JPH11185313A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH11185313A JPH11185313A JP9354524A JP35452497A JPH11185313A JP H11185313 A JPH11185313 A JP H11185313A JP 9354524 A JP9354524 A JP 9354524A JP 35452497 A JP35452497 A JP 35452497A JP H11185313 A JPH11185313 A JP H11185313A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- optical recording
- recording medium
- film
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヘッドクラッシュが起きにくく、高い耐久性
を有する近接場光記録用の表面記録再生型光記録媒体を
提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも反射膜、第１保護
膜、記録膜、第２保護膜をこの順に形成した表面記録再
生型光記録媒体において、第２保護膜上にダイヤモンド
状カーボン膜を形成する。
を有する近接場光記録用の表面記録再生型光記録媒体を
提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも反射膜、第１保護
膜、記録膜、第２保護膜をこの順に形成した表面記録再
生型光記録媒体において、第２保護膜上にダイヤモンド
状カーボン膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は書き換えが可能な光
記録媒体、特に、レーザービームによって記録層に光学
的変化を生じさせ、情報の記録、再生及び消去を行なう
光磁気記録媒体、あるいは相変化記録媒体に関する。
記録媒体、特に、レーザービームによって記録層に光学
的変化を生じさせ、情報の記録、再生及び消去を行なう
光磁気記録媒体、あるいは相変化記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体は大容量・高密度記録が可能
な可搬型記録媒体であり、近年のマルチメディア化に伴
なうコンピュータの大容量保存ファイルとして動画等を
記録する書き換え型メディアとして需要が急増しつつあ
る。
な可搬型記録媒体であり、近年のマルチメディア化に伴
なうコンピュータの大容量保存ファイルとして動画等を
記録する書き換え型メディアとして需要が急増しつつあ
る。
【０００３】従来の書き換え型光記録媒体は一般にプラ
スチック等の円盤状の基板に記録層を含む多層膜を形成
し、プラスチック基板側からレーザーを照射して記録、
再生、消去を行っていた。
スチック等の円盤状の基板に記録層を含む多層膜を形成
し、プラスチック基板側からレーザーを照射して記録、
再生、消去を行っていた。
【０００４】これに対して、光学ヘッドを記録膜に近付
けて記録再生する、いわゆる、近接場光記録が高密度化
の手段として注目されている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌ
ｅｔｔ．６８，ｐ．１４１（１９９６））。
けて記録再生する、いわゆる、近接場光記録が高密度化
の手段として注目されている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌ
ｅｔｔ．６８，ｐ．１４１（１９９６））。
【０００５】この記録方法ではＳｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒ
ｓｉｏｎ Ｌｅｎｓ（以下ＳＩＬと略す）ヘッドを使用
しレーザービームスポットサイズを縮小することによ
り、従来光源のレーザー波長（λ）によって決まる記録
限界（〜λ／２ＮＡ：ＮＡは対物レンズの開口数）より
短いマークでの再生が可能であり、超高記録密度の記録
再生が実現できる。この近接場光記録では光学ヘッドを
記録媒体に近付ける必要があるために（〜１００ｎ
ｍ）、従来の光記録媒体のように基板を通して記録膜に
レーザービームを照射するのではなく、基板を通さずに
直接記録膜にレーザービームを照射する方法を用いる。
すなわち、記録膜の構成が従来の光記録媒体では基板／
第１保護膜／記録膜／第２保護膜／反射膜としているの
が一般的であるのに対して、近接場光記録では基板／反
射膜／第１保護膜／記録膜／第２保護膜という逆構成の
膜構造として膜表面側からレーザービームを照射し、記
録再生を行なう（表面記録再生）。この際、記録膜とＳ
ＩＬヘッドを近付けるために浮上式のスライダーヘッド
を利用することが提案されている。
ｓｉｏｎ Ｌｅｎｓ（以下ＳＩＬと略す）ヘッドを使用
しレーザービームスポットサイズを縮小することによ
り、従来光源のレーザー波長（λ）によって決まる記録
限界（〜λ／２ＮＡ：ＮＡは対物レンズの開口数）より
短いマークでの再生が可能であり、超高記録密度の記録
再生が実現できる。この近接場光記録では光学ヘッドを
記録媒体に近付ける必要があるために（〜１００ｎ
ｍ）、従来の光記録媒体のように基板を通して記録膜に
レーザービームを照射するのではなく、基板を通さずに
直接記録膜にレーザービームを照射する方法を用いる。
すなわち、記録膜の構成が従来の光記録媒体では基板／
第１保護膜／記録膜／第２保護膜／反射膜としているの
が一般的であるのに対して、近接場光記録では基板／反
射膜／第１保護膜／記録膜／第２保護膜という逆構成の
膜構造として膜表面側からレーザービームを照射し、記
録再生を行なう（表面記録再生）。この際、記録膜とＳ
ＩＬヘッドを近付けるために浮上式のスライダーヘッド
を利用することが提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近接場光記録では上述
のように超高記録密度が可能であるが、光学ヘッドを記
録膜に接近させる必要がある。この場合、浮上式のスラ
イダーヘッドが記録膜に衝突する、いわゆる、ヘッドク
ラッシュが起きやすく、高い耐久性のある記録膜を得る
のが困難である。
のように超高記録密度が可能であるが、光学ヘッドを記
録膜に接近させる必要がある。この場合、浮上式のスラ
イダーヘッドが記録膜に衝突する、いわゆる、ヘッドク
ラッシュが起きやすく、高い耐久性のある記録膜を得る
のが困難である。
【０００７】本発明は、ヘッドクラッシュが起きにく
い、高い耐久性のある表面記録再生型光記録膜を提供す
ることを目的としている。
い、高い耐久性のある表面記録再生型光記録膜を提供す
ることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上述のよう
