DE69205160D1 - Optoelektronische vorrichtung mit einer sehr niedrigen parasitischen kapazitat und verfahren zu ihrer herstellung. - Google Patents
Optoelektronische vorrichtung mit einer sehr niedrigen parasitischen kapazitat und verfahren zu ihrer herstellung.Info
- Publication number
- DE69205160D1 DE69205160D1 DE69205160T DE69205160T DE69205160D1 DE 69205160 D1 DE69205160 D1 DE 69205160D1 DE 69205160 T DE69205160 T DE 69205160T DE 69205160 T DE69205160 T DE 69205160T DE 69205160 D1 DE69205160 D1 DE 69205160D1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- producing
- same
- optoelectronic device
- parasitic capacity
- low parasitic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9104636A FR2675634A1 (fr) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | Dispositif optoelectronique a tres faible capacite parasite. |
PCT/FR1992/000338 WO1992019029A1 (fr) | 1991-04-16 | 1992-04-15 | Dispositif optoelectronique a tres faible capacite parasite et son procede de fabrication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69205160D1 true DE69205160D1 (de) | 1995-11-02 |
DE69205160T2 DE69205160T2 (de) | 1996-05-02 |
Family
ID=9411884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69205160T Expired - Fee Related DE69205160T2 (de) | 1991-04-16 | 1992-04-15 | Optoelektronische vorrichtung mit einer sehr niedrigen parasitischen kapazitat und verfahren zu ihrer herstellung. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5440147A (de) |
EP (1) | EP0580717B1 (de) |
JP (1) | JPH06509683A (de) |
DE (1) | DE69205160T2 (de) |
FR (1) | FR2675634A1 (de) |
WO (1) | WO1992019029A1 (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2288274A (en) * | 1994-03-31 | 1995-10-11 | Sharp Kk | Quantum device and method of making such a device |
JP2697615B2 (ja) * | 1994-07-07 | 1998-01-14 | 日本電気株式会社 | 多重量子井戸半導体レーザ |
US5629232A (en) * | 1994-11-14 | 1997-05-13 | The Whitaker Corporation | Method of fabricating semiconductor light emitting devices |
US5608234A (en) * | 1994-11-14 | 1997-03-04 | The Whitaker Corporation | Semi-insulating edge emitting light emitting diode |
JPH08148752A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置 |
DE102011112706B4 (de) * | 2011-09-07 | 2021-09-02 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59112674A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-29 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
JPS59124183A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fujitsu Ltd | 発光半導体装置 |
JPS59175783A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-04 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
EP0321294B1 (de) * | 1987-12-18 | 1995-09-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Halbleiterlaservorrichtung |
JPH0744314B2 (ja) * | 1989-07-22 | 1995-05-15 | 住友電気工業株式会社 | 埋め込み型半導体レーザ |
-
1991
- 1991-04-16 FR FR9104636A patent/FR2675634A1/fr active Granted
-
1992
- 1992-04-15 DE DE69205160T patent/DE69205160T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-15 US US08/122,610 patent/US5440147A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-15 WO PCT/FR1992/000338 patent/WO1992019029A1/fr active IP Right Grant
- 1992-04-15 EP EP92909766A patent/EP0580717B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-15 JP JP4509224A patent/JPH06509683A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1992019029A1 (fr) | 1992-10-29 |
FR2675634A1 (fr) | 1992-10-23 |
JPH06509683A (ja) | 1994-10-27 |
DE69205160T2 (de) | 1996-05-02 |
EP0580717A1 (de) | 1994-02-02 |
FR2675634B1 (de) | 1997-02-28 |
EP0580717B1 (de) | 1995-09-27 |
US5440147A (en) | 1995-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69108815D1 (de) | Aufnahmeeinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung. | |
DE68905080D1 (de) | Verfahren und anlage zur herstellung einer tropfen-bewaesserungsleitung. | |
DE69428181D1 (de) | Vorrichtung mit Chipgehäuse und Verfahren zu Ihrer Herstellung | |
DE68912423D1 (de) | Wellrohr sowie Verfahren und Gerät zu seiner Herstellung. | |
DE58902252D1 (de) | Hohlladung mit einer metallischen auskleidung, verfahren und vorrichtung zu deren herstellung. | |
DE3382090D1 (de) | System aus fibern mit vorgegebener polarisationsrichtung und verfahren zu seiner herstellung. | |
DE69005032D1 (de) | Optohalbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung. | |
ATE126007T1 (de) | Tiererkennungssender und verfahren zu dessen herstellung. | |
DE3888463D1 (de) | Anordnung mit Supergitter-Struktur und Verfahren und Vorrichtung zu ihrer Herstellung. | |
DE3688604D1 (de) | Optisches geraet und verfahren zu dessen herstellung. | |
DE68907507D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung. | |
DE69610459D1 (de) | Vorrichtung mit einer Halbleiterwellenleiterstruktur | |
DE69202625D1 (de) | Elektronische Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung. | |
DE68908140D1 (de) | Keramikrohr mit einseitig geschlossenem rohrmantel und verfahren zu dessen herstellung. | |
DE69201782D1 (de) | Optoelektronische Vorrichtung mit sehr niedrigem Serienwiderstand. | |
DE68920657D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-auf-Isolator-Struktur mit Einfangplätzen. | |
DE3788468D1 (de) | Vorrichtung zur Umwandlung optischer Wellenlängen und Verfahren zu ihrer Herstellung. | |
DE69106848D1 (de) | Dinitramidsalze und verfahren zu deren herstellung. | |
DE68911735D1 (de) | Datenübertragungsnetz mit einer Vorrichtung zur Identifizierung einer Tokensignalverluststelle im Datenübertragungsnetz, und entsprechendes Verfahren. | |
DE69106177D1 (de) | Optischer Modul mit einer Umhüllung und Verfahren zur Herstellung derselben. | |
DE68917434D1 (de) | Halbleiteranordnung mit veminderter parasitischer Kapazität und Verfahren zu ihrer Herstellung. | |
ATE220666T1 (de) | 4-diphenylmethylpiperidine und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE69022865D1 (de) | EPROM-Speicheranordnung mit Crosspoint-Konfiguration und Verfahren zu ihrer Herstellung. | |
DE3872864D1 (de) | Vorrichtung zur verhinderung des eindringens einer kernreaktorcorschmelze in das erdreich. | |
DE68911142D1 (de) | Olefinoligomere mit schmierungseigenschaften und verfahren zu ihrer herstellung. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: AVANEX CORP.(N.D.GES.D.STAATES DELAWARE), FREMONT, |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |