DE3910048C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Ausrichtsystem in der Photoli
tographie gemäß den im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 an
gegebenen Merkmalen.
Aus der EP 2 92 976 A2 ist ein derartiges Ausrichtsystem bekannt,
um die Strukturen der Maske mittels optischen Einrichtungen und
Licht auf das Substrat zu übertragen. Es werden jeweils kleine
Bereiche der Struktur abgetastet und übertragen, wobei die Maske
und das Substrat einer entsprechenden Abtastbewegung unterworfen
werden. Die zuvor eingestellte relative Positionierung von Maske
und Substrat bleibt hierbei fest und unverändert. Für Substrate
und Masken mit vergleichsweise kleinen Abmessungen, die zur
Herstellung von integrierten Schaltkreisen heute üblicherweise
vorgesehen werden, genügt eine einmalige Ausrichtung, welche bei
der Durchführung des lithographischen Verfahrens unverändert
beibehalten wird. Die Übertragung der Strukturen von der Maske
auf das Substrat erfolgt üblicherweise auf optischem Wege, wobei
insbesondere Laserstrahlen entsprechend den Strukturen der Maske
auf eine photoempfindliche Schicht des Substrates einwirken. In
weiteren Verfahrensschritten werden durch Ätzen oder Ähnliches
auf dem Substrat die Strukturen fixiert. Mit zunehmender Größe
der Substrate, und zwar insbesondere für Flüssigkristallanzeigen,
werden die optischen Mittel, welche Linsen- und/oder Spiegel
systeme enthalten, größer und unhandlich, wobei der konstruktive
Aufwand erheblich zunimmt. Daher kann bei größeren Abmessungen
die Abtastung und Übertragung der Strukturen von der Maske in
kleinen Bereichen jeweils durchgeführt werden, wobei aber zusätz
liche Schwieirigkeiten hinsichtlich einer exakten Ausrichtung sich
ergeben. So können vor allem Veränderungen des Substrates, bei
spielsweise aufgrund von Wärmeeffekten, einer Durchbiegung oder
dergleichen während der lithographischen Übertragung der Struk
turen in kleinen Bereichen zu nachteiligen Fehlern führen. Dies
gilt insbesondere im Hinblick auf Flüssigkristallanzeigen, welche
Kantenlängen von wenigstens 10 Zentimetern, zweckmäßig 20 Zen
timetern und darüber aufweisen, wobei sehr kleine Strukturen in
der Größenordnung bis zu 4 Mikrometer und noch weniger zuver
lässig von der Maske auf das Substrat übertragen werden sollen.
Eine Verzeichnung oder Verzerrung bei der Übertragung kann zu
einer hohen Ausschußrate und zu hohen Fertigungskosten führen.
Ferner ist aus der DE 33 05 014 A1 eine Anordnung zur Ermittlung
von Überdeckungsfehlern bekannt bei welcher eine Schablone bzw.
Struktur einer bestimmten technologischen Ebene des Schablonen
satzes als vergleichsnormal herangezogen und die Überdeckbarkeit
oder Lagefehler der Strukturen von anderen Schablonen an be
stimmten Meßmarken dieser Schablonen festgestellt werden. Hierbei
wird das überlagerte Bild in die Ebene eines Meßspaltes übertra
gen und relativ zu diesem bewegt, wobei die Energie des durch den
Meßspalt hindurchtretenden Lichtes entsprechend den Wellenlängen
der Lichtenergieanteile jeweils einer bestimmten Wellenlänge
zerlegt wird. Aus diesen Lichtenergieanteilen wird dann jeweils
eine Signalkurve in Abhängigkeit der Wegkoordinaten erzeugt und
schließlich wird aus diesen Signalkurven die Kantenlage der
Meßmarke des Vergleichobjektes und des zu prüfenden Objektes
bestimmt und durch Differenzbildung der Überdeckungsfehler der
beiden Marken berechnet.
Ferner ist aus der DE 32 47 560 A1 eine Übertragungseinrichtung
zur Kompensation eines Übertragungsfehlers bekannt, wobei eine
Normalmaske für das Ausrichten vorgesehen wird. Diese Normalmaske
wird nach der Ausrichtung durch eine andere Maske ersetzt, deren
Strukturen zu übertragen sind. Es erfolgt somit lediglich eine
Vorausrichtung mit der Normalmaske, wobei während der Übertragung
eine Nachstellung oder weitere Ausrichtung nicht erfolgt.
