DE3641285C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3641285C2 DE3641285C2 DE3641285A DE3641285A DE3641285C2 DE 3641285 C2 DE3641285 C2 DE 3641285C2 DE 3641285 A DE3641285 A DE 3641285A DE 3641285 A DE3641285 A DE 3641285A DE 3641285 C2 DE3641285 C2 DE 3641285C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cladding
- light
- layers
- substrate
- core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/126—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind using polarisation effects
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S65/00—Glass manufacturing
- Y10S65/15—Nonoxygen containing chalogenides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S65/00—Glass manufacturing
- Y10S65/15—Nonoxygen containing chalogenides
- Y10S65/16—Optical filament or fiber treatment with fluorine or incorporating fluorine in final product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur
Herstellung eines planaren Lichtwellenleiters zur Führung von
Licht mit definierter Polarisation, durch Abscheiden dünner
glasartiger Schichten aus einer Gasphase auf einem Substrat zur
Erzeugung eines vorgegebenen Brechzahlverlaufs der Schichten, so
daß eine erste Mantelschicht, danach ein lichtführender Kernbe
reich und auf diesen Kernbereich eine zweite, der ersten Mantel
schicht gleichartige Mantelschicht abgeschieden wird, wobei
aus dieser Beschichtung anschließend durch Maskierung und
Wegätzen bis auf das Substrat der nicht maskierten Bereiche
lichtführende Streifenleiter erzeugt werden.
Planara Monomode-Lichtwellenleiter zur Führung von Licht mit
definierter Polarisation sind von Bedeutung zur Verwendung als
Grundbaustein in integriert-optischen Anordnungen für Sensor-
Systeme und für die Monomode-Faser-Kommunikation, besonders für
die Übertragung von kohärentem Licht mit bevorzugter Polarisa
tionsebene. Eine spezielle Anwendung für derartige Lichtwellen
leiter ist beispielsweise ein Gyroskop.
Bisher werden zur Herstellung planarer Monomode-Lichtwellenlei
ter, die Licht mit definierter Polarisation (polarisationser
haltender und polarisierender Lichtwellenleiter) leiten können,
überwiegend aus LiNbO3-Kristallen (Lithiumniobat) aufgebaut,
deren lichtführender Kern durch Diffusion von Titan in einen in
einen LiNbO3-Kristall ausgebildeten Kanal und durch Protonen
austausch über eine kurze Strecke des lichtführenden Bereichs von
Li⁺ gegen H⁺ hergestellt wurde (Electronic Letters, February
1984, Vol 20 No. 3, S. 128). Das Funktionsprinzip derartiger
integriert-optischer Polarisatoren beruht darauf, daß die Brech
zahlen des den Mantel des Lichtwellenleiters bildenden LiNbO3-
Kristalls in Richtung der verschiedenen Kristallachsen unter
schiedlich sind (Doppelbrechung).
Polarisierende oder polarisationserhaltende Monomode-Lichtwellen
leiter-Fasern entstehen auch durch Spannungsdoppelbrechung. Durch
Einwirkung unterschiedlicher Druck- und/oder Zugspannungen auf
den Monomode-Lichtwellenleiterkern aus entgegengesetzten Rich
tungen entsteht diese Spannungsdoppelbrechung, die dafür verant
wortlich ist, daß die beiden, zueinander senkrechten Ausbrei
tungsmoden (Polarisationsebenen) in Monomode-Lichtwellenleitern
nicht miteinander koppeln.
In der DE 29 01 092 A1 sind planare Lichtwellenleiter zur
Führung von Licht mit definierter Polarisation mit Hilfe span
nungsinduzierter Doppelbrechung beschrieben. Diese Lichtwellen
leiter sind optische Glasfasern, die aus Vorformlingen gezogen
werden, welche geometrische und materielle Asymmetrien aufweisen.
Die vorstehend erwähnten, in einem LiNbO3-Kristall eingebetteten
Lichtwellenleiter haben verschiedene, mehr oder minder schwerwie
gende Nachteile:
- a) durch die Kristallstruktur des LiNbO3 ist die Richtung der bevorzugten Polarisation vorgegeben; je nach Kristallschnitt kann es sich um die ordentliche oder außerordentliche Polarisations richtung handeln. Das hat zur Folge, daß Lichtwellenleiter-Krüm mungen die Doppelbrechung ändern oder sogar ganz aufheben können; dadurch wird der mögliche Einsatzbereich stark eingeschränkt;
- b) das durchgeleitete Licht erfährt eine relativ hohe Dämpfung;
- c) wegen des relativ hohen Brechzahlunterschiedes zwischen dem LiNbO3-Kristall und dem anzukoppelnden lichtführenden Monomode- Lichtwellenleiter treten bei der Faserankopplung Probleme auf, insbesondere eine hohe Reflexion an der Schnittstelle LiNbO3- Kristall/Lichtwellenleiter sowie eine schlechte Feldanpassung;
- d) besonders gravierender Nachteil ist die feste Vorgabe der Doppelbrechung durch die Materialkonstanten;
- e) das Verfahren zur Herstellung derartiger integriert-optischer Polarisatoren ist sehr aufwendig und langwierig.
Aus der DE-OS 30 47 589 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung von
Lichtwellenleitern mittels Abscheidens dünner, glasartiger
Schichten aus einer Gasphase und anschließendes Ätzen bekannt.
Der mit diesem Verfahren herstellbare Lichtleiter dient jedoch
nicht der Führung von Licht mit definierter Polarisation.
In der DE-PS 35 36 780 wird ein Verfahren beschrieben, wonach die
Herstellung planarer Lichtwellenleiter derart erfolgt, daß licht
führende Streifen durch Abscheiden dünner, glasartiger Schichten
auf einem Substrat erzeugt werden, wobei insbesondere ein vorge
gebener Brechzahlverlauf entsteht. Auch der mit diesem Verfahren
herstellbare Lichtleiter eignet sich nicht zur Führung von Licht
mit definierter Polarisation.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist deshalb ein Verfahren zur
Herstellung eines planaren Monomode-Lichtwellenleiters, der nur
Licht mit definierter Polarisation führt; wobei die Polarisa
tionsrichtung frei vorgebbar sein, der Lichtwellenleiter eine
geringe Lichtdämpfung aufweisen, schnell und einfach herstellbar
sein, eine bequeme Faserkopplung ermöglichen und die Doppel
brechung durch den geometrischen Verlauf des Lichtwellenleiters
nicht beeinflußt werden soll.
Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren der eingangs erwähnten Art
dadurch gelöst, daß
nach der Bildung dieser lichtführenden Strei
fenleiter ein beidseitig an diese lichtführenden Streifenleiter
angrenzender glasartiger Mantelbereich abgeschieden wird, daß die
Abmessungen des Mantelbereichs und des lichtführenden Streifen
leiters senkrecht zur Substratoberfläche ungefähr gleich sind,
und daß der thermische Längenausdehnungskoeffizient dieses Man
telbereichs deutlich verschieden ist von dem thermischen Längen
ausdehnungskoeffizient der beiden gleichartigen Mantelschichten.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die zur Aufrechterhaltung
der Polarisation und die zur Stabilisierung der beiden sich
zueinander senkrecht ausbreitenden Moden bei Monomode-Lichtwel
lenleitern erforderliche Spannungsdoppelbrechung dadurch erzielt,
daß auf den Kernbereich des vorliegenden Lichtwellenleiters, der
zur Führung von Licht mit definierter Polarisation in der Lage
ist, aus Richtung der gleichartigen Mantelschichten und/oder des
Mantelbereichs senkrecht auf den Kern Zugspannungen und/oder
Druckspannungen einwirken.
Die Vorzeichen (Zug oder Druck) der auf den Kern einwirkenden
Spannungen hängen von den linearen thermischen Ausdehnungskoef
fizienten der Materialien des Kernbereichs, der beiden gleich
artigen Mantelschichten und des Mantelbereichs untereinander ab.
Darauf wird später innerhalb der Ausführungsbeispiele genauer
eingegangen.
Vorteilhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden
mit den Merkmalen der Unteransprüche erreicht.
