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ES2383996T3 - Dispositivo que tiene una máscara conductora absorbente de la luz y procedimiento de fabricación del mismo - Google Patents

Dispositivo que tiene una máscara conductora absorbente de la luz y procedimiento de fabricación del mismo Download PDF

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ES2383996T3
ES2383996T3 ES05255663T ES05255663T ES2383996T3 ES 2383996 T3 ES2383996 T3 ES 2383996T3 ES 05255663 T ES05255663 T ES 05255663T ES 05255663 T ES05255663 T ES 05255663T ES 2383996 T3 ES2383996 T3 ES 2383996T3
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ES
Spain
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mask
optical
reflective layer
interferometric
layer
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Active
Application number
ES05255663T
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English (en)
Inventor
Manish Kothari
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qualcomm MEMS Technologies Inc
Original Assignee
Qualcomm MEMS Technologies Inc
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Abstract

Un dispositivo optico interferometrico que comprendeº medios (20; 202) para soportar un dispositivo optico; medios (200) para modular luz interferometricamente que comprenden un area no activa (108; 230) y un area activa, los medios de modulacion (200) dispuestos sobre los medios de soporte (20; 202), teniendo los medios de modulacion (200) una caracteristica optica que cambia en respuesta a un voltaje aplicado a los medios de modulacion, y una mascara optica electricamente conductora (218, 222) acoplada electricamente a los medios de modulacion (200) para proporcionar una o mas vias electricas para la aplicacion de voltajes a los medios de modulacion, comprendiendo la mascara (218, 222) una primera capa reflectante (218) y una segunda capa reflectante (222), la primera capa reflectante (218) y la segunda capa reflectante (222) configuradas como un elemento estatico separado del area activa para modular interferometricamente la luz de tal manera que la mascara absorbe luz en al menos una parte del area no activa (108; 230) de los medios de modulacion (200).

Description

Dispositivo que tiene una mascara conductora absorbente de la luz y procedimiento de fabricacion del mismo
Campo de la invención
El campo de la invencion se refiere a sistemas microelectromecanicos (MEMS).
5 Descripción de la tecnología relacionada
Los sistemas microelectromecanicos (MEMS) incluyen elementos micromecanicos, activadores y de electronica. Los elementos micromecanicos puede crearse usando deposicion, ataque quimico y otros procedimientos de micromecanizacion que eliminan mediante ataque quimico partes de sustratos y/o capas depositadas de material o que araden capas para formar dispositivos electricos y electromecanicos. Un tipo de dispositivo MEMS se denomina 10 modulador interferometrico. Un modulador interferometrico puede comprender un par de placas conductoras, una o ambas de las cuales pueden ser transparentes y/o reflectantes en su totalidad o en parte y ser capaces de movimiento relativo con la aplicacion de una seral electrica apropiada. Una placa puede comprender una capa estacionaria depositada sobre un sustrato, la otra placa puede comprender una membrana metalica separada de la capa estacionaria por un espacio de aire. Estos dispositivos tienen una amplia gama de aplicaciones, y seria
15 beneficioso en la tecnica utilizar y/o modificar las caracteristicas de estos tipos de dispositivos de manera que sus caracteristicas puedan ser explotadas en la mejora de productos existentes y la creacion de nuevos productos que aun no han sido desarrollados.
El documento US-A-2004/184134 se refiere a un modulador optico que comprende un primer substrato que tiene una pelicula reflectante movil que oscila de acuerdo con la aplicacion de una fuerza electrostatica, y un segundo
20 substrato de transmision de luz, incluyendo un electrodo transparente para la aplicacion de la electrostatica fuerza, enfrente del primer substrato, y una cavidad entre los mismos. Un absorbente de luz esta formado como una capa superior sobre el electrodo transparente, de modo que cuando el absorbente de luz esta en estrecho contacto con la pelicula reflectante movil, se reduce la reflectividad o, alternativamente, la luz de una longitud de onda intrinseca es absorbida y atenuada.
25 El documento WO-A-2004/006003 se refiere a un procedimiento para la fabricacion de un dispositivo optico que comprende al menos un componente optico sobre un sustrato transparente. Un area del sustrato se define como absorbente de la luz, y se fabrica una mascara absorbente de luz sobre el area determinada, antes de fabricar el al menos un componente optico.
El documento US-8-6 288 824 se refiere a un obturador optico electrostatico en el cual esta dispuesto un electrodo
30 flexible en la forma de una membrana fabricada de una pelicula opticamente transparente y electricamente aislante sobre un sustrato opticamente transparente y electricamente aislante. La membrana y el sustrato contienen una rejilla con tiras paralelas repetidas periodicamente, que estan conectadas a uno o ambos extremos para formar electrodos continuos.
El documento US-A-2004/100677 se refiere a un sistema de proyeccion que incluyen un modulador de luz espacial
35 con dos sustratos unidos entre si, en el que uno de los sustratos comprende una matriz de microespejos. En una realizacion, uno de los sustratos es un sustrato transmisor de luz que tiene una capa absorbente de la luz para bloquear selectivamente la luz que pasa a traves del sustrato. La capa absorbente de la luz puede formar un patron, como el marco, alrededor de la matriz de microespejos.
El documento US-A-2004/051929 se refiere a una arquitectura de moduladores separables.
40 Sumario de ciertas realizaciones
De acuerdo con un primer aspecto, la presente invencion proporciona un dispositivo optico tal como se define en la reivindicacion 1. De acuerdo con un segundo aspecto, la presente invencion proporciona un procedimiento como se define en la reivindicacion 19. De acuerdo con un tercer aspecto, la presente invencion proporciona un procedimiento para fabricar un dispositivo optico tal como se define en la reivindicacion 24.
45 En ciertas realizaciones, un dispositivo optico comprende un sustrato. El dispositivo optico comprende ademas un elemento de modulacion de la luz interferometrico dispuesto sobre el sustrato. El elemento de modulacion tiene una caracteristica optica que cambia en respuesta a un voltaje aplicado al elemento de modulacion. El dispositivo optico comprende ademas una mascara optica electricamente conductora dispuesta sobre el sustrato y separada del elemento de modulacion. La mascara optica esta acoplada electricamente al elemento modular para proporcionar
50 una o mas vias electricas para la aplicacion de voltajes en el elemento de modulacion.
En ciertas realizaciones, un procedimiento proporciona una seral electrica a una pluralidad de elementos opticos interferometricos de una pantalla. Los elementos opticos interferometricos son individualmente accionables mediante la aplicacion de un voltaje a los mismos. El procedimiento comprende acoplar electricamente una mascara optica
electricamente conductora a uno o mas elementos opticos interferometricos. El procedimiento comprende ademas la aplicacion de un voltaje a la mascara optica para activar los uno o mas elementos opticos interferometricos.
En ciertas realizaciones, un procedimiento fabrica un dispositivo optico interferometrico. El procedimiento comprende formar una mascara optica electricamente conductora sobre un substrato. La mascara optica absorbe la luz. El procedimiento comprende ademas la formacion de un componente optico interferometrico sobre el sustrato separado de la mascara optica. El componente optico interferometrico tiene un estado activado y un estado no activado. El componente optico interferometrico cambia entre el estado activado y el estado no activado en respuesta a un voltaje aplicado. Cada estado tiene una respuesta optica caracteristica a la luz incidente. El procedimiento comprende ademas conectar electricamente la mascara optica al componente optico interferometrico para que al menos una parte de la mascara optica proporcione un bus para aplicar el voltaje al componente optico interferometrico.
En ciertas realizaciones, un procedimiento fabrica un dispositivo optico que comprende al menos un componente optico interferometrico activo formado sobre un sustrato transparente. El procedimiento comprende la identificacion de un area sobre el sustrato que sera absorbente de la luz. El area identificada esta desplazada lateralmente desde el al menos un componente activo optico interferometrico. El procedimiento comprende ademas la fabricacion de una mascara optica conductora absorbente de la luz sobre el area identificada antes de fabricar el al menos un componente optico interferometrico activo. La mascara se conecta al componente optico activo.
En ciertas realizaciones, un dispositivo optico comprende medios para soportar un dispositivo optico. El dispositivo optico comprende ademas medios para modular la luz interferometricamente. Los medios de modulacion estan dispuestos sobre los medios de soporte. Los medios de modulacion tienen una caracteristica optica que cambia en respuesta a un voltaje aplicado a los medios de modulacion. El dispositivo optico comprende ademas medios para absorber la luz. El medio absorbente esta dispuesto sobre los medios de soporte y esta separado de los medios de modulacion. El medio absorbente esta acoplado electricamente a los medios de modulacion para proporcionar una o mas vias electricas para la aplicacion de voltajes a los medios de modulacion.
Breve descripción de los dibujos
La Figura 1 es una vista isometrica que representa una parte de una realizacion de una pantalla de un modulador interferometrico en la que una capa reflectante movil de un primer modulador interferometrico esta en una posicion liberada y una capa reflectante movil de un segundo modulador interferometrico esta en una posicion accionada.
La Figura 2 es un diagrama de bloques del sistema que ilustra una realizacion de un dispositivo electronico que incorpora una pantalla de un modulador interferometrico de 3x3.
La Figura 3 es un diagrama de la posicion de un espejo movil en funcion del voltaje aplicado para un ejemplo de realizacion de un modulador interferometrico de la Figura 1.
La Figura 4 es una ilustracion de un conjunto de voltajes de filas y columnas que pueden ser utilizados para conducir una pantalla de un modulador interferometrico.
La Figura 5A ilustra un ejemplo de marco de datos de pantalla en la pantalla del modulador interferometrico de 3x3 de la Figura 2.
La Figura 58 ilustra un ejemplo de diagrama de temporizacion para las serales de filas y columnas que pueden ser utilizadas para escribir el marco de la Figura 5A.
La Figura 6A es una seccion transversal del dispositivo de la Figura 1.
La Figura 68 es una seccion transversal de una realizacion alternativa de un modulador interferometrico.
La Figura 6C es una seccion transversal de otra realizacion alternativa de un modulador interferometrico.
La Figura 7A es una vista lateral en seccion transversal en alzado de un ejemplo de primer modulador interferometrico en un primer estado.
La Figura 78 es una vista lateral en seccion transversal en alzado del modulador interferometrico de la Figura 7A, en un segundo estado.
La Figura 7C es una vista lateral en seccion transversal en alzado de un segundo ejemplo de modulador interferometrico en un primer estado.
La Figura 7D es una vista lateral en seccion transversal en alzado del modulador interferometrico de la Figura 7C en un segundo estado.
La Figura 8A es una vista superior de una parte de una matriz de un modulador interferometrico que ilustra areas no activas que contienen estructuras incluidas en una pluralidad de pixeles.
La Figura 88 es una vista superior en alzado de una parte de una matriz de un modulador interferometrico que ilustra areas no activas que contienen estructuras incluidas en una pluralidad de pixeles.
La Figura 9 muestra una seccion transversal a traves de un dispositivo MEMS que tiene una mascara o region absorbente de la luz de acuerdo con una realizacion de la invencion.
La Figura 10 muestra una seccion transversal de otra realizacion de un dispositivo MEMS que tiene una mascara o region absorbente de la luz de acuerdo con otra realizacion de la invencion.
La Figura 11 es una vista en seccion transversal que ilustra varias capas que pueden ser incluidas en un dispositivo MEMS que tiene una mascara conductora.
La Figura 12 es una vista en seccion transversal de una etapa en la fabricacion de un dispositivo MEMS que tiene una mascara conductora que ilustra una capa de cromo reflectante depositada sobre un sustrato.
La Figura 13 es una vista en seccion transversal de una etapa en la fabricacion de un dispositivo MEMS que tiene una mascara conductora que ilustra la capa de cromo reflectante de la Figura 12 con partes de la capa de cromo eliminadas.
La Figura 14 es una vista en seccion transversal de una etapa en la fabricacion de un dispositivo MEMS que tiene una mascara conductora que ilustra capas adicionales aplicadas a la realizacion mostrada en la Figura 13.
La Figura 15 es una vista en seccion transversal de una etapa en la fabricacion de un dispositivo MEMS que tiene una mascara conductora que ilustra un paso de modelado y ataque quimico llevados a cabo para formar rebajes para los soportes.
La Figura 16 es una vista en seccion transversal de una etapa en la fabricacion de un dispositivo MEMS que tiene una mascara conductora que ilustra soportes formados en los rebajes que se muestran en la Figura 15.
La Figura 17 es una vista en seccion transversal de una etapa en la fabricacion de un dispositivo MEMS que tiene una mascara conductora, que ilustra el resultado de depositar una membrana mecanica sobre la realizacion mostrada en la Figura 16 y la eliminacion de una capa de sacrificio para formar un espacio de aire.
La Figura 18 es una vista en seccion transversal de un dispositivo MEMS que ilustra una realizacion de una mascara conductora en la que se forma una conexion electricamente en paralelo entre ambas capas de la mascara y una membrana mecanica movil.
La Figura 19 es una vista en seccion transversal de un dispositivo MEMS que ilustra una realizacion de una mascara conductora en la que se forma una conexion electricamente en paralelo entre ambas capas de la mascara y una capa de electrodo no movible.
La Figura 20 es una vista en seccion transversal de un dispositivo MEMS que ilustra una realizacion de una mascara conductora en la que se forma una conexion electricamente en paralelo entre una primera capa reflectante de la mascara y una membrana mecanica movil.
La Figura 21 es una vista en seccion transversal de un dispositivo MEMS que ilustra una realizacion de una mascara conductora en la que se forma una conexion electricamente en paralelo entre una primera y segunda capa reflectante de la mascara y una membrana mecanica movil.
La Figura 22 es una vista en seccion transversal de un dispositivo MEMS que ilustra una realizacion de una mascara conductora en la que se forma una conexion electricamente en paralelo entre una primera capa reflectante de la mascara y una capa de electrodo no movible y se forma otra conexion electricamente en paralelo entre un segunda capa reflectante de la mascara y una membrana mecanica movil.
Las Figuras 23A y 238 son diagramas de bloques del sistema que ilustran una realizacion de un dispositivo de presentacion visual que comprende una pluralidad de moduladores interferometricos.
Descripción detallada de ciertas realizaciones
La siguiente descripcion detallada se refiere a ciertas realizaciones especificas de la invencion. En esta descripcion, se hace referencia a los dibujos en los que las partes analogas se designan con numeros similares en toda la misma.
La referencia en esta memoria a "una realizacion en particular" o "una realizacion en general" significa que un rasgo, estructura o caracteristica particulares descritos en relacion con la realizacion esta incluido en al menos una realizacion de la invencion. Las apariciones de la frase "en una realizacion" en varios lugares en la memoria no se refieren todas necesariamente a la misma realizacion, ni son realizaciones independientes o alternativas mutuamente excluyentes de otras realizaciones. Ademas, se describen varias caracteristicas que pueden ser
exhibidas por algunas realizaciones y no por otras. Del mismo modo, se describen diversos requisitos que pueden ser requisitos para algunas realizaciones pero no para otras realizaciones.
El deseo de ver datos de video en pantallas de dispositivos moviles de alta resolucion mientras se cumplen limitaciones de potencia es facilitado por la minimizacion de la resistencia de las lineas de control de la pantalla. Por estas y otras razones, es deseable aumentar la conductancia de las lineas de seral, mientras que se minimiza la cantidad de contenidos opticos pasivos o no activos adicionales en una pantalla. La presente invencion desvela, en una realizacion, un componente optico multiproposito que actua como una mascara optica conductora, por ejemplo, una "mascara negra", para absorber luz ambiental o espuria y mejorar la respuesta optica de un dispositivo de pantalla mediante el aumento de la relacion de contraste, y funcionar tambien como una capa de bus electrica. En algunas aplicaciones, la mascara conductora puede reflejar la luz de una longitud de onda predeterminada para aparecer como un color distinto del negro. La mascara conductora, tambien denominada en la presente memoria simplemente como una "mascara", puede ser acoplada electricamente a uno o mas de los elementos en la pantalla para proporcionar una o mas vias electricas para voltajes aplicados a uno o mas de los elementos de pantalla. Por ejemplo, dependiendo de la configuracion deseada, uno o mas de los electrodos de fila o columna pueden conectarse a la mascara conductora para reducir la resistencia del electrodo de fila o columna conectado. En una realizacion, un dispositivo de pantalla MEMS, por ejemplo, una matriz de moduladores interferometricos, comprende un componente optico dinamico (por ejemplo, un modulador interferometrico dinamico) y un componente optico estatico (por ejemplo, un modulador interferometrico estatico) desplazados lateralmente desde el componente optico dinamico. El componente optico estatico funciona como la "mascara negra" para absorber la luz ambiental o espuria en areas no activas de una pantalla para mejorar la respuesta optica del componente optico dinamico, y actua como un bus electrico para un electrodo de fila o columna de la matriz de moduladores interferometricos. Por ejemplo, las areas no activas pueden incluir una o mas areas de un dispositivo de pantalla MEMS distintas del area correspondiente a una capa reflectante movil. Un area no activa tambien puede incluir un area de un dispositivo de pantalla que no se utiliza para mostrar una imagen o datos representados en el dispositivo de pantalla.
Aunque se usara un dispositivo MEMS, que incluye un modulador interferometrico, para ilustrar una realizacion, se ha de entender que la invencion abarca otros dispositivos opticos tales como varios dispositivos de pantalla de imagenes y optoelectronicos, en general, que tienen areas no activas que se requiere que sean absorbentes de la luz, pero que no incluyen moduladores interferometricos (por ejemplo, LED y pantallas de plasma). Como sera evidente a partir de la siguiente descripcion, la invencion puede ser implementada en cualquier dispositivo que esta configurado para mostrar una imagen, ya sea en movimiento (por ejemplo, video) o estacionario (por ejemplo, imagen fija), y ya sea textual o pictorica. Mas particularmente, se contempla que la invencion pueda ser implementada en o asociada con una variedad de dispositivos electronicos tales como, entre otros, telefonos moviles, dispositivos inalambricos, asistentes personales de datos (PDA), ordenadores portatiles o de bolsillo, receptores/navegadores GPS, camaras, reproductores de MP3, videocamaras, consolas de juegos, relojes de pulsera, relojes, calculadoras, monitores de television, pantallas planas, monitores de ordenador, pantallas de automoviles (por ejemplo, una pantalla de un odometro, etc.), controles y/o pantallas de cabina, pantallas de camaras de vision (por ejemplo, una pantalla de una camara de vision trasera en un vehiculo), fotografias electronicas, carteles o serales electronicas, proyectores, estructuras arquitectonicas, empaques y estructuras esteticas (por ejemplo, visualizacion de imagenes en una pieza de joyeria). Dispositivos MEMS de estructura similar a los descritos en la presente memoria tambien pueden utilizarse en aplicaciones sin pantalla como en dispositivos de conmutacion electronicos.
Una realizacion de una pantalla de un modulador interferometrico que comprende un elemento de pantalla MEMS interferometrico se ilustra en la Figura 1. En estos dispositivos, los pixeles se encuentran en un estado de brillante u oscuro. En el estado brillante ("encendido" o "abierto"), el elemento de pantalla refleja una gran parte de la luz visible incidente a un usuario. En el estado oscuro ("apagado" o "cerrado"), el elemento de pantalla refleja poca luz visible incidente al usuario. Dependiendo de la realizacion, las propiedades de reflectancia de la luz de los estados "encendido" y "apagado" pueden invertirse. Los pixeles MEMS pueden ser configurados para reflejar predominantemente en colores seleccionados, permitiendo una pantalla en color, ademas de blanco y negro.
La Figura 1 es una vista isometrica que representa dos pixeles adyacentes en una serie de pixeles de una pantalla visual, en el que cada pixel comprende un modulador MEMS interferometrico. En algunas realizaciones, una pantalla de un modulador interferometrico comprende una matriz de filas/columnas de estos moduladores interferometricos. Cada modulador interferometrico incluye un par de capas reflectantes situadas a una distancia variable y controlable entre si para formar una cavidad optica resonante con al menos una dimension variable. En una realizacion, una de las capas reflectantes puede moverse entre dos posiciones. En la primera posicion, denominada en la presente memoria estado liberado, la capa movil se coloca a una distancia relativamente grande de una capa fija parcialmente reflectante. En la segunda posicion, la capa movil se coloca mas estrechamente adyacente a la capa parcialmente reflectante. La luz incidente que se refleja desde las dos capas interfiere en forma constructiva o destructiva dependiendo de la posicion de la capa reflectante movil, produciendo un estado general reflectante o no reflectante para cada pixel.
La parte representada de la matriz de pixeles en la Figura 1 incluye dos moduladores interferometricos adyacentes 12a y 12b. En el modulador interferometrico 12a de la izquierda, se ilustra una capa movil y altamente reflectante 14a en una posicion liberada a una distancia predeterminada de una capa fija parcialmente reflectante 16a. En el
modulador interferometrico 12b de la derecha, la capa movil altamente reflectante 14b se ilustra en una posicion accionada adyacente a la capa fija parcialmente reflectante 16b.
Las capas fijas 16a, 16b son electricamente conductoras, parcialmente transparentes y parcialmente reflectantes, y pueden ser fabricadas, por ejemplo, depositando una o mas capas de cromo y oxido de indio-estaro sobre un sustrato transparente 20. Las capas se modelan en tiras paralelas, y puede formar electrodos de filas en un dispositivo de pantalla como se describe mas adelante. Las capas moviles 14a, 14b pueden estar formadas como una serie de tiras paralelas de una capa o capas de metal depositado (ortogonal a los electrodos de fila 16a, 16b) en la parte superior de los soportes 18 y un material intermedio de sacrificio depositado entre los soportes 18. Cuando el material de sacrificio es sometido a ataque quimico, las capas de metal deformables se separan de las capas de metal fijas por un espacio de aire definido 19. Puede usarse un material altamente conductivo y reflectante tal como aluminio para las capas deformables, y estas tiras pueden formar electrodos de columna en un dispositivo de pantalla.
Sin voltaje aplicado, la cavidad 19 se mantiene entre las capas 14a, 16a y la capa deformable esta en un estado relajado mecanicamente como se ilustra mediante el pixel 12a en la Figura 1. Sin embargo, cuando se aplica una diferencia de potencial a una fila y columna seleccionadas, el condensador formado en la interseccion de los electrodos de fila y columna en el pixel correspondiente se carga, y las fuerzas electrostaticas tiran juntas de los electrodos. Si el voltaje es suficientemente alto, la capa movil se deforma y es forzada contra la capa fija (un material dielectrico que no se ilustra en esta Figura puede ser depositado sobre la capa fija para prevenir cortocircuitos y controlar la distancia de separacion) como se ilustra mediante el pixel 12b a la derecha en la Figura 1. El comportamiento es el mismo independientemente de la polaridad de la diferencia de potencial aplicada. De esta manera, el accionamiento de la fila/columna que puede controlar los estados de pixel reflectante versus no reflectante es analogo en muchos aspectos al utilizado en un LCD convencional y otras tecnologias de pantalla.
Las Figuras 2 a 58 ilustran un ejemplo de un procedimiento y un sistema para el uso de una matriz de moduladores interferometricos en una aplicacion de pantalla. La Figura 2 es un diagrama de bloques de sistema que ilustra una realizacion de un dispositivo electronico que puede incorporar aspectos de la invencion. En el ejemplo de realizacion, el dispositivo electronico incluye un procesador 21 que puede ser cualquier microprocesador de proposito general de uno o varios chips, como un ARM, Pentium®, Pentium® II, Pentium III®, Pentium IV®, Pentium® Pro, un 8051, un MIPS®, un Power PC®, un ALPHA® o cualquier microprocesador de proposito especial, como un procesador de seral digital, un microcontrolador, o una matriz de puertas programables. Como es convencional en la tecnica, el procesador 21 puede ser configurado para ejecutar uno o mas modulos de software. Ademas de ejecutar un sistema operativo, el procesador puede ser configurado para ejecutar una o mas aplicaciones de software, incluyendo un navegador de web, una aplicacion de telefono, un programa de correo electronico, o cualquier otra aplicacion de software.
En una realizacion, el procesador 21 tambien esta configurado para comunicarse con un controlador de matriz 22. En una realizacion, el controlador de matriz 22 incluye un circuito activador de fila 24 y un circuito activador de columna 26 que proporcionan serales a una matriz de pixeles 30. La seccion transversal de la matriz ilustrada en la Figura 1 es mostrada mediante las lineas 1-1 en la Figura 2. Para moduladores interferometricos MEMS, el protocolo de activacion de fila/columna puede tomar ventaja de una propiedad de histeresis de estos dispositivos ilustrada en la Figura 3. Puede requerirse, por ejemplo, una diferencia de potencial de 10 voltios para hacer que una capa movil se deforme desde el estado liberado al estado accionado. Sin embargo, cuando el voltaje se reduce a partir de ese valor, la capa movil mantiene su estado a medida que el voltaje cae de nuevo por debajo de 10 voltios. En el ejemplo de realizacion de la Figura 3, la capa movil no se libera completamente hasta que el voltaje cae por debajo de 2 voltios. Hay asi un intervalo de voltaje, de aproximadamente 3 a 7 V en el ejemplo ilustrado en la Figura 3, en el que existe una ventana de voltaje aplicado dentro de la cual el dispositivo es estable, ya sea en el estado liberado o accionado. Esto se denomina en la presente memoria como "ventana de histeresis" o "ventana de estabilidad". Para una matriz de pantalla que tiene las caracteristicas de histeresis de la Figura 3, el protocolo de activacion de fila/columna puede ser diserado de tal manera que durante el parpadeo de la fila, los pixeles de la fila parpadeante que seran accionados estan expuestos a una diferencia de voltaje de aproximadamente 10 voltios, y los pixeles que seran liberados estan expuestos a una diferencia de voltaje cercana a cero voltios. Despues del parpadeo, los pixeles son expuestos a una diferencia de voltaje en el estado estacionario de aproximadamente 5 voltios de tal manera que permanecen en cualquier estado en que los coloque la fila parpadeante. Despues de ser escrito, cada pixel ve una diferencia de potencial dentro de la "ventana de estabilidad" de 3-7 voltios en este ejemplo. Esta caracteristica hace al disero de pixeles ilustrado en la Figura 1 estable bajo las mismas condiciones de voltaje aplicadas en un estado accionado o liberado preexistente. Dado que cada pixel del modulador interferometrico, ya sea en su estado accionado o liberado, es esencialmente un condensador formado por las capas reflectantes fijas y moviles, este estado estable puede mantenerse a un voltaje dentro de la ventana de histeresis con casi ninguna disipacion de potencia. Esencialmente no fluye corriente en el pixel si el potencial aplicado es fijo.
En aplicaciones comunes, puede crearse un marco de la pantalla declarando la serie de electrodos de columnas de acuerdo con el conjunto deseado de pixeles accionados en la primera fila. A continuacion se aplica un pulso de fila al electrodo de la fila 1, accionando los pixeles correspondientes a las lineas de columnas declaradas. El conjunto declarado de electrodos de columna se cambia entonces para corresponder al conjunto deseado de pixeles accionados en la segunda fila. Se aplica a continuacion un pulso al electrodo de la fila 2, accionando los pixeles
apropiados en la fila 2 de acuerdo con los electrodos de las columnas declaradas. Los pixeles de la fila 1 no son afectados por el pulso de la fila 2, y permanecer en el estado en el que fueron fijados durante el pulso de la fila 1. Esto puede repetirse para toda la serie de filas de una manera secuencial para producir el marco. Generalmente, los marcos son renovados y/o actualizados con nuevos datos de pantalla mediante la repeticion continua de este procedimiento en algun numero deseado de marcos por segundo. Una amplia variedad de protocolos para la conduccion de electrodos de fila y columna de matrices de pixeles para producir marcos de pantalla son tambien bien conocidos y pueden ser utilizados en conjuncion con la presente invencion.
las Figuras 4, 5A y 58 ilustran un posible protocolo de activacion para la creacion de un marco de pantalla en la matriz de 3x3 de la Figura 2. La Figura 4 ilustra un posible conjunto de niveles de voltaje de columna y fila que puede ser utilizado para pixeles que exhiben las curvas de histeresis de la Figura 3. En la realizacion de la Figura 4, el accionamiento de un pixel implica fijar la columna apropiada -Vpolarizacion, y la fila apropiada a +/V, lo que puede corresponder a -5 voltios y +5 voltios, respectivamente. La liberacion del pixel se logra fijando la columna apropiada a + Vpolarizacion, y la fila apropiada a +/V, produciendo una diferencia de potencial de cero voltios a traves del pixel. En aquellas filas en las que el voltaje de fila se mantiene a cero voltios, los pixeles son estables en cualquier estado en que se encontraban originalmente, independientemente de si la columna esta en +Vpolarizacion o -Vpolarizacion.
La Figura 58 es un diagrama de tiempos que muestra una serie de serales de filas y columnas aplicadas a la matriz de 3x3 de la Figura 2 lo cual resultara en la disposicion de pantalla ilustrada en la Figura 5A, en la que los pixeles accionados son no reflectantes. Antes de escribir el marco ilustrado en la Figura 5A, los pixeles pueden estar en cualquier estado y, en este ejemplo, todas las filas estan en 0 voltios, y todas las columnas estan en +5 voltios. Con estos voltajes aplicados, todos los pixeles son estables en sus estados accionados o liberados existentes.
En el marco de la Figura 5A, los pixeles (1,1), (1,2), (2,2), (3,2) y (3,3) son accionados. Para lograr esto, durante un "tiempo de linea" para la fila 1, las columnas 1 y 2 se fijan a -5 voltios, y la columna 3 se fija a +5 voltios. Esto no cambia el estado de ninguno de los pixeles, porque todos los pixeles permanecen en la ventana de estabilidad de 37 voltios. Se hace entonces parpadear la Fila 1 con un pulso que va desde 0 hasta 5 voltios, y de nuevo a cero. Esto activa los pixeles (1,1) y (1,2) y libera el pixel (1,3). Ningun otro pixel en la matriz es afectado. Para fijar la fila 2 segun se desea, la columna 2 se fija a 5 voltios, y las columnas 1 y 3 se fijan a +5 voltios. El mismo parpadeo aplicado a la fila 2 activara a continuacion el pixel (2,2) y liberara los pixeles (2,1) y (2,3). Nuevamente, ningun otros pixel de la matriz es afectado. La fila 3 es fijada de manera similar fijando las columnas 2 y 3 a -5 voltios, y la columna 1 a +5 voltios. El parpadeo de la fila 3 fija los pixeles de la fila 3 como se muestra en la Figura 5A. Despues de escribir el marco, los potenciales de fila son cero, y los potenciales de columna puede permanecer en +5 o -5 voltios, y la pantalla es entonces estable en la disposicion de la Figura 5A. Se apreciara que el mismo procedimiento puede ser empleado para matrices de decenas o cientos de filas y columnas. Tambien se apreciara que el momento, secuencia y niveles de voltajes utilizados para realizar el accionamiento de filas y columnas pueden variarse ampliamente dentro de los principios generales antes mencionados, y el ejemplo anterior es solamente a modo de ejemplo, y puede utilizarse cualquier procedimiento de accionamiento de voltaje con la presente invencion.
Los detalles de la estructura de los moduladores interferometricos que operan de acuerdo con los principios anteriormente establecidos puede variar ampliamente. Por ejemplo, las Figuras 6A-6C ilustran tres realizaciones diferentes de la estructura de espejo movil. La Figura 6A es una seccion transversal de la realizacion de la Figura 1, en la que una tira de material metalico 14 se deposita sobre soportes 18 que se extienden ortogonalmente. En la Figura 68, el material reflectante movil 14 esta unido a los soportes en las esquinas solamente, en los amarres 32. En la Figura 6C, el material reflectante movil 14 esta suspendido de una capa deformable 34. Esta realizacion tiene ventajas ya que el disero estructural y los materiales utilizados para el material reflectante 14 pueden ser optimizados con respecto a las propiedades opticas, y el disero estructural y los materiales utilizados para la capa deformable 34 pueden ser optimizados con respecto a propiedades mecanicas deseadas. La produccion de diversos tipos de dispositivos interferometricos se describe en una variedad de documentos publicados, incluyendo, por ejemplo, la Solicitud Publicada de EE.UU. 2004/0051929. Una amplia variedad de tecnicas bien conocidas pueden ser utilizadas para producir las estructuras descritas anteriormente que implican una serie de pasos de deposicion, modelado y ataque quimico.
Las Figuras 7A-7D ilustran ciertos aspectos de las dos estructuras de moduladores interferometricos descritas anteriormente. La Figura 7A ilustra un diagrama funcional simplificado de un modulador interferometrico 50 en un ejemplo de realizacion. El modulador interferometrico 50 comprende un sustrato 20, un dielectrico optico 16 sobre el sustrato 20, dos soportes 18 y un espejo 14 conectado a los soportes 18 a fin de orientar su cara en un plano que es paralelo y alineado lateralmente con el plano de una cara superior del dielectrico 16. El espejo 14 en la Figura 7A se muestra en un primer estado mecanicamente relajado de modo que refleja la luz incidente cuando se observa el modulador interferometrico, por ejemplo, desde una posicion de visualizacion 110. La distancia entre el dielectrico optico 16 y el espejo 14 es ajustada de manera que solamente se refleja la luz a una longitud de onda seleccionada. Los detalles del procedimiento de seleccion de geometrias y materiales se describen en profundidad en la Patente de EE.UU. Num. 5.835.255 y la Patente de EE.UU. Num. 6.867.896. En la Figura 7A, los soportes 18, el espejo 14, y el dielectrico optico 16 definen una cavidad optica 55.
La Figura 78 ilustra un diagrama funcional simplificado del modulador interferometrico 50 mostrado en la Figura 6A en el que el espejo 14 esta en un segundo estado. En la Figura 78, el espejo 14 se mueve hacia la capa del
dielectrico optico 16 que colapsa la cavidad optica 55. El espejo 14 es movido mediante el suministro de un potencial de voltaje entre los electrodos acoplados al espejo 14 y el dielectrico optico 16. Al mover el espejo 14 a un segundo estado que esta en contacto con o en proximidad cercana al dielectrico optico 16, las propiedades opticas del modulador interferometrico 50 en el segundo estado son alteradas con respecto al primer estado. La luz reflejada desde el modulador interferometrico 50 en el segundo estado (Figura 78) es de un color diferente del de la luz reflejada desde el modulador interferometrico 50 en el primer estado. En una configuracion, en el segundo estado la interferencia de la luz es tal que desde la posicion de visualizacion 110 el modulador interferometrico aparece en negro.
Las Figuras 7C y 7D ilustran otra realizacion de un modulador interferometrico 60 en un primer estado "abierto" y un segundo estado "cerrado", respectivamente. Esta realizacion del modulador interferometrico 60 proporciona un aumento de tamaro del espejo utilizable en comparacion con la realizacion mostrada en las Figuras 7A y 78. Volviendo a la Figura 78, hay areas del espejo 14 que no estan proporcionando la maxima reflectividad hacia la posicion de visualizacion 110 debido a que se estan doblando dentro de la cavidad optica 55 colapsada. Comparando el espejo 34 en la Figura 7D con el espejo 14 en la Figura 78, puede observarse que el espejo 34 en la Figura 7D ocupa sustancialmente toda el area correspondiente a la superficie del dielectrico optico 16 en la cavidad optica 66. En la realizacion mostrada en la Figura 7D, la superficie reflectante del espejo 34 puede ser utilizada para la reflexion de la luz ya que no es necesario doblar el espejo dentro de la cavidad optica 66 colapsada cuando es accionado el modulador interferometrico 60. En las figuras 7C y 7D, el dielectrico optico del sustrato 16, dos soportes 18 y el sustrato 20 permanecen sin cambios desde el modulador interferometrico 50 mostrado en las Figuras 7A y
78. Los detalles de la estructura y fabricacion de esta estructura mejorada puede encontrarse en la Solicitud de Patente de EE.UU. Num. 09/966.843 mencionada anteriormente.
Las Figuras 8A y 88 ilustran un ejemplo de una parte de una pantalla con elementos de pantalla que pueden incorporar una mascara conductora. Las Figuras 8A y 88 ilustran un ejemplo de una parte de una pantalla que incluye una matriz de moduladores interferometricos. Puede utilizarse una mascara conductora en la matriz mostrada en las Figuras 8A y 88, y en cualquier tipo de pantalla en la que es util para enmascarar ciertas areas de la pantalla de la luz ambiental y formar una conexion electricamente en paralelo de un circuito electrico en la pantalla. La Figura 8A muestra una pluralidad de pixeles 12 de la matriz. La Figura 88 muestra un ejemplo de apoyos 18 situados en la pluralidad de pixeles de la matriz de moduladores interferometricos que pueden ser enmascarados para mejorar la respuesta optica de la pantalla. Para mejorar una respuesta optica (por ejemplo, el contraste) de la pantalla, puede ser deseable minimizar la luz reflejada desde ciertas areas de la matriz. Cualquier area de un modulador interferometrico que aumenta la reflectancia de la pantalla en el estado oscuro puede ser enmascarada (por ejemplo, disponiendo una mascara entre la estructura y la luz que entra en el modulador interferometrico) utilizando una mascara negra a fin de aumentar la relacion de contraste entre un pixel accionado y un pixel no accionado. Algunas de las areas que pueden ser enmascaradas para afectar ventajosamente la pantalla incluyen, entre otras, los cortes de filas entre moduladores interferometricos 72 (Figura 8A), los soportes 18, las zonas de flexion de las capas de espejo movil que se conectan a y/o alrededor de los apoyos 18, y las areas entre capas de espejo movil de moduladores interferometricos 76 adyacentes (Figura 8A). La mascara puede ser dispuesta en dichas zonas de manera que esta separada del espejo movil de los moduladores interferometricos, por ejemplo, de modo que la luz ambiental puede propagarse y reflejar desde el espejo movil pero las areas distintas al espejo movil son enmascaradas impidiendo que la luz ambiental se refleje de cualquier estructura en las areas enmascaradas. Estas areas que estan enmascaradas pueden denominarse "areas no activas" debido a que son estaticas, por ejemplo, las areas no incluyen el espejo movil. En alguna realizacion, la mascara puede ser conductora para minimizar la luz reflejada y proporcionar una o mas vias electricas que pueden utilizarse para el elemento optico. En algunas realizaciones, la mascara puede ser dispuesta de modo que la luz que entra en el modulador interferometrico cae sobre el area enmascarada o el espejo movil. En otras realizaciones, al menos una parte de las areas no activas esta enmascarada.
La velocidad a la que los elementos de pantalla pueden responder a las serales de accionamiento puede depender de la resistencia y la capacitancia de las lineas de control (por ejemplo, electrodos de fila y de columna) que transportan las serales de accionamiento a los elementos de pantalla. El deseo de ver video en pantallas grandes y para pantallas de alta resolucion requiere que la resistencia de las lineas de control se reduzca al minimo. Por estas razones, es deseable aumentar la conductancia de las lineas de seral mientras que se minimiza la cantidad de contenidos opticos pasivos adicionales en una pantalla. Una forma de disminuir la resistencia es proporcionar una o mas conexiones electricas en paralelo a las lineas de control. Puede proporcionarse una mascara de doble proposito que aumenta la relacion de contraste, y al mismo tiempo, actua como una capa de bus para las serales de activacion. Por ejemplo, en una realizacion la mascara conductora puede ser utilizada para formar una conexion electricamente en paralelo a uno o mas electrodos de fila o columna de una matriz de elementos de pantalla, por ejemplo, moduladores interferometricos. Se apreciara que las conexiones electricas en paralelo pueden diserarse de muchas maneras, dependiendo de la aplicacion y el tipo de elementos de pantalla.
La Figura 9 muestra una vista en seccion transversal de una representacion simplificada de una pantalla 100, de acuerdo con una realizacion. La pantalla comprende dos componentes opticos que son, en esta realizacion, moduladores interferometricos 104. Como se ha descrito anteriormente, los dispositivos moduladores interferometricos 104 comprenden una disposicion de las peliculas reflectantes que produce una respuesta optica deseada cuando el area activa movil es impulsada hacia un sustrato 202 en una direccion indicada por las flechas
106. El funcionamiento general de los dispositivos moduladores interferometricos 104 se ha descrito en la Patente de EE.UU. Num. 5.835.255. En la Figura 9, los numeros de referencia 108 indican areas no activas de los moduladores interferometricos 104. Comunmente, es deseable que las areas no activas 108 sean absorbentes de la luz o funcionen como una mascara negra de modo que cuando un espectador observa la pantalla 100 desde una direccion indicada por la flecha de visualizacion 110, la respuesta optica producida por los dispositivos moduladores interferometricos 104 no es degradada por la reflexion de la luz ambiental de las zonas no activas 108. En otras realizaciones, puede ser deseable enmascarar las areas no activas 108 con una mascara de color (por ejemplo, verde, rojo, azul, amarillo, etc.) distinto del negro. Para obtener funcionalidad adicional de la mascara, la mascara puede comprender uno o mas materiales conductores que pueden ser conectados a circuitos en la pantalla 100 y usarse en su totalidad o en parte para proporcionar uno o mas buses electricos.
Una mascara para un area no activa 108 puede fabricarse a partir de materiales seleccionados para tener una respuesta optica que absorbe o atenua la luz. Uno o mas de los materiales usados para fabricar la mascara son electricamente conductores. De acuerdo con realizaciones de la invencion, una mascara para cada area no activa 108 puede fabricarse como una pila de peliculas delgadas. Por ejemplo, en una realizacion, la pila de peliculas delgadas puede comprender una capa de dielectrico no absorbente de la luz intercalada entre dos capas de cromo que reflejan la luz, como se describe mas detalladamente a continuacion. En otras realizaciones, las areas no activas 108 pueden comprender una sola capa de materiales organicos o inorganicos que atenua o absorbe la luz, y una capa de un material conductor tal como cromo o aluminio.
La Figura 10 de los dibujos muestra una seccion transversal a traves de un dispositivo modulador interferometrico 200 de acuerdo con una realizacion de la invencion. El dispositivo modulador interferometrico 200 incluye un componente activo que comprende una capa reflectante de electrodo 204, una capa de oxido 206, un espacio de aire 208, y una membrana mecanica 210 dispuesta sobre un sustrato 202. Como se utiliza en la presente memoria, la frase "dispuesta sobre un sustrato" es una frase amplia, e indica, por ejemplo, que una estructura, capa, dispositivo optico, modulador interferometrico, dispositivo biestable, electrodo, pila de peliculas, soporte, electrodo, mascara u otra mencionada con referencia a una caracteristica se encuentra sobre un sustrato, y puede, pero no necesariamente, requerir un contacto directo con el sustrato, a menos que asi se indique. La membrana mecanica 210 es soportada en posicion por soportes 212. En uso, la membrana mecanica 210 es impulsada para ponerse en contacto con la capa de oxido 206 a fin de producir una respuesta optica deseada cuando se observa desde la direccion indicada por la flecha 110.
Los soportes 212, las areas del modulador interferometrico 200 en las que se forman los soportes 212, y otras areas que no forman parte del componente activo del modulador interferometrico (por ejemplo, areas indicadas por areas 230 rodeadas con un circulo) pueden ser enmascaradas con una mascara conductora para prevenir o reducir la reflexion de la luz de estas areas que de otro modo pueden interferir con la respuesta optica deseada de los componentes del modulador interferometrico activo. La mascara puede ser fabricada como una pila de peliculas, incluyendo al menos una pelicula electricamente conductora, seleccionada de modo que la pila tiene la propiedad optica de ser absorbente y conductora de la luz, de acuerdo con una realizacion. La mascara puede ser formada sobre el sustrato 202 antes de formar los componentes opticos activos de los moduladores interferometricos, de acuerdo con una realizacion. Los soportes 212 del modulador interferometrico 200 pueden realizar varias funciones. En primer lugar, los soportes 212 funcionan como soportes mecanicos para la membrana mecanica movil 210. En segundo lugar, los soportes 212 pueden proporcionar una conexion electrica para la mascara conductora, si los soportes 212 comprenden un material electricamente conductor. Por ejemplo, cuando un soporte 212 esta conectado a una capa conductora 222 el soporte 212 y la capa conductora 222 puede proporcionar una o mas vias electricas para aplicar voltajes a la membrana mecanica movil 210, como se ilustra en la siguientes Figuras 17 -18, y 20 - 22.
Como se muestra en la Figura 10 el modulador interferometrico 200 incluye una mascara conductora que comprende una pila de peliculas delgadas. En una realizacion, la mascara comprende una primera capa de cromo reflectante 218, una capa media de oxido 220 y una segunda capa de cromo reflectante 222. Tambien pueden utilizarse otros materiales conductores para formar la mascara. Por ejemplo, en otra realizacion, la mascara incluye una pila de peliculas delgadas que comprenden una capa de cromo 218, una capa media de oxido 220 (por ejemplo, SiO2), y una capa de aluminio 222. El modulador interferometrico 200 incluye otra capa de oxido 226 entre la capa media de oxido 220 y la capa reflectante de electrodo 204. Pueden conectarse una o mas capas electricamente conductoras de la mascara a otros componentes del modulador interferometrico 200 para proporcionar un bus electrico. Por ejemplo, la mascara puede ser conectada a uno o mas electrodos de columna o fila. En una realizacion, la capa de cromo 222 esta conectada a la capa reflectante de electrodo 204 por vias 224 que comprenden un material electricamente conductor. Las conexiones requeridas en la configuracion de la mascara conductora de manera que funcione como un bus electrico pueden depender de la aplicacion en particular. En algunas realizaciones, la capa reflectante de electrodo 204 incluye separadores electricos 228 (por ejemplo, espacios o material no conductor) situado en varias posiciones para separar electricamente partes conductoras del modulador interferometrico, por ejemplo, la capa reflectante de electrodo 204 o los soportes 212, y configurar convenientemente la mascara para exponer la funcionalidad de bus deseada.
Una realizacion de la fabricacion de una mascara conductora se desvela a continuacion en referencia a las Figuras 11-17. La Figura 11 es una vista en seccion transversal que ilustra varias capas que pueden ser incluidas en un
dispositivo MEMS, por ejemplo, el dispositivo MEMS mostrado en la Figura 1, que tiene una mascara conductora
402. Solo una parte del dispositivo MEMS que incluye la mascara conductora 402 se muestra en la Figura 11, la parte restante del dispositivo MEMS esta indicada por el rectangulo de trazos 203. La mascara conductora 402, indicada por los circulos de trazos, se ilustra como estando fabricada sobre un sustrato 202. La mascara 402 comprende tres capas de pelicula, incluyendo una primera capa reflectante 218, una capa de oxido 220 y una segunda capa reflectante 222. La primera capa reflectante 218 y la segunda capa reflectante 222 pueden comprender materiales que son reflectantes y conductores, por ejemplo, cromo, aluminio o plata. Para algunas realizaciones, la mascara conductora 402 puede estructurarse como un modulador interferometrico estatico que esta configurado de manera que minimiza la luz reflejada, por ejemplo, aparece en negro. En otras realizaciones, la mascara conductora 402 puede estructurarse como un modulador interferometrico estatico que refleja la luz de un color seleccionado. Las peliculas que componen la mascara conductora 402 pueden ser las mismas peliculas que se utilizan en la fabricacion de los componentes moduladores interferometricos, haciendo asi posible el uso de los mismos parametros de deposicion para fabricar la mascara y los componentes moduladores interferometricos. La mascara conductora 402 puede utilizarse para proporcionar una mayor flexibilidad en el encaminamiento de serales electricas en torno al dispositivo de pantalla y ayudar a minimizar la resistencia de los circuitos electricos que proporcionan serales a los electrodos interferometricos proporcionando conexiones electricas en paralelo para las serales.
Las diferentes etapas en la fabricacion de una mascara conductora 402 y el dispositivo MEMS se describiran ahora con referencia a las Figuras 12-17.
La Figura 12 es una vista en seccion transversal de una etapa en la fabricacion de un dispositivo MEMS que tiene una mascara conductora que ilustra una primera capa de mascara reflectante 218 depositada sobre un sustrato 202. Despues de un paso inicial de preparacion en el que el sustrato 202 es preparado, por ejemplo, limpiado, una primera capa de mascara reflectante 218 se deposita mediante revestimiento por pulverizacion catodica sobre el substrato 202, de acuerdo con una realizacion. En un ejemplo de realizacion, el espesor de la primera capa de mascara reflectante 218 puede ser de aproximadamente 60 angstroms.
La Figura 13 es una vista en seccion transversal de una etapa en la fabricacion del dispositivo MEMS que tiene una mascara conductora que ilustra la primera capa de mascara reflectante 218 de la Figura 12 con ciertas partes eliminadas. Para esta fabricacion, despues de depositar la primera capa de mascara reflectante 218, como se muestra en la Figura 12, la primera capa de mascara reflectante 218 es modelada y desarrollada utilizando tecnicas convencionales para dejar dos o mas partes o afloramientos de cromo, que pueden servir como una capa de base para una pila de peliculas delgadas que sirve como una mascara.
La Figura 14 es una vista en seccion transversal de una etapa en la fabricacion del dispositivo MEMS que tiene una mascara conductora que ilustra capas adicionales que se fabrican sobre la realizacion mostrada en la Figura 13. Como se muestra en la Figura 14, una capa de oxido 220 es depositada sobre el sustrato 202 que cubre la primera capa de mascara reflectante 218. En una realizacion, la capa de oxido 220 es de aproximadamente 300 a 800 angstroms de profundidad. Esta capa puede aplicarse mediante revestimiento por pulverizacion catodica del SiO2 sobre la realizacion mostrada en la Figura 14. El espesor de la capa de oxido 220 puede depender de la calidad del estado de color (por ejemplo, negro) que se requiere para la mascara, y tambien puede depender del color deseado de la mascara.
Una segunda capa reflectante 222 se deposita sobre la capa de oxido 220, y la segunda capa reflectante 222 es modelada y desarrollada para formar partes que corresponden a la primera capa reflectante 218, formando una mascara conductora que comprende una pila de peliculas delgadas. A continuacion, se deposita una capa de oxido 226 sobre la segunda capa reflectante 222. Pueden formarse vias 224 en la capa de oxido 226 por lo que la segunda capa reflectante 222 puede ser conectada a un soporte 212, por ejemplo, como se muestra en la Figura 16. Pueden formarse separadores electricos 228 en la capa reflectante de electrodo 204, que se deposita sobre la capa de oxido 226. La capa reflectante de electrodo 204 es comunmente de aproximadamente 60 angstroms de espesor, siendo su espesor exacto dependiente de la luminosidad requerida de la pantalla final, produciendo una capa mas delgada una pantalla mas brillante. En base a la configuracion deseada y la utilizacion de la mascara conductora, partes de los electrodos, por ejemplo, la capa reflectante de electrodo 204, puede ser separada electricamente por formacion de una o mas separaciones 228 en la capa reflectante de electrodo 204.
Posteriormente, una capa de oxido 206 y una capa de sacrificio 209 son, respectivamente, aplicadas mediante revestimiento por pulverizacion catodica sobre la capa reflectante de electrodo 204. La capa de oxido 206 puede comprender oxido de silicio y puede ser de aproximadamente 300 a 800 angstroms de espesor, de acuerdo con una realizacion. La capa de sacrificio 209 puede comprender molibdeno y comunmente puede ser de aproximadamente 0,2 a 1,2 micrometros de espesor, de acuerdo con una realizacion.
La Figura 15 es una vista en seccion transversal de una etapa en la fabricacion de un dispositivo MEMS que tiene una mascara conductora que ilustra un paso de modelado y ataque quimico llevado a cabo para formar los rebajes para los soportes. El paso de modelado y ataque quimico se realiza para formar rebajes que se extienden a traves de la capa de oxido 226 a las vias 224 y la segunda capa reflectante 222, de acuerdo con esta realizacion. Las vias 224 pueden formarse en la capa de oxido 226 de modo que la segunda capa reflectante 222 puede ser conectada a
un soporte 212 (mostrado en la Figura 16). Para formar una conexion electrica entre la segunda capa reflectante 222 de la mascara conductora y otra parte del dispositivo MEMS (por ejemplo, la membrana mecanica 210 mostrada en la Figura 17) el soporte 212 puede extenderse a traves de las vias 212 a la segunda capa reflectante 222, de acuerdo con una realizacion. En otra realizacion, las vias 224 se forman en la capa de oxido 226 y se rellenan con un material electricamente conductor que esta conectado al soporte.
La Figura 16 es una vista en seccion transversal de una etapa en la fabricacion de un dispositivo MEMS que tiene una mascara conductora que ilustra soportes 212 formados en los rebajes mostrados en la Figura 15. Los soportes 212 proporcionan una estructura que soporta la membrana mecanica movil 210 (Figura 17), y pueden formarse en los rebajes haciendo girar un material fotosensible negativo sobre la pila de pelicula delgada, exponiendola a traves de una mascara adecuada y desarrollandola para formar los soportes 212. En esta realizacion, los separadores electricos 228 aislan los soportes 212 de la capa reflectante de electrodo 204. Estos separadores 228 pueden utilizarse para aislar el soporte 212 de la capa reflectante de electrodo 204 cuando el soporte 212 comprende un material conductor.
La Figura 17 es una vista en seccion transversal de una etapa en la fabricacion de un dispositivo MEMS que tiene una mascara conductora, que ilustra una membrana mecanica 210 depositada sobre la realizacion mostrada en la Figura 16. La membrana mecanica 210 se deposita mediante revestimiento por pulverizacion catodica sobre la capa de sacrificio 209. Posteriormente, la capa de sacrificio 209 es eliminada dejando un espacio de aire 208. En una realizacion, la membrana mecanica 210 comprende una aleacion de aluminio. Con la eliminacion de la capa de sacrificio 209, se forma un espacio de aire 208 a traves del cual se desplaza la membrana mecanica 516 cuando es accionado el modulador interferometrico.
La Figura 17 tambien muestra una realizacion de una conexion electrica entre la segunda capa reflectante 222, los soportes 212 y la membrana mecanica 210. Aqui, la mascara conductora incluye una pila de dielectricos que comprende una primera capa reflectante 218, una capa de oxido 220, y una segunda capa reflectante 222, que enmascara areas no activas (por ejemplo, los soportes 212) separadas de las areas activas. En algunas realizaciones, la mascara conductora puede comprender cromo, plata, aluminio o una pila de dielectricos de modo que uno o mas de los materiales utilizados para formar la mascara es capaz de conducir electricidad.
En esta realizacion, la mascara es un elemento interferometrico no movible (por ejemplo, estatico) configurado de tal manera que causa la interferencia de la luz de modo que refleje luz minima y aparezca negro. La capa optica puede formarse a partir de ITO/Cr, ITO/Mo, ITO/Ti, Cr, Mo, Ti o de otros materiales con propiedades similares. La capa dielectrica se forma comunmente a partir de SiO2 u otros materiales dielectricos, y el reflector se forma comunmente a partir de aluminio, cromo u otros materiales metalicos.
Mediante la fabricacion de la mascara de modo que comprende un material electricamente conductor y el uso de conexiones colocadas apropiadamente a un electrodo de fila y/o columna deseado puede utilizarse la mascara para reducir la resistencia del electrodo de fila y/o columna. Por ejemplo, si una mascara conductora, configurada para mostrar siempre negro, se utiliza en una matriz que comprende una pluralidad de moduladores interferometricos, la mascara conductora puede tambien ser utilizada como una capa de conduccion para disminuir la resistencia de los electrodos de fila y/o columna que son utilizados en la matriz para transportar serales a los elementos de pantalla alineados en filas y/o columnas. En esta realizacion, se crearon vias en el dielectrico 226 para proporcionar un rebaje para el soporte 212 y para que pueda conectarse a la segunda capa reflectante 222, que es parte de la mascara conductora. Se apreciara que hay muchas otras realizaciones posibles de utilizar una mascara conductora. En algunas realizaciones en las que la mascara comprende una primera capa conductora 218 y una segunda capa conductora 222, ambas capas conductoras pueden utilizarse como un bus electrico. En algunas realizaciones, ambas capas conductoras pueden utilizarse como parte del mismo bus electrico. En otras realizaciones, las capas conductoras son utilizadas cada una como parte de un bus electrico independiente.
La Figura 18-22 muestra diversos ejemplos de realizaciones de una mascara conductora en un modulador interferometrico para proporcionar una conexion electricamente en paralelo a un electrodo. Las realizaciones pueden fabricarse utilizando tecnicas similares a las descritas anteriormente para la realizacion mostrada en la Figura 17. Las mascaras conductoras ilustradas en las Figuras 18-22 son configuradas como elementos interferometricos no movibles, que proporcionan una o mas conexiones electricas en paralelo para la aplicacion de voltajes en el elemento de modulacion. La Figura 18 es una vista en seccion transversal de un dispositivo MEMS que ilustra una realizacion de una mascara conductora en la que se forma una conexion electricamente en paralelo entre ambas capas de la mascara y una membrana mecanica movil. En la Figura 18, la mascara comprende la primera capa reflectante 218 y la segunda capa reflectante 222. La mascara forma una conexion electricamente en paralelo a la membrana mecanica 210, una parte de uno de los electrodos en el modulador interferometrico, como indican las zonas rayadas en diagonal. La primera capa reflectante 218 esta conectada electricamente a la segunda capa reflectante 222 por conectores 229. Los soportes 212 estan fabricados de un material conductor, por ejemplo, uno de los materiales conductores descritos en la presente memoria, y estan conectados a la segunda capa reflectante
222. Los separadores electricos 228 aislan electricamente los soportes 212 de la capa reflectante de electrodo 204. Los soportes 212 estan conectados a la membrana mecanica movil 210 de modo que la primera capa reflectante 218 y la segunda capa reflectante 222 forman una conexion electricamente en paralelo con la membrana mecanica
210.
La Figura 19 es una vista en seccion transversal de un dispositivo MEMS que ilustra una realizacion de una mascara conductora en la que se forma una conexion electricamente en paralelo entre dos capas conductoras de una mascara y la capa de electrodo no movible 204. La primera capa reflectante 218 y la segunda capa reflectante 222 forma una conexion electricamente en paralelo con la capa reflectante de electrodo 204, como indican las areas rayadas en diagonal. La primera capa reflectante 218 esta conectada electricamente a la segunda capa reflectante 222 por conectores 231, que tambien conectan la primera capa reflectante 218 y la segunda capa reflectante 222 a la capa reflectante de electrodo 204. Separadores electricos 228 aislan electricamente los soportes 212 de la capa reflectante de electrodo 204.
La Figura 20 es una vista en seccion transversal de un dispositivo MEMS que ilustra una realizacion de una mascara conductora en la que se forma una conexion electricamente en paralelo entre una primera capa reflectante 218 de la mascara y la membrana mecanica movil 210. La primera capa reflectante 218 de la mascara esta conectada electricamente a la membrana mecanica 210 mediante el conector conductor 234 que corre a traves del soporte 212. El conector 234 esta aislado del soporte 212 y la segunda capa reflectante 222 de la mascara por aisladores electricos 232, que se forman a partir de un material no conductor. Los aisladores electricos 228 aislan el soporte 212 de la capa reflectante de electrodo 204. En realizaciones en las que el soporte 212 no esta formado de un material conductor, los aisladores electricos 232 y los aisladores electricos 228 puede no ser necesarios para aislar electricamente el soporte 212 del material conductor circundante. En esta realizacion, solo la primera capa reflectante 218 forma una conexion electricamente en paralelo a la membrana mecanica 210.
La Figura 21 es una vista en seccion transversal de un dispositivo MEMS que ilustra una realizacion de una mascara conductora en la que se forma una conexion electricamente en paralelo entre una primera capa reflectante 218, una segunda capa reflectante 222 de la mascara y una membrana mecanica movil 210 . Esta realizacion es similar a la realizacion mostrada en la Figura 21, excepto que la primera capa reflectante 218 esta conectada a la segunda capa reflectante 222 mediante el conector electrico 238. La primera capa reflectante 218 y la segunda capa reflectante 222 estan conectadas electricamente a la membrana mecanica 210 mediante el conector electrico 236, formando una conexion electricamente en paralelo entre ambas capas de la mascara conductora y la membrana mecanica
210. En esta realizacion, el soporte 212 no se forma a partir de un material conductor, por lo tanto, los aisladores 232, aunque se muestra para mayor claridad, no serian necesarios para aislar electricamente el soporte 212 del material conductor circundante.
La Figura 22 es una vista en seccion transversal de un dispositivo MEMS que ilustra una realizacion de una mascara conductora en la que se forma una conexion electricamente en paralelo entre una primera capa reflectante 218 de la mascara y la capa de electrodo 204, como se indica mediante las areas rayadas en diagonal. Otra conexion electricamente en paralelo se forma entre una segunda capa reflectante de la mascara 222 y una membrana mecanica movil 210, como indican las zonas rayadas en cruz. En la Figura 22, la primera conexion electricamente en paralelo esta formada por la conexion electrica de la primera capa reflectante 218 de la mascara con la capa de electrodo 204 mediante conectores electricos 240. Los aisladores electricos 228 aislan la capa de electrodo 204 del soporte conductor 212. Los aisladores electricos 233 aislan el conector electrico 240 de la segunda capa reflectante 222 de la mascara. La segunda conexion electricamente en paralelo se forma mediante la conexion de la segunda capa reflectante 222 de la mascara con el soporte 212, que esta conectado a la membrana mecanica 210.
Las Figuras 23A y 238 son diagramas de bloques del sistema que ilustran una realizacion de un dispositivo de pantalla 2040. El dispositivo de pantalla 2040 puede ser, por ejemplo, un telefono celular o movil. Sin embargo, los mismos componentes del dispositivo de pantalla 2040 o ligeras variaciones de los mismos son tambien ilustrativos de diversos tipos de dispositivos de pantalla tales como televisores y reproductores de medios portatiles.
El dispositivo de pantalla 2040 incluye una carcasa 2041, una pantalla 2030, una antena 2043, un altavoz 2045, un dispositivo de entrada 2048 y un microfono 2046. La carcasa 2041 esta formada generalmente a partir de cualquiera de una variedad de procedimientos de fabricacion que son bien conocidos por los expertos en la tecnica, incluyendo moldeo por inyeccion y moldeo por vacio. Ademas, la carcasa 2041 puede estar hecha de cualquiera de una variedad de materiales, incluyendo entre otros, plastico, metal, vidrio, caucho y ceramica, o una combinacion de los mismos. En una realizacion, la carcasa 2041 incluye partes extraibles (no mostradas) que pueden ser intercambiadas con otras partes extraibles de color diferente, o que contiene diferentes logotipos, imagenes o simbolos.
La pantalla 2030 del ejemplo de dispositivo de pantalla 2040 puede ser cualquiera de una variedad de pantallas, incluyendo una pantalla biestable, como se describe en la presente memoria. En otras realizaciones, la pantalla 2030 incluye una pantalla plana, tal como plasma, EL, OLED, STN LCD, o TFT LCD como se ha descrito anteriormente, o una pantalla no plana, tal como un CRT u otro dispositivo de tubo, como es bien conocido por los expertos en la tecnica. Sin embargo, para los fines de describir la presente realizacion, la pantalla 2030 incluye una pantalla moduladora interferometrica, como se describe en la presente memoria.
Los componentes de una realizacion de un ejemplo de dispositivo de pantalla 2040 se ilustran esquematicamente en la Figura 238. El ejemplo de dispositivo de pantalla 2040 ilustrado incluye una carcasa 2041 y pueden incluir componentes adicionales al menos parcialmente encerrados en la misma. Por ejemplo, en una realizacion, el ejemplo de dispositivo de pantalla 2040 incluye una interfaz de red 2027 que incluye una antena 2043 que esta
acoplada a un transceptor 2047. El transceptor 2047 esta conectado al procesador 2021, que esta conectado al hardware de acondicionamiento 2052. El hardware de acondicionamiento de 2052 puede ser configurado para acondicionar una seral (por ejemplo, filtrar una seral). El hardware de acondicionamiento 2052 esta conectado a un altavoz 2045y un microfono 2046. El procesador 2021 esta tambien conectado a un dispositivo de entrada 2048 y un controlador del controlador 2029. El controlador del controlador 2029 esta acoplado a una memoria volatil de marco 2028 y al controlador de matriz 2022, que a su vez esta acoplado a una matriz de pantalla 2030. Una fuente de alimentacion 2050 proporciona energia a todos los componentes requeridos por el ejemplo particular de disero del dispositivo de pantalla 2040.
La interfaz de red 2027 incluye la antena 2043y el transceptor 2047 de modo que el ejemplo de dispositivo de pantalla 2040 puede comunicarse con uno o mas dispositivos a traves de una red. En una realizacion, la interfaz de red 2027 puede tener tambien algunas capacidades de procesamiento para aliviar los requerimientos del procesador 2021. La antena 2043 es cualquier antena conocida por los expertos en la tecnica para transmitir y recibir serales. En una realizacion, la antena transmite y recibe serales de RF de acuerdo con la norma IEEE 802.11, incluyendo IEEE 802.11 (a), (b) o (g). En otra realizacion, la antena transmite y recibe serales de RF de acuerdo con el estandar 8LUETOOTH. En el caso de un telefono celular, la antena esta diserada para recibir CDMA, GSM, AMPS u otras serales conocidas que se utilizan para comunicar dentro de una red inalambrica de telefonos celulares. El transceptor 2047 pre-procesa las serales recibidas de la antena 2043 de modo que puedan ser recibidas por y manipuladas posteriormente por el procesador 2021. El transceptor 2047 tambien procesa serales recibidas desde el procesador 2021 de modo que puedan ser transmitidas desde el ejemplo de dispositivo de pantalla 2040 a traves de la antena 2043.
En una realizacion alternativa, el transceptor 2047 puede ser reemplazado por un receptor. En aun otra realizacion alternativa, la interfaz de red 2027 puede ser reemplazada por una fuente de imagenes, que puede almacenar o generar datos de imagenes para ser enviados al procesador 2021. Por ejemplo, la fuente de imagenes puede ser un disco de video digital (DVD) o una unidad de disco duro que contiene datos de imagenes o un modulo de software que genera datos de imagenes.
El procesador 2021 controla en general el funcionamiento global del ejemplo de dispositivo de pantalla 2040. El procesador 2021 recibe datos, tales como datos de imagenes comprimidos de la interfaz de red 2027 o una fuente de imagenes, y procesa los datos en datos de imagenes en bruto o en un formato que es procesado facilmente en datos de imagenes en bruto. El procesador 2021 envia a continuacion los datos procesados al controlador del controlador 2029 o a la memoria volatil del marco 2028 para su almacenamiento. Los datos en bruto se refieren comunmente a la informacion que identifica las caracteristicas de la imagen en cada sitio dentro de una imagen. Por ejemplo, tales caracteristicas de imagen pueden incluir color, saturacion y nivel de escala de grises.
En una realizacion, el procesador 2021 incluye un microcontrolador, CPU o unidad logica para controlar el funcionamiento del ejemplo de dispositivo de pantalla 2040. El hardware de acondicionamiento 2052 incluye en general amplificadores y filtros para transmitir serales al altavoz 2045, y para recibir serales desde el microfono 2046. El hardware de acondicionamiento 2052 pueden ser componentes discretos dentro del ejemplo de dispositivo de pantalla 2040, o puede estar incorporado dentro del procesador 2021 u otros componentes.
El controlador del controlador e 2029 toma los datos de imagenes en bruto generados por el procesador 2021 directamente desde el procesador 2021 o desde la memoria intermedia del marco 2028 y reformatea los datos de imagenes en bruto de forma apropiada para la transmision de alta velocidad al controlador de matriz 2022. Especificamente, el controlador del controlador 2029 reformatea los datos de imagenes en bruto en un flujo de datos que tiene un formato tipo raster, de modo que tiene un orden de tiempo adecuado para el escaneo a traves de la matriz de pantalla 2030. A continuacion, el controlador del controlador 2029 envia la informacion formateada al controlador de matriz 2022. Aunque un controlador del controlador 2029, tal como un controlador LCD, suele asociarse con el procesador de sistema 2021 como un Circuito Integrado (IC) independiente, estos controladores pueden implementarse de muchas maneras. Pueden estar integrados en el procesador 2021 como hardware, integrados en el procesador 2021 como software, o totalmente integrado en el hardware con el controlador de matriz 2022.
Comunmente, el controlador de matriz 2022 recibe la informacion formateada desde el controlador del controlador 2029 y reformatea los datos de video en un conjunto paralelo de formas de onda que se aplican muchas veces por segundo a los cientos y a veces miles de pines procedentes de la matriz de pixeles x-y de la pantalla.
En una realizacion, el controlador del controlador 2029, el controlador de matriz 2022, y la matriz de pantalla 2030 son apropiados para cualquiera de los tipos de pantallas que se describen en la presente memoria. Por ejemplo, en una realizacion, el controlador del controlador 2029 es un controlador de pantalla convencional o un controlador de pantalla biestable (por ejemplo, un controlador de modulador interferometrico). En otra realizacion, el controlador de matriz 2022 es un controlador convencional o un controlador de pantalla biestable (por ejemplo, una pantalla de modulador interferometrico). En una realizacion, un controlador del controlador 2029 esta integrado con el controlador de matriz 2022. Esta realizacion es comun en los sistemas altamente integrados, como telefonos celulares, relojes y otras pantallas de areas pequeras. En aun otra realizacion, la matriz de pantalla 2030 es una matriz de pantalla tipica o una matriz de pantalla biestable (por ejemplo, una pantalla que incluye una matriz de moduladores interferometricos).
El dispositivo de entrada 2048 permite al usuario controlar el funcionamiento del ejemplo de dispositivo de pantalla 2040. En una realizacion, el dispositivo de entrada 2048 incluye un teclado, tal como un teclado �WERT� o un
5 teclado de telefono, un boton, un interruptor, una pantalla sensible al tacto, una membrana sensible a la presion o al calor. En una realizacion, el microfono 2046 es un dispositivo de entrada para el ejemplo de dispositivo de pantalla 2040. Cuando el microfono 2046 se utiliza para entrar datos al dispositivo, un usuario puede proporcionar comandos de voz para controlar las operaciones del ejemplo de dispositivo de pantalla 2040.
La fuente de alimentacion 2050 puede incluir una variedad de dispositivos de almacenamiento de energia que son
10 bien conocidos en la tecnica. Por ejemplo, en una realizacion, la fuente de alimentacion 2050 es una bateria recargable, tal como una bateria de niquel-cadmio o una bateria de iones de litio. En otra realizacion, la fuente de alimentacion 2050 es una fuente de energia renovable, un condensador, o una celula solar, incluyendo una celula solar de plastico y una pintura de celula solar. En otra realizacion, la fuente de alimentacion 2050 esta configurada para recibir energia de una toma de corriente.
15 En algunas implementaciones la programabilidad del control reside, como se ha descrito anteriormente, en un controlador del controlador que puede estar ubicado en diversos lugares en el sistema de pantalla electronico. En algunos casos la programabilidad del control reside en el controlador de matriz 2022. Los expertos en la tecnica reconoceran que la optimizacion descrita anteriormente puede ser implementada en cualquier numero de componentes de hardware y/o software y en diversas configuraciones.

Claims (30)

  1. REIVINDICACIONES
    1. Un dispositivo optico interferometrico que comprende�
    medios (20�202) para soportar un dispositivo optico� medios (200) para modular luz interferometricamente
    5 que comprenden un area no activa (108�230) y un area activa, los medios de modulacion (200) dispuestos sobre los medios de soporte (20�202), teniendo los medios de modulacion (200) una caracteristica optica que cambia en respuesta a un voltaje aplicado a los medios de modulacion, y
    una mascara optica electricamente conductora (218,222) acoplada electricamente a los medios de modulacion (200) para proporcionar una o mas vias electricas para la aplicacion de voltajes a los medios de
    10 modulacion, comprendiendo la mascara (218,222) una primera capa reflectante (218) y una segunda capa reflectante (222), la primera capa reflectante (218) y la segunda capa reflectante (222) configuradas como un elemento estatico separado del area activa para modular interferometricamente la luz de tal manera que la mascara absorbe luz en al menos una parte del area no activa (108�230) de los medios de modulacion (200).
    15 2. El dispositivo optico de la Reivindicacion 1, en el que el medio de soporte comprende un substrato (20�202).
  2. 3.
    El dispositivo optico de la Reivindicacion 1 o 2, en el que el medio de modulacion comprende un modulador interferometrico (200).
  3. 4.
    El dispositivo optico de la Reivindicacion 1, en el que la mascara (218,222) esta configurada para aparecer en negro.
    20 5. El dispositivo optico de la Reivindicacion 1, en el que la mascara (218,222) esta configurada para aparecer en un color distinto al negro.
  4. 6. El dispositivo optico de la Reivindicacion 1, que comprende ademas un electrodo de columna electricamente acoplado a la mascara (218,222) para formar una conexion electricamente en paralelo.
  5. 7. El dispositivo optico de la Reivindicacion 1, que comprende ademas un electrodo de fila electricamente acoplado a 25 la mascara (218,222) para formar una conexion electricamente en paralelo.
  6. 8.
    El dispositivo optico de la Reivindicacion 1, en el que la mascara comprende una pila de peliculas (218,220,222).
  7. 9.
    El dispositivo optico de la Reivindicacion 8, en el que la pila de peliculas comprende la primera capa reflectante
    (218) y la segunda capa reflectante (222).
  8. 10. El dispositivo optico de la Reivindicacion 9, en el que la primera capa reflectante (218) esta conectada
    30 electricamente a un primer electrodo y la segunda capa reflectante (222) esta conectada electricamente a un segundo electrodo.
  9. 11. El dispositivo optico de la Reivindicacion 9, en el que la primera capa reflectante (218) y la segunda capa reflectante (222) estan conectadas electricamente al mismo electrodo.
  10. 12. El dispositivo optico de la Reivindicacion 1 en el que la mascara (218,222) esta acoplada electricamente a los 35 medios de modulacion (204) mediante una o mas vias conductoras.
  11. 13. El dispositivo optico de la Reivindicacion 1, que comprende ademas�
    un procesador (2021) que esta en comunicacion electrica con al menos uno de dichos medios de modulacion (200) y dicha mascara (218,222), estando dicho procesador configurado para procesar datos de imagenes� y
    40 un dispositivo de memoria en comunicacion electrica con dicho procesador (2021).
  12. 14.
    El dispositivo optico de la Reivindicacion 13, que comprende ademas un circuito de control (2022) configurado para enviar al menos una seral a al menos uno de dichos medios de modulacion (200) y dicha mascara (218,222).
  13. 15.
    El dispositivo optico de la Reivindicacion 14, que comprende ademas un controlador (2029) configurado para enviar al menos una parte de dichos datos de imagenes a dicho circuito controlador (2022).
    45 16. El dispositivo optico de la Reivindicacion 13, que comprende ademas un modulo de fuente de imagenes configurado para enviar dichos datos de imagenes a dicho procesador (2021).
  14. 17. El dispositivo de la Reivindicacion 16, en el que dicho modulo de fuente de imagenes comprende al menos uno de un receptor, transceptor y transmisor.
  15. 18.
    El dispositivo optico de la Reivindicacion 13, que comprende ademas un dispositivo de entrada configurado para recibir datos de entrada y comunicar dichos datos de entrada a dicho procesador (2021).
  16. 19.
    Un procedimiento para proporcionar una seral electrica a una pluralidad de elementos opticos interferometricos de una pantalla (200), comprendiendo el procedimiento� proporcionar un sustrato (20�202), proporcionar una mascara optica electricamente conductor (218,222) sobre el substrato, proporcionar uno o mas elementos opticos interferometricos sobre el sustrato separado de la mascara optica, en los que uno o mas elementos opticos interferometricos comprenden un area no activa (108�230) y un area activa, los uno o mas elementos opticos interferometricos estan electricamente acoplados a una mascara optica electricamente conductora (218,222) e individualmente accionables mediante la aplicacion de un voltaje a los mismos, en el que la mascara optica comprende una primera capa reflectante (218) y una segunda capa reflectante (222) configuradas como un elemento estatico separado del area activa para modular interferometricamente la luz de tal manera que la mascara (218,222) absorbe luz en al menos una parte del area no activa, y aplicar un voltaje a la mascara optica (218,222) para activar los uno o mas elementos opticos interferometricos.
  17. 20.
    El procedimiento de la Reivindicacion 19, en el que la mascara optica comprende una pila de peliculas (218,220,222).
  18. 21.
    El procedimiento de la Reivindicacion 20, en el que la pila de peliculas (218,220,22) comprende una capa reflectante conductora a la que se aplica un voltaje para activar uno o mas elementos opticos interferometricos.
  19. 22.
    El procedimiento de la Reivindicacion 19, en el que la mascara optica comprende uno o mas elementos interferometricos.
  20. 23.
    El procedimiento de la Reivindicacion 19, en el que la mascara optica es absorbente de la luz.
  21. 24.
    Un procedimiento para fabricar un dispositivo optico interferometrico, comprendiendo el procedimiento�
    formar una mascara optica electricamente conductora (218,222) sobre un substrato (20�202), en el que la mascara optica absorbe la luz y comprende una primera capa reflectante (218) y una segunda capa reflectante (222) configuradas como un elemento estatico para modular interferometricamente la luz�
    formar un componente optico interferometrico (104) sobre el substrato (20�202) separado de la mascara optica (218.222), comprendiendo el componente optico interferometrico (104) un area no activa (108� 230) y un area activa, y en el que el componente optico interferometrico (104) tiene un estado activado y un estado no activado, el componente optico interferometrico (104) cambia entre el estado activado y el estado no activado en respuesta a un voltaje aplicado, teniendo cada estado una respuesta optica caracteristica a la luz incidente� y
    conectar electricamente la mascara optica (218,222) al componente optico interferometrico (104) de modo que al menos una parte de la mascara optica proporciona un bus para aplicar el voltaje al componente optico interferometrico (104), en el que la mascara esta separada del area activa y absorbe la luz en al menos una parte del area no activa (108� 230) del componente optico interferometrico.
  22. 25.
    El procedimiento de la Reivindicacion 24, en el que el componente optico interferometrico comprende uno o mas elementos interferometricos.
  23. 26.
    El procedimiento de la Reivindicacion 24, en el que la mascara optica comprende una pila de peliculas (218,220,22).
  24. 27.
    El procedimiento de la Reivindicacion 26, en el que la pila de peliculas (218,220,222) comprende un material dielectrico no absorbente de la luz (220) intercalado entre la primera capa reflectante (218) y la segunda capa reflectante (222).
  25. 28.
    El procedimiento de la Reivindicacion 27, en el que una o mas de la primera capa reflectante (218) y la segunda capa reflectante (222) comprende plata, aluminio o cromo.
  26. 29.
    El procedimiento de la Reivindicacion 24, en el que el substrato (202) es transparente y el procedimiento comprende ademas identificar un area sobre el substrato (202) que sera absorbente de la luz, en el que la zona identificada esta desplazada lateralmente del componente optico interferometrico, y en la que la formacion de la mascara optica electricamente conductora (218,222) sobre la zona identificada se realiza antes de fabricar el componente optico interferometrico (104).
  27. 30.
    El procedimiento de la Reivindicacion 29, en el que el componente optico interferometrico (104) comprende un pixel, siendo el area absorbente de la luz un area que bordea el pixel.
  28. 31.
    El procedimiento de la Reivindicacion 29, en el que la formacion de la mascara optica electricamente conductora (218,222) comprende depositar la primera capa reflectante sobre el substrato (202), depositar una capa dielectrica no absorbente de la luz sobre la primera capa reflectante, y depositar la segunda capa reflectante sobre la capa
    dielectrica no absorbente de la luz, en la que una o mas de la primera o segunda capas reflectantes es electricamente conductora.
  29. 32.
    El procedimiento de la Reivindicacion 31, en el que la primera y segunda capas reflectantes (218,222) comprenden materiales metalicos.
  30. 33.
    El procedimiento de la Reivindicacion 31, en el que la capa de dielectrico no absorbente de la luz (220) comprende una capa de oxido.
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