JP2000236127A - 光ファイバ増幅器 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 少ない励起パワーで所望の光増幅特性が得ら
れる光ファイバ増幅器を提供する。 【解決手段】 ファイバグレーティング４ａ，４ｂは１
５５０ｎｍ帯の反射特性を持ち、エルビウム添加ファイ
バ１の前方にある波長分割多重カプラ２ａの前方とエル
ビウム添加ファイバ１の後方にある波長分割多重カプラ
２ｂの後方とにそれぞれ配置されている。ファイバグレ
ーティング４ａ，４ｂはエルビウムイオンの再励起に使
われなかった自然放出光を出力光として出力させずに、
それぞれ波長分割多重カプラ２ａ，２ｂ側へと反射し、
再度エルビウム添加ファイバ１内に入射させている。
れる光ファイバ増幅器を提供する。 【解決手段】 ファイバグレーティング４ａ，４ｂは１
５５０ｎｍ帯の反射特性を持ち、エルビウム添加ファイ
バ１の前方にある波長分割多重カプラ２ａの前方とエル
ビウム添加ファイバ１の後方にある波長分割多重カプラ
２ｂの後方とにそれぞれ配置されている。ファイバグレ
ーティング４ａ，４ｂはエルビウムイオンの再励起に使
われなかった自然放出光を出力光として出力させずに、
それぞれ波長分割多重カプラ２ａ，２ｂ側へと反射し、
再度エルビウム添加ファイバ１内に入射させている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ファイバ増幅器に
関し、特にエルビウム等の希土類が添加された光ファイ
バを用い、外部から与えられた励起光によって信号光を
増幅して出力する光ファイバ増幅器に関する。
関し、特にエルビウム等の希土類が添加された光ファイ
バを用い、外部から与えられた励起光によって信号光を
増幅して出力する光ファイバ増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光ファイバ増幅器として
は、１５８０ｎｍ帯エルビウム添加光ファイバ増幅器
（以下、光ファイバ増幅器とする）がある。ここで、１
５８０帯とは１５７０〜１６０５ｎｍの波長域を示して
いる。
は、１５８０ｎｍ帯エルビウム添加光ファイバ増幅器
（以下、光ファイバ増幅器とする）がある。ここで、１
５８０帯とは１５７０〜１６０５ｎｍの波長域を示して
いる。
【０００３】この光ファイバ増幅器の構成を図８に示
す。図８において、光ファイバ増幅器はエルビウム添加
ファイバ（ＥＤＦ：Ｅｒｂｉｕｍ Ｄｏｐｅｄ Ｆｉｂ
ｅｒ）１と、波長分割多重（ＷＤＭ：Ｗａｖｅｌｅｎｇ
ｔｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ）カプラ
２ａ，２ｂと、励起ＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）光
源３ａ，３ｂと、光アイソレータ５ａ，５ｂとから構成
されている。
す。図８において、光ファイバ増幅器はエルビウム添加
ファイバ（ＥＤＦ：Ｅｒｂｉｕｍ Ｄｏｐｅｄ Ｆｉｂ
ｅｒ）１と、波長分割多重（ＷＤＭ：Ｗａｖｅｌｅｎｇ
ｔｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ）カプラ
２ａ，２ｂと、励起ＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）光
源３ａ，３ｂと、光アイソレータ５ａ，５ｂとから構成
されている。
【０００４】この光ファイバ増幅器における各素子は、
光アイソレータ５ａ、波長分割多重カプラ２ａ、エルビ
ウム添加ファイバ１、波長分割多重カプラ２ｂ、光アイ
ソレータ５ｂの順で接続されており、波長分割多重カプ
ラ２ａ，２ｂには励起ＬＤ光源３ａ，３ｂが接続されて
いる。
光アイソレータ５ａ、波長分割多重カプラ２ａ、エルビ
ウム添加ファイバ１、波長分割多重カプラ２ｂ、光アイ
ソレータ５ｂの順で接続されており、波長分割多重カプ
ラ２ａ，２ｂには励起ＬＤ光源３ａ，３ｂが接続されて
いる。
【０００５】励起ＬＤ光源３ａ，３ｂはエルビウム添加
ファイバ１を励起するための高出力半導体レーザダイオ
ードである。光アイソレータ５ａ，５ｂは光を一方方向
にのみ通すもので、反射による影響をなくすために配置
されている。また、波長分割多重カプラ２ａ，２ｂは波
長の異なる光を合波させるものである。
ファイバ１を励起するための高出力半導体レーザダイオ
ードである。光アイソレータ５ａ，５ｂは光を一方方向
にのみ通すもので、反射による影響をなくすために配置
されている。また、波長分割多重カプラ２ａ，２ｂは波
長の異なる光を合波させるものである。
【０００６】光アイソレータ５ａを通過した信号光は波
長分割多重カプラ２ａによって励起ＬＤ光源３ａから出
力された励起光と合波され、エルビウム添加ファイバ１
に出力される。エルビウム添加ファイバ１は入力された
信号光を増幅し、波長分割多重カプラ２ｂに出力する。
長分割多重カプラ２ａによって励起ＬＤ光源３ａから出
力された励起光と合波され、エルビウム添加ファイバ１
に出力される。エルビウム添加ファイバ１は入力された
信号光を増幅し、波長分割多重カプラ２ｂに出力する。
【０００７】波長分割多重カプラ２ｂはエルビウム添加
ファイバ１で増幅された信号光を励起ＬＤ光源３ｂから
出力された励起光と分波し、光アイソレータ５ｂを介し
て外部へと出力される。波長分割多重カプラ２ｂで分波
された励起ＬＤ光源３ｂからの励起光はエルビウム添加
ファイバ１へと出力される。
ファイバ１で増幅された信号光を励起ＬＤ光源３ｂから
出力された励起光と分波し、光アイソレータ５ｂを介し
て外部へと出力される。波長分割多重カプラ２ｂで分波
された励起ＬＤ光源３ｂからの励起光はエルビウム添加
ファイバ１へと出力される。
【０００８】上記の光ファイバ増幅器での１５８０ｎｍ
帯の増幅は１４８０ｎｍ帯励起及び９８０ｎｍ帯励起に
よる１５５０ｎｍ帯（１５３０〜１５６０ｎｍの波長
域）の増幅と同様に、エルビウムイオンのエネルギ準位
4Ｉ13/2→ 4Ｉ15/2の誘導放出を利用している。
帯の増幅は１４８０ｎｍ帯励起及び９８０ｎｍ帯励起に
よる１５５０ｎｍ帯（１５３０〜１５６０ｎｍの波長
域）の増幅と同様に、エルビウムイオンのエネルギ準位
4Ｉ13/2→ 4Ｉ15/2の誘導放出を利用している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光ファ
イバ増幅器では、１５８０ｎｍ帯の増幅が１４８０ｎｍ
帯励起及び９８０ｎｍ帯励起による１５５０ｎｍ帯の増
幅と同様に、エルビウムイオンのエネルギ準位 4Ｉ
13/2→ 4Ｉ15/2の誘導放出を利用しているが、１５５
０ｎｍ帯の増幅と異なる点は、まず１４８０ｎｍ帯励起
や９８０ｎｍ帯励起によって１５５０ｎｍ帯の自然放出
（ＡＳＥ：Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕ
ｓ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）光を発生させ、その自然放出光
がエルビウムイオンを再励起させ、１５８０ｎｍ帯の増
幅を行うことである。
イバ増幅器では、１５８０ｎｍ帯の増幅が１４８０ｎｍ
帯励起及び９８０ｎｍ帯励起による１５５０ｎｍ帯の増
幅と同様に、エルビウムイオンのエネルギ準位 4Ｉ
13/2→ 4Ｉ15/2の誘導放出を利用しているが、１５５
０ｎｍ帯の増幅と異なる点は、まず１４８０ｎｍ帯励起
や９８０ｎｍ帯励起によって１５５０ｎｍ帯の自然放出
（ＡＳＥ：Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕ
ｓ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）光を発生させ、その自然放出光
がエルビウムイオンを再励起させ、１５８０ｎｍ帯の増
幅を行うことである。
【００１０】そのため、エルビウム添加光ファイバが長
尺となり、さらに励起パワーを増加させる必要がある。
励起パワーが少ない場合には自然放出光が発生するが、
その自然放出光がエルビウムイオンの再励起に使われ
ず、１５８０ｎｍ帯の増幅が実現されない結果となる。
尺となり、さらに励起パワーを増加させる必要がある。
励起パワーが少ない場合には自然放出光が発生するが、
その自然放出光がエルビウムイオンの再励起に使われ
ず、１５８０ｎｍ帯の増幅が実現されない結果となる。
【００１１】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、少ない励起パワーで所望の光増幅特性を得ること
ができる光ファイバ増幅器を提供することにある。
消し、少ない励起パワーで所望の光増幅特性を得ること
ができる光ファイバ増幅器を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による光ファイバ
増幅器は、励起光によって励起されて自然放出光を放出
する希土類添加光ファイバを含む光ファイバ増幅器であ
って、前記希土類添加光ファイバの前段及び後段の少な
くとも一方に配置されかつ前記自然放出光を前記希土類
添加光ファイバ内へと反射する反射素子を備えている。
増幅器は、励起光によって励起されて自然放出光を放出
する希土類添加光ファイバを含む光ファイバ増幅器であ
って、前記希土類添加光ファイバの前段及び後段の少な
くとも一方に配置されかつ前記自然放出光を前記希土類
添加光ファイバ内へと反射する反射素子を備えている。
【００１３】本発明による他の光ファイバ増幅器は、励
起光によって励起されて自然放出光を放出する希土類添
加光ファイバを含む光ファイバ増幅器であって、前記希
土類添加光ファイバの後段に配置されかつ前記自然放出
光を選択的に反射するファイバグレーティングと、前記
希土類添加光ファイバからの出力光を透過して前記ファ
イバグレーティングへと出力しかつ前記ファイバグレー
ティングからの反射光を前記希土類添加光ファイバの前
段側に出力する光サーキュレータと、信号光と前記光サ
ーキュレータの出力光とを合波して前記希土類添加光フ
ァイバに出力する波長分割多重カプラとを備えている。
起光によって励起されて自然放出光を放出する希土類添
加光ファイバを含む光ファイバ増幅器であって、前記希
土類添加光ファイバの後段に配置されかつ前記自然放出
光を選択的に反射するファイバグレーティングと、前記
希土類添加光ファイバからの出力光を透過して前記ファ
イバグレーティングへと出力しかつ前記ファイバグレー
ティングからの反射光を前記希土類添加光ファイバの前
段側に出力する光サーキュレータと、信号光と前記光サ
ーキュレータの出力光とを合波して前記希土類添加光フ
ァイバに出力する波長分割多重カプラとを備えている。
【００１４】本発明による別の光ファイバ増幅器は、励
起光によって励起されて自然放出光を放出する希土類添
加光ファイバを含む光ファイバ増幅器であって、前記希
土類添加光ファイバの後段に配置されかつ信号光を透過
して前記自然放出光を選択的に反射する方向性結合器型
ファイバグレーティングと、前記方向性結合器型ファイ
バグレーティングからの反射光を前記励起光と合波する
第１の波長分割多重カプラと、信号光と前記第１の波長
分割多重カプラからの合波光とを合波して前記希土類添
加光ファイバに出力する第２の波長分割多重カプラとを
備えている。
起光によって励起されて自然放出光を放出する希土類添
加光ファイバを含む光ファイバ増幅器であって、前記希
土類添加光ファイバの後段に配置されかつ信号光を透過
して前記自然放出光を選択的に反射する方向性結合器型
ファイバグレーティングと、前記方向性結合器型ファイ
バグレーティングからの反射光を前記励起光と合波する
第１の波長分割多重カプラと、信号光と前記第１の波長
分割多重カプラからの合波光とを合波して前記希土類添
加光ファイバに出力する第２の波長分割多重カプラとを
備えている。
【００１５】すなわち、本発明の光ファイバ増幅器は１
５８０ｎｍ帯エルビウム添加光ファイバ増幅器であり、
エルビウム添加ファイバ内で発生する１５５０ｎｍ帯の
自然放出（ＡＳＥ：Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａ
ｎｅｏｕｓ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）光を反射させ、１５８
０ｎｍ帯の増幅における励起光源の補助とし、利得効率
の改善をするものである。
５８０ｎｍ帯エルビウム添加光ファイバ増幅器であり、
エルビウム添加ファイバ内で発生する１５５０ｎｍ帯の
自然放出（ＡＳＥ：Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａ
ｎｅｏｕｓ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）光を反射させ、１５８
０ｎｍ帯の増幅における励起光源の補助とし、利得効率
の改善をするものである。
【００１６】より具体的に、本発明の光ファイバ増幅器
はエルビウム添加ファイバの前段及び後段にそれぞれ、
１５８０ｎｍ帯を透過させかつ１５５０ｎｍ帯の自然放
出光を反射させるファイバグレーティングを配置してい
る。
はエルビウム添加ファイバの前段及び後段にそれぞれ、
１５８０ｎｍ帯を透過させかつ１５５０ｎｍ帯の自然放
出光を反射させるファイバグレーティングを配置してい
る。
【００１７】これによって、１４８０ｎｍ帯励起及び９
８０ｎｍ帯励起によって発生し、エルビウムイオンの再
励起に使われなかった自然放出光が外部に出力されずに
エルビウム添加ファイバ内部へと反射され、再度エルビ
ウム添加ファイバで励起光源の補助として使われるの
で、少ない励起パワーで所望の光増幅特性を得ることが
可能となる。
８０ｎｍ帯励起によって発生し、エルビウムイオンの再
励起に使われなかった自然放出光が外部に出力されずに
エルビウム添加ファイバ内部へと反射され、再度エルビ
ウム添加ファイバで励起光源の補助として使われるの
で、少ない励起パワーで所望の光増幅特性を得ることが
可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態
である１５８０ｎｍ帯エルビウム添加光ファイバ増幅器
（以下、光ファイバ増幅器とする）の構成を示すブロッ
ク図である。図において、光ファイバ増幅器はエルビウ
ム添加ファイバ（ＥＤＦ：Ｅｒｂｉｕｍ Ｄｏｐｉｎｇ
Ｆｉｂｅｒ）１と、波長分割多重（ＷＤＭ：Ｗａｖｅ
ｌｅｎｇｔｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ
ｘ）カプラ２ａ，２ｂと、励起ＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉ
ｏｄｅ）光源３ａ，３ｂと、ファイバグレーティング４
ａ，４ｂと、光アイソレータ５ａ，５ｂとから構成され
ている。
て図面を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態
である１５８０ｎｍ帯エルビウム添加光ファイバ増幅器
（以下、光ファイバ増幅器とする）の構成を示すブロッ
ク図である。図において、光ファイバ増幅器はエルビウ
ム添加ファイバ（ＥＤＦ：Ｅｒｂｉｕｍ Ｄｏｐｉｎｇ
Ｆｉｂｅｒ）１と、波長分割多重（ＷＤＭ：Ｗａｖｅ
ｌｅｎｇｔｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ
ｘ）カプラ２ａ，２ｂと、励起ＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉ
ｏｄｅ）光源３ａ，３ｂと、ファイバグレーティング４
ａ，４ｂと、光アイソレータ５ａ，５ｂとから構成され
ている。
【００１９】この光ファイバ増幅器における各素子は、
光アイソレータ５ａ、ファイバグレーティング４ａ、波
長分割多重カプラ２ａ、エルビウム添加ファイバ１、波
長分割多重カプラ２ｂ、ファイバグレーティング４ｂ、
光アイソレータ５ｂの順で接続されており、波長分割多
重カプラ２ａ，２ｂには励起ＬＤ光源３ａ，３ｂが接続
されている。
光アイソレータ５ａ、ファイバグレーティング４ａ、波
長分割多重カプラ２ａ、エルビウム添加ファイバ１、波
長分割多重カプラ２ｂ、ファイバグレーティング４ｂ、
光アイソレータ５ｂの順で接続されており、波長分割多
重カプラ２ａ，２ｂには励起ＬＤ光源３ａ，３ｂが接続
されている。
【００２０】励起ＬＤ光源３ａ，３ｂはエルビウム添加
ファイバ１を励起するための高出力半導体レーザダイオ
ードである。１５５０ｎｍ帯（１５３０〜１５６０ｎｍ
の波長域）の増幅においては励起ＬＤ光源として発振波
長９８０ｎｍのＩｎＧａＡｓレーザダイオードが用いら
れるが、１５８０ｎｍ帯（１５７０〜１６０５ｎｍの波
長域）の増幅では励起光源となる１５５０ｎｍ帯の量子
効率が１４８０ｎｍ帯励起の方が９８０ｎｍ帯励起より
大きいことから、本発明では発振波長が約１４８０ｎｍ
のＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰレーザダイオードを用いてい
る。
ファイバ１を励起するための高出力半導体レーザダイオ
ードである。１５５０ｎｍ帯（１５３０〜１５６０ｎｍ
の波長域）の増幅においては励起ＬＤ光源として発振波
長９８０ｎｍのＩｎＧａＡｓレーザダイオードが用いら
れるが、１５８０ｎｍ帯（１５７０〜１６０５ｎｍの波
長域）の増幅では励起光源となる１５５０ｎｍ帯の量子
効率が１４８０ｎｍ帯励起の方が９８０ｎｍ帯励起より
大きいことから、本発明では発振波長が約１４８０ｎｍ
のＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰレーザダイオードを用いてい
る。
【００２１】ファイバグレーティングとは光ファイバの
コア部の屈折率を一定の周期で変化させたもので、特定
波長の光のみを選択的に反射する作用がある。本発明の
実施の形態に用いるファイバグレーティング４ａ，４ｂ
はチャープトグレーティングを使用し、自然放出光の反
射特性を高めている。チャープトグレーティングとはグ
レーティング周期が一定ではなく、徐々に変化している
ものであり、このことから反射光の波長をグレーティン
グ周期の短いものから長いものまでに対応して連続的に
変化させることができるようになる。
コア部の屈折率を一定の周期で変化させたもので、特定
波長の光のみを選択的に反射する作用がある。本発明の
実施の形態に用いるファイバグレーティング４ａ，４ｂ
はチャープトグレーティングを使用し、自然放出光の反
射特性を高めている。チャープトグレーティングとはグ
レーティング周期が一定ではなく、徐々に変化している
ものであり、このことから反射光の波長をグレーティン
グ周期の短いものから長いものまでに対応して連続的に
変化させることができるようになる。
【００２２】光アイソレータ５ａ，５ｂは光を一方方向
にのみ通すもので、反射による影響をなくすために配置
されている。また、波長分割多重カプラ２ａ，２ｂは波
長の異なる光を合波させるもので、本発明の実施の形態
では１４８０ｎｍ帯の励起ＬＤ光源３ａ，３ｂからの励
起光と１５５０ｎｍ帯から１５８０ｎｍ帯の信号光及び
自然放出光とを合分波させ、出力するようにしている。
にのみ通すもので、反射による影響をなくすために配置
されている。また、波長分割多重カプラ２ａ，２ｂは波
長の異なる光を合波させるもので、本発明の実施の形態
では１４８０ｎｍ帯の励起ＬＤ光源３ａ，３ｂからの励
起光と１５５０ｎｍ帯から１５８０ｎｍ帯の信号光及び
自然放出光とを合分波させ、出力するようにしている。
【００２３】光アイソレータ５ａを通過した信号光はフ
ァイバグレーティング４ａを通過し、通過した信号光は
エルビウム添加ファイバ１の前段及び後段の両側にある
波長分割多重カプラ２ａ，２ｂによって励起ＬＤ光源３
ａ，３ｂから出力された励起光と合分波される。
ァイバグレーティング４ａを通過し、通過した信号光は
エルビウム添加ファイバ１の前段及び後段の両側にある
波長分割多重カプラ２ａ，２ｂによって励起ＬＤ光源３
ａ，３ｂから出力された励起光と合分波される。
【００２４】エルビウム添加ファイバ１内に添加されて
いるエルビウムイオンは注入された励起光によって基底
状態から励起状態になり、エルビウムイオンのエネルギ
準位4Ｉ13/2→ 4Ｉ15/2の誘導放出によって１５５０ｎ
ｍ帯の自然放出光が発生し、その自然放出光が吸収さ
れ、エルビウムイオンが再度励起状態になり、誘導放出
によって１５８０ｎｍ帯が増幅される。
いるエルビウムイオンは注入された励起光によって基底
状態から励起状態になり、エルビウムイオンのエネルギ
準位4Ｉ13/2→ 4Ｉ15/2の誘導放出によって１５５０ｎ
ｍ帯の自然放出光が発生し、その自然放出光が吸収さ
れ、エルビウムイオンが再度励起状態になり、誘導放出
によって１５８０ｎｍ帯が増幅される。
【００２５】１５５０ｎｍ帯の反射特性を持つファイバ
グレーティング４ａ，４ｂをエルビウム添加ファイバ１
の前方にある波長分割多重カプラ２ａの前方と、エルビ
ウム添加ファイバ１の後方にある波長分割多重カプラ２
ｂの後方とにそれぞれ配置することで、エルビウムイオ
ンの再励起に使われなかった自然放出光は出力光として
出力されずに、ファイバグレーティング４ａ，４ｂでそ
れぞれ波長分割多重カプラ２ａ，２ｂ側へと反射され、
再度エルビウム添加ファイバ１に入射される。そして、
エルビウム添加ファイバ１において１５８０ｎｍ帯の信
号光の増幅に使われる。増幅された１５８０ｎｍ帯の信
号光はファイバグレーティング４ｂ、光アイソレータ５
ｂを透過して外部へと出力される。
グレーティング４ａ，４ｂをエルビウム添加ファイバ１
の前方にある波長分割多重カプラ２ａの前方と、エルビ
ウム添加ファイバ１の後方にある波長分割多重カプラ２
ｂの後方とにそれぞれ配置することで、エルビウムイオ
ンの再励起に使われなかった自然放出光は出力光として
出力されずに、ファイバグレーティング４ａ，４ｂでそ
れぞれ波長分割多重カプラ２ａ，２ｂ側へと反射され、
再度エルビウム添加ファイバ１に入射される。そして、
エルビウム添加ファイバ１において１５８０ｎｍ帯の信
号光の増幅に使われる。増幅された１５８０ｎｍ帯の信
号光はファイバグレーティング４ｂ、光アイソレータ５
ｂを透過して外部へと出力される。
【００２６】光ファイバ増幅器におけるエルビウム添加
ファイバ１の前段及び後段にそれぞれファイバグレーテ
ィングを配置することによって、励起ＬＤ光源３ａ，３
ｂによってエルビウム添加ファイバ１内で発生しかつエ
ルビウムイオンの再励起に使われなかった１５５０ｎｍ
帯の自然放出光が信号光と共に出力せず、エルビウム添
加ファイバ１内に戻る。このことよって、その自然放出
光が励起ＬＤ光源３ａ，３ｂからの励起光の補助とな
り、１５８０ｎｍ帯の増幅における利得効率が向上す
る。
ファイバ１の前段及び後段にそれぞれファイバグレーテ
ィングを配置することによって、励起ＬＤ光源３ａ，３
ｂによってエルビウム添加ファイバ１内で発生しかつエ
ルビウムイオンの再励起に使われなかった１５５０ｎｍ
帯の自然放出光が信号光と共に出力せず、エルビウム添
加ファイバ１内に戻る。このことよって、その自然放出
光が励起ＬＤ光源３ａ，３ｂからの励起光の補助とな
り、１５８０ｎｍ帯の増幅における利得効率が向上す
る。
【００２７】図２は本発明の一実施例による光ファイバ
増幅器の構成を示すブロック図である。図において、本
発明の一実施例による光ファイバ増幅器は光コネクタ９
ａが光ファイバを介して１×２分岐カプラ６に接続さ
れ、一方の分岐側に光を受光して電気信号に変換するた
めのフォトダイオード（ＰＤ：Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄ
ｅ）８ａが接続されている。
増幅器の構成を示すブロック図である。図において、本
発明の一実施例による光ファイバ増幅器は光コネクタ９
ａが光ファイバを介して１×２分岐カプラ６に接続さ
れ、一方の分岐側に光を受光して電気信号に変換するた
めのフォトダイオード（ＰＤ：Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄ
ｅ）８ａが接続されている。
【００２８】１×２分岐カプラ６のもう一方の分岐側に
は光アイソレータ５ａ、ファイバグレーティング４ａ、
波長分割多重カプラ２ａ、エルビウム添加ファイバ１、
波長分割多重カプラ２ｂ、ファイバグレーティング４
ｂ、光アイソレータ５ｂ、２×２分岐カプラ７、光コネ
クタ９ｂの順で接続されている。
は光アイソレータ５ａ、ファイバグレーティング４ａ、
波長分割多重カプラ２ａ、エルビウム添加ファイバ１、
波長分割多重カプラ２ｂ、ファイバグレーティング４
ｂ、光アイソレータ５ｂ、２×２分岐カプラ７、光コネ
クタ９ｂの順で接続されている。
【００２９】波長分割多重カプラカプラ２ａ，２ｂには
励起ＬＤ光源３ａ，３ｂが接続され、２×２分岐カプラ
７の分岐側にはフォトダイオード８ｂ，８ｃが接続され
ている。さらに、励起ＬＤ光源３ａ，３ｂやフォトダイ
オード８ａ〜８ｃは制御回路１０によって制御されてい
る。
励起ＬＤ光源３ａ，３ｂが接続され、２×２分岐カプラ
７の分岐側にはフォトダイオード８ｂ，８ｃが接続され
ている。さらに、励起ＬＤ光源３ａ，３ｂやフォトダイ
オード８ａ〜８ｃは制御回路１０によって制御されてい
る。
【００３０】図３は図２のファイバグレーティング４
ａ，４ｂの反射特性を示す図であり、図４は図２のエル
ビウム添加ファイバ１におけるエルビウムイオンの吸収
／誘導放出断面積を示す図である。これら図２〜図４を
参照して本発明の一実施例による光ファイバ増幅器につ
いて説明する。
ａ，４ｂの反射特性を示す図であり、図４は図２のエル
ビウム添加ファイバ１におけるエルビウムイオンの吸収
／誘導放出断面積を示す図である。これら図２〜図４を
参照して本発明の一実施例による光ファイバ増幅器につ
いて説明する。
【００３１】励起ＬＤ光源３ａ，３ｂはエルビウム添加
ファイバ１を励起するための高出力半導体レーザダイオ
ードである。１５５０ｎｍ帯の増幅においては励起ＬＤ
光源として発振波長９８０ｎｍのＩｎＧａＡｓレーザダ
イオードが用いられるが、１５８０ｎｍ帯の増幅では励
起光源となる１５５０ｎｍ帯の量子効率が１４８０ｎｍ
帯励起の方が９８０ｎｍ帯励起より大きいことから、本
発明の一実施例では発振波長が約１４８０ｎｍのＩｎＧ
ａＡｓＰ／ＩｎＰレーザダイオードを用いている。
ファイバ１を励起するための高出力半導体レーザダイオ
ードである。１５５０ｎｍ帯の増幅においては励起ＬＤ
光源として発振波長９８０ｎｍのＩｎＧａＡｓレーザダ
イオードが用いられるが、１５８０ｎｍ帯の増幅では励
起光源となる１５５０ｎｍ帯の量子効率が１４８０ｎｍ
帯励起の方が９８０ｎｍ帯励起より大きいことから、本
発明の一実施例では発振波長が約１４８０ｎｍのＩｎＧ
ａＡｓＰ／ＩｎＰレーザダイオードを用いている。
【００３２】ファイバグレーティングとは光ファイバの
コア部の屈折率を一定の周期で変化させたもので、特定
波長の光のみを選択的に反射する作用がある。本発明の
一実施例に用いるファイバグレーティング４ａ，４ｂは
チャープトグレーティングを使用し、自然放出光の反射
特性を高めている。チャープトグレーティングとはグレ
ーティング周期が一定ではなく、徐々に変化しているも
のであり、このことから反射光の波長をグレーティング
周期の短いものから長いものまでに対応して連続的に変
化させることができるようになる。
コア部の屈折率を一定の周期で変化させたもので、特定
波長の光のみを選択的に反射する作用がある。本発明の
一実施例に用いるファイバグレーティング４ａ，４ｂは
チャープトグレーティングを使用し、自然放出光の反射
特性を高めている。チャープトグレーティングとはグレ
ーティング周期が一定ではなく、徐々に変化しているも
のであり、このことから反射光の波長をグレーティング
周期の短いものから長いものまでに対応して連続的に変
化させることができるようになる。
【００３３】本発明の一実施例ではファイバグレーティ
ング４ａ，４ｂとして、図３に示すように、１５４０ｎ
ｍから１５６０ｎｍの波長域において約９０％の反射特
性を持った製品を用いる。
ング４ａ，４ｂとして、図３に示すように、１５４０ｎ
ｍから１５６０ｎｍの波長域において約９０％の反射特
性を持った製品を用いる。
【００３４】光アイソレータ５ａ，５ｂは光を一方方向
にのみ通すもので、反射による影響をなくすためにあ
る。また、波長分割多重カプラ２ａ，２ｂは波長の異な
る光を合波させるもので、本発明の一実施例では１４８
０ｎｍ帯の励起ＬＤ光源３ａ，３ｂからの励起光と１５
５０ｎｍ帯から１５８０ｎｍ帯の信号光及び自然放出光
とを合分波させて出力させている。
にのみ通すもので、反射による影響をなくすためにあ
る。また、波長分割多重カプラ２ａ，２ｂは波長の異な
る光を合波させるもので、本発明の一実施例では１４８
０ｎｍ帯の励起ＬＤ光源３ａ，３ｂからの励起光と１５
５０ｎｍ帯から１５８０ｎｍ帯の信号光及び自然放出光
とを合分波させて出力させている。
【００３５】光コネクタ９ａから入力された１５８０ｎ
ｍ帯の信号光は１×２分岐カプラ６によって分岐され、
５％の分岐光が信号光の入力パワーをモニタするための
フォトダイオード８ａに入射される。制御回路１０内で
はフォトダイオード８ａから出力される電流を電圧信号
に変換し、外部からの情報で設定された基準電圧との比
較を行い、信号光の入力断や入力パワー低下を監視す
る。
ｍ帯の信号光は１×２分岐カプラ６によって分岐され、
５％の分岐光が信号光の入力パワーをモニタするための
フォトダイオード８ａに入射される。制御回路１０内で
はフォトダイオード８ａから出力される電流を電圧信号
に変換し、外部からの情報で設定された基準電圧との比
較を行い、信号光の入力断や入力パワー低下を監視す
る。
【００３６】１×２分岐カプラ６によって分岐されたう
ちの９５％の分岐光は光アイソレータ５ａを介してファ
イバグレーティング４ａを通過する。ファイバグレーテ
ィング４ａを通過した信号光はエルビウム添加ファイバ
１の前段及び後段の両側にある波長分割多重カプラ２
ａ，２ｂによって、励起ＬＤ光源３ａ，３ｂから出力さ
れた励起光と合分波される。
ちの９５％の分岐光は光アイソレータ５ａを介してファ
イバグレーティング４ａを通過する。ファイバグレーテ
ィング４ａを通過した信号光はエルビウム添加ファイバ
１の前段及び後段の両側にある波長分割多重カプラ２
ａ，２ｂによって、励起ＬＤ光源３ａ，３ｂから出力さ
れた励起光と合分波される。
【００３７】エルビウム添加ファイバ１内に添加されて
いるエルビウムイオンは注入された励起光によって基底
状態から励起状態になり、エルビウムイオンのエネルギ
準位4Ｉ13/2→ 4Ｉ15/2の誘導放出によって１５５０ｎ
ｍ帯の自然放出光が発生し、その自然放出光が吸収さ
れ、エルビウムイオンが再度励起状態になり、誘導放出
によって１５８０ｎｍ帯が増幅される。
いるエルビウムイオンは注入された励起光によって基底
状態から励起状態になり、エルビウムイオンのエネルギ
準位4Ｉ13/2→ 4Ｉ15/2の誘導放出によって１５５０ｎ
ｍ帯の自然放出光が発生し、その自然放出光が吸収さ
れ、エルビウムイオンが再度励起状態になり、誘導放出
によって１５８０ｎｍ帯が増幅される。
【００３８】しかしながら、図４に示すように、１５５
０ｎｍ帯に比べ、１５８０ｎｍ帯での誘導放出断面積が
小さいため、単位長さ当りの利得も小さくなることか
ら、エルビウム添加ファイバ１のファイバ長の長尺化が
必要となる。また、励起パワーが小さい場合には１５５
０ｎｍ帯の自然放出光が発生するが、その自然放出光が
再励起されずに１５８０ｎｍ帯の増幅が実現されない。
０ｎｍ帯に比べ、１５８０ｎｍ帯での誘導放出断面積が
小さいため、単位長さ当りの利得も小さくなることか
ら、エルビウム添加ファイバ１のファイバ長の長尺化が
必要となる。また、励起パワーが小さい場合には１５５
０ｎｍ帯の自然放出光が発生するが、その自然放出光が
再励起されずに１５８０ｎｍ帯の増幅が実現されない。
【００３９】本発明の一実施例では１５５０ｎｍ帯の反
射特性を持つファイバグレーティング４ａ，４ｂをエル
ビウム添加ファイバ１の前方にある波長分割多重カプラ
２ａの前方と、エルビウム添加ファイバ１の後方にある
波長分割多重カプラ２ｂの後方とにそれぞれ配置するこ
とで、エルビウムイオンの再励起に使われなかった自然
放出光が出力光として出力されずに反射され、再度エル
ビウム添加ファイバ１に入射され、１５８０ｎｍ帯の信
号光の増幅に使われる。
射特性を持つファイバグレーティング４ａ，４ｂをエル
ビウム添加ファイバ１の前方にある波長分割多重カプラ
２ａの前方と、エルビウム添加ファイバ１の後方にある
波長分割多重カプラ２ｂの後方とにそれぞれ配置するこ
とで、エルビウムイオンの再励起に使われなかった自然
放出光が出力光として出力されずに反射され、再度エル
ビウム添加ファイバ１に入射され、１５８０ｎｍ帯の信
号光の増幅に使われる。
【００４０】増幅された１５８０ｎｍ帯の信号光はファ
イバグレーティング４ｂ、光アイソレータ５ｂを透過
し、２×２分岐カプラ７によって分岐される。５％の分
岐光は増幅された信号光パワーをモニタするためのフォ
トダイオード８ｂに入射する。制御回路１０内ではフォ
トダイオード８ｂから出力される電流を電圧信号に変換
して基準電圧との比較を行い、その情報を基に信号光が
所望の値で出力されるよう励起ＬＤ光源３ａ，３ｂの駆
動電流を制御する。このことによって、信号光は出力一
定制御が実現される。
イバグレーティング４ｂ、光アイソレータ５ｂを透過
し、２×２分岐カプラ７によって分岐される。５％の分
岐光は増幅された信号光パワーをモニタするためのフォ
トダイオード８ｂに入射する。制御回路１０内ではフォ
トダイオード８ｂから出力される電流を電圧信号に変換
して基準電圧との比較を行い、その情報を基に信号光が
所望の値で出力されるよう励起ＬＤ光源３ａ，３ｂの駆
動電流を制御する。このことによって、信号光は出力一
定制御が実現される。
【００４１】さらに、出力側の光コネクタ９ｂに何も接
続されていない場合には増幅された信号光が高出力であ
ることが予想され、非常に危険である。そのため、光コ
ネクタに何も接続されていない場合の反射をフォトダイ
オード８ｃでモニタし、制御回路１０から反射のアラー
ムを発するようにしている。
続されていない場合には増幅された信号光が高出力であ
ることが予想され、非常に危険である。そのため、光コ
ネクタに何も接続されていない場合の反射をフォトダイ
オード８ｃでモニタし、制御回路１０から反射のアラー
ムを発するようにしている。
【００４２】光ファイバ増幅器におけるエルビウム添加
ファイバ１の前段及び後段にファイバグレーティング４
ａ，４ｂを配置することによって、励起ＬＤ光源３ａ，
３ｂによってエルビウム添加ファイバ１内で発生しかつ
エルビウムイオンの再励起に使われなかった１５５０ｎ
ｍ帯の自然放出光が信号光と共に出力せず、エルビウム
添加ファイバ１内に戻る。このことよって、その自然放
出光が励起ＬＤ光源３ａ，３ｂからの励起光を補助する
ことになり、１５８０ｎｍ帯の増幅における利得効率が
向上する。
ファイバ１の前段及び後段にファイバグレーティング４
ａ，４ｂを配置することによって、励起ＬＤ光源３ａ，
３ｂによってエルビウム添加ファイバ１内で発生しかつ
エルビウムイオンの再励起に使われなかった１５５０ｎ
ｍ帯の自然放出光が信号光と共に出力せず、エルビウム
添加ファイバ１内に戻る。このことよって、その自然放
出光が励起ＬＤ光源３ａ，３ｂからの励起光を補助する
ことになり、１５８０ｎｍ帯の増幅における利得効率が
向上する。
【００４３】図５は本発明の他の実施例による光ファイ
バ増幅器の構成を示すブロック図である。本発明の他の
実施例による光ファイバ増幅器はエルビウム添加ファイ
バ１、波長分割多重カプラ２ａ，２ｂ、１４８０ｎｍ励
起ＬＤ光源３ａ，３ｂ、ファイバグレーティング４、光
アイソレータ５ａ，５ｂ、光サーキュレータ１１、１５
５０／１５８０波長分割多重カプラ１２とからなってい
る。尚、本発明の他の実施例による光ファイバ増幅器に
おける入力、出力、反射のモニタ及びそれに伴う制御回
路、分岐カプラについては上述した本発明の一実施例と
同様なので、その説明を省略する。
バ増幅器の構成を示すブロック図である。本発明の他の
実施例による光ファイバ増幅器はエルビウム添加ファイ
バ１、波長分割多重カプラ２ａ，２ｂ、１４８０ｎｍ励
起ＬＤ光源３ａ，３ｂ、ファイバグレーティング４、光
アイソレータ５ａ，５ｂ、光サーキュレータ１１、１５
５０／１５８０波長分割多重カプラ１２とからなってい
る。尚、本発明の他の実施例による光ファイバ増幅器に
おける入力、出力、反射のモニタ及びそれに伴う制御回
路、分岐カプラについては上述した本発明の一実施例と
同様なので、その説明を省略する。
【００４４】本発明の他の実施例に使われている光サー
キュレータ１１は３つの入出力端子を持ち、ポート＃１
から入射された光はポート＃２に透過し、ポート＃２か
ら入射された光はポート＃３に透過するという機能を持
っている。
キュレータ１１は３つの入出力端子を持ち、ポート＃１
から入射された光はポート＃２に透過し、ポート＃２か
ら入射された光はポート＃３に透過するという機能を持
っている。
【００４５】この機能を利用するとことで、励起ＬＤ光
源３ａ，３ｂによってエルビウム添加ファイバ１内で発
生した１５５０ｎｍ帯の自然放出光は光サーキュレータ
１１のポート＃１からポート＃２を通ってファイバグレ
ーティング４に入力され、ファイバグレーティング４に
よって反射される。その反射光は光サーキュレータ１１
のポート＃２からポート＃３へと透過される。
源３ａ，３ｂによってエルビウム添加ファイバ１内で発
生した１５５０ｎｍ帯の自然放出光は光サーキュレータ
１１のポート＃１からポート＃２を通ってファイバグレ
ーティング４に入力され、ファイバグレーティング４に
よって反射される。その反射光は光サーキュレータ１１
のポート＃２からポート＃３へと透過される。
【００４６】１５５０／１５８０波長分割多重カプラ１
２は１５８０ｎｍの信号光と１５５０ｎｍの自然放出光
とを合波するためであり、光サーキュレータ１１のポー
ト＃３からの自然放出光は１５５０／１５８０波長分割
多重カプラ１２によって１５８０ｎｍ帯の信号光と共に
再度エルビウム添加ファイバ１に入射され、１５８０ｎ
ｍ帯の信号光の増幅に使われる。
２は１５８０ｎｍの信号光と１５５０ｎｍの自然放出光
とを合波するためであり、光サーキュレータ１１のポー
ト＃３からの自然放出光は１５５０／１５８０波長分割
多重カプラ１２によって１５８０ｎｍ帯の信号光と共に
再度エルビウム添加ファイバ１に入射され、１５８０ｎ
ｍ帯の信号光の増幅に使われる。
【００４７】図６は本発明の別の実施例による光ファイ
バ増幅器の構成を示すブロック図である。図において、
本発明の別の実施例はエルビウム添加ファイバ１、波長
分割多重カプラ２ａ〜２ｃ、１４８０ｎｍ励起ＬＤ光源
３ａ，３ｂ、方向性結合器型ファイバグレーティング４
ｃ、光アイソレータ５ａ，５ｂからなっている。尚、本
発明の別の実施例による光ファイバ増幅器における入
力、出力、反射のモニタ及びそれに伴う制御回路、分岐
カプラについては上述した本発明の一実施例と同様なの
で、その説明を省略する。
バ増幅器の構成を示すブロック図である。図において、
本発明の別の実施例はエルビウム添加ファイバ１、波長
分割多重カプラ２ａ〜２ｃ、１４８０ｎｍ励起ＬＤ光源
３ａ，３ｂ、方向性結合器型ファイバグレーティング４
ｃ、光アイソレータ５ａ，５ｂからなっている。尚、本
発明の別の実施例による光ファイバ増幅器における入
力、出力、反射のモニタ及びそれに伴う制御回路、分岐
カプラについては上述した本発明の一実施例と同様なの
で、その説明を省略する。
【００４８】図７は図６の方向性結合器型ファイバグレ
ーティング４ｃの構成を示す図である。図において、本
発明の別の実施例に使われる方向性結合器型ファイバグ
レーティング４ｃはシリコン基板上に石英導波路を方向
性結合器になるように形成し、結合領域のコア部の屈折
率を一定の周期で変化させ、自然放出光の波長を反射す
るようにしている。また、方向性結合器型ファイバグレ
ーティング４ｃは各ポート＃１〜＃４にファイバを光軸
調整し、モジュール化してある。
ーティング４ｃの構成を示す図である。図において、本
発明の別の実施例に使われる方向性結合器型ファイバグ
レーティング４ｃはシリコン基板上に石英導波路を方向
性結合器になるように形成し、結合領域のコア部の屈折
率を一定の周期で変化させ、自然放出光の波長を反射す
るようにしている。また、方向性結合器型ファイバグレ
ーティング４ｃは各ポート＃１〜＃４にファイバを光軸
調整し、モジュール化してある。
【００４９】このことから、励起ＬＤ光源３ａ，３ｂに
よってエルビウム添加ファイバ１内で発生した１５５０
ｎｍ帯の自然放出光はポート＃１から入射しても、その
内部で反射されてポート＃２から出射され、波長分割多
重カプラ２ｃにおいて励起ＬＤ光源３ａからの励起光と
合波され、再度エルビウム添加ファイバ１内に入射され
て１５８０ｎｍ帯の増幅に使われる。また、１５８０ｎ
ｍ帯の信号光はポート＃１から入射すると、その内部を
通過してポート＃４から出射される。
よってエルビウム添加ファイバ１内で発生した１５５０
ｎｍ帯の自然放出光はポート＃１から入射しても、その
内部で反射されてポート＃２から出射され、波長分割多
重カプラ２ｃにおいて励起ＬＤ光源３ａからの励起光と
合波され、再度エルビウム添加ファイバ１内に入射され
て１５８０ｎｍ帯の増幅に使われる。また、１５８０ｎ
ｍ帯の信号光はポート＃１から入射すると、その内部を
通過してポート＃４から出射される。
【００５０】このように、エルビウム添加ファイバ１の
前段及び後段または後段に１５８０ｎｍ帯を透過させか
つ１５５０ｎｍ帯の自然放出光を反射させるファイバグ
レーティング４，４ａ，４ｂ，４ｃを配置することによ
って、１４８０ｎｍ帯励起及び９８０ｎｍ帯励起によっ
て発生しかつエルビウムイオンの再励起に使われなかっ
た自然放出光が外部に出力されずにエルビウム添加ファ
イバ１内部へと反射され、再度エルビウム添加ファイバ
１で励起ＬＤ光源３ａ，３ｂからの励起光の補助として
使われるので、少ない励起パワーで所望の光増幅特性を
得ることができる。
前段及び後段または後段に１５８０ｎｍ帯を透過させか
つ１５５０ｎｍ帯の自然放出光を反射させるファイバグ
レーティング４，４ａ，４ｂ，４ｃを配置することによ
って、１４８０ｎｍ帯励起及び９８０ｎｍ帯励起によっ
て発生しかつエルビウムイオンの再励起に使われなかっ
た自然放出光が外部に出力されずにエルビウム添加ファ
イバ１内部へと反射され、再度エルビウム添加ファイバ
１で励起ＬＤ光源３ａ，３ｂからの励起光の補助として
使われるので、少ない励起パワーで所望の光増幅特性を
得ることができる。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、励
起光によって励起されて自然放出光を放出する希土類添
加光ファイバを含む光ファイバ増幅器において、自然放
出光を希土類添加光ファイバ内へと反射する反射素子を
希土類添加光ファイバの前段及び後段の少なくとも一方
に配置することによって、少ない励起パワーで所望の光
増幅特性を得ることができるという効果がある。
起光によって励起されて自然放出光を放出する希土類添
加光ファイバを含む光ファイバ増幅器において、自然放
出光を希土類添加光ファイバ内へと反射する反射素子を
希土類添加光ファイバの前段及び後段の少なくとも一方
に配置することによって、少ない励起パワーで所望の光
増幅特性を得ることができるという効果がある。
【図１】本発明の実施の形態である１５８０ｎｍ帯エル
ビウム添加光ファイバ増幅器の構成を示すブロック図で
ある。
ビウム添加光ファイバ増幅器の構成を示すブロック図で
ある。
【図２】本発明の一実施例による１５８０ｎｍ帯エルビ
ウム添加光ファイバ増幅器の構成を示すブロック図であ
る。
ウム添加光ファイバ増幅器の構成を示すブロック図であ
る。
【図３】図２のファイバグレーティングの反射特性を示
す図である。
す図である。
【図４】図２のエルビウム添加ファイバにおけるエルビ
ウムイオンの吸収／誘導放出断面積を示す図である。
ウムイオンの吸収／誘導放出断面積を示す図である。
【図５】本発明の他の実施例による１５８０ｎｍ帯エル
ビウム添加光ファイバ増幅器の構成を示すブロック図で
ある。
ビウム添加光ファイバ増幅器の構成を示すブロック図で
ある。
【図６】本発明の別の実施例による１５８０ｎｍ帯エル
ビウム添加光ファイバ増幅器の構成を示すブロック図で
ある。
ビウム添加光ファイバ増幅器の構成を示すブロック図で
ある。
【図７】図６の方向性結合器型ファイバグレーティング
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図８】従来例による１５８０ｎｍ帯エルビウム添加光
ファイバ増幅器の構成を示すブロック図である。
ファイバ増幅器の構成を示すブロック図である。
１ エルビウム添加ファイバ ２ａ〜２ｃ 波長分割多重カプラ ３ａ，３ｂ 励起ＬＤ光源 ４，４ａ，４ｂ ファイバグレーティング ４ｃ 方向性結合器型ファイバグレーティング ５ａ，５ｂ 光アイソレータ ６ １×２分岐カプラ ７ ２×２分岐カプラ ８ａ〜８ｃ フォトダイオード ９ａ，９ｂ 光コネクタ １０ 制御回路 １１ 光サーキュレータ １２ １５５０／１５８０波長分割多重カプラ
Claims (11)
- 【請求項１】 励起光によって励起されて自然放出光を
放出する希土類添加光ファイバを含む光ファイバ増幅器
であって、前記希土類添加光ファイバの前段及び後段の
少なくとも一方に配置されかつ前記自然放出光を前記希
土類添加光ファイバ内へと反射する反射素子を有するこ
とを特徴とする光ファイバ増幅器。 - 【請求項２】 前記希土類がエルビウムであることを特
徴とする請求項１記載の光ファイバ増幅器。 - 【請求項３】 前記反射素子は、特定波長の光のみを選
択的に反射するファイバグレーティングであることを特
徴とする請求項２記載の光ファイバ増幅器。 - 【請求項４】 前記ファイバグレーティングは、１５７
０〜１６０５ｎｍの波長域を示す１５８０ｎｍ帯の波長
の信号光を透過させかつ１５３０〜１５６０ｎｍの波長
域を示す１５５０ｎｍ帯の波長の自然放出光を反射させ
るよう構成したことを特徴とする請求項３記載の光ファ
イバ増幅器。 - 【請求項５】 前記ファイバグレーティングは、グレー
ティング周期が一定でなくかつ徐々に変化するチャープ
トグレーティングであることを特徴とする請求項３また
は請求項４記載の光ファイバ増幅器。 - 【請求項６】 励起光によって励起されて自然放出光を
放出する希土類添加光ファイバを含む光ファイバ増幅器
であって、前記希土類添加光ファイバの後段に配置され
かつ前記自然放出光を選択的に反射するファイバグレー
ティングと、前記希土類添加光ファイバからの出力光を
透過して前記ファイバグレーティングへと出力しかつ前
記ファイバグレーティングからの反射光を前記希土類添
加光ファイバの前段側に出力する光サーキュレータと、
信号光と前記光サーキュレータの出力光とを合波して前
記希土類添加光ファイバに出力する波長分割多重カプラ
とを有することを特徴とする光ファイバ増幅器。 - 【請求項７】 前記希土類がエルビウムであることを特
徴とする請求項６記載の光ファイバ増幅器。 - 【請求項８】 前記ファイバグレーティングは、１５７
０〜１６０５ｎｍの波長域を示す１５８０ｎｍ帯の波長
の信号光を透過させかつ１５３０〜１５６０ｎｍの波長
域を示す１５５０ｎｍ帯の波長の自然放出光を反射させ
るよう構成したことを特徴とする請求項７記載の光ファ
イバ増幅器。 - 【請求項９】 励起光によって励起されて自然放出光を
放出する希土類添加光ファイバを含む光ファイバ増幅器
であって、前記希土類添加光ファイバの後段に配置され
かつ信号光を透過して前記自然放出光を選択的に反射す
る方向性結合器型ファイバグレーティングと、前記方向
性結合器型ファイバグレーティングからの反射光を前記
励起光と合波する第１の波長分割多重カプラと、信号光
と前記第１の波長分割多重カプラからの合波光とを合波
して前記希土類添加光ファイバに出力する第２の波長分
割多重カプラとを有することを特徴とする光ファイバ増
幅器。 - 【請求項１０】 前記希土類がエルビウムであることを
特徴とする請求項９記載の光ファイバ増幅器。 - 【請求項１１】 前記ファイバグレーティングは、１５
７０〜１６０５ｎｍの波長域を示す１５８０ｎｍ帯の波
長の信号光を透過させかつ１５３０〜１５６０ｎｍの波
長域を示す１５５０ｎｍ帯の波長の自然放出光を反射さ
せるよう構成したことを特徴とする請求項１０記載の光
ファイバ増幅器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11037977A JP2000236127A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | 光ファイバ増幅器 |
| EP00301255A EP1030415A3 (en) | 1999-02-17 | 2000-02-17 | Optical fiber amplifier and method of amplifying an optical signal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11037977A JP2000236127A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | 光ファイバ増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000236127A true JP2000236127A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=12512639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11037977A Pending JP2000236127A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | 光ファイバ増幅器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1030415A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000236127A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007505538A (ja) * | 2003-09-11 | 2007-03-08 | エム コミュニケーションズ ソシエタ ペル アチオニ | Ａｓｅ光の再循環を伴うループ型光ネットワーク並びにリンク及びネットワークのサバイバル能力制御システム |
| JP2009117720A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ファイバ増幅器 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4179662B2 (ja) * | 1998-04-27 | 2008-11-12 | 富士通株式会社 | 光増幅器及び能動型光ファイバ |
| KR100269177B1 (ko) * | 1998-08-04 | 2000-10-16 | 윤종용 | 장파장 광섬유 증폭기 |
| KR100334778B1 (ko) * | 1999-07-22 | 2002-05-02 | 윤종용 | 피드 백 루프를 이용한 장파장 대역 광섬유 증폭기 |
| KR20020077061A (ko) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | 주식회사 네오텍리서치 | 장파장대역용 이득고정 에르븀첨가 광섬유증폭기 |
| EP1248331A1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-10-09 | Mercury Corporation | L-band optical fiber amplifier |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3209242B2 (ja) * | 1992-12-10 | 2001-09-17 | 日本電信電話株式会社 | 高出力光送信部の出力シャットダウン制御装置 |
| JP3512264B2 (ja) * | 1995-05-08 | 2004-03-29 | 富士通株式会社 | 光増幅装置 |
| JP4179662B2 (ja) * | 1998-04-27 | 2008-11-12 | 富士通株式会社 | 光増幅器及び能動型光ファイバ |
| KR100269177B1 (ko) * | 1998-08-04 | 2000-10-16 | 윤종용 | 장파장 광섬유 증폭기 |
| FR2791820B1 (fr) * | 1999-03-29 | 2001-10-19 | Cit Alcatel | Amplificateur a fibre optique monobande |
-
1999
- 1999-02-17 JP JP11037977A patent/JP2000236127A/ja active Pending
-
2000
- 2000-02-17 EP EP00301255A patent/EP1030415A3/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007505538A (ja) * | 2003-09-11 | 2007-03-08 | エム コミュニケーションズ ソシエタ ペル アチオニ | Ａｓｅ光の再循環を伴うループ型光ネットワーク並びにリンク及びネットワークのサバイバル能力制御システム |
| JP2009117720A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ファイバ増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1030415A3 (en) | 2001-04-04 |
| EP1030415A2 (en) | 2000-08-23 |
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