DE4227085A1 - Verfahren zur Herstellung fein strukturierter elektrisch leitfähiger Schichten - Google Patents
Verfahren zur Herstellung fein strukturierter elektrisch leitfähiger SchichtenInfo
- Publication number
- DE4227085A1 DE4227085A1 DE19924227085 DE4227085A DE4227085A1 DE 4227085 A1 DE4227085 A1 DE 4227085A1 DE 19924227085 DE19924227085 DE 19924227085 DE 4227085 A DE4227085 A DE 4227085A DE 4227085 A1 DE4227085 A1 DE 4227085A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- activation layer
- substrate
- copper
- activation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
- C23C18/1824—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment
- C23C18/1837—Multistep pretreatment
- C23C18/1841—Multistep pretreatment with use of metal first
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung
fein strukturierter elektrisch leitfähiger Schichten auf
einem Substrat, z. B. Leiterkarten.
Bei einem bekannten Verfahren dieser Art (GB 2 110 162 A
bzw. DE 31 45 586 C2) wird eine elektrisch leitfähige
Paste, z. B. Goldresinat, in einem Druckverfahren auf
definierte Gebiete des Substrats aufgebracht. Dabei wird
zunächst die Paste in vorgegebener Form und Menge auf eine
Auftragtrommel aufgebracht und von dort auf eine zu dieser
gegensinnig drehenden Druckwalze aus Silikongummi
übertragen und dann durch letztere auf das Substrat
aufgewalzt. Anstelle der Auftragtrommel wird in einer
weiteren Literaturstelle (Shimida et al. "Manufacturing of
fine-line films by printing technique", TMC 1990 Proceedings
Mai/Juli 1990, S. 581 ff) eine Intaglio-Platte verwendet,
auf welcher die Druckwalze abrollt und dadurch die dort
aufgetragene Paste in vorgegebene Struktur und Menge
aufnimmt, um sie dann in gleiche Struktur auf das Substrat
weiterzugeben.
Das erfindungsgemäße Verfahren mit den kennzeichnenden
Merkmalen des Anspruchs 1 hat den Vorteil, daß die dünne
Aktivierungsschicht sich mit wesentlich besserer Qualität
bezüglich Strukturfeinheit und Kantenschärfe drucken läßt
als eine dicke Schicht. Allerdings hat diese dünne
Aktivierungsschicht einen sehr viel höheren
Quadratwiderstand (Quotient aus spezifischem Widerstand und
Schichtdicke), der bei einer etwa 0,1 µm dicken Gold
resinat-Schicht bei 400 mΩ liegt. Durch die Verstärkung
dieser Schicht infolge Anlagerung einer elektrisch
leitfähigen Metallschicht mit größerer Dicke im
galvanischen Bad oder stromlos im Reduktionsbad wird die
elektrische Leitfähigkeit deutlich verbessert, ohne daß die
Strukturfeinheit und Kantenschärfe der strukturierten
Schicht leidet. So sinkt beispielsweise der
Quadratwiderstand bei Anlagerung einer 10-15 µm dicken
Schicht aus Kupfer auf ca. 5 mΩ.
Zur Anlagerung der Schicht hoher elektrischer Leitfähigkeit
wird bevorzugt das stromlose Abscheiden von Kupfer oder
Nickel im Reduktionsbad angewendet, da hierbei - im
Gegensatz zum galvanischen Bad - weder eine elektrische
Kontaktierung der Aktivierungsschicht notwendig ist noch
eine elektrisch leitfähige und unterbrechungslose
Aktivierungsschicht gefordert werden muß. Als
Reduktionsmittel wird beispielsweise Formaldehyd verwendet.
Voraussetzung für das stromlose Abscheiden ist, daß die
Aktivierungsschicht bekeimt ist, d. h. Partikel aufweist,
an welchen sich die Kupfer- oder Nickelionen aus dem
Reduktionsbad anlagern. Solche Keime sind in der
verwendeten Aktivierungsschicht enthalten, die gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung aus Palladium-
Resinat, Kupfer-Resinat, Gold-Resinat oder Platin-Resinat
hergestellt wird. Es ist auch möglich zur Herstellung der
Aktivierungsschicht eine Dickschichtpaste zu verwenden, in
welcher entsprechende Keime in Form von Palladium-,
Kupfer-, Platin- oder Goldpartikeln eingelagert sind.