Schließlich ist aus der DE 26 42 634 A1 ein Verfahren zum Ju
stieren von Belichtungsmasken relativ zu einer Substratscheibe
bekannt. Unter Verwendung einer ersten Maske werden auf der
Substratscheibe Justiermarken vorgesehen, um nachfolgende Masken,
welche korrespondierende Markierungen aufweisen, entsprechend
ausrichten zu können. Die in besonderer Weise ausgebildeten und
angeordneten Markierungen werden zur Ausrichtung der verschie
denen Masken in bekannter Weise herangezogen, doch bleibt diese
Ausrichtung während der Abtastung und Übertragung der Strukturen
der jeweiligen Masken unverändert.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, das gattungsge
mäße Ausrichtsystem dahingehend weiterzubilden, daß Übertragungs
fehler und Verzeichnungen reduziert werden und eine hohe Abtast-
und Übertragungsgeschwindigkeit erreicht wird.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt gemäß den im Kennzeichen des
Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmalen.
Das vorgeschlagene Ausrichtsystem ermöglicht mit hoher Präzision
die Herstellung von großflächigen Anzeigen, insbesondere Flüssig
kristallanzeigen, welche Kantenlängen größer als 20×25 Zenti
meter, und zwar insbesondere größer als 40×50 Zentimeter auf
weisen. Die kontinuierliche auf den jeweiligen Bereich bezogene
Ausrichtung der Maske bezüglich des Substrats ermöglicht in
zweckmäßiger Weise die Optimierung einerseits hinsichtlich Exakt
heit der Positionierung und andererseits der Abtastgeschwindig
keit. Es müssen keine allzu hohen Anforderungen durch den opti
schen Übertrager erfüllt werden, der in hoher Präzision bezüglich
der Maske und dem Substrat in zwei orthogonalen Richtungen posi
tioniert wird. Es wird eine wirtschaftliche Fertigung der Sub
strate ermöglicht, wobei Stückzahlen von 50 bis 100 pro Stunden
mit hoher Präzision hergestellt werden können. Des weiteren sind
Verzerrungen und Verzeichnungen der kleinsten Strukturen über die
gesamte Fläche des Substrates betrachtet kleiner als ein Mi
krometer und zweckmäßig sogar kleiner als 0,25 Mikrometer bei
einem vergleichsweise einfachen und funktionssicheren Aufbau
beherrschbar.
Weiterbildungen und besondere Ausgestaltungen sind in den Un
teransprüchen angegeben. So kann gemäß dem zweiten Patentanspruch
dem Übertragungssystem eine Vergleichseinrichtung nachgeschaltet
werden, so daß eine Inspektion der Strukturen auf dem großflächi
gen Substrat in zweckmäßiger Weise ermöglicht wird. Die im Pa
tentanspruch 4 angegebene parallele und vertikale Anordnung von
Maske und Substrat ist insofern zweckmäßig, als hierdurch einem
Durchbiegen der Maske und/oder des Substrates mit der Folge von
Unregelmäßigkeiten und Fehlern entgegengewirkt wird.
Die im Patentanspruch 7 angegebene Anordnung und Verschiebung der
Maske und des Substrates in horizontaler Richtung sowie die
Verschiebung des optischen Übertragers in vertikaler Richtung ist
im Hinblick auf die Fertigungsgeschwindigkeit vorteilhaft. Der
optische Übertrager weist nämlich eine vergleichsweise kleine
Masse auf und kann daher vertikal schneller ausgerichtet werden,
als der zur Aufnahme der Maske und des Substrates vorgesehene
Tisch.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand des in der Zeichnung
schematisch dargestellten Ausführungsbeispiels
beschrieben. Es
zeigt
Fig. 1 eine Aufsicht von oben,
Fig. 2 eine Seitenansicht,
Fig. 3 eine Ansicht in Blickrichtung III gemäß Fig. 1,
Fig. 4 vergrößert das optische System,
Fig. 5 eine Prinzipdarstellung des konfokalen Autofokus,
Fig. 6 die Anordnung des Autofokus-Systems,
Fig. 7 das Antriebssystem des Übertragers,
Fig. 8, 9 die Anordnung der Detektoren zur Ausrichtung.
Fig. 1 zeigt in einer Aufsicht von oben das Ausrichtsystem
enthaltend eine Maske 2 und
ein Substrat 4. Die Maske 2 und das Substrat 4 sind
auf einem in horizontaler Richtung verfahrbaren Tisch 6 in einem
Rahmen in Vertikalebenen parallel zueinander angeordnet. Der
Tisch 6 ist bezüglich eines Stators 8, der insbesondere als eine
schwere Granitplatte ausgebildet ist und damit eine Entkopplung
bezüglich äußeren Einwirkungen gewährleistet, in horizontaler
X-Richtung verfahrbar und positionierbar. Hierfür kann ein
Präzisionsantrieb mit einer Spindel 10 vorgesehen sein. Der Tisch
6 ist zweckmäßig mittels Präzisions-Kugellagerführungen in der X-
Richtung auf dem Stator 8 verfahrbar gelagert, wie es durch den
Doppelpfeil 12 angedeutet ist. Zwischen der Maske 2 und dem
Substrat 4 sind Detektoren 54, 56 angeordnet, welche für eine
exakte Ausrichtung der Maske 2 bezüglich des Substrats 4 erfin
dungsgemäß vorgesehen sind, wie es nachfolgend noch zu erläutern
sein wird.
Zwischen der Maske 2 und dem Substrat 4 ist ein optischer Über
trager 14 angeordnet, welcher in vertikaler Richtung, also
senkrecht zur Zeichenebene, verfahrbar ist. Mit diesem optischen
Übertrager 14 werden Teilbereiche der Masken-Strukturen im
Verhältnis 1:1 projiziert und auf das Substrat 4 übertragen. Der
optische Übertrager 14 ist über lichtleitende Mittel 16 mit einer
Strahlenquelle verbunden. Diese Strahlenquelle ist als ein Laser
oder als eine Lampe, beispielsweise für Ultraviolettstrahlen,
ausgebildet. Als lichtleitende Mittel 16 können Glasfasern ebenso
zum Einsatz gelangen wie optische Systeme mit Linsen oder der
gleichen. Entscheidend ist die Abtastung der gesamten auf der
Maske befindlichen Struktur in einzelnen kleinen Bereichen,
welche kontinuierlich auf das Substrat übertragen werden. Die
Feldgröße wird auf die Auflösung des optischen Übertragers abge
stimmt. Anstelle von großen, aufwendigen Projektionssystemen kann
erfindungsgemäß ein vergleichsweise kleines optisches System zum
Einsatz gelangen, wobei hinsichtlich der Größe der zu übertragen
den Strukturen von der Maske auf das Substrat grundsätzlich keine
Einschränkungen zu machen sind. Das Bildfeld des Abtastsystems
kann den Anforderungen bezüglich Auflösung und Präzision angepaßt
werden. Aufgrund der vorgeschlagenen 1:1 Projektion der Maskenbe
reiche auf die Struktur wird eine hohe Auflösung gewährleistet,
wobei kleine Strukturen kleiner als 4 Mikrometer und zweckmäßig
auch kleiner als 1 Mikrometer korrekt übertragen werden. Fehler
durch Verzeichnungen oder Verzerrungen, die bei großen optischen
Systemen vor allem an den Randbereichen auftreten, werden ver
mieden.
Gemäß diesem Verfahren wird der jeweilige Teilbereich der Maske
durch eine 1:1 Projektion mit dem Übertrager auf das Substrat
übertragen. Die Maske ist als ein Positiv ausgebildet und reflek
tiert die vom Übertrager kommenden Lichtstrahlen, welche nach der
Reflektion mittels des Übertragers 14 auf das Substrat 4 geleitet
werden. Dieses Verfahren führt zu einer äußerst einfachen mecha
nischen Konstruktion der Vorrichtung, zumal der Übertrager
problemlos in den freien Raum zwischen der Maske und dem Sub
strat angeordnet und nicht mit hoher Präzision positioniert
werden muß. Gleichwohl liegen im Rahmen der Erfindung Durch
lichtverfahren, bei welchen die Maske als ein Negativ ausgebildet
ist und von den Lichtstrahlen durchdrungen wird. Auch beim
Durchlichtverfahren erfolgt im Rahmen der Erfindung die 1:1
Projektion der Masken-Strukturen, und zwar jeweils in vorgebbaren
Teilbereichen auf das Substrat.
