DE3518596C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur zeilensequentiellen
Ansteuerung einer Dünnfilm-Elektrolimineszenz-Anzeigeeinrichtung
gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs.
Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise aus der DE-OS
32 05 653 bekannt. Bei diesem bekannten Verfahren werden
an sämtliche Bildelemente annähernd gleichzeitig Spannungsimpulse
mit zueinander umgekehrter Polarität angelegt,
um Helligkeitsunterschiede in den Bildelementen
auszugleichen. Diese Spannungsimpulse sind beispielsweise
der Auffrischpuls und der zugehörige Kompensationspuls.
Ferner werden an die jeweiligen Elektrodenzeilen Schreibspannungsimpulse
mit gleicher Amplitude angelegt.
In der älteren Anmeldung nach der DE-OS 35 11 886 ist bereits
eine Treiberschaltung zum Ansteuern eines Dünnfilm-
EL-Displays beschrieben worden, die bis auf die Auffrischschaltung
120 mit dem schaltungsmäßigen Ausführungsbeispiel
zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
übereinstimmt. Beim Betrieb der in der älteren
Anmeldung beschriebenen Treiberschaltung erfolgt die Polaritätsumkehr
aber erst nach einem Halbbild.
Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtungen und Verfahren
zur zeilensequentiellen Ansteuerung sind darüber
hinaus grundsätzlich aus Proceedings of the SID, Band
22/1, 1981, Seiten 57 bis 62, bekannt. Allerdings ist dort
ebenfalls nicht erwähnt, Schreibspannungspulse mit jeweils
unterschiedlicher Polarität für aufeinanderfolgende
Abtastzeilen bei Erzeugung eines Halbbildes zu verwenden.
Im Zusammenhang mit matrixförmig aufgebauten Flüssigkristall-
Anzeigeeinrichtungen ist es bereits aus J. Phys. D:
Applied Physics, Band 5, 1972, Seiten 1218 bis 1225, bekannt,
eine Polaritätsumkehr wahlweise nach Abtastung jedes
Punktes, jeder Zeile oder des ganzen Feldes vorzunehmen
(vgl. 2.5 auf Seite 1223).
Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtungen mit Matrixstruktur
werden, wie bereits erwähnt, zeilensequentiell angesteuert, wobei
die obere Grenze der Bildwechsel- bzw. Halbbildfrequenz
von der Anzahl der Abtastelektroden abhängt. Eine Vergrößerung
der Anzeigekapazität der Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtung
ist jedoch mit einer Erhöhung der Anzahl der
Abtastelektroden verbunden, was eine Absenkung der Bildwechsel-
bzw. Halbbildfrequenz nach sich zieht.
Fig. 2 zeigt die Grundstruktur einer Dünnfilm-Elektrolumineszenz
(EL)-Anzeigeeinrichtung. Sie besitzt als Lumineszenzschicht
eine ZnS-Schicht 4, die mit Mangan (Mn) oder anderen
geeigneten aktiven Materialien zur Bildung von Lumineszenzzentren
dotiert ist. An beiden Seiten der Lumineszenzschicht
4 befindet sich jeweils eine dielektrische Schicht 3, 5,
die z. B. aus Si₃N₄, SiO₂, Al₂O₃ oder aus einem anderen
geeigneten Material besteht. Auf der Außenseite der dielektrischen
Schicht 3 liegen transparente Elektroden 2 aus z.
B. Indiumoxid, die sich an der Vorder- bzw. Anzeigeseite
der Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtung nach Fig. 1 befinden.
An der Rückseite der Anzeigeeinrichtung sind weitere
Elektroden 6 angeordnet, die beispielsweise aus einer Aluminiumverbindung
bestehen. Das ganze Schichtsystem liegt auf einem Glassubstrat
1, das die Frontplatte der Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtung
bildet.
Werden an die Elektroden 2, 6 der Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtung
mit Hilfe der Spannungsquelle 7 geeignete Wechselspannungsimpulse
(AC-Pulse) angelegt, so werden in einem
Zyklus, wie in Fig. 3 dargestellt, zwei aufeinanderfolgende
Lichtpulse erzeugt. Mit f ist in Fig. 3 die Frequenz bezeichnet.
Werden beispielsweise AC-Pulse mit 60 Hz an die
Elektroden angelegt, so werden Lichtpulse mit einer Frequenz
von 120 Hz erhalten. Die Pegel der Lichtpulse in
einem Zyklus können dabei um maximal bis zu 10% voneinander
abweichen, was seine Ursache im unsymmetrischen Aufbau
der Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtung hat.
Lichtpulse mit einer Pulsfrequenz, die unter einem bestimmten
Wert liegt, werden vom menschlichen Auge getrennt wahrgenommen
und führen zu Flickererscheinungen. Spannungspulse
mit einer Pulsfrequenz von 30 Hz führen, wie oben erwähnt,
bei der EL-Anzeigeeinrichtung zu Lichtpulsen von
etwa 60 Hz. Würden diese Lichtpulse gleich groß sein, so
würde das Auge keine Flickererscheinungen wahrnehmen. Die
Lichtpulse sind jedoch, wie bereits ausgeführt, voneinander
verschieden, so daß für das menschliche Auge Flickererscheinungen
von 30 Hz auftreten. Hierdurch verschlechtert
sich die Bildqualität der Dünnfilm-Elektrolumineszenz-
Anzeigeeinrichtung erheblich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
zum Ansteuern einer Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtung
zu schaffen, mit dem die Anzeigeeinrichtung
auch bei niedrigen Frequenzen angesteuert werden kann, ohne
daß für das menschliche Auge Flickererscheinungen auftreten.
Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden
Teil des Patentanspruchs angegeben.
Das Prinzip der Erfindung liegt darin, daß an
zwei verschiedenen Bildelementen
unterschiedlicher Zeilen innerhalb eines Zeitraumes von beispielsweise 16,7 Millisekunden
(gleich ¹/₆₀ sec) Spannungspulse mit entgegengesetzter Polarität
angelegt werden, um diese Bildelemente
nahezu gleichzeitig zum Leuchten anzuregen. Durch das
menschliche Auge wird die von diesen Bildpunkten ausgesandte
Strahlung integriert, so daß keine Flickererscheinungen
mehr wahrgenommen werden.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher
erläutert. Es zeigt
Fig. 1 den Spannungsverlauf an ausgewählten Elektroden
Y j und Y j+1 sowie den jeweils zugeordneten Helligkeitsverlauf
an entsprechenden Bildpunkten,
Fig. 2 den Aufbau einer Dünnfilm-Elektrolumineszenz-
Einrichtung,
Fig. 3 einen weiteren Spannungs- bzw. Helligkeitsverlauf,
Fig. 4 eine schematische Draufsicht auf eine Dünnfilm-
Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtung zur Erläuterung
ihrer Elektrodenstruktur,
Fig. 5 andere Spannungs- bzw. Helligkeitsverläufe an Elektroden
bzw. Bildpunkten,
Fig. 6 eine schematische Darstellung der Elektrodenstruktur,
Fig. 7 ein Schaltdiagramm einer Treiberschaltung für die
Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtung,
Fig. 8 Ein- bzw. Ausschaltzustände von elektronischen
Schaltgruppen der Treiberschaltung nach Fig. 7
und
Fig. 9 Signalspannungsverläufe an verschiedenen Bildelementen.
In der Fig. 4 ist in schematischer Weise die Elektrodenstruktur
einer Dünnfilm-Elektrolumineszenz(EL)-Anzeigeeinrichtung
dargestellt. Auf unterschiedlichen Seiten einer
Dreischichtstruktur, die beispielsweise aus einer mittleren
lumineszierenden Schicht und zwei äußeren isolierenden
Schichten besteht, verlaufen streifenförmig ausgebildete
und parallel zueinanderliegende X-Elektroden X₀, X₁,
. . . , X n sowie Y-Elektroden Y₀, Y₁, . . . , Y n . Die auf einer
Seite der Dreischichtstruktur liegenden X-Elektroden erstrecken
sich dabei in X-Richtung, d. h. in vertikaler
Richtung in Fig. 4, während sich die auf der anderen
Seite der Dreischichtstruktur liegenden Y-Elektroden in
Y-Richtung erstrecken, also in horizontaler Richtung in
Fig. 4. Die X-Elektroden und Y-Elektroden sind also so angeordnet,
daß sie sich gegenseitig schneiden, wobei durch
jeden Schnittpunkt ein lumineszierender, punktförmiger Bereich
bzw. ein Bildelement erhalten wird.
In Fig. 5 sind der Helligkeitsverlauf und zugeordnete Spannungen
an einem Bildelement dargestellt, wenn an die entsprechende
X-Elektrode und Y-Elektrode die gezeigten pulsartigen
Spannungen angelegt werden. Wie anhand dieser
Figur zu erkennen ist, ändert sich der Helligkeitspuls
entsprechend der gegenüber der X-Elektrode positiven
oder negativen Polarität der Y-Elektrode. Das Verhältnis
r zwischen den jeweiligen Helligkeitspegeln B+ und B-
läßt sich etwa wie folgt ausdrücken:
r = 2 ([B+] - [B-]/[B+] + [B-]) = 0 - 0,3 .
Bei hohen Wechselspannungsfrequenzen von z. B. über 60
Hz wird kein Flickern der Anzeigeeinrichtung wahrgenommen.
Bei Frequenzen von 30 Hz allerdings unterscheiden
sich die Licht- bzw. Helligkeitspegel schon um mehr als
5%, so daß von den meisten Beobachtern Flickererscheinungen
wahrgenommen werden.
Nach der Erfindung werden auch diese Flickererscheinungen
beseitigt. Das hierzu erforderliche Ansteuerverfahren
der Dünnschicht-Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtung
wird anhand der Fig. 1 und 6 erläutert.
In der Fig. 1 sind Helligkeitsverläufe von Bildelementen
und Wechselspannungssignal- bzw. Pulsverläufe dargestellt,
die an benachbarte Elektroden Y j , Y j+1 der genannten Bildelemente
angelegt werden. Wie zu erkennen ist, ist die
Polarität des Pulses, der an das Bildelement auf der Y j -
Elektrode angelegt wird, umgekehrt zu der Polarität desjenigen
Pulses, der an das Bildelement auf der Y j+1-Elektrode
angelegt wird. Zusätzlich liegt zwischen den beiden
genannten Pulsen ein zeitlicher Abstand Δ t von etwa
16,7 Millisekunden.
Die nach dem oben beschriebenen Verfahren erhaltene Helligkeit
bzw. Lumineszenz setzt sich also aus dem Licht B+,
das zum Zeitpunkt t vom Bildelement auf der Elektrode Y j
emittiert wird, sowie aus dem Licht B-, das zum Zeitpunkt
t+Δ t nach der Zeitspanne Δ t vom Bildelement auf der
Elektrode Y j+1 emittiert wird, zusammen. Dieses so zusammengesetzte
Licht wird vom Auge als von ein und demselben
Ort ausgesandtes Licht wahrgenommen, und zwar mit einer
Helligkeit B von 0,5 ([B+]+[B-]). Ungleichmäßigkeiten
bezüglich der Helligkeit der Dünnfilm-Elektrolumineszenz-
Anzeigeeinrichtung werden daher nicht mehr wahrgenommen,
so daß letztlich keine Flickererscheinungen auftreten.
Eine besondere Eigenschaft des Ansteuerverfahrens nach
der Erfindung besteht darin, daß sowohl bei einer Ansteuerung
der Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtung
mit einer Bildwechsel- bzw. Halbbildfrequenz von weniger
als 50 Hz als auch bei einer solchen mit mehr als 50 Hz
die Bildqualität der Anzeigeeinrichtung durch die entsprechenden
Helligkeitsverläufe erheblich gegenüber einer
konventionellen Anzeigeeinrichtung dieser Art verbessert
ist, obwohl die Helligkeitspegel in benachbarten Bildpunkten
aufgrund der Polarität der angelegten Spannung unterschiedlich
sind.
Zur Erzielung dieses Effektes ist es nicht unbedingt erforderlich,
den Puls mit umgekehrter Polarität an die
benachbarte Elektrode zu legen. Derselbe Effekt kann auch
erzielt werden, wenn der Puls mit umgekehrter Polarität
an jede zweite oder dritte Elektrode angelegt wird.
Im nachfolgenden wird eine spezielle Treiberschaltung zur
Ansteuerung einer Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtung
beschrieben.
Die Fig. 7 stellt ein Schaltdiagramm dieser Treiberschaltung
dar (vgl. ältere Anmeldung nach DE-OS 35 11 886). Ein Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Display 10 weist
dabei in X-Richtung verlaufende Datenelektroden (X-Elektroden
in vertikaler Richtung in Fig. 7) sowie in Y-Richtung
verlaufende Abtastelektroden (Y-Elektroden in horizontaler
Richtung in Fig. 7) auf. Mit den ungeradzahligen
Abtastelektroden ist ein abtastseitiger N-Kanal-Hochspannungs-
Widerstands-MOS IC 20 und mit den geradzahligen
Abtastelektroden ein abtastseitiger N-Kanal-Hochspannungs-
Widerstands-MOS IC 30 verbunden. Jedes IC 20, 30
enthält eine logische Schaltung, beispielsweise ein
Schieberegister. Mit den ungeradzahligen Abtastelektroden
(Y-Elektroden) ist ferner ein P-Kanal-Hochspannungs-
Widerstands-MOS IC 40 und mit geradzahligen Abtastelektroden
(Y-Elektroden) ein P-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-
MOS IC 50 verbunden. Auch diese ICs 40 und 50 weisen jeweils
eine logische Schaltung, beispielsweise ein Schieberegister
auf. Die Datenelektroden (X-Elektroden) sind mit
einem datenseitigen N-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-
MOS IC 60 verbunden. Innerhalb des ICs 60 befindet sich
als logische Schaltung ein weiteres Schieberegister 61.
Mit dem IC 60 ist darüber hinaus eine Diodenanordnung
70 verbunden, um die datenseitigen Treiberleitungen bzw.
Elektroden zu trennen und um die Schaltelemente bzw.
Transistoren vor einer umgekehrten Vorspannung zu schützen.
Die Treiberschaltung nach Fig. 7 besitzt weiterhin eine
Vorladeschaltung 80, eine Hochziehladeschaltung 90, eine
Schreibschaltung 100 und zusätzlich eine Schaltung 110
zur Veränderung der Sourcespannung für die abtastseitigen
N-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-MOS ICs 20 und 30, die
normalerweise auf Erdpotential gehalten wird.
In der Fig. 8 sind Ein- bzw. Ausschaltzustände für die
entsprechenden Schaltungsgruppen nach Fig. 7, insbesondere
für die genannten ICs, sowie für die Schaltungen 80, 90,
100 und 110 dargestellt. Die Fig. 9 zeigt an Bildelemente
A und B angelegte Spannungen und die zugehörigen Helligkeitsverläufe
an diesen Bildelementen.
Anhand dieser Fig. 8 und 9 soll im nachfolgenden der
Betrieb der Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtung
näher erläutert werden. Dabei sei darauf hingewiesen,
daß das Bildelement A auf der Abtastelektrode Y₁
und das Bildelement B auf der Abtastelektrode Y₂ liegen
und diese Abtastelektroden Y₁ und Y₂ durch zeilensequentielle
Ansteuerung ausgewählt worden sind. Die
Polarität der Spannung, die an Bildelemente aufeinanderfolgender
Zeilen angelegt wird, wird jeweils umgekehrt.
Ein Bildfeld bzw. Halbbild, bei dem ein positiver Schreibpuls
an Bildelemente auf ungeradzahligen Zeilen geliefert
wird, wird im nachfolgenden als N-P-Halbbild bezeichnet.
Dagegen wird ein Bildfeld bzw. Halbbild, bei dem ein
positiver Schreibpuls an Bildelemente auf geradzahligen
Zeilen geliefert wird, als P-N-Halbbild bezeichnet.
(A) Die Beschreibung beginnt mit der Ansteuerung der ersten
Zeile (ungerade Zeile), auf der das Bildelement A
liegt.
Die Sourcepotential-Einstellschaltung 110 wird zunächst
auf Erdpotential gesetzt bzw. liefert dieses
Erdpotential, wobei alle MOS-Transistoren NT₁ bis NT i
in den abtastseitigen N-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-
MOS ICs 20 und 30 eingeschaltet werden. Gleichzeitig
wird die Vorladeschaltung 80 eingeschaltet, die eine
Spannung von 30 V=½ V M liefert, so daß
das gesamte Display über die datenseitige Diodenanordnung
70 aufgeladen wird. Während der Vorladeperiode
sind alle MOS-Transistoren Nt₁ bis Nt j , die sich
im datenseitigen N-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-
MOS IC 60 befinden, und alle MOS-Transistoren PT₁
bis PT i , die sich in den abtastseitigen P-Kanal-
Hochspannungs-Widerstands-MOS ICs 40 und 50 befinden,
ausgeschaltet.
Alle MOS-Transistoren NT₁ bis NT i , die sich in den
abtastseitigen N-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-
MOS ICs 20 und 30 befinden, sind ausgeschaltet. Zusätzlich
ist nur der MOS-Transistor (Nt₂ innerhalb
des datenseitigen N-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-
MOS ICs 60) ausgeschaltet, während die verbleibenden
MOS-Transistoren Nt₁ und Nt₃ bis Nt j innerhalb des
ICs 60 eingeschaltet werden. Der MOS-Transistor
Nt₂ ist dabei mit der Datenelektrode X₂ verbunden.
Die anderen Transistoren Nt₁ und Nt₃ bis Nt j sind mit
den anderen Datenelektroden verbunden. Darüber hinaus
werden alle MOS-Transistoren PT₁ bis PT i innerhalb
der abtastseitigen P-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-
MOS ICs 40 und 50 eingeschaltet. Die nicht ausgewählten
Datenelektroden (X j ≠2) werden auf diese Weise
entladen, und zwar über geerdete Schleifen, die
jeweils durch die MOS-Transistoren innerhalb des datenseitigen
N-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-MOS ICs
60 mit Ausnahme des Transistors Nt₂, die MOS-Transistoren
Pt₁ bis Pt i innerhalb der abtastseitigen P-
Kanal-Hochspannungs-Widerstands-MOS ICs 40 und 50 und
die Diode 101 innerhalb der Schreibschaltung 100 gebildet
sind.
Anschließend wird die Hochziehladeschaltung 90, die
eine Spannung von 30 V=½ V M liefert, eingeschaltet,
um alle Abtastelektroden auf 30 V zu legen.
In dieser Stufe bleiben alle MOS-Transistoren NT₁
bis NT i innerhalb der ICs 20 und 30 ausgeschaltet.
Dementsprechend besitzt die ausgewählte Datenelektrode
X₂ gegenüber den Abtastelektroden Y eine Spannung
von +30 V, während die nichtausgewählten Datenelektroden
(X j ≠2) gegenüber den Abtastelektroden
eine Spannung von -30 V aufweisen.
Es sei angenommen, daß durch zeilensequentielle Ansteuerung
die Abtastelektrode Y₁ ausgewählt worden
ist. Nur ein MOS-Transistor NT₁ innerhalb des N-Kanal-
Hochspannungs-Widerstands-MOS ICs 20, der mit der
ausgewählten Abtastelektrode Y₁ verbunden ist, ist
eingeschaltet. Alle MOS-Transistoren PT₁ bis PT i-1
in dem den ungeradzahligen Abtastelektroden zugeordneten
P-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-MOS ICs 40
sind ausgeschaltet. Zu dieser Zeit sind weiterhin
alle MOS-Transistoren PT₂ bis PT i im gegenüberliegenden
P-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-MOS IC 50,
das den geradzahligen Abtastelektroden zugeordnet ist,
eingeschaltet. Die Schreibschaltung 100 wird eingeschaltet
und liefert eine Spannung V W =190 V, so
daß alle geradzahligen Abtastelektroden auf +190 V
über die MOS-Transistoren PT₂ bis PT i , die in dem den
geradzahligen Abtastzeilen zugeordneten IC 50 liegen,
heraufgezogen werden. Aufgrund der kapazitiven Kopplung
wird die ausgewählte Datenelektrode auf +220 V
(gleich V W +0,5 V M ) heraufgezogen, während die nichtausgewählten
Datenelektroden nur auf +160 V (gleich
V W -0,5 V M ) heraufgezogen werden.
(B) Im nachfolgenden wird die Ansteuerung der zweiten
Zeile (geradzahlige Abtastelektrode) beschrieben,
auf der das Bildelement B liegt.
Während der Zeitspanne T₄ laufen identische Vorgänge
wie während der ersten Zeitspanne bei der Erzeugung
des N-P-Halbbildes ab.
Alle MOS-Transistoren NT₁ bis NT i , die sich in den
abtastseitigen N-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-
MOS ICs 20 und 30 befinden, sind ausgeschaltet. Nur
der MOS-Transistor (z. B. Nt₂), der mit der ausgewählten
Datenelektrode (z. B. X₂) verbunden ist und
im IC 60 liegt, wird eingeschaltet, während die
verbleibenden MOS-Transistoren NT₁ und Nt₃ bis Nt j
innerhalb des ICs 60 ausgeschaltet werden. Darüber
hinaus werden alle MOS-Transistoren PT₁ bis PT i innerhalb
der abtastseitigen P-Kanal-Hochspannungs-
Widerstands-MOS ICs 40 und 50 eingeschaltet. Die
ausgewählte Datenelektrode wird auf diese Weise
entladen, und zwar über eine geerdete Schleife, die
durch den MOS-Transistor Nt₂ innerhalb des datenseitigen
ICs 60, der sich im eingeschalteten Zustand
befindet, alle MOS-Transistoren PT₂ bis PT i in den
abtastseitigen P-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-
MOS ICs 40 und 50 sowie durch die Diode 101 in der
Schreibschaltung 100 gebildet ist.
Anschließend wird die Hochziehladeschaltung 90 zur
Lieferung einer Spannung von 30 V=½ V M eingeschaltet,
um alle Abtastelektroden auf eine Spannung
von +30 V hochzuziehen. Zu dieser Zeit bleiben alle
MOS-Transistoren NT₁ bis NT i der abtastseitigen ICs
20 und 30 ausgeschaltet. Dementsprechend besitzt die
ausgewählte Datenelektrode X₂ gegenüber den Abtastelektroden
Y eine Spannung von -30 V, während die
nichtausgewählten Datenelektroden (X j ≠2) gegenüber
den Abtastelektroden eine Spannung von +30 V aufweisen.
Bei ausgewählter Abtastelektrode Y₂ ist nur der mit
dieser Abtastelektrode Y₂ verbundene MOS-Transistor
PT₂ im abtastseitigen P-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-
MOS IC 50 eingeschaltet, während alle anderen
ausgeschaltet sind. Ferner sind alle MOS-Transistoren
NT₂ bis NT i im IC 30, das den geradzahligen Abtastzeilen
zugeordnet ist, ausgeschaltet, während
alle MOS-Transistoren NT₁ bis NT i-1 im gegenüberliegenden
IC 20, das den ungeradzahligen Abtastzeilen
zugeordnet ist, eingeschaltet sind. Die Schreibspannung
100 wird eingeschaltet [Spannung V W =190 V plus
½ V M (=30 V)], so daß an der Abtastelektrode Y₂
eine Spannung von +220 V angelegt ist, und zwar über
den MOS-Transistor PT₂, der sich im eingeschalteten
Zustand befindet. Die Sourcepotential-Einstellschaltung
110 liefert zu diesem Zeitpunkt eine Spannung
½ V M von 30 V, so daß das Sourcepotential des den
ungeradzahligen Abtastelektroden zugeordneten N-Kanal-
Hochspannungs-Widerstands-MOS ICs 20 ebenfalls
30 V ist. Die ungeradzahligen Abtastelektroden werden
daher auf eine Spannung von +30 V herabgezogen.
Aufgrund der kapazitiven Kopplung wird die Datenelektrode
X₂ auf -220 V herabgezogen, während die
nichtausgewählten Datenelektroden (X j ≠2) lediglich
auf -160 V herabgezogen werden.
Das N-P-Halbbild wird dadurch vervollständigt, daß
der Reihe nach für alle ungeradzahligen Zeilen bzw.
Abtastelektroden die Stufen T₁ bis T₃ und für alle
geradzahligen Zeilen bzw. Abtastelektroden die Stufen
T₄ bis T₆, wie oben beschrieben, durchlaufen werden.
(A) Im folgenden wird beschrieben, wie das P-N-Halbbild
erzeugt wird, wobei mit der ersten Zeile (ungerade
Zeile) bzw. Abtastelektrode begonnen wird, auf der
das Bildelement A liegt.
In dieser Vorladeperiode laufen dieselben Vorgänge
wie in der ersten Zeitspanne bei Erzeugung des N-P-
Halbbildes ab.
In dieser zweiten Zeitspanne T₂′ laufen dieselben
Vorgänge ab, wie in der fünften Zeitspanne T₅ bei
Erzeugung des N-P-Halbbildes.
Ist die ausgewählte Abtastelektrode Y₁, ist nur
der mit dieser Abtastelektrode Y₁ verbundene MOS-
Transistor PT₁ des abtastseitigen P-Kanal-Hochspannungs-
Widerstands-MOS ICs 40 eingeschaltet,
während andere ausgeschaltet sind. Weiterhin sind
alle MOS-Transistoren NT₁ bis NT i-1 des den ungeradzahligen
Abtastelektroden zugeordneten N-Kanal-Hochspannungs-
Widerstands-MOS ICs 20 ausgeschaltet,
während alle MOS-Transistoren NT₂ bis NT i im gegenüberliegenden
und den geradzahligen Abtastelektroden
zugeordneten N-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-
MOS ICs 30 eingeschaltet sind. Darüber hinaus wird
die Schreibschaltung 100 eingeschaltet [Spannung V W
=190 V+½ V M (=30 V)], so daß eine Gleichspannung
von 220 V an die Abtastelektrode Y₁ über den
MOS-Transistor PT₁, der sich im eingeschalteten Zustand
befindet, angelegt ist. Die Sourcepotential-
Einstellschaltung 110 wird auf ½ V M =30 V geschaltet,
so daß das Sourcepotential für das den geradzahligen
Abtastelektroden zugeordnete N-Kanal-Hochspannungs-
Widerstands-MOS IC 30 auf 30 V gelegt wird
und die geradzahligen Abtastelektroden auf +30 V
herabgezogen werden. Die Datenelektrode X₂ wird
dementsprechend aufgrund der kapazitiven Kopplung
auf -220 V herabgezogen, während die nichtausgewählten
Datenelektroden (X j ≠2) lediglich auf -160 V
herabgezogen werden.
(B) Im nachfolgenden wird die Ansteuerung der zweiten
Zeile (geradzahlige Zeile) bzw. Abtastelektrode beschrieben,
auf der das Bildelement B liegt.
In dieser Vorladeperiode laufen die identischen
Vorgänge wie in der ersten Stufe bei der Erzeugung
des N-P-Halbbildes ab.
In dieser Periode laufen die identischen Vorgänge
wie in der zweiten Zeitspanne bei der Erzeugung des
N-P-Halbbildes ab.
Da durch die zeilensequentielle Ansteuerung die Abtastelektrode
Y₂ ausgewählt worden ist, bleibt nur
der mit dieser Abtastelektrode Y₂ verbundene MOS-
Transistor NT₂ im abtastseitigen N-Kanal-Hochspannungs-
Widerstands-MOS IC 30 eingeschaltet, während
alle MOS-Transistoren PT₂ bis PT i in dem den geradzahligen
Abtastelektroden zugeordneten P-Kanal-Hochspannungs-
Widerstands-MOS IC 50 ausgeschaltet
sind. Weiterhin sind zu dieser Zeit alle MOS-Transistoren
PT₁ bis PT i-1 in gegenüberliegenden und den
ungeradzahligen Abtastelektroden zugeordneten P-Kanal-
Hochspannungs-Widerstands-MOS IC 40 eingeschaltet.
Durch gleichzeitiges Einschalten der Schreibschaltung
100 (Spannung V W =190 Volt) werden alle ungeradzahligen
Abtastelektroden auf +190 V heraufgezogen, und
zwar über die MOS-Transistoren PT₂ bis PT i-1 in dem
den ungeradzahligen Abtastelektroden zugeordneten P-
Kanal-Hochspannungs-Widerstands-MOS IC 40. Die ausgewählten
Datenelektroden werden dementsprechend aufgrund
der kapazitiven Kopplung auf +220 V=V W +0,5
V M heraufgezogen, während die nichtausgewählten Datenelektroden
nur auf +160 V=V W -0,5 V M heraufgezogen
werden.
Das P-N-Halbbild wird vervollständigt, indem der Reihe
nach für alle ungeradzahligen Zeilen bzw. Abtastelektroden
die Stufen T₁′ bis T₃′ und für alle
geradzahligen Zeilen bzw. Abtastelektroden die Stufen
T₄′ bis T₆′, wie oben beschrieben, durchlaufen
werden.
Durch aufeinanderfolgende Wiederholung der oben
beschriebenen N-P-Halbbild- und P-N-Halbbild-Ansteuerung
läßt sich eine Schreibspannung V W +½
V M (=220 V) mit umgekehrter Polarität im N-P-Halbbild
und P-N-Halbbild erzeugen, die geeignet ist,
eine Elektrolumineszenz an ausgewählten Bildelementen
hervorzurufen, wie anhand des in Fig. 9 dargestellten
Signaldiagramms zu erkennen ist. Durch das
N-P-Halbbild und das P-N-Halbbild wird ein Wechselspannungszyklus
(AC-Zyklus) erhalten, der zur Ansteuerung
einer Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtung
erforderlich ist. An die nichtausgewählten
Bildelemente wird dabei nur eine Spannung von V W -½
V M (=160 V) angelegt, die nicht ausreicht, um die
nichtausgewählten Bildelemente zum Leuchten anzuregen.
Durch Anlegen positiver und negativer Schreibspannungen
an aufeinanderfolgenden Zeilen bzw. Abtastelektroden
können Helligkeitsunterschiede in jedem
Halbbild vermieden werden. Wie Fig. 9 zeigt, sind
die Helligkeitsverläufe A N und A P für das Bildelement
A sowie die Helligkeitsverläufe B P und B N für
das Bildelement B in den jeweiligen Halbbildern unterschiedlich
zueinander. Dagegen sind die integrierten
Helligkeitsverläufe A N +B P sowie A P +B N
in den zusammengefaßten Bildelementen A und B nahezu
gleich. Flickererscheinungen aufgrund unterschiedlicher
Lichtintensitäten in den jeweiligen Halbbildern,
wie sie durch herkömmliches Anlegen positiver
und negativer Spannungen in den verschiedenen Halbbildern
erzeugt werden, können somit nicht mehr beobachtet
werden, da durch das Auge eine entsprechende
Mittelwertbildung der von benachbarten Bildelementen
ausgehenden Helligkeit vorgenommen wird.
Bei der oben beschriebenen Treiberschaltung, die
einen N-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-MOS-Treiber
und einen P-Kanal-Hochspannungs-Widerstands-MOS-Treiber
als abtastseitige Treiber besitzt, wird die Polarität
der an die Bildelemente anzulegenden Schreibimpulse
von Zeile zu Zeile gewechselt, so daß Helligkeitsunterschiede
benachbarter Bildelemente, die aufgrund
der unterschiedlichen Polarität der Schreibspannungen
entstehen, herausgemittelt werden. Durch
diese Mittelwertbildung werden Flicker- bzw. Flimmererscheinungen
erheblich reduziert bzw. vollständig
vermieden, so daß eine Dünnfilm-Elektrolumineszenz-
Anzeigeeinrichtung mit sehr hoher Bildqualität erhalten
wird.
Nach dem oben beschriebenen Verfahren können nicht
nur unmittelbar benachbarte Bildelemente angesteuert
werden, sondern auch solche Bildelemente, zwischen
denen noch andere Bildelemente liegen. Auch hierdurch
können Flickererscheinungen vermieden werden.
Das Prinzip der Erfindung besteht also in der gegenseitigen
Umkehr der angelegten Spannungspolaritäten
bei der zeilensequentiellen Ansteuerung der Elektrolumineszenz-
Anzeigeeinrichtung in jeweils einem
Halbbild, um Unterschiede der Helligkeitspegel der
mit diesen Spannungen unterschiedlicher Polarität
beaufschlagten Bildelemente herausmitteln zu können.
Claims (1)
- Verfahren zur zeilensequentiellen Ansteuerung einer Dünnfilm- Elektrolumineszenz-Anzeigeeinrichtung mit an beiden Seiten eines Elektrolumineszenz-Schichtsystems angeordneten Gruppen von sich kreuzenden Elektroden zur Erzeugung von Bildelementen, bei dem an die Elektroden einer Gruppe der Reihe nach Schreibspannungsimpulse mit gleicher Amplitude angelegt werden und die Bildelemente wenigstens annähernd gleichzeitig Spannungsimpulse mit zueinander umgekehrter Polarität zum Ausgleich von Helligkeitsunterschieden zwischen ihnen empfangen, dadurch gekennzeichnet, daß
- - die Spannungsimpulse mit zueinander umgekehrter Polarität die Schreibspannungsimpulse sind und
- - die Schreibspannungsimpulse mit jeweils unterschiedlicher Polarität an benachbarte Bildelemente auf benachbarten oder wenigstens annähernd benachbarten Zeilen gelegt werden.
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JPH0634151B2 (ja) * | 1985-06-10 | 1994-05-02 | シャープ株式会社 | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
US4982183A (en) * | 1988-03-10 | 1991-01-01 | Planar Systems, Inc. | Alternate polarity symmetric drive for scanning electrodes in a split-screen AC TFEL display device |
JPH0239093A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Sharp Corp | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
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JP2682886B2 (ja) * | 1990-04-25 | 1997-11-26 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法 |
US5432015A (en) * | 1992-05-08 | 1995-07-11 | Westaim Technologies, Inc. | Electroluminescent laminate with thick film dielectric |
JPH09245969A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分散型エレクトロ・ルミネセンス素子およびそれを用いた照光式スイッチユニット |
US6396218B1 (en) * | 2000-10-03 | 2002-05-28 | Xerox Corporation | Multisegment electroluminescent source for a scanner |
US6661180B2 (en) * | 2001-03-22 | 2003-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus |
JP4659292B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2011-03-30 | パイオニア株式会社 | 容量性発光素子表示パネルの駆動装置 |
TWI413052B (zh) * | 2009-10-02 | 2013-10-21 | Innolux Corp | 畫素陣列與其驅動方法及採用該畫素陣列之顯示面板 |
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US4032818A (en) * | 1975-11-10 | 1977-06-28 | Burroughs Corporation | Uniform current level control for display panels |
US4338598A (en) * | 1980-01-07 | 1982-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film EL image display panel with power saving features |
US4367468A (en) * | 1980-12-22 | 1983-01-04 | Ncr Corporation | D.C. Input shift panel driver circuits-biased inputs |
US4485379A (en) * | 1981-02-17 | 1984-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Circuit and method for driving a thin-film EL panel |
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