Durch die in den weiteren Ansprüchen aufgeführten Maßnahmen
sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des im
Anspruch 1 angegebenen Verfahrens möglich. Bevorzugt wird
die Aufbringung der dünnen Aktivierungsschicht mit einem an
sich bekannten Druckverfahren vorgenommen, wie dies aus den
eingangs genannten Zitatstellen zum Stand der Technik
beschrieben ist. Das Schichtmaterial für die dünne
Aktivierungsschicht wird mittels einer elastisch
verformbaren Rolle, z. B. aus Silikongummi, auf das Substrat
aufgewalzt, nachdem zuvor das Schichtmaterial in der
gewünschten Struktur mittels geeigneter Maßnahmen auf die
Rolle aufgebracht worden ist.
Bei dem vorgeschlagenen Verfahren wird eine fein
strukturierte, gut leitfähige Schicht auf einem Substrat,
z. B. einer Leiterplatte, wie folgt hergestellt:
Zunächst wird auf das Substrat eine dünne
Aktivierungsschicht in der gewünschten Schichtstruktur mit
einer Schichtdicke von ca. 0,1 µm aufgebracht. Als
Schichtmaterial wird eine palladium- oder kupferorganische
Verbindung verwendet. Beispiele hierfür sind Palladium-
Resinat oder Kupfer-Resinat. Auch die Verwendung von Gold-
oder Platin-Resinat ist möglich. Die Aktivierungsschicht
kann in verschiedener Weise auf das Substrat aufgebracht
werden. Bevorzugt wird das sog. Tampon-Offset-Druck-
Verfahren verwendet, das in den eingangs genannten
Literaturstellen ausführlich beschrieben ist. Bei einem
solchen Tampon-Druck-Verfahren wird zunächst das
Schichtmaterial der Aktivierungsschicht in der vorgegebenen
Form und Menge auf eine Auftragtrommel oder eine Intaglio-
Platte aufgebracht und von dort auf eine Druckwalze aus
Silikongummi dadurch übertragen, daß sich die Druckwalze
auf der Auftragtrommel oder Intaglio-Platte abwälzt. Die so
von der Druckwalze aufgenommene Schichtstruktur wird dann
von der Druckwalze auf das Substrat aufgewalzt. Bei
Verwendung der vorstehend genannten Resinate als
Schichtmaterial für die Aktivierungsschicht wird diese nach
Aufwalzen zunächst eingebrannt. Danach wird auf die
Aktivierungsschicht eine dickere Leitschicht aus einem
elektrisch gut leitendem Metall aus einem entsprechenden
Reduktionsbad stromlos abgeschieden. Als Metall wird
beispielsweise Kupfer oder Nickel verwendet und als
Reduktionsmittel Formaldehyd. Die aus dem Reduktionsbad auf
der Aktivierungsschicht abgeschiedene dicke Leitschicht
weist eine Schichtdicke von ca. 10-15 µm auf. Ihr
Quadratwiderstand, d. h. der Quotient aus spezifischem
Widerstand und Schichtdicke, beträgt bei Verwendung von
Kupfer nur ca. 5 mΩ, so daß sie eine hohe elektrische
Leitfähigkeit aufweist.
Anstelle einer palladium-, platin-, gold- oder
kupferorganischen Verbindung für das Aufdrucken der
Aktivierungsschicht auf das Substrat kann auch eine Paste
verwendet werden, die mit Partikeln von Palladium, Kupfer,
Platin oder Gold angereichert ist.
Es ist auch möglich, die Abscheidung des Metalls aus einem
galvanischen Bad vorzunehmen. In diesem Fall muß die
Aktivierungsschicht elektrisch leitfähig und
unterbrechungslos ausgeführt und mit dem einen Potential
einer Stromquelle kontaktiert werden.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung fein strukturierter
leitfähiger Schichten auf einem Substrat, z. B.
Leiterkarten, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst
eine dünne Aktivierungsschicht in der gewünschten
Schichtstruktur auf das Substrat aufgebracht und dann
auf die Aktivierungsschicht eine dickere Leitschicht
aus einem elektrisch gut leitendem Metall, wie Kupfer
oder Nickel, aus einem entsprechenden galvanischen Bad
oder bevorzugt stromlos aus einem entsprechenden
Reduktionsbad abgeschieden wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Aufbringung der dünnen Aktivierungsschicht mit
einem an sich bekannten Druckverfahren vorgenommen
wird, bei welchem das Schichtmaterial mittels einer
elastisch verformbaren Rolle auf das Substrat
aufgewalzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß als Schichtmaterial für die
Aktivierungsschicht eine palladium-, platin-, gold-
oder kupferorganische Verbindung, z. B. Palladium-,
Platin-, Gold- oder Kupfer-Resinat, verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß als Schichtmaterial für die
Aktivierungsschicht eine Dickschichtpaste mit
Partikeln von Palladium, Kupfer, Platin oder Gold
verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch
gekennzeichnet, daß vor Aufbringen der Leitschicht die
Aktivierungsschicht einem Einbrennprozeß unterzogen
wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Aktivierungsschicht mit einer
Schichtdicke von etwa 0,1 µm aufgedruckt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch
gekennzeichnet, daß die dickere Leitschicht aus
elektrisch gut leitendem Metall mit einer Schichtdicke
von etwa 10-15 µm abgeschieden wird.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924227085 DE4227085A1 (de) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | Verfahren zur Herstellung fein strukturierter elektrisch leitfähiger Schichten |
PCT/DE1993/000673 WO1994005139A1 (de) | 1992-08-17 | 1993-07-30 | Verfahren zur herstellung fein strukturierter elektrisch leitfähiger schichten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924227085 DE4227085A1 (de) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | Verfahren zur Herstellung fein strukturierter elektrisch leitfähiger Schichten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4227085A1 true DE4227085A1 (de) | 1994-02-24 |
Family
ID=6465660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19924227085 Ceased DE4227085A1 (de) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | Verfahren zur Herstellung fein strukturierter elektrisch leitfähiger Schichten |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4227085A1 (de) |
WO (1) | WO1994005139A1 (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19833593A1 (de) * | 1998-07-25 | 2000-01-27 | Daimler Chrysler Ag | Verfahren zur selektiven Metallisierung |
DE10109786A1 (de) * | 2001-02-28 | 2002-12-12 | Fractal Ag | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten |
DE102005003723A1 (de) * | 2005-01-26 | 2006-07-27 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Thermosäule |
DE102005038392A1 (de) * | 2005-08-09 | 2007-03-15 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum Herstellen von ein Muster bildenden Metallstrukturen auf einem Trägersubstrat |
EP1879435A2 (de) * | 2006-07-14 | 2008-01-16 | MAN Roland Druckmaschinen AG | Elektrisch leitfähige Strukturen |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19518659A1 (de) * | 1995-05-20 | 1996-11-21 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Verbinden eines elektrischen Anschlußes eines unverpackten IC-Bauelements mit einer Leiterbahn auf einem Substrat |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4361603A (en) * | 1979-04-13 | 1982-11-30 | Kubasov Vladimir L | Electrode for electrochemical processes and production method therefor |
GB2110162B (en) * | 1981-11-17 | 1985-08-21 | Bosch Gmbh Robert | A method of producing electrically conductive areas |
GB8412606D0 (en) * | 1984-05-17 | 1984-06-20 | Murray J | Printed circuit boards |
JPS6276600A (ja) * | 1985-09-29 | 1987-04-08 | 株式会社 アサヒ化学研究所 | 基板に導電回路を形成する方法 |
EP0254201A1 (de) * | 1986-07-24 | 1988-01-27 | Kalman F. Zsamboky | Verfahren zum Metallisieren von keramischen Substraten |
CA1273853A (en) * | 1986-12-17 | 1990-09-11 | Hitoshi Suzuki | Method for production of ceramic circuit board |
KR900005308B1 (ko) * | 1987-12-31 | 1990-07-27 | 정풍물산 주식회사 | 인쇄회로기판과 그의 제조방법 |
EP0335565B1 (de) * | 1988-03-28 | 1994-06-15 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten |
-
1992
- 1992-08-17 DE DE19924227085 patent/DE4227085A1/de not_active Ceased
-
1993
- 1993-07-30 WO PCT/DE1993/000673 patent/WO1994005139A1/de active Application Filing
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19833593A1 (de) * | 1998-07-25 | 2000-01-27 | Daimler Chrysler Ag | Verfahren zur selektiven Metallisierung |
DE19833593C2 (de) * | 1998-07-25 | 2002-03-14 | Daimler Chrysler Ag | Verfahren zur selektiven Metallisierung |
DE10109786A1 (de) * | 2001-02-28 | 2002-12-12 | Fractal Ag | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten |
DE102005003723A1 (de) * | 2005-01-26 | 2006-07-27 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Thermosäule |
DE102005038392A1 (de) * | 2005-08-09 | 2007-03-15 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum Herstellen von ein Muster bildenden Metallstrukturen auf einem Trägersubstrat |
DE102005038392B4 (de) * | 2005-08-09 | 2008-07-10 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Muster bildenden Kupferstrukturen auf einem Trägersubstrat |
EP1879435A2 (de) * | 2006-07-14 | 2008-01-16 | MAN Roland Druckmaschinen AG | Elektrisch leitfähige Strukturen |
DE102006033055A1 (de) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Man Roland Druckmaschinen Ag | Elektrisch leitfähige Strukturen |
EP1879435A3 (de) * | 2006-07-14 | 2009-08-12 | manroland AG | Elektrisch leitfähige Strukturen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1994005139A1 (de) | 1994-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE602004012910T2 (de) | Kupferfolie für gedruckte Leiterplatten mit feinen Strukturen und Herstellungsverfahren | |
DE2728465C2 (de) | Gedruckte Schaltung | |
DE69025500T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines kupferkaschierten Laminats | |
DE2939963C2 (de) | Verfahren zur Ausbildung von Elektrodenmustern | |
DE3340563A1 (de) | Zusammengefasste passive elektrische schaltungsbauteile und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE3523958A1 (de) | Verfahren zur chemischen behandlung von keramikkoerpern mit nachfolgender metallisierung | |
DE69121143T2 (de) | Kupferfolie für Innenlageschaltung einer mehrlagigen Leiterplatte, Verfahren zu ihrer Herstellung und diese enthaltende mehrlagige Leiterplatte | |
DE3543924A1 (de) | Flexibles schaltungssubstrat mit elektrisch leitfaehiger klebeschicht und seine herstellung | |
DE3700912C2 (de) | ||
DE2847821C2 (de) | Substrat für eine gedruckte Schaltung mit einer Widerstandsbeschichtung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE4227085A1 (de) | Verfahren zur Herstellung fein strukturierter elektrisch leitfähiger Schichten | |
DE2315710A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung | |
DE60036907T2 (de) | Verfahren zur herstellung von widerständen | |
DE19628264A1 (de) | Verfahren zum Bilden eines Leitermusters und Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte | |
DE3907004A1 (de) | Verfahren zum herstellen von duennschichtschaltungen | |
EP1707037B1 (de) | Verfahren zum herstellen eines leiterplattenelements sowie leiterplattenelement | |
DE102008034616A1 (de) | Prägefolie und deren Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung von Strukturelementen aus Kupfer | |
DE19780905C2 (de) | Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3134918C2 (de) | ||
DE19716044C2 (de) | Verfahren zum selektiven galvanischen Aufbringen von Lotdepots auf Leiterplatten | |
DE3434627A1 (de) | Elektrischer gleitkontakt, insbesondere fuer kommutierungssysteme | |
DE102014221584B4 (de) | Elektrochemisches Sintern von Metallpartikelschichten | |
DE3630952A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer schaltfolie fuer mattentastaturen | |
DE19716356A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von monolithischen elektronischen Teilen | |
EP0088220B1 (de) | Kontaktelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8131 | Rejection |