DE3784664T2 - Schutzvorrichtung fuer einen loesch- und neuprogrammierbaren festwertspeicher. - Google Patents
Schutzvorrichtung fuer einen loesch- und neuprogrammierbaren festwertspeicher.Info
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims description 59
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008672 reprogramming Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft Schutzvorrichtungen für einen lösch-und neuprogrammierbaren Festwertspeicher für integrierte Schaltungen.
- Ein erster Typ lösch- und neuprogrammierbarer Festwertspeicher ist unter der Bezeichnung EPROM-Speicher bekannt. Es handelt sich um einen nichtflüchtigen Speicher, dessen Inhalt dadurch gelöscht werden kann, daß er ultravioletter Strahlung ausgesetzt wird. Ohne freiwilliges Löschen des Inhalts eines solchen Speichers ist es immer möglich, eine erste Programmierung zu überschreiben, jedoch hat dies im allgemeinen zur Folge, daß die beiden programmierungen überlagert werden, wodurch die Informationen endgültig verloren gehen.
- Ein zweiter Typ lösch- und neuprogrammierbarer Festwertspeicher ist unter der Bezeichnung EEPROM-Speicher bekannt. In diesem Fall handelt es sich um nichtflüchtige Speicher, deren Inhalt elektrisch gelöscht werden kann, d. h. durch Anlegen vorgegebener Spannungsniveaus. Auch in diesem Fall ist es immer möglich, über eine erste Programmierung neu zu programmieren, jedoch hat auch dies zur Folge, daß alle Informationen verloren gehen.
- Wenn derartige Speicher programmmiert sind, ist es nicht ohne Auslesen ihres Inhalts möglich, zu erfahren, ob sie tatsächlich programmiert worden sind.
- Nun ist es zum Auslesen des Inhalts eines Speichers erforderlich, ihn mit einer Leseschaltung zu verbinden. Dieser Arbeitsvorgang ist lästig, jedoch erforderlich, wenn man nicht die Gefahr eingehen möchte, beim Vornehmen eines Speichers zu dessen Programmierung zwei programme zu überlagern, was als Folge zu Informationen führt, die keinen Sinn mehr haben, oder zu einem Verlust der zuerst gespeicherten Informationen.
- Herkömmlicherweise werden EPROM- oder EEPROM-Speicher gegen jede Verfälschung ihres Inhalts dadurch geschützt, daß sie unverwendbar gemacht werden. Zu diesem Zweck wird am Ende der Programmierung des Speichers eine Programmierung eines Kontrollbits vorgenommen. Auf diese Weise wird dann, wenn der Speicher freiwillig oder unfreiwillig entprogrammiert wird, das Kontrollbit ebenfalls entprogrammiert. Da das Kontrollbit beim Lesen zur Adressierung verwendet wird, ist das Lesen des Speichers gesperrt. Das Vorhandensein des Kontrollbits verhindert demgemäß allein die Verwendung des Speichers, wenn dieser teilweise gelöscht wurde oder neu programmiert wurde. Ein derartiger Schutz ist nicht geeignet, um das Problem zu lösen, das sich stellt, wenn es sich darum handelt, eine nicht erwünschte Neuprogrammierung zu untersagen.
- Die Erfindung schlägt vor, diesem Problem abzuhelfen. Das Dokument FR-A-2 471 004 schlägt eine Schutzvorrichtung vor, die die Merkmale des Oberbegriffs des Anspruchs 1 aufweist. Die vorliegende Erfindung schlägt eine Schutzvorrichtung für einen lösch- und neuprogrammierbaren Festwertspeicher vor, die alle Merkmale des Anspruchs 1 aufweist.
- Weitere Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch Lesen der folgenden Beschreibung deutlich, die als nichtbegrenzendes Ausführungsbeispiel gegeben wird und im Hinblick auf die beigefügte Zeichnung erfolgt, die folgendes zeigt
- - ein Schaltbild für die Ausbildung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung, entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform.
