DE69205333T2

DE69205333T2 - Substrat mit aktiver Matrix.

Info

Publication number: DE69205333T2
Application number: DE69205333T
Authority: DE
Inventors: Toshiaki Fujihara; Hiroshi Fujiki; Akihiko Imaya; Yuzuru Kanemori; Mikio Katayama; Hiroaki Kato; Takayoshi Nagayasu
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1991-05-15
Filing date: 1992-05-15
Publication date: 1996-04-25
Anticipated expiration: 2012-05-16
Also published as: KR920022027A; KR970004884B1; US5302987A; EP0514218A2; EP0514218B1; EP0514218A3; DE69205333D1

Description

Die Erfindung betrifft ein Aktivmatrixsubstrat zur Verwendung in einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung und dergleichen, insbesondere ein Aktivmatrixsubstrat, das in Kombination mit einem zugewandten Substrat mit einer darauf befindlichen Gegenelektrode und einem zwischen das Aktivmatrixsubstrat und das zugewandte Substrat eingefügten Anzeigemedium wie einem Flüssigkristall verwendet wird.
Herkömmlicherweise wird in einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung (nachfolgend als "LCD-Vorrichtung" bezeichnet), einer EL(Elektrolumineszenz)-Anzeigevorrichtung, einer Plasmaanzeigevorrichtung und dergleichen ein Anzeigemuster in einer Anzeigeebene dadurch erzeugt, daß in einer Matrix angeordnete Anzeigepixel selektiv angesteuert werden. Als System zum selektiven Ansteuern von Anzeigepixeln ist ein Aktivmatrix-Ansteuersystem bekannt, gemäß dem jede unabhängige Pixelelektrode mit einer Schaltvorrichtung verbunden ist. Das Aktivmatrix-Ansteuersystem, das Anzeige mit hohem Kontrast ermöglicht, wird bei Flüssigkristallfernsehern, Textprozessoren, Computern und dergleichen verwendet.
Als Schaltvorrichtung zum selektiven Ansteuern von Pixelelektroden wird im allgemeinen ein TFT (Dünnfilmtransistor), ein MIM (Metall-Isolator-Metall)-Bauelement, ein MOS (Metalloxid-Halbleiter)-Transistor, eine Diode, ein Varistor und dergleichen verwendet. Eine derartige Schaltvorrichtung wird dazu verwendet, ein visuell erkennbares Anzeigemedium wie einen Flüssigkristall, einen EL-Emitter, einen Plasmaemitter und dergleichen optisch zu modulieren, um dadurch ein visuell erkennbares Anzeigemuster in einer Anzeigeebene zu erzeugen.
Fig. 11 ist eine Draufsicht auf ein herkömmliches Aktivmatrixsubstrat unter Verwendung eines TFT aus amorphem Silicium (nachfolgend als "a-Si" bezeichnet) mit einer umgekehrten Stapelstruktur als Schaltvorrichtung. In Fig. 11 verfügt ein aus Glas oder dergleichen bestehendes transparentes, isolierendes Substrat 101 über mehrere im wesentlichen parallel angeordnete Gatebusleitungen 121 sowie mehrere im wesentlichen parallel angeordnete Sourcebusleitungen 122. Die Gatebusleitungen 121 und die Sourcebusleitungen 122 verlaufen rechtwinklig zueinander. Ein rechteckiger Bereich, wie er durch zwei benachbarte Gatebusleitungen 121 und zwei benachbarte Sourcebusleitungen 122 festgelegt wird, verfügt über eine in ihm ausgebildete Pixelelektrode 140. Jede Pixelelektrode 140 ist mit einem TFT 131a verbunden, der an der Hinterseite eines Endabschnitts der Pixelelektrode 140 über eine Drainelektrode 133a verfügt. Der TFT 131a verfügt auch über eine Sourceelektrode und eine Gatelektrode. Die Sourceelektrode wird von einer Sourcebus-Zweigleitung 122a gebildet, die von der Sourcebusleitung 122 abzweigt, und die Gatelektrode wird durch einen Abschnitt 121a der Gatebusleitung 121 gebildet. Anders gesagt, ist der TFT 131a mit einer der zwei Gatebusleitungen 121 und einer der zwei Sourcebusleitungen 122 verbunden.
Fig. 12 zeigt ein anderes herkömmliches Aktivmatrixsubstrat unter Verwendung eines TFT als Schaltvorrichtung. Die Gatebusleitung 121 verfügt über eine von ihr abzweigende Gatebus-Zweigleitung 121b, und der Endabschnitt der Gatebus- Zweigleitung 121b bildet die Gateelektrode des TFT 131a. Die Sourcebusleitung 122 verfügt über einen vorspringenden Abschnitt 122a, der die Sourceelektrode des TFT 131a bildet. Die Drainelektrode 133a des TFT 131a ist an der Hinterseite eines Endabschnitts der Pixelelektrode 140 vorhanden.
Fig. 13 zeigt noch ein anderes herkömmliches Aktivmatrixsubstrat, bei dem jede Pixelelektrode 140 mit zwei TFTs 131b und 131c verbunden ist, von denen jeder identischen Aufbau wie der TFT 131a von Fig. 11 aufweist. Eine Drainelektrode 133b des TFT 131b sowie eine Drainelektrode 133c des TFT 131c sind beide an der Hinterseite von Endabschnitten der Pixelelektrode 140 vorhanden.
Fig. 14 zeigt noch ein anderes herkömmliches Aktivmatrixsubstrat, in dem jede Pixelelektrode mit zwei TFTs 131b und 131c verbunden ist, die identische Struktur wie der in Fig. 12 dargestellte TFT aufweisen. Eine Drainelektrode 133b des TFT 131b und eine Drainelektrode 133c des TFT 131c sind beide an der Hinterseite von Endabschnitten der Pixelelektrode 140 vorhanden.
Fig. 3b ist eine vergrößerte Draufsicht auf einen Anschlußabschnitt der Aktivmatrixsubstrate der Fig. 11 und 12, und Fig. 7b ist eine vergrößerte Draufsicht auf einen Anschlußabschnitt der Aktivmatrixsubstrate der Fig. 13 und 14. In Fig. 3b überlappt der Endabschnitt der Pixelelektrode 140 die Drainelektrode 133a. In Fig. 7b überlappen die Endabschnitte der Pixelelektrode die Drainelektroden 133b und 133c. Es ist bekannt, daß bei derartigen Aktivmatrixsubstraten die folgenden Schwierigkeiten bestehen.
(1) Es ist möglich, daß ein Teil eines gestuften Abschnitts der Pixelelektrode (der gestufte Abschnitt ist in den Fig. 3b und 7b schraffiert), die in einem Endabschnitt der Drainelektrode ausgebildet ist, in unerwünschter Weise dünner ist als der andere Teil, wie es in Fig. 15b dargestellt ist. In Fig. 15a, die die die Drainelektrode in zufriedenstellendem Zustand überlappende Pixelelektrode zeigt, hat der gestufte Teil dieselbe Dicke wie der andere Teil. Es besteht die Tendenz, daß der in Fig. 15b dargestellte unerwünschte Überlappungszustand dann auftritt, wenn eine Endfläche der Drainelektrode stark geneigt ist oder der Endabschnitt der Drainelektrode anomale Form aufweist (z.B. weist seine Kante einen nach oben gehenden Vorsprung auf oder die Endfläche ist rauh). Ein derartiger unerwünschter Überlappungszustand des gestuften Abschnitts führt zu erhöhtem Widerstand desselben und möglicherweise zu Leitungsausfall.
(2) Wenn die Pixelelektrode 140 durch Photolithographie hergestellt wird, korrodiert Ätzflüssigkeit möglicherweise den gestuften Abschnitt der Pixelelektrode 140 sowie die Drainelektrode 133a (oder 133b und 133c). Derartige Korrosion tritt auf, da ein auf dem Pixelelektrodenmaterial zum Erhalten der Pixelelektrode 140 mit gewünschtem Muster ausgebildeter Photoresistfilm im allgemeinen an Ecken d und e (oder f, g, h und i) mit schlechterem Zustand als in den anderen Bereichen auf dem Pixelelektrodenmaterial anhaftet. Wenn der gesamte gestufte Abschnitt korrodiert, werden die Drainelektrode 133a (oder 133b und 133c) und die Pixelelektrode 140 elektrisch voneinander getrennt, wodurch ein Leitungsausfall auftritt.
Wenn ein Leitungsaufall auftritt, wird die Pixelelektrode 140 nicht mit Strom vom TFT 131a (oder 131b und 131c) versorgt. Demgemäß wird an den zwischen der Pixelelektrode 140 und der Gegenelektrode eingefügten Flüssigkristall eine zur Anzeige ausreichende Spannung angelegt. Ein solcher Effekt, der bei einer Anzeigevorrichtung als Punktdefekt erkannt wird, verringert die Herstellausbeute. Wenn ein derartiger Effekt innerhalb einer großen Fläche auftritt, wird eine große Anzahl von Punktdefekten in der Anzeigevorrichtung erzeugt, was zu einer entscheidenden Verringerung der Herstellausbeute führt.
Um die vorstehend genannte Schwierigkeit zu überwinden, ist es bekannt, zwei TFTs an jede Pixelelektrode anzuschließen, wie es in den Fig. 13 und 14 dargestellt ist. In einem derartigen Aktivmatrixsubstrat arbeitet selbst dann, wenn ein Leitungsausfall zwischen einem der TFTs und der Pixelelektrode 140 wegen einer Verunreinigung durch Fremdgegenstände oder wegen fehlerhafter Musterbildung des Photoresistfilms auftritt, der andere TFT normal. Demgemäß kann die Wahrscheinlichkeit, daß ein Punktfehler auftritt, in den Aktivmatrixsubstraten der Fig. 11 und 12 verringert werden.
Jedoch tritt es selten auf, daß ein Leitungsausfall in einem der TFTs aufgrund des vorstehend genannten unerwünschten Überlappungszustands oder durch Korrosion, hervorgerufen beim Photolithographieprozeß, auftritt, während der andere TFT normal arbeitet, da beide benachbarte TFTs im allgemeinen unter extrem ähnlichen Bedingungen hergestellt werden. Demgemäß kann selbst dann, wenn eine Pixelelektrode 140 mit zwei oder mehr TFTs verbunden ist, die Entstehung von Punktdefekten nicht ausreichend verhindert werden.
Das erfindungsgemäße Aktivmatrixsubstrat, das die vorstehend erörterten Nachteile und Mängel beim Stand der Technik überwindet, ist dergestalt, wie in Anspruch 1 oder 4 beansprucht.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung beinhaltet jede Schaltvorrichtung ferner eine Elektrode mit einem Abschnitt einer Zweigleitung, die von einer der zwei benachbarten Signalleitungen abzweigt, die einen entsprechenden Bereich umgeben.
Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung beinhaltet jede Schaltvorrichtung ferner eine Elektrode mit einem Abschnitt einer Zweigleitung, die von einer der zwei benachbarten Abrasterleitungen abzweigt, die einen entsprechenden Bereich umgeben.
Bei noch einer anderen Ausführungsform der Erfindung umfaßt jede Anschlußelektrode zwei rechteckige Hauptabschnitte und einen Zwischenabschnitt.
Bei noch einer anderen Ausführungsform der Erfindung umfaßt jede Anschlußelektrode drei rechteckige Hauptabschnitte und zwei Zwischenabschnitte.
Demgemäß ermöglicht es die hier beschriebene Erfindung, ein Aktivmatrixsubstrat zu schaffen, in dem die Möglichkeit der Entstehung von Leitungsausfällen deutlich verringert ist und dadurch die Herstellausbeute verbessert ist.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Die Erfindung wird vom Fachmann unter Beziehung auf die beigefügten Zeichnungen besser zu verstehen sein und ihre zahlreichen Aufgaben und Vorteile werden ihm deutlicher werden.
Fig. 1 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 2 ist eine Schnittansicht durch das Aktivmatrixsubstrat von Fig. 1.
Fig. 3a ist eine vergrößerte Draufsicht auf einen Anschlußabschnitt einer Pixelelektrode und einer Drainelektrode des Aktivmatrixsubstrats von Fig. 1.
Fig. 3b ist eine vergrößerte Draufsicht auf einen Anschlußabschnitt einer Drainelektrode und einer Pixelelektrode bei einem herkömmlichen Aktivmatrixsubstrat.
Fig. 4 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 5a bis 5c sind Draufsichten auf modifizierte Beispiele einer Drainelektrode bei der Erfindung.
Fig. 6 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 7a ist eine vergrößerte Draufsicht auf einen Anschlußabschnitt einer Drainelektrode und einer Pixelelektrode beim Aktivmatrixsubstrat von Fig. 6.
Fig. 7b ist eine vergrößerte Draufsicht auf einen Anschlußabschnitt einer Drainelektrode und einer Pixelelektrode bei einem anderen herkömmlichen Aktivmatrixsubstrat.
Fig. 8 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 9 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 10 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 11 ist eine Draufsicht auf das in Fig. 3b dargestellte herkömmliche Aktivmatrixsubstrat.
Fig. 12 ist eine Draufsicht auf ein anderes herkömmliches Aktivmatrixsubstrat.
Fig. 13 ist eine Draufsicht auf das herkömmliche, in Fig. 7b dargestellte Aktivmatrixsubstrat.
Fig. 14 ist eine Draufsicht auf noch ein anderes herkömmliches Aktivmatrixsubstrat.
Fig. 15a ist eine Schnittansicht durch eine Pixelelektrode, die eine Drainelektrode in zufriedenstellendem Zustand überlappt.
Fig. 15b ist eine Schnittansicht durch eine Pixelelektrode, die eine Drainelektrode mit unerwünschtem Zustand überlappt.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen mittels veranschaulichender Ausführungsbeispiele beschrieben. Die Aktivmatrixsubstrate aller folgenden Beispiele verwenden einen a-Si-TFT als Schaltvorrichtung.

Beispiel 1

Fig. 1 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat gemäß einem ersten Beispiel der Erfindung. Fig. 2 ist eine Schnittansicht durch das Aktivmatrixsubstrat des ersten Beispiels, das mit einem zugewandten Substrat 2 und einer Flüssigkristallschicht 18 zusammengesetzt ist, die zwischen das Aktivmatrixsubstrat und das zugewandte Substrat 2 eingefügt ist. Die Aktivmatrixsubstrate aller folgenden Beispiele sind durch im wesentlichen denselben Querschnitt wie dem von Fig. 2 repräsentiert, mit Ausnahme der Bezugszahlen.
In Fig. 1 weist ein isolierendes Substrat 1 mehrere als Abrasterleitungen wirkende Gatebusleitungen 21 und mehrere als Signalleitungen wirkende Sourcebusleitungen 22 auf. Jeder durch zwei benachbarte Gatebusleitungen 21 und zwei benachbarte Sourcebusleitungen 22 festgelegte rechteckige Bereich verfügt über eine Pixelelektrode 40. Auf diese Weise sind die Pixelelektroden 40 in einer Matrix angeordnet. Jede Pixelelektrode ist mit einem TFT 31a verbunden.
Die Gatebusleitung 21 verfügt über mehrere Abschnitte mit größerer Breite als in anderen Abschnitten, und jeder der vorstehend genannten mehreren Abschnitte wirkt als Gateelektrode 21a des TFT 31a. Die Sourcebusleitung 22 verfügt über mehrere Sourcebus-Zweigleitungen 22a, und das Vorderende jeder Sourcebus-Zweigleitung 22a bildet eine Sourcelektrode 32a des TFT 31a.
Der TFT 31a ist über eine Drainelektrode 33 (mit einer gestrichelten Linie angegeben), die an der Hinterseite der Pixelelektrode 40 vorhanden ist, mit der Pixelelektrode 40 verbunden. Die Drainelektrode 33 beinhaltet einen rechteckigen Hauptabschnitt 33a, der der herkömmlichen Drainelektrode 133a von Fig. 11 entspricht, und einen Verlängerungsabschnitt 33v, der sich vom Hauptabschnitt aus erstreckt und Rechteckform aufweist.
Unter Bezugnahme auf Fig. 2 wird nun ein Herstellverfahren für das Aktivmatrixsubstrat des ersten Beispiels beschrieben.
Die Gatebusleitung 21 mit der Gateelektrode 21a wird auf dem aus transparentem Glas bestehenden isolierenden Substrat 1 aus Ta hergestellt. Die Gatebusleitung 21 wird im allgemeinen dadurch hergestellt, daß eine Schicht aus einem leitenden Material wie Ta, Ti, Al oder Cr, oder mehrere derartige Schichten, durch ein Sputterverfahren auflaminiert werden und dann das auflaminierte, leitende Metall gemustert wird. Eine aus Ta&sub2;O&sub5; oder dergleichen bestehende Isolierschicht, die als Grundüberzugsschicht wirkt, kann vor dem Herstellen der Gatebusleitung 21 auf dem isolierenden Substrat 1 ausgebildet werden.
Dann wird ein aus SiNx bestehender Gateisolierfilm 13 durch ein Plasma-CVD-Verfahren mit einer Dicke von 3000 Å auf der Gatebusleitung 21 ausgebildet. Vor der Ausbildung des Gateisolierfilms 13 kann ein Oxidfilm 12 aus Ta&sub2;O&sub5; durch anodische Oxidation der Gatebusleitung 21 hergestellt werden, um den Isoliereffekt des Gateisolierfilms 13 zu verbessern.
Auf dem Gateisolierfilm 13 wird eine Halbleiterschicht 14 aus a-Si mit einer Dicke von 300 Å hergestellt, und dann wird eine Ätzstoppschicht 15 aus SiNx auf der Halbleiterschicht 14 mit einer Dicke von 2000 Å hergestellt. Die Halbleiterschicht 14 und die Ätzstoppschicht 15 werden beide durch ein Plasma-CVD-Verfahren hergestellt. Die Ätzstoppschicht 15 wird gemustert, woraufhin eine mit Phosphor dotierte n&spplus;-a-Si-Schicht 16 auf der Halbleiterschicht 14 und der Ätzstoppschicht 15 durch ein Plasma-CVD-Verfahren mit einer Dicke von 800 Å hergestellt wird. Die n&spplus;-a-Si-Schicht 16 wird hergestellt, um den Ohmschen Kontakt zwischen der Halbleiterschicht 14 und der Sourceelektrode 32a sowie zwischen der Halbleiterschicht 14 und der Drainelektrode 33 zu verbessern, die auf der n&spplus;-a-Si-Schicht 16 herzustellen sind.
Die n&spplus;-a-Si-Schicht 16 wird gemustert, woraufhin Ti durch ein Sputterverfahren auf diese n&spplus;-a-Si-Schicht 16 auflaminiert wird und sie gemustert wird, wodurch die Sourceelektrode 32a und die Drainelektrode 33 mit dem Hauptabschnitt 33a und dem Verlängerungsabschnitt 33v erhalten werden. Die Sourceelektrode 32a und die Drainelektrode 33 können statt aus Ti aus Al, Mo, Cr oder dergleichen bestehen. Auf diese Weise wird der in Fig. 2 dargestellte a-Si-TFT 31a erhalten.
Danach wird eine als transparente, leitende Schicht wirkende ITO(Indium-Zinn-Oxid)-Schicht auf den Gateisolierfilm 13 auflaminiert und gemustert, um die Pixelelektrode 40 und die Sourcebusleitung 22 zu erhalten. Die Sourcebusleitung 22 wird so gemustert, daß sie die Sourceelektrode 32a überlappt. Die Pixelelektrode 40 wird so gemustert, daß sie im Bereich vorhanden ist, der durch zwei benachbarte Gatebusleitungen 21 und zwei benachbarte Sourcebusleitungen 22 festgelegt ist, um die Drainelektrode 33 des TFT 31a mit einem Endabschnitt vollständig zu überdecken. Auf diese Weise gelangen die Pixelelektrode 40 und die Drainelektrode 33 des TFT 31a in einen Verbindungszustand.
Das isolierende Substrat 1 mit der Pixelelektrode 40, der Sourceelektrode 32a und der Drainelektrode 33 und dergleichen, die sich darauf befinden, wird vollständig mit einem Schutzfilm 17 aus SiNx abgedeckt. Der Schutzfilm 17 kann außer in einem Bereich in der Mitte der Pixelelektrode 40 vorhanden sein, wobei dieser Bereich einen Fensterbereich bildet. Der Schutzfilm 17 wird mit einem Ausrichtungsfilm 19 bedeckt. Der Ausrichtungsfilm 19 kann in einem Teil einen Fensterbereich aufweisen, der über der Mitte der Pixelelektrode 40 liegt. Auf diese Weise wird das Aktivmatrixsubstrat gemäß dem ersten Beispiel erhalten.
Das zugewandte Substrat 2 mit der darauf befindlichen Gegenelektrode 3 und einem Ausrichtungsfilm 9 wird dem Aktivmatrixsubstrat gegenüberstehend angeordnet. Dann wird die Flüssigkristallschicht 18 zwischen dem Aktivmatrixsubstrat und dem zugewandten Substrat 2 eingebettet. Auf diese Weise wird eine LCD-Vorrichtung erhalten.
Wie es in Fig. 3a dargestellt ist, verfügt das Aktivmatrixsubstrat des ersten Beispiels über eine Drainelektrode 33 mit Verlängerungsabschnitt 33v zusätzlich zum Hauptabschnitt 33a, der der herkömmlichen Drainelektrode 33a von Fig. 11 entspricht. Demgemäß ist die Überlappungsfläche zwischen der Drainelektrode 33 und der Pixelelektrode 40 größer als bei einem herkömmlichen Aktivmatrixsubstrat. Dies führt zu einer größeren Gesamtlänge eines gestuften Abschnitts der Pixelelektrode 40 (d.h. des schraffierten Bereichs in Fig. 3a) als beim herkömmlichen Aktivmatrixsubstrat. Selbst wenn ein Bereich des gestuften Abschnitts der Pixelelektrode 40 die Drainelektrode 33a mit unerwünschtem Zustand überlappt, ist dieser Bereich in bezug auf den langen, stufenförmigen Abschnitt vernachlässigbar klein. Daher ist die Wahrscheinlichkeit, daß Leitungsausfall auftritt, extrem gering.
Während eines Ätzprozesses zum Herstellen der Pixelelektrode 40 korrodiert Ätzflüssigkeit möglicherweise die Pixelelektrode 40 ausgehend von Ecken D und E. Jedoch besteht beim Aktivmatrixsubstrat gemäß dem ersten Beispiel extrem geringe Wahrscheinlichkeit, daß sich die Ätzflüssigkeit so ausbreitet, daß sie die gesamte Fläche des gestuften Abschnitts korrodiert, und zwar wegen der ausreichenden Länge desselben. Demgemäß besteht praktisch keine Wahrscheinlichkeit, daß ein Leitungsausfall auftritt.

Beispiel 2

Fig. 4 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat gemäß einem zweiten Beispiel der Erfindung. Der TFT 31a ist in einem Endabschnitt der von der Gatebusleitung 21 abzweigenden Gate-Zweigleitung 21b vorhanden. Die Sourcebusleitung 22 verfügt über einen vorspringenden Abschnitt 22a als Sourcebus-Zweigleitung, und ein Endabschnitt des vorspringenden Abschnitts 22a bildet die Sourceelektrode 32a des TFT 31a. Mit Ausnahme der vorstehend genannten Punkte verfügt das Aktivmatrixsubstrat über denselben Aufbau wie das beim ersten Beispiel.
Da die Drainelektrode 33 zusätzlich zum Hauptabschnitt 33a, der der Drainelektrode 133a von Fig. 12 entspricht, einen Verlängerungsabschnitt 33v aufweist, bietet das zweite Beispiel dieselben Wirkungen wie das erste Beispiel, und die Wahrscheinlichkeit, daß ein Leitungsausfall auftritt, ist extrem gering.
Die Fig. 5a bis 5c veranschaulichen modifizierte Beispiele für die Drainelektrode 33 bei Aktivmatrixsubstraten gemäß dem ersten und zweiten Beispiel. In Fig. 5a erstrecken sich die Verlängerungsabschnitte 33v in Richtungen parallel zur Kanalbreite W des TFT 31a. In Fig. 5b erstreckt sich der Verlängerungsabschnitt 33v in einer Richtung rechtwinklig zur Kanalbreite W. Der Verlängerungsabschnitt 33v kann an irgendeiner position entlang der rechten Seite des Hauptabschnitts 33a vorhanden sein. In Fig. 5c ist der Verlängerungsabschnitt 33v L-förmig auf einer Seite des Hauptabschnitts 33a vorhanden. Beim ersten und zweiten Beispiel und bei den modifizierten Beispielen ist der Verlängerungsabschnitt 33v zum Hauptabschnitt 33a mit einer Seite hinzugefügt, die im wesentlichen eine Länge aufweist, die identisch mit der Kanalbreite W des TFT 31a ist und der herkömmlichen Drainelektrode 133a entspricht. Dank dieses Aufbaus ist die Überlappungsfläche zwischen der Pixelelektrode 40 und der Drainelektrode 33 vergrößert, wodurch die Wahrscheinlichkeit deutlich verringert ist, daß ein Leitungsausfall auftritt.

Beispiel 3

Fig. 6 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat gemäß einem dritten Beispiel der Erfindung.
Die Pixelelektroden sind auf dieselbe Weise wie beim ersten Beispiel in einer Matrix angeordnet. Jede Pixelelektrode 40 ist mit zwei TFTs 31b und 31c verbunden. Die Gatebusleitung 21 verfügt über mehrere Abschnitte mit einer Breite, die größer ist als die anderer Abschnitte, und jeder der vorstehend genannten mehreren Abschnitte bildet eine zu den TFTs 31b und 31c gehörige Gateelektrode 21a.
Die TFTs 31b und 31c sind über die Drainelektrode 33, die an der Rückseite der Pixelelektrode 40 ausgebildet ist, mit dieser Pixelelektrode 40 verbunden. Wie es in Fig. 6 dargestellt ist, umfaßt die Drainelektrode 33 zwei Hauptabschnitte 33b und 33c sowie einen Zwischenabschnitt 33x zum Verbinden der Hauptabschnitte 33b und 33c. Die Hauptabschnitte 33b und 33c entsprechen jeweils den herkömmlichen Drainelektroden 131b und 131c von Fig. 13.
Die Sourcebusleitung 22 verfügt über eine Sourcebus-Zweigleitung 22b in der Nähe des TFT 31b, und ein Endabschnitt der Sourcebus-Zweigleitung 22b bildet eine Sourceelektrode 32b. Die Sourcebus-Zweigleitung 22b ist mit einer anderen Sourcebus-Zweigleitung 22c verbunden, und der Vorderabschnitt der Sourcebus-Zweigleitung 22c bildet eine Sourceelektrode 32c des TFT 31c.
Das Aktivmatrixsubstrat gemäß dem dritten Beispiel wird auf dieselbe Weise wie das des ersten Beispiels hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Sourceelektroden 32b und 32c, die Drainelektrode 33 und die Pixelelektrode 40 so gemustert werden, daß sie die vorstehend genannte Form aufweisen.
Wie es in Fig. 7a dargestellt ist, verfügt das Aktivmatrixsubstrat gemäß dem dritten Beispiel über eine Drainelektrode 33 mit einem Zwischenabschnitt 33x zusätzlich zu den Hauptabschnitten 33b und 33c. Demgemäß ist die Überlappungsfläche zwischen der Drainelektrode 33 und der Pixelelektrode 40 größer als beim herkömmlichen Aktivmatrixsubstrat. Dies führt zu einer größeren Gesamtlänge eines gestuften Abschnitts der Pixelelektrode 40 (d.h. des schraffierten Bereichs in Fig. 7a) als beim herkömmlichen Aktivmatrixsubstrat. Daher bietet das dritte Beispiel dieselben Wirkungen wie das erste und zweite Beispiel und die Wahrscheinlichkeit, daß ein Leitungsausfall auftritt, ist deutlich verringert.

Beispiel 4

Fig. 8 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat gemäß einem vierten Beispiel der Erfindung. Die TFTs 31b und 31c sind an Endabschnitten der von der Gatebusleitung 21 abzweigenden Gatebus-Zweigleitung 21b vorhanden. Die Sourcebusleitung 22 verfügt über vorstehende Abschnitte 22b und 22c als Sourcebus-Zweigleitungen, wobei die Endabschnitte der vorstehenden Abschnitte 22b und 22c die Sourceelektroden 32b und 32c der TFTs 31b und 31c bilden. Mit Ausnahme der vorstehend genannten Punkte hat das Aktivmatrixsubstrat des vierten Beispiels denselben Aufbau wie das des dritten Beispiels.
Da die Drainelektrode 33 beim vierten Beispiel zusätzlich zu den Hauptabschnitten 33b und 33c, die jeweils den herkömmlichen Drainelektroden 133b und 133c von Fig. 14 entsprechen, zusätzlich den Zwischenabschnitt 33x aufweist, bietet das vierte Beispiel dieselben Wirkungen wie das dritte Beispiel und die Wahrscheinlichkeit, daß ein Leitungsausfall auftritt, ist extrem niedrig.

Beispiel 5

Fig. 9 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat gemäß einem fünften Beispiel der Erfindung, bei dem jede Pixelelektrode 40 mit drei TFTs 31d, 31e und 31f verbunden ist. Die an der Rückseite der Pixelelektrode 40 ausgebildete Drainelektrode 33 verfügt über drei Hauptabschnitte 33d, 33e und 33f sowie über Zwischenabschnitte 33y und 33z. Die Hauptabschnitte 33d, 33e und 33f entsprechen jeweils der herkömmlichen Drainelektrode (z.B. 133a von Fig. 11). Die Sourcebusleitung 22 verfügt über Sourcebus-Zweigleitungen 22d, 22e und 22f, deren Endabschnitte jeweils zu den TFTs 31d, 31e und 31f gehörige Sourceelektroden 32d, 32e und 32f bilden.

Beispiel 6

Fig. 10 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat gemäß einem sechsten Beispiel der Erfindung, bei dem jede Pixelelektrode 40 mit drei TFTs 31d, 31e und 31f verbunden ist. Die TFTs 31d, 31e und 31f sind auf der von der Gatebusleitung 21 abzweigenden Gatebus-Zweigleitung 21b vorhanden. Die Sourcebusleitung 22 verfügt über vorstehende Abschnitte 22d, 22e und 22f als Sourcebus-Zweigleitungen, deren Endabschnitte jeweils die Sourceelektroden 32d, 32e und 32f bilden, die zu TFTs 31d, 31e und 31f gehören.
Beim fünften und sechsten Beispiel beinhaltet die Drainelektrode 33, zusätzlich zu den drei Hauptabschnitten 31d, 31e und 31f, Zwischenabschnitte 33y und 33z. Daher haben das fünfte und sechste Beispiel dieselben Wirkungen wie alle vorangehenden Beispiele. Im Ergebnis ist die Wahrscheinlichkeit, daß ein Leitungsausfall auftritt, deutlich verringert.
Obwohl jede Pixelelektrode bei den vorstehenden Beispielen mit einem, zwei oder drei TFTs verbunden ist, kann jede Pixelelektrode mit vier oder mehr TFTs verbunden sein, und es können dieselben Wirkungen erzielt werden.
Obwohl bei den vorstehenden Beispielen ein a-Si-TFT als Schaltvorrichtung verwendet ist, kann auch ein MIM-Bauelement, ein MOS-Transistor, eine Diode, ein Varistor und dergleichen verwendet werden.
Die Erfindung kann auf ein Aktivmatrixsubstrat mit Zusatzkapazitätselektrode zum Ansammeln eines Spannungsignals, das von der Schaltvorrichtung geliefert wird, um die Bildqualität zu verbessern, angewandt werden.
Es ist zu beachten, daß dem Fachmann verschiedene andere Modifizierungen erkennbar sind und von ihm leicht ausgeführt werden können, ohne vom Schutzbereich der beigefügten Ansprüche abzuweichen.

Claims

1. Aktivmatrixsubstrat mit einem isolierenden Substrat (1), mehreren Signalleitungen (22) und mehreren Abrasterleitungen (21), die in einer Matrix auf dem isolierenden Substrat angeordnet sind und eine Matrix von Bereichen festlegen, wobei jeder Bereich eine Pixelelektrode (40) und eine Schaltvorrichtung (31a) beinhaltet, die eine Anschlußelektrode (33) zum Verbinden der Schaltvorrichtung mit der Pixelelektrode aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußelektrode einen rechteckigen Hauptabschnitt (33a) und einen mit dem Hauptabschnitt verbundenen Verlängerungsabschnitt (33v) aufweist, wobei der Hauptabschnitt eine Seite mit einer Länge aufweist, die im wesentlichen der Breite der Schaltvorrichtung entspricht, wobei der Hauptabschnitt und der Verlängerungsabschnitt zwischen der Pixelelektrode und dem isolierenden Substrat angeordnet sind.

2. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 1, bei dem jede Schaltvorrichtung ferner eine Elektrode mit einem Abschnitt (32a) einer Zweigleitung aufweist, die von einer von zwei benachbarten Signal leitungen abzweigt, die einen zugehörigen Bereich umgeben.

3. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 1, bei dem jede Schaltvorrichtung ferner eine Elektrode mit einem Abschnitt (21a) einer Zweigleitung aufweist, die von einer von zwei benachbarten Abrasterleitungen abzweigt, die einen zugehörigen Bereich umgeben.

4. Aktivmatrixsubstrat mit einem isolierenden Substrat (1), mehreren Signalleitungen (22) und mehreren Abrasterleitungen (21), die in einer Matrix auf dem isolierenden Substrat angeordnet sind, mehreren Bereichen, die jeweils durch zwei benachbarte Signalleitungen und zwei benachbarte Abrasterleitungen festgelegt sind, wobei jeder Bereich eine Pixelelektrode (40) und mehrere Schaltvorrichtungen (31b, 31c) mit einer Anschlußelektrode (33) zum Verbinden der Schaltvorrichtungen mit der Pixelelektrode aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußelektrode mehrere rechteckige Hauptabschnitte (33b, 33c) und mindestens einen Zwischenabschnitt (33x) zum Verbinden der Hauptabschnitte miteinander aufweist, wobei jeder Hauptabschnitt eine Seite mit einer Länge aufweist, die im wesentlichen der Breite der entsprechenden Schaltvorrichtung entspricht, wobei die Hauptabschnitte und der Zwischenabschnitt zwischen der Pixelelektrode und dem isolierenden Substrat angeordnet sind.

5. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 4, bei dem jede Schaltvorrichtung ferner eine Elektrode mit einem Abschnitt (32b, 32c) einer Zweigleitung aufweist, die von einer der zwei benachbarten Signalleitungen abzweigt.

6. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 4, bei dem jede Schaltvorrichtung ferner eine Elektrode (21a) mit einem Abschnitt einer Zweigleitung aufweist, die von einer der zwei benachbarten Abrasterleitungen abzweigt.

7. Aktivmatrixsubstrat nach einem der Ansprüche 4 bis 6, bei dem jede Anschlußelektrode zwei rechteckige Hauptabschnitte und einen Zwischenabschnitt aufweist.

8. Aktivmatrixsubstrat nach einem der Ansprüche 4 bis 6, bei dem jede Anschlußelektrode drei rechteckige Hauptabschnitte und zwei Zwischenabschnitte aufweist.