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DE69427165T2 - Zusammensetzung und verfahren zum polieren - Google Patents

Zusammensetzung und verfahren zum polieren

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DE69427165T2
DE69427165T2 DE69427165T DE69427165T DE69427165T2 DE 69427165 T2 DE69427165 T2 DE 69427165T2 DE 69427165 T DE69427165 T DE 69427165T DE 69427165 T DE69427165 T DE 69427165T DE 69427165 T2 DE69427165 T2 DE 69427165T2
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DE
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polishing
composition
silicon
composition according
additive
Prior art date
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Application number
DE69427165T
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DE69427165T3 (de
DE69427165D1 (de
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Gregory Brancaleoni
Lee Melbourne Cook
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Rodel Inc
Original Assignee
Rodel Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Publication of DE69427165D1 publication Critical patent/DE69427165D1/de
Publication of DE69427165T2 publication Critical patent/DE69427165T2/de
Publication of DE69427165T3 publication Critical patent/DE69427165T3/de
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Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG TECHNISCHES GEBIET
  • Die Erfindung betrifft das Polieren von Gläsern, Halbleitern, dielektrischen Verbunden/Metallverbunden und integrierten Schaltkreisen. Genauer gesagt betrifft diese Erfindung Verbesserungen in der Oberflächenherstellung von Verbundmaterialien, bei der verbesserte Ratenunterschiede zwischen Siliziumoxid und anderen Komponenten erwünscht sind.
    • STAND DER TECHNIK
  • Konventionelle Polierzusammensetzungen oder Aufschlämmungen bestehen im Allgemeinen aus einer Lösung, die abrasive Teilchen enthält. Das Teilstück, oder das Substrat wird in der Aufschlämmung gebadet oder ausgewaschen, während ein Elastomerkissen gegen das Substrat gedrückt wird und gedreht wird, so dass die Aufschlämmungsteilchen unter Belastung gegen das Substrat gedrückt werden. Die seitliche Bewegung des Kissens bringt die Aufschlämmungsteilchen dazu, sich über die Substratoberfläche zu bewegen, was zu Abnutzung und volumetrischem Abtragen der Substratoberfläche führt.
  • In vielen Fällen wird die Oberflächenabtragrate allein durch den Grad des angewandten Drucks bestimmt, die Geschwindigkeit der Kissendrehung und der chemischen Aktivität des Aufschlämmungsteilchens. Dadurch zeigen Aufschlämmungsteilchen mit einem hohen Grad chemischer Aktivität gegenüber dem Substrat (beispielsweise CeO&sub2; gegenüber SiO&sub2;) deutlich höhere Polierraten als inerte Teilchen (beispielsweise La&sub2;O&sub3; gegenüber SiO&sub2;). Diese Steigerung der chemischen Aktivität der Polierteilchen war die Basis zahlreicher Patente, beispielsweise des U. S.-Patents Nr. 4,959,113.
  • Ein alternatives Mittel zum Erhöhen der Polierraten ist das Hinzufügen von Komponenten zu den Aufschlämmungen, die selbst gegenüber dem Substrat korrodierend wirken. Wenn diese zusammen mit abrasiven Teilcheneingesetzt werden, können wesentlich höhere Polierraten erreicht werden. Dieses Verfahren, das oft chemo-mechanisches Polieren (CMP) genannt wird, ist eine bevorzugte Technik zum Polieren von Halbleitern und Halbleitervorrichtungen, speziell integrierten Schaltkreisen. Beispiele von derartigen CMP-Verfahren zum gesteigerten Polieren von Siliziumwaferoberflächen wurden offenbart durch Payne in dem US-Patent Nr. 4,169,337. Beyer et al. (US-Patent Nr. 4,944,836) und Chow et al. (US-Patent Nr. 4,702. 792) lehren den Einsatz von CMP beim Verbessern von Ratenselektivität bei dem Polieren von dielektrischen/metallischen Verbundstrukturen wie etwa verbundene Leitungen in integrierten Schaltkreisstrukturen. Sie lehren speziell die Einführung von Additiven, die die Auflösung der Metallkomponente beschleuniger. Der Zweck dieser und anderer verwandter Techniken ist es, bevorzugt den Metallanteil des Schaltkreises abzutragen, so dass die resultierende Oberfläche koplanar wird. Das Verfahren wird gewöhnlich als Planarisation bezeichnet.
  • Es ist äußerst wünschenswert, die Selektivität der Metallplanarisation soweit wie möglich zu verbessern. Carr et al. (US-Patent Nr. 4,954,142) lehren weitere Verbesserungen der CMP-Planarisation von dielektrischen/metallischen Verbundstrukturen durch Hinzufügen eines Chelatwirkstoffs zu der Aufschlämmung, der für die interessierende Metallkomponente selektiv ist. Dieses führt zu einem weiteren Anstieg der Korrosionsrate der Metallphase und einem Selektivitätsanstieg des Metalls gegenüber dem Abtragen der dielektrischen Phase, was das Planarisationsverfahren viel effizienter macht.
  • Es wurde gezeigt, dass eine Anzahl von Anionen chelatbildend sind oder mit Si&sup4;&spplus; einen Komplex bilden, in der Weise, dass sie die Korrosion von Siliziumoxid oder Silikatmaterialien beschleunigen. Wie bei Bacon and Raggon [JP Amer. Ceram. Soc. vol. 42, pp. 199-205, 1959] beschrieben, wurde gezeigt, dass eine Vielfalt von schwachen Säuren die Korrosion von Siliziumoxid und Silikatgläsern in neutraler Lösung (pH ca. 7) beschleunigen. Dieser Effekt wurde der Fähigkeit der freien Anionen der Säure (konjungierte Base) zugeschrieben, die Si&sup4;&spplus;-Kationen zu einem Komplex zu bilden in fast der gleichen Weise wie die Pyrocatechin- Silikatkomplexe, die, wie unten gezeigt, durch Rosenheim et al. beschrieben wurden (A. Rosenheim, B. Raibmann, G. Schendel; Z. anorg. u. allgem. Chem., vol. 196, pp. 160-176, 1931):
  • Die korrodierenden Anionen, die von Bacon and Raggon beschrieben wurden, hatten ähnliche Strukturen, die wiederum sehr ähnlich zu Pyrocatechin (1,2- Dihydroxybenzol) waren, nämlich alle waren Mono- oder Dicarbonsäuren, die an zweiten oder dritten Kohlenstoffplätzen Hydroxylgruppen aufwiesen, die an einer Alphaposition bezüglich der Carbonsäurengruppe saßen. Ein Beispiel eines aktiven gegenüber eines inaktiven Zusatzes ist unten gezeigt:
  • HOOC-CHOH-CHOH-COOH: Weinsäure (aktiv) pKa&sub1; = 3,02 gegenüber HOOC-CH&sub2;-CH&sub2;-COOH: Succinsäure (inaktiv) pKa&sub1; = 4,2.
  • Der pKa ist der Logarithmus der Assoziationskonstanten Ka für die Bildung des freien Anions, wie definiert durch die Reaktion:
  • R-COOH
  • R-COO&supmin; + H+.
  • Deshalb indiziert ein niedrigerer pKa eine stärkere Säure. Bei äquivalentem pH wird in der Lösung eine höhere Konzentration der konjungierten Base gefunden.
  • Korrosionsliteratur des Standes der Technik beschreibt die Korrosionswirkungen von Katechol in statischer Lösung. Wie bei Ernsberger gezeigt (J. Amer. Ceram. Soc., vol. 42, pp. 373-5, 1959) erzeugt das Hinzufügen von Pyrocatechin zu Ethylendiamintetraessigsäurelösung (EDTA) gesteigerte Korrosion von Natron- Kalk-Silikatglas in dem pH-Bereich 10-14. Die Steigerung war deutlich mit Raten, die zumindest zweimal so hoch waren, wie mit EDTA alleine in der Lösung. Eine maximale Wirkung wurde bei pH 12,5 gefunden. Die Wirkung wurde wiederum der Komplexbildung von freien Si&sup4;&spplus;-Kationen mit dem Katechol zugeschrieben.
  • Aus dem obigen wird deutlich, dass auf diesem Feld veröffentlichte Literatur erkennen lässt, dass gezeigt wurde, dass derartige Additive gegenüber Siliziumoxid oder Silikaten unter statischer Exposition korrodierend sind. Es wird angenommen, dass die Art der Korrosion die Bildung eines Komplexes oder Chelates mit freien Si&sup4;&spplus;-Kationen ist. Deshalb würde in ähnlicher Weise wie bei der Lehre des US-Patents Nr. 4,954,142 eine höhere Siliziumoxidabtragrate während des Polierens erwartet, wenn derartige Additive in der Polierlösung vorhanden sind. Folglich wurden diese Arten von Additiven niemals in metallischer Planarisation eingesetzt, da erwartet wurde, dass die Metall- /Siliziumoxidselektivität deutlich erniedrigt werden würde.
  • Während die oben beschriebenen CMP-Verfahren des Standes der Technik attraktiv erscheinen, weisen sie signifikante Nachteile auf. Speziell die Ätzflüssigkeiten, die in CMP-Aufschlämmungen des Standes der Technik inkorporiert sind, sind isotrop, das heißt, sie greifen alle Anteile der ausgesetzten Phase an, unbeachtlich deren Position. Diese signifikante Inkorporation von Ätzflüssigkeiten in CMP-Aufschlämmungen resultieren oft in Anstiegen der Oberflächenrauheit und der Textur, wenn ausgesparte Eigenschaften geätzt werden. Bei dem Polieren von integrierten Schaltkreisen wird diese Wirkung mit Waschen bezeichnet und sie tritt oft an dem Ende des Verfahrens auf, wenn ein signifikanter Anteil der Substratoberfläche aus der haltbareren Komponente besteht. Dies ist höchst unerwünscht, da das Ziel des Polierens ist, eine einheitliche, plane Oberfläche frei von Textur zu schaffen.
  • Es ist aus der obigen Diskussion verständlich, dass, wenn die Polierrate der Siliziumoxidphase einer Verbundstruktur auf eine kontrollierte Art reduziert werden könnte, die Selektivität signifikant verbessert werden könnte. Dieses würde den Einsatz von Lösungen erlauben, die zu der anderen (Metall) Phase weniger aggressiv ist und deshalb effizientes CMP von Metall-/Siliziumoxidverbunden mit reduziertem Waschen ermöglicht.
  • Dementsprechend ist es das Ziel dieser Erfindung, eine Lösung zum Polieren von Silizium, Siliziumoxid, Silizium- oder Siliziumoxid enthaltenden Teilchen anzugeben, wobei die Polierrate der Silizium- oder Siliziumoxidphase moduliert oder gesteuert ist durch das Hinzufügen von spezifischen Additiven oder komplexbildenden Wirkstoffen.
  • Es ist ebenso das Ziel dieser Erfindung, eine verbesserte Polieraufschlämmung anzugeben und ein Polierverfahren für Verbundartikel, das zu einer verbesserten Selektivität während des Polierverfahrens führt, speziell für metallische/dielektrische Verbunde, wie etwa diejenigen, die in integrierten Schaltkreisstrukturen auftreten.
  • Diese und andere Ziele der Erfindung werden den Fachleuten des Gebiets anhand der folgenden Beschreibung und Beispiele offensichtlich werden.
    • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Das Ziel dieser Erfindung wurde erreicht durch eine Zusammensetzung zum Polieren von Silizium, Siliziumdioxid oder Silizium enthaltenen Artikeln, dazu gehören ein Verbund aus Metall und Siliziumoxid gemäß den Merkmalen des beigefügten Anspruchs 1.
    • BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • In der vorliegenden Erfindung haben wir die unerwartete Fähigkeit einer Klasse von Zusätzen entdeckt, die Polierrate von Objekten zu unterdrücken, deren Oberflächen aus Silizium und Silikaten besteht. Inkorporierung dieser Zusätze in eine Polieraufschlämmung erlaubt die Steuerung der Polierrate der besagten Oberflächen und ermöglicht deshalb noch nie dagewesene Stufen von Selektivität, wenn die besagte Oberfläche eine Komponente eines Verbundartikels ist, beispielsweise eines dielektrischen-/metallischen Verbundes. Was sogar noch unerwarteter ist, ist, dass der Stand der Technik lehrt, dass dieselben Zusätze als Beschleuniger für die Korrosion von Siliziumoxid- und Silikatoberflächen unter statischen Bedingungen wirken.
  • Wie oben diskutiert, sind die in Frage stehenden, Raten unterdrückenden Zusätze diejenigen, die in Lösung dissoziieren, um freie Anionen einer spezifischen Klasse zu erzeugen, wobei von den Anionen angenommen wird, dass sie mit der Silizium, Siliziumoxid- oder Silikatoberfläche einen Komplex bilden oder sich an diese binden über eine Wechselwirkung mit den Hydroxylgruppen (Si-OH) der Oberfläche.
  • Unerwarteterweise haben wir entdeckt, dass das Gegenteil der Fall ist; die Einführung dieser Klasse von Anionen in die Polierzusammensetzung unterdrückt das Abtragen von Siliziumoxid während des Polierverfahrens. Diese Unterdrückungswirkung wird deutlich in den unten aufgeführten Beispielen demonstriert.
  • Spezieller gesagt, beobachten wir, dass die besagten Anionen der Raten unterdrückenden Zusätze gleichzeitig zwei Charakteristiken aufweisen müssen, um die SiO&sub2;-Polierrate zu unterdrücken. Erstens müssen Sie zumindest zwei Säurengruppen in der Struktur haben, die Komplexbildung an die Siliziumoxid- oder Silikatoberfläche bewirken und als zweites darf der pKa der ersten disoziierbaren Säure nicht wesentlich größer sein als der pH der Polierzusammensetzung, damit effiziente Siliziumoxidratenunterdrückung auftritt. Wesentlich ist hierbei definiert als 0,5 Einheiten (pKa oder pH).
  • Säurenspezies sind definiert als diejenigen funktionalen Gruppen, die ein dissoziierbares Proton aufweisen. Zu diesen gehören, aber sind nicht darauf beschränkt, Carboxylat-, Hydroxyl-, Sulfo- und Phospor-Gruppen. Carboxylat- und Hydroxylgruppen werden bevorzugt, da diese in der größten Vielzahl von wirksamen Spezies vorhanden sind.
  • Der pKa der ersten dissoziierbaren Säure wird stark durch die Struktur beeinflusst. Wir haben gefunden, dass eine große Vielzahl von Strukturen wirksam ist, solange die zwei obengenannten notwendigen Bedingungen eingehalten werden. Speziell wirksam sind Strukturen, die zwei oder mehr Carboxylatgruppen mit Hydroxylgruppen in einer Alpha-Position aufweisen, wie etwa geradkettige Mono- und -Dicarbonsäuren und Salze, zu denen beispielsweise Apfelsäure und Malate gehören, Weinsäure und Tartrate und Glukonsäure und Glukonate. Ebenso wirksam sind Tri- und Polycarbonsäuren und Salze mit sekundären oder tertiären Hydroxylgruppen in einer Alpha-Position relativ zu einer Carboxylatgruppe wie etwa Zitronensäure und Zitrate. Auch wirksam sind Zusätze, die einen Benzolring enthalten wie etwa Orthodi- und Orthopolyhydroxybenzolsäuren und saure Salze, Phthal-Säure und saure Salze, Pyrocatechin, Pyrogallol, Gallusäure und Gallate und Gerbsäure und Tanate. Der Grund für die Wirksamkeit dieser Zusätze liegt in der umfassenden Elektronendelokalisierung, die in den Strukturen beobachtet wurde. Diese Delokalisierung führt zu einem hohen Grad an Stabilität für die konjungierte Base in Lösung, wie durch die niedrigen pKa-Werte bewiesen wird:
  • Gallussäure: pKa&sub1; = 4,4
  • Apfelsäure: pKa&sub1; = 3,4
  • Weinsäure: pKa&sub1; = 3,02
  • Zitronensäure: pKa&sub1; = 3,1
  • Phthalsäure: pKa&sub1; = 2,95.
  • Die pKa-Begrenzungen, die in der vorliegenden Erfindung dargestellt sind, gründen sich auf dem Erfordernis, dass das freie Anion oder die konjugierte Base in vernünftiger Konzentration vorhanden sein muss, damit die Ratenunterdrückungswirkung auftritt. Bei pH < < pKa sind wenig freie Anionen vorhanden. Bei pH = pKa ist die Säure zu 50% dissoziiert. Bei pH > > pKa ist im Wesentlichen die gesamte Säure als Anion vorhanden. Deshalb muss die Dissoziationskonstante ausgewählt werden, um den Bereich der pH-Werte widerzuspiegeln, denen normalerweise beim Polieren begegnet wird. Idealerweise sollte der pH der Polierzusammensetzung gleich sein oder größer sein als ein Wert, der mit dem pKa&sub1; des Additivs übereinstimmt, das für die Siliziumoxidratenunterdrückung eingesetzt wird. Falls der pKa&sub1; des Additivs wesentlich größer ist als der pH der Zusammensetzung, wird in der Lösung nicht ausreichend freies Anion produziert und die Unterdrückungswirkung tritt nicht auf. Deshalb sollten Additive wie etwa Wein-, Zitronen- und Phthal-Säure (pKa &le; 3,1) über einen pH-Bereich wirksam sein, der zu dem normalen pH-Bereich korrespondiert, dem in Poliersilikaten (pH ca. 4-11) begegnet wird und der bevorzugt würde. Im Gegensatz dazu würde das Hinzufügen von Pyrocatechin (pKa&sub1; ca. 10) nur bei einem sehr großen Lösungs-pH nützlich sein, welcher beim Polieren von Si-Wafern gefunden werden kann und würde einen begrenzteren Nutzen haben.
  • Wirksame Mengen des Zusatzes, der die Abtragrate von Siliziumoxid unterdrückt, sind gewöhnlich 0,1 molar und größer, bis zu einer Löslichkeit des Zusatzes in der Polierzusammensetzung bei der benutzten Temperatur.
  • Die abrasiven Teilchen in den Polierzusammensetzungen dieser Erfindung können alle diejenigen sein, die gewöhnlich eingesetzt werden zum Feinpolieren wie etwa SiO&sub2;, ZrO&sub2;, CeO&sub2;, Al&sub2;O&sub3; und Diamant. Typischerweise reicht die Menge von abrasiven Teilchen, die in Polierzusammensetzungen eingesetzt werden, von ca. 1 % bis 15% Feststoffgewichtsanteil in der Polierzusammensetzung. In den folgenden Beispielen sind die eingesetzen abrasiven Teilchen submikroskopische Teilchen aus Aluminium (Al&sub2;O&sub3;).
  • Der oxidierende Wirkstoff in den Polierzusammensetzungen dieser Erfindung kann jedes Oxidationsmittel sein, das in dem wässrigen Medium lösbar ist, vorausgesetzt, dass das Oxidationspotential des Oxidationswirkstoffs größer ist als das Oxidationspotential des Metalls in dem Verbund, der poliert wird. Übliche Oxidationswirkstoffe sind Chlorate, Perchlorate, Chlorite, Nitrate, Persulfate und Peroxide. In den folgender Beispielen wird Wasserstoffperoxid eingesetzt als Oxidationswirkstoff und wurde gefunden, wirksam zu sein für die Beschleunigung der Abtrag rate von Wolfram. Die Metalle, die normalerweise in den Verbunden enthalten sind, für die die Polierzusammensetzungen dieser Erfindung wirksam sind, sind Wolfram, Kupfer und Aluminium, jedoch würde jedes Metall in den Rahmen dieser Erfindung fallen. Oxidationswirkstoffe können in Mengen bis zu 50 % des Gewichts der Polierzusammensetzung eingesetzt werden, aber die meisten liegen typischerweise in dem Bereich von 10% bis 40%.
  • Einige Beispiele von Zusammensetzungen, die gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt werden, werden unten dargestellt, um die wesentlichen Eigenschaften zu demonstrieren und klarzustellen. Sie sind in keiner Weise beschränkend gemeint.
    • BEISPIEL 1
  • Die Polierzusammensetzungen werden wie unten gezeigt hergestellt. Die Zusammensetzungen unterschieden sich nur darin, dass die zweite Zusammensetzung 0,3 molares Kaliumhydrogenphtalat als ein Additiv enthielt, das eingeführt wurde, um die Polierrate von SiO&sub2; zu unterdrücken. Beide Zusammensetzungen wurden eingesetzt, um Proben von CVD-gelagertem Wolframmetallfilm auf Si-Substraten zu polieren, und thermisch gezüchtetes SiO&sub2; auf Si-Substraten, wobei identische Bedingungen auf einer Strasbaugh 6DS Poliermaschine benutzt wurden. Die Polierbedingungen waren:
  • Druck: 7 psi (7 · 6895 Pa)
  • Spindelgeschwindigkeit: 40 rpm
  • Plattengeschwindigkeit: 50 rpm
  • Kissenart: Rodel IC 1000, 38" im Durchmesser
  • Aufschlämmungsfluß: 150 ml/min
    • Zusammensetzung 1
  • 1000 g Submikroskopische Aluminiumaufschlämmung (33% Feststoffe)
  • 1000 g H&sub2;O
  • 2000 ml 50% H&sub2;O&sub2;
  • pH = 5,6
  • Polierrate von W-Metall = 436 Angström/min
  • Polierrate von SiO&sub2; = 140 Angström/min
  • Selektivität (W/SiO&sub2;) = 3,1 : 1
    • Zusammensetzung 2
  • 1000 g Submikroskopische Aluminiumaufschlämmung (33% Feststoffe)
  • 1000 g H&sub2;O
  • 2000 ml 50% H&sub2;O&sub2;
  • 221,6 g Kaliumhydrogenphthalat
  • pH = 2,9
  • Polierrate von W-Metall = 1038 Angström/min
  • Polierrate von SiO&sub2; = 68 Angström/min
  • Selektivität (W/SiO&sub2;) = 15,3 : 1
  • Hinzufügung des Phthalat-Salzes resultiert in einer Reduktion des Aufschlämmungs-pH auf ungefähr den pKa&sub1; der Phthal-Säure. Der erniedrigte pH führt zu einem Anstieg der Wolframpolierrate. Die Phthalat-Hinzufügung resultierte in einer Reduktion der SiO&sub2;-Polierrate um einen Faktor von 2. Dieses resultierte in einer fünffachen Verbesserung der Selektivität des Abtragens für Wolfram relativ zu Siliziumoxid, ein höchst wünschenswertes Resultat. In diesem Beispiel wurde Wasserstoffperoxid in die Zusammensetzung eingeführt, um das Abtragen von Wolfram zu beschleunigen. Der hohe Grad an Wirksamkeit der Zusammensetzung 2 bei einem derart niedrigen pH ist überraschend. Dieses steht in direktem Widerspruch zu der Lehre des US-Patentes Nr. 4,956,131 und des US-Patentes Nr. 4,992,135, die beide die Wirksamkeit des Einsatzes eines Lösungs-pH von über 6 lehren, um eine optimale Selektivität für Wolfram gegenüber dem Siliziumoxid-Abtragen zu erhalten. Deshalb repräsentiert die Zusammensetzung Nr. 2 dieses Beispiels eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, da sie für das Polieren von metallischen-/dielektrischen Verbunden gilt.
    • BEISPIEL 2
  • Um deutlicher zu machen, dass die Ratenhemmung von Siliziumoxid nicht auf die Inkorporation von Wasserstoffperoxid zurückzuführen war, wurde der Test von Beispiel 1 wiederholt ohne Hinzufügung von Peroxid, wo ein inaktives Salz (Ammoniumnitrat) in äquinormaler Konzentration relativ zu dem Phthalat-Salz hinzugefügt wurde. Die Wafer und die Polierbedingungen waren dieselben wie die in Beispiel 1 benutzten. Wie unten gezeigt wird, wurden die Siliziumoxidraten um einen Faktor von ca. 2 erniedrigt, während die Wolframraten identisch waren, als Phthalat zu der Zusammensetzung hinzugefügt wurde. In diesem Beispiel ist der pH von der Phthalat enthaltenden Zusammensetzung wesentlich oberhalb des pKa&sub1;.
    • Zusammensetzung 3
  • 1000 g Submikroskopische Aluminiumaufschlämmung (33% Feststoffe)
  • 3000 g H&sub2;O
  • 177 g NH&sub4;NO&sub3; (0,6 normal)
  • pH = 7,6
  • Polierrate von W-Metall = 71 Angström/min
  • Polierrate von SiO&sub2; = 227 Angström/min
    • Zusammensetzung 4
  • 1000 g Submikroskopische Aluminiumaufschlämmung (33% Feststoffe)
  • 3000 g H&sub2;O
  • 221,6 g Kaliumhydrogenphthalat (0,6 normal)
  • pH = 3,6
  • Polierrate von W-Metall = 71 Angström/min
  • Polierrate von SiO&sub2; = = 119 Angström/min
    • BEISPIEL 3
  • Um weiter die Wirkung von Anionen der vorliegenden Erfindung auf die Polierrate von Siliziumoxid zu demonstrieren, wurden variierende Konzentrationen von Kaliumhydrogenphthalat zu Anteilen eines frisch präparierten Loses der obigen Zusammensetzung Nr. 1 hinzugefügt. Die Wafer und die Polierbedingungen waren wiederum dieselben wie in Beispielen 1 und 2. Die Testresultate werden unten zusammengefasst: Tabelle 1
  • Sowohl die Wolframpolierrate, die Siliziumoxidpolierrate als auch die Selektivität für die Zusammensetzung ohne Hinzufügung von Phthalat stimmen gut mit den Daten von Beispiel 1 überein. Die Siliziumoxidpolierrate erniedrigt sich unmittelbar mit der Erhöhung der Phthalat-Konzentration, während die Rate des Wolfram- Polierens relativ konstant bleibt bei Phthalat-Hinzufügungen über 0,05 molar. Diese Daten sind auch in guter Übereinstimmung mit den Daten für die Phthalat enthaltende Zusammensetzung Nr. 2 von Beispiel 1. Diese Daten zeigen deutlich, dass es die Wirkung von Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung ist, die Polierrate von Siliziumoxid zu unterdrücken bei korrespondierenden Verbesserungen der Polierselektivität relativ zu einer Metallphase. In diesem Beispiel ist eine kritische Konzentration von ca. 0,1 molar für die Wirksamkeit erforderlich. Hinzufügungen von Zusätzen oberhalb einer derartigen kritischen Konzentration stellen auch eine bevorzugte Ausführungsform dieser Erfindung dar. Sie sind natürlich nur nützlich bis zu einer Konzentration, die übereinstimmt mit deren Löslichkeit in der Zusammensetzung bei der eingesetzten Temperatur. Für Kaliumhydrogenphthalat ist die Lösbarkeitsgrenze bei Raumtemperatur ca. 0,5 molar.
    • BEISPIEL 4
  • Ein Teil der Zusammensetzung 2 vom obigen Beispiel 1 wurde hergestellt und benutzt, um Proben sowohl von Wolframblech, SiO&sub2;-Blech als auch Proben von integrierten Schaltkreisen zu polieren. Die integrierten Schaltkreise bestanden aus einer Vorrichtung, die Zwischenlevelverbindungen enthielten (Ansätze) und eine dielektrische Siliziumoxidschicht, die mit ungefähr 2000 Angström von Wolframmetall bedeckt war. Die Zusammensetzung der Blechwafer war identisch zu der, die in dem integrierten Schaltkreis enthalten war. Alle Proben wurden auf einem Strasbaugh-Modell 6 DS Planarizer poliert, wobei die unten aufgeführten Bedingungen benutzt wurden:
  • Druck: 7 psi
  • Spindelgeschwindigkeit: 25 rpm
  • Plattengeschwindigkeit: 25 rpm
  • Kissenart: IC-1000
  • Aufschlämmungsfluß: 100 ml/min
  • Tungstenblechwafer zeigten Abtrag raten von 900 Angström/min während die Rate für SiO&sub2;-Blech 70 Angström/min war, was eine Selektivität von 12,9 : 1 ergab. Dies ist nah dran an der Selektivität, die beobachtet wurde, als die verschiedenen Maschinenbedingungen von Beispiel 1 benutzt wurden. Das Polieren der integrierten Schaltkreis-Proben wurde fortgesetzt, bis alle sichtbaren Spuren von Metallbedeckung verschwunden waren. Visuelles Beobachten von Metallmerkmalen nach dem Polieren bei 50X zeigte saubere Linien und Ansätze. Kein Anzeichen von Waschen wurde beobachtet. Die Oxidschicht sah sehr glatt aus, mit keinen Anzeichen von Kratzern, Löchern oder Trübung. Eine Untersuchung bei 200X zeigte scharfe Linien und glatte Metalloberflächen. Es wurde kein Schaden der Oxidschicht beobachtet. Eine Messung der Oberflächentopologie unter Einsatz eines Tencor-P1-Wafer-Profilometers zeigte, dass die totale angezeigte Unrundheit (TIR) von Wafern zwischen 1200 Angström und 4000 Angström über einer 500 um Scan-Länge lag, was abhängig war von dem Ort und dem Merkmal, was zeigte, dass der Schaltkreis erfolgreich planarisiert wurde. TIR ist die Differenz zwischen den maximalen und den minimalen Oberflächenmerkmalen über die Scan-Länge und ist ein gemeinhin akzeptiertes Maß für Wafer-Planheit.

Claims (10)

1. Zusammensetzung zum Polieren eines Verbundes aus Metall und einer Siliziumkomponente, ausgewählt aus Silizium, Siliziumoxid und Silikat, wobei die Zusammensetzung aufweist:
ein wässriges Medium, abrasive Teilchen, einen Oxidationswirkstoff, der ein Oxidationspotential aufweist, das größer ist als das Oxidationspotential des besagten Metalls, und zumindest einen Zusatz mit zumindest zwei Säurenspezies, wobei jede Säurespezies ein dissozierbares Proton aufweist und Anionen bildet, wobei die Anionen fähig sind, sich mit der Siliziumkomponente zu verbinden oder einen Komplex zu bilden, wobei der pKa der ersten Säurespezies nicht mehr als 0,5 Einheiten größer ist als der pH der Polierzusammensetzung, wobei der Zusatz dadurch die Abtrag rate der Siliziumkomponente selektiv unterdrückt.
2. Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, wobei der Zusatz einen Benzolring enthält.
3. Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, wobei der Zusatz ausgewählt ist aus einer geradkettigen Mono- oder Dicarbonsäure und Salz, das sekundäre Hydroxylgruppen in einer Alphaposition relativ zu der Carboxylatgruppe aufweist.
4. Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, wobei der Zusatz ausgewählt ist aus einer Tri- oder Polycarboxylatgruppe.
5. Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, zusätzlich einen oxidierenden Wirkstoff aufweisend.
6. Zusammensetzung gemäß Anspruch 5, die im Wesentlichen besteht aus Wasser, abrasiven Teilchen, Wasserstoffperoxid und Kaliumhydrogenphthalat, in der die Lösungskonzentration der Phthalat- Komponente zumindest 0,1 molar ist.
7. Zusammensetzung gemäß Anspruch 6, nach Gewichtsanteilen im Wesentlichen bestehend aus: 3, 2 Teilen Wasser, 0,33 Teilen abrasiven Teilchen, 1,5 Teilen Wasserstoffperoxid und 0,22 Teilen Kaliumhydrogenphthalat.
8. Verfahren zum Polieren eines Verbundes, dessen eine Komponente Silizium, Siliziumoxid oder Silikat ist, in dem die Polierzusammensetzung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7 eingesetzt ist.
9. Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei der Verbund aus Metall und Siliziumoxid besteht.
10. Verfahren gemäß Anspruch 9, wobei der Verbund eine Oberfläche eines integrierten Schaltkreises ist.
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Families Citing this family (188)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5391258A (en) * 1993-05-26 1995-02-21 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing
WO1995024054A1 (en) * 1994-03-01 1995-09-08 Rodel, Inc. Improved compositions and methods for polishing
DE19525521B4 (de) * 1994-07-15 2007-04-26 Lam Research Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Fremont Verfahren zum Reinigen von Substraten
US5525191A (en) * 1994-07-25 1996-06-11 Motorola, Inc. Process for polishing a semiconductor substrate
US5695384A (en) * 1994-12-07 1997-12-09 Texas Instruments Incorporated Chemical-mechanical polishing salt slurry
AU4866496A (en) * 1995-02-24 1996-09-18 Intel Corporation Polysilicon polish for patterning improvement
US5614444A (en) * 1995-06-06 1997-03-25 Sematech, Inc. Method of using additives with silica-based slurries to enhance selectivity in metal CMP
US6046110A (en) * 1995-06-08 2000-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device
US5665199A (en) * 1995-06-23 1997-09-09 Advanced Micro Devices, Inc. Methodology for developing product-specific interlayer dielectric polish processes
US5693239A (en) * 1995-10-10 1997-12-02 Rodel, Inc. Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use
US5700383A (en) * 1995-12-21 1997-12-23 Intel Corporation Slurries and methods for chemical mechanical polish of aluminum and titanium aluminide
US6135856A (en) * 1996-01-19 2000-10-24 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for semiconductor planarization
US5899799A (en) * 1996-01-19 1999-05-04 Micron Display Technology, Inc. Method and system to increase delivery of slurry to the surface of large substrates during polishing operations
JP4204649B2 (ja) * 1996-02-05 2009-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5858813A (en) * 1996-05-10 1999-01-12 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers and films
US5993686A (en) * 1996-06-06 1999-11-30 Cabot Corporation Fluoride additive containing chemical mechanical polishing slurry and method for use of same
US5916819A (en) 1996-07-17 1999-06-29 Micron Technology, Inc. Planarization fluid composition chelating agents and planarization method using same
US5827781A (en) * 1996-07-17 1998-10-27 Micron Technology, Inc. Planarization slurry including a dispersant and method of using same
US5863838A (en) * 1996-07-22 1999-01-26 Motorola, Inc. Method for chemically-mechanically polishing a metal layer
JP3507628B2 (ja) * 1996-08-06 2004-03-15 昭和電工株式会社 化学的機械研磨用研磨組成物
US5893983A (en) * 1996-08-28 1999-04-13 International Business Machines Corporation Technique for removing defects from a layer of metal
US6039891A (en) * 1996-09-24 2000-03-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing
US6033596A (en) * 1996-09-24 2000-03-07 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US5783489A (en) * 1996-09-24 1998-07-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US5738800A (en) * 1996-09-27 1998-04-14 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride
US6132637A (en) 1996-09-27 2000-10-17 Rodel Holdings, Inc. Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride
US5972792A (en) * 1996-10-18 1999-10-26 Micron Technology, Inc. Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad
FR2754937B1 (fr) * 1996-10-23 1999-01-15 Hoechst France Nouveau procede de polissage mecano-chimique de couches de materiaux isolants a base de derives du silicium ou de silicium
US6068787A (en) * 1996-11-26 2000-05-30 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
US5958288A (en) * 1996-11-26 1999-09-28 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
US5954997A (en) 1996-12-09 1999-09-21 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6126853A (en) * 1996-12-09 2000-10-03 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6309560B1 (en) 1996-12-09 2001-10-30 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US5759917A (en) 1996-12-30 1998-06-02 Cabot Corporation Composition for oxide CMP
US5756398A (en) * 1997-03-17 1998-05-26 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite comprising titanium
US6322600B1 (en) 1997-04-23 2001-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Planarization compositions and methods for removing interlayer dielectric films
US8092707B2 (en) * 1997-04-30 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication
US5922091A (en) * 1997-05-16 1999-07-13 National Science Council Of Republic Of China Chemical mechanical polishing slurry for metallic thin film
US6001269A (en) * 1997-05-20 1999-12-14 Rodel, Inc. Method for polishing a composite comprising an insulator, a metal, and titanium
MY124578A (en) * 1997-06-17 2006-06-30 Showa Denko Kk Magnetic hard disc substrate and process for manufacturing the same
US5770103A (en) * 1997-07-08 1998-06-23 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite comprising titanium
US6083419A (en) * 1997-07-28 2000-07-04 Cabot Corporation Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching
US5891205A (en) * 1997-08-14 1999-04-06 Ekc Technology, Inc. Chemical mechanical polishing composition
KR19990023544A (ko) * 1997-08-19 1999-03-25 마쯔모또 에이찌 무기 입자의 수성 분산체와 그의 제조 방법
EP1019456A1 (de) * 1997-09-26 2000-07-19 Infineon Technologies AG Poliermittel, verfahren zum chemisch-mechanischen planarisieren und verwendung des poliermittels zum planarisieren eines halbleitersubstrats
US5897375A (en) * 1997-10-20 1999-04-27 Motorola, Inc. Chemical mechanical polishing (CMP) slurry for copper and method of use in integrated circuit manufacture
US6096652A (en) * 1997-11-03 2000-08-01 Motorola, Inc. Method of chemical mechanical planarization using copper coordinating ligands
US7202497B2 (en) 1997-11-27 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4014710B2 (ja) 1997-11-28 2007-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US5985748A (en) * 1997-12-01 1999-11-16 Motorola, Inc. Method of making a semiconductor device using chemical-mechanical polishing having a combination-step process
US6284151B1 (en) * 1997-12-23 2001-09-04 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polishing slurry for tungsten
US6294105B1 (en) 1997-12-23 2001-09-25 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polishing slurry and method for polishing metal/oxide layers
US6432828B2 (en) * 1998-03-18 2002-08-13 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
JP4163785B2 (ja) * 1998-04-24 2008-10-08 スピードファム株式会社 研磨用組成物及び研磨加工方法
WO1999064527A1 (en) * 1998-06-10 1999-12-16 Rodel Holdings, Inc. Composition and method for polishing in metal cmp
US6063306A (en) * 1998-06-26 2000-05-16 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate
US6217416B1 (en) 1998-06-26 2001-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates
US6220934B1 (en) 1998-07-23 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Method for controlling pH during planarization and cleaning of microelectronic substrates
TW455626B (en) * 1998-07-23 2001-09-21 Eternal Chemical Co Ltd Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
FR2781922B1 (fr) * 1998-07-31 2001-11-23 Clariant France Sa Procede de polissage mecano-chimique d'une couche en un materiau a base de cuivre
TW416104B (en) * 1998-08-28 2000-12-21 Kobe Steel Ltd Method for reclaiming wafer substrate and polishing solution composition for reclaiming wafer substrate
US6468909B1 (en) 1998-09-03 2002-10-22 Micron Technology, Inc. Isolation and/or removal of ionic contaminants from planarization fluid compositions using macrocyclic polyethers and methods of using such compositions
US6241586B1 (en) 1998-10-06 2001-06-05 Rodel Holdings Inc. CMP polishing slurry dewatering and reconstitution
US6572449B2 (en) 1998-10-06 2003-06-03 Rodel Holdings, Inc. Dewatered CMP polishing compositions and methods for using same
JP2000183003A (ja) * 1998-10-07 2000-06-30 Toshiba Corp 銅系金属用研磨組成物および半導体装置の製造方法
DE69942615D1 (de) 1998-10-23 2010-09-02 Fujifilm Electronic Materials Eine chemisch-mechanisch polierende aufschlämmung, eine beschleunigerlösung enthaltend
US6276996B1 (en) 1998-11-10 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6206756B1 (en) 1998-11-10 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6372648B1 (en) * 1998-11-16 2002-04-16 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit planarization method
US6083840A (en) * 1998-11-25 2000-07-04 Arch Specialty Chemicals, Inc. Slurry compositions and method for the chemical-mechanical polishing of copper and copper alloys
WO2000039844A1 (en) * 1998-12-28 2000-07-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. Materials for polishing liquid for metal, polishing liquid for metal, method for preparation thereof and polishing method using the same
KR100447552B1 (ko) 1999-03-18 2004-09-08 가부시끼가이샤 도시바 수계 분산체 및 반도체 장치의 제조에 사용하는 화학 기계연마용 수계 분산체 및 반도체 장치의 제조 방법 및 매립배선의 형성 방법
US6468135B1 (en) 1999-04-30 2002-10-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for multiphase chemical mechanical polishing
TW486514B (en) 1999-06-16 2002-05-11 Eternal Chemical Co Ltd Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
US6443812B1 (en) 1999-08-24 2002-09-03 Rodel Holdings Inc. Compositions for insulator and metal CMP and methods relating thereto
TW499471B (en) 1999-09-01 2002-08-21 Eternal Chemical Co Ltd Chemical mechanical/abrasive composition for semiconductor processing
JP4264781B2 (ja) 1999-09-20 2009-05-20 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物および研磨方法
US6734110B1 (en) 1999-10-14 2004-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Damascene method employing composite etch stop layer
US6723691B2 (en) 1999-11-16 2004-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US6194366B1 (en) 1999-11-16 2001-02-27 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
JP2004127327A (ja) * 1999-12-27 2004-04-22 Showa Denko Kk 磁気ディスク基板研磨用組成物
JP2001267273A (ja) * 2000-01-11 2001-09-28 Sumitomo Chem Co Ltd 金属用研磨材、研磨組成物及び研磨方法
TW572980B (en) 2000-01-12 2004-01-21 Jsr Corp Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing process
TW572979B (en) * 2000-02-02 2004-01-21 Rodel Inc Polishing composition
TWI296006B (de) 2000-02-09 2008-04-21 Jsr Corp
JP2001269859A (ja) 2000-03-27 2001-10-02 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
US6447375B2 (en) 2000-04-19 2002-09-10 Rodel Holdings Inc. Polishing method using a reconstituted dry particulate polishing composition
JP3456466B2 (ja) 2000-04-27 2003-10-14 三菱住友シリコン株式会社 シリコンウェーハ用研磨剤及びその研磨方法
TWI268286B (en) * 2000-04-28 2006-12-11 Kao Corp Roll-off reducing agent
US6443811B1 (en) 2000-06-20 2002-09-03 Infineon Technologies Ag Ceria slurry solution for improved defect control of silicon dioxide chemical-mechanical polishing
US6406923B1 (en) 2000-07-31 2002-06-18 Kobe Precision Inc. Process for reclaiming wafer substrates
WO2002014014A2 (en) 2000-08-11 2002-02-21 Rodel Holdings, Inc. Chemical mechanical planarization of metal substrates
US6896776B2 (en) * 2000-12-18 2005-05-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for electro-chemical processing
WO2002061810A1 (en) * 2001-01-16 2002-08-08 Cabot Microelectronics Corporation Ammonium oxalate-containing polishing system and method
US6383065B1 (en) 2001-01-22 2002-05-07 Cabot Microelectronics Corporation Catalytic reactive pad for metal CMP
JP2002231666A (ja) 2001-01-31 2002-08-16 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6899804B2 (en) * 2001-04-10 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing
US6811680B2 (en) 2001-03-14 2004-11-02 Applied Materials Inc. Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing
US7232514B2 (en) * 2001-03-14 2007-06-19 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7323416B2 (en) * 2001-03-14 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7582564B2 (en) * 2001-03-14 2009-09-01 Applied Materials, Inc. Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing
US7160432B2 (en) * 2001-03-14 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7128825B2 (en) 2001-03-14 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US20060169597A1 (en) * 2001-03-14 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US6540935B2 (en) * 2001-04-05 2003-04-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemical/mechanical polishing slurry, and chemical mechanical polishing process and shallow trench isolation process employing the same
WO2002083804A1 (en) 2001-04-12 2002-10-24 Rodel Holdings, Inc. Polishing composition having a surfactant
US6632259B2 (en) 2001-05-18 2003-10-14 Rodel Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing compositions and methods relating thereto
SG144688A1 (en) 2001-07-23 2008-08-28 Fujimi Inc Polishing composition and polishing method employing it
TW591089B (en) * 2001-08-09 2004-06-11 Cheil Ind Inc Slurry composition for use in chemical mechanical polishing of metal wiring
US6953389B2 (en) * 2001-08-09 2005-10-11 Cheil Industries, Inc. Metal CMP slurry compositions that favor mechanical removal of oxides with reduced susceptibility to micro-scratching
US6812193B2 (en) 2001-08-31 2004-11-02 International Business Machines Corporation Slurry for mechanical polishing (CMP) of metals and use thereof
JP3899456B2 (ja) 2001-10-19 2007-03-28 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
TW200300168A (en) 2001-10-31 2003-05-16 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing fluid and polishing method
US20030139069A1 (en) * 2001-12-06 2003-07-24 Block Kelly H. Planarization of silicon carbide hardmask material
US20070295611A1 (en) * 2001-12-21 2007-12-27 Liu Feng Q Method and composition for polishing a substrate
JP2003257910A (ja) * 2001-12-28 2003-09-12 Fujikoshi Mach Corp 基板における銅層の研磨方法
US7004819B2 (en) 2002-01-18 2006-02-28 Cabot Microelectronics Corporation CMP systems and methods utilizing amine-containing polymers
US20030136759A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-24 Cabot Microelectronics Corp. Microlens array fabrication using CMP
US7132058B2 (en) 2002-01-24 2006-11-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Tungsten polishing solution
US7199056B2 (en) * 2002-02-08 2007-04-03 Applied Materials, Inc. Low cost and low dishing slurry for polysilicon CMP
US6884729B2 (en) * 2002-02-11 2005-04-26 Cabot Microelectronics Corporation Global planarization method
US6899596B2 (en) * 2002-02-22 2005-05-31 Agere Systems, Inc. Chemical mechanical polishing of dual orientation polycrystalline materials
US6682575B2 (en) 2002-03-05 2004-01-27 Cabot Microelectronics Corporation Methanol-containing silica-based CMP compositions
US6853474B2 (en) * 2002-04-04 2005-02-08 Cabot Microelectronics Corporation Process for fabricating optical switches
US7367870B2 (en) * 2002-04-30 2008-05-06 Hitachi Chemical Co. Ltd. Polishing fluid and polishing method
TWI282360B (en) * 2002-06-03 2007-06-11 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing composition and polishing method thereof
US6616514B1 (en) * 2002-06-03 2003-09-09 Ferro Corporation High selectivity CMP slurry
JP4083502B2 (ja) * 2002-08-19 2008-04-30 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨方法及びそれに用いられる研磨用組成物
JP3981616B2 (ja) * 2002-10-02 2007-09-26 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US20040175942A1 (en) * 2003-01-03 2004-09-09 Chang Song Y. Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals
US7071105B2 (en) 2003-02-03 2006-07-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a silicon-containing dielectric
EP1594656B1 (de) * 2003-02-18 2007-09-12 Parker-Hannifin Corporation Polierartikel für elektro-chemisches-mechanisches polieren
US20040188379A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Cabot Microelectronics Corporation Dielectric-in-dielectric damascene process for manufacturing planar waveguides
WO2004090937A2 (en) * 2003-04-10 2004-10-21 Technion Research & Development Foundation Ltd Copper cmp slurry composition
US7300478B2 (en) * 2003-05-22 2007-11-27 Ferro Corporation Slurry composition and method of use
US7390429B2 (en) * 2003-06-06 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing
US7160807B2 (en) * 2003-06-30 2007-01-09 Cabot Microelectronics Corporation CMP of noble metals
CN1860198B (zh) * 2003-07-09 2010-06-16 迪纳化学公司 用于化学机械抛光的非聚合有机颗粒
US7300603B2 (en) * 2003-08-05 2007-11-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical planarization compositions for reducing erosion in semiconductor wafers
US7300480B2 (en) 2003-09-25 2007-11-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High-rate barrier polishing composition
TWI347969B (en) * 2003-09-30 2011-09-01 Fujimi Inc Polishing composition
US6929983B2 (en) 2003-09-30 2005-08-16 Cabot Microelectronics Corporation Method of forming a current controlling device
CN100435290C (zh) * 2003-09-30 2008-11-19 福吉米株式会社 研磨用组合物及研磨方法
US20050092620A1 (en) * 2003-10-01 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for polishing a substrate
US20050109980A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Hongyu Wang Polishing composition for CMP having abrasive particles
US20050148289A1 (en) * 2004-01-06 2005-07-07 Cabot Microelectronics Corp. Micromachining by chemical mechanical polishing
US7255810B2 (en) * 2004-01-09 2007-08-14 Cabot Microelectronics Corporation Polishing system comprising a highly branched polymer
US20060021974A1 (en) * 2004-01-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7390744B2 (en) * 2004-01-29 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
JP2005268664A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2005268666A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP4316406B2 (ja) * 2004-03-22 2009-08-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP4644434B2 (ja) * 2004-03-24 2011-03-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US7084064B2 (en) * 2004-09-14 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Full sequence metal and barrier layer electrochemical mechanical processing
JP2006086462A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた配線構造体の製造法
US20060088976A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Applied Materials, Inc. Methods and compositions for chemical mechanical polishing substrates
US8038752B2 (en) * 2004-10-27 2011-10-18 Cabot Microelectronics Corporation Metal ion-containing CMP composition and method for using the same
JP2006135072A (ja) * 2004-11-05 2006-05-25 Fujimi Inc 研磨方法
JP4836441B2 (ja) * 2004-11-30 2011-12-14 花王株式会社 研磨液組成物
KR100497413B1 (ko) * 2004-11-26 2005-06-23 에이스하이텍 주식회사 텅스텐-화학적 기계적 연마에 유용한 슬러리 및 그 제조방법
JP2006203188A (ja) * 2004-12-22 2006-08-03 Showa Denko Kk 研磨組成物及び研磨方法
US7291280B2 (en) * 2004-12-28 2007-11-06 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multi-step methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
EP1838795A2 (de) * 2005-01-07 2007-10-03 Dynea Chemicals OY Manipulierte nicht-polymere organische partikel für chemisch-mechanische planarisierung
TW200727356A (en) * 2005-01-28 2007-07-16 Applied Materials Inc Tungsten electroprocessing
US20060169674A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Daxin Mao Method and composition for polishing a substrate
US20060205219A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Baker Arthur R Iii Compositions and methods for chemical mechanical polishing interlevel dielectric layers
US20060219663A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Applied Materials, Inc. Metal CMP process on one or more polishing stations using slurries with oxidizers
US20060249394A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Applied Materials, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
CN1865387A (zh) * 2005-05-17 2006-11-22 安集微电子（上海）有限公司 抛光浆料
US20060278879A1 (en) * 2005-06-09 2006-12-14 Cabot Microelectronics Corporation Nanochannel device and method of manufacturing same
US7576361B2 (en) * 2005-08-03 2009-08-18 Aptina Imaging Corporation Backside silicon wafer design reducing image artifacts from infrared radiation
TWI397577B (zh) * 2005-09-02 2013-06-01 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP5026710B2 (ja) * 2005-09-02 2012-09-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US20070068902A1 (en) * 2005-09-29 2007-03-29 Yasushi Matsunami Polishing composition and polishing method
US20070176141A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-02 Lane Sarah J Compositions and methods for chemical mechanical polishing interlevel dielectric layers
US20070254485A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Daxin Mao Abrasive composition for electrochemical mechanical polishing
US20090283715A1 (en) * 2006-07-04 2009-11-19 Shigeru Nobe Polishing slurry for cmp
SG139699A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-29 Fujimi Inc Polishing composition and polishing process
US20080149884A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Junaid Ahmed Siddiqui Method and slurry for tuning low-k versus copper removal rates during chemical mechanical polishing
JP2009164188A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2009164186A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Fujimi Inc 研磨用組成物
EP2343732B1 (de) * 2008-10-20 2018-10-10 Nitta Haas Incorporated Zusammensetzung zum polieren von siliziumnitrid
US20120001118A1 (en) * 2010-07-01 2012-01-05 Koo Ja-Ho Polishing slurry for chalcogenide alloy
JP2014529183A (ja) * 2011-08-01 2014-10-30 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 特定の有機化合物を含む化学機械研磨用組成物の存在下での元素ゲルマニウムおよび／またはＳｉ１−ｘＧｅｘ材料の化学機械研磨を含む、半導体デバイスを製造するための方法
US10217645B2 (en) * 2014-07-25 2019-02-26 Versum Materials Us, Llc Chemical mechanical polishing (CMP) of cobalt-containing substrate
JP6268069B2 (ja) 2014-09-12 2018-01-24 信越化学工業株式会社 研磨組成物及び研磨方法
CN116445916A (zh) * 2022-01-06 2023-07-18 万华化学集团电子材料有限公司 一种减少划伤的钨插塞化学机械抛光液
CN119039991A (zh) * 2024-10-30 2024-11-29 西安蓝桥新能源科技有限公司 一种用于硅片碱刻蚀抛光的添加剂、反应液及方法与应用

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3385682A (en) † 1965-04-29 1968-05-28 Sprague Electric Co Method and reagent for surface polishing
DE2629709C2 (de) * 1976-07-02 1982-06-03 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur Herstellung eines metallionenfreien amorphen Siliciumdioxids und daraus hergestelltes Poliermittel zum mechanischen Polieren von Halbleiteroberflächen
US4169337A (en) * 1978-03-30 1979-10-02 Nalco Chemical Company Process for polishing semi-conductor materials
US4238275A (en) * 1978-12-29 1980-12-09 International Business Machines Corporation Pyrocatechol-amine-water solution for the determination of defects
DE2949383C2 (de) * 1979-12-07 1982-01-21 Sälzle, Erich, Dr., 8000 München Verfahren zur Schwefelsäure-Flußsäure-Polieren von Glasgegenständen
DE3237235C2 (de) † 1982-10-07 1986-07-10 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zum Polieren von III-V-Halbleiteroberflächen
UST105402I4 (en) * 1983-03-10 1985-05-07 Method for polishing amorphous aluminum oxide
US4944836A (en) * 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
US4702792A (en) * 1985-10-28 1987-10-27 International Business Machines Corporation Method of forming fine conductive lines, patterns and connectors
US4956313A (en) * 1987-08-17 1990-09-11 International Business Machines Corporation Via-filling and planarization technique
DE3735158A1 (de) * 1987-10-16 1989-05-03 Wacker Chemitronic Verfahren zum schleierfreien polieren von halbleiterscheiben
US4867757A (en) * 1988-09-09 1989-09-19 Nalco Chemical Company Lapping slurry compositions with improved lap rate
US4954142A (en) * 1989-03-07 1990-09-04 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
US4959113C1 (en) * 1989-07-31 2001-03-13 Rodel Inc Method and composition for polishing metal surfaces
JP2868885B2 (ja) * 1989-11-09 1999-03-10 新日本製鐵株式会社 シリコンウェハの研磨液及び研磨方法
DE4002327A1 (de) * 1990-01-26 1991-08-01 Wacker Chemitronic Verfahren zur nasschemischen behandlung von halbleiteroberflaechen und loesung zu seiner durchfuehrung
US4992135A (en) * 1990-07-24 1991-02-12 Micron Technology, Inc. Method of etching back of tungsten layers on semiconductor wafers, and solution therefore
US5244534A (en) * 1992-01-24 1993-09-14 Micron Technology, Inc. Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs
US5274964A (en) † 1992-08-19 1994-01-04 Abrasive Cleaning Systems, Inc. Dry abrasive belt cleaner
US5391258A (en) * 1993-05-26 1995-02-21 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing

Also Published As

Publication number Publication date
WO1994028194A1 (en) 1994-12-08
DE706582T1 (de) 1996-10-24
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DE69427165D1 (de) 2001-06-07
KR100222768B1 (ko) 1999-10-01
ATE200916T1 (de) 2001-05-15
TW329434B (en) 1998-04-11
MY110381A (en) 1998-04-30
US5391258A (en) 1995-02-21

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