JPS58151318A - 合成シリカおよびこれを含有してなる電子部品封止用樹脂組成物 - Google Patents
合成シリカおよびこれを含有してなる電子部品封止用樹脂組成物Info
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Landscapes
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は合成シリカ、特(:は電子部品封止用樹脂組成
物の充填剤として好適とされる合成シリカ、およびこれ
を含有してなる電子部品封止用樹脂組成物l二関するも
のである。
物の充填剤として好適とされる合成シリカ、およびこれ
を含有してなる電子部品封止用樹脂組成物l二関するも
のである。
電子部品は一般5二これをその外部環境から保護よび生
産性の面から合成樹脂組成物C;よるものが汎用されて
いる。この合成樹脂組成物は有機樹脂とりリカを主体と
する無?!I質充填剤とから構成されているが、この組
成物(一ついてはこれをできるだけ膨張係数が小さく、
良熱伝導性、低透湿性で機械的特性にもすぐれたものと
し、しかも低コストのものとするということ力1ら、こ
の無機質充填剤をその成形性の許す限りできるだけ多量
に配合することが有利とされている。そして、これには
りリカ系充填剤が鏝も好ましいものとされ、はとんどの
樹脂封止材料(:これが利用されている。このVリカ系
充填剤には結晶タイプおよび非結晶タイプのものがあり
、これらは各々一長一短があり目的、用途≦;応じて使
いわけられている。
産性の面から合成樹脂組成物C;よるものが汎用されて
いる。この合成樹脂組成物は有機樹脂とりリカを主体と
する無?!I質充填剤とから構成されているが、この組
成物(一ついてはこれをできるだけ膨張係数が小さく、
良熱伝導性、低透湿性で機械的特性にもすぐれたものと
し、しかも低コストのものとするということ力1ら、こ
の無機質充填剤をその成形性の許す限りできるだけ多量
に配合することが有利とされている。そして、これには
りリカ系充填剤が鏝も好ましいものとされ、はとんどの
樹脂封止材料(:これが利用されている。このVリカ系
充填剤には結晶タイプおよび非結晶タイプのものがあり
、これらは各々一長一短があり目的、用途≦;応じて使
いわけられている。
他方、シリカ充填剤シ一ついては、上記した多量配合と
いう見地から平均粒子径の比較的太さい、例えば平均粒
子径が1〜100μ諺というシリカを使用するというこ
とから、これ書−は天然の鉱石を精製することなく粉に
たもの、あるいは天然の鉱石を水洗しフッ酸処理してか
ら1000〜1800℃で焼結または溶融したのち、粉
砕して得られる石英粉が使用されている。
いう見地から平均粒子径の比較的太さい、例えば平均粒
子径が1〜100μ諺というシリカを使用するというこ
とから、これ書−は天然の鉱石を精製することなく粉に
たもの、あるいは天然の鉱石を水洗しフッ酸処理してか
ら1000〜1800℃で焼結または溶融したのち、粉
砕して得られる石英粉が使用されている。
他方、この檀の樹脂組成物で封止された記憶素子につい
ては、技術の進歩と共C;その集積化が進み、現在はす
でにLSI、VL8Iと呼ばれる高集積化されたものに
ナってきているが、この高集積化電子部品を樹脂封止し
たもの(二ついてはこの樹脂組成物を構成するりリカ充
填剤中C:徽量含まれているウラン、トリウムなどの放
射性元素から放出されるα線(=よって、この記憶素子
が誤動作を起すという問題が生じ、これが近年開発され
た64 kbit グイf iッ’) MO8RA
M 17)設計等(:も大きな影響を与えているため、
この解決が望まれている。そのため、この対策として記
憶素子の表面(=あらかじめポリイミド樹脂%シリコー
ン樹脂などを塗布してこの素子をα線の照射から保護す
るという方法も提案されているが、この方法にはこれら
の樹脂な記憶素子の表面に一定の厚さ、一定の面積(:
塗布することが難しく、これg;はまた記憶素子とこれ
らの樹脂および前記した封止用樹脂組成物の膨張係数の
差からトラブルが発生し易いという性能面での不安があ
り、さらにはこの樹脂塗布という工程の付1に伴なう煩
雑さもあって、生産効率、経済性の面から有利なもので
はないとされている。
ては、技術の進歩と共C;その集積化が進み、現在はす
でにLSI、VL8Iと呼ばれる高集積化されたものに
ナってきているが、この高集積化電子部品を樹脂封止し
たもの(二ついてはこの樹脂組成物を構成するりリカ充
填剤中C:徽量含まれているウラン、トリウムなどの放
射性元素から放出されるα線(=よって、この記憶素子
が誤動作を起すという問題が生じ、これが近年開発され
た64 kbit グイf iッ’) MO8RA
M 17)設計等(:も大きな影響を与えているため、
この解決が望まれている。そのため、この対策として記
憶素子の表面(=あらかじめポリイミド樹脂%シリコー
ン樹脂などを塗布してこの素子をα線の照射から保護す
るという方法も提案されているが、この方法にはこれら
の樹脂な記憶素子の表面に一定の厚さ、一定の面積(:
塗布することが難しく、これg;はまた記憶素子とこれ
らの樹脂および前記した封止用樹脂組成物の膨張係数の
差からトラブルが発生し易いという性能面での不安があ
り、さらにはこの樹脂塗布という工程の付1に伴なう煩
雑さもあって、生産効率、経済性の面から有利なもので
はないとされている。
したがって、この記憶素子封止用樹脂組成物(二側用す
るシリカ充填剤を現在市販されている各種の合成シリカ
、例えば四塩化けい素を高温(1850〜2000°F
)でH,、O,Cよって火炎加水分解して作った乾式シ
リカ、水和けい酸ソーダを塩酸で中和するか、水和けい
酸ソーダな峻で中和して得られる沈でんシリカ、アルコ
ール共存下で中和して得られるシリカエーロゲルなどを
使用することも検討されたが、これらはいずれもその平
均粒子径が簿μオーダーの微粒子で比表面積(BET法
)も50tf/j以上であり、これはまたその内外表面
に多数のりラノール基をもつものであるため、これは放
射性元素を含まないようC二高純度化することができた
としても、これを有機樹脂C:大量(=充填することが
できず、したがって電子部品封止用樹脂組成物に利用す
ることができないということが確認されている。
るシリカ充填剤を現在市販されている各種の合成シリカ
、例えば四塩化けい素を高温(1850〜2000°F
)でH,、O,Cよって火炎加水分解して作った乾式シ
リカ、水和けい酸ソーダを塩酸で中和するか、水和けい
酸ソーダな峻で中和して得られる沈でんシリカ、アルコ
ール共存下で中和して得られるシリカエーロゲルなどを
使用することも検討されたが、これらはいずれもその平
均粒子径が簿μオーダーの微粒子で比表面積(BET法
)も50tf/j以上であり、これはまたその内外表面
に多数のりラノール基をもつものであるため、これは放
射性元素を含まないようC二高純度化することができた
としても、これを有機樹脂C:大量(=充填することが
できず、したがって電子部品封止用樹脂組成物に利用す
ることができないということが確認されている。
さら(:水和けい酸ソーダを始発原料とするvリカC二
あっては残存するアルカリイオンを完全(=除去するこ
とが不可能に近く上記したような目的1;は純度的(二
も不適当である。
あっては残存するアルカリイオンを完全(=除去するこ
とが不可能に近く上記したような目的1;は純度的(二
も不適当である。
即ち、電子部品封止用C:好適とされる高充填可能な高
純度シリカは現在のところ存在せず入手が不可能とされ
ている。
純度シリカは現在のところ存在せず入手が不可能とされ
ている。
本発明はこれらの不利を解決することのできる電子部品
封止用樹脂組成物として使用することのできる合成シリ
カとこれを含有してなる電子部品封止用樹脂41成物i
二関するものであり、これは蒸留精製した加水分解し得
る基を有するシラン及びその誘導体であるポリシロキチ
ン、(ポリ)シラザンを加水分解して得たポリシロキサ
ンを乾燥および/または加熱酸化してなる合成りリカC
二関するI81発明と、熱硬化性樹脂または熱iT!!
l性樹脂1oo*:tg+=この第1発明の合成シリカ
を50〜800電竜部添加してなる電子部品封止用樹脂
組成物t:関する第2発明とよりなるものである。
封止用樹脂組成物として使用することのできる合成シリ
カとこれを含有してなる電子部品封止用樹脂41成物i
二関するものであり、これは蒸留精製した加水分解し得
る基を有するシラン及びその誘導体であるポリシロキチ
ン、(ポリ)シラザンを加水分解して得たポリシロキサ
ンを乾燥および/または加熱酸化してなる合成りリカC
二関するI81発明と、熱硬化性樹脂または熱iT!!
l性樹脂1oo*:tg+=この第1発明の合成シリカ
を50〜800電竜部添加してなる電子部品封止用樹脂
組成物t:関する第2発明とよりなるものである。
これを悦明すると、本発明者らは前記したα線の放出(
=よるソフトエラーと呼ばれている記憶素子の誤動作対
策(二ついて種々検討の結果、これ≦;ついては1京料
として蒸留などの化学工学的手段で容易に、かつ充分に
精製することのできる前述したような種類のけい素化合
物を使用すればこれから得られる合成びりカをウラン、
トリウムなどの放射性元素をほとんど含まないものとす
ることができるという点に注目し、このけい素化合物か
らの合成シリカの製!+二ついてさらに検討を電ね。
=よるソフトエラーと呼ばれている記憶素子の誤動作対
策(二ついて種々検討の結果、これ≦;ついては1京料
として蒸留などの化学工学的手段で容易に、かつ充分に
精製することのできる前述したような種類のけい素化合
物を使用すればこれから得られる合成びりカをウラン、
トリウムなどの放射性元素をほとんど含まないものとす
ることができるという点に注目し、このけい素化合物か
らの合成シリカの製!+二ついてさらに検討を電ね。
これC:は蒸留撹裂したけい素化合物を1水分解してポ
リシロキチンとし、これを熱51!&理すればよいこと
を見出して本発明を完成させた。
リシロキチンとし、これを熱51!&理すればよいこと
を見出して本発明を完成させた。
本発明の第1発明の合成シリカを作るための始発材料と
されるけい素化合物はその分子中に加水分解し得る基を
有するシラン及びその誘導体であるポリシロキサン、(
ポリ)シラザンであって。
されるけい素化合物はその分子中に加水分解し得る基を
有するシラン及びその誘導体であるポリシロキサン、(
ポリ)シラザンであって。
この加水分解し得る基としてはへロゲン原子、アルコキ
シ基、アルケニルオキシ基、アルコキシ基などが代表例
とされるがこれらC:限定されるものではない。
シ基、アルケニルオキシ基、アルコキシ基などが代表例
とされるがこれらC:限定されるものではない。
このシランとしては例えば式uJs1x4−. (ここ
CRは水素原子または一価炭化水素基、Xは加水分解性
を有する原子もしくは基、jは0〜3)で示されるもの
を挙げることがでさ、具体的にはテトラクロロシラン(
810j4) 、 )リクロ口νラン(asiol、
)%ジグロロVラン(H!8101. )、メチルト
リクロロシラン(OH,810j、 )% ジメチルジ
クロC7f/うy [(oH,>、 51oi、 )、
ドリメチャグロ口νラン((OH−,8101)、メチ
ルジクロaシラン(ollsslaoj、 )、フェニ
ルトリクロロシラン(0,if、81(M、 )、ジフ
ェニルジグロ口νラン((0,H,)、810j、 )
、フェニルジクロロシラン(0,H,81HOj、)、
テトラエトキシシラン(81(0OHs )4 ) 、
メチルトリメトキシシラン〔0馬5itoaas)、)
、ジメチルジメトキシシラン((OH,481(OOH
,) 、)、テトラエトキシシラン(81(00,H,
J、]、フェニルトツメトキシνラン(o、a、5t(
oaa、)、)、ジメチルジェトキシシラン((OHs
) x81 (OO*Hs )g )、 ジフェニル
ジェトキvvラン((0,H,)、 81(00,H,
)、)などが例示され、これはその一種または二種以上
の混合物として使用することができる。
CRは水素原子または一価炭化水素基、Xは加水分解性
を有する原子もしくは基、jは0〜3)で示されるもの
を挙げることがでさ、具体的にはテトラクロロシラン(
810j4) 、 )リクロ口νラン(asiol、
)%ジグロロVラン(H!8101. )、メチルト
リクロロシラン(OH,810j、 )% ジメチルジ
クロC7f/うy [(oH,>、 51oi、 )、
ドリメチャグロ口νラン((OH−,8101)、メチ
ルジクロaシラン(ollsslaoj、 )、フェニ
ルトリクロロシラン(0,if、81(M、 )、ジフ
ェニルジグロ口νラン((0,H,)、810j、 )
、フェニルジクロロシラン(0,H,81HOj、)、
テトラエトキシシラン(81(0OHs )4 ) 、
メチルトリメトキシシラン〔0馬5itoaas)、)
、ジメチルジメトキシシラン((OH,481(OOH
,) 、)、テトラエトキシシラン(81(00,H,
J、]、フェニルトツメトキシνラン(o、a、5t(
oaa、)、)、ジメチルジェトキシシラン((OHs
) x81 (OO*Hs )g )、 ジフェニル
ジェトキvvラン((0,H,)、 81(00,H,
)、)などが例示され、これはその一種または二種以上
の混合物として使用することができる。
さら(二鎖シランの誘導体であるポリシロキチンとして
は、平均組成式 %式% (ここCR’は水素原子、−価炭化水素基または加水分
解し得る幕、nは1.2〜2−3)で示されるものをあ
げることかでさ、このポリシロキサンC二ついては骨格
の構造、重合度等C:とく?=制限はなく。
は、平均組成式 %式% (ここCR’は水素原子、−価炭化水素基または加水分
解し得る幕、nは1.2〜2−3)で示されるものをあ
げることかでさ、このポリシロキサンC二ついては骨格
の構造、重合度等C:とく?=制限はなく。
オイル状、ゴム状あるいはワニス状のいずれであっても
よい。
よい。
このようなポリシロキサンとしては例えば式(OH,8
10: )n(ここCnは任意の数)で示され末端基が
メトキシ基であるポリシロキチンをはじめとじ種々のも
のを対象とすることができる。
10: )n(ここCnは任意の数)で示され末端基が
メトキシ基であるポリシロキチンをはじめとじ種々のも
のを対象とすることができる。
また、(水9)シラずンは1式
(ここにRは水素原子、−価炭化水素基または加水分解
し得る基、mはOまたは正の整数)で示され、分子中C
;加水分解し得る基を1個以上有するものであることが
必須とされる。
し得る基、mはOまたは正の整数)で示され、分子中C
;加水分解し得る基を1個以上有するものであることが
必須とされる。
このようなポリシラザンは従来公知の方法(二より合成
することができ、具体的I:は (OH3八81NH81(OH,)、、(OH,)、
81N (OA)81(OH,)、 。
することができ、具体的I:は (OH3八81NH81(OH,)、、(OH,)、
81N (OA)81(OH,)、 。
(OH,)、 SiN’H((OH,)、 81NH)
81 (OH,)。
81 (OH,)。
等をあげることができる。
前記したりランは通常の方法、例えば酸性水溶液または
アルカリ性水溶液中での加水分解によって381−0−
816 で示されるシロキサン構造体となり、このもの
は縮合によりポリシロキチンとなるが、このものは粉砕
および/または分散することC:よって各種の粒度分布
をもつものとすることができる。この場合、粒度の大き
なポリシロキチン粉末を得るには上記したシランを部分
的5二加水分解し、縮合させながら重合度を上げていく
方法。
アルカリ性水溶液中での加水分解によって381−0−
816 で示されるシロキサン構造体となり、このもの
は縮合によりポリシロキチンとなるが、このものは粉砕