Zusätzlich lassen sich durch geeignete Wahl der Brechzahlen des
Kernbereichs, der gleichartigen Mantelschichten und des Mantel
bereichs die Eigenschaften des erfindungsgemäßen Lichtwellenlei
ters bezüglich der die Polarisation erhaltende Wirkung auf die
Lichtausbreitung (monomode Lichtleitung) gezielt einstellen.
Weisen nämlich die Materialien der beiden gleichartigen Mantel
schichten und des Mantelbereichs außer unterschiedlichem Ausdeh
nungskoeffizienten auch noch geringere Brechzahlen als das Ma
terial des Kernbereichs auf, so hat der entsprechende Lichtwel
lenleiter für die beiden aufeinander senkrecht stehend sich aus
breitenden Moden polarisationserhaltende Wirkung und beide Po
larisationsebenen (Moden) können unabhängig voneinander jede für
sich geführt werden.
Weist das Material der beiden gleichartigen Mantelschichten oder
des Mantelbereichs zwar unterschiedliche Ausdehnungskoeffizienten
jedoch ungefähr die gleiche Brechzahl wie der Kernbereich auf,
findet an der durch die Materialien ungefähr gleicher Brechzahlen
gebildeten Grenzfläche Auskopplung der auf diese Grenzfläche
treffenden Lichtmode statt; der so hergestellte Lichtwellenleiter
besitzt also polarisierende Wirkung und es wird nur eine Polari
sationsebene (Mode) des sich monomodig ausbreitenden Lichtes
übertragen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung können die den Lichtwellenleiter
aufbauenden glasartigen Schichten und der Mantelbereich mittels
eines nichtisothermen Plasma-CVD-Verfahrens (H. Karstensen; "Her
stellungsverfahren optischer Wellenleiter: Eine Übersicht" in
Laser- und Optoelektronic, Nr. 4/1982, S. 13-31) abgeschieden
werden.
Die Gläser, die zur Herstellung des erfindungsgemäßen Lichtwel
lenleiters abgeschieden werden, können sowohl Oxidgläser, Fluo
ridgläser als auch Chalkogenidgläser sein. Untereinander kommen
jedoch immer nur Gläser des gleichen Typs zum Einsatz.
Chalkogenidgläser bieten beispielsweise den Vorteil, daß sie
auch zur Übertragung von Licht im infraroten Wellenlängenbereich
eingesetzt werden können.
Für alle möglichen und denkbaren Ausführungsformen der vorliegen
den Erfindung kann als Substratmaterial billiges Quarzglas zum
Einsatz kommen.
Bei der Herstellung von erfindungsgemäßen Lichtwellenleitern mit
besonders geringer Lichtdämpfung wird die Dicke der Mantelschicht
zwischen Substrat und Kernbereich mindestens so groß gewählt, daß
das sich ausbreitende Licht nicht mit dem Substrat in Wechselwir
kung treten kann, da andernfalls eine starke Dämpfung des sich
ausbreitenden Lichtes erfolgen kann. Dadurch werden auch die Her
stellungskosten für den Lichtwellenleiter verringert, weil das
Substratmaterial nicht aus besonders dämpfungsarmen Material zu
sein braucht.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von zwei Ausführungsbei
spielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert, in
welcher in
Fig. 1 ein vertikaler Querschnitt durch die lichtführenden
Schichten des erfindungsgemäßen Lichtwellenleiters vor
der Bildung der lichtführenden Streifenleiter, in
Fig. 2 ein vertikaler Querschnitt durch den lichtführenden
Streifenleiter des erfindungsgemäßen Lichtwellenleiters
dargestellt ist, und in
Fig. 3 ein vertikaler Querschnitt durch den gesamten, fertigen
Lichtwellenleiter gezeigt ist.
Auf ein Substrat 4 aus Quarzglas wird durch ein nicht isothermes
Plasma-CVD-Verfahren eine erste Mantelschicht 2 aus reinem SiO2
aufgebracht (Fig. 1). Auf dieser ersten Mantelschicht 2 wird
danach eine Kernschicht 1 abgeschieden; diese Kernschicht ist auf
85 Gew.-% SiO2 und 15 Gew.-% GeO2 zusammengesetzt; die Kernschicht
hat also einen höheren Brechungsindex als die beiden gleichar
tigen Mantelschichten.
Auf der Kernschicht 1 wird eine weitere Mantelschicht 2′ mit der
gleichen Zusammensetzung wie die erste Mantelschicht 2 abgeschie
den. Demnach besitzt die Kernschicht 1 eine höhere Brechzahl
als die an sie angrenzenden Mantelschichten 2 und 2′. Mit der
üblichen Maskenätztechnik, die in der einschlägigen Literatur
ausführlich beschrieben ist, wird dann aus dem aus den Schichten
2, 1, 2′ bestehenden Schichtensystem auf dem Substrat 4 ein
Streifenleiter herausgearbeitet (Fig. 2). In einem nächsten
Verfahrensschritt werden die beiden Mantelbereichhälten 3 und 3′
abgeschieden, die beidseitig an den Streifenwellenleiter direkt
angrenzen (Fig. 3). Dieser gesamte Mantelbereich aus 3 und 3′
hat die Zusammensetzung 83,5 Gew.-% SiO2, 15 Gew.-% GeO2 und 1,5
Gew.-% P2O5; der Mantelbereich hat also ungefähr die gleiche
Brechzahl wie der Kernbereich.
Beim Aufbringen des Mantelbereichs, bestehend aus den beiden
Hälften 3 und 3′ aus der Gasphase findet wieder Erhitzung des
zuvor herausgearbeiteten lichtführenden Streifenleiters statt.
Beim anschließenden gemeinsamen Abkühlen des lichtführenden
Streifenleiters und der beiden Mantelbereichshälften 3 und 3′
können die aufgrund der unterschiedlichen thermischen Längen
ausdehnungskoeffzienten auftretenden Spannungen über die Abkühl
geschwindigkeit gezielt gesteuert werden.
Durch die unterschiedlichen thermischen Längenausdehnungskoeffi
zienten des Mantelbereichs (3, 3′) von 15 · 10-7/°C und der beiden
gleichartigen Mantelschichten (2, 2′) von 5 · 10-7/°C des vorlie
genden Ausführungsbeispiels 1 bauen sich im Kern bei gesteuerter
Abkühlung stark unterschiedliche Spannungen parallel und senk
recht zum Substrat 4 auf; hierdurch entsteht Spannungsdoppel
brechung im Kern 1. Im Kern 1, der für Monomode-Übertragung di
mensioniert ist, sind dann zwei Wellen mit zueinander orthogo
nalen Polarisationsebenen ausbreitungsfähig; wegen der Spannungs
doppelbrechung sind diese weitgehend entkoppelt.
In einem Lichtwellenleiter der vorstehend beschriebenen Art wird
eine sich ausbreitende Welle, deren Polarisationsebene parallel
zum Substrat 4 ist, nicht geführt und dadurch stark gedämpft, da
der Kern 1 keine höhere Brechzahl als der Mantelbereich (3, 3′)
(b) besitzt. Dagegen wird eine Welle, deren Polarisationsebene in
der Senkrechten zum Substrat 4 liegt, unter Erhalt ihrer Polari
sationsebene geführt; eine Kopplung in die dazu orthogonale Posi
tion, in der dann Auskopplung aus dem Kern 1 eintreten würde,
kann wegen der Spannungsdoppelbrechung nicht stattfinden.
Ein derartiger planarer Lichtwellenleiter wirkt also polarisie
rend. Aufgrund der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungs
koeffizienten der eingesetzten Glaszusammensetzungen wirkt in
einem solchen Lichtwellenleiter senkrecht zum Substrat 4 auf den
Kern eine Zugspannung (α 1 < α 2, 2′) und parallel zum Substrat 4
auf den Kern eine Druckspannung (α 3, 3′ < α 1).
Es wird analog wie in Ausführungsbeispiel 1 ein planarer Licht
wellenleiter hergestellt, mit der Abweichung, daß für den Man
telbereich (3, 3′) eine Glaszusammensetzung gewählt wird, die
aus 87 Gew.-% SiO2 und 13 Gew.-% B2O3 besteht; der Mantelbereich
hat demnach einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 13 ·
10-7/°C und eine niedrigere Brechzahl als der Kern.
Durch diese Wahl der thermischen Ausdehnungskoeffzienten der
Materialien für die glasartigen Schichten ergibt sich wieder die
zur Vermeidung der Kopplung der beiden Ausbreitungsmoden erfor
derliche Spannungsdoppelbrechung. Ein derartiger planarer Licht
wellenleiter gestattet es im Gegensatz zu dem im Ausführungsbei
spiel 1 beschriebenen Lichtwellenleiter, eine Welle mit Polarisa
tionsebene senkrecht oder parallel oder auch zwei Wellen mit Po
larisationsebenen senkrecht und parallel zum Substrat 4 annähernd
dämpfungsfrei unter Erhalt der jeweiligen Polarisationsebenen zu
führen.
Claims (9)
1. Verfahren zur Herstellung eines planaren Lichtwellenleiters
zur Führung von Licht mit definierter Polarisation, durch Ab
scheiden dünner glasartiger Schichten aus einer Gasphase auf
einem Substrat zur Erzeugung eines vorgegebenen Brechzahl
verlaufs der Schichten, so daß eine erste Mantelschicht, da
nach ein lichtführender Kernbereich und auf diesen Kernbereich
eine zweite, der ersten Mantelschicht gleichartige Mantelschicht
abgeschieden wird, wobei aus
dieser Beschichtung anschließend durch Maskierung
und Wegätzen bis auf das Substrat der nicht maskierten Bereiche
lichtführende Streifenleiter erzeugt werden, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Bil
dung dieser lichtführenden Streifenleiter ein beidseitig an diese
lichtführenden Streifenleiter angrenzender glasartiger Mantel
bereich (3, 3′) abgeschieden wird, daß die Abmessungen des Man
telbereichs (3, 3′) und des lichtführenden Streifenleiters senk
recht zur Substratoberfläche ungefähr gleich sind und daß der
thermische Längenausdehnungskoeffizient dieses Mantelbereichs
(3, 3′) deutlich verschieden ist von dem thermischen Längenaus
dehnungskoeffizient der beiden gleichartigen Mantelschichten
(2, 2′).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die gleichartigen Mantelschichten (2, 2′) und der Mantel
bereich (3, 3′) aus Materialien gebildet werden, die beide
eine geringere Brechzahl aufweisen als der Kernbereich (1).
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
entweder die gleichartigen Mantelschichten (2, 2′) oder
der Mantelbereich (3, 3′) aus einem Material gebildet wer
den/wird, das ungefähr die gleiche Brechzahl aufweist wie
der Kernbereich (1).
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß dieses Abscheiden dieser glasartigen Schichten mittels
eines nichtisothermen Plasma-CVD-Verfahrens durchgeführt
wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der Kernbereich (1), die gleichartigen Mantelschichten
(2, 2′) und der Mantelbereich (3, 3′) aus oxidischen Gläsern
gebildet werden.
6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der Kernbereich (1), die gleichartigen Mantelschichten
(2, 2′) und der Mantelbereich (3, 3′) aus Fluoridgläsern ge
bildet werden.
7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der Kernbereich (1), die gleichartigen Mantelschichten
(2, 2′) und der Mantelbereich (3, 3′) aus Chalkogenidgläsern
gebildet werden.
8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für das Substrat (4) Quarzglas verwendet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dicke der Mantelschicht (2) zwischen Substrat (4) und
Kernbereich (1) so gewählt wird, daß das sich ausbreitende
Licht nicht mit dem Substrat in Wechselwirkung treten kann.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863641285 DE3641285A1 (de) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | Verfahren zur messung von (alpha) und ss-strahlen geringer intensitaet |
GB8725947A GB2199157B (en) | 1986-12-03 | 1987-11-05 | Process for producing a planar optical waveguide |
IT8768022A IT1211564B (it) | 1986-12-03 | 1987-11-27 | Processo per la produzione di una fibra ottica planare |
FR8716625A FR2607800B1 (fr) | 1986-12-03 | 1987-12-01 | Procede pour la fabrication d'un guide d'ondes optiques planar |
US07/127,477 US4851025A (en) | 1986-12-03 | 1987-12-02 | Process for producing a planar optical waveguide |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863641285 DE3641285A1 (de) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | Verfahren zur messung von (alpha) und ss-strahlen geringer intensitaet |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3641285A1 DE3641285A1 (de) | 1988-06-09 |
DE3641285C2 true DE3641285C2 (de) | 1988-09-08 |
Family
ID=6315356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863641285 Granted DE3641285A1 (de) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | Verfahren zur messung von (alpha) und ss-strahlen geringer intensitaet |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4851025A (de) |
DE (1) | DE3641285A1 (de) |
FR (1) | FR2607800B1 (de) |
GB (1) | GB2199157B (de) |
IT (1) | IT1211564B (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0308602A3 (de) * | 1987-09-25 | 1990-01-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Vergrabener doppelbrechender optischer Wellenleiter oder Struktur aus solchen Wellenleitern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Wellenleiters oder einer solchen Struktur |
US5143577A (en) * | 1991-02-08 | 1992-09-01 | Hoechst Celanese Corporation | Smooth-wall polymeric channel and rib waveguides exhibiting low optical loss |
DE4137606C1 (de) * | 1991-11-15 | 1992-07-30 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De | |
KR0137125B1 (ko) * | 1992-11-16 | 1998-06-15 | 모리시타 요이찌 | 광도파로소자와 그 제조방법 |
EP0657900B1 (de) * | 1993-12-06 | 1998-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Hybrid Magnetstruktur und deren Herstellungsverfahren |
JP2000504121A (ja) * | 1996-02-03 | 2000-04-04 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 光素子の作製方法及び光素子 |
US6022671A (en) * | 1997-03-11 | 2000-02-08 | Lightwave Microsystems Corporation | Method of making optical interconnects with hybrid construction |
US6144779A (en) | 1997-03-11 | 2000-11-07 | Lightwave Microsystems Corporation | Optical interconnects with hybrid construction |
US5970186A (en) * | 1997-03-11 | 1999-10-19 | Lightwave Microsystems Corporation | Hybrid digital electro-optic switch |
US5852687A (en) * | 1997-07-09 | 1998-12-22 | Trw Inc. | Integrated optical time delay unit |
FR2766582A1 (fr) * | 1997-07-23 | 1999-01-29 | Corning Inc | Methode de fabrication de composant optique et composant optique fabrique selon cette methode |
EP1129385A2 (de) | 1998-11-10 | 2001-09-05 | Lightwave Microsystems Corporation | Photonisches bauelement mit thermo-optischen polymer |
US6403393B1 (en) | 1999-09-01 | 2002-06-11 | International Business Machines Corporation | Device having integrated optical and copper conductors and method of fabricating same |
US6625370B2 (en) * | 2000-08-22 | 2003-09-23 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical waveguide and fabricating method thereof, and optical waveguide circuit |
US6697552B2 (en) | 2001-02-23 | 2004-02-24 | Lightwave Microsystems Corporation | Dendritic taper for an integrated optical wavelength router |
US6705124B2 (en) * | 2001-06-04 | 2004-03-16 | Lightwave Microsystems Corporation | High-density plasma deposition process for fabricating a top clad for planar lightwave circuit devices |
EP1418850B1 (de) * | 2001-08-01 | 2010-10-06 | Tyco Healthcare Group LP | Gerät zur schaffung eines perkutanen zugangs zu einem und bereitstellung eines medikaments an einem operationszielort |
JP2003240990A (ja) * | 2002-02-14 | 2003-08-27 | Fujitsu Ltd | 平面光導波路装置 |
JP6753417B2 (ja) | 2015-12-24 | 2020-09-09 | 住友電気工業株式会社 | 光デバイスおよび光デバイス製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4179189A (en) * | 1978-01-13 | 1979-12-18 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Single polarization optical fibers and methods of fabrication |
NL193330C (nl) * | 1978-01-13 | 1999-06-02 | Western Electric Co | Optische golfleider en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
US4425146A (en) * | 1979-12-17 | 1984-01-10 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Method of making glass waveguide for optical circuit |
US4395270A (en) * | 1981-04-13 | 1983-07-26 | Corning Glass Works | Method of fabricating a polarization retaining single-mode optical waveguide |
CA1177297A (en) * | 1981-03-30 | 1984-11-06 | Michael G. Blankenship | Polarization retaining single-mode optical fibers and methods of making |
JPS5954635A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-29 | Hitachi Cable Ltd | 偏波面保存光フアイバの製造法 |
JPS5960405A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Fujitsu Ltd | 光導波路およびその製造方法 |
JPS59188605A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波形光モ−ドフイルタ |
US4652290A (en) * | 1983-07-05 | 1987-03-24 | Motorola, Inc. | Method for making optical channel waveguides and product manufactured thereby |
US4549891A (en) * | 1984-02-23 | 1985-10-29 | Polaroid Corporation | Method for forming a non-symmetrical optical fiber |
DE3536780A1 (de) * | 1985-10-16 | 1987-04-16 | Schott Glaswerke | Verfahren zur herstellung eines planaren lichtwellenleiters |
US4818722A (en) * | 1986-09-29 | 1989-04-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for generating a strip waveguide |
-
1986
- 1986-12-03 DE DE19863641285 patent/DE3641285A1/de active Granted
-
1987
- 1987-11-05 GB GB8725947A patent/GB2199157B/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-11-27 IT IT8768022A patent/IT1211564B/it active
- 1987-12-01 FR FR8716625A patent/FR2607800B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-02 US US07/127,477 patent/US4851025A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3641285A1 (de) | 1988-06-09 |
FR2607800B1 (fr) | 1992-12-31 |
IT8768022A0 (it) | 1987-11-27 |
US4851025A (en) | 1989-07-25 |
GB2199157B (en) | 1990-08-22 |
GB2199157A (en) | 1988-06-29 |
FR2607800A1 (fr) | 1988-06-10 |
IT1211564B (it) | 1989-11-03 |
GB8725947D0 (en) | 1987-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3641285C2 (de) | ||
DE69526003T2 (de) | Optisches Gerät mit Substrat und Wellenleiterstruktur mit thermisch angepassten Grenzflächen | |
DE69826800T2 (de) | Integriert-optischer Wellenleiter und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69728955T2 (de) | Athermalisierte codotierte optische Wellenleitervorrichtung | |
DE3782537T2 (de) | Richtkoppler. | |
DE3042896C2 (de) | ||
DE69521567T2 (de) | Optisches Wellenleitermodul mit einem Substrat aus einem bestimmten Material und einem Ferrule aus einem anderen Material | |
DE69938132T2 (de) | Athermischer Wellenleitergitter-Multiplexer (AWG) mit Polymersegment, sowie entsprechendes Herstellungsverfahren | |
DE2901092C2 (de) | ||
DE69800250T2 (de) | Optische Faser mit geringer Disperionssteilheit im Wellenlängenbereich von Erbiumverstärkern | |
DE3888330T2 (de) | Optischer Wellenleiter. | |
DE69428558T2 (de) | Kopplungsstruktur für optische Fasern und optische Wellenleiter | |
DE3221836C2 (de) | Einzelmodenfaser | |
DE3231832C2 (de) | Optische Faser | |
DE69902800T2 (de) | Optische wellenleitervorrichtung | |
DE69821476T2 (de) | Optischer modulator | |
EP0308602A2 (de) | Vergrabener doppelbrechender optischer Wellenleiter oder Struktur aus solchen Wellenleitern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Wellenleiters oder einer solchen Struktur | |
DE3536780C2 (de) | ||
DE69116504T2 (de) | Verpackung von optischen Komponenten aus Silizium | |
ES496375A0 (es) | Un metodo mejorado para la fabricacion de una preforma de fibra optica | |
DE69608664T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Hohlraumfreien optischen Wellenleiters | |
DE4433738B4 (de) | Doppelbrechungsarmer planarer optischer Wellenleiter und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP0198118A1 (de) | Einwelliger Lichtwellenleiter aus Quarzglas und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE69411144T2 (de) | Breitbandiger integriert-optischer Richtkoppler | |
DE4320128A1 (de) | Monotyp-Lichtwellenleiter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |