[go: up one dir, main page]

DE69533393T2 - Epoxyharzzusammensetzung - Google Patents

Epoxyharzzusammensetzung Download PDF

Info

Publication number
DE69533393T2
DE69533393T2 DE1995633393 DE69533393T DE69533393T2 DE 69533393 T2 DE69533393 T2 DE 69533393T2 DE 1995633393 DE1995633393 DE 1995633393 DE 69533393 T DE69533393 T DE 69533393T DE 69533393 T2 DE69533393 T2 DE 69533393T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
epoxy resin
resin compound
silica
compound according
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE1995633393
Other languages
English (en)
Other versions
DE69533393D1 (de
Inventor
Atsuto Nagoya-shi TOKUNAGA
Yasushi Sawamura
Masayuki Tanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Publication of DE69533393D1 publication Critical patent/DE69533393D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69533393T2 publication Critical patent/DE69533393T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
    • C08G59/245—Di-epoxy compounds carbocyclic aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S524/00—Synthetic resins or natural rubbers -- part of the class 520 series
    • Y10S524/919—Metal patching composition, e.g. body solder
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether
    • Y10T428/31529—Next to metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die Vorliegende Erfindung betrifft eine Epoxidharzverbindung, ein Präzisionsteil und ein Halbleiterbauelement. Genauer gesagt betrifft die vorliegende Erfindung eine Epoxidharzverbindung, die leicht geformt werden kann, ohne dass Probleme wie unvollständige Formfüllung, Harzablösung, Leiterbruch, Stufenverschiebung und Verstopfung von Lüftungslöchern (Windpfeifen) auftreten, sowie ein Halbleiterbauelement, das mit der Epoxidharzverbindung versiegelt ist, was für höhere Zuverlässigkeit bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit und gute Beständigkeit gegen Löthitze sorgt.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Zu den zahlreichen bekannten Epoxidharzen gehört auch eine Epoxidharzverbindung, die aus Epoxidharz, einem Härter, einem anorganischen Füllstoff sowie anderen Additiven besteht. Sie findet aufgrund ihrer guten elektrischen und mechanischen Eigenschaften allgemein Anwendung als Formmasse.
  • Harzverbindungen, wie beispielsweise Phenol-, Silicon- und Epoxidharzverbindungen werden im Allgemeinen zum Versiegeln von Halbleiterbauelementen eingesetzt, da sie höhere Produktivität und geringerer Herstellungskosten als andere Versiegelungsmaterialien mit sich bringen. Von diesen Epoxidharzen sind solche auf Epoxybasis aufgrund ihrer geringen Kosten, guten Produktivität und ausgeglichenen Eigenschaften vorherrschend. Harzversiegelung durch herkömmliche Verfahren bringt jedoch zahlreiche praktische Probleme mit sich, da sich die Halbleitertechnologie seit kurzem in Richtung größerer und dünnerer Packages mit mehr Pins entwickelt als früher. Ein typisches Beispiel für solche Probleme findet sich im Bereich des Formens. Das heißt, die Versiegelung von großen Packages mit einer herkömmlichen Harzverbindung führt zu unvollständiger Formfüllung (beim Spritzpressen), was zu Mängeln wie Pinholes führt. Auf ähnliche Weise führt die Versiegelung von Packages mit vielen Pins zur Ablösung von Harz aufgrund unvollständiger Haftung. Darü ber hinaus bringen dünnere Packages beim Versiegeln mit herkömmlichen Harzverbindungen mit sich, weil sie nur ein geringes Spiel für während der Versiegelung stattfindende Verschiebungen des Chips und seiner Leiter erlauben.
  • Um diese Probleme zu lösen, wurden verschiedene Verfahren zur Verbesserung der Fließfähigkeit der Harzverbindungen vorgeschlagen. Ein Weg, dieses Ziel zu erreichen, besteht in der Verringerung der Viskosität durch eine Reduzierung des anorganischen Füllstoffs, eine Veränderung der Gelierzeit und eine Modifikation des Harzes selbst. Es zeigte sich jedoch, dass diese Maßnahmen nicht allen Anforderungen in Bezug auf Festigkeit und Glastemperatur der Harze, Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit, Widerstandsfähigkeit einer Package gegenüber Brüchen aufgrund von Löthitze und den Formzyklus, der die Produktivität bestimmt, Rechnung tragen. Ein Versuch, die Fließfähigkeit zu verbessern, führt häufig dazu, dass die Lüftungslöcher durch die Harzverbindung verstopft werden, die bei wiederholtem Spritzpressen in die Form eindringt.
  • Ein Versuch wurde unternommen, die Fließfähigkeit der Harzverbindungen beim Formen zu verbessern, indem die Teilchenform des anorganischen Füllstoffs spezifiziert wurde. So wird zwar das ursprüngliche Ziel erreicht, aber die Zuverlässigkeit bei hoher Feuchtigkeit und die Beständigkeit gegen Löthitze sowie die Formbarkeit werden nicht verbessert, um das Ablösen von Harz zu verhindern.
  • Die EP-A-0.450.944 offenbart eine Epoxidharzverbindung, die aus einem Biphenylskelett-Epoxidharz, einem Härter und Silica mit eine bestimmten Teilchengröße besteht. Diese Epoxidharzverbindung weist angeblich verbesserte Beständigkeit gegenüber Löthitze auf. Nichtsdestotrotz werden die oben genannten Probleme nicht gänzlich gelöst.
  • Vor dem oben angeführten technischen Hintergrund wurde die vorliegende Erfindung dahingehend entwickelt, die folgenden Ziele zu erreichen.
    • (1) Eine neue Epoxidharzverbindung mit geringer Schmelzviskosität sollte bereitgestellt werden, die nach wiederholten Formvorgängen keine Verstopfung der Lüftungslöcher verursacht und Formprodukte ergibt, die frei von Harzablösung, Pinholes und Stufenverschiebungen sind.
    • (2) Eine neue Epoxidharzverbindung sollte bereitgestellt werden, die bei Verwendung als Versiegelungsmaterial Halbleiterbauelemente mit verbesserter Zuverlässigkeit bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit und guter Beständigkeit gegen Löthitze ergibt.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Ein erster Aspekt der vorliegenden Erfindung stellt eine Epoxidharzverbindung bereit, die ein Epoxidharz (A), einen Härter (B) und einen anorganischen Füllstoff enthält, dadurch gekennzeichnet, dass der anorganische Füllstoff als Hauptkomponente Silica (C) enthält, wobei der Härter (B) ein solcher ist, der zumindest zwei phenolische Hydroxylgruppen und/oder naphtholische Hydroxylgruppen pro Molekül enthält und das Silica (C) 5 bis 50 Gew.-% kugelförmiges synthetisches Silica und 95 bis 50 Gew.-% natürliches Quarzglas enthält.
  • Ein zweiter Aspekt der vorliegenden Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung einer Epoxidharzverbindung zur Versiegelung von Halbleitern bereit, wobei das Verfahren einen ersten Schritt des Einschmelzens einer Substanz, die hauptsächlich aus natürlich vorkommendem SiO2 besteht, um natürliches Quarzglas zu erhalten, einem zweiten Schritt (entweder vor oder nach dem ersten Schritt) der Durchführung einer chemischen Reaktion auf einer siliciumhältigen Substanz, die nicht hauptsächlich aus SiO2 besteht, um kugelförmiges synthetisches Silica zu erhalten, das hauptsächlich aus SiO2 besteht, und einen dritten Schritt des Zusammenmischens eines Epoxidharzes (A), eines Härters (B), der zumindest zwei phenolische Hydroxylgruppen und/oder naphtholische Hydroxylgruppen pro Molekül enthält, des im zweiten Schritt erhaltenen kugelförmigen synthetischen Silicas (5 bis 50 Gew.-% der Ge samtmenge an Silica) und des im ersten Schritt erhaltenen natürlichen Quarzglases (95 bis 50 Gew.-% der Gesamtmenge an Silica) umfasst.
  • Ein dritter Aspekt der vorliegenden Erfindung stellt ein Halbleiterbauelement bereit, das mit einer oben definierten Epoxidharzverbindung versiegelt ist.
  • Die Epoxidharzverbindung gemäß vorliegender Erfindung weist so stark verbesserte Formbarkeit auf, dass sie die Versiegelung von Halbleiterbauelementen ohne Probleme, wie beispielsweise unvollständige Formfüllung, Harzablösung, Leiterbruch, Stufenverschiebung und Verstopfung von Lüftungslöchern ermöglicht.
  • Die Epoxidharzverbindung als Dichtungsmaterial ergibt Halbleiterbauelemente, die verbesserte Zuverlässigkeit bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit und gute Beständigkeit gegen Löthitze bereitstellen. Außerdem findet sie aufgrund ihrer guten Formbarkeit neben Halbleiterbauelementen auch Verwendung als Formmasse für Präzisionsteile.
  • Beste Durchführungsart der Erfindung
  • Nachstehend werden die Beschaffenheit und die Wirkung der vorliegenden Erfindung im Detail erläutert.
  • Der Begriff "Epoxidharz (A)" steht in der vorliegenden Erfindung für ein Harz mit Epoxygruppen im Molekül.
  • Beispiele für das Epoxidharz (A) umfassen Bisphenol-A-Epoxidharze, Bisphenol-C-Epoxidharze, hydrierte Bisphenol-Epoxidharze, Bisphenol-F-Epoxidharze, Phenol-Novolak-Epoxidharze, Kresol-Novolak-Epoxidharze, cycloaliphatische Epoxidharze mit beispielsweise Dicyclopentadienringen, Biphenyl-Epoxidharze und epoxymodifiziertes Organosilicon. Diese können alleine oder als Kombinationen eingesetzt werden.
  • Von diesen Epoxidharzen sind in der vorliegenden Erfindung jene bevorzugt, die durch die folgende Formel (I) oder (II) dargestellt sind.
    Figure 00050001
    (worin die R jeweils identisch oder unterschiedlich sein können und jedes R für ein Wasserstoffatom oder eine einwertige organische Gruppe, üblicherweise mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, steht). Sie können eine teilweise polymerisierte Struktur aufweisen, die aus der Reaktion von Epoxygruppen resultiert.
  • Bevorzugte Beispiele für die Epoxidharze der obigen Formel (I) umfassen Diglycidylether von 4,4'-Dihydroxybiphenyl, Diglycidylether von 3,3',5,5'-Tetramethyl-4,4'-dihydroxybiphenyl, Diglycidylether von 3,3',5,5'-Tetratertbutyl-4,4'-dihydroxybiphenyl, Diglycidylether von Dimethyldipropylbiphenol und Diglycidylether von Dimethylbiphenol.
  • Der Härter (B) der vorliegenden Erfindung ist zu einer Härtungsreaktion mit dem Epoxidharz (A) fähig. Er ist dadurch gekennzeichnet, dass er zumindest zwei phenolische und/oder naphtholische Hydroxylgruppen pro Molekül aufweist. (Phenolische Hydroxylgruppen stammen von einer Phenolgruppe, Kresolgruppe, Xylenolgruppe usw.) Beispiele für Härter (B) der vorliegenden Erfindung umfassen Phenol-Novolakharz, Kresol-Novolakharz, Naphthol-Novolakharz, Copolymere dieser Novolakharze, Bis phenol A, Bisphenol F, Phenol-Aralkylharz, Naphthol-Aralkylharz, Trishydroxymethan, Trishydroxyethan, Bisphenolharz und Copolymere davon.
  • Diese Härter können alleine oder in Kombination eingesetzt werden. Die Menge des Härters (B) sollte vorzugsweise 33–300 Gewichtsteile pro 100 Gewichtsteile Epoxidharz (A) betragen. Eine angemessene Menge im Hinblick auf die Funktionalität wird so gewählt, dass das Verhältnis zwischen dem Epoxyäquivalent von Epoxidharz (A) und dem Hydroxyläquivalent von Härter (B) im Bereich von 0,7 bis 1,3 liegt.
  • Gemäß vorliegender Erfindung sollte das Silica (C) 5–50 Gew.-% synthetisches Silica als Hauptkomponente enthalten. Unterhalb dieses Gehalts neigt die resultierende Harzverbindung dazu, beim Formen abzublättern. Über diesem Gehalt weist die resultierende Harzverbindung beim Formen Randblasen und geringe Fließfähigkeit auf.
  • Der Begriff "kugelförmiges synthetisches Silica" steht für künstlich synthetisiertes kugelförmiges Silica, das durch eine chemische Umsetzung aus einer Substanz (Ausgangsmaterial) erhalten wird, die nicht SiO2 als Hauptkomponente enthält.
  • Kugelförmiges synthetisches Silica kann durch verschiedene Verfahren aus verschiedenen Ausgangsmaterialien erhalten werden, beispielsweise durch eine Oxidationsreaktion aus Silicium, durch ein Sol-Gel-Verfahren aus Dialkyldialkoxysilan (wie z. B. Tetraalkoxysilan (oder Tetraalkylorthosilicat) und Monoalkyltrialkoxysilan), durch Hydrolyse und darauffolgende Dehydratisierung unter Erhitzen oder durch direkte Zersetzung und Oxidation mit einer Sauerstoff-Wasserstoff-Flamme aus Chlorsilan (wie z. B. Tetrachlorsilan, Trichlorsilan und Monoalkyltrichlorsilan), durch Oxidation aus Polysiloxan usw.
  • Die Teilchengröße des kugelförmigen synthetischen Silica, eine Hauptkomponente des Silicas (C), liegt vorzugsweise im Bereich von 0,1–30 μm, noch bevorzugter 0,1–3,0 μm, insbesondere 0,1–1 μm, bezogen auf den mittleren Teilchendurchmesser (oder mittleren Durchmesser für R = 50%). Dieser Bereich sollte eingehalten werden, damit die Epoxidharzverbindung die Anforderungen in Bezug auf verbesserte Zuverlässigkeit bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit und gute Beständigkeit gegen Löthitze erfüllt und damit Halbleiter-Chips vor Beschädigung und Verunreinigung geschützt sind.
  • Die Gestalt des synthetischen Silica ist hauptsächlich kugelförmig, wobei eckige Teilchen weniger als 50 Gew.-% ausmachen.
  • Gemäß vorliegender Erfindung sollte Silica (C) aus 5–50 Gew.-% kugelförmigem Silica und 95–50 Gew.-% natürlichem Quarzglas bestehen. Letzeres wird durch Schmelzen von Kieselsteinen oder dergleichen (als Ausgangsmaterial) erhalten, die SiO2 als Hauptkomponente enthalten.
  • Die Teilchengröße von natürlichem Quarzglas liegt vorzugsweise im Bereich von 0,1–50 μm, noch bevorzugter 3–50 μm, sodass die Epoxidharzverbindung den Anforderungen in Bezug auf gute Zuverlässigkeit bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit und guter Beständigkeit gegen Löthitze entspricht.
  • Die Teilchengestalt des natürlichen Quarzglases sollte, um gute Fließfähigkeit beim Formen zu erreichen, vorzugsweise hauptsächlich kugelförmig sein, wobei eckige Teilchen weniger als 30 Gew.-% der Gesamtmenge an Silica (C) ausmachen.
  • Die Mengen an kugelförmigem synthetischem Silica beträgt 5–50 Gew.-%, wobei die Untergrenze 5 Gew.-% und vorzugsweise 10 Gew.-% beträgt und die Obergrenze 50 Gew.-% und vorzugsweise 30 Gew.-% beträgt. Die Menge an natürlichem Quarzglas beträgt 95–50 Gew.-%, wobei die Untergrenze 50 Gew.-%, vorzugsweise 70 Gew.-% ist, und die Obergrenze 95 Gew.-%, vorzugsweise 90 Gew.-% beträgt.
  • Die Menge an Silica (C) in der Epoxidharzverbindung der vorliegenden Erfindung sollte vorzugsweise mehr als 85 Gew.-%, vorzugsweise mehr als 89 Gew.-%, der Gesamtmenge ausmachen, sodass die Epoxidharzverbindung den Anforderungen in Bezug auf verbesserte Zuverlässigkeit bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit sowie gute Beständigkeit gegen Löthitze genügt.
  • Die Wirkung der vorliegenden Erfindung wird durch die Aufnahme eines Silan-Haftvermittlers in die Epoxidharzverbindung verbessert, der eine Siliciumverbindung mit organischen Gruppen (wie z. B. Aminogruppen) und hydrolysierbaren Gruppen (wie z. B. Alkoxylgruppen, Acetoxygruppen und Halogengruppen) ist, die direkt an das Siliciumatom gebunden sind. Eine geeignete Menge des Silan-Haftvermittlers liegt im Bereich von 0,01 bis 5 Gew.-% der Gesamtmenge der Epoxidharzverbindung. Ein Amino-Haftvermittler kann Aminogruppen in sekundärer Form, vorzugsweise teilweise oder noch bevorzugter gesamt, enthalten. Beispiele für den Silan-Haftvermittler sind nachstehend angeführt. Jene mit einer unsubstituierten organischen Gruppe umfassen Vinyltrimethoxysilan, Vinyltriethoxysilan, Vinyltriacetoxysilan und Vinyltrichlorsilan. Jene mit einer Epoxygruppen umfassen γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan und γ-Glycidoxypropyltriethoxysilan. Jene mit einer oder mehreren Aminogruppen umfassen γ-Aminopropyltrimethoxysilan, γ-Aminopropyltriethoxysilan, γ-(2-Aminoethyl)aminopropyltrimethoxysilan, γ-(2-Aminoethyl)aminopropyltriethoxysilan, γ-Anilinopropylmethoxysilan, γ-Anilinopropyltriethoxysilan, N-β-(N-Vinylbenzylaminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilan und N-β-(N-Vinylbenzylaminoethyl)-γ-aminopropyltriethoxysilan. Weitere Beispiele umfassen γ-Mercaptopropyltrimethoxysilan, γ-Mercaptopropyltrimethoxysilan, γ-Ureidopropyltrimethoxysilan, γ-Ureidopropyltriethoxysilan und γ-Methacryloxypropyldimethoxysilan.
  • Die Epoxidharzverbindung der vorliegenden Erfindung kann verschiedene Formtrennmittel, wie beispielsweise Wachse (einschließlich Polyethylenwachs, Carnaubawachs und Montanwachs), Metallsalze von Fettsäuren (einschließlich Magnesiumstearat), langkettige Fettsäuren und ihre Metallsalze, Ester und Amide und modifizierte Siliconverbindungen enthalten.
  • Die Epoxidharzverbindung der vorliegenden Erfindung kann verschiedene Flammschutzmittel (und Hilfsstoffe dafür) enthalten, wenn sie für Halbleiterbauelemente verwendet werden soll, die Flammverzögerungsvermögen benötigen. Beispiele für Flammschutzmittel umfassen Organohalogenverbindungen (wie beispielsweise Glycidylether von bromiertem Bisphenol A, bromierten Kresol-Novolak und bromiertes Epoxidharz) und Phosphorverbindungen. Beispiele für Flammschutzmittel-Hilfsstoffe umfassen Antimonpentoxid, Anitmontetraoxid und Antimontrioxid. Die Flammschutzmittel und Hilfsstoffe sollten in beschränkter Menge verwendet werden, da sie Halogene und Antimon freisetzen, die sich auf die Zuverlässigkeit bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit und die Beständigkeit gegen Löthitze auswirken. Ihre geeignete Menge sollte so gewählt sein, dass ihr Halogen- und Antimongehalt weniger als 0,2 Gew.-% jeder Epoxidharzverbindung beträgt.
  • Die Epoxyverbindung der vorliegenden Erfindung kann neben dem Silica (C) auch einen anorganischen Füllstoff in geeigneter Menge enthalten, die für die Wirkung der vorliegenden Erfindung nicht nachteilig ist. Beispiele für den anorganischen Füllstoff umfassen Tonerde, Zirkonerde, Bittererde, Borosilicatglas, Calciumcarbonat, Magnesiumcarbonat, Ton, Talk, Calciumsilicat, Titanoxid, Antimonoxid und Wolknerit. Die Menge des anorganischen Füllstoffs ist nicht speziell eingeschränkt; eine geeignete Menge liegt jedoch über 85 Gew.-%, vorzugsweise über 95 Gew.-%, sodass die resultierende Epoxidharzverbindung den Anforderungen in Bezug auf verbesserte Zuverlässigkeit bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit und gute Beständigkeit gegen Löthitze entspricht.
  • Die Epoxidharzverbindung der vorliegenden Erfindung kann eine Reihe von Beschleunigern, wie beispielsweise Phosphinverbindungen, Phosphoniumsalze und Aminoverbindungen, enthalten, die nachstehend angeführt sind.
  • Phosphiverbindungen: Triphenylphosphin, Tri-m-tolylphosphin, Tri-p-tolylphosphin, Tri-o-tolylphosphin, und Tris(2,6-dimethoxyphenol)phosphin.
  • Phosphoniumsalze: Tetraphenylphosphoniumbromid, Tetraethylphosphoniumbromid, Tetrabutylphosphoniumbromid, Tetraphenylphosphoniumtetraphenylborat, Tetraethylphosphoniumtetraphenylborat und Tetrabutylphosphoniumtetraphenylborat.
  • Aminverbindungen: Imidazol, 1-Methylimidazol, 2-Methylimidazol, 1,2-Dimethylimidazol, 1-Phenylimidazol, 2-Phenylimidazol, 1-Benzylimidazol, 1,8-Diazabicyclo[5.4.0]-undecen (DBU), Phenolsalz von DBU, Phenol-Novolaksalz von DBU, Octylsalz von DBU, p-Toluolsulfonat von DBU und 1,5-Diazabicyclo[4.3.0]nonen (DBN).
  • Darüber hinaus kann die Epoxidharzverbindung der vorliegenden Erfindung eine Reihe von Farbstoffen und Pigmenten (wie z. B. Ruß und Eisenoxid), eine Reihe von Elastomeren (wie z. B. Siliconkautschuk, ein Olefin-Copolymer, modifizierten Nitrilkautschuk und modifizierten Polybutadienkautschuk), eine Reihe von thermoplastischen Harzen (wie z. B. Polyethylen) und einen Vernetzer (wie z. B. organisches Peroxid) enthalten.
  • Die Epoxidharzverbindung der vorliegenden Erfindung kann durch Vermischen eines Epoxidharzes (A), eines Härters (B), eines anorganischen Füllstoffs und anderer Additive unter Verwendung eines Banbury-Mischers oder dergleichen, darauffolgendes Schmelzmischen des Gemischs unter Verwendung eines Mischers, wie z. B. eines Einschneckenextruders, Zweischneckenextruders, Kneters und einer Heißwalze, und schließliches Zerkleinern des Gemischs nach dem Abkühlen erhalten werden.
  • Die so erhaltene Epoxidharzverbindung kann zu Präzisionsteilen geformt werden. Sie ergibt Präzisionsteile mit größerer Formbeständigkeit, wenn sie mehr als 85 Gew.-% Silica (C) enthält. Die Größe der Präzisionsteile sollte vorzugsweise so gewählt sein, dass ihre umschriebene Kugel einen Durchmesser von weniger als 30 mm aufweist.
  • Das Halbleiterbauelement der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass ein Halbleiter-Chip mit der oben genannten Epoxidharzverbindung versiegelt wird. Es weit ein gutes äußeres Erscheinungsbild auf und stellt verbesserte Zuverlässigkeit bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit und gute Beständigkeit gegen Löthitze bereit.
  • Beispiele
  • Nachstehend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf Beispiele und Vergleichsbeispiele näher erläutert, die auf die Beschreibung des darin verwendeten synthetischen Silica und natürlichen Quarzglases folgen.
  • Herstellung von synthetischen Silica – 1: In Ethanol wurde 1 mol Tetraethyl-o-silicat gelöst, und ein 1 : 4-Gemisch (in mol) aus Ammoniak und Wasser wurde zur Hydrolyse zur Lösung zugesetzt. Das resultierende Silica wurde getrocknet, gebrannt und zerkleinert. So wurde synthetisches Silica A-1 in zerkleinerter Form erhalten. Das synthetische Silica A-1 wurde eine vorgegebene Zeit lang weiter zerkleinert und gesiebt (wobei die Sieböffnung 74 μm maß). So wurde synthetisches Silica A-2 in zerkleinerter Form erhalten. A-1- und A-2 wiesen einen nach dem Laserlichtstreuverfahren gemessenen mittleren Teilchendurchmesser von 50 μm bzw. 20 μm auf.
  • Herstellung von synthetischem Silica – 2: In Ethanol wurde 1 mol Tetraethyl-o-silicat gelöst, und ein 1 : 50-Gemisch (in mol) aus γ-Aminopropyltrimethoxysilan und Wasser wurde zur Lösung zugesetzt. Die resultierende trübe Flüssigkeit wurde abgetrennt und mit einem 1 : 1-Wasser/Methanol-Gemsich behandelt. Nach 24-stündigem Trocknen bei 500°C wurde synthetisches Silica A-2 in kugelförmiger Gestalt erhalten. A-3 wies einen nach dem Laserlichtstreuverfahren gemessenen mittleren Teilchendurchmesser von 0,3 μm auf.
  • Herstellung von synthetischem Silica – 3: Hydrolyse, gefolgt von Erhitzen, von Trichlorsilan (als Ausgangsmaterial) auf herkömmliche Weise ergab synthetisches Silica A-4 und synthetisches Silica A-5 mit einem mittleren Teilchendurchmesser von 12 μm bzw. 40 μm. Explosionsfähige Gasphasenoxidation, gefolgt von Agglomeration, ergab synthetisches Silica A-6 und synthetisches Silica A-7 mit einem mittleren Teilchendurchmesser von 0,5 μm bzw. 1,0 μm.
  • Herstellung von natürlichem Quarzglas: Fünf Arten natürliches Quarzglas B-1 bis B-5, die sich in ihrer Teilchenform und -größe unterschieden, wurden durch Schmelzen und darauffolgendes Zerkleinern oder darauffolgende Bildung von Kügelchen aus Kieselstein hergestellt.
  • Die oben genannten Silicaproben sind in der folgenden Tabelle zusammengefasst:
  • Tabelle 1: Silicaproben
    Figure 00120001
  • Beispiele 1 bis 20 und Vergleichsbeispiele 1 bis 13
  • In jedem Beispiel wurde ein Gemisch aus einem der Epoxidharze (I) bis (IV), einem der Härter (I) bis (IV), einem der synthetischen Silicamaterialien (A-1) bis (A-6) und einem der natürlichen Quarzgläser (B-1) bis (B-5) gemäß den in den Tabellen 2 bis 5 angeführten Formulierungen hergestellt. (Die Epoxidharze und Härter werden weiter unten spezifiziert, und das Silica wurde oben spezifiziert). Dem Gemisch (in einer Gesamtmenge von 100 Gewichtsteilen) wurden 0,6 Gewichtsteile γ-Glycidoxypropyltriethoxysilan, 0,3 Gewichtsteile Montanwachs und 0,1 Gewichtsteile Ruß zugesetzt. Dann wurde dem Gemisch 1,0 Gewichtsteil Triphenylphosphin pro 100 Gewichtsteile der Gesamtmenge des Epoxidharzes und Härters trocken zugemischt. Auf diesen Schritt folgte eine Extrusion zum Schmelzmischen. Schließlich wurde das Extrudat zerkleinert, um eine Epoxidharzverbindung in Form von Pellets herzustellen.
  • Jede Epoxidharzverbindung wurde wie folgt auf die charakteristischen Eigenschaften getestet, die zur Verwendung als Halbleiter-Versiegelungsmaterial erforderlich sind. Die Ergebnisse sind in den Tabellen 2 bis 5 zusammengefasst.
  • Beschreibung des Epoxidharzes
    • I Diglycidylether von 3,3'5,5'-Tetramethyl-4,4'-dihydroxybiphenyl (Epoxyäquivalent = 195)
    • II 1 : 1-Gemisch (Gew.) aus Epoxidharz (I) und Diglycidylether von 4,4'-Dihydroxybiphenyl
    • III Glycidylveretherter o-KresolNovolak (Epoxyäquivalent = 200)
    • IV Glycidylverethertes Bisphenol A (Epoxyäquivalent = 185)
  • Beschreibung des Härters
    • I Phenol-Novolak (Hydroxyläquivalent = 107)
    • II Copolymer-Novolak aus Phenol und Naphthol (Hydroxyläquivalent = 114)
    • III Kondensationspolymer aus Phenol und p-Methoxyxylol (Hydroxyläquivalent = 175), "Xylok"
    • IV Tris(hydroxyphenyl)methan (Hydroxyläquivalent = 97)
  • Testverfahren und -kriterien
  • Schmelzviskosität
  • Die Epoxidharzverbindung wurde unter Verwendung eines Durchflusstesters vom Koka-Typ auf ihre minimale Schmelzviskosität bei 175°C gemessen.
  • Warmhärte
  • Die Epoxidharzverbindung wurde bei einer Formungstemperatur von 175°C und einem Formzyklus von 90 Sekunden zu einer scheibenförmigen Probe geformt (Durchmesser 4 cm und Dicke 3 cm). Direkt nach dem Formen wurde die Probe auf ihre Barcol-Härte gemessen.
  • Formbarkeit
  • Die Epoxidharzverbindung wurde bei einer Formungstemperatur von 175°C und einem Formzyklus von 90 Sekunden zu einem QFP (Quad Flat Package) mit 196 Pins geformt. Das Package wurde visuell auf sein Aussehen untersucht, um festzustellen, ob Harz abblätterte oder Randblasen entstanden. Außerdem wurde das Formstück auf Lüftungsloch-Verstopfung aufgrund von wiederholtem Formen untersucht.
  • Harzablösung (nach folgenden Kriterien bewertet)
    • 5: keine Ablösung
    • 4: Ablösung auf weniger als 2% der Oberfläche
    • 3: Ablösung auf 2 – 5% der Oberfläche
    • 1: Ablösung auf mehr als 5% der Oberfläche
  • Pinholes (nach folgenden Kriterien als Mittel von 10 Proben bewertet)
    • 5: keine Pinholes
    • 4: weniger als 0,8 Pinholes mit einem Durchmesser von weniger als 0,5 mm
    • 3: 0,8–2 Pinholes mit einem Durchmesser von weniger als 0,5 mm
    • 1: mehr als 2 Pinholes mit einem Durchmesser von weniger als 0,5 mm oder mehr als 1 Pinhole mit einem Durchmesser von mehr als 0,5 mm
  • Stufenverschiebung (nach folgenden Kriterien bewertet, basierend auf mikroskopischer Untersuchung des Querschnitts (normal zu Inseloberfläche) eines QFP-Packages mit 160 Pins (mit einer Größe von 28 × 28 × 3,4 mm und einen Chip mit 12 × 12 mm enthaltend), das 5 Stunden lang bei 180°C nachgehärtet wurde:
    • 5: Verschiebung von weniger als 25 μm, wobei die Stufe im Package verbleibt
    • 4: Verschiebung von 25–50 μm, wobei die Stufe im Package verbleibt
    • 3: Verschiebung von mehr als 50 μm, wobei die Stufe im Package verbleibt
    • 1: übermäßige Verschiebung, wobei die Stufe aus der Package-Oberfläche heraustritt
  • Hochtemperatur-Zuverlässigkeit
  • Die Epoxidharzverbindung wurde zu einem DIP (Dual Inline Package) mit 16 Pins geformt, das dann 5 Stunden lang bei 180°C nachgehärtet wurde. Das resultierende Halbleiterbauelement wurde 120 Sekunden lang in ein Lötbad mit 260°C getaucht und dann in Luft mit 190°C stehen gelassen. Der Leiterwiderstand wurde in Abständen von 50 Stunden gemessen, und die Dauer bis der Widerstand das 10fache seines Anfangswerts erreichte wurde als Hochtemperatur-Zuverlässigkeit bezeichnet. Je länger dies dauerte, desto höher die Zuverlässigkeit. Übrigens wurde das Halbleiterbauelement für das Package durch Aluminiumabscheidung (zur Verdrahtung), Nitridpassivierung (mit Ausnahme der Aluminiumeinlage) und Verbindung mit einem Golddraht zwischen der Aluminiumeinlage und dem Innenleiter gebildet.
  • Zuverlässigkeit bei hoher Feuchtigkeit
  • Die Epoxidharzverbindungen wurde zum selben Package geformt wie oben. Nachdem es 120 Sekunden lang in ein Lötbad mit 260°C getaucht worden war, wurde das Package in einer Atmosphäre mit 121°C und 100% r. L. getestet. Messungen wurden in Abständen von 50 Stunden durchgeführt, und die Dauer, bis der Leiter brach, wurde als Zuverlässigkeit bei hoher Feuchtigkeit angesehen. Je länger dies dauerte, desto höher die Zuverlässigkeit.
  • Beständigkeit gegen Löthitze
  • Die Epoxidharzverbindung wurde zu den QFP-Packages mit 100 Pins geformt, worin ein polyimidbeschichteter Siliciumchip an den Die gebunden war. Nach 5-stündiger Nachhärtung bei 175°C wurden die Proben bei 85°C und 85% r. L. unterschiedlich lange (in Intervallen von 12 Stunden) gealtert. Die Proben durchliefen IR-Aufschmelzlöten, wobei die maximale Temperatur 260°C betrug. Die Lötproben wurden auf äußere Brüche untersucht. Die minimale Alterungsdauer der Probe, bis Brüche auftraten, wird als Beständigkeit gegen Löthitze angesehen. Je länger die Alterungsdauer, desto besser die Beständigkeit gegen Löthitze.
  • Figure 00170001
  • Figure 00180001
  • Figure 00190001
  • Figure 00200001
  • Figure 00210001
  • Figure 00220001
  • Beispiele 21 bis 24
  • Dasselbe Verfahren wie in den Beispielen 1 bis 20 wurde wiederholt, mit der Ausnahme, dass das γ-Glycoxyproptytriethoxysilan durch N-(N-Phenylaminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilan ersetzt wurde, bei dem es sich um einen Haftvermittler mit einer sekundären Aminogruppe handelt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 zusammengefasst.
  • Tabelle 5
    Figure 00240001
  • Aus den Tabellen 2, 3 und 5 ist ersichtlich, dass die Epoxidharzverbindungen (in den Beispielen 1 bis 20) der vorliegenden Erfindung gute Formbarkeit aufweisen, ohne dass Probleme wie unvollständige Formfüllung, Harzablösung, Stufenverschiebung und Lüftungslochverstopfung auftreten. Außerdem ergeben sie Halbleiterbauelemente mit besserer Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit sowie guter Beständigkeit gegen Löthitze und Stufenverschiebung. Diese Wirkung ist beachtenswert, vor allem im Falle, bei dem die Verbindung auf Epoxidharz I (oder Epoxid vom Biphenyltyp) basiert oder die Verbindung mehr als 85 Gew.-%, insbesondere mehr als 89 Gew.-% Silica enthält. Die Wirkung wird verstärkt, wenn die Verbindung einen Silan-Haftvermittler mit sekundären Aminogruppen enthält.
  • Außerdem gilt anzumerken, dass die Epoxidharzverbindung geringe Formbarkeit aufweist und keine zuverlässigen Halbleiter-Packages ergibt, wenn sie synthetisches Silica alleine oder natürliches Quarzglas alleine enthält.
  • Aufgrund der oben genannten charakteristischen Eigenschaften ist die Epoxidharzverbindung zur Verwendung als Formmasse für Präzisionsteile geeignet. Außerdem ergibt die Epoxidharzverbindung Halbleiterbauelement mit verbesserter Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit sowie guter Beständigkeit gegen Löthitze.
  • Gewerbliche Anwendbarkeit
  • Die Epoxidharzverbindung der vorliegenden Erfindung findet aufgrund ihrer guten Formbarkeit Verwendung als Formmasse für Präzisionsteile. Außerdem findet sie Verwendung als Versiegelungsmaterial für zuverlässige Halbleiter-Packages.

Claims (19)

  1. Epoxidharzverbindung, umfassend ein Epoxidharz (A), einen Härter (B) und einen anorganischen Füllstoff, dadurch gekennzeichnet, dass der anorganische Füllstoff als wesentliche Komponente Silica (C) enthält, wobei der Härter (B) ein solcher ist, der zumindest zwei phenolische Hydroxylgruppen und/oder naphtholische Hydroxylgruppen pro Molekül enthält und das Silica (C) 5 bis 50 Gew.-% kugelförmiges synthetisches Silica und 95 bis 50 Gew.-% natürliches Quarzglas enthält.
  2. Epoxidharzverbindung nach Anspruch 1, worin der anorganische Füllstoff mehr als 85 Gew.-% der gesamten Menge der Epoxidharzverbindung ausmacht.
  3. Epoxidharzverbindung nach Anspruch 1, worin das Silica (C) mehr als 85 Gew.-% der gesamten Menge der Epoxidharzverbindung ausmacht.
  4. Epoxidharzverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, worin das Epoxidharz (A) als wesentliche Komponente ein durch die folgende Formel (I) dargestelltes Epoxidharz vom Biphenyltyp enthält:
    Figure 00260001
    (worin die R gleich oder unterschiedlich sein können und jedes R für ein Wasserstoffatom oder eine einwertige organische Gruppe, üblicherweise mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, steht).
  5. Epoxidharzverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, worin das Epoxidharz (A) als wesentliche Komponente ein durch die folgende Formel (II) dargestelltes Epoxidharz vom Biphenyltyp enthält:
    Figure 00270001
    (worin die R gleich oder unterschiedlich sein können und jedes R für ein Wasserstoffatom oder eine einwertige organische Gruppe, üblicherweise mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, steht).
  6. Epoxidharzverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, worin das Silica (C) aus 10 bis 50 Gew.-% kugelförmigem synthetischem Silica und 90 bis 50 Gew.-% natürlichem Quarzglas besteht.
  7. Epoxidharzverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, worin das natürliche Quarzglas zerkleinertes Silica in einer Menge von weniger als 30 Gew.-% enthält.
  8. Epoxidharzverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, worin das Silica (C) synthetisches Silica, dessen mittlerer Teilchendurchmesser 0,1 bis 30 μm beträgt, und darüber hinaus natürliches Quarzglas enthält, dessen mittlerer Teilchendurchmesser 1 bis 50 μm beträgt.
  9. Epoxidharzverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, worin das Silica (C) synthetisches Silica, dessen mittlerer Teilchendurchmesser 0,1 bis 3 μm beträgt, und darüber hinaus natürliches Quarzglas enthält, dessen mittlerer Teilchendurchmesser 3 bis 50 μm beträgt.
  10. Epoxidharzverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, die weiters einen Silan-Haftvermittler umfasst, der eine epoxidgruppenhältige organische Gruppe aufweist, die direkt an das Siliciumatom gebunden ist.
  11. Epoxidharzverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, die weiters einen Silan-Haftvermittler umfasst, der eine aminogruppenhältige organische Gruppe aufweist, die direkt an das Siliciumatom gebunden ist.
  12. Epoxidharzverbindung nach Anspruch 11, worin der Silan-Haftvermittler ein solcher ist, bei dem die Aminogruppe eine sekundäre Aminogruppe ist.
  13. Epoxidharzverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, die weiters Halogen und Antimon in einer Menge von weniger als jeweils 0,2 Gew.-% enthält.
  14. Präzisionsteil, das aus der Epoxidharzverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 13 geformt ist.
  15. Verwendung einer Epoxidharzverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 13 zur Versiegelung von Halbleitern.
  16. Halbleiterbauelement, umfassend ein Halbleiterelement, das mit einer Epoxidharzverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 13 versiegelt ist.
  17. Verfahren zur Herstellung einer Epoxidharzverbindung zur Versiegelung von Halbleitern, wobei das Verfahren einen ersten Schritt des Einschmelzens einer Substanz, die hauptsächlich aus natürlich vorkommendem SiO2 besteht, um natürliches Quarzglas zu erhalten, einem zweiten Schritt (entweder vor oder nach dem ersten Schritt) der Durchführung einer chemischen Umsetzung auf einer siliciumhältigen Substanz, die nicht hauptsächlich aus SiO2 besteht, um kugelförmiges synthetisches Silica zu erhalten, das hauptsächlich aus SiO2 besteht, und einen dritten Schritt des Zusammenmischens eines Epoxidharzes (A), eines Härters (B), der zumindest zwei phenolische Hydroxylgruppen und/oder naphtholische Hydroxylgruppen pro Molekül enthält, des im zweiten Schritt erhaltenen kugelförmigen synthetischen Silicas (5 bis 50 Gew.-% der gesamten Menge Silica) und des im ersten Schritt erhaltenen natürlichen Quarzglases (95 bis 50 Gew.-% der gesamten Menge Silica) umfasst.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, worin das Epoxidharz (A) Epoxid vom Biphenyltyp als wesentliche Komponente enthält und der Silicagehalt mehr als 85 Gew.-% der gesamten Menge der Harzverbindung beträgt.
  19. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren einen ersten Schritt der Herstellung einer Epoxidharzverbindung durch ein in Anspruch 17 oder 18 definiertes Verfahren und einen zweiten Schritt des Versiegelns eines Halbleiterelements mit der Epoxidharzverbindung durch Spritzpressen umfasst.
DE1995633393 1995-01-05 1995-12-27 Epoxyharzzusammensetzung Expired - Fee Related DE69533393T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16395 1995-01-05
JP16395 1995-01-05
PCT/JP1995/002742 WO1996020969A1 (en) 1995-01-05 1995-12-27 Epoxy resin composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69533393D1 DE69533393D1 (de) 2004-09-23
DE69533393T2 true DE69533393T2 (de) 2005-09-01

Family

ID=29267241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1995633393 Expired - Fee Related DE69533393T2 (de) 1995-01-05 1995-12-27 Epoxyharzzusammensetzung

Country Status (8)

Country Link
US (2) US5798400A (de)
EP (1) EP0749996B1 (de)
KR (1) KR100223947B1 (de)
CN (2) CN1083851C (de)
AU (1) AU4356196A (de)
CA (1) CA2184735A1 (de)
DE (1) DE69533393T2 (de)
WO (1) WO1996020969A1 (de)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100440599B1 (ko) * 1995-12-30 2004-10-28 고려화학 주식회사 반도체소자밀봉용수지조성물 및 이의 제조방법
JPH10176036A (ja) * 1996-12-19 1998-06-30 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH10195179A (ja) * 1997-01-08 1998-07-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
SG63803A1 (en) 1997-01-23 1999-03-30 Toray Industries Epoxy-resin composition to seal semiconductors and resin-sealed semiconductor device
US6297332B1 (en) * 1998-04-28 2001-10-02 Mitsui Chemicals, Inc. Epoxy-resin composition and use thereof
JP4004160B2 (ja) 1998-09-21 2007-11-07 協和化学工業株式会社 ウラン（ｕ）含量の少ないハイドロタルサイト類化合物およびその製造法
JP3349963B2 (ja) * 1998-10-21 2002-11-25 日本電気株式会社 難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2000332165A (ja) * 1999-05-17 2000-11-30 Toray Ind Inc 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
KR100706675B1 (ko) * 1999-08-06 2007-04-11 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 에폭시계수지 조성물 및 반도체장치
EP1788016A1 (de) * 1999-11-12 2007-05-23 General Electric Company Strahlenhärtbare Siliconzusammensetzungen
US6882058B2 (en) * 2002-11-05 2005-04-19 Henkel Corporation Organic acid containing compositions and methods for use thereof
GB0314372D0 (en) * 2003-06-20 2003-07-23 Dana Corp Bearings
JP4421972B2 (ja) * 2004-04-30 2010-02-24 日東電工株式会社 半導体装置の製法
JP5396687B2 (ja) * 2005-01-13 2014-01-22 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置
US20060241215A1 (en) * 2005-04-25 2006-10-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
JP4844725B2 (ja) * 2005-04-25 2011-12-28 信越化学工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US8048969B2 (en) * 2005-04-25 2011-11-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
JP4890804B2 (ja) * 2005-07-19 2012-03-07 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2007015591A1 (en) * 2005-08-02 2007-02-08 Cheil Industries Inc. Epoxy resin composition for packaging semiconductor device
CN101356007A (zh) * 2006-01-06 2009-01-28 东亚合成株式会社 硫酸根离子无机捕捉剂、无机捕捉组合物及使用其的电子部件密封用树脂组合物、电子部件密封材、电子部件、清漆、粘接剂、糊与制品
EP2070963B1 (de) * 2006-09-14 2013-04-03 Panasonic Corporation Epoxidharzzusammensetzung für leiterplatte, harzzusammensetzungslack, prepreg, metallumhülltes laminat, leiterplatte und mehrschichtige leiterplatte
