JPS59124183A - 発光半導体装置 - Google Patents
発光半導体装置Info
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- JPS59124183A JPS59124183A JP57231650A JP23165082A JPS59124183A JP S59124183 A JPS59124183 A JP S59124183A JP 57231650 A JP57231650 A JP 57231650A JP 23165082 A JP23165082 A JP 23165082A JP S59124183 A JPS59124183 A JP S59124183A
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- Japan
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は半導体発光装置に関し、特に発光領域以外の領
域に電流阻止部を有する半導体レーザに関する。
域に電流阻止部を有する半導体レーザに関する。
（２）従来技術と問題点
第１図に従来技術の半導体レーザの一例を示す。
この半導体レーザはｎ型ＩｎＰ 基板１上にｐ型Ｉｎ
Ｐ 層２を成長した後、基板１に遠する深さのＶ字型
の溝を形成し、その上にｎ型層ｎＰ層３を成長するとＶ
字型の溝内にもｎ型ＩｎＰ、１％ ４が形成される。同
様にして、ＩｎＧａＡｓＰ層５を成長すると〜■字型の
溝内のｎ型層ｎＰ層４の上に活性領域（ＩｎＧａＡｓＰ
隔）６が舊成される。その後ｐ型ＩｎＰ、７４７を成
長し、その上にｐ型層 ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ層８を
成長し、そして電極９．１０を形成する。活性領域６を
挾むｐ型層７およびｎ型層４はクラッド層であシ、ｐ型
クラッド層７と電極９の間に挿入されたｉｉ ３は電極
９のオーミック接合を促進するキャップ層である。こう
して、両電極９．１０間において活性領域６をｐ型とｎ
型のクラッド層７゜４で挾んで電流路が形成されている
。一方、活性領域乙の外側にはｐ型層７．ｐ型層５．ｎ
型層３゜ｐ型層２．ｎ型層１からなるｐ−ｎ−ｐ−ｎ型
層構造の電流阻止部が形成されている。図の矢印Ａの方
向にはｎ型層６とｐ型層２との界面にｎｐ逆方向接合が
含まれているので、゛ホ極９．１０の間に電圧を印加し
た際ｐｎ逆バイアスにより電流が流れない。しかし、一
部の電流は、矢印Ｂに示す如く、ｐ型層７．ｐ型層２．
ｎ型層基板１を頓に流れ、いわゆる洩れ電流を生じる。
Ｐ 層２を成長した後、基板１に遠する深さのＶ字型
の溝を形成し、その上にｎ型層ｎＰ層３を成長するとＶ
字型の溝内にもｎ型ＩｎＰ、１％ ４が形成される。同
様にして、ＩｎＧａＡｓＰ層５を成長すると〜■字型の
溝内のｎ型層ｎＰ層４の上に活性領域（ＩｎＧａＡｓＰ
隔）６が舊成される。その後ｐ型ＩｎＰ、７４７を成
長し、その上にｐ型層 ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ層８を
成長し、そして電極９．１０を形成する。活性領域６を
挾むｐ型層７およびｎ型層４はクラッド層であシ、ｐ型
クラッド層７と電極９の間に挿入されたｉｉ ３は電極
９のオーミック接合を促進するキャップ層である。こう
して、両電極９．１０間において活性領域６をｐ型とｎ
型のクラッド層７゜４で挾んで電流路が形成されている
。一方、活性領域乙の外側にはｐ型層７．ｐ型層５．ｎ
型層３゜ｐ型層２．ｎ型層１からなるｐ−ｎ−ｐ−ｎ型
層構造の電流阻止部が形成されている。図の矢印Ａの方
向にはｎ型層６とｐ型層２との界面にｎｐ逆方向接合が
含まれているので、゛ホ極９．１０の間に電圧を印加し
た際ｐｎ逆バイアスにより電流が流れない。しかし、一
部の電流は、矢印Ｂに示す如く、ｐ型層７．ｐ型層２．
ｎ型層基板１を頓に流れ、いわゆる洩れ電流を生じる。
すると、矢印Ａの部分の層構造はｐ−ｎ−ｐ−ｎ型で一
種のサイリスタを構成しているだめに、上記の矢印Ｂ方
向の洩れ゛区部がゲート電流の役目を果してサイリスク
が作動し、電流阻止部としての機能が阻害される。即ち