な現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、近接場光記録を
利用した表面記録再生型光記録媒体において、保護層の
上に透明なダイヤモンド状カーボン膜と潤滑層を形成す
ることにより、光学的な特性を損なうことなくヘッドク
ラッシュが起きにくく耐久性の高い記録膜が得られるこ
とを見いだし本発明を完成するに至った。
な現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、近接場光記録を
利用した表面記録再生型光記録媒体において、保護層の
上に透明なダイヤモンド状カーボン膜と潤滑層を形成す
ることにより、光学的な特性を損なうことなくヘッドク
ラッシュが起きにくく耐久性の高い記録膜が得られるこ
とを見いだし本発明を完成するに至った。
【０００９】すなわち、本発明の光記録媒体は基板上に
少なくとも記録層、保護層をこの順に形成した光記録媒
体において、保護層上にダイヤモンド状カーボン（ＤＬ
Ｃ）層を形成し、さらにこのダイヤモンド状カーボン層
の上に潤滑層を形成したことを特徴とするものである。
少なくとも記録層、保護層をこの順に形成した光記録媒
体において、保護層上にダイヤモンド状カーボン（ＤＬ
Ｃ）層を形成し、さらにこのダイヤモンド状カーボン層
の上に潤滑層を形成したことを特徴とするものである。
【００１０】本発明の光記録媒体の記録層はＴｂＦｅＣ
ｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ等の光磁気記録膜、あるいはＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ等の相変化記録膜など偏光面、反射率、光の位
相などの変化で記録が可能な膜で構成される。
ｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ等の光磁気記録膜、あるいはＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ等の相変化記録膜など偏光面、反射率、光の位
相などの変化で記録が可能な膜で構成される。
【００１１】本発明の光記録媒体の保護層はＡｌＮ、Ｓ
ｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等からなる透明な誘
電体膜で構成される。
ｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等からなる透明な誘
電体膜で構成される。
【００１２】本発明の光記録媒体のＤＬＣ層は水素を含
有したカーボンで構成し、波長６３３ｎｍにおける屈折
率が１．７〜２．１の範囲とすることが好ましい。ＤＬ
Ｃは水素含有ＤＬＣと窒素含有ＤＬＣがあるが水素含有
ＤＬＣのほうが透明性が高く光ディスクに用いるには好
ましい。窒素含有ＤＬＣを用いてもスライダーヘッドの
浮上性は向上するが、窒素含有ＤＬＣの場合は膜厚を１
０ｎｍ以下として光の吸収を少なくすることが好まし
い。
有したカーボンで構成し、波長６３３ｎｍにおける屈折
率が１．７〜２．１の範囲とすることが好ましい。ＤＬ
Ｃは水素含有ＤＬＣと窒素含有ＤＬＣがあるが水素含有
ＤＬＣのほうが透明性が高く光ディスクに用いるには好
ましい。窒素含有ＤＬＣを用いてもスライダーヘッドの
浮上性は向上するが、窒素含有ＤＬＣの場合は膜厚を１
０ｎｍ以下として光の吸収を少なくすることが好まし
い。
【００１３】ＤＬＣ層はスパッタ法、イオンビームスパ
ッタ法、プラズマＣＶＤ法等により成膜することができ
る。スパッタ法で水素含有ＤＬＣを作製するにはアルゴ
ン（Ａｒ）とメタン（ＣＨ4）、あるいはアルゴン（Ａ
ｒ）と水素（Ｈ2）の雰囲気中でカーボン（Ｃ）ターゲ
ットをスパッタすることなどで可能である。メタンや水
素の流量を大きくすると屈折率は小さくなる。従ってス
パッタ成膜中のメタンや水素の流量でＤＬＣの屈折率は
制御可能である。ＤＬＣの屈折率を１．７以上とするこ
とで欠陥にスライダーヘッドがヒットしたときの衝撃を
やわらげヘッドクラッシュが起きにくくなる。また、屈
折率を２．１以下とすることで波長６００ｎｍ以上で吸
収をほとんど無視できる程度に透明となる。また、波長
６００ｎｍから４００ｎｍの間は６３３ｎｍでの屈折率
が低いほど吸収が少ないが、吸収率に応じてＤＬＣ層を
薄く設定することで光学的な特性をほとんど損なうこと
なくスライダーヘッドの浮上特性が向上する。
ッタ法、プラズマＣＶＤ法等により成膜することができ
る。スパッタ法で水素含有ＤＬＣを作製するにはアルゴ
ン（Ａｒ）とメタン（ＣＨ4）、あるいはアルゴン（Ａ
ｒ）と水素（Ｈ2）の雰囲気中でカーボン（Ｃ）ターゲ
ットをスパッタすることなどで可能である。メタンや水
素の流量を大きくすると屈折率は小さくなる。従ってス
パッタ成膜中のメタンや水素の流量でＤＬＣの屈折率は
制御可能である。ＤＬＣの屈折率を１．７以上とするこ
とで欠陥にスライダーヘッドがヒットしたときの衝撃を
やわらげヘッドクラッシュが起きにくくなる。また、屈
折率を２．１以下とすることで波長６００ｎｍ以上で吸
収をほとんど無視できる程度に透明となる。また、波長
６００ｎｍから４００ｎｍの間は６３３ｎｍでの屈折率
が低いほど吸収が少ないが、吸収率に応じてＤＬＣ層を
薄く設定することで光学的な特性をほとんど損なうこと
なくスライダーヘッドの浮上特性が向上する。
【００１４】本発明の光記録媒体の潤滑層はシリコーン
オイル、あるいはフルオロポリエーテル系のフッ素オイ
ル等潤滑性を示すものであれば使用できるが、特にパー
フルオロポリエーテル及びパーフルオロポリエーテル誘
導体が望ましい。パーフルオロポリエーテル誘導体とし
てはアルコール変性パーフルオロポリエーテル、エステ
ル変性パーフルオロポリエーテル、イソシアネート変性
パーフルオロポリエーテル、カルボキシル基変性パーフ
ルオロポリエーテル、ピペロニル変性パーフルオロポリ
エーテル等が挙げられる。本発明の潤滑層の膜厚は０．
３ｎｍ以上４．０ｎｍ以下が好ましい。０．３ｎｍ未満
では潤滑層の保護性能が足りなくなり薄膜に傷がはいり
やすくなり、４．０ｎｍ以上ではスライダーヘッドがデ
ィスクに張り付いてクラッシュしやすくなる。
オイル、あるいはフルオロポリエーテル系のフッ素オイ
ル等潤滑性を示すものであれば使用できるが、特にパー
フルオロポリエーテル及びパーフルオロポリエーテル誘
導体が望ましい。パーフルオロポリエーテル誘導体とし
てはアルコール変性パーフルオロポリエーテル、エステ
ル変性パーフルオロポリエーテル、イソシアネート変性
パーフルオロポリエーテル、カルボキシル基変性パーフ
ルオロポリエーテル、ピペロニル変性パーフルオロポリ
エーテル等が挙げられる。本発明の潤滑層の膜厚は０．
３ｎｍ以上４．０ｎｍ以下が好ましい。０．３ｎｍ未満
では潤滑層の保護性能が足りなくなり薄膜に傷がはいり
やすくなり、４．０ｎｍ以上ではスライダーヘッドがデ
ィスクに張り付いてクラッシュしやすくなる。
【００１５】本発明を光磁気記録媒体に適用する場合
は、基板上に少なくとも第１保護層、光磁気記録層、第
２保護層、ダイヤモンド状カーボン層、潤滑層を積層し
てなることが好ましい。
は、基板上に少なくとも第１保護層、光磁気記録層、第
２保護層、ダイヤモンド状カーボン層、潤滑層を積層し
てなることが好ましい。
【００１６】図１にこの構成の本発明の光記録媒体の一
実施様態の部分断面図を示す。基板１１上に第１保護層
１２、光磁気記録膜からなる記録層１３、第２保護層１
４、ダイヤモンド状カーボン層１５、潤滑層１６が積層
されている。
実施様態の部分断面図を示す。基板１１上に第１保護層
１２、光磁気記録膜からなる記録層１３、第２保護層１
４、ダイヤモンド状カーボン層１５、潤滑層１６が積層
されている。
【００１７】基板１１としては機械特性などの媒体基板
としての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガ
ラス、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィ
ン、スーパーエンジニアリングプラスチック等を用いる
ことができる。この基板１１の上に第１保護層１２とし
てＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等の透
明な誘電体膜をスパッタ法又は真空蒸着法等で形成す
る。この第１保護層１２上にＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等の光磁気記
録膜からなる記録層１３をスパッタ法又は真空蒸着法等
で形成する。この記録層１３上に第２保護層１４として
ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等をスパ
ッタ法又は真空蒸着法等で形成する。この上にＤＬＣ膜
１５をスパッタ法などで形成する。さらにこの上に、潤
滑層１６をディップ引き上げ法等の方法で形成する。
としての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガ
ラス、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィ
ン、スーパーエンジニアリングプラスチック等を用いる
ことができる。この基板１１の上に第１保護層１２とし
てＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等の透
明な誘電体膜をスパッタ法又は真空蒸着法等で形成す
る。この第１保護層１２上にＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等の光磁気記
録膜からなる記録層１３をスパッタ法又は真空蒸着法等
で形成する。この記録層１３上に第２保護層１４として
ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等をスパ
ッタ法又は真空蒸着法等で形成する。この上にＤＬＣ膜
１５をスパッタ法などで形成する。さらにこの上に、潤
滑層１６をディップ引き上げ法等の方法で形成する。
【００１８】第１保護層１２は記録層１３を保護できる
程度の膜厚があれば良く、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下
の膜厚が好ましい。記録層１３は光が第１保護層１２ま
で透過しない程度の膜厚が必要で３０ｎｍ以上２００ｎ
ｍ以下の膜厚が好ましい。第２保護層１４は記録層を保
護する役割のほかに記録層への光吸収効率を制御した
り、記録前後の反射光の変化量やカー回転角を大きくす
る役割も有する。このため、第２保護層１４の膜厚は使
用するレーザー波長などを考慮して設計し、２０ｎｍ以
上３００ｎｍ以下が好ましい。基板１１と第１保護層１
２の間にＡｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ａｇなどの熱伝導の良
好な膜をヒートシンクとして挿入し、記録感度を調整す
ることも可能である。
程度の膜厚があれば良く、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下
の膜厚が好ましい。記録層１３は光が第１保護層１２ま
で透過しない程度の膜厚が必要で３０ｎｍ以上２００ｎ
ｍ以下の膜厚が好ましい。第２保護層１４は記録層を保
護する役割のほかに記録層への光吸収効率を制御した
り、記録前後の反射光の変化量やカー回転角を大きくす
る役割も有する。このため、第２保護層１４の膜厚は使
用するレーザー波長などを考慮して設計し、２０ｎｍ以
上３００ｎｍ以下が好ましい。基板１１と第１保護層１
２の間にＡｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ａｇなどの熱伝導の良
好な膜をヒートシンクとして挿入し、記録感度を調整す
ることも可能である。
【００１９】本発明を光磁気記録媒体に適用する場合の
他の媒体構成としては、基板上に少なくとも反射層、光
磁気記録層、保護層、ダイヤモンド状カーボン層、潤滑
層を積層してなることを特徴とすることがあげられる。
他の媒体構成としては、基板上に少なくとも反射層、光
磁気記録層、保護層、ダイヤモンド状カーボン層、潤滑
層を積層してなることを特徴とすることがあげられる。
【００２０】図２に本発明のこの構成の光記録媒体の一
実施様態の部分断面図を示す。基板２１上に反射層２
２、第１保護層２３、光磁気記録層２４、第２保護層２
５、ダイヤモンド状カーボン層２６、潤滑層２７が積層
されている。
実施様態の部分断面図を示す。基板２１上に反射層２
２、第１保護層２３、光磁気記録層２４、第２保護層２
５、ダイヤモンド状カーボン層２６、潤滑層２７が積層
されている。
【００２１】反射層２２はＡｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ａｇ
などの反射率の高い材料で構成され、膜厚は反射率を確
保するため１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。第
１保護層２３と第２保護層２５はＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｔａ
2Ｏ5、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等の透明な誘電体膜である。光
磁気記録層１５の膜厚は記録の安定性を確保するために
８ｎｍ以上が好ましく、ある程度反射層まで光を透過さ
せて多重反射を起こさせてカー回転角を増大させるため
に４０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がさらに好ま
しい。
などの反射率の高い材料で構成され、膜厚は反射率を確
保するため１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。第
１保護層２３と第２保護層２５はＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｔａ
2Ｏ5、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等の透明な誘電体膜である。光
磁気記録層１５の膜厚は記録の安定性を確保するために
８ｎｍ以上が好ましく、ある程度反射層まで光を透過さ
せて多重反射を起こさせてカー回転角を増大させるため
に４０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がさらに好ま
しい。
【００２２】このような構成でプラスチック基板のよう
に環境変化により基板が変形しやすい基板を使っても環
境変化に強く、反射層が結晶性であっても結晶のグレイ
ンによるノイズを低くするためには、図３に示すように
基板３１上に膜厚ｄ1の反射層３２、膜厚ｄ2の光磁気記
録層３３、膜厚ｄ3の保護層３４、膜厚ｄ4のダイヤモン
ド状カーボン層３５、潤滑層３６を積層してなり、各層
の膜厚が１０ｎｍ≦ｄ1≦１００ｎｍ、８ｎｍ≦ｄ2≦３
０ｎｍ、５ｎｍ≦ｄ3、３０ｎｍ≦ｄ3＋ｄ4≦１００ｎ
ｍ、５ｎｍ≦ｄ4≦６０ｎｍであることが好ましい。こ
のような構成により、薄い記録膜でも良好な光磁気出力
を得ることが可能であり、かつ膜厚が薄いために膜中の
応力が小さく衝突の衝撃や環境変化に対して膜が割れに
くくなる。また、反射層にＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等のアモルフ
ァスの光磁気記録層を直接積層することで反射層のグレ
インによるノイズが強調されなくなる。
に環境変化により基板が変形しやすい基板を使っても環
境変化に強く、反射層が結晶性であっても結晶のグレイ
ンによるノイズを低くするためには、図３に示すように
基板３１上に膜厚ｄ1の反射層３２、膜厚ｄ2の光磁気記
録層３３、膜厚ｄ3の保護層３４、膜厚ｄ4のダイヤモン
ド状カーボン層３５、潤滑層３６を積層してなり、各層
の膜厚が１０ｎｍ≦ｄ1≦１００ｎｍ、８ｎｍ≦ｄ2≦３
０ｎｍ、５ｎｍ≦ｄ3、３０ｎｍ≦ｄ3＋ｄ4≦１００ｎ
ｍ、５ｎｍ≦ｄ4≦６０ｎｍであることが好ましい。こ
のような構成により、薄い記録膜でも良好な光磁気出力
を得ることが可能であり、かつ膜厚が薄いために膜中の
応力が小さく衝突の衝撃や環境変化に対して膜が割れに
くくなる。また、反射層にＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等のアモルフ
ァスの光磁気記録層を直接積層することで反射層のグレ
インによるノイズが強調されなくなる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
【００２４】（実施例１、比較例１及び比較例２）以下
に記すようにして、図２に示すような構造の近接場光記
録用の光記録媒体を製造した。トラックピッチ０．４５
μｍのポリカーボネート製の直径１３０ｍｍのディスク
状の基板２１上に反射層２２としてＡｌ−３ｗｔ％Ｃｒ
合金膜（膜厚５０ｎｍ）をＤＣスパッタ法により形成し
た。この上にＳｉＮからなる第１保護層２３をＡｒとＮ
2の混合雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性Ｒ
Ｆスパッタ法で形成した（膜厚５ｎｍ）。この上にＴｂ
20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80からなる光磁気記録層２４をＴｂ
ターゲットとＦｅ90Ｃｏ10ターゲットのＤＣ同時スパッ
タ法により形成した（膜厚２０ｎｍ）。さらにこの上に
ＳｉＮからなる第２保護層２５をＡｒとＮ2の混合雰囲
気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＲＦスパッタ法
で形成した（膜厚３０ｎｍ）。この上に６３３ｎｍにお
ける屈折率が１．８５のＤＬＣ層２６をＡｒとＣＨ4の
混合雰囲気中でＣターゲットを使用した反応性ＲＦスパ
ッタ法で形成した（膜厚２０ｎｍ）。
に記すようにして、図２に示すような構造の近接場光記
録用の光記録媒体を製造した。トラックピッチ０．４５
μｍのポリカーボネート製の直径１３０ｍｍのディスク
状の基板２１上に反射層２２としてＡｌ−３ｗｔ％Ｃｒ
合金膜（膜厚５０ｎｍ）をＤＣスパッタ法により形成し
た。この上にＳｉＮからなる第１保護層２３をＡｒとＮ
2の混合雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性Ｒ
Ｆスパッタ法で形成した（膜厚５ｎｍ）。この上にＴｂ
20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80からなる光磁気記録層２４をＴｂ
ターゲットとＦｅ90Ｃｏ10ターゲットのＤＣ同時スパッ
タ法により形成した（膜厚２０ｎｍ）。さらにこの上に
ＳｉＮからなる第２保護層２５をＡｒとＮ2の混合雰囲
気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＲＦスパッタ法
で形成した（膜厚３０ｎｍ）。この上に６３３ｎｍにお
ける屈折率が１．８５のＤＬＣ層２６をＡｒとＣＨ4の
混合雰囲気中でＣターゲットを使用した反応性ＲＦスパ
ッタ法で形成した（膜厚２０ｎｍ）。
【００２５】ＤＬＣ層２６を形成した後、パーフルオロ
ポリエーテル系溶媒（アウジモント社製、商品名「ガル
デンＳＶ−７０」）を使用したピペロニル変性パーフル
オロポリエーテル（アウジモント社製、商品名「フォン
ブリン：ＡＭ２００１」）の溶液から記録媒体を引き上
げることにより潤滑層２７を塗布して光磁気記録媒体を
完成させた。
ポリエーテル系溶媒（アウジモント社製、商品名「ガル
デンＳＶ−７０」）を使用したピペロニル変性パーフル
オロポリエーテル（アウジモント社製、商品名「フォン
ブリン：ＡＭ２００１」）の溶液から記録媒体を引き上
げることにより潤滑層２７を塗布して光磁気記録媒体を
完成させた。
【００２６】この際、溶液濃度と引き上げ速度を変化さ
せることにより潤滑層の膜厚を０．２、０．５、１．
０、２．０、３．０、４．５ｎｍと変化させた光磁気記
録媒体を作製した。潤滑層の膜厚はＸ線光電子分光法
（ＸＰＳ）を使用し、Ｃ1Sピーク強度を観察することに
より算出した。
せることにより潤滑層の膜厚を０．２、０．５、１．
０、２．０、３．０、４．５ｎｍと変化させた光磁気記
録媒体を作製した。潤滑層の膜厚はＸ線光電子分光法
（ＸＰＳ）を使用し、Ｃ1Sピーク強度を観察することに
より算出した。
【００２７】また、比較例１として基板２１からＤＬＣ
層２６までは実施例１と同様に積層し、潤滑層２７を塗
布しない光磁気記録媒体および比較例２として基板２１
から光磁気記録層２４までは実施例１と同様に積層し、
ＳｉＮからなる第２保護層２５を５０ｎｍ積層し、ＤＬ
Ｃ層２６を省いて潤滑層２７を２．０ｎｍ塗布した光磁
気記録媒体を作製した。
層２６までは実施例１と同様に積層し、潤滑層２７を塗
布しない光磁気記録媒体および比較例２として基板２１
から光磁気記録層２４までは実施例１と同様に積層し、
ＳｉＮからなる第２保護層２５を５０ｎｍ積層し、ＤＬ
Ｃ層２６を省いて潤滑層２７を２．０ｎｍ塗布した光磁
気記録媒体を作製した。
【００２８】以上のようにして得られた光磁気記録媒体
をグライドテスターにセットして、線速度７．５ｍ／ｓ
で回転させながら、ピエゾ素子のついたグライドヘッド
（グライドライト社製：７０％スライダー、０．０１
２″×６．０ｇｒ）を半径３０〜６０ｍｍの範囲でシー
クさせた。このグライドヘッドの浮上量は線速７．５ｍ
／ｓにおいて０．０５μｍである。グライドヘッドをシ
ークさせた際にピエゾ素子に誘起される電圧をオシロス
コープにより観察した。この際、８００ｍＶを越える電
圧値を記録媒体との接触と判断しカウントした。
をグライドテスターにセットして、線速度７．５ｍ／ｓ
で回転させながら、ピエゾ素子のついたグライドヘッド
（グライドライト社製：７０％スライダー、０．０１
２″×６．０ｇｒ）を半径３０〜６０ｍｍの範囲でシー
クさせた。このグライドヘッドの浮上量は線速７．５ｍ
／ｓにおいて０．０５μｍである。グライドヘッドをシ
ークさせた際にピエゾ素子に誘起される電圧をオシロス
コープにより観察した。この際、８００ｍＶを越える電
圧値を記録媒体との接触と判断しカウントした。
【００２９】以上の測定を実施例１、比較例１及び比較
例２の光磁気記録媒体それぞれ１０枚づつに対して行っ
たところ、実施例１の潤滑層膜厚が０．５、１．０、
２．０、３．０ｎｍの光磁気記録媒体では目に見える傷
の発生はなく、ヒット数はいずれも３個以内で、ヒット
数がゼロの媒体の割合は４０％以上と良好であった。実
施例１の潤滑層膜厚が０．２ｎｍの光磁気記録媒体では
ヒット数が平均５個程度でクラッシュは無かったがいづ
れの媒体にも目に見える細かな傷が数個発生した。実施
例１の潤滑層膜厚が４．５ｎｍの光磁気記録媒体では、
１０枚中３枚に傷が数本発生した。残りの媒体はヒット
数が５個以内であった。潤滑層を形成していない比較例
１及びＤＬＣ層を省いた比較例２の光磁気記録媒体では
いずれの媒体もヘッドをロードしたとたんにクラッシュ
した。
例２の光磁気記録媒体それぞれ１０枚づつに対して行っ
たところ、実施例１の潤滑層膜厚が０．５、１．０、
２．０、３．０ｎｍの光磁気記録媒体では目に見える傷
の発生はなく、ヒット数はいずれも３個以内で、ヒット
数がゼロの媒体の割合は４０％以上と良好であった。実
施例１の潤滑層膜厚が０．２ｎｍの光磁気記録媒体では
ヒット数が平均５個程度でクラッシュは無かったがいづ
れの媒体にも目に見える細かな傷が数個発生した。実施
例１の潤滑層膜厚が４．５ｎｍの光磁気記録媒体では、
１０枚中３枚に傷が数本発生した。残りの媒体はヒット
数が５個以内であった。潤滑層を形成していない比較例
１及びＤＬＣ層を省いた比較例２の光磁気記録媒体では
いずれの媒体もヘッドをロードしたとたんにクラッシュ
した。
【００３０】以上の結果より潤滑層は０．３ｎｍ以上
４．０ｎｍ以下の厚さが好ましい。また、ＤＬＣ層２６
がないと媒体の浮上特性が良くないことがわかった。
４．０ｎｍ以下の厚さが好ましい。また、ＤＬＣ層２６
がないと媒体の浮上特性が良くないことがわかった。
【００３１】（実施例２及び比較例３）以下に記すよう
にして、図１に示すような構造の近接場光記録用の光記
録媒体を製造した。トラックピッチ０．４５μｍのポリ
カーボネート製の直径１３０ｍｍのディスク状の基板１
１上にＡｌＳｉＮからなる第１保護層１２をＡｒとＮ2
の混合雰囲気中でＡｌＳｉターゲットを使用した反応性
ＲＦスパッタ法で形成した（膜厚５０ｎｍ）。この上に
Ｔｂ22（Ｆｅ85Ｃｏ15）78からなる光磁気記録層１３を
ＴｂターゲットとＦｅ85Ｃｏ15ターゲットのＤＣ同時ス
パッタ法により形成した（膜厚７０ｎｍ）。さらにこの
上にＳｉＮからなる第２保護層１４をＡｒとＮ2の混合
雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＲＦスパッ
タ法で形成した（膜厚８０ｎｍ）。この上に６３３ｎｍ
における屈折率が１．９のＤＬＣ層１５をＡｒとＣＨ4
の混合雰囲気中でＣターゲットを使用した反応性ＲＦス
パッタ法で形成した（膜厚３０ｎｍ）。
にして、図１に示すような構造の近接場光記録用の光記
録媒体を製造した。トラックピッチ０．４５μｍのポリ
カーボネート製の直径１３０ｍｍのディスク状の基板１
１上にＡｌＳｉＮからなる第１保護層１２をＡｒとＮ2
の混合雰囲気中でＡｌＳｉターゲットを使用した反応性
ＲＦスパッタ法で形成した（膜厚５０ｎｍ）。この上に
Ｔｂ22（Ｆｅ85Ｃｏ15）78からなる光磁気記録層１３を
ＴｂターゲットとＦｅ85Ｃｏ15ターゲットのＤＣ同時ス
パッタ法により形成した（膜厚７０ｎｍ）。さらにこの
上にＳｉＮからなる第２保護層１４をＡｒとＮ2の混合
雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＲＦスパッ
タ法で形成した（膜厚８０ｎｍ）。この上に６３３ｎｍ
における屈折率が１．９のＤＬＣ層１５をＡｒとＣＨ4
の混合雰囲気中でＣターゲットを使用した反応性ＲＦス
パッタ法で形成した（膜厚３０ｎｍ）。
【００３２】ＤＬＣ層１５を形成した後、パーフルオロ
ポリエーテル系溶媒（アウジモント社製、商品名「ガル
デンＳＶ−７０」）を使用したピペロニル変性パーフル
オロポリエーテル（アウジモント社製、商品名「フォン
ブリン：ＡＭ２００１」）の溶液から記録媒体を引き上
げることにより潤滑層１６を１．５ｎｍ塗布して光磁気
記録媒体を完成させた。
ポリエーテル系溶媒（アウジモント社製、商品名「ガル
デンＳＶ−７０」）を使用したピペロニル変性パーフル
オロポリエーテル（アウジモント社製、商品名「フォン
ブリン：ＡＭ２００１」）の溶液から記録媒体を引き上
げることにより潤滑層１６を１．５ｎｍ塗布して光磁気
記録媒体を完成させた。
【００３３】また、比較例３として基板１１から光磁気
記録層１３までは実施例２と同様に積層し、ＳｉＮから
なる第２保護層１４を１０５ｎｍ積層し、ＤＬＣ層１５
を省いて潤滑層１６を１．５ｎｍ塗布した光磁気記録媒
体を作製した。
記録層１３までは実施例２と同様に積層し、ＳｉＮから
なる第２保護層１４を１０５ｎｍ積層し、ＤＬＣ層１５
を省いて潤滑層１６を１．５ｎｍ塗布した光磁気記録媒
体を作製した。
【００３４】以上のようにして得られた光記録媒体をグ
ライドテスターにセットして、実施例１と同様の方法で
グライド試験を行った。実施例２および比較例３の光磁