TW200837137A (en) 2007-01-26 2008-09-16 Hitachi Chemical Co Ltd Sealing film and semiconductor device using the same
JP2008192978A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
CN101575478B (zh) * 2008-05-05 2011-06-22 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种环氧树脂超疏水涂层的制备方法
KR20110086805A (ko) * 2008-11-07 2011-08-01 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 접착 필름 및 수광 장치
KR101326960B1 (ko) 2011-05-20 2013-11-13 엘지이노텍 주식회사 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 방열회로기판
KR101326934B1 (ko) 2011-08-31 2013-11-11 엘지이노텍 주식회사 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 방열회로기판
CN103709895B (zh) * 2013-12-05 2016-08-17 江苏金波新材料科技有限公司 一种用于管材的防腐涂料
CN113185804A (zh) * 2020-01-14 2021-07-30 广东生益科技股份有限公司 一种树脂组合物、包含其的粘结片及其应用
US20240392143A1 (en) * 2021-09-09 2024-11-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Conductive compounds to encapsulate fluidic dies

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5773955A (en) * 1980-10-27 1982-05-08 Nec Corp Resin sealed type semiconductor device
JPS58151318A (ja) * 1982-02-26 1983-09-08 Shin Etsu Chem Co Ltd 合成シリカおよびこれを含有してなる電子部品封止用樹脂組成物
US4383060A (en) * 1982-06-01 1983-05-10 General Motors Corporation Epoxy adhesive for structurally bonding molded SMC
JPS6197322A (ja) * 1984-10-19 1986-05-15 Denki Kagaku Kogyo Kk エポキシ樹脂組成物
JPS61268750A (ja) * 1985-05-22 1986-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS62132944A (ja) * 1985-12-05 1987-06-16 Toshiba Ceramics Co Ltd 超ｌｓｉメモリ封止樹脂用石英ガラス充填剤
JPS62151557A (ja) * 1985-12-25 1987-07-06 Nisshin Steel Co Ltd 蒸着メツキの蒸着制御方法
JPS62151447A (ja) * 1985-12-26 1987-07-06 Hitachi Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
US4968538A (en) * 1987-01-14 1990-11-06 Freecom, Inc. Abrasion resistant coating and method of application
US5157061A (en) * 1988-04-05 1992-10-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Epoxy resin containing an epoxy resin-modified silicone oil flexibilizer
JPH0675384B2 (ja) * 1989-06-26 1994-09-21 浜松ホトニクス株式会社 半導体光電面構造
JPH082938B2 (ja) * 1989-09-11 1996-01-17 信越化学工業株式会社 熱硬化性樹脂組成物
JPH0733429B2 (ja) * 1990-04-04 1995-04-12 東レ株式会社 エポキシ樹脂組成物
KR950011902B1 (ko) * 1990-04-04 1995-10-12 도오레 가부시끼가이샤 반도체 장치 캡슐 봉입 에폭시 수지 조성물
JPH0778108B2 (ja) * 1990-06-18 1995-08-23 東レ株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH0463846A (ja) * 1990-07-03 1992-02-28 Nippon Chem Ind Co Ltd シリカフィラーおよびその製造方法
JP2501143B2 (ja) * 1991-04-26 1996-05-29 東レ株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3018585B2 (ja) * 1991-06-19 2000-03-13 東レ株式会社 エポキシ樹脂組成物
JP2595854B2 (ja) * 1991-12-02 1997-04-02 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JPH05160302A (ja) * 1991-12-04 1993-06-25 Nippon Steel Chem Co Ltd 半導体封止用樹脂組成物
EP0589143B1 (de) * 1992-09-21 1997-01-15 Sumitomo Bakelite Company Limited Epoxidharzzusammensetzung auf Basis des Diglycidylethers von Biphenyldiol

Also Published As

Publication number Publication date
CA2184735A1 (en) 1996-07-11
DE69533393D1 (de) 2004-09-23
AU4356196A (en) 1996-07-24
KR970701742A (ko) 1997-04-12
EP0749996A4 (de) 2000-05-03
CN1318571A (zh) 2001-10-24
US5798400A (en) 1998-08-25
WO1996020969A1 (en) 1996-07-11
CN1143377A (zh) 1997-02-19
CN1083851C (zh) 2002-05-01
KR100223947B1 (ko) 1999-10-15
EP0749996B1 (de) 2004-08-18
US5985455A (en) 1999-11-16
EP0749996A1 (de) 1996-12-27
CN1207319C (zh) 2005-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69533393T2 (de) Epoxyharzzusammensetzung
DE3889950T2 (de) Epoxyharzzusammensetzung.
DE3689022T2 (de) Epoxyharzzusammensetzung.
DE4006153C2 (de) Epoxidharzmassen und deren Verwendung zum Einkapseln von Halbleiterbauelementen
DE69915161T2 (de) Flammhemmende Epoxidharzmischung zur Halbleitereinkapselung
DE3884648T2 (de) Epoxyharz-Zusammensetzung und eine harzumhüllte Halbleiteranordnung.
DE69501771T2 (de) Epoxidharzformmasse zur Einkapselung elektronischer Bauelemente und eingekapselte Halbleiteranordnung unter Verwendung dieser Formmasse
DE602004007892T2 (de) Quaternäre organophosphoniumsalze enthaltende formmassen
DE4216680C2 (de) Epoxidharzmasse und deren Verwendung zur Einkapselung von Halbleiter-Bauteilen
DE60306554T2 (de) Flammhemmende formbare zusammensetzungen
DE68928583T2 (de) Epoxydharzzusammensetzung für die Versiegelung von Halbleitern
DE19523897C2 (de) Verwendung von Silicon-modifizierten Epoxidharzen als Vergußmassen für elektrotechnische oder elektronische Bauteile
DE69934153T2 (de) Verfahren zur Montage von Flip-Chip-Halbleiterbauelementen
DE69609557T2 (de) Epoxyharzmassen zur Einkapselung von Halbleitern, deren Herstellung und Verwendung, sowie damit eingekapselte Halbleiterbauteile
DE2916954C2 (de) Kunstharzmasse zur dichten Umhüllung eines Halbleiterelements
DE69922868T2 (de) Epoxidharzzusammensetzungen zur Einkapselung von Halbleitern und damit eingekapselte Halbleiterbauteile
DE4003842A1 (de) Epoxidharzmassen zum einkapseln von halbleitern
DE19918580A1 (de) Expoxyharz-Zusammensetzung zum Versiegeln eines Photohalbleiterelements und die dabei erhaltene Photohalbleitereinrichtung
DE69838610T2 (de) Halbleiter-dichtharzzusammensetzung, damit versiegelte halbleiteranordnung, und verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung.
JPS6360543B2 (de)
DE69610690T2 (de) Epoxidharzzusammensetzung
DE4210127C2 (de) Epoxyharzzusammensetzung und gehärtetes Produkt hiervon
DE69032151T2 (de) Epoxydharzzusammensetzungen für die Versiegelung von Halbleitern
DE3921985A1 (de) Epoxidharzmasse und deren verwendung zum einkapseln von halbleiterbauteilen
DE4307743C2 (de) Harzgekapselte Halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee