FR2533740A1 - Memoire remanente - Google Patents

Abstract

LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UNE MEMOIRE REMANENTE. CETTE MEMOIRE COMPORTE UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP COMPORTANT UN CORPS SEMICONDUCTEUR 10 AYANT DES REGIONS SEMICONDUCTRICES D'UN PREMIER TYPE, UNE PELLICULE ISOLANTE 23 FORMEE SUR LESDITES REGIONS ET COMPORTANT UNE PREMIERE ET UNE SECONDE PELLICULE ISOLANTE 14, 15 AYANT DES CONSTANTES DIELECTRIQUES DIFFERENTES, DES ELECTRODES DE GRILLE 16, 18 SUPERPOSEES, UNE PELLICULE ISOLANTE INTERCOUCHES 17 ENTRE CES ELECTRODES ET DES REGIONS SEMICONDUCTRICES D'UN SECOND TYPE SITUE DES DEUX COTES DES PREMIERES ET SECONDES ELECTRODES DE GRILLE 16, 18. APPLICATION NOTAMMENT AUX MEMOIRES EFFACABLES ET PROGRAMMABLES OU MODIFIABLES ELECTRIQUEMENT.

Description

h 3746 La présente invention concerne une mémoire rémanente dont la

densité d'intégration est élevée et

dont la tension de fonctionnement est faible.

D'une manière générale, les mémoires réma-

nentes ou non volatiles utilisées en tant que mémoires

EEPROM (mémoires PROM électriquement effaçables et pro-

grammables) ou en tant que mémoire EAROM (mémoires modi-

fiables électriquement) sont constituées par des tran-

sistors MISFET (transistors à effet de champ du type

Métal-Isolant-Semiconducteur) ciue l'on classe d'une ma-

nière générale dans deux catégories: le type FLOTOX (tvpe flottant avec oxyde de tunnel), qui est du type à

grille flottante et le type MNOS (Métal-Nitrure-Oxyde-

Semiconducteur) Le premier type possède une électrode-

de grille de commande servant à réaliser la commande et une électrode de grille flottante pour le stockage

de charges Les charges devant être stockées ou mémor'i-

sées dans la grille flottante qui sont injectées en traversant une mince pellicule d'oxyde située sur une région de drain sur la base de la pénétration par effet tunnel Fowler-Nordheim modifié (effet tunnel MFN) ou sur la base de l'effet tunnel direct (désigné ci-après simplement sous le terme de "effet tunnel" D'autre part, dans le second type de transistor, la pellicule

d'isolant de grille est formée par une structure à dou-

ble couche constituée par une pellicule de bioxyde de silicium (pellicule de Si O 2) et par une pellicule de nitrure de silicium (pelliculede Si 3 N 4) déposée sur la

première pellicle Les charges pénètrent par effet tun-

nel à travers la pellicule de Sio 2, de manière à se trou-

ver injectées et stockées dans des pièges situés à l'in-

térieur de la pellicule de Si 3 N 4 et formés à proximité

de la limite des deux pellicules isolantes.

Cependant, les dispositifs à semiconducteurs

respectifs présentent des problèmes tels que ceux indi-

qués ci-après qui empêchent l'obtention de l'accroisse-

ment des densités d'intégration et un abaissement des

tensions de fonctionnement des mémoires.

Le premier type de transistor est avantageux en ce qui concerne la rétention ou le maintien des don- nées Mais afin de garantir la rétention des charges, il est nécessaire d'interposer une pellicule épaisse isolante intercouches, d'une épaisseur d'environ 100

nanomètres du type utilisé dans une mémoire EPROM clas-

sique (mémoire ROM effaçable et programmable), entre la grille flottante et la grille de commande Cette épaisseur est nécessaire afin d'empêcher les charges stockées de la grille flottante de fuir en direction de la grille

de commande C'est pourquoi, il est impossible d'appli-

quer simplement une réduction d'échelle dans le but

d'obtenir un accroissement de la densité d'intégration.

En dehors de cela, dans le premier type de transistors,

lors de la construction de cellules de mémoire, l'ali-

gnement entre les régions de drain précédemment formées et les grilles flottantes pose un problème important comme une tolérance d'alignement est requise, il est très difficile de mettre en oeuvre un processus précis de structuration ou conformation en vue d'obtenir un

accroissement de la densité d'intégration.

Avec le second type de transistors,l'aligne-

ment entre les régions de grille et de drain n'est pas un problème En outre, ce dernier type de transistorsest

avantageux du point de vue durabilité Cependant, la ré-

duction d'échelle envisagée pour accro Itre la densité d'intégration ne peut pas être mise en oeuvre de façon simple Lorsque l'épaisseur de la pellicule de Si 3 N 4

constituant la pellicule d'isolant de grille tombe au-

dessous d'une certaine valeur ou d'environ 20 nanomètres

en raison de la réduction d'échelle, il apparait le phé-

nomène selon lequel les charges sont émises en direction d'une électrode de grille C'est pourauoi, la rétention

devient un problème grave De cette manière, la réduc-

tion de l'épaisseur de la pellicule de Si 3 N 4, c'est-à-

dire la réduction d'échelle, est limitée, ce qui est un obstacle à l'accroissement de la densité d'intégration

et à la réduction de la tension de fonctionnement.

Un but de la présente invention est de four-

nir une mémoire rémanente qui permette d'obtenir une den-

sité d'intégration supérieure et des tensions inférieures d'enregistrement et d'effacement, tout en maintenant à

une valeur favorable la rétention des charges.

Conformément à la présente invention, un élément servant -à stocker les charges comporte une grille flottante constituant une première électrode et qui est forméesur un corps semiconducteur de manière à

stocker les charges, une électrode de commande consti-

tuant une seconde électrode qui est formée sur la pre-

mière électrode, une pellicule d'isolant de grille qui

est interposée entre le corps semiconducteur et la pre-

mière électrode, et une pellicule isolante intercou-

ches qui est interposée entre la première électrode et la seconde électrode Au moins la pellicule d'isolant

de grille ou région de tunnel se compose de deux cou-

ches supérieure et inférieure de pellicules isolantes,:

dont lesconstantesdiélectriques diffèrent réciproquement.

Les charges pour la mémorisation des données sont rete-

nues de telle manière que la grille flottante est char-

gée Le centroide ou barycentre des charges est situé à l'intérieur de la première électrode Par conséquent, il est possible de réduire l'épaisseur de la pellicule

isolante formant la couche supérieure.

A titre d'exemple préféré, la couche infé-

rieure de la pellicule d'isolant de grille est une pel-

licule de Si O 2, tandis que la couché supérieure de la

pellicule d'isolant de-grille est une pellicule de Si 3 N 4.

L'épaisseur de la pellicule d'isolant de grille formant la couche supérieure est réglée de manière à être égale au moins à 4 nanomètres et au moins à 10 manomètres On

utilise du silicium polycristallin pour former le maté-

riau de lagrille flottante ainsi que de la grille de commande. D'autres caractéristiques et avantages de

la présente invention ressortiront de la description

donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: les fiaures l A et 1 B sont des diagrammes servant à expliciter un centroide ou barycentre de charges dans un transistor à effet de champ du type MNOS, la figure l A représentant un graphique de la courbe caractéristique et la figure 1 B représentant une vue en coupe type du transistor à effet de champ MNO 57 la figure 2 est une vue en coupe montrant la structure d'un premier transistor à-effet de champ conforme à la présente invention, tandis que la figure

3 est un graphique illustrant la relation entre la ten-

sion de grille VG et le courant drain-source IDS du transistor à effet de champ représenté sur la figuré 2; la figure 4 est une vue en coupe montrant la

structure des parties essentielles d'un second transis-

tor à effet de champ conforme à la présente invention; la figure 5 est une vue en coupe montrant la structure de parties essentielles d'un troisième

transistor à effet de champ conforme à la présente in-

vention; la figure 6 est une vue en plan d'une forme de réalisation d'une mémoire rémanente conforme à la présente invention; la figure 7 est une vue en coupe prise suivant la ligne VII-VII de la mémoire rémanente de la figure 6; et la figure 8 est un schéma du circuit de la

mémoire rémanente de la figure 6.

On va décrire ci-après la forme de réalisa-

tion préférée de l'invention.

La figure l A montre la relation entre le centroide ou le barycentre des charges et la quantité de charges Q injectées dans des pièges à l'intérieur d'une pellicule de Si 3 N 4 5 dans un transistor à effet de champ ayant une structure MNOS, et représenté sur la figure 1 B, ce résultat ayant été obtenu sur la base d'expérienceseffectuées par les auteurs de la présente invention En se référant à la figure 1 B, on voit qu'une pellicule d'isolant de grille 3 située au-dessous d'une électrode 2 se compose d'une pellicule de bioxyde de silicium (pellicule de Si O 2) 4 d'une épaisseur de 2,3 nanomètres et d'une pellicule de nitrure de silicium

(pellicule de Si 3 N 4) 5 d'une épaisseur de 52 nanomètres.

De façon résumée, on trouve le barycentre

des charges de la manière indiquée ci-après On suppo-

se que toutes les charges d'injection Q existent dans

un plan qui est parallèle à la limite entre la pellicu-

le de Si O 2 4 et la pellicule de Si 3 N 4 5 et qui est si-

tué à une certaine distance d de la grille limite Par

ailleurs, la capacité C d'un condensateur MIS est éva-

luée à partir des charges d'injection Q et d'un poten-

tiel V produit dans le condensateur MIS de la partie d'électrode de grille par les charges (C = Q/V) La

distance mentionnée précédemment d est évaluée à par-

tir de la capacité C, de la surface S de la partie de l'électrode de grille et de la constante diélectrique

ú qui est essentiellement fournie par les deux pelli-

cules isolantes (d = E S/C) La distance d est la

distance du barycentre des charges.

Sur la figure l A, l'axe des abscisses re-

présente la distance d (en nanomètres), qui est comptée

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en direction de la grille 2 (vers le haut) à partir de

la limite entre la pellicule de Si O 2 4 et la couche in-

férieure de la pellicule d'isolant de grille et la pel-

licule de Si 3 N 4 5 qui est la couche supérieure de la pellicule d'isolant de grille, tandis que l'axe des or- données représente la valeur de la quantité de charges d'injection ou injectées Q, qui est convertie en une tension V Cette valeur de tension peut être considérée

comme une valeur pour laquelle la quantité de charges in-

jectées Q peut modifier le seuil de tension du transis-

tor à effet de champ possédant la structure MNOS et re-

présenté sur la figure 1 B Les expériences effectuées par les auteurs à la base de l'invention ont révélé ce qui suit Comme cela est représenté sur la figure 1 A,

les barycentres de charges formés par les charges pié-

gées sont répartis ou distribués dans une région située à une distance comprise entre environ 4 et environ 11 nanomètres à partir de la limite de la pellicule de Si O 2

4 et de la pellicule de Si 3 N 4 5 En particulier, les ba-

rycentres des charges existent souvent dans la partie de

la pellicule de Si 3 N 4 qui est distante d'environ 10 nano-

mètres par rapport à ladite limite, et un nombre plus im-

portant de charges d'injection sont piégées en cet en-

droit Les barycentres des charges sont à peine présents

dans une région située à une distance inférieure à 4 na-

nomètres ou dans une région située à une distance supé-

rieure à il manomètres par rapport à ladite limite.