サイリスタとして作動した場合に、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ型層
構造に流れる電流は温度の上昇とともに増大するために
、第２図のように、発光装置の温度が上昇（図では２５
〔℃〕から５０〔℃〕へ）すると光出力が゛電流に比例
的ではなくなるという問題がある。
種のサイリスタを構成しているだめに、上記の矢印Ｂ方
向の洩れ゛区部がゲート電流の役目を果してサイリスク
が作動し、電流阻止部としての機能が阻害される。即ち
サイリスタとして作動した場合に、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ型層
構造に流れる電流は温度の上昇とともに増大するために
、第２図のように、発光装置の温度が上昇（図では２５
〔℃〕から５０〔℃〕へ）すると光出力が゛電流に比例
的ではなくなるという問題がある。
以上はＶ字型の溝内に発光領域を形成した例について説
明したが、メサ形の電流路中に発光領域を有し、その外
側に電流阻止部を形成した構造でも全く同じ間、１頁が
ある。また、上記の例の導４型と全く逆の導離型で構成
した発光装置についても同じである。
明したが、メサ形の電流路中に発光領域を有し、その外
側に電流阻止部を形成した構造でも全く同じ間、１頁が
ある。また、上記の例の導４型と全く逆の導離型で構成
した発光装置についても同じである。
（３）発明の目的
不発明は、以上の如き従来技術に鑑み、ｎ−ｐ−ｎ−ｐ
もしくはｐ−ｎ−ｐ−ｎ型Ｔ響構造の電流阻止部を有す
る発光半導体装置の電流阻止部がサイリスタとして動作
することを抑制して装置の温度特性を改善することを目
的とする。
もしくはｐ−ｎ−ｐ−ｎ型Ｔ響構造の電流阻止部を有す
る発光半導体装置の電流阻止部がサイリスタとして動作
することを抑制して装置の温度特性を改善することを目
的とする。
（４）発明の構成
本発明の上記目的（５寸、第１導電型の基板上に、該基
板よりも不純物濃度が小さく且つ不純！Ｉ！！ＩＪｍ度
が５Ｘ１０ ／Ｃｎβ 以下を有する第１導電型の第
１の半導体層、第１の半導体層よりも不純物濃度が高い
第２導電型の第２の半導体層、第１導電型の第６の半導
体層、第２導電型の第４の半導体層とを順次形成されて
なる電流阻止部を選択的に形成して、発光領域への′閘
、流を挾窄することによって達成される。
板よりも不純物濃度が小さく且つ不純！Ｉ！！ＩＪｍ度
が５Ｘ１０ ／Ｃｎβ 以下を有する第１導電型の第
１の半導体層、第１の半導体層よりも不純物濃度が高い
第２導電型の第２の半導体層、第１導電型の第６の半導
体層、第２導電型の第４の半導体層とを順次形成されて
なる電流阻止部を選択的に形成して、発光領域への′閘
、流を挾窄することによって達成される。
本発明（は、ｐ−ｎ−ｐ−ｎｍ層構造の場合を例にとる
と、第１図の矢印Ｂに沿ったゲート耐流が流れたときに
、ｎ型基板１からｐ型層２への少数キャリヤの注入量を
減らしてサイリスタ動作を抑制するものである。すなわ
ち、一般に、ｎ型基板１からｐ型層２への電子の注入効
率γけ〔（１）式中、Ｊｎ：電子にょる゛岨流Ｊｐ：ホ
ールにょる′１流 ＮＡ ：９層のアクセプタ濃度 Ｌｅ：電子の拡散長 ＮＤ ：ｎ層のドナー濃度 ＬＩ］：ホールの拡散長 〕 で与えられるので、本発明の発光半導体装置ではＮＤ
＜ ＮＡとしてγを小さくして、同−郊：のゲート電流
（洩れ電流）が流れた場合、電子による電流成分を減ら
して、基枚１右〜Ｌ；４’ ２方向への少数キャリヤの
注入量を減らし、それが層乙に入り込んでサイリスタ動
作を呼び起こすことを抑制するものである。また、本発
明では、ｎ型基板１のドナー濃度を下げるためにｎ型基
板上に、好ましくは気相成長法で、５Ｘ１０／ｃ１ｎ
以下の低ドナー濃度のｎ−型層を成長する。従来の液相
成長法でば５ Ｘ １０１６／ Ｃ１７１’以下の不純
物濃度に下げることは一般には困難である。これによっ
て不発明の効果がより有効になる。
と、第１図の矢印Ｂに沿ったゲート耐流が流れたときに
、ｎ型基板１からｐ型層２への少数キャリヤの注入量を
減らしてサイリスタ動作を抑制するものである。すなわ
ち、一般に、ｎ型基板１からｐ型層２への電子の注入効
率γけ〔（１）式中、Ｊｎ：電子にょる゛岨流Ｊｐ：ホ
ールにょる′１流 ＮＡ ：９層のアクセプタ濃度 Ｌｅ：電子の拡散長 ＮＤ ：ｎ層のドナー濃度 ＬＩ］：ホールの拡散長 〕 で与えられるので、本発明の発光半導体装置ではＮＤ
