DE4334410A1 - Dünnschicht-Gassensor - Google Patents
Dünnschicht-GassensorInfo
- Publication number
- DE4334410A1 DE4334410A1 DE19934334410 DE4334410A DE4334410A1 DE 4334410 A1 DE4334410 A1 DE 4334410A1 DE 19934334410 DE19934334410 DE 19934334410 DE 4334410 A DE4334410 A DE 4334410A DE 4334410 A1 DE4334410 A1 DE 4334410A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- thin
- sensor according
- sensitive
- film sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Dünnschicht-Gassensor,
wobei eine SnO₂-gassensitive Schicht oder deren Ober
fläche mit speziellen Promotoren modifiziert ist.
Halbleiter-Gassensoren auf Metalloxidbasis insbeson
dere SnO₂-Sensoren, sind bekannt (W. Göpel et al. Sen
sors; Comprehensive Survey, Vol. II; Chemical and
Biochemical Sensors, Part 1, VCH-Verlag Weinheim
1991).
Diese bekannten SnO₂-Sensoren sind exakt definierte
Widerstandselemente, die diskret betrieben werden
(Leitfähigkeitssensoren). Die Sensoren sind dabei so
aufgebaut, daß direkt auf einem inerten Träger Kon
taktelektroden aufgebracht sind. Die sensorisch akti
ve Schicht ist gesputtertes polykristallines SnO₂,
das dann direkt auf die Kontaktelektroden abgeschie
den wird.
Zur Einstellung der Arbeitstemperatur ist meist eine
integrierte Heizung vorgesehen, die z. B. auf der
Rückseite des Substrates angeordnet sein kann. Zur
Passivierung sowohl für die Kontaktelektroden als
auch für die Heizung ist eine dünne SiO₂-Schicht vor
gesehen, die direkt z. B. auf dem Substrat aufgebracht
sein kann. Zur spezifischen Aktivierung von Gasreak
tionen an bzw. auf der SnO₂-Oberfläche werden dabei
gezielt Promotoren-Katalysatoren verwendet. So modi
fizierte SnO₂-Sensoren werden für eine Vielzahl von
Gasen eingesetzt.
Eine Ausnahme bildet allerdings das CO₂. Der Grund
wurde bisher darin gesehen, daß das relativ stabile
CO₂-Molekül nur selten oder - wenn überhaupt - dann
nur sehr träge mit anderen Stoffen reagiert.
Da Kohlendioxid bei allen Verbrennungsprozessen an
fällt, ist es insbesondere in der Umweltanalytik, Ab
gaskontrolle und Haushalts-/Arbeitsplatz-Überwachung
ein Gas, welches man bevorzugt mit einem billigen
Gassensor, möglichst in situ, kontrollieren möchte.
Es besteht deshalb ein großes Bedürfnis für die
CO₂-Messung mit einfachen und kostengünstigen Sensoren.
Ausgehend hiervon, ist es die Aufgabe der vorliegen
den Erfindung, einen Dünnschichtsensor mit SnO₂ als
sensitive Schicht zur Verfügung zu stellen, mit dem
es möglich ist, CO₂ zu messen.
Die Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale
des Anspruches 1 gelöst. Die Unteransprüche zeigen
vorteilhafte Weiterbildungen auf.
Überraschenderweise wurde gefunden, daß es durch eine
gezielte Verwendung von speziellen Promotoren, näm
lich von Ca und/oder Ca-Oxid, möglich wird, CO₂ zu
messen. Aufgrund der Stabilität des CO₂-Moleküls und
der bisher gefestigten Lehrmeinung, daß CO₂ nur rela
tiv träge mit anderen Stoffen reagiert, war es über
raschend und nicht zu erwarten, daß nun mit Ca- und/oder
Ca-Oxid-Promotoren ein CO₂-gassensitiver Sensor
hergestellt werden kann.
Besonders bevorzugt ist es dabei, wenn der Sensor
eine Katalysatorschicht auf der gassensitiven Schicht
aufweist und wenn diese Katalysatorschicht die Promo
toren enthält. Ganz besonders günstig ist es, wenn
die Katalysatorschicht Platin oder andere bekannte
Katalysatoren wie V; Pd; Ag; Cn; oder Seltene Erden
als Katalysatormaterial enthält.
Es hat sich weiter als günstig erwiesen, wenn zur
Haftung der Elektroden sowohl der Heizung, z. B. auf
der Substrat-Unterseite, als auch der Kontakte auf
der Oberfläche ein dünner Haftvermittler (zwischen
den Elektroden und der Passivierungsschicht) aufge
bracht wird. Dadurch wird vermieden, daß die aktiven
Schichten vor allem bei höheren Arbeitstemperaturen
abplatzen oder bei der Herstellung nicht haften. Die
Dicke dieser Haftvermittlerschichten kann dabei im
Bereich von 10 bis 100 nm, bevorzugt bei ca. 25 nm,
liegen. Als Haftvermittler können dabei alle aus dem
Stand der Technik bekannten Haftvermittler eingesetzt
werden, insbesondere hat es sich als günstig erwie
sen, wenn Tantal verwendet wird. Besonders der Tan
tal-Haftvermittler ist äußerst temperaturstabil und
sehr wenig diffusionsbereit.
Als Substrate eignen sich alle aus dem Stand der
Technik im Bereich der Dünnschichttechnologie bekann
ten Substrate, wie insbesondere Si, Saphir oder auch
Keramik. Bevorzugt ist jedoch die Anwendung von
Si-Substraten.
Als Elektrodenmaterialien sowohl für die Heizung als
auch für die Kontaktelektroden eignen sich ebenfalls
die bisher im Bereich der Dünnschichttechnologie ein
gesetzten Elektroden. Erfindungsgemäß ist es bevor
zugt, Platin und Tantal sowohl in bezug auf die Hei
zung als auch auf die Elektroden zu verwenden. Dies
gilt auch für die möglichen Kontaktelektroden-Struk
turen, die bei derartigen Sensoren eingesetzt werden
können. Erfindungsgemäß kann der Sensor mit Elektro
denstrukturen in Kammstruktur, in Punktstruktur oder
in Streifenstruktur aufgebaut werden.
Die Herstellung des vorstehend beschriebenen Sensors
erfolgt ebenfalls auf dem bisher aus dem Stand der
Technik bekannten Wege. Das Einbringen des Promotors
bzw. das Aufbringen einer Schicht kann mit allen be
kannten Methoden der Dünnschichttechnik, insbesondere
mittels PVD oder CVD, erfolgen.
Weitere Merkmale, Einzelheiten und Vorzüge der Erfin
dung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der
Figuren. Hierbei zeigt
Fig. 1 einen Querschnitt eines CO₂-Dünnschicht-Gassensors
mit auf der Unterseite aufge
brachter Heizung,
Fig. 2 einen Querschnitt eines CO₂-Dünnschicht-Gassensors,
wobei die Heizung auf der glei
chen Seite wie die sensitive Schicht aufge
bracht ist,
Fig. 3 einen Querschnitt eines CO₂-Dünnschicht-Gassensors,
bei dem die Kontaktelektroden
auf der Oberfläche der sensitiven Schicht
angeordnet sind,
Fig. 4 eine CO₂-Messung,
Fig. 5 bis 9 verschiedene Kontaktelektroden-Strukturen.
Fig. 1 zeigt in einem Ausführungsbeispiel, wie ein
erfindungsgemäßer CO₂-SnO₂-Sensor 1 aufgebaut ist.
Der Gassensor 1 ist ein exakt definiertes Wider
standselement, das diskret als Leitfähigkeitssensor
betrieben wird. Die sensorisch aktive Schicht 6 ist
gesputtertes polykristallines SnO₂, das direkt auf
die Kontaktelektroden 3, 4, hier Platin- und Tantal-
Elektroden, abgeschieden wird. Der mechanische Träger
2 ist ein Si-Substrat. Zur Einstellung der Arbeits
temperatur befindet sich auf der Rückseite des Sub
strates 2 eine integrierte Heizung 8. Beide Elektro
denkonfigurationen 3, 4, 8 sind zum Substrat elek
trisch durch eine SiO₂-Schicht 7 passiviert. Zur Haf
tung der Elektroden 3, 4, 8 ist ein dünner Tantal-
Haftvermittler (ca. 25 nm) zwischen den Elektroden 3,
4, 8 (Platinschicht) und der Passivierungsschicht 7
(SiO₂) eingebaut. Dies ist günstig, da ansonsten die
Gefahr besteht, daß die aktiven Schichten bei den
Arbeitstemperaturen abplatzen oder bei der Herstel
lung nicht haften. Die sensitive Schicht 6 ist mit
einer Katalysatorschicht 5 überzogen, die die erfin
dungsgemäßen Promotoren enthält. Im Beispielsfall
enthält die Katalysatorschicht 5 noch zusätzlich Pla
tin als Katalysator. Die vorstehend beschriebene
Sandwich-Struktur des erfindungsgemäßen Sensors 1 ist
dabei bis 900°C in Stickstoff-Sauerstoff-Atmosphäre
für mindestens zwei Tage stabil. Zersetzungen wurden
nicht festgestellt trotz Anwesenheit von Sauerstoff.
Gleichzeitig konnte kaum eine Interdiffusion beobach
tet werden. Die elektrische Kontaktierung des SnO₂
erfolgt durch die Oberflächen-Elektroden 3, 4. Fig.
1 zeigt den Sensor im Querschnitt. Im Beispielsfall
wurde für die Elektroden eine Kammstruktur (siehe
Fig. 8 bzw. 9) gewählt. Es wurde dabei festgestellt,
daß die Kontakte kein rein ohmsches Verhalten aufwei
sen, da bei Admittanz-messungen Reaktantsbeiträge
gemessen worden sind. Die Dicke der Platin/Tantal-
Heizwendel 5 und Kontakt 3, 4 ist ca. 0,5 µm. Dickere
und dünnere Schichten sind jedoch genauso möglich.
Fig. 4 zeigt die mit einem derartigen Sensor gemesse
ne CO₂-Konzentration bei Vorliegen von synthetischer
Luft und 50% relativer Luftfeuchtigkeit.
Damit ist es möglich, CO₂-Konzentrationen um den
MAK-Wert (5000 ppm) zu detektieren.
Die aktive Fläche des im Ausführungsbeispiel angewen
deten Sensorelementes 1 beträgt 5×5 qmm bei einer
Chip-Gesamtfläche von 8×8 qmm. Die Leistungsaufnah
me eines solchen Sensorelementes beträgt etwa 2 bis 3
W zwischen 250 und 350°C Arbeitstemperatur.
Wie vorstehend in der Beschreibung ausführlich erläu
tert, ist es möglich, den Sensor vielgestaltig umzu
wandeln. Grundsätzlich sind alle möglichen Elektro
denstrukturen (Fig. 5 bis 9) wie auch verschiedenste
Elektrodenmaterialien anwendbar.
Besonders vorteilhaft bei dem erfindungsgemäßen Sen
sor ist sein einfacher Aufbau.
Fig. 2 zeigt nun einen anderen Schichtaufbau als in
Fig. 1. Dieser Aufbau, der sich dadurch auszeichnet,
daß die Heizung 8 auf der gleichen Seite wie die sen
sitive Schicht 6 angeordnet ist, hat den Vorteil, daß
der Einbau in ein Gehäuse erheblich erleichtert wird.
Die Heizung 8 liegt dabei dann direkt auf der Ober
fläche der Passivierungsschicht 7. Dadurch befindet
sich die Heizung 8 direkt unter den Kontaktelektroden
3, 4. Lediglich eine zusätzliche Passivierungsschicht
9 zwischen Heizung 8 und den Kontaktelektroden 3, 4
ist notwendig.
Eine weitere Optimierung der Architektur des Sensors
besteht aus der Lage der sensitiven Schicht 6 und der
Anordnung der Elektroden 3, 4. Erfindungsgemäß ist es
auch möglich, die Elektroden 3, 4 auf der sensitiven
Schicht 6 zu strukturieren (Fig. 3).
Fig. 5 bis Fig. 9 zeigen die Möglichkeiten, wie die
Kontakte 3, 4 ausgebildet sein können. Einerseits ist
es möglich, eine sogenannte Punktstruktur (10) zu
verwenden (Fig. 5a und 5b). Bevorzugt ist hierbei
eine Vierpunktstruktur anzuwenden, z. B. Vierpunktmes
sung nach von der Pau. Fig. 5a und Fig. 5b unter
scheiden sich lediglich durch die Wahl des Zinn
dioxid-Designs, d. h. der sensitiven Schicht 6
(schraffierte Fläche).
Andere bevorzugte Kontaktstrukturen sind die Strei
fenstruktur (11), wobei es wiederum bevorzugt ist,
zwei oder vier Streifenstrukturen anzuwenden. Der
Abstand und die Breite der Kontakte 11 kann dabei von
einem µm bis zu mehreren Millimetern reichen (Fig. 6
und 7). Die Breite des Zinndioxids 6 kann von wenigen
Mikro- bis mehrere Millimeter variieren.
Die Dimensionierung richtet sich im Einzelfall nach
der gewünschten Spezifität des Sensors, da die Größe
der Kontaktfläche die Eigenschaften beeinflußt.
Fig. 8 und 9 zeigen die Ausgestaltung der Kontakt
elektroden als Kammstruktur 12. Beide Ausführungsbei
spiele zeigen, daß jeweils noch unterschiedliche De
signs des Zinndioxids angewendet werden können. Der
artige Kammstrukturen weisen bevorzugt Abmessungen
von 100×100 qmm bis 10×10 qmm auf. Möglich sind
hierbei auch asymmetrische Stege und Spalte.
Claims (14)
1. Dünnschicht-Gassensor aus einem flächigen, mit
einer Passivierungsschicht (7) versehenen iner
ten heizbaren Substrat (2) und einer darauf ab
geschiedenen gassensitiven SnO₂-Schicht (6), die
mit Kontaktelektroden (3, 4,) verbunden ist, wo
bei die gassensitive SnO₂-Schicht (6) gegebenen
falls mit Katalysatormaterial dotiert bzw. zu
mindest teilweise mit einer Katalysatormaterial
enthaltenden Schicht (5) versehen sein kann,
dadurch gekennzeichnet,
daß die sensitive Schicht (6) CO₂-sensitiv ist,
wobei die sensitive Schicht (6) und/oder die
Oberfläche, gegebenenfalls die Katalysator
schicht (5), Ca und/oder Ca-Oxid-Promotoren ent
hält.
2. Dünnschichtsensor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die sensitive
Schicht (6) oder die Oberfläche mit den Promoto
ren modifiziert ist.
3. Dünnschichtsensor nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die sensitive
Schicht (6) eine Katalysatorschicht (5) auf
weist, die mit Promotoren modifiziert ist.
4. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An
sprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Heizung (8) auf
dem Substrat (2) auf der der sensitiven Schicht
(6) gegenüberliegenden Seite angeordnet ist, wo
bei zwischen der Heizung (8) und dem Substrat
(2) eine Passivierungsschicht (7) aufgebracht
ist.
5. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An
sprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Heizung (8) auf
der gleichen Seite wie die sensitive Schicht (6)
angeordnet ist - in der Weise, daß sie von einer
weiteren Passivierungsschicht (9) umschlossen
ist und daß die sensitive Schicht (6) auf dieser
weiteren Schicht (9) aufgebracht ist.
6. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An
sprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektro
den (3, 4) direkt auf der Passivierungsschicht
(7) angeordnet sind.
7. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An
sprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektro
den (3, 4) auf der sensitiven Schicht (6) ange
ordnet sind.
8. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An
sprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Kon
taktelektroden (3, 4) und der Passivierungs
schicht (7) bzw. zwischen der Kontaktelektrode
(3, 4) und der sensitiven Schicht (6), und zwi
schen der Heizung (8) und der Passivie
rungsschicht (7) eine Haftvermittlungsschicht
aufgebracht ist.
9. Dünnschichtsensor nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die Haftvermitt
lungsschicht eine Tantal-Schicht ist.
10. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An
sprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektro
den in Form einer Streifenstruktur (11) ausge
bildet sind.
11. Dünnschichtsensor nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, daß bevorzugt eine Zwei- oder
Vierstreifenstruktur vorliegt.
12. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An
sprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektro
den in Form einer Kammstruktur (12) ausgebildet
sind.
13. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An
sprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektro
den in Form von Punktelektroden (10) ausgebildet
sind.
14. Verwendung des Dünnschichtsensors nach minde
stens einem der Ansprüche 1 bis 13,
dadurch gekennzeichnet, daß er als CO₂-Sensor
eingesetzt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19934334410 DE4334410C3 (de) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | Dünnschicht-Gassensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19934334410 DE4334410C3 (de) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | Dünnschicht-Gassensor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4334410A1 true DE4334410A1 (de) | 1995-04-13 |
DE4334410C2 DE4334410C2 (de) | 1995-07-20 |
DE4334410C3 DE4334410C3 (de) | 2002-05-29 |
Family
ID=6499754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19934334410 Expired - Fee Related DE4334410C3 (de) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | Dünnschicht-Gassensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4334410C3 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19549146A1 (de) * | 1995-12-29 | 1997-07-03 | Siemens Ag | Gassensor |
DE19845112A1 (de) * | 1998-09-30 | 2000-04-27 | Siemens Ag | Gassensor |
DE19859998A1 (de) * | 1998-12-23 | 2000-07-06 | Siemens Ag | Gassensor und Verfahrne zu dessen Herstellung |
CN110959115A (zh) * | 2017-05-18 | 2020-04-03 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于制造纳米晶的、气体敏感的层结构的方法,相应的纳米晶的、气体敏感的层结构和具有相应的纳米晶的、气体敏感的层结构的气体传感器 |
US11333648B1 (en) * | 2020-11-06 | 2022-05-17 | Pgr Holdings, Llc | Decoupled thermodynamic sensing system |
US12188914B2 (en) | 2020-11-06 | 2025-01-07 | Trace Sensing Technologies Inc. | Decoupled thermodynamic sensing system |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009031305A1 (de) | 2009-06-30 | 2011-01-05 | Uhde Gmbh | Katalysatorbeschichteter Träger, Verfahren zu dessen Herstellung, ein damit ausgestatteter Reaktor und dessen Verwendung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4755473A (en) * | 1985-05-16 | 1988-07-05 | Sekisui Kaseihin Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of detecting carbon dioxide gas |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2603785C2 (de) * | 1976-01-31 | 1984-08-23 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Sensor für Kohlenmonoxid und/oder Kohlenwasserstoffe in Abgasen |
DE2908916C2 (de) * | 1979-03-07 | 1986-09-04 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Widerstandsmeßfühler zur Erfassung des Sauerstoffgehaltes in Gasen, insbesondere in Abgasen von Verbrennungsmotoren und Verfahren zur Herstellung derselben |
US4706493A (en) * | 1985-12-13 | 1987-11-17 | General Motors Corporation | Semiconductor gas sensor having thermally isolated site |
-
1993
- 1993-10-08 DE DE19934334410 patent/DE4334410C3/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4755473A (en) * | 1985-05-16 | 1988-07-05 | Sekisui Kaseihin Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of detecting carbon dioxide gas |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Sensors, A comprehensive Survey, edited by W. Göpel, J. Hesse, J.N. Zemel, Volume 2: Chemical and Biochemical Sensors, Part 1, VCH, Weinheim u. a. 1991, S. 429-466 * |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19549146A1 (de) * | 1995-12-29 | 1997-07-03 | Siemens Ag | Gassensor |
DE19845112A1 (de) * | 1998-09-30 | 2000-04-27 | Siemens Ag | Gassensor |
DE19845112C2 (de) * | 1998-09-30 | 2000-12-21 | Tyco Electronics Logistics Ag | Gassensor |
DE19859998A1 (de) * | 1998-12-23 | 2000-07-06 | Siemens Ag | Gassensor und Verfahrne zu dessen Herstellung |
DE19859998C2 (de) * | 1998-12-23 | 2000-11-30 | Siemens Ag | Gassensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN110959115A (zh) * | 2017-05-18 | 2020-04-03 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于制造纳米晶的、气体敏感的层结构的方法,相应的纳米晶的、气体敏感的层结构和具有相应的纳米晶的、气体敏感的层结构的气体传感器 |
US11414319B2 (en) | 2017-05-18 | 2022-08-16 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing a nanocrystalline, gas-sensitive layer structure |
US11333648B1 (en) * | 2020-11-06 | 2022-05-17 | Pgr Holdings, Llc | Decoupled thermodynamic sensing system |
WO2022150229A3 (en) * | 2020-11-06 | 2022-09-29 | Pgr Holdings, Llc | Decoupled thermodynamic sensing system |
US12188914B2 (en) | 2020-11-06 | 2025-01-07 | Trace Sensing Technologies Inc. | Decoupled thermodynamic sensing system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4334410C3 (de) | 2002-05-29 |
DE4334410C2 (de) | 1995-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4423289C1 (de) | Gassensor für reduzierende oder oxidierende Gase | |
DE3019387C2 (de) | Dünnschicht-Halbleiter-Gassensor mit einem in den Sensoraufbau integrierten Heizelement | |
EP0723662B1 (de) | Sensor zum nachweis von stickoxid | |
DE3780560T2 (de) | Fuehler und verfahren zu dessen herstellung. | |
EP0787291A1 (de) | Chemischer festkörpersensor | |
DE69401347T2 (de) | Sensor | |
DE4424342C1 (de) | Sensorarray | |
EP0046989B1 (de) | Selektiver Dünnschicht-Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung von gasförmigen Kohlenwasserstoff-Verunreinigungen in der Luft auf der Basis von Wolframoxid (WOx)-Halbleitern, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2545473A1 (de) | Sensor fuer reduzierendes gas und verfahren zur herstellung des sensors | |
EP2220482B1 (de) | Gassensor mit einer verbesserten selektivität | |
EP0464244B1 (de) | Sensor zur Erfassung reduzierender Gase | |
DE4334410C2 (de) | Dünnschicht-Gassensor | |
EP0464243B1 (de) | Sauerstoffsensor mit halbleitendem Galliumoxid | |
WO2009036854A1 (de) | Flammenionisationsdetektor | |
DE10210819A1 (de) | Mikrostrukturierter Gassensor mit Steuerung der gassensitiven Eigenschaften durch Anlegen eines elektrischen Feldes | |
EP2908121A1 (de) | Gassensor und Verfahren zur Detektion von Gasen | |
DE4132441C2 (de) | Dickschicht-Leitfähigkeitselektroden als Biosensor | |
DE69635160T2 (de) | Vorrichtung zur vergrösserung der sensorselektivität | |
WO2003023387A1 (de) | Metalloxid-halbleitergassensor und verfahren zu seiner herstellung | |
DE69419020T2 (de) | Herstellungsverfahren fur ein halbleiterelement und detektor mit einem solchen halbleiterelement | |
DE102004038988B3 (de) | Strömungssensor | |
EP0645621A2 (de) | Sensoranordnung | |
EP0005480A1 (de) | Gassensoren | |
DE102007048049A1 (de) | Verwendung eines Ionenleiters für einen Gassensor | |
DE4401885C2 (de) | Detektor zum Nachweis reduzierender Gase |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8366 | Restricted maintained after opposition proceedings | ||
8305 | Restricted maintenance of patent after opposition | ||
D4 | Patent maintained restricted | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |