DE3507778A1 - Vorrichtung und verfahren zur eichung eines mikroskopischen bearbeitungssystems mit hilfe einer justierplatte - Google Patents
Vorrichtung und verfahren zur eichung eines mikroskopischen bearbeitungssystems mit hilfe einer justierplatteInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000003754 machining Methods 0.000 title claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 47
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 27
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 8
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 238000005744 Teer Meer reaction Methods 0.000 claims 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B3/00—Measuring instruments characterised by the use of mechanical techniques
- G01B3/02—Rulers with scales or marks for direct reading
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T83/00—Cutting
- Y10T83/849—With signal, scale, or indicator
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Dicing (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
TER MEER · MÜLLER ■ STEINMEJSTER .:\.:.: ' 3507778
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Eichung und Ausrichtung eines mikroskopischen Bearbeitungssystems
gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Sie bezieht sich ferner auf eine geeignete Target- bzw. Justierplatte
sowie auf ein Verfahren zur Durchführung der Eichung. Das mikroskopische Bearbeitungssystem kann
beispielsweise zur Unterteilung von sogenannten Wafern (Kristallplättchen) in kleine Teilkristallplättchen
mit zum Beispiel quadratischer Form dienen.
Derartige Teilkristallplättchen von Halbleiterwafern
sind typischerweise in Form eines rechtwinkligen Gitters verteilt angeordnet. Die Abstände zwischen benachbarten
Zeilen oder Spalten der Teilkristallplättchen werden beispielsweise als sogenannte "Straßen" bezeichnet.
In vielen Fällen sind die Abmessungen der Teilkristallplättchen und der Straßen im gesamten Bereich der Waferfläche
konstant. Die einzelnen Teilkristallplättchen werden mit Hilfe einer Schneid- bzw. Trenneinrichtung
von dem Wafer getrennt, die auf die Straßen ausgerichtet wird. Besitzen diese eine bekannte oder konstante Breite
oder entsprechende Abstände voneinander, so kann die Schneid- bzw. Trenneinrichtung mit Hilfe eines Positionssteuersystemes schrittweise so bewegt werden, daß die
Schneid- bzw. Trennkante nacheinander verschiedene Straßen beaufschlagt. Die Schrittweite ist dabei unter
Berücksichtigung der bekannten Abmessungen der Teil kristallplättchen, der Straßen und der Breite der Schneidbzw.
Trennkante so festgelegt, daß ein Durchtrennen der Teilkristallplättchen selbst vermieden wird.
Bei automatischen Ausricht- und Positionssteuersystemen für Wafer-Trenneinrichtungen kann die genannte Ausrichtung
beispielsweise durch den Einsatz optischer Mittel, mit
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HiIfe von Videokameras oder durch eine geeignete
elektronische Abtastung durchgeführt werden. Auch eignen sich hierfür mechanische oder elektromechanische Positionssteuersysteme oder geeignete Kombinationen der genannten
Elemente. Jedes Element kann jedoch dazu beitragen, daß . das automatische Alisrichtsystem fehlerhaft arbeitet.
Die X-, Y- und Theta-Achsenorientierung der Schneid- bzw. Trennkante in Bezug auf die Einspannvorrichtung und den
darauf angeordneten Wafer wird sehr häufig mit Hilfe
^q mechanischer Führungsspindeln durchgeführt. Diese besitzen
jedoch, so gut sie auch hergestellt sein mögen, immer bestimmte Fertigungstoleranzen. Bei immer kleiner werdenden
Abmessungen der Teilkristallplättchen und der zwischen ihnen liegenden Straßen müssen daher auch die Führungsspindeln
.immer genauer hergestellt werden, um die Positionierungsfehler in tolerierbaren Grenzen zu halten.
Bei mikroskopischen optischen Systemen zur Überwachung der Wafergestalt und der Position der Schneid- bzw. Trennkante
20· relativ zum Wafer können ebenfalls Ausricht- bzw.
Positionierungsfehler auftreten. Videokameras werden typischerweise ohne solche Mikroskoplinsen kalibriert,
wie sie in optischen Systemen zur Unterteilung von Wafern verwendet werden. Die Einstellung von Kontrast, Verzeichnung
bzw. Verzerrung, Höhe, Strahlkonvergenz, Fokus, Belichtungspegel und Bildaufteilung wird üblicherweise
mit Hilfe von Studiotechniken durchgeführt. Diese umfaßen die Fokussierung und Kalibrierung mit Hilfe
dunkler Muster, die auf einer weißen Wand aufgebracht sind. Andere optische Einstellungen erfolgen durch den
Einsatz eines einzelnen belichteten kugel- oder kolbenförmigen Elements, das vor der weißen Wand sowie im Beobachtungs-
bzw. Gesichtsfeld bewegt wird. Die optischen Umgebungsbedingungen unterscheiden sich jedoch grundsätzlich
von denen im Bereich von Mikroskoplinsen eines Bearbeitungssystems zur Unterteilung bzw. Zerschneidung
TER MEER · MÜLLER ■ STEIKMEISTER ;_: ' 3507778
— Q —
von Wafern. Videosysteme, die im Studio kalibriert bzw.
geeichet worden sind, eignen sich daher noch nicht für den Einsatz zur Mikroskopüberwachung von Wafern,
da ihre Eichung für diese Zwecke noch nicht hinreichend ist.
Weiterhin ist eine einzelne Belichtungsquelle, die für makroskopische Beobachtungen in der Regel ausreicht,
häufig ungeeignet, wenn mikroskopische Arbeiten durchgeführt werden sollen. Aufgrund großer Unterschiede beim
Kontrast und beim Reflektionsvermögen für verschiedene Arten von Halbleiterwafern kann durch den Einsatz einer
einzelnen Belichtungsquelle nicht garantiert werden, daß ein hinreichendes Auflösungsvermögen erzielt wird, was
zur genauen Ausrichtung erforderlich ist. Werden allerdings zwei Lichtquellen verwendet, so muß dafür Sorge getragen
werden, daß das Gesichts- bzw. Beobachtungsfeld gleichmäßig
ausgeleuchtet ist.
Bei früheren Bemühungen zur Kompensation der genannten
Fehler und zur erneuten Kalibrierung von automatischen Ausrichtsystemen zur Unterteilung von Wafern unter
Kontrolle mikroskopischer Einrichtungen wurde auf dem Wafer zunächst ein sogenannter Start- bzw. Nullschnitt
vorgenommen. Unter Zuhilfenahme dieses Nullschnittes
wurden dann erneut Einstellungen und Verschiebungen des optischen Überwachungssystems und der mechanischen
Positionierungselemente durchgeführt. Die erzielte Genauigkeit bei der erneuten Kalibrierung war jedoch nicht
sehr groß. Darüber hinaus konnten dadurch nicht alle wichtigen Größen neu kalibriert werden, und es bestand
die Gefahr der Beschädigung sowohl des Wafers als auch der Teilkristallplattchen.
Ferner wurde auch vorgeschlagen, skalierte Linien, Gitterverteilungen und reflektierende Flächen im Beobachtungs-
bzw. Gesichtsfeld von optischen Mikroskop-
BAD UftiGiNAL
TER MEER · MÜLLER · STBNMEISTER : 3507778
linsensystem zu verwenden. Durch diese Maßnahmen kann aber keine genaue Kalibrierung der optischen Elemente
erreicht werden. Sie erlauben lediglich eine elementare Fokussierung. Die genannten skalierten Linien wurden
zur Ausmessung bzw. Bestimmung von Objektmerkmalen bzw. Werkstücken verwendet und dienten nicht zur Ausrichtung
von Betriebselementen, die auf das Objekt einwirken bzw. den Wafer unterteilen und durch optische Linsensysteme
überwacht werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein mikroskopisches Bearbeitungssystern der eingangs genannten Art, insbesondere
ein solches zur Unterteilung von Wafern, so weiterzubilden, daß eine genauere Eichung bzw. Kalibrierung der
optischen und mechanischen Elemente möglich ist.
Es ist weiterhin das Ziel der Erfindung, ein geeignetes Verfahren zur genauen Eichung derartiger System anzugeben.
Vorrichtungsseitig wird die genannte Aufgabe durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Die
verfahrensseitige Lösung ist in den Ansprüchen 16 und 17 angegeben.
Die Unteransprüche enthalten vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung.
Nach der Erfindung ist zur Eichung und Ausrichtung eines mikroskopischen Bearbeitungssystems eine Vorrichtung
vorgesehen, die optische Elemente zur Bildung eines mikroskopischen Operations-Gesichtsfeldes in Bezug auf
ein Betriebselement enthält, das eine im Operations-Gesichtsfeld liegende Target- bzw. Justierplatte besitzt,
die eine Vielzahl von optisch erfaßbaren Targetmustern trägt, von denen wenigstens eines skalierte Linien aufweist,
mit deren Hilfe das Betriebselement einstell- bzw.
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justierbar ist, und ein anderes reflektierende Bereiche
enthält, mit deren Hilfe die optischen Elemente so kalibrierbar sind, daß ein gleichmäßig ausgeleuchtetes
Gesichtsfeld mit nur minimalster Verzerrung erhalten wird.
Ein weiteres optisches Targetmuster enthält eine Zentrumslinie, die die skalierte Linie unter rechtem Winkel
schneidet, so daß eine Eichung der Theta- bzw. 'Winkeleinstellung des Betriebselements durchführbar ist.
Weiterhin besitzt das mikroskopische Bearbeitungssystem Mustererkennungmittel und die optische Target- bzw.
Justierplatte wenigstens einen matten Oberflächenbereich, der zur Bestimmung eines Kontrastwertes und der Qualität
der von einem Videokamerasystem gelieferten Information durch die Mustererkennungsmittel untersucht wird. Die
Mustererkennungsfähigkeit des Systems läßt sich auf diese Weise prüfen bzw. eichen.
Ein Targetmuster der Target- bzw. Justierplatte ist darüber hinaus schachbrettartig ausgebildet und weist
abwechselnd reflektierende sowie nichtreflektierende
Bereiche auf. Darüber hinaus ist auf der Target- bzw. Justierplatte wenigstens ein kontinuierlich reflektierender
Bereich vorgesehen, der zur Kalibrierung von Verzeichnung bzw. Verzerrung des Gesichtsfeldes, der Fokuseinstellung
und Beleuchtung sowie des Kontrastes dient.
Das Verfahren zum Nacheichen von Bearbeitungs- bzw. von zur Unterteilung von Kristallplatten geeigneten Trennsystemen
zwecks Kompensation interner und durch das Schrittsteuersystem verursachter Fehler besteht im
wesentlichen darin, daß auf der Kristallplatteneinspannvorrichtung eine Target- bzw. Justierplatte positioniert
wird, die eine Maßstabslinie mit einer Vielzahl von Teilungslinien trägt, welche untereinander einen vorbestimmten
Abstand haben. Die Schneidkante des Trennsystems bzw.
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einer Säge wird auf eine der Teilungslinien zunächst ausgerichtet und dann mit Hilfe des Schrittsteuersystems
um eine entsprechende Anzahl vorbestimmter Abstände entlang der Maßstabslinie bewegt. Sodann wird der Fehler des
Schrittsteuersystems ermittelt, der sich durch die Differenz zwischen der tatsächlichen Position der Schneidkante auf
der Maßstabslinie und der gewünschten Position ergibt, die von der Schneidkante bei der entsprechenden Anzahl vorbestimmter
Abstände hätte erreicht werden sollen. Das Schrittsteuersystem wird dann zur Kompensation des
Fehlers neu eingestellt, wobei ein Einstellwert beispielsweise aus dem genannten Fehler abgeleitet wird.
Darüber hinaus lassen sich die optischen Elemente des mikroskopischen Bearbeitungssystems in der Weise neu
kalibrieren, daß auf der Kristallplatteneinspannvorrichtung eine Target- bzw. Justierplatte mit einer Vielzahl
optischer Targetmuster positioniert wird, die optischen Elemente des Systems so relativ zur Kristallplatteneinspannvorrichtung
ausgerichtet v/erden, daß ein erster reflektierender Bereich der Targetmuster im Gesichtsfeld
der optischen Elemente liegt, diese dann so verstellt v/erden, daß eine gleichmäßige Ausleuchtung des Gesichtsfeldes
erhalten wird, die optischen Elemente relativ zur Kristallplatteneinspannvorrichtung weiter so verschoben
v/erden, daß ein zweites schachbrettartiges Gebiet der Targetmuster mit abwechselnd reflektierenden und nichtreflektierenden
Bereichen im Gesichtsfeld zu liegen kommt und danach die optischen Elemente zur verbesserten Fokuseinstellung
sowie zur Minimierung von Verzerrungen bzw. Verzeichnungen des Gesichtsfeldes erneut verstellt werden.
Anhand der Zeichnung wird die Erfindung näher erläutert. Es zeigen:
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTER:... 3507778
Figur 1 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer
Target- bzw. Justierplatte nach der Erfindung, und Figur 2 ein Blockdiagramm eines Feinbearbeitungssystems
mit einer Target- bzw. Justierplatte nach Figur
5
Die in Figur 1 gezeigte Target- bzw. Justierplatte 10 besitzt eine Vielzahl von optischen Mustern auf ihrer
Oberfläche. Diese Muster bestehen zum Beispiel aus einem Maßstab 20, einer durch das Zentrum der Target- bzw.
IQ Justierplatte 10 verlaufenden Zentrumslinie 30, reflektierenden
Bereichen 40, schachbrettartigen Mustern 50 und 60 sowie matten Flächenbereichen 70. Bei Einrichtungen
zur Unterteilung von Kristallplättchen (sogenannten Wafern) in kleine bzw. würfelfömige Teilstücke
befindet sich die Target- bzw. Justierplatte 10 beispielsweise auf der ebenen Unterlage einer Einspannvorrichtung
zur Aufnahme bzw. Halterung der Wafer sowie im mikroskopischen Beobachtungs- bzw. Gesichtsfeld von optischen-
und Video-Steuerelementen.
20
20
Die Target- bzw. Justierplatte 10 ist im wesentliehen aus
einem Substrat 12 aufgebaut, das vorzugsweise aus Glas, zum Beispiel geschmolzenem Siliziumdioxid, besteht. Die
Targetlinien, die Skalenziffern und weitere nichtreflektierende
Bereiche sind dabei mit Hilfe photolithographischer Techniken oder anderer geeigneter
Verfahren auf der Oberfläche des Substrats 12 gebildet worden. Die reflektierenden Bereiche bestehen vorzugsweise aus
chromhaltigen bzw. verchromten Oberflächen und sind auf dem Substrat 12 durch Niederschlag im Vakuum erzeugt
worden. Auf der Rückseite des Substrats 12 ist dieses mit einer lichtundurchlässigen Schicht 14 versehen, die unter
anderem das Substrat 12 vor Beschädigungen, zum Beispiel durch Zerkratzen, schützt. Die undurchsichtige Schicht 14
verhindert darüber hinaus, daß Licht von der Oberfläche der Einspannvorrichtung zurück in die optischen und Video-
BAD
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elemente reflektiert v/ird, was die Eichung dieser Elemente
bzw. des Feinbearbeitungssystems verfälschen würde.
Der Maßstab 20 auf der vorzugsweise quadratisch ausgebildeten Target- bzw. Justierplatte 10 besteht aus einer
geraden, diagonal verlaufenden Linie mit kurzen Linienmarkierungen 22, die senkrecht zur genannten Linie verlaufen
und in gleichmäßigen Abständen entlang dieser Linie angeordnet sind. In gleicher Weise sind längere Linienmarkierungen
24 und zugeordnete Skalenziffern 26 vorgesehen, durch die eine Grobunterteilung der genannten
Linie vorgenommen wird. Auf diese Weise werden an gegenüberliegenden Seiten der genannten Linie eine metrische
und eine angelsächsische Meßskala zur Bildung des genannten Maßstabs 20 erhalten. Die Abstände zwischen den kurzen
Linienmarkierungen 22 können beispielsweise 100 um entlang der metischen Skala und 0,254 mm (10 mils) entlang der
angelsächsischen Skala betragen. Der Abstand zwischen den langen Linienmarkierungen 24 kann dagegen in entsprechender
Weise zu 1,0 cm und 2,54 mm (0,1 inch) gewählt werden.
Die Genauigkeit beider Skalen kann durch geeignete Messungen verifiziert bzw. kontrolliert v/erden, die von verschiedenen
Instituten entwickelt worden sind (zum Beispiel US National Burau of Standards).
Die Zentrumslinie 30 ist ebenfalls eine gerade, diagonal verlaufende Linie, die die Maßstabslinie 20 unter
einem rechten Winkel am Nullpunkt der Linienmarkierungen bzw. im Zentrum der Target- bzw. Justierplatte 10 kreuzt;
also am Nullpunkt der durch die Skalenziffern 26 gebildeten Skala. Durch eine kürzere, ebenfalls unter
rechtem Winkel zur Maßstabslinie 20 verlaufende Linie wird ein weiterer Schnitt-bzw. Kreuzungspunkt gebildet.
Die Linie 32 erstreckt sich zu beiden Seiten der Maßstabslinie 20 und wird durch eine Verlängerung einer
langen Linienmarkierung erhalten. Auf diese Weise wird eine Hauptunterteilung mit einer Schrittweite von
TER MEER . MÜLLER . STHIN1VlE-ISTEFi 3507778
3, 81 cm (1,50 inch) gebildet.
Auf jeder Seite der Zentrumslinie 30 befindet sich eine Anzahl von reflektierenden bzw. spiegelnden Bereichen
In Figur 1 sind zwei dieser reflektierenden Bereiche 40
dargestellt. Es ist nicht nötig, diese Bereiche 40 mit genau einzuhaltenden Abmessungen herzustellen. Es muß
lediglich darauf geachtet werden, daß sie wenigstens so groß sind, um das Beobachtungs- bzw. Gesichtsfeld der
optischen oder Videoeinrichtung des mit dem Feinbearbeitungssystem verbundenen Einspann-Überwachungssystems auszufüllen.
Vorzugsweise besitzen beide reflektierenden Bereiche 40 in Figur 1 ein gleiches bzw. gleichförmiges Reflektionsvermögen
in ihrem gesamten Bereich.
Das schachbrettartige Muster 50 besitzt Reihen von benachbarten und abwechselnd reflektierenden und nichtreflektierenden
Flächen 52 und 54. Entsprechend ist das schachbrettartige Muster 60 ausgbildet, das ebenfalls
abwechselnd reflektierende und nichtreflektierende Flächen
62 und 64 enthält. Die Abmessungen der Flächen 52 und 54 unterscheiden sich dabei allerdings von denjenigen der Flächen
62 und 64. Beispielsweise sind die Flächen 52 und 54 quadratisch ausgebildet und weisen eine Kantenlänge von
0,254 mm (10 ml) auf, während die Flächen 62 und 64, die auch quadratisch ausgebildet sind, lediglich eine
Kantenlänge von 0,127 mm (5 ml.) besitzen.
Die matten Flächenbereiche 70 bilden Muster, die aus sehr
kleinen, statistisch verteilten reflektierenden und nichtreflektierenden Oberflächenkonfigurationen bestehen.
Diese matten Flächenbereiche 70 eignen sich zur Bestimmung der Mustererkennungsfähigkeit des Einspann-Überwachungssystems.
Die genannten Flächenbereiche 7 0 werden vorzugsweise mit Hilfe von klebenden Streifen auf dem Substrat
angeordnet, die an ihrer Rückseite einen klebenden Belag
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tragen. Die Vorderseite bzw. obere Fläche der Streifen umfaßt beispielsweise ein Polykarbonat-Material, das
auf einem durchsichtigen Kunststoffsubstrat (zum Beispiel Mylar) aufgebracht ist, in dem Chrom bzw. Chromfarbe
eingebettet ist. Ein geeigneter Kleber zur Verklebung derartiger Bänder mit dem Substrat 12 ist leicht auffindbar
(zum Beispiel Bandkleber No. 467).
Durch die Target- bzw. Justierplatte 10 wird ein vielseitig
einsetzbares Eich- bzw. Ausricht-Instrument erhalten, das direkt auf der Aufnahmeplatte der Einspannbzw.
Positioniervorrichtung des Feinbearbeitungssystems nach Figur 2 so angeordnet werden kann, daß es sich im
Mikroskop-Beobachtungs- bzw. Gesichtsfeld der Betriebs- ·· und Überwachungselemente des Systems befindet. Dieses
Feinbearbeitungssystem, von dem in Figur 2 ein Blockdiagramm dargestellt ist, enthält eine Vorrichtung zur automatischen
Unterteilung von Wafern (kleinen Kristallplättchen) in kleine Teilstücke. Es handelt sich hierbei vorzugsweise
um eine Sägevorrichtung. Wie Figur 2 zeigt, ist die Target- bzw. Justierplatte 10 auf dem Trägertisch 110
der Wafer-Einspannvorrichtung angeordnet. In einer separaten optischen Einrichtung 120 befinden sich zur
Direktbeobachtung optische und Videokamerakomponenten mit der dazugehörigen Elektronik, wobei zusätzlich eine
Mikroskoplinsenanordnung 125 vorhanden ist, die ein weiteres optisches Element bildet. Dia Target- bzw. Justierplatte
10 befindet sich, wenn sie auf der Einspannvorrichtung 110 positioniert ist, im Gesichts- bzw. Beobachtungsfeld
der Linseneinrichtung 125. Ausgangssignale der von der zur Videokamera gehörenden Elektronik innerhalb
der optischen Einrichtung 122 werden über eine Leitung zur Steuereinheit 130 übertragen, mit deren Hilfe die
Unterteilung des Wafers steuerbar ist. Sie überwacht und bestimmt die Bewegung einer Trenn- bzw. Sägeeinrichtung
140, indem sie diese über eine Leitung 132 ansteuert. Die
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Trenneinrichtung 140, mit deren Hilfe ein Wafer schrittweise bzw. abschnittsweise unterteilt bzw. zersägbar
ist, ist mit einem rotierenden Schneidblatt oder einem anderen geeigneten Trennelement 145 gekoppelt, das mit
dem Wafer in Kontakt gebracht wird, wenn dieser auf dem Trägertisch 110 eingespannt ist. Die Steuereinheit 130
ist weiterhin in der Lage, auch die Einspannoperation vorzunehmen und zu überwachen, indem entsprechende Signale
von ihr über die Leitung 133 zur Einspannsteuereinheit geleitet werden. Sowohl in der separaten optischen Einrichtung
120 als auch in der Trenn- bzw. Sägeeinrichtung 140 und in der Einspannsteuereinheit 115 sind zu den genannten
Zwecken mechanische und elektromechanische Antriebselemente vorgesehen. Die genannte Target- bzw. Justierplatte
10 nach der Erfindung kann allein sowohl in Verbindung mit Trennsystemen eingesetzt werden, die zur Aufnahme und
Verarbeitung von Wafern mit bestimmter Größe und in vo rbe st inunter Weise geeignet sind, als auch mit solchen
Systemen, deren Betrieb über ein Programm steuerbar ist.
Beispielsweise kann eine Eichung und Ausrichtung mit Hilfe einer Target- bzw. Justierplatte 10 bei den kommerziell erhältlichen
Trennsystemen "602", "1006", "1010" und "1100" vorgenommen werden, die von der Firma Micro Automation
geliefert werden. Dieselbe Target- bzw. Justierplatte 10 eignet sich auch für solche Trennsysteme, in denen die
automatischen Ausricht- bzw. Justiersysteme "MicroEye I" und "MicroEye II" zur Anwendung kommen, welche ebenfalls
durch die Firma Micro Automation lieferbar sind.
Bei dem oben beschriebenen Feinbearbeitungssystem zur Unterteilung von Wafern wird die Target- bzw. Justierplatte
10 dazu benutzt, mikroskopische bzw. Feineinstellungen bei den optischen Elementen zur direkten
Beobachtung, bei der Videokamera-Optoelektronik und bei den mechanischen und elektromechanischen Antriebselementen
vorzunehmen. Wird beispielsweise das "MicroEye I System"benutzt, so kann eine "Ultricon"-Videokamera-
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Einrichtung verwendet werden. Eine derartige Kameraeinrichtung ist kommerizell erhältlich und besitzt Elemente
zur Strahleinstellung, zur Fokusänderung bzw. Höhen- oder Fokushöhenänderung, zur Einstellung eines Dualbelichtungspegels
(Doppelbelichtungspegel) und zur Einstellung der Orientierung einer Bildunterteilung. Eine direkte Betrachtung
ist sowohl mit Hilfe eines Binoculars als auch mit Hilfe eines Monoculars möglich. Wie bereits erwähnt ,
ist die Target- bzw. Justierplatte 10 vorzugsweise auf den Trägertisch 110 der Wafer-Einspannvorrichtung angeordnet.
Durch Positionierung eines schachbrettartigen Musters 50 oder 60 innerhalb des binocularen Beobachtungsbzw. Gesichtsfeldes lassen sich die Strahlverhältnisse bzw.
das Strahlenbündel, die Fokushöhe und die Gleichmäßigkeit bzw. Linearität der Bildunterteilung in gewünschter Weise
einstellen. Die Linearität bzw. Gleichmäßigkeit des automatischen Ausrichtsystems wird dadurch eingestellt,
daß die reflektierenden Bereiche 40 im unterteilten Gesichtsfeld des Binoculars positioniert werden. Darüber
hinaus werden Speicher zur Speicherung von Positionswerten entlang einer Y-Achse (lineare Achse) und einer Theta-Achse
(Schwenkachse) dadurch eingestellt bzw. verändert, daß der
Schnitt- bzw. Kreuzungspunkt von Maßstabslinie 20 und Zentrumslinie 30 im Beobachtungs- bzw. Gesichtsfeld
des Monoculars positioniert wird.
Wie vielseitig einsetzbar die Target- bzw. Justierplatte 10 nach der Erfindung ist, läßt sich auch daran erkennen,
daß mit ihrer Hilfe unter Anwendung des "MicroEye II Systems"auch die Trennsysteme "1006", "1010" und "1100"
geeicht werden können. Auch hier wird die Target- bzw. Justierplatte 10 auf dem Trägertisch der Wafer-Einspannvorrichtung
angeordnet. Die Korrekturausrichtung bezüglich der Theta-Achse (Schwenk- bzw. Drehachse)
wird dadurch erreicht, daß der Schnitt- bzw. Kreuzungspunkt von Maßstabslinie 20 und Zentrumslinie 30 im Be-
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obachtungs- bzw. Gesichtsfeld des Monoculars positioniert wird. Die Eichung der Optik wird dadurch erreicht, daß
die reflektierenden Bereiche 40 im bildunterteilten
Gesichts- bzw. Beobachtungsfeld angeordnet werden, so
daß anschließend eine gleichmäßige bzw. einheitliche Beleuchtung einstellbar ist bzw. erhalten wird. Durch
Positionierung der schachbrettartigen Muster 50 und 60 im Beobachtungs- bzw. Gesichtsfeld wird es möglich,
die Verzeichnung bzw. Verzerrung zu minimieren. Das"MicroEye TT-System" kann dadurch kontrolliert bzv/. halbiert werden, daß
die matten Flächenbereiche 70 im Gesichts- bzv/. Beobachtungsfeld angeordnet werden. Wird ein Wert zwischen
6500 und 7000 erhalten, so kann daran leicht erkannt werden, daß das System gut eingestellt ist.
15
Die Schrittweite des Feinbearbeitungssystems in Y-Richtung kann darüber hinaus dadurch nachgestellt werden, daß die
Maßstabslinie 20 in das Gesichts- bzv/. Beobachtungsfeld hineingeführt wird. Ein optisches Fadenkreuz oder eine
Kante des Trennelements 145 werden zunächst mit einer vorgegebenen bzw. ausgewählten Linienmarkierung in Übereinstimmung
gebracht. Vorzugsweise dient hierzu der Schnittpunkt von Zentrumslinie 30 und Maßstabslinie 20.
Das Trennelement wird dann schrittweise und entsprechend einer vorbestimmten Anzahl von Schritten entlang der
Maßstbslinie 20 (Y-Achse) unter Steuerung des zuvor geeichten Schrittsteuersystems bewegt. Durch einen Vergleich
der tatsächlichen Positionen von Fadenkreuz bzw. Trennelementkante
und derjenigen Position, die eigentlich mit Hilfe des Schrittsteuersystems hätte erreicht v/erden sollen,
können dann Ungenauigkeiten bezüglich der Eichung dieses Systems aufgedeckt werden. Es kann dann anhand des Vergleichsergebnisses
neu eingestellt werden. Durch eine erneute Verschiebung von Fadenkreuz bzw. Trennelementkante
entlang der Y-^chse läßt sich diese Einstellung erneut überprüfen.
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Der Schnittpunkt von Maßstabslinie 20 und Zentrumslinie 30 liegt vorzugsweise im Zentrum der Target- bzw.
Justierplatte 10. Bei den Systemen "1006", "1010" und "1100" befindet sich die Target- bzw. Justierplatte 10
im Zentrum der Wa£er-Spannvorrichtung. Wird während einer
Nacheichung die Spannvorrichtung in Rotation versetzt, so dreht sich die Target- bzw. Justierplatte 10 ebenfalls.
Bei dem System "602" ist es nicht nötig, die Target- bzw. Justierplatte 10 auf der Spannvorrichtung zu zentrieren.
Messungen können auch dann durchgeführt werden, wenn der Schnittpunkt von Maßstabslinie 20 und Linie 32 mit dem
Zentrum der Einspannvorrichtung übereinstimnmt.
Beim Ausführungsbeispiel nach der Figur 1 bilden die Maßstabslinie 20 und die Zentrumslinie 30 jeweils eine
Diagonale auf der rechteckigen Target- bzw. Justierplatte 10. Hierauf ist die Erfindung jedoch nicht beschränkt.
Die genannten und sich schneidenden Linien 20 , 30 können auch außerhalb von Diagonalen liegen.
bad
Claims (18)
1. Vorrichtung zur Eichung und Ausrichtung eines mikroskopischen Bearbeitungssystems,
gekennzeichnet durch optische Elemente (120, 125) zur Bildung eines mikroskopischen
Operations-Gesichtsfeldes in Bezug auf ein Betriebselement (110), das eine im Operations-Gesichtsfeld
liegende Target- bzw. Justierplatte (10) besitzt, die eine Vielzahl von optisch erfaßbaren Targetmustern trägt,
von denen wenigstens eines skalierte Linien (20, 22, 24, 32) aufweist, mit deren Hilfe das Botriebselement einstell-
bzw. justierbar ist, und oin anderes reflektierende
Bereiche (40 bzw. 52, 62) enthält, mit deren Hilfe die
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optischen Elemente so kalibrierbar sind, daß ein gleichmäßig
ausgeleuchtetes, weitgehend verzerrungsfreies
Gesichtsfeld entsteht.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß eines der optischen Targetmuster eine Zentrumslinie (30;32)
enthält, die eine skalierte Linie (20) unter rechtem Winkel schneidet, so daß eine Eichung der Theta- bzw.
Winkeleinstellung des Betriebselements durchführbar ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das mikroskopische Bearbeitungssystem Mustererkennungsmittel
besitzt, und daß die optische Target- bzw. Justierplatte (10) wenigstens einen matten Oberflächenbereich (70)
aufweist, der zur Bestimmung eines Kontrastwertes und der Qualität der von einem Videokamerasystem gelieferten
Information durch die Mustererkennungsmittel untersucht wird.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß
wenigstens ein Targetmuster (50, 60) schachbrettartig ausgebildet ist und abwechselnd reflektierende (52, 62)
sowie nichtreflektierende Bereiche (54, 64) besitzt.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß das schachbrettartige Muster (50, 60) mikroskopisch ausgebildet
ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Target- bzw. Justierplatte (10) mehrere schachbrettartige
Targetmuster (50, 60) aufweist, deren rechteckige Bereiche
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jeweils unterschiedliche Abmessungen haben.
7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Target- bzw. Justierplatte (10) wcjnigstens einen gleichmäßig reflektierenden Bereich (40) zur Kalibrierung der
Lichtverteilung innerhalb des Gesichts- bzw. Beobachtungsfeldes sowie zur Kalibrierung der Bildkontrastqualität
besitzt.
8. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der
matte Oberflächenbereich (70) aus polykarbonathaltigem
Material gebildet ist, das auf der Oberfläche eines Kunststoff
Substrats liegt, das Chrom enthält.
Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die
Linien oder skalierten Linien linear bzw. geradlinig verlaufen.
10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die
Position des Betriebselementes durch die optischen und Kamerasysteme kontrollierbar bzw. steuerbar ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die
geraden Linien zur Bildung skalierter Linien Linienstücke (22, 24) aufweisen, die entlang der geraden Linien unter
vorbestimmten Abstand voneinander präzise angeordnet sind.
12. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11,
dadurch gekennzeichnet, daß alle Targetmuster in einer gemeinsamen optischen Ebene innerhalb
des mikroskopischen Gesichtsfο 1 des liegen.
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-A-
13. Einspannbare optische Target- bzw. Justierplatte, dadurch gekennzeichnet, daß sie
nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12 ausgebildet und mit einem Bearbeitungssystem zur Unterteilung von
Kristallplatten mittels eines Trennsystems sowie zur Eichung und Positionierung des Trennsystems verbindbar ist.
14. Einspannbare optische Target- bzw. Justierplatte nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß eine der Zentrumslinien (20) skaliert ist und zur Kalibrierung der Schrittweite des Trennsystems in Y-Richtung
dient.
15. Einspannbare optische Target- bzw. Justierplatte nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet,
daß sie wenigstens einen Bereich zur Eichung der Musterkennungsmittel besitzt.
16. Verfahren zum Nacheichen von Bearbeitungs- bzw. von zur Unterteilung von Kristallplatten geeigneten Trennsystemen
zwecks Kompensation interner und durch ein Schrittsteuersystem verursachter Fehler, dadurch
gekennz e ichne t, daß
- auf der Kristallplatteneinspannvorrichtung (110) eine Target- bzw. Justierplatte (10) positioniert wird,
die eine Maßstabslinie (20) mit einer Vielzahl von Teilungslinien trägt, welche untereinander einen vorbestimmten
Abstand haben,
- die Schneidkante (145) des Trennsysstems auf eine der
Teilungslinien zunächst ausgerichtet und dann mit Hilfe des Schrittsteuersystems um eine entsprechende
Anzahl vorbestimmter Abstände entlang der Maßstabslinie bewegt wird,
- der Fehler des Schrittsteuersystems ermittelt wird, der sich durch die Differenz zwischen der tatsächlichen
Position der Schneidkante auf der Maßstabslinie und
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der gewünschten Position ergibt, die von der Schneidkante bei der entsprechenden Anzahl vorbestimmter Abstände
hätte erreicht v/erden sollen, und anschließend das Schrittsteuersystem zur Kompensation des Fehlers neu eingestellt
wird.
17. Verfahren zum Nacheichen von Bearbeitungs- bzw. von zur Unterteilung von Kristallplatten geeigneten Trennsystemen
mit optischen Elementen zur Bildung eines Beobachtungs- bzw. Gesichtsfeldes und einer Kristallplatteneinspannvorrichtung
in dem Gesichtsfeld, dadurch gekennzeichnet, daß
- auf der Kristallplatteneinspannvorrichtung (110) eine
Target- bzw. Justierplatte (10) mit einer Vielzahl optischer Targetmuster positioniert wird,
- die optischen Elemente (120, 125) des Systems so relativ zur Kristallplatteneinspannvorrichtung positioniert
werden, daß ein erster reflektierender Bereich (40) der Targetmuster im Gesichtsfeld liegt,
- die optischen Elemente so eingestellt v/erden, daß eine gleichmäßige Ausleuchtung des Gesichtsfeldes erhalten
wird,
- die optischen Elemente relativ zur KristallpLatteneinspannvorrichtung
so verschoben werden, daß ein zweites schachbrettartiges Gebiet (50, 60) der Targetmuster
mit abwechselnd reflektierenden und nichtreflektierenden
Bereichen (52, 62; 54, 64) im Gesichtsfeld liegt, und anschließend
- die optischen Elemente zur verbesserten Fokuseinstellung sowie zur Minimierung von Verzerrungen bzw. Verzeichnungen
des Gesichtsfeldes verstellt v/erden.
18. Verfahren nach Anspruch 17,
dadurch gekennzeichnet, daß auf der Oberfläche der Kristallplatteneinspannvorrichtung
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bewegt wird, und daß die Größe der schrittweisen Bewegung durch Verschiebung der optischen Elemente
relativ zur Kristallplatteneinspannvorrichtung nachgestellt wird, indem das Gesichtsfeld auf einen dritten
Bereich der Targetmuster mit skalierten Linien gerichtet wird.
*■ 4
kl ^3PeCTED
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/586,704 US4557599A (en) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | Calibration and alignment target plate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3507778A1 true DE3507778A1 (de) | 1985-09-19 |
Family
ID=24346822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19853507778 Ceased DE3507778A1 (de) | 1984-03-06 | 1985-03-05 | Vorrichtung und verfahren zur eichung eines mikroskopischen bearbeitungssystems mit hilfe einer justierplatte |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4557599A (de) |
| JP (1) | JPS60210704A (de) |
| KR (1) | KR850006791A (de) |
| DE (1) | DE3507778A1 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4243724A1 (de) * | 1992-12-23 | 1994-06-30 | Hermann Dr Ing Tropf | Verfahren zur Positionierung von Werkstücken |
| DE10126185B4 (de) * | 2001-05-30 | 2007-07-19 | Robert Bosch Gmbh | Prüfkörper für optoelektronische Bildanalysesysteme |
Families Citing this family (65)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685387B2 (ja) * | 1986-02-14 | 1994-10-26 | 株式会社東芝 | 位置合わせ方法 |
| US4855830A (en) * | 1987-03-30 | 1989-08-08 | Allen-Bradley Company, Inc. | Machine vision system with illumination variation compensation |
| JP2622573B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1997-06-18 | キヤノン株式会社 | マーク検知装置及び方法 |
| US4979135A (en) * | 1988-01-27 | 1990-12-18 | Storage Technology Corporation | Vision system illumination calibration apparatus |
| US4856043A (en) * | 1988-07-18 | 1989-08-08 | North American Philips Corporation | Two piece ceramic Soller slit collimator for X-ray collimation |
| DE3924989A1 (de) * | 1989-07-28 | 1991-02-07 | Roland Man Druckmasch | Vorrichtung zur durchfuehrung einer umfassenden qualitaetskontrolle an druckbogen |
| US5086477A (en) * | 1990-08-07 | 1992-02-04 | Northwest Technology Corp. | Automated system for extracting design and layout information from an integrated circuit |
| US5345170A (en) | 1992-06-11 | 1994-09-06 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems |
| US5463429A (en) * | 1993-11-15 | 1995-10-31 | Eastman Kodak Company | Surface inspection optical geometry alignment system |
| US5543965A (en) * | 1994-05-11 | 1996-08-06 | Nvision Grafix, Inc. | Method and apparatus for autostereoscopic lenticular displays utilizing random dot patterns |
| US5557097A (en) * | 1994-09-20 | 1996-09-17 | Neopath, Inc. | Cytological system autofocus integrity checking apparatus |
| US5561377A (en) | 1995-04-14 | 1996-10-01 | Cascade Microtech, Inc. | System for evaluating probing networks |
| US6152803A (en) * | 1995-10-20 | 2000-11-28 | Boucher; John N. | Substrate dicing method |
| US5825483A (en) * | 1995-12-19 | 1998-10-20 | Cognex Corporation | Multiple field of view calibration plate having a reqular array of features for use in semiconductor manufacturing |
| US5872860A (en) * | 1997-03-13 | 1999-02-16 | Ortho Diagnostic Systems, Inc. | Calibration cassette for use in calibrating an automated agglutination reaction analyzing system |
| US6002263A (en) | 1997-06-06 | 1999-12-14 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having inner and outer shielding |
| DE19748844C1 (de) * | 1997-11-05 | 1999-08-26 | Cybertron Automation Qualitaetsanalyse | Prüfkörper |
| US20040112360A1 (en) * | 1998-02-12 | 2004-06-17 | Boucher John N. | Substrate dicing method |
| US6445202B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-09-03 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current |
| JP2001196328A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | Ｃｓｐ基板の分割方法 |
| US6816625B2 (en) | 2000-08-16 | 2004-11-09 | Lewis Jr Clarence A | Distortion free image capture system and method |
| US6965226B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-11-15 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| US6914423B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-07-05 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
| US6513257B2 (en) | 2000-12-26 | 2003-02-04 | Reza Nejad-Sattari | Method and apparatus for determining scale in photographic images |
| EP1432546A4 (de) | 2001-08-31 | 2006-06-07 | Cascade Microtech Inc | Optische prüfvorrichtung |
| JP2003151920A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削機における被加工物位置合わせ方法 |
| US6847219B1 (en) | 2002-11-08 | 2005-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station with low noise characteristics |
| US7250779B2 (en) | 2002-11-25 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station with low inductance path |
| US6861856B2 (en) | 2002-12-13 | 2005-03-01 | Cascade Microtech, Inc. | Guarded tub enclosure |
| DE10309992A1 (de) * | 2003-02-28 | 2004-09-16 | Med3D Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Kontrolle der Position von Bohrhülsen |
| US7221172B2 (en) | 2003-05-06 | 2007-05-22 | Cascade Microtech, Inc. | Switched suspended conductor and connection |
| US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| DE10336803A1 (de) * | 2003-08-11 | 2005-03-24 | Leica Microsystems Wetzlar Gmbh | Verfahren und System zur geräteunabhängigen Bestimmung von Koordinaten eines mittels eines Mikroskops abgebildeten Punktes |
| US7250626B2 (en) | 2003-10-22 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe testing structure |
| US7187188B2 (en) | 2003-12-24 | 2007-03-06 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck with integrated wafer support |
| GB0403576D0 (en) * | 2004-02-18 | 2004-03-24 | Prior Scient Instr Ltd | Stage apparatus |
| EP1754072A2 (de) | 2004-06-07 | 2007-02-21 | CASCADE MICROTECH, INC. (an Oregon corporation) | Thermische optische einspannvorrichtung |
| TWI254413B (en) * | 2004-08-16 | 2006-05-01 | Ind Tech Res Inst | Cutter angle adjustment method |
| US7535247B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-05-19 | Cascade Microtech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
| US7656172B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
| US20070009389A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-11 | Antti Seppo | Slide deposition chamber |
| GB0518096D0 (en) * | 2005-09-06 | 2005-10-12 | Fleet Line Markers Ltd | Alignment apparatus |
| JP4408298B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2010-02-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置及び検査方法 |
| EP2156370B1 (de) | 2007-05-14 | 2011-10-12 | Historx, Inc. | Abteilungsauftrennung durch pixelcharakterisierung unter verwendung von bilddatenclusterung |
| CA2690633C (en) * | 2007-06-15 | 2015-08-04 | Historx, Inc. | Method and system for standardizing microscope instruments |
| US7973935B2 (en) * | 2007-11-06 | 2011-07-05 | Konica Minolta Sensing, Inc. | Reflection characteristic measuring apparatus for sheet specimen and method of calibrating reflection characteristic measuring apparatus for sheet specimen |
| TWI335252B (en) * | 2007-11-30 | 2011-01-01 | Ind Tech Res Inst | Calibration strip and the laser calibration system using thereof |
| CA2737116C (en) | 2008-09-16 | 2019-01-15 | Historx, Inc. | Reproducible quantification of biomarker expression |
| US8319503B2 (en) | 2008-11-24 | 2012-11-27 | Cascade Microtech, Inc. | Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test |
| TWI384159B (zh) * | 2009-12-25 | 2013-02-01 | Ability Entpr Co Ltd | 校準光源的方法 |
| TWI401134B (zh) * | 2010-01-26 | 2013-07-11 | Macronix Int Co Ltd | 調校治具和應用其之校正方法 |
| US8570535B2 (en) * | 2010-03-03 | 2013-10-29 | Micronic Mydata AB | Pattern generators, calibration systems and methods for patterning workpieces |
| US8676050B2 (en) | 2010-12-29 | 2014-03-18 | Gary S. Shuster | Autofocus calibration for long lenses |
| DE102012200739A1 (de) * | 2012-01-19 | 2013-07-25 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zum Kalibrieren eines Streulichtmessgerätes |
| US10032273B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-07-24 | Cognex Corporation | Machine vision system calibration using inaccurate calibration targets |
| CN104897051B (zh) * | 2014-03-03 | 2019-01-11 | 卡尔蔡司显微镜有限责任公司 | 用于对数码显微镜进行测量校准的校准板及其使用方法 |
| US10082461B2 (en) * | 2014-07-29 | 2018-09-25 | Nanometrics Incorporated | Optical metrology with purged reference chip |
| DE102015122842B4 (de) * | 2015-12-27 | 2019-02-07 | Faro Technologies, Inc. | Verfahren zum Kalibrieren einer 3D-Messvorrichtung mittels einer Kalibrierplatte |
| CN107329379B (zh) * | 2016-04-29 | 2019-01-18 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 双层对准装置和双层对准方法 |
| EP3415865A1 (de) | 2017-06-12 | 2018-12-19 | TOMRA Sorting NV | Detektorkalibrierung |
| US10451542B2 (en) | 2017-12-05 | 2019-10-22 | Nanometrics Incorporated | Local purge within metrology and inspection systems |
| JP7161905B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2022-10-27 | アルテミラ株式会社 | 缶蓋検査機並びにカメラ位置調整方法 |
| JP2021148458A (ja) * | 2020-03-16 | 2021-09-27 | 株式会社東芝 | 形状測定方法及び形状測定装置 |
| CN112326198B (zh) * | 2020-10-29 | 2022-09-23 | 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所 | 一种快速验证靶板及快速验证方法 |
| IL298509B2 (en) * | 2022-11-23 | 2024-04-01 | Applied Materials Israel Ltd | Optical systems and a method for their calibration |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4055376A (en) * | 1975-10-02 | 1977-10-25 | Rockwell International Corporation | Calibration reticle for measuring microscopes |
| US4353087A (en) * | 1979-03-12 | 1982-10-05 | The Perkin-Elmer Corporation | Automatic mask alignment |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1630146A (en) * | 1925-08-25 | 1927-05-24 | Firm Of C A Hausser & Son | Hemacytometer |
| US1688824A (en) * | 1926-04-05 | 1928-10-23 | Miessner William Otto | Theme finder |
| GB431999A (en) * | 1934-05-12 | 1935-07-18 | Herbert Lindner | Improvements in and relating to precision drilling and like machines |
| US2660091A (en) * | 1948-09-22 | 1953-11-24 | American Optical Corp | Haemacytometer and the like |
| US3674004A (en) * | 1969-12-30 | 1972-07-04 | Ibm | Precision cutting apparatus and method of operation therefor |
| US3789507A (en) * | 1972-02-17 | 1974-02-05 | M Murray | Machine element alignment system |
| FR2330997A1 (fr) * | 1975-11-07 | 1977-06-03 | Sagem | Perfectionnements aux procedes et machines de mesure des dimensions de pieces |
| US4023911A (en) * | 1976-04-12 | 1977-05-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Stereopsis test patterns for adjustment of stereomicroscopes in the inspection of three-dimensional objects |
| US4328553A (en) * | 1976-12-07 | 1982-05-04 | Computervision Corporation | Method and apparatus for targetless wafer alignment |
| US4183614A (en) * | 1977-01-10 | 1980-01-15 | Liquidata, Inc. | Microscope slide |
| US4126376A (en) * | 1977-02-24 | 1978-11-21 | Jenoptik Jena G.M.B.H | Manipulation device for precision adjustments including a double microscope having adjustable optical axes |
| US4167174A (en) * | 1977-12-08 | 1979-09-11 | General Signal Corporation | Method and apparatus for aligning the streets of a semiconductor wafer |
| US4281342A (en) * | 1978-03-29 | 1981-07-28 | Hitachi, Ltd. | Mark detecting system using image pickup device |
| US4170158A (en) * | 1978-07-13 | 1979-10-09 | Weaver John H | Radial arm saw cutting gauge |
| US4233625A (en) * | 1978-11-03 | 1980-11-11 | Teledyne, Inc. | Television monitoring system for automatically aligning semiconductor devices during manufacture |
| US4255056A (en) * | 1979-03-30 | 1981-03-10 | Hardinge Brothers, Inc. | Pre-setter for positioning tooling on turrets |
| US4385838A (en) * | 1980-01-19 | 1983-05-31 | Nippon Kogaku K. K. | Alignment device |
-
1984
- 1984-03-06 US US06/586,704 patent/US4557599A/en not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-03-05 KR KR1019850001363A patent/KR850006791A/ko not_active Application Discontinuation
- 1985-03-05 DE DE19853507778 patent/DE3507778A1/de not_active Ceased
- 1985-03-06 JP JP60044513A patent/JPS60210704A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4055376A (en) * | 1975-10-02 | 1977-10-25 | Rockwell International Corporation | Calibration reticle for measuring microscopes |
| US4353087A (en) * | 1979-03-12 | 1982-10-05 | The Perkin-Elmer Corporation | Automatic mask alignment |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| W.Dillenberger: Einführung in die Fernsehtechnik, 4. Auflage, Band 1, Berlin 1975, Schiele & Schön, S. 85-94 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4243724A1 (de) * | 1992-12-23 | 1994-06-30 | Hermann Dr Ing Tropf | Verfahren zur Positionierung von Werkstücken |
| DE10126185B4 (de) * | 2001-05-30 | 2007-07-19 | Robert Bosch Gmbh | Prüfkörper für optoelektronische Bildanalysesysteme |
| US7286220B2 (en) | 2001-05-30 | 2007-10-23 | Robert Bosch Gmbh | Test piece for optoelectronic image analysis systems |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR850006791A (ko) | 1985-10-16 |
| US4557599A (en) | 1985-12-10 |
| JPS60210704A (ja) | 1985-10-23 |
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