Das Verfahren kann ferner zur Inspektion von Mikrostrukturen auf
großflächigen Substraten zur Anwendung gelangen. Die von der
Strahlenquelle über die lichtleitenden Mittel 16 dem Übertrager
zugeführten Strahlen dienen sowohl zur Abtastung der Maske 2 als
auch der Mikrostrukturen des Substrates 4. Die von der Maske 2
und ferner die von den Mikrostrukturen des Substrates 4 re
flektierten Strahlen werden mittels des Übertragers 14 auf
weitere lichtleitende Mittel 17 gegeben und eine hier nur sche
matisch angedeuteten Vergleichseinrichtung 15 zugeführt. In
dieser Vergleichseinrichtung werden die abgetasteten Bildin
formationen einerseits der Maske 2 und andererseits der
Mikrostrukturen miteinander verglichen, wobei eventuelle Defekte
der Mikrostrukturen zuverlässig erkannt werden. Es versteht sich,
daß im Rahmen der Erfindung auch zwei Masken miteinander ver
glichen werden können, wobei anstelle des erwähnten Substrates
eine zweite Maske vorzusehen wäre. Des weiteren können er
findungsgemäß die Mikrostrukturen von zwei großflächigen
Substraten miteinander verglichen werden.
Fig. 2 zeigt schematisch eine Seitenansicht mit Blickrichtung auf
die Maske 2, wobei aus Gründen der Übersichtlichkeit das Substrat
nicht dargestellt ist. Mit dem Stator 8 ist ein Antrieb 18
verbunden, mit welchem der optische Übertrager 14 in Richtung des
Doppelpfeils 20 vertikal in der Y-Richtung positionierbar ist.
Der Tisch 6 mit der Maske 2 und ebenso mit dem Substrat ist
bezüglich des Stators 8 horizontal positionierbar. Auf das
Substrat werden nacheinander entsprechend den Strukturen ver
schiedener Masken Schichten angeordnet. Um eine definierte
Ausrichtung der einzelnen Masken und der von diesen zu über
tragenden Strukturen auf das Substrat und dessen Schichten zu
erhalten, ist ein Ausrichtsystem der Maske bezüglich des Sub
strats vorgesehen. Es sei davon ausgegangen, daß das Substrat
auf dem Tisch 6 fest angeordnet ist. Hingegen kann die Maske
bezüglich des Tisches und damit bezüglich des Substrats aus
gerichtet werden. Selbstverständlich kann die Anordnung auch in
der Weise getroffen werden, daß die Maske fest und das Substrat
entsprechend ausrichtbar ist. Auf dem Tisch 6 sind zwei Antriebe
22, 24 angeordnet, welche die Feinausrichtung der Maske 2 in
vertikaler Richtung ermöglichen. Ferner sind zwei Antriebe, von
welchen nur der eine Antrieb 26 zu erkennen ist, vorhanden, um
die Feinausrichtung der Maske 2 in der horizontalen Richtung zu
ermöglichen.
Fig. 3 zeigt schematisch die Vorrichtung mit dem Granit-Stator 8,
auf welchem der Tisch 6 senkrecht zur Zeichenebene auf Lagern 28,
30 bewegbar ist. Auf dem Tisch 6 ist ferner der im Querschnitt U-
förmige Rahmen 32 zu erkennen, der einerseits die Maske 2 und
andererseits das Substrat 4 trägt. Wie ersichtlich, sind die
Maske 2 und das Substrat 4 parallel zueinander in vertikalen
Ebenen angeordnet, wobei mittels der vorstehend erwähnten Aus
richteinrichtung die Maske 2 bezüglich des Substrats 4 ausge
richtet werden kann.
Fig. 4 zeigt schematisch die Anordnung des 1:1 Projektions-
Übertragers zwischen der Maske 2 und dem Substrat 4. Eine
Strahlenquelle 34, welche als Lampe oder als ein Laser ausgebil
det ist, sendet über die lichtleitenden Mittel 16 Strahlen zu
einem Strahlenteilersystem 36 des Übertragers 14. Von dem polari
sierten System 36 gelangen Strahlen über ein erstes Objektiv 38
fokussiert auf die Maske 2, um dort den gewünschten Teilbereich
der Struktur zu erfassen. Die von der Maske 2 reflektierten
Strahlen gelangen zurück in das Strahlenteilersystem 36 und von
dort durch ein zweites Objektiv 39 gleichfalls fokussiert auf das
Substrat 4. Die beiden Objektive 38 und 39 sind übereinstimmend
ausgebildet.
Fig. 5 zeigt eine Prinzipdarstellung des konfokalen Autofokus
systems, das zur kontinuierlichen Erfassung und Ausregelung von
Abstandsänderungen zwischen der Maske und dem Substrat dient.
Des weiteren wird mit dem Autofokus-System die Position der Objek
tive, und zwar insbesondere deren Lese- bzw. Schreiblinsen,
bezüglich der zugeordneten Oberflächen eingestellt. Es werden
zwei unterschiedliche Effekte kompensiert; zum einen sind es
kleine zufällige Abstandsveränderungen, welche kleiner sind als
etwa ein Mikrometer über das ganze Feld von ca. einem Zentimeter.
Ferner handelt es sich um niederfrequente Änderungen, welche
systembedingt sind und beispielsweise von Keilfehlern oder
ähnlichem abhängen. Diese Änderungen können bis zu einigen zig
Mikrometern über den Bereich von ca. 50 Zentimeter betragen. Von
einer Punkt-Lichtquelle 40, die beispielsweise als ein Dioden-
Laser ausgebildet sein kann, gelangen Strahlen über einen
Strahlenteiler 42 und das Objektiv auf das Substrat 4. Re
flektierte Strahlen gelangen durch das Objektiv und den
Strahlenteiler 42 zu Detektoren 44, 46. Wie in dem kleinen
Diagramm rechts angedeutet, liefern die beiden Detektoren 44, 46
zwei Intensitätsverteilungen A und B, deren Schnittpunkt die
beste Fokuseinstellung ergibt. Wie angedeutet, wird entsprechend
der Differenz der Detektorsignale mit der Steuereinheit 48 das
Objektiv auf diese beste Fokalebene eingestellt.
Wie aus Fig. 6 ersichtlich, wird sowohl dem ersten Objektiv 38
der Maske 2 als auch dem zweiten Objektiv 39 für das Substrat 4
ein Autofokus-System gemäß Fig. 5 zugeordnet. Entsprechend den
von den Detektoren 44 bzw. 46 erhaltenen Signalen A 1 bzw. B 1 wird
die Leselinse 50 des ersten Objektivs 38 bezüglich der Maske 2
positioniert. In gleicher Weise wird mit den Signalen A 2 bzw. B 2
von Detektoren 45 bzw. 47 die Schreiblinse 52 des zweiten Objek
tivs 39 bezüglich des Substrats 4 positioniert. Aufgrund des
vorgeschlagenen Autofokus-Systems wird eine präzise Abbildung
und Übertragung der Maskenstrukturen auf das Substrat erreicht.
Die axiale Positionierung der Leselinse 50 und der Schreiblinse
52 wird zweckmäßig mit Piezo-Stellelementen gewährleistet, die
insbesondere parallele Federführungen enthalten.
Fig. 7 zeigt ein Beispiel für eine Ausgestaltung des Antriebs 18
zur vertikalen Bewegung des optischen Systems 14. Das optische
System 14 ist entlang einer vertikalen Führung 68 verschiebbar,
die zweckmäßig ein Luftlager-System für einen Schlitten 70 mit
dem optischen Übertrager 14 aufweist. Die Drehbewegung des
Antriebs 18 wird mittels einer Kurbel 72 auf den Schlitten 70
übertragen, wobei zweckmäßig die Anlenkung an den Punkten 74, 76
unter Federvorspannung erfolgt. Mit einem Gegengewicht 78 wird
eine Kompensation bei der kontinuierlichen Aufwärts- und Abwärts
bewegung erreicht. Die lineare Bewegung des Schlittens 70 mit dem
Übertrager 14 erfolgt mit sich ändernder Geschwindigkeit. Um eine
gleichmäßige Belichtung über die gesamte Strecke der vertikalen
Bewegung zu erhalten, ist es zweckmäßig, die Energie der
Strahlenquelle 34 in Abhängigkeit der momentanen vertikalen
Position oder Geschwindigkeit vorzugeben. Für die Bereiche der
größten vertikalen Geschwindigkeit ist die Energiezufuhr am
größten einzustellen, während an den Endpunkten der vertikalen
Bewegungsbahn, also bei Bewegungsumkehr, die Energiezufuhr gegen
null zu regeln ist. Außer dem beschriebenen Antrieb können auch
andere Bewegungssysteme zum Einsatz gelangen.
Zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige mit integrierten
Dünnfilmtransistoren müssen im allgemeinen Strukturen von
mehreren Masken nacheinander auf das Substrat aufgebracht werden,
wobei eine definierte Ausrichtung der Strukturen der einzelnen
Masken zueinander gewährleistet sein muß. Anhand von Fig. 8 und 9
wird ein hierfür geeignetes Ausrichtsystem erläutert. Dieses
Ausrichtsystem soll automatisch kleine Veränderungen kom
pensieren, und zwar sowohl hinsichtlich der Maske als auch des
Substrats. Es sei festgehalten, daß für die erste Schicht bzw.
die erste von der Maske auf das Substrat zu übertragende Struktur
keine derartige Ausrichtung erforderlich ist. Hingegen wird die
zweite Schicht bzw. deren Struktur des Substrats exakt zur ersten
Schicht positioniert. Dies gilt auch für die nachfolgenden
Schichten bzw. Strukturen. Im Hinblick auf die mit dem er
findungsgemäßen Verfahren herzustellende große Flüssigkeits
anzeige mit Kantenlängen von 20 Zentimetern und darüber, müssen
Fehlausrichtungen der Maske, in der Größenordnung bis zu 10
Mikrometer kompensiert werden. Dies erfolgt zweckmäßig in zwei
Schritten, und zwar eine globale Vorausrichtung und ferner eine
dynamische, auf den jeweiligen Ort bezogene Ausrichtung. Maß
gebend ist hierbei, daß mit der Struktur der ersten Maske auf das
Substrat eine Markierung aufgebracht wird, welche zur Ausrichtung
der anderen Masken herangezogen wird. Als zweckmäßig hat sich
eine Linienmarkierung am Rand des Substrats erwiesen. Die zweite
und nachfolgenden Masken haben ihrerseits geeignete Markierungen,
über welche die exakte Ausrichtung dieser Masken bezüglich des
Substrats erreicht wird.
Gemäß Fig. 8 sind für die vertikale Ausrichtung an den Rändern
der Maske bzw. des Substrats jeweils ein Detektor 54 bzw. 56
angeordnet, um die dort vorhandene Markierung 82 abzutasten. In
Abhängigkeit der hierbei ermittelten Signale werden die anhand
der Fig. 2 bereits erläuterten Antriebe für die vertikale Masken
bewegung beaufschlagt. Die Detektoren 54, 56 liegen in der durch
das Zentrum des optischen Übertragers 14 verlaufenden Horizon
talebene 60 und werden entsprechend nachgeführt. Des weiteren sind
zwei X-Detektoren 62, 64 in der Weise angeordnet, daß die gemein
same Vertikalebene 66 gleichfalls durch das Zentrum des optischen
Übertragungssystems 14 verläuft. Die mit den genannten Detektoren
erzeugten Fehlersignale werden in geeigneter Weise bearbeitet und
dienen zur exakten Ausrichtung der Maske bezüglich des Substrats.
Von besonderer Bedeutung ist hierbei, daß diese Ausrichtung
fortwährend entsprechend der kontinuierlichen Strukturübertragung
von der Maske zum Substrat erfolgt.