- Der in der einzigen Figur dargestellte Speicher entspricht einem nichtflüchtigen Festwertspeicher, der entweder elektrisch oder durch Ultraviolettbestrahlung löschbar ist.
- Die Programmierung dieses Speichers erfolgt auf für sich herkömmliche Weise, d. h. durch Anlegen vorbestimmter Spannungsniveaus an jede Zeile und jede Spalte in solcher Weise, daß der logische Zustand jeder durch einen mit einer Zeile und einer Spalte verbundenen MOS-Transistor gebildeten Speicherstelle modifiziert wird oder nicht modifiziert wird.
- Die Programmierung des Speichers erfolgt mittels Zeilendecodierern 2 und Spaltendecodierern 3. Diese Decodierer erlauben es jeweils, die Zeilenadreßleitungen ADL und die Spaltenadreßleitungen ADC zu decodieren, und Daten O zu lesen oder Daten I einzuschreiben, abhängig vom Zustand eines Lese/Schreib-Signals R/W. Das Schreiben erfolgt auf den Empfang eines Freigabesignals WE hin.
- Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird das Schreib freigabesignal WE nicht direkt an die Zeilen- und Spaltendecodierer gegeben. Dieses Signal wird an den Eingang eines UND- Gatters 4 gelegt. Das UND-Gatter 4 empfängt an einem anderen Eingang das Ausgangssignals eines Inverters 5. Der Inverter 5 empfängt das Signal, das den logischen Zustand "0" oder "1" einer Speicherzelle 6 entspricht, je nachdem, ob diese Zelle programmiert worden ist oder nicht. Die Speicherzelle 6 wird beim Empfang eines Befehls SFP für das Ende der Programmierung des Speichers 1 und der Schreibfreigabe WE programmiert. Die entsprechenden Signale SFP und WE werden jeweils an die Eingänge eines UND-Gatters 7 gelegt. Die zwei Bedingungen, die das Programmieren der Zelle 6 erlauben, werden, wenn sich diese Signale im Zustand 1 befinden, so verknüpft, daß der Ausgang des Gatters 7 es erlaubt, wenn ein Schreibbefehl W für die Zelle 6 erteilt wird, diese Zelle gemäß dem gewünschten Zustand zu programmieren.
- Solange das Programmierendesignal SFP nicht angelegt wird, d. h., solange das Signal sich im Zustand 0 befindet, ist der Speicher 1 programmierbar. Wenn der Benutzer die Programmierung dieses Speichers beendet, weist er das Aussenden des Signals SFP an, dessen logischer Zustand das Ende der Programmierung anzeigt, und der logische Zustand des Schreibfreigabesignals WE wird beibehalten, um in die Zelle 6 einschreiben zu können, wobei diese beiden Signale am Eingang des UND-Gatters 7 empfangen werden. Der logische Ausgangspegel dieses Gatters erlaubt es dann, die Speicherzelle 6 zu programmieren, z. B. dadurch, daß sie vom logischen Zustand 0 in den logischen Zustand 1 überführt wird, wobei selbstverständlich ein Schreibbefehl ausgegeben wurde. Um den Befehl für Lesen-Schreiben zu erhalten, verwendet man den Befehl R/W des Speichers 1, invertiert durch ein Gatter 8.
- Bei einem ersten Programmieren des Speichers 1 steht das Signal R/W z. B. auf 1, was einem Schreibbefehl für den Speicher 1 und einem Lesebefehl für die Zelle 6 entspricht. Das Schreibfreigabesignal WE befindet sich im Zustand 1. Der Inhalt der Zelle 6 wird gelesen, wobei der logische Wert dieses Inhalts z. B. 0 ist; das Ausgangssignal des Gatters 5 steht auf 1. Das Ausgangssignals des Gatters 4 steht auf 1; der Speicher 1 ist programmierbar.
- Am Ende der Programmierung des Speichers 1 steht das Signal SFP auf 1, das Signal W steht auf 1 und das Signal R/W steht auf 0, was einem Schreibbefehl für die Zelle 6 entspricht. Der logische Programmierzustand der Zelle ist z. B. 1. Das Ausgangssignal des Gatters 5 steht auf 0. Das Gatter 4 verbietet jede Schreibfreigabe.
- Während jedes versuchten Schreibens in den Speicher 1 nach dem Programmieren der Zelle 6 wird der Inhalt dieser Zelle systematisch gelesen, was jede Neuprogrammierung verhindert. Das UND-Gatter 4, das an einem seiner Eingänge das den logischen Zustand der Speicherzelle 6 wiedergebende Signal empfängt, verhindert nämlich unabhängig vom logischen Zustand des Schreibfreigabesignals WE im Speicher 1 jede Neuprogrammierung desselben. Der Speicher 1 ist dadurch gegen Neuprogrammierung geschützt, d. h. gegenüber einem Verwender, der nicht weiß, daß dieser Speicher bereits programmiert wurde. Selbstverständlich ist es immer möglich, einen solchen Speicher neu zu programmieren, im Fall eines EPROM-Speichers z. B. dadurch, daß ein Fenster vorgesehen wird, das ultraviolette Strahlung auf alle Speicherzellen fallen läßt, darunter auch auf die Schutzzelle 6 dieses Speichers 1.
- Um das Lesen und das Beschreiben der einen Transistor mit potentialfreiem Gate aufweisenden Zelle 6 zuzulassen, sind die Gatter 7 und 8 so gewählt, daß sie einen unteren Pegel von 5 V oder einen oberen Pegel von 12 V ausgeben.
Claims (4)
1. Schutzvorrichtung für einen lösch- und neuprogrammierbaren
Festwertspeicher (1), der Mittel zum Verhindern des Zugriffs
auf den Speicher aufweist, welche Mittel ein logisches Gatter
(4) aufweisen, das ein erstes Steuersignal, das dem logischen
Zustand "0" oder "1" einer Steuervorrichtung entspricht, und
ein zweites Signal erhält, wobei dieses Gatter seinerseits
mit dem Eingang eines Decodierers (2, 3) für den Speicher (1)
verbunden ist und das übertragen dieses zweiten Signals
verhindert, wenn sich das Steuersignal in einem ersten logischen
Zustand befindet, wobei die Steuervorrichtung ein
Lese/Schreib-Steuersignal (R/W) für den Speicher, das zweite
Signal und ein die für den Zugriff auf den Speicher notwendigen
Bedingungen repräsentierendes Signal empfängt, wobei die
Steuervorrichtung verifiziert, ob der Zugriff auf den
Speicher möglich ist, wobei die Schutzvorrichtung dadurch
gekennzeichnet ist, daß das die notwendigen Bedingungen
repräsentierende Signal ein Signal SFP ist, das das Ende eines
Programmiervorgangs des Speichers (1) anzeigt, daß das zweite
Signal WE ein Schreibfreigabesignal für den Speicher anzeigt,
daß die Steuervorrichtung eine nichtflüchtige Speicherzelle
(6) aufweist, die das Steuersignal liefert, daß die Zelle bei
Empfang der entsprechenden Signale SFB und WE programmiert
wird, und daß die Zelle jedes Mal dann gelesen wird, wenn es
erwünscht ist, Daten in den Speicher (1) einzuschreiben.
2. Schutzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das logische Gatter (4) eingangsseitig das
Leseausgangssignal der Zelle (6) als Steuersignal und ein
Schreibfreigabesignal (WE) für den Speicher (1) als zweites Signal
empfängt, wobei das logische Gatter (4) die Übertragung des
Schreibfreigabesignals für den Speicher (WE) sperrt, wenn
sich die Zelle in dem ersten logischen Zustand befindet.
3. Schutzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Lese/Schreib-Steuersignal für die Zelle (6) zu dem
Lese/Schreib-Steuersignal für den Speicher (R/W) invers ist,
damit die Zelle (6) jedesmal dann ausgelesen wird, wenn es
erwünscht ist, Daten in den Speicher (1) einzuschreiben.
4. Schutzvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß sie Mittel zum Ausgeben des
Programmierendesignals (SFP) am Ende eines Vorgangs zum
Einschreiben in den Speicher aufweist, und daß ein logisches
Gatter (7) eingangsseitig dieses Programmierendesignal (SFP)
und das Schreibfreigabesignal für den Speicher (WE) empfängt
und auf den Empfang dieser zwei Signale hin einen
Programmierbefehl für die nichtflüchtige Zelle (6) ausgibt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8617887A FR2608803B1 (fr) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | Dispositif de protection d'une memoire morte effacable et reprogrammable |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3784664D1 DE3784664D1 (de) | 1993-04-15 |
DE3784664T2 true DE3784664T2 (de) | 1993-06-17 |
Family
ID=9342120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8787402858T Expired - Fee Related DE3784664T2 (de) | 1986-12-19 | 1987-12-15 | Schutzvorrichtung fuer einen loesch- und neuprogrammierbaren festwertspeicher. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4849942A (de) |
EP (1) | EP0272977B1 (de) |
JP (2) | JP3073748B2 (de) |
DE (1) | DE3784664T2 (de) |
FR (1) | FR2608803B1 (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4931997A (en) * | 1987-03-16 | 1990-06-05 | Hitachi Ltd. | Semiconductor memory having storage buffer to save control data during bulk erase |
JPH0683228B2 (ja) * | 1988-07-29 | 1994-10-19 | ホーチキ株式会社 | 防災監視装置 |
US5293610A (en) * | 1989-08-04 | 1994-03-08 | Motorola, Inc. | Memory system having two-level security system for enhanced protection against unauthorized access |
WO1993007565A1 (en) * | 1991-10-01 | 1993-04-15 | Motorola, Inc. | Memory write protection method and apparatus |
GB2318228B (en) * | 1996-10-09 | 2000-08-09 | Ericsson Telefon Ab L M | Trimming circuit |
FR2756410B1 (fr) * | 1996-11-28 | 1999-01-15 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif de protection apres une ecriture de page d'une memoire electriquement programmable |
US6184928B1 (en) | 1997-04-30 | 2001-02-06 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for split shift register addressing |
DE19835609C2 (de) * | 1998-08-06 | 2000-06-08 | Siemens Ag | Programmgesteuerte Einheit |
US6837425B2 (en) | 2002-09-13 | 2005-01-04 | Visa U.S.A. Inc. | Compact protocol and solution for substantially offline messaging between portable consumer device and based device |
DE102004046744B4 (de) | 2004-09-27 | 2007-05-24 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur Übertragung von Pulvern und Pulverlacken auf Substrate und Verwendung zur Herstellung von Leiterplatten und Solarzellen |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2471004B1 (fr) * | 1979-11-30 | 1985-09-13 | Dassault Electronique | Installation et dispositif de controle de l'acces a une memoire electronique |
US4651323A (en) * | 1983-11-14 | 1987-03-17 | Tandem Computers Incorporated | Fault protection flip flop |
JPS60140449A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-25 | Fujitsu Ltd | メモリ保護方式 |
JPS61101856A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 記憶装置 |
-
1986
- 1986-12-19 FR FR8617887A patent/FR2608803B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-12-15 DE DE8787402858T patent/DE3784664T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-15 EP EP87402858A patent/EP0272977B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-16 US US07/133,738 patent/US4849942A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-19 JP JP62322630A patent/JP3073748B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-02-24 JP JP2000047617A patent/JP2000231515A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3784664D1 (de) | 1993-04-15 |
EP0272977A1 (de) | 1988-06-29 |
JP2000231515A (ja) | 2000-08-22 |
EP0272977B1 (de) | 1993-03-10 |
JPS63165934A (ja) | 1988-07-09 |
FR2608803B1 (fr) | 1991-10-25 |
FR2608803A1 (fr) | 1988-06-24 |
JP3073748B2 (ja) | 2000-08-07 |
US4849942A (en) | 1989-07-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |