１００００以下が好ましい。重量平均分子量が１０
００未満では流動性が高すぎ、媒体表面での分布が不均
一となりやすい。重量平均分子量が１００００を越える
と流動性が低すぎ、十分な潤滑特性が得られにくい。ま
た、低分子量のものは高分子量のものに比べ、熱分解に
よる重量減少がより低温度から起こるため、高分子量の
もののほうが長期的な安定性に優れている。
【００１７】このような潤滑層を形成する材料として
は、例えば、アウジモント製、商品名「フォンブリンＡ
Ｍ−２００１」および「フォンブリンＺ ＤＥＡＬ」、
ダイキン社製、商品名「デムナムＳＰ」および「デムナ
ムＳＹ−３」等を例示することができる。「フォンブリ
ンＡＭ−２００１」は、両末端にピペロニル基を有し、
主鎖として、
は、例えば、アウジモント製、商品名「フォンブリンＡ
Ｍ−２００１」および「フォンブリンＺ ＤＥＡＬ」、
ダイキン社製、商品名「デムナムＳＰ」および「デムナ
ムＳＹ−３」等を例示することができる。「フォンブリ
ンＡＭ−２００１」は、両末端にピペロニル基を有し、
主鎖として、
【００１８】
【化１】
【００１９】を有する化合物であり、「フォンブリンＺ
ＤＥＡＬ」は、両末端にエステル基を有し、主鎖とし
て、
ＤＥＡＬ」は、両末端にエステル基を有し、主鎖とし
て、
【００２０】
【化２】
【００２１】を有する化合物である。
【００２２】また、「デムナムＳＰ」および「デムナム
ＳＹ−３」は、片末端にエステル基を有し、主鎖とし
て、
ＳＹ−３」は、片末端にエステル基を有し、主鎖とし
て、
【００２３】
【化３】
【００２４】を有する化合物である。本発明の潤滑層の
膜厚は０．３ｎｍ以上２．０ｎｍ未満が好ましく、更に
好ましくは、０．５ｎｍ以上１．８ｎｍ以下である。
０．３ｎｍ未満では膜厚が薄すぎ、十分な潤滑特性が得
られず、スライダーヘッドにより潤滑下地層に傷が入り
やすくなる。２．０ｎｍ以上であると潤滑特性に問題は
ないが、潤滑下地層に吸着していないフリーの潤滑剤分
子の割合が増加するため、媒体とＳＩＬヘッドが接触し
た際にＳＩＬヘッド側に付着、移行する潤滑剤分子が認
められるようになる。このＳＩＬヘッドに付着した潤滑
剤分子は、レーザービーム等から発生する熱により分解
するが、その構造により一部が変質し着色した残存物が
発生することがあり、レンズ上に残存物が付着した場
合、透過率が低下し、光学系の特性が悪化してしまう。
膜厚は０．３ｎｍ以上２．０ｎｍ未満が好ましく、更に
好ましくは、０．５ｎｍ以上１．８ｎｍ以下である。
０．３ｎｍ未満では膜厚が薄すぎ、十分な潤滑特性が得
られず、スライダーヘッドにより潤滑下地層に傷が入り
やすくなる。２．０ｎｍ以上であると潤滑特性に問題は
ないが、潤滑下地層に吸着していないフリーの潤滑剤分
子の割合が増加するため、媒体とＳＩＬヘッドが接触し
た際にＳＩＬヘッド側に付着、移行する潤滑剤分子が認
められるようになる。このＳＩＬヘッドに付着した潤滑
剤分子は、レーザービーム等から発生する熱により分解
するが、その構造により一部が変質し着色した残存物が
発生することがあり、レンズ上に残存物が付着した場
合、透過率が低下し、光学系の特性が悪化してしまう。
【００２５】本発明の潤滑下地層としてはダイヤモンド
状カーボンまたはＳｉＯ2を例示することができる。ダ
イヤモンド状カーボン層およびＳｉＯ2層はスパッタ
法、イオンビームスパッタ法、プラズマＣＶＤ法等によ
り成膜することができる。
状カーボンまたはＳｉＯ2を例示することができる。ダ
イヤモンド状カーボン層およびＳｉＯ2層はスパッタ
法、イオンビームスパッタ法、プラズマＣＶＤ法等によ
り成膜することができる。
【００２６】図１に本発明の光記録媒体の一実施態様の
部分断面図を示す。基板１１上に反射層１２、光磁気記
録膜からなる記録層１３、誘電体層１４、潤滑下地層１
５、潤滑層１６が積層されている。
部分断面図を示す。基板１１上に反射層１２、光磁気記
録膜からなる記録層１３、誘電体層１４、潤滑下地層１
５、潤滑層１６が積層されている。
【００２７】基板１１としては機械特性など媒体基板と
しての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガラ
ス、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、
エンジニアリングプラスチック等を用いることができ
る。この基板１１上に反射層１２をＡｌ、Ａｌ合金、Ａ
ｕ、Ａｇなどの金属材料を使用し、スパッタ法または真
空蒸着法等で形成する。この反射層１２上に記録層１３
をＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｎ
ｄＤｙＦｅＣｏ等の光磁気記録膜材料を使用し、スパッ
タ法または真空蒸着法等で形成する。この記録層１３上
に誘電体層１４をＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2等の材料を使用し、スパッタ法または真空蒸着
法等で形成する。この誘電体層１４の上に潤滑下地層１
５としてダイヤモンド状カーボン層またはＳｉＯ2層を
スパッタ法等で形成する。さらにこの潤滑下地層１５の
上に潤滑層１６をディップ引き上げ法等で形成する。
しての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガラ
ス、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、
エンジニアリングプラスチック等を用いることができ
る。この基板１１上に反射層１２をＡｌ、Ａｌ合金、Ａ
ｕ、Ａｇなどの金属材料を使用し、スパッタ法または真
空蒸着法等で形成する。この反射層１２上に記録層１３
をＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｎ
ｄＤｙＦｅＣｏ等の光磁気記録膜材料を使用し、スパッ
タ法または真空蒸着法等で形成する。この記録層１３上
に誘電体層１４をＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2等の材料を使用し、スパッタ法または真空蒸着
法等で形成する。この誘電体層１４の上に潤滑下地層１
５としてダイヤモンド状カーボン層またはＳｉＯ2層を
スパッタ法等で形成する。さらにこの潤滑下地層１５の
上に潤滑層１６をディップ引き上げ法等で形成する。
【００２８】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
【００２９】実施例１ 図１に示すような構造の近接場光磁気記録媒体を製造し
た。即ち、トラックピッチ０．４５μｍの案内溝の付い
たポリカーボネート製の直径１３０ｍｍのディスク状の
基板１１上にＤＣスパッタ法でＡｌ0.97Ｃｒ0.03からな
る膜厚５０ｎｍの反射層１２、その上にＤＣスパッタ法
でＴｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80からなる膜厚２０ｎｍの光
磁気記録層１３、その上に反応性ＲＦスパッタ法でＳｉ
Ｎからなる膜厚３０ｎｍの誘電体層１４、更にその上に
反応性ＲＦスパッタ法でダイヤモンド状カーボンからな
る膜厚２０ｎｍの潤滑下地層１５を形成した。
た。即ち、トラックピッチ０．４５μｍの案内溝の付い
たポリカーボネート製の直径１３０ｍｍのディスク状の
基板１１上にＤＣスパッタ法でＡｌ0.97Ｃｒ0.03からな
る膜厚５０ｎｍの反射層１２、その上にＤＣスパッタ法
でＴｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80からなる膜厚２０ｎｍの光
磁気記録層１３、その上に反応性ＲＦスパッタ法でＳｉ
Ｎからなる膜厚３０ｎｍの誘電体層１４、更にその上に
反応性ＲＦスパッタ法でダイヤモンド状カーボンからな
る膜厚２０ｎｍの潤滑下地層１５を形成した。
【００３０】その後、この媒体を、パーフルオロポリエ
ーテル系溶媒（アウジモント社製、商品名「ガルデンＳ
Ｖ−７０」）に溶解した、重量平均分子量が２４００で
ある、分子端両端にピペロニル基を有するパーフルオロ
ポリエーテル（アウジモント社製、商品名「フォンブリ
ンＡＭ２００１」）の溶液に浸漬した後、媒体を引き上
げることにより潤滑層１６を形成し、光磁気記録媒体を
製造した。
ーテル系溶媒（アウジモント社製、商品名「ガルデンＳ
Ｖ−７０」）に溶解した、重量平均分子量が２４００で
ある、分子端両端にピペロニル基を有するパーフルオロ
ポリエーテル（アウジモント社製、商品名「フォンブリ
ンＡＭ２００１」）の溶液に浸漬した後、媒体を引き上
げることにより潤滑層１６を形成し、光磁気記録媒体を
製造した。
【００３１】この際、溶液濃度を変化させることによ
り、潤滑層の膜厚を０．２、０．５、１．０、１．５ｎ
ｍ、２．０ｎｍと変化させた。なお、潤滑層の膜厚はＥ
ＳＣＡにより測定した。
り、潤滑層の膜厚を０．２、０．５、１．０、１．５ｎ
ｍ、２．０ｎｍと変化させた。なお、潤滑層の膜厚はＥ
ＳＣＡにより測定した。
【００３２】以上のようにして得られた光磁気記録媒体
をグライドテスターにセットして、線速度７．５ｍ／ｓ
で回転させながら、ピエゾ素子のついたグライドヘッド
（グライドライト社製：７０％スライダー、０．０１
２”×６．０ｇｒ）を半径３０〜６０ｍｍの範囲でシー
クさせ、グライド特性について評価した。このグライド
ヘッドの浮上量は線速７．５ｍ／ｓにおいて０．０５μ
ｍである。グライドヘッドをシークさせた際にピエゾ素
子に誘起される電圧をオシロスコープにより観察し、電
圧値が８００ｍＶを越える場合をヘッドと媒体の接触と
判断し、その回数を記録した。
をグライドテスターにセットして、線速度７．５ｍ／ｓ
で回転させながら、ピエゾ素子のついたグライドヘッド
（グライドライト社製：７０％スライダー、０．０１
２”×６．０ｇｒ）を半径３０〜６０ｍｍの範囲でシー
クさせ、グライド特性について評価した。このグライド
ヘッドの浮上量は線速７．５ｍ／ｓにおいて０．０５μ
ｍである。グライドヘッドをシークさせた際にピエゾ素
子に誘起される電圧をオシロスコープにより観察し、電
圧値が８００ｍＶを越える場合をヘッドと媒体の接触と
判断し、その回数を記録した。
【００３３】測定をそれぞれ１０枚ずつ行った結果、潤
滑層膜厚が０．５、１．０、１．５、２．０ｎｍの光磁
気記録媒体は、接触回数はいずれも３回以内で、接触回
数０の媒体の割合は４０％以上と良好であった。潤滑層
膜厚が０．２ｎｍの光磁気記録媒体では接触回数が平均
５回程度であった。
滑層膜厚が０．５、１．０、１．５、２．０ｎｍの光磁
気記録媒体は、接触回数はいずれも３回以内で、接触回
数０の媒体の割合は４０％以上と良好であった。潤滑層
膜厚が０．２ｎｍの光磁気記録媒体では接触回数が平均
５回程度であった。
【００３４】次に、潤滑層膜厚１．０、１．５、２．０
ｎｍの光磁気記録媒体をレーザー波長が６８０ｎｍで実
効的なＮＡが１．２のＳＩＬヘッドの光学系の記録再生
評価機にセットして、記録再生特性について評価した。
媒体を７．０ｍ／ｓの線速度で回転させ、出力を対物レ
ンズの手前で６．０ｍＷになるよう調整したレーザーを
照射しながら、周波数７．０ＭＨｚで±１５０ Ｏｅの
大きさに変調した磁界をＳＩＬヘッドのコイルから加え
ることで媒体に記録を行い、次に出力を対物レンズの手
前で１．０ｍＷになるよう調整したレーザーを照射しな
がら再生した。
ｎｍの光磁気記録媒体をレーザー波長が６８０ｎｍで実
効的なＮＡが１．２のＳＩＬヘッドの光学系の記録再生
評価機にセットして、記録再生特性について評価した。
媒体を７．０ｍ／ｓの線速度で回転させ、出力を対物レ
ンズの手前で６．０ｍＷになるよう調整したレーザーを
照射しながら、周波数７．０ＭＨｚで±１５０ Ｏｅの
大きさに変調した磁界をＳＩＬヘッドのコイルから加え
ることで媒体に記録を行い、次に出力を対物レンズの手
前で１．０ｍＷになるよう調整したレーザーを照射しな
がら再生した。
【００３５】ＣＮＲは潤滑層膜厚１．０、１．５、２．
０ｎｍのいずれの媒体とも４３ｄＢであったが、同一ト
ラックにて同様の記録再生を１０回繰り返した場合、潤
滑層膜厚１．０ｎｍおよび１．５ｎｍの媒体はＣＮＲの
変化は認められなかったが、潤滑層２．０ｎｍの媒体は
ＣＮＲが３５ｄＢに低下した。原因について確認したと
ころ、ＳＩＬヘッドのレンズ表面に付着した潤滑剤が黒
く変色していたためであった。
０ｎｍのいずれの媒体とも４３ｄＢであったが、同一ト
ラックにて同様の記録再生を１０回繰り返した場合、潤
滑層膜厚１．０ｎｍおよび１．５ｎｍの媒体はＣＮＲの
変化は認められなかったが、潤滑層２．０ｎｍの媒体は
ＣＮＲが３５ｄＢに低下した。原因について確認したと
ころ、ＳＩＬヘッドのレンズ表面に付着した潤滑剤が黒
く変色していたためであった。
【００３６】実施例２ 実施例１と同様の方法で潤滑下地層までを積層し、その
後、媒体をパーフルオロポリエーテル系溶媒（アウジモ
ント社製、商品名「ガルデンＳＶ−７０」）に溶解させ
た、重量平均分子量が２０００である、分子端両端にエ
ステル基を有するパーフルオロポリエーテル（アウジモ
ント社製、商品名「フォンブリンＺＤＥＡＬ」）の溶液
に浸漬した後、媒体を引き上げることにより潤滑層を形
成し、光磁気記録媒体を製造した。
後、媒体をパーフルオロポリエーテル系溶媒（アウジモ
ント社製、商品名「ガルデンＳＶ−７０」）に溶解させ
た、重量平均分子量が２０００である、分子端両端にエ
ステル基を有するパーフルオロポリエーテル（アウジモ
ント社製、商品名「フォンブリンＺＤＥＡＬ」）の溶液
に浸漬した後、媒体を引き上げることにより潤滑層を形
成し、光磁気記録媒体を製造した。
【００３７】この際、溶液濃度を変化させることによ
り、潤滑層の膜厚を１．５、２．０ｎｍと変化させた。
り、潤滑層の膜厚を１．５、２．０ｎｍと変化させた。
【００３８】以上のようにして得られた光磁気記録媒体
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。
【００３９】測定を１０枚ずつ行った結果、接触回数は
いずれも３回以内で、接触回数０の媒体の割合は４０％
と良好であった。
いずれも３回以内で、接触回数０の媒体の割合は４０％
と良好であった。
【００４０】次にこの媒体を、実施例１と同様の方法で
記録再生特性について評価した。
記録再生特性について評価した。
【００４１】ＣＮＲはいずれも４３ｄＢであったが、同
一トラックにて同様の記録再生を１０回繰り返した場
合、潤滑層膜厚１．５ｎｍの媒体はＣＮＲの変化は認め
られなかったが、潤滑層２．０ｎｍの媒体はＣＮＲが３
８ｄＢに低下した。原因について確認したところ、ＳＩ
Ｌヘッドのレンズ表面に付着した潤滑剤が黒く変色して
いたためであった。
一トラックにて同様の記録再生を１０回繰り返した場
合、潤滑層膜厚１．５ｎｍの媒体はＣＮＲの変化は認め
られなかったが、潤滑層２．０ｎｍの媒体はＣＮＲが３
８ｄＢに低下した。原因について確認したところ、ＳＩ
Ｌヘッドのレンズ表面に付着した潤滑剤が黒く変色して
いたためであった。
【００４２】比較例１ 実施例１と同様の方法で潤滑下地層までを積層し、その
後、潤滑層を形成することなく光磁気記録媒体を製造し
た。
後、潤滑層を形成することなく光磁気記録媒体を製造し
た。
【００４３】以上のようにして得られた光磁気記録媒体
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。シーク開始時にヘッドが媒体と激しく接触し異音
が発生したため、全面について評価することはできなか
った。
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。シーク開始時にヘッドが媒体と激しく接触し異音
が発生したため、全面について評価することはできなか
った。
【００４４】比較例２ 実施例１と同様の方法で誘電体層までを積層し、潤滑下
地層を形成せず、その後、媒体をパーフルオロポリエー
テル系溶媒（アウジモント社製、商品名「ガルデンＳＶ
−７０」）を使用した、重量平均分子量が２４００であ
る分子端両端にピペロニル基を有するパーフルオロポリ
エーテル（アウジモント社製、商品名「フォンブリンＡ
Ｍ２００１」）の溶液に浸漬した後、媒体を引き上げる
ことにより膜厚２．０ｎｍの潤滑層を形成し、光磁気記
録媒体を製造した。
地層を形成せず、その後、媒体をパーフルオロポリエー
テル系溶媒（アウジモント社製、商品名「ガルデンＳＶ
−７０」）を使用した、重量平均分子量が２４００であ
る分子端両端にピペロニル基を有するパーフルオロポリ
エーテル（アウジモント社製、商品名「フォンブリンＡ
Ｍ２００１」）の溶液に浸漬した後、媒体を引き上げる
ことにより膜厚２．０ｎｍの潤滑層を形成し、光磁気記
録媒体を製造した。
【００４５】以上のようにして得られた光磁気記録媒体
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。シーク時に異音が発生し、シーク後のディスク表
面には全面に薄い傷が発生していた。
を、実施例１と同様の方法でグライド特性について評価
した。シーク時に異音が発生し、シーク後のディスク表
面には全面に薄い傷が発生していた。
【００４６】
【発明の効果】本発明により近接場光記録に適したヘッ
ドクラッシュが起きにくく、レーザービーム等によって
も光学的特性が損なわれることのない潤滑層を有する近
接場光記録用媒体が得られる。
ドクラッシュが起きにくく、レーザービーム等によって
も光学的特性が損なわれることのない潤滑層を有する近
接場光記録用媒体が得られる。
【図１】 本発明の光記録媒体の一例の部分断面を示す
図である。
図である。
１１：基板 １２：反射層 １３：光記録層 １４：誘電体層 １５：潤滑下地層 １６：潤滑層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも光記録層及び潤滑下
地層を形成した光記録媒体において、潤滑下地層の表面
に潤滑層として、パーフルオロポリエーテル誘導体から
なる層を膜厚０．３ｎｍ以上２．０ｎｍ未満で形成した
ことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 潤滑下地層がダイヤモンド状カーボン層
またはＳｉＯ2層であることを特徴とする請求項１に記
載の光記録媒体。 - 【請求項３】 パーフルオロポリエーテル誘導体の重量
平均分子量が１０００以上１００００以下であることを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の光記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11070369A JP2000268406A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11070369A JP2000268406A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000268406A true JP2000268406A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13429468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11070369A Pending JP2000268406A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000268406A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003028020A1 (fr) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| JP2016205327A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 燃料噴射弁 |
-
1999
- 1999-03-16 JP JP11070369A patent/JP2000268406A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003028020A1 (fr) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| JP2016205327A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 燃料噴射弁 |
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