DE4029410A1 - Topfkreis oder belasteter hohlraumresonator mit temperaturkompensation - Google Patents
Topfkreis oder belasteter hohlraumresonator mit temperaturkompensationInfo
- Publication number
- DE4029410A1 DE4029410A1 DE19904029410 DE4029410A DE4029410A1 DE 4029410 A1 DE4029410 A1 DE 4029410A1 DE 19904029410 DE19904029410 DE 19904029410 DE 4029410 A DE4029410 A DE 4029410A DE 4029410 A1 DE4029410 A1 DE 4029410A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wall
- cavity resonator
- compensation
- bimetallic plate
- outside
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/04—Coaxial resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Topfkreis mit
Temperaturkompensation oder einen belasteten Hohlraumresonator
mit Temperaturkompensation für die Mikrowellentechnik.
Zum Stand der Technik werden folgende Veröffentlichungen
genannt:
- 1) Meinke, Gundlach: Taschenbuch der Hochfrequenztechnik.
3. Auflage, 1968, Springer-Verlag, Berlin, Seite 457 bis 484. - 2) Kanadische Patentschrift 11 52 169.
Auf der Seite 460 von (1) sind sowohl Unterschiede als auch
Gemeinsamkeiten von Topfkreisen und belasteten
Holraumresonatoren aufgeführt. Topfkreise sind gegenüber ihrem
Durchmesser verhältnismäßig lang. Bei Hohlraumresonatoren ist
es umgekehrt. Bei beiden ist gemeinsam, daß ein
Belastungsstempel in den Innenraum hineinragt und daß die
Kapazität zwischen der Stirnfläche des Belastungsstempels und
der der Stirnfläche gegenüberliegenden Wand als
Belastungskapazität wirkt. Anstelle des Ausdruckes
"Belastungsstempel" ist bei Topfkreisen auch der Ausdruck
"Innenleiter" gebräuchlich.
Auf der Seite 468 von (1) ist die Notwendigkeit einer
Temperaturkompensation behandelt, wenn ein solcher
Hohlraumresonator aus Metall gefertigt ist und seine
Resonanzfrequenz unabhängig von der Temperatur sein soll. Dort
sind auch zwei Lösungen angegeben. Die erste Lösung besteht
darin, daß der ganze Hohlraumresonator aus einem Metall mit
geringem Wärmeausdehnungskoeffizient besteht. Die zweite
Lösung setzt einen Hohlraumresonator mit einer
Abstimmeinrichtung voraus und besteht darin, daß der Antrieb
für diese Abstimmeinrichtung mit einer Temperaturkompensation
ausgestattet ist. Die erste Lösung bewirkt keine vollständige
Kompensation. Die zweite Lösung ist nur anwendbar, wenn
ohnehin ein Abstimmungsantrieb vorgesehen ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Topfkreis oder
belasteten Hohlraumresonator mit Temperaturkompensation
anzugeben.
Diese Aufgabe wird durch die Lehre nach dem Patentanspruch 1
gelöst. Die Unteransprüche lehren vorteilhafte
Weiterbildungen.
Aus (2) ist ein Hohlraumresonator bekannt, bei dem eine Wand
ganz als Bimetallplatte ausgebildet ist. Jedoch handelt es
sich um einen unbelasteten Hohlraumresonator, also um einen
Hohlraumresonator ohne Belastungsstempel. Außerdem befindet
sich das Metall mit dem größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten
innen. Daß dies so sein muß, ergibt sich aus folgenden
Überlegungen: Die gewünschte Konstanz der Resonanzfrequenz
wird dadurch erreicht, daß das Volumen des Hohlraumresonators
konstant gehalten wird. Da sich der Hohlraumresonator bei
Erwärmung ausdehnt, läßt sich die Konstanz des Volumens nur
erreichen, wenn sich eine Wand bei Erwärmung nach innen wölbt.
Dies ergibt sich aus der Fig. 9B in Verbindung mit der Fig.
1. Aus der Fig. 1 ergibt sich, daß sich die Schicht 6 innen
befindet. Aus der Fig. 9B ergibt sich bei Temperaturerhöhung
eine Wölbung in Richtung der Schicht 6, also lt. Fig. 1 nach
innen. Eine Wölbung gemäß der Fig. 9B setzt voraus, daß die
Schicht 6 den größeren Wärmeausdehnungskoeffizient aufweist.
Die Erfindung wird anhand von in Figuren dargestellten
Ausführungsbeispielen beschrieben. Die Figuren zeigen:
Fig. 1 ein Hohlraumresonator mit rundem Querschnitt
Fig. 2 ein Hohlraumresonator mit quadratischem Querschnitt
Fig. 3 ein zylindrischer Topfkreis.
Anhand der Fig. 4a, 4b, 5a und 5b wird die Funktion
erklärt.
Es wird zunächst die Fig. 1 beschrieben. In ihr ist der
Hohlraumresonator im Längsschnitt und in einer Ansicht
dargestellt. Es bedeuten:
W1 eine erste Wand,
W2 eine zweite Wand,
M ein Mantel,
BSt ein Belastungsstempel,
S eine Scheibe.
W1 eine erste Wand,
W2 eine zweite Wand,
M ein Mantel,
BSt ein Belastungsstempel,
S eine Scheibe.
Die erste Wand W1, die zweite Wand W2 und der Mantel M bilden
den Hohlraumresonator. An der ersten Wand W1 ist innen
vorzugsweise in der Mitte der Belastungsstempel BSt mit seiner
ersten Stirnfläche angebracht. Seine zweite, freie Stirnfläche
befindet sich in einem bestimmten Abstand zur zweiten Wand W2.
Dieser Abstand ist so bemessen, daß sich die gewünschte
kapazitive Belastung ergibt. Die beiden Wände W1 und W2, der
Mantel M und der Belastungsstempel BSt sind aus Metall
hergestellt. Um eine geringe Abhängigkeit der Resonanzfrequenz
von der Temperatur zu erreichen, bevorzugt man ein Metall mit
einem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizient, z. B. Invar.
An der zweiten Wand W2 ist außen durch eine stoff- oder
formschlüssige Verbindung die Scheibe S angebracht. Sie
besteht aus einem Metall mit einem gegenüber dem der zweiten
Wand W2 größeren Wärmeausdehnungskoeffizient, und sie ist
gegenüber der freien Stirnfläche des Belastungsstempels BSt
angebracht. Als stoffschlüssige Verbindung wird das Löten
bevorzugt. Durch die feste Verbindung der Scheibe S mit der
zweiten Wand W2 und der Verwendung von Metallen mit
verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten ist die zweite
Wand W2 im Bereich der Scheibe S als Bimetallplatte
ausgebildet. Da die Scheibe S kleiner ist als die zweite Wand
W2, liegt hier der Fall vor, daß die zweite Wand W2 nur
teilweise als Bimetallplatte ausgebildet ist. Die Scheibe S
ist hier rund gezeichnet. Sie kann aber auch eckig ausgeführt
sein. Die Scheibe S ist hier gleich dick wie die zweite Wand
W2 gezeichnet. Sie kann jedoch dicker oder dünner ausgeführt
sein, wobei ein Bereich vom 0,2fachen bis zum 5fachen der
Wanddicke infrage kommt.
Nicht dargestellt sind Mittel zum Ein- und Auskoppeln der
Hochfrequenzleistung.
Die Fig. 2 unterscheidet sich von der Fig. 1 nur dadurch,
daß der Hohlraumresonator einen quadratischen Querschnitt
aufweist. Dementsprechend sind die erste und die zweite Wand
quadratisch ausgebildet. Die übrigen Ausführungen gelten hier
sinngemäß.
In der Fig. 3 ist ein zylindrischer Topfkreis dargestellt.
mit IL ist sein Innenleiter, mit AL sein Außenleiter
bezeichnet. Im übrigen gelten die Ausführungen zur Fig. 1
auch hier sinngemäß, wobei sich der Belastungsstempel BSt und
der Innenleiter in ihrer Wirkung einander entsprechen.
