JPH01300581A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔（既 要〕
ｐ型［ｎＰ基板上にＩｎＧａ静Ｐ活性層を有する埋め込
み型半導体発光素子の製造方法に関し、その半導体発光
素子のリーク電流を一層低減させることを目的とし、 ｐ型ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層とその上の
ｎ型ＩｎＰクラッド層を有するメサストライプを形成す
る工程と、該メサストライプの両脇を、不純物濃度が上
記クラッド層より高く且つ厚さが下記第２埋め込み層よ
り薄いｐ型ＩｎＰ第１埋め込み層、不純物濃度が該第１
埋め込み層より低いｐ型ＩｎＰ第２埋め込み層、ｎ型Ｉ
ｎＰ第３埋め込み層、及びｎ型ＩｎＰ第４埋め込み層で
順次に埋め込み、その際、該第１埋め込み層が該クラフ
ト層の側面に接するようにする工程とを含んでなり、上
記クラッド層の側面部を、上記第１埋め込み層の不純物
の固相拡散によりｐ型に反転させるように構成する。
み型半導体発光素子の製造方法に関し、その半導体発光
素子のリーク電流を一層低減させることを目的とし、 ｐ型ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層とその上の
ｎ型ＩｎＰクラッド層を有するメサストライプを形成す
る工程と、該メサストライプの両脇を、不純物濃度が上
記クラッド層より高く且つ厚さが下記第２埋め込み層よ
り薄いｐ型ＩｎＰ第１埋め込み層、不純物濃度が該第１
埋め込み層より低いｐ型ＩｎＰ第２埋め込み層、ｎ型Ｉ
ｎＰ第３埋め込み層、及びｎ型ＩｎＰ第４埋め込み層で
順次に埋め込み、その際、該第１埋め込み層が該クラフ
ト層の側面に接するようにする工程とを含んでなり、上
記クラッド層の側面部を、上記第１埋め込み層の不純物
の固相拡散によりｐ型に反転させるように構成する。
本発明は、ｐ型ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層
を有する埋め込み型半導体発光素子の製造方法に関する
。
を有する埋め込み型半導体発光素子の製造方法に関する
。
ＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層を有する埋め込み型半導体発光
素子は、例えば長波長帯の光通信などに用いられるもの
であり、光通信システムの進展に伴い使用環境の範囲が
広まることから、高温特性の向上、即ち高温下において
も大きな光出力を得られるようにすることが望まれてい
る。
素子は、例えば長波長帯の光通信などに用いられるもの
であり、光通信システムの進展に伴い使用環境の範囲が
広まることから、高温特性の向上、即ち高温下において
も大きな光出力を得られるようにすることが望まれてい
る。
そして、従来はｎ型ＩｎＰ基板を用いたものが一般的で
あるが、近年、ｐ型ＩｎＰ基板を用いたものが高温特性
に優れるという事実を見いだされて着目されてきた。
あるが、近年、ｐ型ＩｎＰ基板を用いたものが高温特性
に優れるという事実を見いだされて着目されてきた。
第２図はｐ型ＩｎＰ基板を用いた半導体発光素子の従来
例を説明する要部側断面図であり、この半導体発光素子
は本出願人が特願昭６０−０４４６４０号において提案
したものである。
例を説明する要部側断面図であり、この半導体発光素子
は本出願人が特願昭６０−０４４６４０号において提案
したものである。
第２図において、１はｐ型ＴｎＰ基板、２はｐ型ＩｎＰ
バッファ層、３はＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層、４はｎ型Ｉ
ｎＰクラッド層、５はｎ型ＩｎＰ埋め込み層、６はｎ型
ＩｎＰ埋め込み層、７はｎ型ＩｎＰ埋め込み層、８はｎ
型ＩｎＰクラッド層、９はｎ型１ｎＧａＡｓ Ｐコンタ
クト層、であり、クラッド層４と活性層３とバッファ層
２がメサストライプ１０を構成している。
バッファ層、３はＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層、４はｎ型Ｉ
ｎＰクラッド層、５はｎ型ＩｎＰ埋め込み層、６はｎ型
ＩｎＰ埋め込み層、７はｎ型ＩｎＰ埋め込み層、８はｎ
型ＩｎＰクラッド層、９はｎ型１ｎＧａＡｓ Ｐコンタ
クト層、であり、クラッド層４と活性層３とバッファ層
２がメサストライプ１０を構成している。
この素子の構成における特徴は、メサストライプ１０の
側面全域に接するようにｐ型？ｎＰ埋め込み層５を設け
て、ｐ型ＩｎＰより抵抗の低いｎ型ＩｎＰの埋め込み層
６がｎ型ＩｎＰクラッド層４及び８に接触しないように
、埋め込み層６を分離したところにある。
側面全域に接するようにｐ型？ｎＰ埋め込み層５を設け
て、ｐ型ＩｎＰより抵抗の低いｎ型ＩｎＰの埋め込み層
６がｎ型ＩｎＰクラッド層４及び８に接触しないように
、埋め込み層６を分離したところにある。
即ち、この素子は、活性Ｎ３に対して順方向に通電され
て発光し、しきい値電流以上でレーザ発振するものであ
り、活性層３の両脇を通り抜ける電流Ａ（リーク電流）
が発光に対して無効となることから、上記の構成にして
抵抗の高いｐ型ＩｎＰ埋め込み層５でリーク電流Ａを低
減させ、低しきい値電流と高発光効率を実現させたもの
であり、然も、ｐ型ＩｎＰ基板１を用いていることから
先に述べた高温特性に優れている。
て発光し、しきい値電流以上でレーザ発振するものであ
り、活性層３の両脇を通り抜ける電流Ａ（リーク電流）
が発光に対して無効となることから、上記の構成にして
抵抗の高いｐ型ＩｎＰ埋め込み層５でリーク電流Ａを低
減させ、低しきい値電流と高発光効率を実現させたもの
であり、然も、ｐ型ＩｎＰ基板１を用いていることから
先に述べた高温特性に優れている。
そしてこの素子は、以下のようにして製造される。
即ち、先ず、液相エピタキシャル成長法により、基板Ｉ
上に、バッファ層２、活性層３及びクラフト層４を順次
成長し、ストライプマスクと臭素系のエツチング液を用
いたウェットエツチングにより、メサストライプ１０を
形成する。
上に、バッファ層２、活性層３及びクラフト層４を順次
成長し、ストライプマスクと臭素系のエツチング液を用
いたウェットエツチングにより、メサストライプ１０を
形成する。
次いで、ストライプマスクを除去した後、再び液相エピ
タキシャル成長法により、埋め込み層５．６及び７を順
次成長する。その際、各メルトの過冷却度を小さくして
メサストライプ１０上には成長されないようにする。
タキシャル成長法により、埋め込み層５．６及び７を順
次成長する。その際、各メルトの過冷却度を小さくして
メサストライプ１０上には成長されないようにする。
埋め込み層７の成長に引続き、クラッド層８及びコンタ
クト層９を成長する。この成長では、各メルトの過冷却
度を太き（してメサストライプ１０上にも成長されるよ
うにする。
クト層９を成長する。この成長では、各メルトの過冷却
度を太き（してメサストライプ１０上にも成長されるよ
うにする。
この後は、図示を省略しであるが、基板ｌの下面及びコ
ンタクト層９の上面にオーミックコンタクトの電極を形
成し、共振器長で襞間して完成する。
ンタクト層９の上面にオーミックコンタクトの電極を形
成し、共振器長で襞間して完成する。
しかしながら、上述のようにして製造された素子は、高
抵抗のｎ型ＩｎＰ埋め込み層５を設けているとはいえそ
れでもリーク電流Ａが存在している。
抵抗のｎ型ＩｎＰ埋め込み層５を設けているとはいえそ
れでもリーク電流Ａが存在している。
このことから、光出力を増大すべく通電電流を大きくし
た際に、ｐ型埋め込み層５、ｎ型埋め込み層６及びｐ型
埋め込み層７で形成されるｐｎｐトランジスタの効果に
より、埋め込みＮ５から埋め込み層７に流れる追加のリ
ーク電流が発生して発光効率が低下し、光出力が制約さ
れる問題がある。
た際に、ｐ型埋め込み層５、ｎ型埋め込み層６及びｐ型
埋め込み層７で形成されるｐｎｐトランジスタの効果に
より、埋め込みＮ５から埋め込み層７に流れる追加のリ
ーク電流が発生して発光効率が低下し、光出力が制約さ
れる問題がある。
そして、この発光効率が低下する時点の光出力は、リー
ク電流Ａの低減度合が大きくなるに従い大きくなるもの
である。
ク電流Ａの低減度合が大きくなるに従い大きくなるもの
である。
また、埋め込み層５〜コンタクト層９の成長において、
埋め込み層６はメサストライプ１０例の先端部で分離が
不完全になる場合があり、それは、リーク電流の低減を
不充分にさせる。
埋め込み層６はメサストライプ１０例の先端部で分離が
不完全になる場合があり、それは、リーク電流の低減を
不充分にさせる。
そこで本発明は、ｐ型ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ Ｐ
活性層を有する埋め込み型半導体発光素子の製造方法に
おいて、その半導体発光素子のリーク電流を一層低減さ
せることを目的とする。
活性層を有する埋め込み型半導体発光素子の製造方法に
おいて、その半導体発光素子のリーク電流を一層低減さ
せることを目的とする。
なお、ｐ型ＩｎＰ基板を用いた素子とｎ型ＩｎＰ基板を
用いた素子を比較すると、上述した追加のリーク電流は
、後者ではそれを発生させるトランジスタがｎｐｎ型と
なり前者のｐｎｐ型の場合より大きくなる。このため前
者は、光出力の上限を後者より大きくすることができる
。
用いた素子を比較すると、上述した追加のリーク電流は
、後者ではそれを発生させるトランジスタがｎｐｎ型と
なり前者のｐｎｐ型の場合より大きくなる。このため前
者は、光出力の上限を後者より大きくすることができる
。
上記目的は、ｐ型ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ Ｐ活性
層とその上のｎ型ＩｎＰクラッド層を有するメサストラ
イプを形成する工程と、該メサストライプの両脇を、不
純物濃度が上記クラッド層より高く且つ厚さが下記第２
埋め込み層より薄いｐ型ＩｎＰ第１埋め込み層、不純物
濃度が該第１埋め込み層より低いｎ型ＩｎＰ第２埋め込
み層、ｎ型ＩｎＰ第３埋め込み層、及びｐ型ＩｎＰ第４
埋め込み層で順次に埋め込み、その際、該第１埋め込み
層が該クラッド層の側面に接するようにする工程とを含
んでなり、上記クラッド層の側面部を、上記第１埋め込
み層の不純物の同相拡散によりｐ型に反転させる本発明
の製造方法によって解決される。
層とその上のｎ型ＩｎＰクラッド層を有するメサストラ
イプを形成する工程と、該メサストライプの両脇を、不
純物濃度が上記クラッド層より高く且つ厚さが下記第２
埋め込み層より薄いｐ型ＩｎＰ第１埋め込み層、不純物
濃度が該第１埋め込み層より低いｎ型ＩｎＰ第２埋め込
み層、ｎ型ＩｎＰ第３埋め込み層、及びｐ型ＩｎＰ第４
埋め込み層で順次に埋め込み、その際、該第１埋め込み
層が該クラッド層の側面に接するようにする工程とを含
んでなり、上記クラッド層の側面部を、上記第１埋め込
み層の不純物の同相拡散によりｐ型に反転させる本発明
の製造方法によって解決される。
上記ｐ型に反転させた領域は、同相拡散で形成されるた
めｎ型領域との接合部にキャリア濃度の極めて低い高抵
抗領域を形成する。
めｎ型領域との接合部にキャリア濃度の極めて低い高抵
抗領域を形成する。
そして、先に述べたリーク電流Ａが上記第１埋め込み層
から上記クラッド層に流れることから、上記高抵抗領域
は、リーク電流Ａの径路に介在してリーク電流Ａを低減
させる。
から上記クラッド層に流れることから、上記高抵抗領域
は、リーク電流Ａの径路に介在してリーク電流Ａを低減
させる。
また、上記の反転領域は、上記第３埋め込み層（従来例
の埋め込み層６）の分離を完全なものにする。
の埋め込み層６）の分離を完全なものにする。
かくして、リーク電流′を一層低減させることができる
。
。
以下本発明の実施例について第１図（ａ） （ｂｌの要
部側断面図を用いて説明する。第１図（ａ）は従来例を
示す第２図に対応する図、第１図（ｂ）は第１図（ａｌ
の部分詳細図、であり、第１図における符号は、その符
号の数字から１０を滅じた数字の符号が示す第２図の対
象物と同一機能の対象物を示す。
部側断面図を用いて説明する。第１図（ａ）は従来例を
示す第２図に対応する図、第１図（ｂ）は第１図（ａｌ
の部分詳細図、であり、第１図における符号は、その符
号の数字から１０を滅じた数字の符号が示す第２図の対
象物と同一機能の対象物を示す。
第１図に示す半導体発光素子は、第２図に示す素子と同
様にして発光するが、製造の際に、第２図におけるメサ
ストライプ１０（第１図の２０）とｐ型埋め込み層５
（第１図の１５）との間に不純物濃度が高く厚さが薄い
ｐ型埋め込み層（第１図の１５Ａ）を挿入して、後述の
ようにリーク電流Ａをより低減させたものであり、その
製造方法は以下のとおりである。
様にして発光するが、製造の際に、第２図におけるメサ
ストライプ１０（第１図の２０）とｐ型埋め込み層５
（第１図の１５）との間に不純物濃度が高く厚さが薄い
ｐ型埋め込み層（第１図の１５Ａ）を挿入して、後述の
ようにリーク電流Ａをより低減させたものであり、その
製造方法は以下のとおりである。
即ち、先ず、液相エピタキシャル成長法により、面指数
（１００）のｐ型ＩｎＰ基板１１上に、ｐ型ＩｎＰバッ
ファ層１２ （Ｃｄドープトでキャリア濃度６Ｘ１０”／ＬＪＡ、厚
さ１μｍ）、 ＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層１３（厚さ０．１５μｍ）、ｎ
型ＩｎＰクラッド層１４ （Ｓｎドープトでキャリア濃度ｌＸｌ０１８／ｃれ厚さ
０．２０μｍ）、 を順次成長する。
（１００）のｐ型ＩｎＰ基板１１上に、ｐ型ＩｎＰバッ
ファ層１２ （Ｃｄドープトでキャリア濃度６Ｘ１０”／ＬＪＡ、厚
さ１μｍ）、 ＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層１３（厚さ０．１５μｍ）、ｎ
型ＩｎＰクラッド層１４ （Ｓｎドープトでキャリア濃度ｌＸｌ０１８／ｃれ厚さ
０．２０μｍ）、 を順次成長する。
次いで、＜０１１＞方向に幅３μｍの５ｉ０２ストライ
プマスクを形成し、これをマスクにし臭素系のエツチン
グｔ＆を用いたウェットエツチングにより、クラッド層
１４、活性層１３及びバッファ層１２をエツチングして
メサストライプ２０を形成する。ストライプマスクは、
プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を被着し、これを通
常のホトリソグラフィ技術でバターニングして形成する
。
プマスクを形成し、これをマスクにし臭素系のエツチン
グｔ＆を用いたウェットエツチングにより、クラッド層
１４、活性層１３及びバッファ層１２をエツチングして
メサストライプ２０を形成する。ストライプマスクは、
プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を被着し、これを通
常のホトリソグラフィ技術でバターニングして形成する
。
次いで、ストライプマスクを弗酸で除去した後、再び液
相エピタキシャル成長法により、ｐ型ＩｎＰ第１埋め込
み層１５Ａ （Ｚｎドープトでキャリア濃度２Ｘ ＩＱ” ／ ｃｒ
ａ、厚さ０．０５μｍ）、 ｐ型ＩｎＰ第２埋め込み層１５ （Ｃｄドープトでキャリア濃度５Ｘ１０”／Ｃ艷、厚さ
０．２μｍ）、 ｎ型ＩｎＰ第３埋め込み層１６ （Ｔｅドープトでキャリア濃度ｌＸｌ０”／ｃ艷、厚さ
０．３μｍ）、 ｐ型ＩｎＰ第４埋め込み層１７ （Ｃｄドープトでキャリア濃度５Ｘ１０”／ｃＪ、厚さ
０．２μｍ）、 を順次成長する。その際、各メルトの過冷却度を小さく
してメサストライプ２０上には成長されないようにする
。第１埋め込み層１５Ａは、メサストライプ２０が臭素
系エツチング液のエツチングで形成されているので、メ
サストライプ２０の側面全域に成長してクラッド層１４
の側面にも接している状態になる。
相エピタキシャル成長法により、ｐ型ＩｎＰ第１埋め込
み層１５Ａ （Ｚｎドープトでキャリア濃度２Ｘ ＩＱ” ／ ｃｒ
ａ、厚さ０．０５μｍ）、 ｐ型ＩｎＰ第２埋め込み層１５ （Ｃｄドープトでキャリア濃度５Ｘ１０”／Ｃ艷、厚さ
０．２μｍ）、 ｎ型ＩｎＰ第３埋め込み層１６ （Ｔｅドープトでキャリア濃度ｌＸｌ０”／ｃ艷、厚さ
０．３μｍ）、 ｐ型ＩｎＰ第４埋め込み層１７ （Ｃｄドープトでキャリア濃度５Ｘ１０”／ｃＪ、厚さ
０．２μｍ）、 を順次成長する。その際、各メルトの過冷却度を小さく
してメサストライプ２０上には成長されないようにする
。第１埋め込み層１５Ａは、メサストライプ２０が臭素
系エツチング液のエツチングで形成されているので、メ
サストライプ２０の側面全域に成長してクラッド層１４
の側面にも接している状態になる。
更に、第４埋め込み層１７の成長に引続き、ｎ型ＩｎＰ
クラッド層１８ （Ｔｅドープトでキャリア濃度ｌＸｌ０”／ａｎ？、厚
さ０．５μｍ）、 ｎ型１ｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層１９（Ｔｅドープト
でキャリア濃度３Ｘ１０”／Ｃｒ１、厚さ０，２５μｍ
）、 を成長する。この成長では、各メルトの過冷却度を大き
くしてメサストライプ２０上にも成長されるようにする
。
クラッド層１８ （Ｔｅドープトでキャリア濃度ｌＸｌ０”／ａｎ？、厚
さ０．５μｍ）、 ｎ型１ｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層１９（Ｔｅドープト
でキャリア濃度３Ｘ１０”／Ｃｒ１、厚さ０，２５μｍ
）、 を成長する。この成長では、各メルトの過冷却度を大き
くしてメサストライプ２０上にも成長されるようにする
。
この後は、図示を省略しであるが、基板１１の下面及び
コンタクト層１９の上面にオーミックコンタクトの電極
を形成し、共振器長で襞間して完成する。
コンタクト層１９の上面にオーミックコンタクトの電極
を形成し、共振器長で襞間して完成する。
このようにして素子を製造すると、クラッド層１４に接
する第１埋め込み層１５Ａの不純物濃度がクラッド層１
４のそれより高いことから、成長中の加熱により第１埋
め込み層１５への不純物（Ｚｎ）がクラッド層１４に拡
散して、クラッド層１４の側面部がｐ型に反転し、第１
図（ｂ）に示すようにｐ現反転領域２１が形成される。
する第１埋め込み層１５Ａの不純物濃度がクラッド層１
４のそれより高いことから、成長中の加熱により第１埋
め込み層１５への不純物（Ｚｎ）がクラッド層１４に拡
散して、クラッド層１４の側面部がｐ型に反転し、第１
図（ｂ）に示すようにｐ現反転領域２１が形成される。
そして、このｐ現反転領域２１は、固相拡散で形成され
るためｎ型領域との接合部にキャリア濃度の極めて低い
高抵抗領域を形成し、然もそこが先に述べたリーク電流
Ａの径路となっているので、リーク電流Ａを一層低減さ
せるように作用する。
るためｎ型領域との接合部にキャリア濃度の極めて低い
高抵抗領域を形成し、然もそこが先に述べたリーク電流
Ａの径路となっているので、リーク電流Ａを一層低減さ
せるように作用する。
同時に、ｐ現反転領域２１は、ｎ型の第３埋め込み層１
６の分離を完全なものにする。
６の分離を完全なものにする。
また、第１埋め込み層１５Ａの厚さを第２埋め込み層１
５より薄くしであるので、埋め込み層１５．１６．１７
で形成されるｐｎｐ）ランリスタの効果による光出力の
制約は、第１埋め込み層１５Ａのキャリア濃度を高くし
ても従来例と同等になり悪化することがない。
５より薄くしであるので、埋め込み層１５．１６．１７
で形成されるｐｎｐ）ランリスタの効果による光出力の
制約は、第１埋め込み層１５Ａのキャリア濃度を高くし
ても従来例と同等になり悪化することがない。
かくして、上記製造方法を採用することによりリーク電
流を一層低減させることができて、高温特性の向上を図
ることが可能になる。
流を一層低減させることができて、高温特性の向上を図
ることが可能になる。
ちなみに、上記実施例とそこから第１埋め込み層１５Ａ
を削除した従来例とを比較すると、発光効率が低下する
時点の光出力は、例えば高温である８０℃において後者
が約１０ｍ−であるのに対し前者は約１５ｍＷとなり約
１．５倍に増大している。
を削除した従来例とを比較すると、発光効率が低下する
時点の光出力は、例えば高温である８０℃において後者
が約１０ｍ−であるのに対し前者は約１５ｍＷとなり約
１．５倍に増大している。
なお、上記実施例では各部のキャリア濃度や厚さなどを
特定しであるが、本発明は、上述の説明から理解される
ように、〔課題を解決するための手段〕の項に示した要
件が満たされるならば、実施例の特定に限定されるもの
ではない。
特定しであるが、本発明は、上述の説明から理解される
ように、〔課題を解決するための手段〕の項に示した要
件が満たされるならば、実施例の特定に限定されるもの
ではない。
以上説明したように本発明の構成によれば、ｐ型ＩｎＰ
基板上にＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層を有する埋め込み型半
導体発光素子の製造方法において、その半導体発光素子
のリーク電流を一層低減させることができて、例えば、
高温特性の向上、即ち高温下においても大きな光出力を
得られるようにすることを可能にさせる効果がある。
基板上にＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層を有する埋め込み型半
導体発光素子の製造方法において、その半導体発光素子
のリーク電流を一層低減させることができて、例えば、
高温特性の向上、即ち高温下においても大きな光出力を
得られるようにすることを可能にさせる効果がある。
第１図（ａ） （ｂ）は実施例を説明する要部側断面図
、第２図は従来例を説明する要部側断面図、である。 図において、 １１はｐ型ＩｎＰ基板、 １２はｐ型ＩｎＰバッファ層、 １３はＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層、 １４はｎ型ＩｎＰクラッド層、 １５Ａはｐ型ＩｎＰ第１埋め込み層、 １５はｐ型ＩｎＰ第２埋め込み層、 １６はｎ型ＩｎＰ第３埋め込み層、 １７はｐ型！ｎＰ第４埋め込み層、 １８はｎ型ＴｎＰクラッド層、 １９はｎ型１ｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層、２０はメサ
ストライプ、 ２１はｐ型反転領域、 Ａはリーク電流、 である。 ｉ仁；プシヒヒぜ１］′と２故日月する娑禰と４３４貝
′コ巧ｎａコ〔≧コ子 １ ω
、第２図は従来例を説明する要部側断面図、である。 図において、 １１はｐ型ＩｎＰ基板、 １２はｐ型ＩｎＰバッファ層、 １３はＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層、 １４はｎ型ＩｎＰクラッド層、 １５Ａはｐ型ＩｎＰ第１埋め込み層、 １５はｐ型ＩｎＰ第２埋め込み層、 １６はｎ型ＩｎＰ第３埋め込み層、 １７はｐ型！ｎＰ第４埋め込み層、 １８はｎ型ＴｎＰクラッド層、 １９はｎ型１ｎＧａＡｓ Ｐコンタクト層、２０はメサ
ストライプ、 ２１はｐ型反転領域、 Ａはリーク電流、 である。 ｉ仁；プシヒヒぜ１］′と２故日月する娑禰と４３４貝
′コ巧ｎａコ〔≧コ子 １ ω
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｐ型ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓＰ活性層とその上の
ｎ型ＩｎＰクラッド層を有するメサストライプを形成す
る工程と、 該メサストライプの両脇を、不純物濃度が上記クラッド
層より高く且つ厚さが下記第２埋め込み層より薄いｐ型
ＩｎＰ第１埋め込み層、不純物濃度が該第１埋め込み層
より低いｐ型ＩｎＰ第２埋め込み層、ｎ型ＩｎＰ第３埋
め込み層、及びｐ型ＩｎＰ第４埋め込み層で順次に埋め
込み、その際、該第１埋め込み層が該クラッド層の側面
に接するようにする工程とを含んでなり、 上記クラッド層の側面部を、上記第１埋め込み層の不純
物の固相拡散によりｐ型に反転させることを特徴とする
半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13081088A JPH0831659B2 (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13081088A JPH0831659B2 (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01300581A true JPH01300581A (ja) | 1989-12-05 |
| JPH0831659B2 JPH0831659B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=15043239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13081088A Expired - Lifetime JPH0831659B2 (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831659B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0473443A2 (en) * | 1990-08-30 | 1992-03-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Buried-stripe type semiconductor laser device |
| EP0536757A1 (en) * | 1991-10-08 | 1993-04-14 | Nec Corporation | Semiconductor laser |
| US5596592A (en) * | 1994-08-23 | 1997-01-21 | Mitsubish Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| FR2743197A1 (fr) * | 1995-12-28 | 1997-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semi-conducteur a structure mesa et procede de fabrication d'un tel dispositif |
| JP2016092155A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 |
| WO2019193679A1 (ja) * | 2018-04-04 | 2019-10-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP13081088A patent/JPH0831659B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0473443A2 (en) * | 1990-08-30 | 1992-03-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Buried-stripe type semiconductor laser device |
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| US5596592A (en) * | 1994-08-23 | 1997-01-21 | Mitsubish Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| FR2743197A1 (fr) * | 1995-12-28 | 1997-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semi-conducteur a structure mesa et procede de fabrication d'un tel dispositif |
| JP2016092155A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 |
| US9979159B2 (en) | 2014-10-31 | 2018-05-22 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor laser and manufacturing method thereof |
| WO2019193679A1 (ja) * | 2018-04-04 | 2019-10-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JPWO2019193679A1 (ja) * | 2018-04-04 | 2020-12-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US11271369B2 (en) | 2018-04-04 | 2022-03-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser and method for manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831659B2 (ja) | 1996-03-27 |
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