DE69325977T2

DE69325977T2 - Tintenstrahldruckkopf und Herstellungsverfahren und Druckgerät mit Tintenstrahldruckkopf

Info

Publication number: DE69325977T2
Application number: DE69325977T
Authority: DE
Inventors: Hirokazu Komuro
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-12-22
Filing date: 1993-12-21
Publication date: 2000-04-13
Anticipated expiration: 2013-12-22
Also published as: EP0603821A2; EP0603821A3; ATE183140T1; US6352338B1; DE69325977D1; EP0603821B1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft einen Tintenstrahldruckkopf, aus dem Flüssigkeit durch eine Öffnung zur Bildung von Flüssigkeitströpfchen ausgestossen wird. Insbesondere betrifft die Erfindung einen Tintenstrahldruckkopf, in dem thermische Energie an Flüssigkeit zur Herbeiführung einer Zustandsänderung in der Flüssigkeit angelegt wird, um Flüssigkeit auszustossen. Die Erfindung betrifft ebenfalls ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Druckkopfs sowie eine Druckvorrichtung mit diesem Typ eines Druckkopfs, wie ein Kopiergerät, ein Faxgerät, einen Drucker und eine Textildruckvorrichtung.

Relevanter Stand der Technik

Von den verschiedenen Typen von Tintenstrahldruckköpfen hat das in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. 54-51837 offenbarte Tintenstrahldruckverfahren ein einzigartiges Merkmal, das sich von den anderen Typen der Tintenstrahldruckverfahren dahingehend unterscheidet, daß Flüssigkeitströpfchen unter Anlegung thermischer Energie an die Flüssigkeit ausgestossen werden. Bei dem in der Anmeldung offenbarten Verfahren wird die Flüssigkeit mittels thermischer Energie erhitzt, um Bläschen zu bilden, wodurch die Kraft zur Bildung des Flüssigkeitströpfchen durch eine Öffnung am Leitungsende des Druckkopfs erzeugt wird. Dann wird das Tröpfchen auf einem Aufzeichnungsmedium aufgebracht, um darauf Information zu drucken.
Im allgemeinen umfaßt ein bei den vorstehend genannten Verfahren verwendeter Druckkopf eine Öffnung, durch die die Flüssigkeit ausgestossen wird, einen mit der Öffnung verbundenen Flüssigkeitsausstoßabschnitt mit einem Flüssigkeitsflußweg, der einen Hitzewirkungsabschnitt als Teil zur Anlegung von thermischer Energie an die Flüssigkeit zum Ausstoß der Flüssigkeitströpfchen einschließt, einen Wärmeerzeugungswiderstand als elektrothermisches Energieumwandlungsbauteil bzw. Energiewandlerteil, das eine Einrichtung zur Erzeugung von thermischer Energie und eine Elektrode ist, und eine obere Schutzschicht zum Schutz des Wärmeerzeugungswiderstands und der Elektrode von der Tinte.
Der Wärmeerzeugungswiderstand, die Elektrode und die obere Schutzschicht werden im allgemeinen durch aufeinanderfolgende Aufbringung dünner Filme auf ein Substrat gebildet. Die dünnen Filme können durch eine Technik wie Sputtern oder CVD (chemische Dampfabscheidung) gebildet werden.
Falls die Wärmeerzeugungswiderstandsschicht in direktem Kontakt mit der Aufzeichnungs- oder Druckflüssigkeit ist, kann ein elektrischer Strom durch die Druckflüssigkeit gemäß des Werts des elektrischen Widerstands der Druckflüssigkeit fließen, und die Druckflüssigkeit kann aufgrund des elektrischen Stromflusses durch die Druckflüssigkeit elektrolysiert werden. Zusätzlich reagiert die Druckflüssigkeit mit der Wärmeerzeugungswiderstandsschicht unter Energieeinwirkung auf die Wärmeerzeugungswiderstandsschicht, so daß die Wärmeerzeugungswiderstandsschicht beschädigt werden kann oder deren Widerstand variieren kann.
Um die vorstehenden Probleme zu lösen und die Zuverlässigkeit und die Haltbarkeit für langzeitige wiederholte Verwendung zu verbessern, wird herkömmlicherweise eine aus einem in hohem Maße säurebeständigen Material wie SiO&sub2; hergestellte Schutzschicht auf der Wärmeerzeugungswiderstandsschicht angebracht, um den direkten Kontakt der Wärmeerzeugungswiderstandsschicht mit der Druckflüssigkeit zu verhindern.
Um die Erfordernisse, wie die Verhinderung der Beschädigung der Wärmewiderstandsschicht und die Verhinderung eines Kurzschlusses zwischen den Elektroden, zu erfüllen, sollte die Schutzschicht, die die Einrichtung zur Erzeugung thermischer Energie bedeckt, keine Defekte wie Nadellöcher in dem Film haben, damit die Wärmewiderstandsschicht und die Hauptabschnitte der Elektroden einheitlich mit der Schutzschicht bedeckt werden können.
Da jedoch die Elektroden wie vorstehend beschrieben auf der Wärmewiderstandsschicht gebildet werden, gibt es Stufen zwischen den Elektroden und der Wärmewiderstandsschicht. Mit herkömmlichen Techniken zur Bildung eines dünnen Films ist es schwierig, eine einheitliche Schutzschicht auf den Elektroden und auf der Wärmewiderstandsschicht mit derartigen Stufen zu bilden. Die Dicke des Schutzfilms neigt dazu, an den Stufen dünner zu sein, wie in Fig. 3 gezeigt, was manchmal die Exposition eines Abschnitts der Elektroden oder der Wärmewiderstandsschicht herbeiführen kann.
In einem derartigen Zustand, bei dem die Stufenbedeckung nicht gut genug ist, kann der ungeschützte Abschnitt der Wärmewiderstandsschicht in direktem Kontakt mit der Druckflüssigkeit sein. Infolgedessen kann Elektrolyse der Druckflüssigkeit auftreten und eine Reaktion zwischen der Druckflüssigkeit und der Wärmewiderstandsschicht kann auftreten, was in der Beschädigung der Wärmewiderstandsschicht resultieren kann. Aufgrund der Tatsache, daß die Dicke der Schutzschicht in der Nähe der Stufenbereiche zur Uneinheitlichkeit neigt, induziert des weiteren ein Temperaturwechsel eine lokalisierte thermische Belastung in einem Teil der Schutzschicht, was in Rissen in der Schutzschicht resultiert. Falls derartige Risse auftreten, kann die Druckflüssigkeit durch die Risse hindurchdringen, um die Wärmewiderstandsschicht zu erreichen und somit kann die Wärmewiderstandsschicht beschädigt werden.
Ein herkömmlicher Weg zur Lösung derartiger Problem ist, die Schutzschicht dicker zu machen, um die Stufenbedeckung zu verbessern und die Nadellöcher zu verringern. Das Dickermachen des Schutzfilms verursacht jedoch ein weiteres Problem, daß der thermische Widerstand zwischen der Wärmewi derstandsschicht und der Bläschenoberfläche ansteigt, was in einem niedrigen thermischen Ansprechverhalten der Bläschenoberfläche resultiert. Des weiteren wird es notwendig, eine höhere elektrische Kraft an die Wärmewiderstandsschicht anzulegen, was eine niedrige Haltbarkeit der Wärmewiderstandsschicht verursacht. Somit gibt es einen Bedarf an der Entwicklung einer Technik, mit der eine Schutzschicht mit guter Stufenbedeckung gebildet werden kann, ohne die Dicke der Schutzschicht zu erhöhen.
Es gab verschiedene Versuche zum Erfüllen dieses Erfordernisses. Beispielsweise ist in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. 60-234850 eine Gegenfeldsputtertechnik bzw. Biassputtertechnik offenbart, mit der ein Schutzfilm mit guter Stufenbedeckung gebildet werden kann. In den japanischen offengelegten Patentanmeldungen Nr. 62-45283 und 62-45237 ist eine Technik offenbart, mit der die Stufenbedeckung durch Veränderung der Form der Stufen mittels Rückätzen oder Sputterätzen des bereits aufgebrachten Schutzfilms verbessert ist. Bei der in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. 62-45286 offenbarten Technik wird der Schutzfilm wieder fließbar gemacht, um die Stufenbedeckung zu verbessern. Im HP-Journal, Mai, 1985, ist eine Technik offenbart, bei der die Elektroden in einer schrägen Form gebildet werden, um die Stufenbedeckung zu verbessern.
Jedoch hat jede dieser Techniken ihre eigenen Probleme. Beispielsweise ist es beim Biassputtern schwierig, die Dicke eines Films zu steuern, und somit kann keine gute Reproduzierbarkeit erhalten werden. Ein weiteres Problem dieser Technik ist, daß Verunreinigung oder Staub um das Zielmaterial auftritt. Rückätz- und Sputterätztechniken resultieren in einem Anstieg der Zahl an Verfahrensschritten, die ferner in einer Abnahme des Durchsatzes oder der Herstellungsausbeuten resultieren. Auf der anderen Seite erfordert das Wiederfließbarmachen eine hohe Temperatur, die die Zuverlässigkeit der Aluminiumelektroden beeinträchtigt. Bei schräg geformten Elektroden ist es schwierig, eine gute Einheitlichkeit und Reproduzierbarkeit der schrägen Form zu erhalten, was Variationen des Widerstandswerts verursacht.
Wie vorstehend beschrieben, gibt es keine herkömmlichen Techniken, mit denen ein Schutzfilm hoher Qualität, anwendbar auf einen Tintenstrahlkopf, mit hoher Herstellungsausbeute gebildet werden kann.
In der US-A-45ß298 ist ein Tintenstrahldruckkopf mit einer Schutzschicht des Mehrfachschichttyps einschließlich einer Schicht aus Siliciumnitrid und einer Schicht aus Siliciumcarbid offenbart. Das Aufbringen der Schichten umfaßt plasmaverstärkte CVD unter Verwendung von Silan, das mit Ammoniak oder Methan vermischt ist.

Zusammenfassung der Erfindung

Angesichts des Vorstehenden ist die Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung die Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung eines Tintenstrahldruckkopfs mit guter Haltbarkeit, der unter Verwendung herkömmlicher Herstellungsverfahren hergestellt werden kann.
Weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung eines Tintenstrahldruckkopfs mit guter Stufenbedeckung, bei dem ein gutes thermisches Ansprechverhalten erfolgen kann.
Außerdem ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung die Bereitstellung eines Tintenstrahldruckkopfs, hergestellt durch die vorstehenden Herstellungsverfahren.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Druckvorrichtung unter Verwendung des vorstehenden Tintenstrahldruckkopfs.
Diese Aufgaben werden durch die vorliegende Erfindung gelöst, die in den beigefügten Ansprüchen definiert ist.

Kurzbeschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 ist eine schematische ebene Ansicht einer erfindungsgemäßen Heizplatte;
Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie X-Y in Fig. 1;
Fig. 3 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Heizabschnitt und seine Umgebung gemäß einer herkömmlichen Technik zeigt;
Fig. 4 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Heizabschnitt und seine Umgebung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht, die einen erfindungsgemäßen Tintenstrahldruckkopf zeigt; und
Fig. 6 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Druckvorrichtung mit einem Tintenstrahldruckkopf gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.

Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform

Unter Bezug auf die Figuren werden nachstehend die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben.
Fig. 1 ist ein schematisches Diagramm, das eine erfindungsgemäße Heizplatte zeigt, und Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie X-Y aus Fig. 1.
Eine Wärmespeicherschicht 102 wird auf einem Substrat 101 gebildet. Eine Wärmewiderstandsschicht 103 dient als elektrothermisches Energieumwandlungsbauteil, Elektroden 104 werden aufeinanderfolgend auf dem Substrat 101 gebildet. Der Abschnitt 201 der Wärmewiderstandsschicht 103, der nicht mit den Elektroden 104 bedeckt ist, wirkt als Heizabschnitt. Die in dem Heizabschnitt erzeugte thermische Energie wird zum Ausstoß der Flüssigkeitströpfchen verwendet. Das vorstehend beschriebene elektrothermische Energieumwandlungsbauteil bzw. Energiewandlerteil wird mit einer oberen Schutzschicht bedeckt. Die obere Schutzschicht umfaßt eine erste Schutzschicht 105 für die elektrische Isolierung zwischen der Tinte und dem elektrothermischen Energieumwandlungsbauteil, eine zweite Schutzschicht 106 zur Vermeidung der Beschädigung aufgrund von Hohlraumbildung, die auftritt, wenn Bläschen verschwinden, und eine dritte Schutzschicht 107 zur Vermeidung von chemischer Veränderung oder Korrosion aufgrund des Kontakts mit Tinte.
Bevorzugte Materialien für die vorstehenden Bauteile sind wie folgt: Silicium oder Aluminiumoxid für das Substrat; SiO&sub2;, Si&sub3;N&sub4; für die Wärmespeicherschicht (0,5 bis 5,0 um), HfB&sub2;, Ta&sub2;N für das elektrothermische Energieumwandlungsbauteil (Wärmewiderstandsschicht) (0,01 bis 0,5 um); Ti, Al für die Elektroden (0,1 bis 2 um); SiO&sub2;, Si&sub3;N&sub4; für die erste Schutzschicht (0,5 bis 2 um); Ta, Ti für die zweite Schutzschicht (0,1 bis 1,0 um); und lichtempfindliches Polyimid, lichtempfindliches Acryl für die dritte Schutzschicht.
Bei einer herkömmlich bekannten Technik wird die Schutzschicht für eine Heizplatte dieses Typs mittels Sputtern oder CVD gebildet, und es ist schwierig, einen Tintenstrahldruckkopf mit einer guten Stufenbedeckung, der ein gutes thermisches Ansprechverhalten erfüllen kann, mit einer hohen Herstellungsausbeute wie vorstehend beschrieben herzustellen. Im Gegensatz dazu wird bei der vorliegenden Erfindung eine CVD-Technik unter Verwendung einer organischen Siliciumverbindung als Ausgangsgas zur Bildung einer Schutzschicht verwendet. Gemäß dieser Technik der vorliegenden Erfindung ist es möglich, einen Film mit guter Stufenbedeckung, wie in Fig. 4 gezeigt, unter Verwendung von Verfahren zu bilden, die sehr ähnlich zu denen bei herkömm lichen Techniken sind, und es ist möglich, einen Tintenstrahldruckkopf mit einer hohen Herstellungsausbeute herzustellen.
Bei der erfindungsgemäßen CVD-Technik kann die organische Siliciumgruppe aus TEOS (Tetraethylorthosilicat), OMCTS (Octamethylcyclotetrasiloxan), TMOS (Tetramethoxysilan), TPOS (Tetrapropoxysilan), DADBS (Diacetoxyditertiärbutoxysilan), HMDS (Hexamethyldisiloxan), TMCTS (1,3,5,7-Tetramethylcyclotetrasiloxan), TMS (Tetramethylsilan) und TES (Triethylsilan) ausgewählt werden. Bei der erfindungsgemäßen CVD-Technik können entweder plasmaverstärkte CVD oder Atmosphärendruck-CVD erfolgreich verwendet werden, um einen Film mit hoher Qualität zu erhalten. Jedoch werden diese zwei CVD-Techniken bei unterschiedlichen Substrattemperaturen durchgeführt. Somit kann die Auswahl aus diesen zwei Techniken vom dem Gesichtspunkt der zur Bildung des gewünschten Elektrodenmaterials erforderlichen Substrattemperatur getroffen werden.
Die Reaktion der organischen Siliciumverbindung wird nachstehend mit TEOS als Beispiel beschrieben. Die Molekülformel von TEOS ist gegeben durch:
TEOS kann pyrolisiert werden, um einen wie nachstehend gezeigten Oxidfilm zu bilden:
Si (OC&sub2;H&sub5;)&sub4; → SiO&sub2; + 4C&sub2;H&sub4; + 2H&sub2;O
Während die Verwendung von organischem Silicium für die Anwendung in integrierten Halbleiterschaltkreisen untersucht wurde, ist jedoch der genaue Mechanismus der Reaktion des organischen Siliciums zur Filmbildung nicht bekannt. Ein Problem dieser Technik ist die schlechte Steuerbarkeit des Films. Da das Wachstum eines Films stark von dem darunter liegenden Material, der Geometrie des Musters und der Filmbildungstemperatur abhängt, ist es sehr schwierig, einen einheitlichen Film zu erhalten. Auf der anderen Seite gab es in anderen Gebieten als dem der integrierten Halbleiterschaltkreise sehr wenige Untersuchungen über die CVD- Technologie mit der organischen Siliciumverbindung. Unter Berücksichtigung der Tatsache, daß die Eigenschaften eines aufgebrachten Films stark von dem darunter liegenden Material oder dergleichen beeinflußt werden, ist es nicht möglich, sowohl die darunter liegenden Materialien für integrierte Halbleiterschaltkreise als auch die Materialien für andere Verwendungen als für integrierte Halbleiterschaltkreise auf derselben Grundlage zu diskutieren. Es kann angenommen werden, daß die Verwendung einer organischen Siliciumverbindung unterschiedliche Effekte hervorbringen wird, die inhärent in den Anwendungen sind, auf die diese Technologie angewendet wird.
Erfindungsgemäß wurde gefunden, daß, falls die CVD- Technik mit der organischen Siliciumquelle auf den Heizabschnitt eines Tintenstrahldruckkopfs angewendet wird, seine Haltbarkeit gegen den Tintenausstoß deutlich verbessert werden kann. Die durch CVD mit der organischen Siliciumverbindung gebildeten Filme haben eine gute Stufenbedeckung, und falls dieser Film als oberer Schutzfilm zur Bedeckung eines elektrothermischen Energieumwandlungsbauteils, das die für einen Tintenstrahldruckkopf erforderliche thermische Energie erzeugt, verwendet wird, wirkt dieser Film als hervorragender Schutzfilm. Die vorliegende Erfindung basiert auf diesem Wissen, das bei herkömmlichen Technologien überhaupt nicht bekannt war.
Falls die Substrattemperatur bei der Bildung des Films zu niedrig ist oder falls das Mengenverhältnis der organischen Siliciumverbindung in der rohen Gasmischung zu groß ist, wird die Haltbarkeit des Films gegen den Tintenausstoß schlecht.
Als Grund dafür kann verstanden werden, daß unter derartigen Bedingungen die organische Siliciumverbindung nicht ausreichend abreagieren kann und somit Si-OH-Bindungen in dem Film verbleiben. Um eine ausreichend gute Qualität als Schutzfilm für einen Tintenstrahldruckkopf zu erhalten, ist ein dichter Film, der bei hohen Temperaturen stabil ist, erforderlich. Falls der Film, wie vorstehend beschrieben, Si-OH-Bindungen beinhaltet, sind die Si-OH-Bindungen instabil, und somit neigt ein derartiger Film dazu, Beeinträchtigungen aufgrund von Alterungseffekten zu zeigen. Des weiteren neigt ein derartiger Film auch zur Porösität. Falls ein Schutzfilm für einen Tintenstrahldruckkopf durch die CVD- Technik unter Verwendung der auf organischem Silicium basierenden Quelle hergestellt wird, ist es deswegen erwünscht, einen Film zu bilden, der keine Si-OH-Bindungen beinhaltet. Insbesondere sind bevorzugte Bedingungen zum Erhalten eines derartigen Films wie folgt: bei der plasmaverstärkten CVD ist die Substrattemperatur während der Filmabscheidung größer oder gleich 100ºC, und die durch das Verhältnis H&sub2;O/organische Siliciumverbindung definierte Gasflußgeschwindigkeit ist größer oder gleich 0,01; und bei der Atmosphärendruck-CVD ist die Substrattemperatur während der Filmabscheidung größer oder gleich 350ºC und die durch das Verhältnis O&sub3;/organische Siliciumverbindung definierte Gasflußgeschwindigkeit ist größer oder gleich 0,01. Unter diesen Bedingungen ist es möglich, einen Schutzfilm zu erhalten, der im wesentlichen keine Si-OH-Bindungen beinhaltet.
Auf der anderen Seite, falls die Substrattemperatur zu hoch ist oder falls die Menge der organischen Siliciumverbindung zu groß relativ zu den anderen Gasen ist, wird die verbleibende Belastung des Films zu groß, was die Trennung des Films vom Substrat herbeiführt. Deswegen ist es wünschenswert, den Film unter den nachstehend beschriebenen Bedingungen zu bilden. D. h., bei der plasmaverstärkten CVD sollte die Substrattemperatur während der Filmabscheidung niedriger als 350ºC sein und die durch das Verhältnis H&sub2;O/organische Siliciumverbindung definierte Gasflußgeschwindigkeit sollte geringer als 1 sein, und bei der Atmosphärendruck-CVD sollte die Substrattemperatur während der Filmabscheidung kleiner als 600ºC sein und die durch das Verhältnis O&sub3;/organische Siliciumverbindung definierte Gasflußgeschwindigkeit sollte kleiner als 1 sein.
Bezüglich anderer als der vorstehend beschriebenen Bedingungen liegt bei der plasmaverstärkten CVD ein bevorzugter Gasdruck im Bereich von 13,3 bis 1330 Pa (0,1 bis 10 Torr), eine bevorzugte Substrattemperatur liegt im Bereich von 100ºC bis 350ºC und eine bevorzugte Ausstoßleistung liegt im Bereich von 0,5 kW bis 2 kW, und bei der Atmosphärendruck-CVD ist ein bevorzugter Gasdruck 1,01 · 10&sup5; Pa (760 Torr) und eine bevorzugte Substrattemperatur liegt im Bereich von 350ºC bis 600ºC. In jedem Fall liegt eine bevorzugte Abscheidungsgeschwindigkeit im Bereich von 0,01 um/min bis 0,1 um/min.
Die Anordnungen und Betriebsprinzipien typischer Tintenstrahldruckköpfe, auf die die vorliegende Erfindung anwendbar ist, sind beispielsweise in den U.S.- Patentschriften Nr. 4723129 und 4740796 offenbart, und die vorliegende Erfindung kann vorteilhaft auf solche Tintenstrahldruckköpfe angewendet werden, die auf den dort offenbarten Prinzipien basieren. Die Drucktechnik kann entweder auf den On-Demand-Typ oder den kontinuierlichen Typ anwendbar sein.
Die Drucktechnik wird nachstehend kurz beschrieben. Ein elektrothermisches Energieumwandlungsbauteil wird an einer geeigneten Position bezüglich eines Flüssigkeit(Tinte)- haltenden Blatts und eines Flüssigkeitsflußwegs angebracht. Mindestens ein Steuerungssignal entsprechend der zu druckenden Information wird an das elektrothermische Energieumwandlungsbauteil zur Erzeugung hoher thermischer Energie angelegt, um die Temperatur schnell genug zu erhöhen, so daß Kernsieden übertreffendes Filmsieden auf der Heizplatte des Druckkopfs auftreten kann. Diese Technik ist insbesondere für das On-Demand-Drucken geeignet, weil es möglich ist, Bläschen von der Flüssigkeit (Tinte) unter Aufrechterhaltung der Eins-zu-Eins-Entsprechung zwischen dem Bläschen und dem an das elektrothermische Energieumwandlungsbauteil angelegten Steuerungssignal zu erzeugen. Mittels Wachstum und Eliminierung der Bläschen wird die Flüssigkeit (Tinte) durch eine Ausstoßöffnung ausgestossen und mindestens ein Bläschen wird erzeugt. Falls ein Pulssignal als Steuerungssignal verwendet wird, wird es dann möglich, ein Bläschen unmittelbar wachsen zu lassen oder zu eliminieren. Somit ist die Verwendung des Pulssignals stärker bevorzugt, da es möglich ist, ein schnelles Ansprechen beim Ausstoß der Flüssigkeit (Tinte) zu erreichen. Das Steuerungssignal mit einer bevorzugten Pulsform ist in den U.S-Patentschriften Nr. 4463359 und 4345262 offenbart. Falls des weiteren die mit der Temperaturanstiegsgeschwindigkeit an der Heizplatte verbundenen Bedingungen verwendet werden, offenbart in der U.S.- Patentschrift Nr. 4313124, wird es dann möglich, einen Druck mit höherer Qualität zu erreichen.
Zusätzlich zu den Druckköpfen mit der Anordnung einer Kombination aus Ausstoßöffnung, Flüssigkeitsflußweg und elektrothermischem Energieumwandlungsbauteil (gerader Flüssigkeitsflußweg oder rechtwinkliger Flüssigkeitsflußweg), die in den vorstehend zitierten U.S.-Patentschriften offenbart sind, kann die vorliegende Erfindung ebenfalls auf einen Druckkopf mit einer solchen Anordnung angewendet werden, bei der der Heizabschnitt in dem gekrümmten Bereich, wie in der U.S.-Patentschrift Nr. 4459600 offenbart, angeordnet ist.
Des weiteren ist die vorliegende Erfindung ebenfalls nützlich bei der Anwendung auf eine derartige Anordnung, bei der ein Spalt als Ausstoßöffnung für die herkömmliche Verwendung für eine Vielzahl von elektrothermischen Energieumwandlungsbauteilen, wie in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. 59-123670 offenbart, bereitgestellt wird, und auf die Anordnung, bei der die Öffnung, die die Druckwelle aufgrund der thermischen Energie absorbiert, entsprechend dem Ausstoßabschnitt, wie in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. 59-138461 offenbart, bereitgestellt wird.
Außerdem kann die vorliegende Erfindung ebenfalls auf einen Druckkopf des Vollzeilentyps angewendet werden, der eine Länge entsprechend der maximalen Druckbreite eines Druckmediums hat. Der Druckkopf des Vollzeilentyps kann mit einer Vielzahl an Druckköpfen der in den vorstehend zitierten Patentschriften offenbarten Typen ausgestattet sein, oder kann alternativ auch mit einem einstückig gebildeten Vollzeilendruckkopf ausgestattet sein.
Zusätzlich kann die vorliegende Erfindung auch auf einen Druckkopf des austauschbaren Stück-Typs angewendet werden, der durch Anbringen an den Hauptabschnitt einer Druckvorrichtung verwendet wird, so daß erforderliche elektrische Verbindungen oder die Zuführung der Tinte von dem Hauptabschnitt erreicht werden können. Die vorliegende Erfindung kann ebenfalls auf einen einstückig gebildeten Druckkopf des Kartuschentyps angewendet werden.
Eine erfindungsgemäße Druckvorrichtung kann stärker bevorzugt werden, falls eine Wiedergewinnungseinrichtung für den Druckkopf oder andere Hilfs- oder vorbereitende Einrichtungen zugefügt werden, um eine stabilere Verwendung zu erreichen. Insbesondere schließen derartige Einrichtungen zum Erreichen besseren Druckens eine Abdeckeinrichtung zum Abdecken eines Druckkopfs, eine Reinigungseinrichtung, eine Hochdruck- oder Saugeinrichtung, eine Vorheizeinrichtung unter Verwendung des elektrothermischen Energieumwandlungsbauteils oder eines Heizbauteils, getrennt von dem elektrothermischen Energieumwandlungsbauteil bereitgestellt, oder eine Kombination von diesen, und eine Vorausstoßeinrichtung zur Ausführung des Austosses in einem Voraustoßmodus zusätzlich zu einem Druckmodus ein.
Des weiteren kann die vorliegende Erfindung auch mit äußerstem Vorteil auf eine Druckvorrichtung angewendet werden, die einen Druckkopf in einstückiger Form oder eine Kombination einer Vielzahl von Druckköpfen zum Erreichen von mehrfachfarbigem oder gemischtfarbigem Druck zusätzlich zu einfarbigem Druck wie schwarz besitzt.
Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen wurde die Tinte als flüssig beschrieben. Jedoch kann nach der vorliegenden Erfindung auch eine derartige Tinte verwendet werden, die bei Raumtemperatur fest ist, oder eine Tinte, die bei Raumtemperatur erweicht werden kann. Bei einer Tintenstrahldruckvorrichtung ist es am üblichsten, daß die Tinte geregelt wird, eine geeignete Temperatur im Bereich von 30ºC bis 70ºC aufrechtzuerhalten, so daß die Tinte eine geeignete Viskosität besitzen kann, mit der ein stabiler Ausstoß gewährleistet werden kann. Deswegen können irgendwelche Typen von Tinten verwendet werden, so lange die Tinte flüssig werden kann, wenn sie beim tatsächlichen Drucken verwendet wird.
Des weiteren kann die bei Raumtemperatur feste Tinte darin bevorzugt sein, daß die Tinte einen übermäßigen Anstieg der Temperatur eines Kopfes oder der Tinte selber vermeiden kann, indem die thermische Energie wirksam für den Wechsel der Tinte von einem festen Zustand in einen flüssigen Zustand verwendet wird. Die Tinte, die fest wird, wenn sie nicht verwendet wird, kann ebenfalls nützlich sein, da die Verdampfung der Tinte wirksam verhindert werden kann. Die Tinte, die mittels thermischer Energie flüssig wird, wie die Tinte, die flüssig wird, wenn thermische Energie entsprechend dem Drucksignal an die Tinte angelegt wird, und somit ausgestoßen wird, oder die Tinte, die anfängt fest zu werden, bevor die Tinte bei einem Druckmedium ankommt, kann ebenfalls nach der vorliegenden Erfindung verwendet werden.
Die Tinte kann ebenfalls in einer solchen Weise verwendet werden, daß die Tinte in festem oder flüssigem Zustand in der Aussparung oder dem Durchgangsloch in einem porösen Blattmaterial an einer Position entgegengesetzt des elektrothermische Energieumwandlungsbauteils gehalten wird, wie in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. 54- 56847 offenbart ist.
Für jeden vorstehend beschriebenen Typ der Tinte ist die Filmsiedetechnik erfindungsgemäß die am meisten bevorzugte Technik.
Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Tintenstrahldruckkopf zeigt, auf den die vorliegende Erfindung angewendet werden kann. In Fig. 5 bezeichnet das Bezugszeichen 11 einen Heizabschnitt (auch als Wärmeerzeugungsbauteil bezeichnet), umfassend ein elektrothermisches Energieumwandlungsbauteil, das die thermische Energie entsprechend dem angelegten elektrischen Signal erzeugt und somit ein Bläschen in der Tinte erzeugt. Somit wird die Tinte ausgestossen. Das Bezugszeichen 12 bezeichnet ein Substrat (auch als Heizplatte bezeichnet), auf dem die Heizabschnitte 11 durch Herstellungsverfahren ähnlich zu denen bei der Halbleiterherstellung verwendeten gebildet werden. Das Bezugszeichen 13 bezeichnet eine Ausstoßöffnung (auch als Öffnung bezeichnet) und das Bezugszeichen 14 bezeichnet einen Tintenflußweg (auch als Düse bezeichnet), der sich bis zur Ausstoßöffnung 13 erstreckt. Das Bezugszeichen 15 bezeichnet ein Tintenflußweg-bildendes Bauteil zur Bildung der Ausstoßöffnung 13 und zur Bildung des Tintenflußwegs 14.
In Fig. 5 ist auch eine obere Platte 16 und ein gemeinsamer Tintenraum 17 gezeigt, der mit jedem Tintenflußweg 14 verbunden ist. Der Tintenraum 17 speichert die von einer Tintenzuführquelle (nicht gezeigt) zugeführte Tinte, In diesem Beispiel sind die obere Platte und das Tintenflußwegbildende Bauteil als getrennte Bauteile gebildet. Diese Bauteile können jedoch auch einstückig unter Verwendung eines thermoplastischen Materials wie Polysulfon gebildet werden. Des weiteren kann auch eine Öffnungsplatte an dem Öffnungsabschnitt angebracht werden.
Fig. 6 ist eine perspektivische Ansicht, die die Grundzüge eines Beispiels einer Tintenstrahldruckvorrichtung mit einer Tintenstrahldruckkopfkartusche (IJC, ink-jet head cartridge) gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
In Fig. 6 bezeichnet das Bezugszeichen 20 eine Tintenstrahldruckkopfkartusche (IJC) mit einem Satz von Düsen zum Ausstoß der Tinte auf ein auf eine Andruckplatte 24 gefördertes Aufzeichnungsmedium oder Druckblatt. Das Bezugszeichen 16 bezeichnet einen Trägerwagen HC (holding carriage) zum Tragen der IJC 20. Der Trägerwagen 16 ist mit dem Abschnitt eines Antriebsriemen 18 verbunden, der zur Übertragung der Antriebskraft eines Antriebsmotors 17 verwendet wird. Der Trägerwagen 16 kann wechselseitig über die ganze Breite des Druckblatts durch Gleiten entlang zweier Führungskolben 19A und 19B, die parallel zueinander angebracht sind, bewegt werden.
Das Bezugszeichen 26 bezeichnet eine Kopfwiedergewinnungsvorrichtung, die an einem Ende des Bewegungsverlaufs der IJC 20 angebracht ist, beispielsweise an einer Position gegenüber der Ausgangsposition. Die Kopfwiedergewinnungsvorrichtung 26 wird so bewegt, daß sie die IJC 20 durch die Kraft des Motors 22, übertragen über einen Übertragungsmechanismus 23, abdeckt. In Verbindung mit dem Abdecken der IJC 20 durch ein Abdeckstück 26A der Kopfwiedergewinnungs vorrichtung 26 wird Tinte durch eine geeignete Saugeinrichtung, die in der Kopfwiedergewinnungsvorrichtung 26 angebracht ist, angesaugt und durch eine geeignete Druckvorrichtung, die in dem Tintenzuführweg zu der IJC 20 angebracht ist, Druck ausgeübt, so daß die Tinte zwangsweise aus der Ausstoßöffnung ausgelassen wird, um den Ausstoßwiedergewinnungsvorgang auszuführen, wie dem Entfernen von Tinte mit erhöhter Viskosität in der Düse. Zusätzlich wird die IJC 20 durch Abdecken geschützt, wenn die Aufzeichnung beendet ist.
Das Bezugszeichen 30 bezeichnet ein Wischbauteil oder eine Klinge, hergestellt aus Silicongummi, angebracht auf der Seite der Kopfwiedergewinnungsvorrichtung 26. Die Klinge 31 ist an die Kopfwiedergewinnungsvorrichtung 26 mit einem Klingenhalter 31A, der die Form eines einseitigen Auslegers hat, fixiert. Wie im Fall der Kopfwiedergewinnungsvorrichtung 26 wird die Klinge 31 auch durch den Motor 22 und den Übertragungsmechanismus 23 betrieben, um mit der Ausstoßöffnungsoberfläche der IJC 20 in Kontakt zu kommen. Durch diese Anordnung wird die Klinge 31 zu einem geeigneten Zeitpunkt bei der Aufzeichnungsoperation der IJC 20 oder nach dem Ausstoßwiedergewinnungsvorgang durch die Kopfwiedergewinnungsvorrichtung 26 in den Bewegungsverlauf der IJC 20 augestossen, so daß die Wischklinge 31 den Staub, Feuchtigkeitskondensation, feuchte Verunreinigung und dergleichen auf der Ausstoßöffnungsoberfläche der IJC 20 in Übereinstimmung mit der Bewegung der IJC 20 wegwischt.

Veranschaulichende Beispiele

Erfindungsgemäße veranschaulichende Beispiele werden nachstehend beschrieben.

Beispiele 1.1 bis 1.5, 2.1 bis 2.5

Zunächst wird eine 2,0 um dicke SiO&sub2;-Schicht, zu verwenden als Wärmespeicherschicht 102, auf einem Siliciumsubstrat 101 gebildet. Dann wird eine 0,1 um dicke HfB&sub2;- Schicht, zu verwenden als Wärmewiderstandsschicht 103, durch Sputtern abgeschieden. Des weiteren werden als Elektroden schicht 104 eine 0,005 um dicke Ti-Schicht und dann eine 0,6 um dicke Al-Schicht nacheinander mittels Verdampfung aufgebracht. Dann wird ein als Heizabschnitt 201 dienendes Schaltkreismuster, wie das in Fig. 1 gezeigte, auf einem Bereich von 30 um · 150 um mittels Photolithographie gebildet. Eine 0,6 um dicke SiO&sub2;-Schicht, die als erste Schutzschicht 105 dient, wird mittels plasmaverstärkter CVD unter Verwendung der in Tabelle 1 gezeigten Rohgase unter den ebenfalls in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen abgeschieden. Des weiteren wird eine 0,5 um dicke Ta-Schicht, die als zweite Schutzschicht dient, durch Sputtern gebildet und dann werden solche wie in Fig. 1 gezeigte stabförmige Muster in der Ta-Schicht mittels Photolithographie gebildet. Dann wird eine lichtempfindliche Polyimidschicht, die als dritte Schutzschicht 107 dient, beschichtet, um solche wie in Fig. 1 gezeigten Muster zu bilden. Auf diese Weise wird eine Heizplatte vervollständigt. Um einen vollständigen Tintenstrahldruckkopf zu erhalten, wird eine obere Platte, die Rillen mit Polysulfon umfassenden Öffnungsklingen hat, in der eine Vertiefung zur Bildung des Tintenflußwegs und dem gemeinsamen Flüssigkeitsraum einstückig mittels Spritzguß gebildet wird, mit der Heizplatte verbunden. Tabelle 1

Beispiele 1.6 bis 1.10, 2.6 bis 2.10

Zunächst wird eine 2,0 um dicke SiO&sub2;-Schicht, zu verwenden als Wärmespeicherschicht 102, auf einem Siliciumsubstrat 101 gebildet. Dann wird eine 0,1 um dicke HfB&sub2;- Schicht, zu verwenden als Wärmewiderstandsschicht 103, durch Sputtern abgeschieden. Des weiteren werden als Elektrodenschicht eine 0,005 um dicke Ti-Schicht und dann eine 0,6 um dicke Al-Cu-Schicht nacheinander mittels Verdampfung aufgebracht. Dann wird ein als Heizabschnitt 201 dienendes Schaltkreismuster, wie das in Fig. 1 gezeigte, auf einem Bereich von 30 um · 150 um mittels Photolithographie gebildet. Eine 0,6 um dicke SiO&sub2;-Schicht, die als erste Schutzschicht 105 dient, wird mittels chemischer Dampfabscheidung bei Atmosphärendruck unter Verwendung der in Tabelle 1 gezeigten Rohgase unter den ebenfalls in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen abgeschieden. Des weiteren wird eine 0,5 um dicke Ta-Schicht, die als zweite Schutzschicht 106 dient, durch Sputtern gebildet und dann werden solche wie in Fig. 1 gezeigte stabförmige Muster in der Ta-Schicht mittels Photolithographie gebildet. Dann wird eine lichtempfindliche Polyimidschicht, die als dritte Schutzschicht 107 dient, beschichtet, um solche wie in Fig. 1 gezeigten Muster zu bilden. Auf diese Weise wird eine Heizplatte vervollständigt. Um einen vollständigen Tintenstrahldruckkopf zu erhalten, wird eine obere Platte, die Rillen mit Polysulfon umfassenden Öffnungsklingen hat, in der eine Vertiefung zur Bildung des Tintenflußwegs und dem gemeinsamen Flüssigkeitsraum einstückig mittels Spritzguß gebildet wird, mit der Heizplatte verbunden.

Vergleichsbeispiele

In diesem Fall wurde die erste Schutzschicht 105 aus SiO&sub2; mittels plasmaverstärkter CVD unter Verwendung der in Tabelle 1 gezeigten Rohgase unter den ebenfalls in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen gebildet. Die Dicken der Schicht sind 0,6 um für das Vergleichsbeispiel 1 (Tabelle 2) und 2,0 um für das Vergleichsbeispiel 2 (Tabelle 2). Die Tintenstrahldruckköpfe wurden bis auf die erste Schutzschicht auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1.1 vervollständigt.
Die Stufenbedeckung für die Schutzschichten über die Elektroden in der Nähe der Heizer wurden für diese Köpfe bewertet. Die Filmqualität in den Stufenbereichen wurde durch Überprüfung bewertet, nachdem der Film weichgeätzt wurde. Nahezu kein Ätzen wurde in den Stufenbereichen für alle Filme der Beispiele 1.1 bis 1.10 und 2.1 bis 2.10 beobachtet, was bedeutet, daß die Filmqualität dieser Filme hervorragend ist. Im Gegensatz dazu wurden die Stufenbereiche in dem Film des Vergleichsbeispiels 1 aufgrund des Weichätzens entfernt. Der Film des Vergleichsbeispiels 2 wurde ebenfalls geätzt, obwohl die Stufenbereiche erhalten blieben. Es wurde gefunden, daß die durch herkömmliche Techniken hergestellten Filme keine gute Qualität hatten.
Für diese Tintenstrahldruckköpfe wurde der Ausstoßhaltbarkeitstest durchgeführt.
Die Testbedingungen waren wie folgt: die Ansteuerfrequenz betrug 3 kHz, die Pulsbreite betrug 10 us, die Steuerspannung war 1,2 mal größer als die Schaumspannung. Die Signale von 5 · 10&sup7; und 1 · 10&sup9; Pulsen wurden angelegt. Der Test wurde auf 500 Bits für jeden Kopf durchgeführt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt.
Falls keine Unterbrechung in einem Kopf beobachtet wurde, nachdem die 5 · 10&sup7; Pulse angelegt wurden, dann zeigt der Kopf eine ausreichende Haltbarkeit für die allgemeine Verwendung in einem Drucker. Falls keine Unterbrechung in einem Kopf beobachtet wurde, nachdem die 1 · 10&sup9; Pulse angelegt wurden, dann hat der Kopf eine ausreichend hohe Qualität, was für die extrem häufige Verwendung insbesondere wie beim Drucken von Bildinformation verwendet werden kann.
Wie in Tabelle 2 gezeigt, wurde selbst nach dem Anlegen von 1 · 10&sup9; Pulse keine Unterbrechung für irgendeinen der Köpfe der Beispiele 1.1 bis 1.3, 1.6 bis 1.8, 2.1 bis 2.3 und 2.6 bis 2.8 beobachtet, was bedeutet, daß diese Köpfe eine hervorragende Haltbarkeit besitzen. Die Beispiele 1.4 und 1.5, 1.9 und 1.10, 2.4 und 2.5 und 2.9 und 2.10 zeigten keine Unterbrechung, nachdem 5 · 10&sup7; Pulse angelegt wurden, jedoch wurden Unterbrechungen beobachtet, nachdem 1 · 10&sup9; Pulse angelegt wurden. Dies liegt wahrscheinlich daran, daß die Filme der Beispiele 1.5, 1.9, 2.9 und 2.10 einige Si-OH- Bindungen enthielten. Es kann ebenfalls verstanden werden, daß das Fehlverhalten der Beispiele 1.4, 1.10, 2.4 und 2.5 aufgrund der großen Restbelastung auftrat. Auf der anderen Seite wurden für beide Vergleichsbeispiele 1 und 2 in den beiden Fällen von 5 · 10&sup7; Pulsen und 1 · 10&sup9; Pulsen Unterbrechungen beobachtet.
Folglich besitzen die Tintenstrahldruckköpfe mit der durch CVD unter Verwendung von organischem Silicium als Ausgangsgas hergestellten oberen Schutzschicht eine hohe Leistungsfähigkeit hinsichtlich der Ausstoßhaltbarkeit und des thermischen Ansprechverhaltens. Tabelle 2
0 keine Unterbrechung x Unterbrechung

Claims

1. Tintenstrahldruckkopf, umfassend einen Heizabschnitt, der mit einer Flüssigkeitssausstoßöffnung verbunden ist, ein elektrothermisches Energieumwandlungsbauteil zur Erzeugung thermischer Energie und eine obere Schutzschicht mit einer Mehrfachschichtstruktur, wobei der Heizabschnitt die thermische Energie so an die Flüssigkeit anlegt, daß ein Bläschen in der Flüssigkeit erzeugt wird, und wobei eine erste Schutzschicht, die die unterste Schicht det Mehrfachschichtstruktur ist, ein Film ist, der mittels chemischer Dampfabscheidung unter Verwendung einer organischen Siliciumverbindung als Ausgangsmaterial gebildet wurde.

2. Tintenstrahldruckkopf nach Anspruch 1, wobei die organische Siliciumverbindung Tetraethylorthosilicat (TEOS), Octamethylcyclotetrasiloxan (OMCTS), Tetramethoxysilan (TMOS), Tetrapropoxysilan (TPOS), Diacetoxyditertiärbutoxysilan (DADBS), Hexamethyldisiloxan (HMDS), 1,3,5,7- Tetramethylcyclotetrasiloxan (TMCTS), Tetramethylsilan (TMS) oder Triethylsilan (TES) ist.

3. Tintenstrahldruckkopf nach Anspruch 2, wobei der mittels chemischer Dampfabscheidung hergestellte Film ein Siliciumoxidfilm ist.

4. Tintenstrahldruckkopf nach Anspruch 3, wobei der Siliciumoxidfilm im wesentlichen keine Si-OH-Bindungen enthält.

5. Tintenstrahldruckkopf nach Anspruch 1, wobei der Kopf ein Kopf des Vollzeilentyps mit einer Vielzahl von Ausstoßöff nungen ist, die entlang des Abschnitts entsprechend der vollen Breite eines Druckmediums angebracht sind.

6. Tintenstrahldruckvorrichtung, umfassend mindestens einen Tintenstrahldruckkopf nach Anspruch 1, der derart angeordnet ist, daß eine Tintenausstoßöffnung sich entgegengesetzt einer Druckebene eines Druckmediums befindet, und Bauteile zum Anbringen des Kopfs.

7. Verfahren zur Herstellung eines Tintenstrahldruckkopfs, umfassend einen Heizabschnitt, der mit einer Flüssigkeitsausstoßöffnung verbunden ist, ein elektrothermisches Energieumwandlungsbauteil zur Erzeugung thermischer Energie und eine obere Schutzschicht mit einer Mehrfachschichtstruktur, wobei die thermische Energie durch den Heizabschnitt derart an die Flüssigkeit angelegt wird, daß ein Bläschen in der Flüssigkeit erzeugt wird, wobei das Verfahren den Schritt der Bildung einer ersten Schutzschicht der Mehrfachschichtstruktur mittels chemischer Dampfabscheidung unter Verwendung von eine organischen Siliciumverbindung einschließenden Ausgangsgasen nach dem Bilden des Heizabschnitts mit einem Schaltkreismuster mittels Photolithographie einschließt.

8. Verfahren zur Herstellung eines Tintenstrahldruckkopfs nach Anspruch 7, wobei die organische Siliciumverbindung Tetraethylorthosilicat (TEOS), Octamethylcyclotetrasiloxan (OMCTS), Tetramethoxysilan (TMOS), Tetrapropoxysilan (TPOS), Diacetoxyditertiärbutoxysilan (DADBS), Hexamethyldisiloxan (HMDS), 1,3,5,7-Tetramethylcyclotetrasiloxan (TMCTS), Tetramethylsilan (TMS) oder Triethylsilan (TES) ist.

9. Verfahren zur Herstellung eines Tintenstrahldruckkopfs nach Anspruch 8, wobei die chemische Dampfabscheidung plasmaverstärkte Dampfabscheidung ist.

10. Verfahren zur Herstellung eines Tintenstrahldruckkopfs nach Anspruch 8, wobei die chemische Dampfabscheidung chemische Dampfabscheidung unter Atmosphärendruck ist.

11. Verfahren zur Herstellung eines Tintenstrahldruckkopfs nach Anspruch 9, wobei die plasmaverstärkte chemische Dampfabscheidung unter den Bedingungen durchgeführt wird, bei denen die Substrattemperatur während der Filmabscheidung im Bereich von 100ºC bis 350ºC liegt und das Verhältnis der organische Siliciumverbindung in den Ausgangsgasen als Flußgeschwindigkeit von H&sub2;O/organischer Siliciumverbindung im Bereich von 0,01 bis 1 liegt.

12. Verfahren zur Herstellung eines Tintenstrahldruckkopfs nach Anspruch 10, wobei die chemische Dampfabscheidung unter Atmosphärendruck unter den Bedingungen durchgeführt wird, bei denen die Substrattemperatur während der Filmabscheidung im Bereich von 350ºC bis 600ºC liegt und das Verhältnis der organische Siliciumverbindung in den Ausgangsgasen als Flußgeschwindigkeit von O&sub3;/organischer Siliciumverbindung im Bereich von 0,01 bis 1 liegt.