La figure 2 montre une première forme de

réalisation du transistor à effet de champ de la pré-

sente invention, réalisé sur la base des distances in-

diquées ci-dessus, de sorte qu'un barycentre de charges

peut exister à l'intérieur d'une grille flottante pré-

vue à nouveau, mais pas dans la pellicule de Si 3 N 4 Sur

la figure, la référence 10 désigne une région semicon-

ductrice de type P Cette région est constituée par un substrat semiconducteur en silicium de type P servant de corps semiconducteur On réalise par oxydation thermique

une pellicule d'oxyde de champ 11 sur le substrat de ty-

pe P 10 de manière à définir des régions destinées à former des éléments Dans chaque région, on réalise des régions de type N+ 12 et 13,-de manière à réaliser les régions de source et de drain On forme une pellicule de Si O 2 14, d'une épaisseur d'environ 2 nanomètres, à la surface de la région destinée à former l'élément, au

moyen d'une oxydation thermique du substrat La pellicu-

le de Si O 2 14 peut posséder une épaisseur telle que les charges peuvent pénétrer par effet tunnel et qui peut

avoir une valeur comprise entre 1,5 et 5 nanomètres.

Afin d'accroître l'efficacité de 1 'injectionil est pré-

férable d'utiliser une pellicule plus mince Afin de réaliser une pellicule possédant une bonne qualité,et

ce pour un rendement de fabrication élevé, il est pré-

férable d'avoir une valeur d'environ 2 nanomètres Une

pellicule de Si 3 N 4 15, qui possède une épaisseur d'en-

viron 6 manomètres, est formée dans la partie inférieu-

re de la partie formant électrode de grille, au moyen

du dépôt chimique en phase vapeur ou analogue La pel-

licule de Si 3 N 4 peut avoir une épaisseur telle que le barycentre des charges puisse se situer à l'intérieur d'une grille flottante Bien que l'on puisse prendre une valeur de 4 à 11 nanomètres, une valeur comprise entre environ 5 et 10 nanomètres est plus fiable Il est nettement préférable d'utiliser une pellicule plus mince pour amincir la pellicule d'isolant de grille La grille flottante 16 constituant une première électrode

qui est-constituée par du silicium polycristallin pos-

sédant une épaisseur d'environ 2 à 10 nanomètres, est

formée sur la pellicule de Si 3 N 4 15, de manière à réali-

ser une structure semblable à la structure désignée sous le terme de structure MNOS Il serait approprié que la grille flottante 16 soit mince Avec une grille flottante mince, les charges peuvent difficilement se mouvoir à l'intérieur de cette grille Dans le cas oiu la pellicule d'isolant de grille comporte des trous d'épingle, cette disposition permet de réduire une fui- te des charges à travers ladite grille, ce qui permet d'obtenir une rétention améliorée des données Sur la grille flottante 16, on forme une pellicule de Si O 2 17

servant de pellicule isolante intercouches, ladite pel-

licule 17 ayant une épaisseur relativement importante d'environ 100 nanomètres Une grille de commande 18 constituant une seconde électrode, qui est formée par

du silicium polycristallin, est réalisée sur la pelli-

cule de Si O 2 17 Sur la figure, la référence 19 désigne une pellicule de PSG (verre aux phosphosilicates) et la référence 20 désigne un câblage en aluminium Al, qui est raccordé électriquement aux régions de type NM 12 et 13 par l'intermédiaire de trous de contact 21 a et 21 b Les régions de type N 12, 13 sont réalisées en auto-alignement avec l'eélectrode de grille au moyen d'une implantation ionique ou analogue après que les parties s'étendant jusqu'à la grille de commande 18

ait été terminées La référence 22 désigne une pelli-

cule de passivation finale, par exemple une pellicule

de Si O 2 formée par dépôt chimique en phase vapeur.

Le transistor à effet de champ conforme à

la présente forme de réalisation est tel que la pelli-

cule d'isolant de grille ou la région tunnel 23, si-

tuée entièrement au-dessous de la grille flottante 16

-30 est réaliséeavec la double structure formée de la pel-

licule de Si O 2 14 formant la couche inférieure de la pellicule isolante et de la pellicule de Si 3 N 4 15 formant la couche supérieure de la pellicule isolante,

les constantes diélectriques de ces pellicules diffé-

rant l'une de l'autre En outre, on donne à l'épaisseur de la pellicule de Si 3 N 4 formant la couche supérieure une valeur de 6 nanomètres, qui est inférieure à la

distance du barycentre des charges La quantité de char-

ges injectées est réglée en rapport avec la pellicule de Si 3 N 4 15 de telle manière que le barycentre deschar-

ge peut être situé à l'intérieur de la grille flottante.

En outre, l'épaisseur de l'ensemble de la pellicule

d'isolant de grille 23 et des couches supérieure et in-

férieure combinées est mince et égale à une valeur aus-

si faible que 8 manomètres, dans le présent exemple.

Lorsque, dans le transistor à effet de champ

représenté sur la figure 2, une tension positive est ap-

pliquée à la grille de commande 18 et que le substrat de type P 10 est raccordé au potentiel de masse GND, les électrons pénètrent par effet tunnel dans la pellicule de Si O 2 14 à partir du côté du substrat de type P et la grille flottante est chargée A cet instant, l'une ou l'autre des régions de type N+ 12, 13 est raccordée au potentiel de masse GND et l'autre est maintenue à l'état

flottant L'injection des électrons est basée sur la me-

me action que celle intervenant dans la structure MNOS précédente Par conséquent, cette forme de réalisation est avantageuse du point de vue durabilité étant donné que la pellicule d'isolant de grille se dégrade moins que dans le cas d'une mémoire EEPROM classique du type

à grille flottante Etant donné que dans le présent exem-

ple, on donne une valeur de 6 nanomètres à l'épaisseur

de la pellicule de Si 3 N 4, le centre des pièges des char-

ges (la partie correspondant au barycentre des charges et qui piège au maximum les charges) se situe à l'intérieur de l'épaisseur de la grille flottante 16, de sorte que

les charges sont stockées dans la grille flottante 16.

La région chargée est la même que dans le type à grille flottante de l'art antérieur Par conséquent, la fuite

des charges à partir de la pellicule de Si 3 N 4 en direc-

tion de l'électrode de grille est faible et la rétention

est favorable comme dans le cas de la mémoire EEPROM clas-

sique de type MNOS Même lorsque l'épaisseur de la pelli-

cule d'isolant de grille 23 diminue dans le cas de la ré-

duction d'échelle, il ne se présente aucun problème du

point de vue de la rétention.

Le piégeage des charges peut être réalisé de la même manière que dans la structure MNOS Compte-tenu de la réduction des épaisseurs de la pellicule de Si O 2 14 et de la pellicule de Si 3 N 4 15, la tension qui est

appliquée à la grille de commande 18 lors de l'injec-

tion peut être réduite sans détérioration de l'effica-

sité de l'injection Conformément aux expériences des auteurs de la présente invention, avec la présente forme de réalisation, la pénétration par effet tunnel des

chargessuffisante pour mémoriser des données,est possi-

ble pour une tension d'environ 10 V Lors de la forma-

tion des régions de type N 12, 13, de la grille flot-

tante 16, etc, le problème de l'alignement entre les régions de type N et la grille flottante ne s'est pas posé Ceci facilite la finition de la configuration ou structuration, en améliorant la densité d'intégration, et ce en liaison avec la réduction d'échelle indiquée précédemment.

Afin d'enregistrer des données dans la gril-

le flottante 16, c'est-à-dire en d'autres termes d'in-

jecter des charges dans cette grille, il est possible d'appliquer une tension positive à la grille de commande 18, alors que le substrat de type P 10 est raccordé au potentiel de masse GND Inversement, en vue d'effacer

des données enregistrées dans la grille flottante 16,c'est-à-di-

re en d'autres termes en vue d'émettre des charges pié-

gées, il est possible de raccorder la grille de comman-

de 18 au potentiel de masse GND, alors qu'une tension

positiveest appliquée au substrat de type P 10 Par con-

séquent les charges sont émises en direction du substrat de type P 10 A ce moment là, le potentiel des régions de type N+ 12, 13 peut eêtre quelconque et on le rend

égal à celui du substrat du type P 10, à titre d'exem-

ple.

Les données enregistrées sont lues de la ma-

nière suivante Les caractéristiques courant-tension du transistor à effet de champ, représentées sur la figure 2 sont réglées comme cela est indiqué par " 1 " et " O " sur la figure 3 lorsque les charges ne sont pas piégées dans la grille flottante 16 et lorsqu'elles sont piégées dans cette grille respectivement Un transistor à effet de

champ représenté sur la figure 2 est réglé'préalable-

ment dans le mode à appauvrissement, avec une tension de seuil égale par exemple à -3 V environ, ce qui a pour

effet qu'il est placé dans le mode à enrichissement lors-

que la tension de seuil est accrue jusqu'à une valeur de par exemple + 3 V environ par l'enregistrement des données

c'est-à-dire le piégeage des charges.

Sur la figure 3, l'axe des abscisses VG re-

présente la tension qui est appliquée à la grille de com-

mande 18, tandis que l'axe des ordonnées IDS représente le courant qui s'écoule entre la région de source et la

région de drain', c'est-à-dire entre les régions de type-

N+ 12 et 13 En utilisant une telle différence des ten-

sions de seuil, on amène le potentiel de la grille de commande 18 par exemple à 9 V, ce qui permet de réaliser la lecture des données Ainsi, le nombre des instants de lecture est accru Il est possible de connaître les deux états dans lequel le transistor à effet de champ, pour lequel le potentiel de la grille de commande est réglé à O V est conducteur (état de " 1 ") et est bloqué (état de '" O ") Par conséquent le transistor à effet de champ peut être exploité en tant qu'élément de mémoire

rémanente contenant la donnée égale à 1 bit.

La figure 4 représente un second exemple du

transistor à effet de champ conforme à la présenteinven-

tion et montre en particulier uniquement la structure

d'une partie formant grille Les autres parties non re-

présentées sont identiques à celles indiquées dans la figure 2 Dans la présente forme de réalisation, tout comme dans le cas de la forme de réalisation précédente, la pellicule d'isolant de grille 23 située entre la grille flottante 16 et le substrat semiconducteur 10

est réalisée selon la structure double avec la pellicu-

le de Si O 2 14 constituant la couche inférieure de la

pellicule isolante et la pellicule de Si 3 N 4 15 consti-

tuant la couche supérieure de la pellicule isolante.

Un agencement particulier tient au fait que la pellicu-

le isolante intercouches 24 située entre la grille flot-

tant 16 et la grille de commande 18 est réalisée selon

une-structure double La pellicule isolante intercou-

ches 24 est constituée d'une pellicule de Si 3 N 4 25 constituant la couche inférieure et d'une pellicule de Sio constituant la couche supérieure et formée par oxydation thermique de la surface de la première

couche Les pellicules respectives possèdent des épais-

seurs de 6 et 2 nanomètres Ces pellicules devraient de préférence être minces La pellicule de Si 3 NA 25

peut avoir une épaisseur comprise entre 4 et 11 nanomè-

tres et la pellicule de Si O 2 26 peut posséder une épais-

seur comprise entre 1,5 et 5 nanomètres Mais, pour des

raisons qui seront indiquées ci-après, il serait souhai-

table que les épaisseurs des pellicules 25 et 26 soient respectivement égales à la pellicule de Si N 15 et à la 3 4

pellicule de Si O 2 14,qui constituent la pellicule d'iso-

lant de grille.