気記録媒体それぞれ１０枚づつに対して行ったところ、
実施例２では目で見える傷はなく、ヒット数はいずれも
５個以内でヒット数がゼロの媒体の割合は３０％であっ
た。比較例３ではいずれの媒体もヘッドをロードしたと
たんにクラッシュした。以上の結果よりＤＬＣ層１５が
ないと媒体の浮上特性が良くないことがわかった。
ライドテスターにセットして、実施例１と同様の方法で
グライド試験を行った。実施例２および比較例３の光磁
気記録媒体それぞれ１０枚づつに対して行ったところ、
実施例２では目で見える傷はなく、ヒット数はいずれも
５個以内でヒット数がゼロの媒体の割合は３０％であっ
た。比較例３ではいずれの媒体もヘッドをロードしたと
たんにクラッシュした。以上の結果よりＤＬＣ層１５が
ないと媒体の浮上特性が良くないことがわかった。
【００３５】（実施例３）実施例１と同様の構成の媒体
で潤滑層２７の膜厚が２．０ｎｍで、ＤＬＣ層２６の形
成条件としてＡｒに対するＣＨ4の割合を変化させるこ
とで屈折率を変化させて、屈折率１．６、１．６５、
１．７５、１．９、２．０の媒体を作製した。
で潤滑層２７の膜厚が２．０ｎｍで、ＤＬＣ層２６の形
成条件としてＡｒに対するＣＨ4の割合を変化させるこ
とで屈折率を変化させて、屈折率１．６、１．６５、
１．７５、１．９、２．０の媒体を作製した。
【００３６】以上のようにして得られた光記録媒体をグ
ライドテスターにセットして、実施例１と同様の方法で
グライド試験を行った。実施例３の光磁気記録媒体それ
ぞれ１０枚づつに対して行ったところ、実施例３の屈折
率が１．７５、１．９、２．０の光磁気記録媒体では目
で見える傷はなく、ヒット数は屈折率１．７５の媒体で
はいずれも５個以内でヒット数がゼロの媒体の割合は３
０％、屈折率１．９の媒体ではいずれも３個以内でヒッ
ト数がゼロの媒体の割合は５０％、屈折率２．０の媒体
ではいずれも３個以内でヒット数がゼロの媒体の割合は
５０％であった。実施例３の屈折率が１．６、１．６５
の光磁気記録媒体ではロード時に薄く目で見える傷が数
個生じ、ヒット数は屈折率１．６の媒体ではいずれも２
０個以内でヒット数がゼロの媒体はなく、屈折率１．６
５の媒体ではいずれも１２個以内でヒット数がゼロの媒
体はなかった。
ライドテスターにセットして、実施例１と同様の方法で
グライド試験を行った。実施例３の光磁気記録媒体それ
ぞれ１０枚づつに対して行ったところ、実施例３の屈折
率が１．７５、１．９、２．０の光磁気記録媒体では目
で見える傷はなく、ヒット数は屈折率１．７５の媒体で
はいずれも５個以内でヒット数がゼロの媒体の割合は３
０％、屈折率１．９の媒体ではいずれも３個以内でヒッ
ト数がゼロの媒体の割合は５０％、屈折率２．０の媒体
ではいずれも３個以内でヒット数がゼロの媒体の割合は
５０％であった。実施例３の屈折率が１．６、１．６５
の光磁気記録媒体ではロード時に薄く目で見える傷が数
個生じ、ヒット数は屈折率１．６の媒体ではいずれも２
０個以内でヒット数がゼロの媒体はなく、屈折率１．６
５の媒体ではいずれも１２個以内でヒット数がゼロの媒
体はなかった。
【００３７】（実施例４）以下に記すようにして、図３
に示すような構造の近接場光記録用の光磁気記録媒体を
製造した。トラックピッチ０．４５μｍのポリカーボネ
ート製の直径１３０ｍｍのディスク状の基板３１上に反
射層３２としてＡｌ−３ｗｔ％Ｃｒ合金膜（膜厚５０ｎ
ｍ）をＤＣスパッタ法により形成した。この上にＴｂ20
（Ｆｅ90Ｃｏ10）80からなる光磁気記録層３３をＴｂタ
ーゲットとＦｅ90Ｃｏ10ターゲットのＤＣ同時スパッタ
法により形成した（膜厚２０ｎｍ）。さらにこの上にＳ
ｉＮからなる保護層３４をＡｒとＮ2の混合雰囲気中で
Ｓｉターゲットを使用した反応性ＲＦスパッタ法で形成
した（膜厚３０ｎｍ）。この上に６３３ｎｍにおける屈
折率が１．８５のＤＬＣ層３５をＡｒとＣＨ4の混合雰
囲気中でＣターゲットを使用した反応性ＲＦスパッタ法
で形成した（膜厚２０ｎｍ）。
に示すような構造の近接場光記録用の光磁気記録媒体を
製造した。トラックピッチ０．４５μｍのポリカーボネ
ート製の直径１３０ｍｍのディスク状の基板３１上に反
射層３２としてＡｌ−３ｗｔ％Ｃｒ合金膜（膜厚５０ｎ
ｍ）をＤＣスパッタ法により形成した。この上にＴｂ20
（Ｆｅ90Ｃｏ10）80からなる光磁気記録層３３をＴｂタ
ーゲットとＦｅ90Ｃｏ10ターゲットのＤＣ同時スパッタ
法により形成した（膜厚２０ｎｍ）。さらにこの上にＳ
ｉＮからなる保護層３４をＡｒとＮ2の混合雰囲気中で
Ｓｉターゲットを使用した反応性ＲＦスパッタ法で形成
した（膜厚３０ｎｍ）。この上に６３３ｎｍにおける屈
折率が１．８５のＤＬＣ層３５をＡｒとＣＨ4の混合雰
囲気中でＣターゲットを使用した反応性ＲＦスパッタ法
で形成した（膜厚２０ｎｍ）。
【００３８】ＤＬＣ層３５を形成した後、パーフルオロ
ポリエーテル系溶媒（アウジモント社製、商品名「ガル
デンＳＶ−７０」）を使用したピペロニル変性パーフル
オロポリエーテル（アウジモント社製、商品名「フォン
ブリン：ＡＭ２００１」）の溶液から記録媒体を引き上
げることにより潤滑層３６を２．０ｎｍ塗布して光磁気
記録媒体を完成させた。
ポリエーテル系溶媒（アウジモント社製、商品名「ガル
デンＳＶ−７０」）を使用したピペロニル変性パーフル
オロポリエーテル（アウジモント社製、商品名「フォン
ブリン：ＡＭ２００１」）の溶液から記録媒体を引き上
げることにより潤滑層３６を２．０ｎｍ塗布して光磁気
記録媒体を完成させた。
【００３９】レーザー波長が６８０ｎｍで実効的なＮＡ
が１．２のＳＩＬヘッドの光学系の記録再生評価機に実
施例１および実施例４の媒体をセットして記録再生特性
を評価した。７ｍ／ｓの線速度で回転させながら、対物
レンズの手前のレーザー出力が６ｍＷになるようにレー
ザーを照射しながら、周波数７ＭＨｚで±１５０ Ｏｅ
の大きさで変調させた磁界をＳＩＬヘッドに備え付けら
れたコイルから加えることで媒体に記録した。対物レン
ズの手前のレーザー出力が１ｍＷになるようにレーザー
を照射しながら再生を行ったところキャリア（Ｃ）レベ
ルは実施例１と実施例４で同等であったがノイズ（Ｎ）
レベルについては実施例４の方が実施例１に比べて２ｄ
Ｂ低く、キャリア対ノイズ比（ＣＮＲ）は実施例１では
４３ｄＢ、実施例４では４５ｄＢが得られた。
が１．２のＳＩＬヘッドの光学系の記録再生評価機に実
施例１および実施例４の媒体をセットして記録再生特性
を評価した。７ｍ／ｓの線速度で回転させながら、対物
レンズの手前のレーザー出力が６ｍＷになるようにレー
ザーを照射しながら、周波数７ＭＨｚで±１５０ Ｏｅ
の大きさで変調させた磁界をＳＩＬヘッドに備え付けら
れたコイルから加えることで媒体に記録した。対物レン
ズの手前のレーザー出力が１ｍＷになるようにレーザー
を照射しながら再生を行ったところキャリア（Ｃ）レベ
ルは実施例１と実施例４で同等であったがノイズ（Ｎ）
レベルについては実施例４の方が実施例１に比べて２ｄ
Ｂ低く、キャリア対ノイズ比（ＣＮＲ）は実施例１では
４３ｄＢ、実施例４では４５ｄＢが得られた。
【００４０】
【発明の効果】本発明により近接場光記録に適したヒッ
ト数が少なくヘッドクラッシュが起きにくく耐久性の高
い表面記録再生型光記録媒体が得られる。また、プラス
チック基板のように環境変化によって変形しやすい基板
を使っても膜が割れにくくなる。また、反射層が結晶性
であっても結晶のグレインによるノイズを低くすること
も可能である。
ト数が少なくヘッドクラッシュが起きにくく耐久性の高
い表面記録再生型光記録媒体が得られる。また、プラス
チック基板のように環境変化によって変形しやすい基板
を使っても膜が割れにくくなる。また、反射層が結晶性
であっても結晶のグレインによるノイズを低くすること
も可能である。
【図１】本発明の光記録媒体の一例の構造を示す部分断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の光記録媒体の他の一例の構造を示す部
分断面図である。
分断面図である。
【図３】本発明の光記録媒体の他の一例の構造を示す部
分断面図である。
分断面図である。
１１、２１、３１：基板 ２２、３２：反射層 １２、２３ ：第１保護層 １３、２４、３３：記録層 １４、２５ ：第２保護層 ３４：保護層 １５、２６、３５：ＤＬＣ層 １６、２７、３６：潤滑層
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層及び保護層を
この順に形成した光記録媒体において、保護層上にダイ
ヤモンド状カーボン層を形成し、さらにこのダイヤモン
ド状カーボン層の上に潤滑層を形成したことを特徴とす
る光記録媒体。 - 【請求項２】 ダイヤモンド状カーボン層が水素を含有
したカーボンで構成され、波長６３３ｎｍにおける屈折
率が１．７〜２．１の範囲であることを特徴とする請求
項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 潤滑層の膜厚が０．３ｎｍ以上４．０ｎ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の光
記録媒体。 - 【請求項４】 基板上に少なくとも第１保護層、光磁気
記録層、第２保護層、ダイヤモンド状カーボン層、潤滑
層をこの順に積層してなることを特徴とする請求項１、
２又は３記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 基板上に少なくとも反射層、光磁気記録
層、保護層、ダイヤモンド状カーボン層、潤滑層をこの
順に積層してなることを特徴とする請求項１、２又は３
記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 基板上に膜厚ｄ1の反射層、膜厚ｄ2の光
磁気記録層、膜厚ｄ3の保護層、膜厚ｄ4のダイヤモンド
状カーボン層、潤滑層をこの順に積層してなり、各層の
膜厚が、１０ｎｍ≦ｄ1≦１００ｎｍ、８ｎｍ≦ｄ2≦３
０ｎｍ、５ｎｍ≦ｄ3、３０ｎｍ≦ｄ3＋ｄ4≦１００ｎ
ｍ、５ｎｍ≦ｄ4≦６０ｎｍ、であることを特徴とする
請求項５記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9354524A JPH11185313A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9354524A JPH11185313A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11185313A true JPH11185313A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18438142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9354524A Pending JPH11185313A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11185313A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1146510A1 (en) * | 2000-04-10 | 2001-10-17 | TDK Corporation | Optical information medium |
| US6373792B1 (en) * | 1998-12-15 | 2002-04-16 | Seagate Technology Llc | Reduction of a temperature in a lubricant interface |
| EP1202264A2 (en) * | 2000-10-27 | 2002-05-02 | Pioneer Corporation | Optical recording medium |
| WO2003029382A1 (fr) * | 2001-09-19 | 2003-04-10 | Tdk Corporation | Liquide d'empreintes de doigts artificielles, procede de test pour support d'informations optique utilisant ce liquide et support d'informations optique |
| EP1296319A4 (en) * | 2000-04-25 | 2005-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | METHOD FOR MANUFACTURING DISC SUBSTRATE, METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING OPTICAL DISK |
| US7092091B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-08-15 | Tdk Corporation | Method of evaluating optical information medium |
| US7132146B2 (en) | 2003-05-09 | 2006-11-07 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US7138155B2 (en) | 2002-10-30 | 2006-11-21 | Tdk Corporation | Method for evaluating optical information medium and optical information medium |
-
1997
- 1997-12-24 JP JP9354524A patent/JPH11185313A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6373792B1 (en) * | 1998-12-15 | 2002-04-16 | Seagate Technology Llc | Reduction of a temperature in a lubricant interface |
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| US6596363B2 (en) | 2000-04-10 | 2003-07-22 | Tdk Corporation | Optical information medium |
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| US7101593B2 (en) | 2000-04-25 | 2006-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a disk-shaped substrate and method for producing an optical disk |
| EP1296319A4 (en) * | 2000-04-25 | 2005-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | METHOD FOR MANUFACTURING DISC SUBSTRATE, METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING OPTICAL DISK |
| EP1202264A2 (en) * | 2000-10-27 | 2002-05-02 | Pioneer Corporation | Optical recording medium |
| EP1202264A3 (en) * | 2000-10-27 | 2004-06-09 | Pioneer Corporation | Optical recording medium |
| US7638171B2 (en) | 2001-09-19 | 2009-12-29 | Tdk Corporation | Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it, and optical information medium |
| EP2003181A2 (en) * | 2001-09-19 | 2008-12-17 | TDK Corporation | Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it and optical information medium |
| EP2003181A3 (en) * | 2001-09-19 | 2009-04-15 | TDK Corporation | Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it and optical information medium |
| US7493801B2 (en) | 2001-09-19 | 2009-02-24 | Tdk Corporation | Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it, and optical information medium |
| US7186438B2 (en) | 2001-09-19 | 2007-03-06 | Tdk Corporation | Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it, and optical information medium |
| US7235125B2 (en) | 2001-09-19 | 2007-06-26 | Tdk Corporation | Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it and optical information medium |
| US7264860B2 (en) | 2001-09-19 | 2007-09-04 | Tdk Corporation | Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it, and optical information medium |
| WO2003029382A1 (fr) * | 2001-09-19 | 2003-04-10 | Tdk Corporation | Liquide d'empreintes de doigts artificielles, procede de test pour support d'informations optique utilisant ce liquide et support d'informations optique |
| US7338695B2 (en) | 2002-10-30 | 2008-03-04 | Tdk Corporation | Method for evaluating optical information medium and optical information medium |
| US7138155B2 (en) | 2002-10-30 | 2006-11-21 | Tdk Corporation | Method for evaluating optical information medium and optical information medium |
| US7524549B2 (en) | 2002-10-30 | 2009-04-28 | Tdk Corporation | Method for evaluating optical information medium and optical information medium |
| US7092091B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-08-15 | Tdk Corporation | Method of evaluating optical information medium |
| US7132146B2 (en) | 2003-05-09 | 2006-11-07 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
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