Die Wirkung der als Bimetallplatte ausgebildeten zweiten Wand
W2 wird anhand der Fig. 4a und 4b erläutert. Diese
Erläuterung gilt sinngemäß für alle in den Fig. 1 bis 3
dargestellten Ausführungsformen. In der Fig. 4a ist der
Zustand bei üblichen Raumtemperaturen dargestellt. In der
Fig. 4b ist der Zustand nach Erwärmung dargestellt. Die
Erwärmung kann sich dadurch ergeben, daß der Hohlraumresonator
bzw. der Topfkreis einer hohen Umgebungstemperatur ausgesetzt
wird. Die Erwärmung kann sich aber auch dadurch ergeben, daß
der Hohlraumresonator oder der Topfkreis mit einer hohen
Hochfrequenzleistung betrieben wird, wobei die dabei
auftretende Verlustleistung eine Eigenerwärmung bewirkt.
Bei Raumtemperatur ist, wie in der Fig. 4a dargestellt, die
Wand W2 und die Scheibe S eben. Zwischen der Wand W2 und dem
Belastungsstempel besteht eine bestimmte Kapazität, die als
Belastungskapazität wirkt. Sie ist so bemessen, daß der
Hohlraumresonator die gewünschte Resonanzfrequenz aufweist.
Bei Erwärmung dehnt sich der ganze Hohlraumresonator aus, was
ohne eine Kompensation eine Verringerung der Resonanzfrequenz
zur Folge hat. Diese Ausdehnung kommt in der Fig. 4b nicht
zum Ausdruck. Außerdem dehnt sich die Scheibe S stärker aus
als die Wand W2, was zu der in der Fig. 4b übertrieben stark
dargestellten Wölbung nach außen führt. Durch die Wölbung
verringert sich die Kapazität zwischen dem Belastungsstempel
BSt und der Wand W2, was im Sinne einer Erhöhung der
Resonanzfrequenz wirkt. Durch geeignete Bemessung der Scheibe
und Wahl eines Metalls mit einem passenden
Wärmeausdehnungskoeffizienten läßt sich erreichen, daß die
durch die Wölbung verursachte Erhöhung der Resonanzfrequenz
die durch die Ausdehnung des ganzen Hohlraumresonators
bewirkte Verringerung der Resonanzfrequenz gerade aufhebt,
d. h., bei Temperaturänderung bleibt in erwünschter Weise die
Resonanzfrequenz konstant. Die zuvor erwähnte geeignete
Bemessung der Scheibe zur Erzielung der gewünschten
Kompensation bezieht sich auf ihren Durchmesser bei einer
runden Scheibe bzw. auf ihre Kantenlänge bei einer eckigen
Scheibe sowie auf ihre Dicke im Verhältnis zur Dicke der Wand.
Je größer der Durchmesser bzw. die Kantenlänge gewählt wird,
um so größer ist die Wölbung und damit auch die Erhöhung der
Resonanzfrequenz. Hinsichtlich der Dicke gilt folgendes: Wenn
man für die Scheibe und die Wand Metalle mit gleichem
Elastizitätsmodul verwendet, so erreicht man die größtmögliche
Wölbung bei gleicher Dicke von Scheibe und Wand. Bei
unterschiedlichen Elastizitätsmodulen gibt man jedoch dem Teil
mit dem kleineren Elastizitätsmodul die größere Dicke.
In den Fig. 5a und 5b sind die Zustände dargestellt, die
sich bei einer aufgelöteten Scheibe ergeben. Die Scheibe und
die Wand werden üblicherweise aus bei Raumtemperatur ebenen
Blechen ausgeschnitten, d. h., beide Teile sind zunächst eben.
Sie sind auch noch eben, wenn beide aufeinandergelegt und mit
dem zwischen ihnen aufgebrachten Lot bis über die
Schmelztemperatur des Lotes erwärmt wurden, weil sich beide
Teile noch unabhängig voneinander ausdehnen können. Sie sind
auch dann noch eben, wenn beim darauffolgenden Abkühlen die
Erstarrungstemperatur des Lotes erreicht wird. Beim weiteren
Abkühlen bis auf Raumtemperatur können sich aber die Scheibe
und die Wand nicht mehr unabhängig voneinander zusammenziehen,
und es kommt wegen des höheren Wärmeausdehnungskoeffizienten
der Scheibe zu der in der Fig. 5a übertrieben groß
dargestellten Wölbung nach innen. Auch hier ist der Abstand
zwischen dem Belastungsstempel BSt und der Wand W2 so
bemessen, daß sich die gewünschte Resonanzfrequenz ergibt.
Bei einer Erwärmung geht, wie in der Fig. 5b dargestellt ist,
die Wölbung zurück, und die Kapazität zwischen dem
Belastungsstempel BSt und der Wand verringert sich. Es tritt
also auch hier die schon im Zusammenhang mit den Fig. 4a
und 4b beschriebene resonanzfrequenzerhöhende Wirkung ein. Die
Ausführungen zu den Fig. 4a und 4b gelten also hier
sinngemäß.
Claims (3)
1. Topfkreis oder belasteter Hohlraumresonator, dadurch
gekennzeichnet, daß die der freien Stirnfläche des
Innenleiters bzw. des Belastungsstempels gegenüberliegende
Wand ganz oder teilweise als Bimetallplatte ausgebildet ist,
wobei das Metall mit dem größeren Wärmeausdehnungskoeffizient
außen liegt.
2. Topfkreis oder belasteter Hohlraumresonator nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß bei teilweiser Ausbildung der
Wand (W2) als Bimetallplatte eine Scheibe (S) mit dem größeren
Wärmeausdehnungskoeffizient mit der Wand (W2) stoff- oder
formschlüssig verbunden ist, wobei sich die Scheibe (S)
gegenüber der freien Stirnfläche des Innenleiters (IL) bzw.
des Belastungsstempels (BSt) befindet (Fig. 1, 2 bzw. 3).
3. Topfkreis oder belasteter Hohlraumresonator nach Anspruch
2, dadurch gekennzeichnet, daß die stoffschlüssige Verbindung
der Scheibe mit der Wand als Lötverbindung ausgebildet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904029410 DE4029410A1 (de) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | Topfkreis oder belasteter hohlraumresonator mit temperaturkompensation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904029410 DE4029410A1 (de) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | Topfkreis oder belasteter hohlraumresonator mit temperaturkompensation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4029410A1 true DE4029410A1 (de) | 1992-03-19 |
Family
ID=6414389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19904029410 Withdrawn DE4029410A1 (de) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | Topfkreis oder belasteter hohlraumresonator mit temperaturkompensation |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4029410A1 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0520665A2 (de) * | 1991-06-25 | 1992-12-30 | Lk-Products Oy | Temperaturkompensiertes dielektrisches Filter |
DE4236016C1 (de) * | 1992-10-24 | 1993-11-25 | Ant Nachrichtentech | Anordnung zur Kompensation von Resonanzfrequenzänderungen eines Hohlraumresonators |
US5905419A (en) * | 1997-06-18 | 1999-05-18 | Adc Solitra, Inc. | Temperature compensation structure for resonator cavity |
US6734766B2 (en) * | 2002-04-16 | 2004-05-11 | Com Dev Ltd. | Microwave filter having a temperature compensating element |
DE10306839A1 (de) * | 2003-02-18 | 2004-08-26 | Tesat-Spacecom Gmbh & Co.Kg | Resonator mit Temperaturkompensierung |
WO2021211026A1 (en) * | 2020-04-15 | 2021-10-21 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A tunable waveguide resonator |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3414847A (en) * | 1966-06-24 | 1968-12-03 | Varian Associates | High q reference cavity resonator employing an internal bimetallic deflective temperature compensating member |
US3873949A (en) * | 1973-01-15 | 1975-03-25 | Gte International Inc | Temperature stabilized resonator |
US4488132A (en) * | 1982-08-25 | 1984-12-11 | Com Dev Ltd. | Temperature compensated resonant cavity |
US4677403A (en) * | 1985-12-16 | 1987-06-30 | Hughes Aircraft Company | Temperature compensated microwave resonator |
-
1990
- 1990-09-17 DE DE19904029410 patent/DE4029410A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3414847A (en) * | 1966-06-24 | 1968-12-03 | Varian Associates | High q reference cavity resonator employing an internal bimetallic deflective temperature compensating member |
US3873949A (en) * | 1973-01-15 | 1975-03-25 | Gte International Inc | Temperature stabilized resonator |
US4488132A (en) * | 1982-08-25 | 1984-12-11 | Com Dev Ltd. | Temperature compensated resonant cavity |
US4677403A (en) * | 1985-12-16 | 1987-06-30 | Hughes Aircraft Company | Temperature compensated microwave resonator |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0520665A2 (de) * | 1991-06-25 | 1992-12-30 | Lk-Products Oy | Temperaturkompensiertes dielektrisches Filter |
EP0520665B1 (de) * | 1991-06-25 | 1997-04-02 | Lk-Products Oy | Temperaturkompensiertes dielektrisches Filter |
DE4236016C1 (de) * | 1992-10-24 | 1993-11-25 | Ant Nachrichtentech | Anordnung zur Kompensation von Resonanzfrequenzänderungen eines Hohlraumresonators |
US5905419A (en) * | 1997-06-18 | 1999-05-18 | Adc Solitra, Inc. | Temperature compensation structure for resonator cavity |
US6734766B2 (en) * | 2002-04-16 | 2004-05-11 | Com Dev Ltd. | Microwave filter having a temperature compensating element |
DE10306839A1 (de) * | 2003-02-18 | 2004-08-26 | Tesat-Spacecom Gmbh & Co.Kg | Resonator mit Temperaturkompensierung |
WO2021211026A1 (en) * | 2020-04-15 | 2021-10-21 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A tunable waveguide resonator |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69209223T2 (de) | Resonator mit Temperaturkompensierung | |
DE2158514C3 (de) | ||
DE69118234T2 (de) | Temperaturausgleich in einem Spiralresonator | |
DE69019699T2 (de) | Dielektrischer Resonator, Filteranordnung unter Verwendung derselben und Verfahren zur Herstellung eines solchen Resonators. | |
DE69032749T2 (de) | Verfahren zum Einstellen des Frequenzganges einer Filtereinrichtung vom Dreileiter-Typ | |
DE3928015A1 (de) | Dielektrisches filter | |
DE3833329A1 (de) | Chipartige mikrosicherung | |
DE3688158T2 (de) | Metallischer mikrowellenhohlraumresonator. | |
DE68906823T2 (de) | Filter in streifenleiter-technik. | |
DE69712802T2 (de) | Dielektrisches Filter | |
DE4319886C1 (de) | Anordnung zum Kompensieren temperaturabhängiger Volumenänderungen eines Hohlleiters | |
DE4029410A1 (de) | Topfkreis oder belasteter hohlraumresonator mit temperaturkompensation | |
DE3236664C2 (de) | ||
DE69029548T2 (de) | Verfahren zum Einstellen eines Frequenzganges einer Dreileiter-Filteranordnung | |
DE3007580C2 (de) | Oszillator mit einem dielektrischen Resonator | |
DE4113302A1 (de) | Topfkreis oder belasteter hohlraumresonator mit temperaturkompensation | |
EP0162144B1 (de) | Verfahren zu Herstellung eines elektrischen Kondensators mit Polyethylenterephthalat als Dielektrikum insbesondere zur Verwendung als lötfähiges Chip-Bauelement | |
DE4038364A1 (de) | Topfkreis oder belasteter hohlraumresonator mit temperaturkompensation | |
DE3238858C2 (de) | In einem Bauteil eines Mikrowellenkreises einer Frequenz von bis zu 40 GHz zu verwendendes dielektrisches keramisches Material | |
EP1014467A2 (de) | Frequenzstabilisierte Hohlleiteranordnung | |
DE60110033T2 (de) | Bandpassfilter mit einer kompakten dielektrischen Struktur aus halbwellen Resonatoren und dazwischenliegenden evanescenten Wellenleitern | |
DE2218277A1 (de) | Mikrowellenfilter, bestehend aus zwischen parallelen platten, in fortpflanzungsrichtung der welle hintereinander angeordneten resonatoren | |
DE1274690B (de) | Hohlraumresonator | |
DE10154168A1 (de) | Elektronikbauteil | |
DE2338845A1 (de) | Frequenzvervielfacher fuer den mikrowellenbereich |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8130 | Withdrawal |