* Lorsque la pellicule isolante intercouches 24 est ainsi réalisée, l'ensemble de son épaisseur peut

être rendue inférieure à l'épaisseur de la pellicule iso-

lante intercouches constituée par la pellicule de Si O 2 17

seule, comme représenté sur-la figure 2 En outre, en dé-

pit du fait que la pellicule isolante intercouches est mince dans son ensemble, l'émission de charges à partir de la grille flottante 16 en direction du côté de la

grille de commande 18 peut être empêchée de façon effi-

cace Par conséquent, la rétention des données est enco-

re améliorée Ceci est basé sur le'fait que des charge ayant fui hors de la grille flottante 16 sont captées par la pellicule de Si 3 N 4 25, qui a tendance à former le

centre des pièges, assure le fait que la fuite des char-

ges hors de cette pellicule de Si 3 N 4 en direction de la grille de commande 18 est empêchée par la pellicule de Si O 2 26 Bienque cette pellicule de SIO 2 26 ait une épaisseur aussi faible que 2 manomètres, cela suffit

pour empêcher la fuite des charges à partir de la pel-

licule de Si 3 N 4 25 Cette structure est efficace pour

amincir cette partie de la grille et est plus avanta-

geuoe pour le traitement de finition -

Etant donné que, dans cette structure, les deux pellicules isolantes 23 et 24 situées au-dessous et au-dessus de la grille flottante 16 possèdent des épaisseurs approximativement identiques, ue intensité de champ électrique dans la grille flottante 16 devient égale à environ la moitié d'une tension appliquée à la grille de commande 18 Par conséquent l'efficacité de la pénétration par effet tunnel des charges peut être améliorée Donc, lorsque l'on utilise le transistor à effet de champ en tant qu'élément de mémoire, il est possible de réduire la tension d'enregistrement Par exemple, lorsqu'une tension de 5 V est appliquée à la grille de commande 18, un potentiel devant apparaît dans la grille 76 est égal à 2,5 V Dans ce cas, les charges suffisantes pour accroître la tension de seuil de l'ordre de quelques volts peut être injectée de telle sorte que le transistor à effet de champ peut être

utilisé de façon satisfaisante en tant qu'élément de mé-

moire Naturellement, l'émission des charges peut être

réalisée de façon similaire avec une faible tension.

Les façons d'appliquer des tensions aux régions respec- tives du transistor à effet de champ lors des modes d'enregistrement et d'effacement sont les mêmes que dans

l'exemple du premier transistor à-effet dé champ.

La figure 5 montre un troisième exemple du

transistor à effet de champ conforme à la présente inven-

tion Cet exemple est tel que, entre la pellicule de Si 3 N 4 25 de la pellicule 24 isolante intercouches et la grille flottante 16 située dans le transistor à effet de champ de la figure 4, il existe une pellicule de Si O 2 27 qui est formée sur une épaisseur de 2 nanomètres par oxydation thermique de la grille flottante 16 Les caractéristiques, autres que cette caractéristique, sont les mêmes que dans le cas du second exemple du

transistor à effet de champ Par conséquent, la pelli-

cule isolante intercouches 24 possède une structure tri-

ple et est constituée par une couche supérieure 26, une couche médiane 25 et une couche inférieure 27, qui sont respectivement la pellicule de Si O 2, la pellicule de

Si 3 N 4 et la pellicule de Si O 2 Compte-tenu de la présen-

ce de la nouvelle pellicule de Si O 2 27, il est possible d'améliorer l'action de prévention de toute fuite de

charges à partir de la grille flottante 16 en direc-

tion de la pellicule de Si 3 N 4 15.

Avec le second ou troisième transistor à ef-

fet de champ, il est possible de réaliser un enregistre-

ment et un effacement à 5 V, grâce à une optimisation des épaisseurs des pellicules 15 et 25 de Si 3 N 4.

Dans les formes de réalisation respectives

décrites ci-dessus, les pellicules de Si 3 N 4 15, 25 peu-

vent être parfaitement bien remplacées par des pellicu-

les de A 1203 ou par des pellicules d'hydroxynitrure.

Pour la grille de commande 18 et la grille flottante 16, on peut utiliser des pellicules constituées par

du molybdène Mo, du tungstène W, du platine Pt ou ana-

logue à la place des pellicules de silicium polycris- tallin En particulier en ce qui concerne la grille

flottante 1 6, on peut parfaitement utiliser une-pelli-

cule de W, de Pt ou analogue On peut parfaitement

bien utiliser une pellicule d'aluminium Al pour cons-

tituer la grille de commande 18.

Les figures 6 à 8 montrent une forme de réalisation dans laquelle une mémoire rémanente est réalisée en utilisant les transistors à effet de champ conformaà la présente invention en tant qu'éléments de mémoire Les figures 6 et 7 sont respectivement une

vue en plan et une vue en coupe de cette forme de réa-

lisation et la figure 8 est un schéma du circuit de la mémoire Comme représenté sur les figures 6 et 7, un puits de type P 31 repéré par une ligneen trait mixte et servant de région semiconduictrice pour la formation

des cellules de mémoire est formé dans un substrat se-

miconducteur en silicium de type N 30 servant de corps semiconducteur Plusieurs régions allongées 33 destinées

à former les éléments et qui sont isolées par une pelli-

cule d'oxyde de-champ 32, sont formées dans la partie principale du substrat en silicium Dans chaque région 33 constituant un élément, on forme dés régions de type M 34, 35 et 36 à des intervalles prédéterminés suivant

la direction de la longueur de la région 33 formant l'élé-

ment, et ce avec auto-alignement par rapport aux lignes de transmission de mots W 51, OOO WM 1 Les régions de type N 34 et 35 voisines ainsi que les lignes de transmission de mots W O prises en sandwich entre *ces régions, servent de régions de source et de drain pour des transistors MOSFET Q le Q 52 ' qui sont des organes de commutation Des régions voisines de type N et 36 avec les lignes de transmission de mots WM 1, prises en sandwich entre ces régions servent de régions de source ou de drain pour les transistors à effet de champ Ml M 2 qui sont des éléments de mémoire

Les transistors MOSFET QSI Q 52 ', qui sont des orga-

nes de commutation, possèdent la structure MOSFET usuel-

le comportant une pellicule d'oxyde de grille (pellicu-

le de Si O 2) 37 et une grille 38 en silicium polycristal-

lin formée sur cette pellicule Les électrodes de gril-

le des transistors MOSFET QS, Q 52 constituent les

lignes de transmission de mots W Si Les transis-

tors à effet de champ Q Mi' QM 2 servant d'éléments de mémoire possèdent la structure du dispositif de mémoire

rémanente représentée sur la figure 4 Dans les électro-

des de grille des transistors à effet de Q Mi, QM 2

les électrodes de grille constituent les lignes de trans-

mission de mots T Miî WM 2 a Les deux types de transis-

tors à effet de champ Q 51 Q et QMî M 2 uti-

lisent les régions de type N 35 existant entre elles,

en tant que régions de source ou de drain communeso Cha-

que cellule de mémoire est constituée de telle manière qu'un couple de transistors à effet de champ Q 51 et Q Mi, Q 52 et QM 2 ' oo' sont branchés en série Les éléments de commutation voisins et les éléments de mémoire voisins

constituant les différentes cellules de mémoire se par-

tagent respectivement les régions de type N 34 et 36.

Un conducteur de câblage en Al 47 est raccordé aux ré-

gions de type N+ 34 et 36 partagées, par l'intermédiaire de trous de contact Comme cela est représenté sur la

figure 6, le conducteur de câblage en Al 47 raccorde al-

ternativement les régions de type N+ 34 entre les élé-

ments de commutation et les régions de type N+ 36 entre

les éléments de mémoire.

Les dispositifs formés, comme décrit ci-des-

sus, sont raccordés de la manière représentée sur la fi-

gure 8 Des lignes de transmission de données D 1, D 2, qui sont raccordées aux drains des éléments de mémoire

QM 1 ' QM 2# " sont raccordées à un circuit d'enregistre-

ment 50 Des lignes de transmission de données D 1, D 2,,

qui sont raccordées aux sources des éléments de commuta-

tion Q 51 RQ 52 sont raccordées à un décodeur des Y 51 ainsi qu'à un circuit de lecture 52 Les lignes de

transmission de mots W Si, e 52, raccordées aux gril-

les des éléments de commutation, et les lignes de trans-

mission de mots WM, WM 2 raccordées aux grilles des éléments de mémoire, sont raccordées respectivement à un décodeur des X 53 En outre, le puits de type P 31, qui est la région semiconductrice dans laquelle les cellules de mémoire doivent être formées, est raccordé

à un circuit de tension de puits 54, de manière à réa-

liser un circuit de mémoire.

Lors de l'injection ou de l'émission de

chairges,une haute tension égale par exemple à 20 V com-

me dans le cas de l'art antérieur n'est pas nécessaire.

En effet, lors de l'enregistrement des don-

nées, au cours de l'injection des charges, une ligne quelconque désirée, par exemple la ligne D 1 faisant partie des lignes de transmission de données D 1, D 2,

est placée à O V par le circuit d'enregistrement 50.

Les autres lignes de transmission de données D 2, sont placées à 5 V Toute ligne désirée, par exemple W Ml parmi les lignes detransmission de mots WMV, WM 2 I est placée à une tension d'enregistrement de 5 V

par le décodeur des X Les autres lignes de transmis-

sion de mots WM 2 sont placées à O V Toutes les

lignes de transmission de mots WSI, W 52, sont main-

tenues à O V Les lignes de transmission de données D 1, D 2, sont maintenues à n'importe quelle valeur

désirée, par exemple O V, par lé décodeur des X D'au-

tre part, une tension de O V est appliquée au puits de

type P 31 situé au-dessus du canal du transistor à ef-

fet de champ QM 1 ' par le circuit de tension de puits 54 Il en résulte que des charges sont injectées dans la grille flottante du transistor à effet de champ QM 1 i

comme cela a été décrit précédemment.

Lors de l'effacement des données, au cours

de l'émission de charges, toutes les lignes de transmis-

sion de mots sont amenées au potentiel de masse de O V, tandis que le potentiel du puits de type P 31 est placé

à une tension d'effacement de par exemple 5 V Par con-

séquent, des charges à l'intérieur de tous les éléments

de mémoire sont émises.

A cet instant, les lignes de transmission de mots Wsi, Ws 2, sont maintenues à O V et toutes les lignes de transmission de données sont placées à un potentiel quelconque désiré Lorsqu'une ligne de transmission de mots, par exemple WMî faisant partie des lignes de transmission de mots WM 1 WM 2, sont

placées à O V, et que les autres lignes de transmis-

sion de mots WM 2, sont placées à 5 V, seules les

données situées dans les cellules de mémoire raccor-

dées à WM 1 peuvent être effacées.

Lors de la lecture des données, les lignes de transmission de données D 1, D 2, et les lignes de transmission de mots WMîI WM 2 sont placées à 0 V Parmi les lignes de transmission de mots Wsl, W 52,, une ligne quelconque désirée, par exemple Wsi' est placée à 5 V Etant donné que les charges sont piégées dans le transistor à effet de champ QM 1

raccordé au transistor à effet de champ Qsi sélec-

tionné, la tension de seuil du transistor à effet de champ Q Mi est supérieureà O V, de sorte que ce transistor à effet de champ ne passe pas à l'état "conducteur" ou "passant", par conséquent le potentiel de la ligne de transmission de données DS, préchargée à une certaine tension de par exemple 5 V est raccordée

au transistor à effet de champ Qsi ne varie pas Lors-

qu'aucune charge n'est piégée dans le transistor à ef-

fet de champ QMî' ce transistor passe à l'état "conduc-

teur", si bien que le potentiel de la ligne de transmis-

sion de données D 1 devient approximativement égal à O VO Ce potentiel de la ligne de transmission de données D 1

est détecté par le circuit de lecture 52 par l'inter-

médiaire du décodeur des Y 51 e Etant donné que latension d'enregistrement et la tension d'effacement dans l'élément de mémoire

MOSFET peuvent être égales à 5 V, la tension d'alimen-

tation de 5 V du circuit de mémoire peut être utilisée telle quelle et il est inutile d'utiliser un circuit élévateur de tension, etc En outre, étant donné que

le courant de lecture est intense, aucun circuit ampli-

ficateur n'est nécessaire De plus, étant donné que l'ensemble du dispositif reçoit une forme aplatie et

que la densité d'intégration est accrue, on peut réa-

liser un dispositif de mémoire possédant une capacité

de mémorisation élevée.

Le dispositif de mémoire et le circuit de mémoire décrits ci-dessus sont simplement un exemple

d'application de la présente invention Il va sans di-

re que d'autres applications différentes incluant par

exemple une mémoire rémanente à accès direct ou aléa-

toire (NVRAM) sont possibles.

Dans la mémoire rémanente conforme à la

présente invention, une pellicule d'isolant de gril-

le située au-dessous d'une grille flottante est réa-

-lisée selon une structure double grâce à l'utilisation

de pellicules isolantes possédant des constantes diélec-

triques différentes l'une de l'autre, et l'épaisseur de la couche supérieure de la pellicule d'isolant de grille est réglée à une épaisseur ou inférieure à une

épaisseur prédéterminée de manière à placer un centrol-

de ou barycentre de charges à l'intériei de la grille

flottante Par conséquent, l'amélioration de la densi-

té d'intégration d'un dispositif et la réduction d'une tension d'enregistrement et d'une tension d'effacement

peuvent êtreobtenues simultanément, et ce tout en réali-

sant une rétention favorable des données Un autre ef-

fet réside dans le fait que, par suite de l'accroisse-

ment de la capacité de mémorisation du dispositif, on

peut obtenir une simplification de l'agencement du cir-

cuit de mémoire.

Les avantages de la présente invention sont obtenus dans d'autres variantLes de l'inventi Qn, grâce à l'utilisation de la pellicule d'isolant de grille ou

d'une région à effet tunnel de l'invention, pour cons-

tituer la région tunnel du dispositif Il est approprié, dans les variantes de l'invention, d'utiliser la région à effet tunnel possédant la structure à double couche,

qui est constituée par la pellicule de bioxyde de sili-

ciurl et par la pellicule de nitrurede silicium, formée sur la précédente La région à effet tunnel conforme à l'invention est utiliséepar exemple à la place de la

pellicule d'oxyde à effet tunnel dans une mémoire ré-

manente du type à grille flottante représentée dans la revue Electronics, 28 Février 1981, pp 113-117, ou dans une cellule du type à grille flottante semblable à une cellule à un tcransistor représentée dans Electronics, 31 Juillet 1980, pp 89-92 Ces dispositifs ne présentent pas l'avantage selon lequel aucune tolérance d'alignement

n'est requise L'invention s'applique à d'autres cellu-

les de mémoire rémanente du type à grille flottante qui

utilisent l'effet tunnel.

Claims (11)

REVENDICATIONS

1 Mémoire rémanente comporte un transistor

à effet de champ destiné à être utilisé en tant qu'élé-

ment de mémoire, caractérisée en ce que ledit transis-

tor à effet de champ comporte,

a) un corps semiconducteur ( 10), qui com-

porte des premières régions semiconductrices possédant un premier type de conductivité ( 2,13), b) une pellicule isolante,( 23),qui est formée

sur lesdites régions semiconductrices et qui est cons-

tituée par une première pellicule isolante ( 14) et par

une seconde pellicule isolante ( 15) formée sur la pré-

cédente et qui possède une constante diélectrique dif-

férente de la constante diélectrique de ladite premiè-

re pellicule isolante, c) une première électrode de grille ( 16) qui est formée sur ladite pellicule isolante, d) une seconde électrode de grille ( 18) qui est formée sur ladite première électrode de grille, e) une pellicule isolante intercouches ( 17; 24) qui est disposée entre lesdites première et seconde électrodes de grille ( 16, 18),et

f) des régions semiconductrice,possèdent-

un second type de conductivité et qui sont formées à l'intérieur des régions semiconductrices mentionnées

en premier, qui sont disposées sur les deux côtés des-

dites première et second électrodes' de grille.

2 Mémoire rémanente, selon la revendication 1, caractérisée en ce que ladite première pellicule d'isolant de grille ( 14) est une pellicule de bioxyde

de silicium.

3 Mémoire rémanente selon la revendication

2, caractérisée en ce que ladite seconde pellicule d'iso-

lant de grille ( 15) est une pellicule de nitrure de sili-

cium.

4 Mémoire rémanente selon la revendication 3, caractériséeen ce que ladite pellicule de bioxyde de silicium possède une épaisseur comprise entre 1,5 et 5

nanomètres et que ladite pellicule de nitrure de sili-

cium possède une épaisseur comprise entre 4 et 11 nano- mètres. Mémoire rémanente, selon la revendication 4, caractérisée en ce que ladite pellicule de bioxyde de silicium possède une épaisseur de 2 nanomètres et que ladite pellicule de nitrure de silicium possède une

épaisseur de 6 nanomètres.

4 Mémoire rémanente, selon la revendication

4, caractérisée en ce que ladite pellicule isolante in-

tercouches ( 17) est une pellicule de bioxyde de silicium.

7 Mémoire rémanente selon la revendication

7, caractérisée en ce que la pellicule isolante inter-

couches ( 24) est constituée par une pellicule de nitru-

re de silicium ( 25) qui est une première pellicule iso-

lante intercouches, et par une pellicule de bioxyde de

silicium ( 26) qui est une seconde pellicule isolante in-

tercouches, formée sur ladite première pellicule isolan-

te intercouches.