および/または分散することC:よって各種の粒度分布
をもつものとすることができる。この場合、粒度の大き
なポリシロキチン粉末を得るには上記したシランを部分
的5二加水分解し、縮合させながら重合度を上げていく
方法。
あるいは親水性溶媒の共存下で加水分解を行なわせれば
よいが、この粒径は加水分解条件1例えば加水分解温度
、加水分解に使用する水の酸性度または塩基度、攪拌の
強さなど(:よって変えることもできる。一般にこのボ
ッシロキチンの粒径は加水分解温度の高いほど、また攪
拌強度の大きいほど小さくなるが、本発明を実施する場
合の1水分解温度としては一10℃以下では速度がおそ
く、100℃以上では沸点の低いけい素化合物を用いた
場合(−気相で加水分解するものがあって得られるポリ
シロキチンの粒径が細かいもの(二なるため、これは−
10℃〜100℃の範囲、好ましくは20〜80℃の範
囲とされる。
よいが、この粒径は加水分解条件1例えば加水分解温度
、加水分解に使用する水の酸性度または塩基度、攪拌の
強さなど(:よって変えることもできる。一般にこのボ
ッシロキチンの粒径は加水分解温度の高いほど、また攪
拌強度の大きいほど小さくなるが、本発明を実施する場
合の1水分解温度としては一10℃以下では速度がおそ
く、100℃以上では沸点の低いけい素化合物を用いた
場合(−気相で加水分解するものがあって得られるポリ
シロキチンの粒径が細かいもの(二なるため、これは−
10℃〜100℃の範囲、好ましくは20〜80℃の範
囲とされる。
この加水分解C二よって得られたポリシロキチンは乾燥
および/または加熱酸化したのち粉砕または分級するこ
とC:よって粉末状合成りリカとして取得されるが、こ
のりフンとしてam基をもつオルガノシランを使用した
場合にはボッシロキチンがオルガノボリシaキチンとな
るので、これは加熱してその仔機基を酸化切断して峡終
的I:は傅礪基を全く含まないシリカとすることが−ま
しいがこれはその加熱酸化を部分的に行なって有機基を
含んだものとしてもよい。このシランの内有用な始発原
料の一つとされるOH,810j、 は現在のシリコ
ーン工業(;おいて比較的利用度の乏しいものであり、
その有効利用として好適である。該シランにおけるOI
は加水分解C:よってHOJとして回収され、生成した
ゲル状物は洗浄C二よりOj 分が低減されるが、さら
(二数100℃以上の高温で長時間熱分解してメチル基
ととも(=容易C二酸化除去される。
および/または加熱酸化したのち粉砕または分級するこ
とC:よって粉末状合成りリカとして取得されるが、こ
のりフンとしてam基をもつオルガノシランを使用した
場合にはボッシロキチンがオルガノボリシaキチンとな
るので、これは加熱してその仔機基を酸化切断して峡終
的I:は傅礪基を全く含まないシリカとすることが−ま
しいがこれはその加熱酸化を部分的に行なって有機基を
含んだものとしてもよい。このシランの内有用な始発原
料の一つとされるOH,810j、 は現在のシリコ
ーン工業(;おいて比較的利用度の乏しいものであり、
その有効利用として好適である。該シランにおけるOI
は加水分解C:よってHOJとして回収され、生成した
ゲル状物は洗浄C二よりOj 分が低減されるが、さら
(二数100℃以上の高温で長時間熱分解してメチル基
ととも(=容易C二酸化除去される。
また%OH,5iOj、をアルコキシ化しく例えばOH
,81(OOH,−)、 01分を除去したのち加水分
解してゲル化させ、洗浄後乾燥してもよく、この場合(
−はメチル基を残存させて疎水性合成りリカとして利用
に供することちり能である。
,81(OOH,−)、 01分を除去したのち加水分
解してゲル化させ、洗浄後乾燥してもよく、この場合(
−はメチル基を残存させて疎水性合成りリカとして利用
に供することちり能である。
さらi二、本発明CSいては、あらかじめ溶剤可溶性の
ボッシロキチン、(ポリ)Vラデンを合成し、これを加
水分解してゲル化させ、ついで前記と同様の方法により
乾燥、加熱酸化することC:よっても合成シリカを取得
することができる。
ボッシロキチン、(ポリ)Vラデンを合成し、これを加
水分解してゲル化させ、ついで前記と同様の方法により
乾燥、加熱酸化することC:よっても合成シリカを取得
することができる。
このようCニジて得られる合e、i/9力はその原料が
蒸留砿:よって充分精製されているので、このウラン、
トリウムなどの放射性元素の含有量が10ppb以下、
特には痕跡程度にまで低下されており、これはまたこれ
を充填剤として作成した樹脂組成物の耐湿性の劣下、ア
ルミニウム腐食性の原因となるアルカリ金員イオン、例
えばNa、になどの含有量がきわめて低く、これは特C
二前記した電子部品封止用樹脂組成物を構成する充填剤
として好適とされる。
蒸留砿:よって充分精製されているので、このウラン、
トリウムなどの放射性元素の含有量が10ppb以下、
特には痕跡程度にまで低下されており、これはまたこれ
を充填剤として作成した樹脂組成物の耐湿性の劣下、ア
ルミニウム腐食性の原因となるアルカリ金員イオン、例
えばNa、になどの含有量がきわめて低く、これは特C
二前記した電子部品封止用樹脂組成物を構成する充填剤
として好適とされる。
前記した方法(:おいてはその条件を適宜選択すること
により全く粉砕することがなくそのまま封止用樹脂組成
物に応用することができる粒径を有するものがでさ、し
たがって粉砕工程を必要とする場合の工程中CVM力が
汚染されたり、純度的にも必ずしも有利でないというよ
うな不利は何らない。
により全く粉砕することがなくそのまま封止用樹脂組成
物に応用することができる粒径を有するものがでさ、し
たがって粉砕工程を必要とする場合の工程中CVM力が
汚染されたり、純度的にも必ずしも有利でないというよ
うな不利は何らない。
なS、この用途ζ二側用する場合、この合成シリカの平
均粒径はそれが0.5μ罵以下ではこの樹脂組成物の流
動性、成形性がわるくなり、100/II賜以上では成
形時に寞ける成形機のゲートづまりなどが生じるおそれ
があるので、これは0.5〜100μ馬の範囲とするこ
とがよい。
均粒径はそれが0.5μ罵以下ではこの樹脂組成物の流
動性、成形性がわるくなり、100/II賜以上では成
形時に寞ける成形機のゲートづまりなどが生じるおそれ
があるので、これは0.5〜100μ馬の範囲とするこ
とがよい。
本発明における第2発明としての電子部品封止物
吊橋nui7、この合成シリカを熱硬化性樹脂または熱
可塑性樹脂(−配合することによって得られるが、この
樹脂としては従来電子部品封止用として使用されている
ものでよく、これC:は例えばエポキシ樹脂%シリコー
ンfi1指、エポキシ″″リリコーン樹脂、ポリイミド
樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンチルファイド
樹脂などの熱可塑性樹脂があげられる。
可塑性樹脂(−配合することによって得られるが、この
樹脂としては従来電子部品封止用として使用されている
ものでよく、これC:は例えばエポキシ樹脂%シリコー
ンfi1指、エポキシ″″リリコーン樹脂、ポリイミド
樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンチルファイド
樹脂などの熱可塑性樹脂があげられる。
このシリコーン樹脂は例えば式R81X、 (ここCR
%又は前記に同じ、TJI位構成成介と式R,8iX、
(R,Xは前記(二同じ、DI7II−位構成成分)
で示されるオルガノシランを主体とするVラン混合41
ヲ)ルエン、キシレン、アルコールアルいはア七トン等
の有機溶剤との共存下で共加水分解するという常法によ
って合成することができる。
%又は前記に同じ、TJI位構成成介と式R,8iX、
(R,Xは前記(二同じ、DI7II−位構成成分)
で示されるオルガノシランを主体とするVラン混合41
ヲ)ルエン、キシレン、アルコールアルいはア七トン等
の有機溶剤との共存下で共加水分解するという常法によ
って合成することができる。
もちろん必要(:応じてTあるいはD構造を有するもの
であっても例え)z%’5toJs%O6H,8101
゜とか(0,H,)、 810j、、(OH,)、 8
10J、、OH,を−,810j。
であっても例え)z%’5toJs%O6H,8101
゜とか(0,H,)、 810j、、(OH,)、 8
10J、、OH,を−,810j。
等のようC2檀以上のりランを併用することもあり得る
。一般に本発明にgいてはT単位が70%以上で官能基
(28i−OH)の多い樹脂が好適である。
。一般に本発明にgいてはT単位が70%以上で官能基
(28i−OH)の多い樹脂が好適である。
また、このシリコーン樹脂−二は、可撓性付与剤として
、÷TxDy鱈で示されるT単位ブロックとD単位ブロ
ックとからなるマルチブロックポリマーが添加される場
合もある。
、÷TxDy鱈で示されるT単位ブロックとD単位ブロ
ックとからなるマルチブロックポリマーが添加される場
合もある。
該シリコーン樹脂の硬化は例えば特公昭43−3020
号(二開示されているようC二鉛化合物にょろりラノー
ル基の縮合反応を利用したり、あるいは前記した樹脂中
の有機基の一部C:ビニル基等の不飽和基と水素原子を
導入し、pt、pt化合物等の付加反応触媒を使用し付
卯反応を利用する方法等(=より行なわれ、さらにシリ
コーン樹脂とエポキシ樹脂の混合樹脂5:あっては、特
開昭51−118728号1:@示されているようなA
j触媒によって硬化を行なう方法も採用可能である。
号(二開示されているようC二鉛化合物にょろりラノー
ル基の縮合反応を利用したり、あるいは前記した樹脂中
の有機基の一部C:ビニル基等の不飽和基と水素原子を
導入し、pt、pt化合物等の付加反応触媒を使用し付
卯反応を利用する方法等(=より行なわれ、さらにシリ
コーン樹脂とエポキシ樹脂の混合樹脂5:あっては、特
開昭51−118728号1:@示されているようなA
j触媒によって硬化を行なう方法も採用可能である。
また、このエポキシ樹脂はその1分子中に少なくとも2
個のヱボキシ基を有するものが使用され。
個のヱボキシ基を有するものが使用され。
これにはエピクロルヒドリンとビスフェノール人や各種
のノボラック樹脂から合成されるもの、脂環式エポキシ
樹脂、さらにはOj、Br 7;jどのハロゲン原子を
導入したエポキシ樹脂などが例示される。また、この樹
脂の硬化剤としてはジアミノジフェニルメタン、ジアミ
ノジフェニルスルフォン、メタフェニレンジアミン等域
−代表されるアミン系硬化剤、無水フタル酸、無水ピロ
メリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸など
の酸無水物系硬化剤、あるいはフェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂などのようl:1分子中
−二2個以上の水酸基をもつノボラック系硬化剤などの
いずれも使うことができるが、これC二はイミダゾール
やその誘導体、3級アミンの誘導体、ホスフィシ系誘導
体などの硬化促進剤を添加してもよい。
のノボラック樹脂から合成されるもの、脂環式エポキシ
樹脂、さらにはOj、Br 7;jどのハロゲン原子を
導入したエポキシ樹脂などが例示される。また、この樹
脂の硬化剤としてはジアミノジフェニルメタン、ジアミ
ノジフェニルスルフォン、メタフェニレンジアミン等域
−代表されるアミン系硬化剤、無水フタル酸、無水ピロ
メリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸など
の酸無水物系硬化剤、あるいはフェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂などのようl:1分子中
−二2個以上の水酸基をもつノボラック系硬化剤などの
いずれも使うことができるが、これC二はイミダゾール
やその誘導体、3級アミンの誘導体、ホスフィシ系誘導
体などの硬化促進剤を添加してもよい。
さらC1このポリイミド樹脂としては従来から電子部品
の封止用に使用されているものを用いることができる。
の封止用に使用されているものを用いることができる。
なg、この熱可塑性樹脂としてのポリフェニレンチルフ
ァイド樹脂は例えばp−ジグロロペンインとN−メチル
ピロリドンとの反応によって得られるぺシゼン環を硫黄
原子で連結した、熱町塑性m脂としては最高の耐熱性を
もつものであり、このものは低透湿性、耐薬品性、離燃
性という特性をもち、すぐれた寸法安定性をもっている
ので前記したシリコーン樹脂、エポキシ樹脂と同様C二
峨子部品封止用として有用とされるものである。
ァイド樹脂は例えばp−ジグロロペンインとN−メチル
ピロリドンとの反応によって得られるぺシゼン環を硫黄
原子で連結した、熱町塑性m脂としては最高の耐熱性を
もつものであり、このものは低透湿性、耐薬品性、離燃
性という特性をもち、すぐれた寸法安定性をもっている
ので前記したシリコーン樹脂、エポキシ樹脂と同様C二
峨子部品封止用として有用とされるものである。
なお、上記したこれらの樹脂はそれを本発明の組成物と
して使用する場合、この組成物が特にα線の放出を防止
するというものでなければならないということから、こ
の1恵置となるような不純物をできるだけ除去しておく
ことがよく、シたがってこれらはあらかじめ未反応単量
体や加水分解性の^ロゲン、さら(=はNa、になどの
イオン性不純物が一定限界以内となるようC:精製した
ものとすることがよい。
して使用する場合、この組成物が特にα線の放出を防止
するというものでなければならないということから、こ
の1恵置となるような不純物をできるだけ除去しておく
ことがよく、シたがってこれらはあらかじめ未反応単量
体や加水分解性の^ロゲン、さら(=はNa、になどの
イオン性不純物が一定限界以内となるようC:精製した
ものとすることがよい。
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は上記した有機樹脂
と前記した合成びりカを配合することζ二よって得られ
るが、この配合は従来公知の熱ロール、ニーダ−、スク
リュータイプの連続混線機などを使用して行えばよい。
と前記した合成びりカを配合することζ二よって得られ
るが、この配合は従来公知の熱ロール、ニーダ−、スク
リュータイプの連続混線機などを使用して行えばよい。
この合成V9力の配合量はこの組成物の膨張係数を低く
し、これC:艮好合ではその効果が十分に達成されない
ので、これは有機樹脂100恵置部に二対し合成石英粉
末50〜800重輸部、特には100〜500電量部の
範囲とすることがよい。
し、これC:艮好合ではその効果が十分に達成されない
ので、これは有機樹脂100恵置部に二対し合成石英粉
末50〜800重輸部、特には100〜500電量部の
範囲とすることがよい。
なお、この組成物には必要C;応じ各種の添加剤、例え
ば1分子中にエポキシ基等の有癩基と水酸基等の加水分
解性の原子もしくは基とを有するけい素化合物を添加配
合してもよい。この化合物は一般にカーボンファンクシ
ョナルシランまたはりロキサンと称されているものであ
る。該加水分解性の原子もしくは基としてはアルコキシ
基、アシロキシ基等をはじめとし檀々のものを対象とす
ることができるが、本発明に二gいてはアルコキシ基、
特にはメトキシ基が好適とされ、また水酸基も同様に好
ましい基とされる。
ば1分子中にエポキシ基等の有癩基と水酸基等の加水分
解性の原子もしくは基とを有するけい素化合物を添加配
合してもよい。この化合物は一般にカーボンファンクシ
ョナルシランまたはりロキサンと称されているものであ
る。該加水分解性の原子もしくは基としてはアルコキシ
基、アシロキシ基等をはじめとし檀々のものを対象とす
ることができるが、本発明に二gいてはアルコキシ基、
特にはメトキシ基が好適とされ、また水酸基も同様に好
ましい基とされる。
この任意成分であるけい素化合物≦;ついては。
封止用樹脂組成物を構成する主成分がシリコーンー二ポ
キリ樹脂である場合C:は該化合物の一万はエポキシ基
がよく、それがポリフェニレンサルファイド樹脂である
場合C:はエポキシ基とアミノ基とのアダクトがよい。
キリ樹脂である場合C:は該化合物の一万はエポキシ基
がよく、それがポリフェニレンサルファイド樹脂である
場合C:はエポキシ基とアミノ基とのアダクトがよい。
前述したような方法(二より得られる合成シリカはモノ
アルキルシランの加水分解物であるゲルの単純な乾燥に
よるもの以外はいずれも表面活性C:乏しく、かつ親水
性を有し容易に水に濡れるのであるが、この任意成分を
添加することにより、熱硬化または熱可塑性樹脂と金成
りリカとの結合力が増し、さらに任意成分によって合成
シリカを疎水化させる効果を付与することができる。
アルキルシランの加水分解物であるゲルの単純な乾燥に
よるもの以外はいずれも表面活性C:乏しく、かつ親水
性を有し容易に水に濡れるのであるが、この任意成分を
添加することにより、熱硬化または熱可塑性樹脂と金成
りリカとの結合力が増し、さらに任意成分によって合成
シリカを疎水化させる効果を付与することができる。
したがって、該けい素化合物は、その分子中にカーボン
ファンクショナル基以外にメチル基、エチル基、プロピ
ル基等の有機墓を宵するものがコンパウンドの耐水性を
改善する上からとくに好ましい。
ファンクショナル基以外にメチル基、エチル基、プロピ
ル基等の有機墓を宵するものがコンパウンドの耐水性を
改善する上からとくに好ましい。
このようなけい素化合物として王妃に示すような化合物
をあげることができる。
をあげることができる。
H,HOH,OH,OH,81(00,H,)、、NO
H!O馬0鳥s i (00,H,)、 sOHOOH
OH。
H!O馬0鳥s i (00,H,)、 sOHOOH
OH。
ss
このけい素化合物は、前記した樹脂100重量部に対し
て10を置部以下、好ましくは0.1〜10直量部、さ
らに好ましくは0.5〜3重量部の範囲とされる。これ
はたとえ添加使用しても0.1電量部未満ではその効果
を期待することが雌しく、逆に10重量部以上では増量
効果が得られないばかりか合成りリカの表面ζ二rJ&
着されない余剰成分C=起因して成形性、物性に悪影響
がみられるよう5二なるからである。
て10を置部以下、好ましくは0.1〜10直量部、さ
らに好ましくは0.5〜3重量部の範囲とされる。これ
はたとえ添加使用しても0.1電量部未満ではその効果
を期待することが雌しく、逆に10重量部以上では増量
効果が得られないばかりか合成りリカの表面ζ二rJ&
着されない余剰成分C=起因して成形性、物性に悪影響
がみられるよう5二なるからである。
れにはさらにその流動特性を損なわない範囲で各種の煙
1質充填剤、例えば煙5iliシリカ、煙S實アルミナ
、煙楕質酸化チタンの少量を加えてもよいが、これらに
ついてはその純度を充分(:吟味し、放射線元素がこれ
らの添加C;よってもたらされないよう(二することが
必要とされる。
1質充填剤、例えば煙5iliシリカ、煙S實アルミナ
、煙楕質酸化チタンの少量を加えてもよいが、これらに
ついてはその純度を充分(:吟味し、放射線元素がこれ
らの添加C;よってもたらされないよう(二することが
必要とされる。
上記した本発明の樹脂組成物は、配合後適宜の形状喀;
成形されるが、これ(−よる電子部品の封止は従来公知
の注形成形、射出成形、圧縮成形、トランスファー成形
のいずれでも行うことができ、これ−二よればα線の放
出によるソフトエラーの発生が全くない樹脂封止された
電子部品を容易I:得ることができるという効果が与え
られる。
成形されるが、これ(−よる電子部品の封止は従来公知
の注形成形、射出成形、圧縮成形、トランスファー成形
のいずれでも行うことができ、これ−二よればα線の放
出によるソフトエラーの発生が全くない樹脂封止された
電子部品を容易I:得ることができるという効果が与え
られる。
つぎC:本発明の実施例をあげるが、鋼中における部は
いずれも重量部を示したものである。
いずれも重量部を示したものである。
実施例1
(合成シリカの極造)
102〜103℃で蒸留精製したメチルトリメト中ジシ
ラン(沸点102〜103℃/740mmHg ) C
Hs81 (OCHs)@100部をイオン交換水20
0部と酢11220部との混合液に溶解させたのち、5
0℃で5時間加水分解させて塊状のメチルポリシロキサ
ンとした。つぎKこれを粉砕して平均粒径10011以
下の粉体としてからるつ[K入れ、400℃、600℃
、800℃、1000℃、1200℃で各2時間加熱処
理したところ。
ラン(沸点102〜103℃/740mmHg ) C
Hs81 (OCHs)@100部をイオン交換水20
0部と酢11220部との混合液に溶解させたのち、5
0℃で5時間加水分解させて塊状のメチルポリシロキサ
ンとした。つぎKこれを粉砕して平均粒径10011以
下の粉体としてからるつ[K入れ、400℃、600℃
、800℃、1000℃、1200℃で各2時間加熱処
理したところ。
こo41oはそのメチル基がこの酸化されてメチル基を
全く含有しない白色の合成シリカが得られた(合成シリ
カム)。
全く含有しない白色の合成シリカが得られた(合成シリ
カム)。
ついで、この合成シリカの純度をしらべたところ、この
ウラン、トリウムなどの含有量は痰跡程度であり、Na
、KO量は数ppm以下、 C4イオンは10 ppm
であった。
ウラン、トリウムなどの含有量は痰跡程度であり、Na
、KO量は数ppm以下、 C4イオンは10 ppm
であった。
(封止用組成物の極造)
1)クレゾールノボラック・エポキシ樹脂57.5部、
フェノールノボラック樹脂3α411S、/L’ゾール
ノボラック・臭素化エポキシ樹脂12.5部からなるエ
ポキシ樹脂組成物に、上記で得た合成シリカム230部
、三酸化アンチモン5部。
フェノールノボラック樹脂3α411S、/L’ゾール
ノボラック・臭素化エポキシ樹脂12.5部からなるエ
ポキシ樹脂組成物に、上記で得た合成シリカム230部
、三酸化アンチモン5部。
3−グリシドキシプロビルトリメFキシシヲン5部、カ
ルナウバワックス5部、カーボンブラック5部および硬
化促進剤としてのトリフェニルホスフィン4.5部を添
加して熱二本ロールで十分に混練りし、粉砕して電子部
品制止用樹脂組成物−■を得た。
ルナウバワックス5部、カーボンブラック5部および硬
化促進剤としてのトリフェニルホスフィン4.5部を添
加して熱二本ロールで十分に混練りし、粉砕して電子部
品制止用樹脂組成物−■を得た。
2)有機基/81原子=to5%メチル基/フェニル基
=12.けい素原子に結合した水酸基が45%であるフ
ェニルメチルポリシロキサン100部に、上記で得た合
成シリカ A250部、離型剤としてのステアリン酸カ
ルシウムα5部、硬化剤として炭酸鉛α8部および安息
香酸t5部を配合し、これらを熱二本ロールで滉練りし
てから粉砕して電子部品封止用樹脂組成物−■を得た。
=12.けい素原子に結合した水酸基が45%であるフ
ェニルメチルポリシロキサン100部に、上記で得た合
成シリカ A250部、離型剤としてのステアリン酸カ
ルシウムα5部、硬化剤として炭酸鉛α8部および安息
香酸t5部を配合し、これらを熱二本ロールで滉練りし
てから粉砕して電子部品封止用樹脂組成物−■を得た。
3)ポリフェニレンサルファイド樹脂100部K。
上記で得た合成シリカ ム200部と3−グリシドキシ
グロビルメト中ジシラン5部とを混合したOち、押出機
を用いてペレット化して電子部品鉤止用樹脂組成物−厘
を作った。
グロビルメト中ジシラン5部とを混合したOち、押出機
を用いてペレット化して電子部品鉤止用樹脂組成物−厘
を作った。
なお、この組成物について、高化式7四−メーターを用
いて510℃で、ダイス径1uφ×10麿、荷J111
0kgで見かけの溶融粘度を測定したところ、これは5
ooボイズであった。
いて510℃で、ダイス径1uφ×10麿、荷J111
0kgで見かけの溶融粘度を測定したところ、これは5
ooボイズであった。
4)上記の電子部品刺止用樹脂組成物−IKおける合成
シリカ ムの代わりに%現在市販の電子部品刺止用樹脂
組成物に充填剤として使われている天然珪石をII!!
融して作った溶融シリカRD−8(タラモリ社鯛・商品
名)を用いて同様に処理して電子部品封止用樹脂組成物
−■を作った。
シリカ ムの代わりに%現在市販の電子部品刺止用樹脂
組成物に充填剤として使われている天然珪石をII!!
融して作った溶融シリカRD−8(タラモリ社鯛・商品
名)を用いて同様に処理して電子部品封止用樹脂組成物
−■を作った。
(電子部品封止用樹脂組成物の骨性評価)上記で得た電
子部品封止用樹脂組成物−■〜NKついてそのウラン、
トリウム含有量、C線強度、流動性1曲げ強度および体
積抵抗率を測定したところ、下表のとおりの結果が得ら
れ1組成物−夏〜厘はそのα線強度が組成物−yK<ら
べて格段に少なく、諸物性についても特に問題点のない
ことが確認された。
子部品封止用樹脂組成物−■〜NKついてそのウラン、
トリウム含有量、C線強度、流動性1曲げ強度および体
積抵抗率を測定したところ、下表のとおりの結果が得ら
れ1組成物−夏〜厘はそのα線強度が組成物−yK<ら
べて格段に少なく、諸物性についても特に問題点のない
ことが確認された。
半対熱鋼
II!論例2
66〜67℃で蒸留精製したメチルトリクロロシラン(
CH,5IC11)(沸点60〜67℃/760ma+
Hg) 80部とyo〜71℃で蒸留精製したジメチル
ジクロロタ2ン((CHs)ss lC1g) (沸点
70〜71℃/740mmHg)20部との混合物を、
40〜50℃に加熱した55%塩酸水に1時間かけて滴
下したのち、さらに1時間この温度に保って共加水分解
を行なわせた。反応終了後、これを−過し水洗して中性
化して得た沈澱物を乾燥したところ、平均粒子径が10
0μ惧以下の粉末が得られた。
CH,5IC11)(沸点60〜67℃/760ma+
Hg) 80部とyo〜71℃で蒸留精製したジメチル
ジクロロタ2ン((CHs)ss lC1g) (沸点
70〜71℃/740mmHg)20部との混合物を、
40〜50℃に加熱した55%塩酸水に1時間かけて滴
下したのち、さらに1時間この温度に保って共加水分解
を行なわせた。反応終了後、これを−過し水洗して中性
化して得た沈澱物を乾燥したところ、平均粒子径が10
0μ惧以下の粉末が得られた。
つぎに、この粉末をるつぼに入れ、450℃。
600℃% 1000℃、1200℃で各2時間宛加熱
したところ、この粉末はそのメチル基が酸化されてなく
なり、白色のシリカ粉末となり(合成シリカB)、これ
についてその純度をくらべたところ、こOもののウラン
、トリウム含有量はn7PPbであり、そのNa、に含
有量は8ppm以下。
したところ、この粉末はそのメチル基が酸化されてなく
なり、白色のシリカ粉末となり(合成シリカB)、これ
についてその純度をくらべたところ、こOもののウラン
、トリウム含有量はn7PPbであり、そのNa、に含
有量は8ppm以下。
clイオン含有量は10 ppmであった。
ついで、この合成シリカBを前例における電子部品封止
用樹脂組成物−Iにおいて使用した合成シリカの代わり
に使用し、同様に処理して半導体素子封止用樹脂組成物
−■を作り、これKついてその物性なしらべたところ、
こ0ものはC線強度(LOOOを以下、 スハイラル・
70−28インチ。
用樹脂組成物−Iにおいて使用した合成シリカの代わり
に使用し、同様に処理して半導体素子封止用樹脂組成物
−■を作り、これKついてその物性なしらべたところ、
こ0ものはC線強度(LOOOを以下、 スハイラル・
70−28インチ。
曲は強度14kg/2一体積抵抗率lX1011Ω−譚
の値を示した。
の値を示した。
実施例3
gA施何例2得た合成シリカ粉末20部を、t5−ビス
(p−アミノフェニルチオブチル)−テトラメチルジシ
ロヤサンとベンゾフェノンナト2カルボン酸二無水物と
の反応生成物であるシリ;−ンーボリアミン酸前駆体O
N−メチルビUリドン溶液(不揮発分20%) 500
11に混合して被覆材料を作り、これでガラス72イド
表面に厚さ50±1071惧tomsを形成させたのち
、100℃、180℃、250℃で各2時間宛加熱し、
ついで550℃でsO分間、加熱するととKよってこO
塗膜を硬化させた。
(p−アミノフェニルチオブチル)−テトラメチルジシ
ロヤサンとベンゾフェノンナト2カルボン酸二無水物と
の反応生成物であるシリ;−ンーボリアミン酸前駆体O
N−メチルビUリドン溶液(不揮発分20%) 500
11に混合して被覆材料を作り、これでガラス72イド
表面に厚さ50±1071惧tomsを形成させたのち
、100℃、180℃、250℃で各2時間宛加熱し、
ついで550℃でsO分間、加熱するととKよってこO
塗膜を硬化させた。
つぎに、この硬化塗膜のウラン、トリクム含有量をしら
べたととろ、これはα02ppb以下であり、そog線
放出量はα0001 as−・h以下であった。
べたととろ、これはα02ppb以下であり、そog線
放出量はα0001 as−・h以下であった。
実施例4
(合成シリカの製造)
下記のような方法で411類の合成シリカを合成した。
反応容器に、16916塩酸水溶液な仕込入。
(CHslilCls K対して4倍量)、これにC
HJ81C41をかく拌しながら徐々に滴下した。
HJ81C41をかく拌しながら徐々に滴下した。
滴下終了後60℃で1時間かく拌を続行した。ここで生
成したゲル状物を炉別しイオン交換した80℃OII水
で纏り返し洗浄し弱酸性とした。ついでゲル状物を15
0℃で乾燥し水分を除去し。
成したゲル状物を炉別しイオン交換した80℃OII水
で纏り返し洗浄し弱酸性とした。ついでゲル状物を15
0℃で乾燥し水分を除去し。
これをるつぼに入れ電気炉中で10時間強熱(最終強熱
温度1200℃)したところ、白色粉末状の合成シリカ
が得られた(合成シリカC)。
温度1200℃)したところ、白色粉末状の合成シリカ
が得られた(合成シリカC)。
上記と同じ反応容器に、109!塩酸水溶液を仕込み(
混合シランに対して5倍量)、これに81 (OCmH
s)aとCH181(OCRs)sと01:1部合物を
徐々に滴下したのち、上記合成シリカC0合成と同様に
処堆し、ついで6時間強熱したところ平均粒子径がL5
μ慣の白色粉末状の合成シリカが得られた(合成シリカ
D)。
混合シランに対して5倍量)、これに81 (OCmH
s)aとCH181(OCRs)sと01:1部合物を
徐々に滴下したのち、上記合成シリカC0合成と同様に
処堆し、ついで6時間強熱したところ平均粒子径がL5
μ慣の白色粉末状の合成シリカが得られた(合成シリカ
D)。
上記と同じ反応容器に% 15%cm(OH)s水溶液
を仕込み(シロキサンに対して4倍量)、これ端基は一
0CH3であり、nが!1〜50混合物)を徐々に滴下
した(内IN!5℃以下に保持)のち、上記合成シリカ
Cの合成と同様に処理し、ついで16時間強熱したとこ
ろ、平場粒径t711fl&0粉末状の合成シリカが得
られた(合成シリカg)。
を仕込み(シロキサンに対して4倍量)、これ端基は一
0CH3であり、nが!1〜50混合物)を徐々に滴下
した(内IN!5℃以下に保持)のち、上記合成シリカ
Cの合成と同様に処理し、ついで16時間強熱したとこ
ろ、平場粒径t711fl&0粉末状の合成シリカが得
られた(合成シリカg)。
半対照品
(m止用岨成物の製造)
クレゾールノボツツクエボキシ樹脂(商品名EOCN−
102.チバガイギー社製)100部、フェノールノボ
ラック樹脂60部、前記で合成した合成シリカC〜E5
50部。
102.チバガイギー社製)100部、フェノールノボ
ラック樹脂60部、前記で合成した合成シリカC〜E5
50部。
(エポキシ基含有シ藁キサン)2部、
カルナ38772719部% 2−メチルイミダゾール
12部からなる配合物を加熱ロールにで10分関混練後
シート状でとり出し、ついで粉砕し封止用組成物を調製
した。
12部からなる配合物を加熱ロールにで10分関混練後
シート状でとり出し、ついで粉砕し封止用組成物を調製
した。
他方、比較の目的で合成シリカの代わりに市販品シリカ
(天然硅石を熔融したもの)を同量使用し、またエボヤ
シ基含有シ賞キサンの代わりに5−グリシドキシプロビ
ルトリメトキシシラン(商品名KBM−405.信越化
学社製)を同量使用したほかは前記と同じ組成からなる
ものを同様に処理し封止用組成物を得た。
(天然硅石を熔融したもの)を同量使用し、またエボヤ
シ基含有シ賞キサンの代わりに5−グリシドキシプロビ
ルトリメトキシシラン(商品名KBM−405.信越化
学社製)を同量使用したほかは前記と同じ組成からなる
ものを同様に処理し封止用組成物を得た。
上記で得た封止用組成物について% Fランスファー成
形機を使用し175℃で2分間を要して成形後180℃
で4hrポストキユアーを行った。
形機を使用し175℃で2分間を要して成形後180℃
で4hrポストキユアーを行った。
ここで得た成形品についてO1m強度および体積抵抗率
を調べたところ、下記の表に示すような結果が得られた
。
を調べたところ、下記の表に示すような結果が得られた
。
電対熱鋼
PCT;120℃、2&9/画為、水蒸気中に24時関
数置 第1頁の続き 0発 明 者 栗山収 安中市磯部2丁目13番1号信越 化学工業株式会社シリコーン電 子材料技術研究所内 0発 明 者 小玉家弘 安中市磯部2丁目13番1号信越 化学工業株式会社シリコーン電 子材料技術研究所内 昭和57年 月 特許庁長官 島田春樹 殿 1、事件の表示 昭和67年特許願第29882号 2、発明の名称 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 (206) 信越化学工業株式会社4、代 理
人 住 所 〒103東京都中央区日本橋本町4丁目9番地
永井ピル〔電話東京(270) 085 g、 086
9)3 6、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」 /−−1 ゝ\ l)第18頁下から2行の「N−メチルピロリドン」を
「硫化ソーダ」と補正する。
数置 第1頁の続き 0発 明 者 栗山収 安中市磯部2丁目13番1号信越 化学工業株式会社シリコーン電 子材料技術研究所内 0発 明 者 小玉家弘 安中市磯部2丁目13番1号信越 化学工業株式会社シリコーン電 子材料技術研究所内 昭和57年 月 特許庁長官 島田春樹 殿 1、事件の表示 昭和67年特許願第29882号 2、発明の名称 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 (206) 信越化学工業株式会社4、代 理
人 住 所 〒103東京都中央区日本橋本町4丁目9番地
永井ピル〔電話東京(270) 085 g、 086
9)3 6、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」 /−−1 ゝ\ l)第18頁下から2行の「N−メチルピロリドン」を
「硫化ソーダ」と補正する。
2)第21頁8行の「・・・・・・である場合にはエポ
キシ基と−・−」を1曲・・である場合ζ:はアミノ基
あるいはエポキシ基と・・・・・・」と補正する。
キシ基と−・−」を1曲・・である場合ζ:はアミノ基
あるいはエポキシ基と・・・・・・」と補正する。
3)第28頁の表の1〜3行の記載を下記のように補正
する。
する。
「
」
4)第33頁の表中、市販品シリカ の列でウラン含有
量(ppb) の行(7)r650Jを「65」と補正
する。
量(ppb) の行(7)r650Jを「65」と補正
する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、蒸留精製した加水分解し得る基を有するシラン及び
その誘導体であるポリシロキチン、(ポリ)シラザンを
加水分解して得たポリシロキサンを乾燥および/または
加熱酸化してなる合成シリカ 2、乾燥および/または加熱酸化したのち、粉砕、分散
してその平均粒子径を0.5〜100声琳としてなる特
許請求の範囲第1項記載の合成シリカ 3、 ウランおよびトリウムの含有量が10ppb以ド
である特許請求の範囲第1項記載の合成シリカ 4、熱硬化性樹脂または島可塑性樹脂100重量部に、
蒸留精製した加水分解し得る基を有するシラン及びその
誘導体であるポリシロキチン、(ポリ)シラザンを加水
分解して得たポリシロキチンの乾燥2よび/または加I
Il&酸化で得た合成Vリカを50〜800重量部添加
してなることを特徴とする電子部品封止用樹脂組成物 5、熱硬化性樹脂がエボキV樹脂、シリコーン樹脂、エ
ポキシ−シリコーン樹脂またはポリイミド樹脂である特
許請求の範囲第4項記載の組成物 6、熱可塑性梅脂がポリフェニレンナルファイド樹脂で
ある特許請求の範囲!J4項記載の組成物
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2988282A JPS58151318A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 合成シリカおよびこれを含有してなる電子部品封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2988282A JPS58151318A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 合成シリカおよびこれを含有してなる電子部品封止用樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58151318A true JPS58151318A (ja) | 1983-09-08 |
JPH0369939B2 JPH0369939B2 (ja) | 1991-11-05 |
Family
ID=12288338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2988282A Granted JPS58151318A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 合成シリカおよびこれを含有してなる電子部品封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58151318A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60180911A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-14 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカおよびその製造法 |
JPS60191016A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-28 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカゲル |
JPS61190556A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-25 | Rishiyou Kogyo Kk | 電子部品封止用樹脂組成物 |
JPH01206656A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
US5798400A (en) * | 1995-01-05 | 1998-08-25 | Toray Industries, Inc. | Epoxy resin compound |
USRE39535E1 (en) | 1990-08-16 | 2007-04-03 | Corning Incorporated | Method of making fused silica by decomposing siloxanes |
JP2013126925A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | シリカ粒子、その製造方法および半導体実装用ペースト |
JP2013224225A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-31 | Admatechs Co Ltd | シリカ粒子及びその製造方法、半導体封止用樹脂組成物及びその製造方法 |
JP2014208585A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 株式会社アドマテックス | シリカ粒子、シリカ粒子の製造方法、及び、表面改質シリカ粒子の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7189308B2 (ja) * | 2021-02-08 | 2022-12-13 | 株式会社東陽テクニカ | 分析システム、装置、方法及びプログラム |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5281315A (en) * | 1975-12-22 | 1977-07-07 | Dynamit Nobel Ag | Process for preparing granular silica glass |
JPS5554498A (en) * | 1978-10-17 | 1980-04-21 | Mitsubishi Rayon Co | Method of processing liquid waste |
JPS56116647A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Hitachi Ltd | Manufacturing of silica-alumina type filler for semiconductor memory element covering resin |
-
1982
- 1982-02-26 JP JP2988282A patent/JPS58151318A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5281315A (en) * | 1975-12-22 | 1977-07-07 | Dynamit Nobel Ag | Process for preparing granular silica glass |
JPS5554498A (en) * | 1978-10-17 | 1980-04-21 | Mitsubishi Rayon Co | Method of processing liquid waste |
JPS56116647A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Hitachi Ltd | Manufacturing of silica-alumina type filler for semiconductor memory element covering resin |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0121091B2 (ja) * | 1984-02-27 | 1989-04-19 | Nippon Chemical Ind | |
JPS60180911A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-14 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカおよびその製造法 |
JPS60191016A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-28 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカゲル |
JPH05339B2 (ja) * | 1984-03-12 | 1993-01-05 | Nippon Chemical Ind | |
JPS635429B2 (ja) * | 1985-02-12 | 1988-02-03 | Risho Kogyo Kk | |
JPS61190556A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-25 | Rishiyou Kogyo Kk | 電子部品封止用樹脂組成物 |
JPH01206656A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
USRE39535E1 (en) | 1990-08-16 | 2007-04-03 | Corning Incorporated | Method of making fused silica by decomposing siloxanes |
US5798400A (en) * | 1995-01-05 | 1998-08-25 | Toray Industries, Inc. | Epoxy resin compound |
US5985455A (en) * | 1995-01-05 | 1999-11-16 | Toray Industries, Inc. | Semiconductor element sealed with an epoxy resin compound |
JP2013126925A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | シリカ粒子、その製造方法および半導体実装用ペースト |
JP2013224225A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-31 | Admatechs Co Ltd | シリカ粒子及びその製造方法、半導体封止用樹脂組成物及びその製造方法 |
JP2014208585A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 株式会社アドマテックス | シリカ粒子、シリカ粒子の製造方法、及び、表面改質シリカ粒子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0369939B2 (ja) | 1991-11-05 |
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