＜ ＮＡとしてγを小さくして、同−郊：のゲート電流
（洩れ電流）が流れた場合、電子による電流成分を減ら
して、基枚１右〜Ｌ；４’ ２方向への少数キャリヤの
注入量を減らし、それが層乙に入り込んでサイリスタ動
作を呼び起こすことを抑制するものである。また、本発
明では、ｎ型基板１のドナー濃度を下げるためにｎ型基
板上に、好ましくは気相成長法で、５Ｘ１０／ｃ１ｎ
以下の低ドナー濃度のｎ−型層を成長する。従来の液相
成長法でば５ Ｘ １０１６／ Ｃ１７１’以下の不純
物濃度に下げることは一般には困難である。これによっ
て不発明の効果がより有効になる。
（５）発明の実施例
第３図を参照する。表面が（１００）面を有するｎ型Ｉ
ｎＰ基板（トｆ −： Ｓｏ 、 トナー儂Ｋ ：１
０ ７ｃｍ ）ｉ上に化学的気相成長法（ＣＶＤ法）
でｎ−型ＩｎＰｊ４（ノンドープ、ドナーイ雌度：１０
〜１０ ７ｃｍ ＋厚さ０．５〜１（μｍ〕）２０を
成長し、次いで液相成長法その他でｐ型層ｎＰ層（アク
セプタ：Ｃｄ、アクセプタ濃度：１〜２Ｘ１０ ／ｌ
ｙｎ 、厚さ１〜１．５〔μｍ１）２Ｑ成長する（第
６図（イ））。次いで、５１０２層をスパッタ法等によ
シ形成しさらにレジストを塗布し、＜０１１＞方向を長
手方向とするストライプ状の窓を８１０２層に開け、Ｓ
ｉＯ２層のパターンをマスクとし、例えば塩酸と燐酸の
混液をエッチャントとしてエツチングすると、 ＜０１
１＞方向を長手方向とするストライプ状のＶ字型の溝が
できる（第６図（ロ））。このとき、Ｖ字型の溝の頂角
は７２° とな）、溝の幅は４〔μｒｎ〕とする。同、
ここで７字型の溝の底がｎ−型Ｉｎ２層２０を突っ切っ
て基板１に達することが必要である０というのは、ｎ−
型Ｉｎ２層２０はドナー濃度が低いために電気抵抗値が
高く、７字型の溝の下側にｎ−型Ｉｎ２層２０が残って
いると、活性領域への電流路が大きな抵抗を持つことに
なって好１しくないからである。
ｎＰ基板（トｆ −： Ｓｏ 、 トナー儂Ｋ ：１
０ ７ｃｍ ）ｉ上に化学的気相成長法（ＣＶＤ法）
でｎ−型ＩｎＰｊ４（ノンドープ、ドナーイ雌度：１０
〜１０ ７ｃｍ ＋厚さ０．５〜１（μｍ〕）２０を
成長し、次いで液相成長法その他でｐ型層ｎＰ層（アク
セプタ：Ｃｄ、アクセプタ濃度：１〜２Ｘ１０ ／ｌ
ｙｎ 、厚さ１〜１．５〔μｍ１）２Ｑ成長する（第
６図（イ））。次いで、５１０２層をスパッタ法等によ
シ形成しさらにレジストを塗布し、＜０１１＞方向を長
手方向とするストライプ状の窓を８１０２層に開け、Ｓ
ｉＯ２層のパターンをマスクとし、例えば塩酸と燐酸の
混液をエッチャントとしてエツチングすると、 ＜０１
１＞方向を長手方向とするストライプ状のＶ字型の溝が
できる（第６図（ロ））。このとき、Ｖ字型の溝の頂角
は７２° とな）、溝の幅は４〔μｒｎ〕とする。同、
ここで７字型の溝の底がｎ−型Ｉｎ２層２０を突っ切っ
て基板１に達することが必要である０というのは、ｎ−
型Ｉｎ２層２０はドナー濃度が低いために電気抵抗値が
高く、７字型の溝の下側にｎ−型Ｉｎ２層２０が残って
いると、活性領域への電流路が大きな抵抗を持つことに
なって好１しくないからである。
次いで、ｎ型層ｎＰ層（ドナー：８ｎ、ドナー濃度：１
×１０１８／１Ｍ３ ）６を厚さ０．３〔μｍ〕成長す
ると、７字型の溝内に同じｎ型ＩｎＰクラッド層４が厚
さ０．５〜１〔μｍ〕程度成長する。その上にノンドー
プのＩｎＧａＡｓＰ層を厚さ０．１５〔μｍ〕成長して
ストライプ状の活性領域６を形成する。このときｎ型層
ｎＰ層３上にもＩｎＧａＡｓＰ層５が成長する（第３図
０）。その後、ｐ型ＩｎＰクラッド層（アクセプタ’Ｚ
ｎまたはＣｄ、アクセプタ濃度：５ Ｘ １０” ／
ｃｍ３） ７を成長する。ｐ型ＩｎＰクラッド層７は７
字型の溝内を埋めた後ＩｎＧａＡｓＰ層５の上に厚さ１
〜２〔μｍ〕成長する。更に〜ｐ型型層ＧａＡｓＰキャ
ップｉｄ （７クセブタ：ｚｎ、アクセプタ濃度： １
×１０１９／ｃｍ３．厚さ０．５〔μｍ〕）８を成長
し、その上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極９を形成し、ｎ型Ｉ
ｎＰ基板１の裏面にＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ電極１
０を形成する（第３図に））。
×１０１８／１Ｍ３ ）６を厚さ０．３〔μｍ〕成長す
ると、７字型の溝内に同じｎ型ＩｎＰクラッド層４が厚
さ０．５〜１〔μｍ〕程度成長する。その上にノンドー
プのＩｎＧａＡｓＰ層を厚さ０．１５〔μｍ〕成長して
ストライプ状の活性領域６を形成する。このときｎ型層
ｎＰ層３上にもＩｎＧａＡｓＰ層５が成長する（第３図
０）。その後、ｐ型ＩｎＰクラッド層（アクセプタ’Ｚ
ｎまたはＣｄ、アクセプタ濃度：５ Ｘ １０” ／
ｃｍ３） ７を成長する。ｐ型ＩｎＰクラッド層７は７
字型の溝内を埋めた後ＩｎＧａＡｓＰ層５の上に厚さ１
〜２〔μｍ〕成長する。更に〜ｐ型型層ＧａＡｓＰキャ
ップｉｄ （７クセブタ：ｚｎ、アクセプタ濃度： １
×１０１９／ｃｍ３．厚さ０．５〔μｍ〕）８を成長
し、その上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極９を形成し、ｎ型Ｉ
ｎＰ基板１の裏面にＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ電極１
０を形成する（第３図に））。
こうして得た半導体発光装置の光出力の温度特性を測定
すると、第４図に示す如く、高温（５０〔℃〕）で従来
のもの（第２図）より安定な光出力が達成された。
すると、第４図に示す如く、高温（５０〔℃〕）で従来
のもの（第２図）より安定な光出力が達成された。
（６）発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に依シ、ｐ−ｎ
−ｐ−ｎ（もしくはｎ−ｐ−ｎ−ｐ）型層構造の′−流
阻止部を有する発光半導体装置において、そのｐ−ｎ−
ｐ−ｎ（もしくはｎ −ｐ ・−ｎ −ｐ）型層構造を
きむサイリスク構造部が一流路から洩れたゲート電流に
よってサイリスタ動作することを抑制することができ、
発光半導体装置の光出力の温度依存特性を改良すること
ができる。なお、不発明の効果は（前述のＶ字型の溝を
有する半導体発光装置のみならずメサ形その他のタイプ
の装置でも発揮される。
−ｐ−ｎ（もしくはｎ−ｐ−ｎ−ｐ）型層構造の′−流
阻止部を有する発光半導体装置において、そのｐ−ｎ−
ｐ−ｎ（もしくはｎ −ｐ ・−ｎ −ｐ）型層構造を
きむサイリスク構造部が一流路から洩れたゲート電流に
よってサイリスタ動作することを抑制することができ、
発光半導体装置の光出力の温度依存特性を改良すること
ができる。なお、不発明の効果は（前述のＶ字型の溝を
有する半導体発光装置のみならずメサ形その他のタイプ
の装置でも発揮される。
第１図は従来例の発光半導体装置の断面１図、第２図は
その従来例の装置の光出力の温度依存特性を示すグラフ
、第３図は本発明の実施例をなす発光半導体装置の製造
工程順の断面図、第４図はその実施例の装置の光出力の
温度依存特性を示すグラフである。 １・・・・・・ｎ型基板、 ２・・・・・・ｐ型層、
６・・・・・・ｎ型層、 ４・・・・・・ｎ型ク
ラッド層、 ６・・・・・・活性領域、 ７・・・
・・・ｐ型クラッド層、 ８・・・・・・キャップ層
、 ９，１０・・・・・・電極、２０・・・・・・ｎ−
：りと低濃度）層。 第４図 電流（ｍＡ）
その従来例の装置の光出力の温度依存特性を示すグラフ
、第３図は本発明の実施例をなす発光半導体装置の製造
工程順の断面図、第４図はその実施例の装置の光出力の
温度依存特性を示すグラフである。 １・・・・・・ｎ型基板、 ２・・・・・・ｐ型層、
６・・・・・・ｎ型層、 ４・・・・・・ｎ型ク
ラッド層、 ６・・・・・・活性領域、 ７・・・
・・・ｐ型クラッド層、 ８・・・・・・キャップ層
、 ９，１０・・・・・・電極、２０・・・・・・ｎ−
：りと低濃度）層。 第４図 電流（ｍＡ）
Claims (1)
- 第１導電型の基板上に、該基板よりも不純物濃度が小さ
く且つ不純物濃度が５×１０１６／ｃｒｎ３以下を有す
る第１導電型の第１の半導体層、第１の半導体層よりも
不純物濃度が高い第２導電型の第２の半導体層、第１導
電型の第３の半導体層、第２導電型の第４の半導体層と
を順次形成されてなる電流阻止部を選択的に形成して、
発光領域への電流を挾窄することを特徴とする発光半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231650A JPS59124183A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 発光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231650A JPS59124183A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 発光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124183A true JPS59124183A (ja) | 1984-07-18 |
Family
ID=16926816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57231650A Pending JPS59124183A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 発光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124183A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4847845A (en) * | 1987-02-27 | 1989-07-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser with an interposed gap |
| US4929571A (en) * | 1987-02-27 | 1990-05-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a buried crescent laser with air gap insulator |
| US4966863A (en) * | 1988-07-20 | 1990-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing a semiconductor laser device |
| EP0527547A2 (en) * | 1991-08-09 | 1993-02-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US5440147A (en) * | 1991-04-16 | 1995-08-08 | France Telecom | Optoelectric device having a very low stray capacitance and its production process |
| US6589806B2 (en) | 1998-06-16 | 2003-07-08 | Nec Electronics Corporation | Method of fabricating semiconductor laser for preventing turn-on of pnpn thyrister |
| RU2724244C1 (ru) * | 2019-12-26 | 2020-06-22 | Акционерное общество "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" (АО "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха") | Лазер-тиристор |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP57231650A patent/JPS59124183A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4847845A (en) * | 1987-02-27 | 1989-07-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser with an interposed gap |
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