8 Mémoire rémanente selon la revendication 7, caractérisée en ce que ladite pellicule de bioxyde de silicium ( 14) de ladite première pellicule d'isolant de grille ( 23) et ladite pellicule de bioxyde de silicium ( 26) de ladite seconde pellicule isolante intercouches possèdent des épaisseurs sensiblement identiques, tandis que la pellicule de nitrure de silicium ( 25) de ladite seconde pellicule d'isolant de grille ( 24) et ladite

pellicule de nitrure de silicium (I 5) de ladite premiè-

re pellicule isolante intercouches ( 17) possèdent des

épaisseurs sensiblement identiques.

9 Mémoire rémanente selon la revendication

4, caractérisé en ce que ladite pellicule isolante inter-

couches ( 24) est constituée par une pellicule de nitrure de silicium ( 25) qui est une première pellicule isolante intercouches, par une pellicule de bioxyde de silicium ( 26) qui est une seconde pellicule isolante intercouches formée sur ladite première pellicule isolante intercou- ches, et par une pellicule de bioxyde de silicium ( 27)

qui est une troisième pellicule intercouches formée en-

tre ladite première électrode de grille ( 16) et ladite

pellicule de nitrure de silicium ( 25) de ladite premiè-

re pellicule isolante intercouches.

Mémoire rémanente selon la revendica-

tion 9, caractérisée en ce que ladite pellicule de bioxyde de silicium de ladite première pellicule d'isolant de grille et ladite pellicule de bioxyde

de silicium de ladite seconde pellicule isolar-

te intercouches possèdent des épaisseurs sensiblement identiques, tandis que ladite pellicule de nitrure de silicium de ladite seconde pellicule d'isolant de

de grille et ladite pellicule de nitrure de sili-

cium de ladite première pellicule isolante intercou-

ches possèdent des épaisseurs sensiblement identiques;

Il Mémoire rémanente selon la revendica-

tion 4, caractérisée en ce que ladite première électro-

de de grille possède une épaisseur comprise entre 2 et

10 nanomètres.

Mémoire rémanente selon la revendica-

tion 11, caractérisée en ce que ladite première électro-

de de grille ( 16) est constituée-une couche de silicium polycristallin.

13 Mémoire rémanente selon la revendica-

tion 4, caractérisée en ce que ladite première électro-

de de grille ( 16) est constituée par une couche de si-

licium polycristallin possédant une épaisseur compri-

sentre entre 2 et 10 nanomètres et que ladite seconde

électrode de grille ( 18) est constituée par une cou-

che de silicium polycristallin.

14 Mémoire rémanente selon la revendica-

tion 13, caractérisée en ce que ledit premier type de conductivité est le type P et que ledit second type de conductivité est le type N.

Mémoire rémanente selon la revendica-

tion 14, caractérisée en ce que ledit corps semiconduc-

teur ( 10) est un substrat en silicium de type N. 16 Mémoire rémanente, caractérisée en ce qu'elle comporte a) un corps semiconducteur ( 10),

b) un circuit de sélection ( 53) qui est dis-

posé sur ledit-corps semiconducteur, c) un réseau de mémoire qui est constitué par plusieurs cellules de mémoire disposées sous la

forme d'une matrice et ce dans des régions semiconduc-

trices possédant un premier type de conductivité for-

mées dans ledit corps semiconducteur, lesdites cellules de mémoire possédant des premières et secondes'bornes

de sélection et des premières et secondes bornes de lec-

ture,

d) une pluralité de couples de lignes detrans-

mission de mots (WM 1, W 51,Wl',2; 2 -)qui s'étendent à partir

dudit circuit de sélection ( 53) jusqu'à l'intérieur du-

dit réseau de mémoire et qui reçoivent des signaux de sélection en provenance dudit circuit de sélection, l'un et l'autre de chacun desdits couples de lignes de transmission de mots étant raccordé respectivement

aux premièreset secondesbornes des cellules de mémoi-

re correspondantes, e) une pluralité de couples de lignes de transmission de données (D 1, D 1, D 2, D 2,) qui s'étendent à partir dudit circuit de sélection à l'intérieur dudit

réseau de mémoire de manière à intersecter orthogona-

lement lesdites lignes de transmission de mots (WM 1,Ws 1,WM 2,

A-) et qui reçoivent les signaux de lecture à partir du-

dit circuit de sélection, l'un et l'autre de chacun desdits couples de lignes de transmission de données

étant raccordés respectivement aux première et secon-

de bornes de lecture des cellules de mémoire correspon- dantes,

f) chacune desdites cellules de mémoire in-

cluant un premier transistor à effet de champ (Q Ml, -),des tiné à être utilisé en tant qu'élément de mémoire, et un second transistor à effet de champ (Q 51 S)destiné à être utilisé en tant qu'élément de commutation, lesdits premiers et seconds transistors à effets de champ étant

raccordés en série entre les premières et secondes bor-

nes de lecture, tandis que des électrodes de commande de ces premier et second transistors à effet de champ sont raccordéesrespectivement aux première et seconde bornes de sélection, g) ledit premier transistor à effet de champ

incluant une pellicule de bioxyde de sili-

-cium qui est formée sur lesdites régions sémiconductri-

ces possédant ledit premier type-de conductivité, une pellicule de nitrure de silicium qui est formée

sur ladite pellicule de bioxyde de silicium, urepremiè-

re électrode de grille en silicium polycristallin

qui est formée sur ladite pellicule de nitrure de sili-

cium, une seconèbélectrode de grille qui est formée

par dessus ladite première électrode de grille, une pel-

licule isolante intercouches qui est disposée entre lesdites première et seconde électrodes de grille et des, régions semiconductrices possédant le second type de conductivité et qui sont disposéesdes deux côtés desdites première et secondes électrodes de

grille à l'intérieur de chacune des régions semiconduc-

trices mentionnées en premier, ladite seconde électrode de grille faisant partie de la ligne de transmission de

mots qui est raccordée à la première borne de sélection.