In Fig. 9 ist eine besondere Ausgestaltung des Detektors 56
dargestellt; nachfolgende Ausführungen gelten entsprechend für
die anderen Detektoren. Der Detektor 56 enthält einen Übertrager
80, der gemäß vorstehenden Erläuterungen mit dem optischen
Übertrager 14 auf der gleichen Horizontalebene 60 positioniert
ist. Die Maske enthält an ihrem Rand eine Markierung 82, die als
eine einzige Linie ausgebildet ist. Auf dem Substrat wurde mit
der ersten Maske am Rand eine Markierung 84 angeordnet, welche
zwei Parallellinien enthält. Wie rechts in der Zeichnung an
gedeutet, wird mittels dem Übertrager 80, der als ein 1:1 Projek
tor ausgebildet ist, in Verbindung mit Detektoren A und B die
Relativlage der Markierung 82 zur Markierung 84 des Substrats 4
erfaßt und nach Differenzbildung dem Antrieb 24 für die Masken
positionierung zugeführt. Diese Maskenausrichtung erfolgt
kontinuierlich für die zweite und die nachfolgenden Masken.
Bezugszeichen
2 Maske
4 Substrat
6 Tisch
8 Stator
10 Spindel
12 Doppelpfeil
14 optischer Übertrager
15 Vergleichseinrichtung
16, 17 lichtleitende Mittel
18 Antrieb
20 Doppelpfeil
22, 24 Vertikal-Antrieb für die Maske
26 Horizontalantrieb für die Maske
28, 30 Lager
32 Rahmen
34 Strahlungsquelle
36 Strahlenteiler-System
38 erstes Objektiv
39 zweites Objektiv
40 Punkt-Lichtquelle
42 Strahlenteiler
44 bis 47 Detektor
48 Steuereinheit
50 Leselinse
52 Schreiblinse
54, 56 Y-Detektor
60 Horizontalebene
62, 64 X-Detektor
66 Vertikalebene
68 Führung
70 Schlitten
72 Kurbel
74, 76 Punkt
78 Gegengewicht
80 Übertrager
82 Markierung von 2
84 Markierung von 4
4 Substrat
6 Tisch
8 Stator
10 Spindel
12 Doppelpfeil
14 optischer Übertrager
15 Vergleichseinrichtung
16, 17 lichtleitende Mittel
18 Antrieb
20 Doppelpfeil
22, 24 Vertikal-Antrieb für die Maske
26 Horizontalantrieb für die Maske
28, 30 Lager
32 Rahmen
34 Strahlungsquelle
36 Strahlenteiler-System
38 erstes Objektiv
39 zweites Objektiv
40 Punkt-Lichtquelle
42 Strahlenteiler
44 bis 47 Detektor
48 Steuereinheit
50 Leselinse
52 Schreiblinse
54, 56 Y-Detektor
60 Horizontalebene
62, 64 X-Detektor
66 Vertikalebene
68 Führung
70 Schlitten
72 Kurbel
74, 76 Punkt
78 Gegengewicht
80 Übertrager
82 Markierung von 2
84 Markierung von 4
Claims (11)
1. Ausrichtsystem in der Photolithografie, mit welchem eine
Maske, ein großflächiges Substrat, insbesondere einer Flüssig
kristallanzeige, und ein Übertragungssystem in Abhängigkeit von
Markierungen relativ zueinander ausrichtbar und mit dem Übertra
gungssystem Strukturen von der Maske in kleinen Bereichen auf das
Substrat übertragbar sind, wobei ferner bei der Übertragung der
Struktur der ersten Maske auf das Substrat eine erste Markierung
aufgebracht wird,
dadurch gekennzeichnet, daß beim Abtasten der Strukturen der
Maske (2) eine kontinuierliche, auf den jeweiligen Bereich bezo
gene Ausrichtung der Maske (2) bezüglich des Substrats erfolgt.
2. Ausrichtsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichent, daß
dem Übertragungssystem (14) eine Vergleichseinrichtung (15)
nachgeschaltet ist, mittels welcher die von der Maske (2) und dem
Substrat (4) in kleinen Bereichen abgetasteten Strukturen verglichen
werden.
3. Ausrichtsystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß es anstelle von der Ausrichtung der Maske (2) und dem
Substrat (4) für die Ausrichtung und Abtastung von zwei Masken
oder von zwei Substraten verwendet wird.
4. Ausrichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Maske (2) und das Substrat (4) parallel
zueinander und vertikal angeordnet sind.
5. Ausrichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß der optische Übertrager (14) in einem Zwischenraum
zwischen der Maske (2) und dem Substrat (4), insbesondere
in vertikaler Richtung, ausrichtbar ist.
6. Ausrichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichent, daß dem optischen Übertrager (14), welcher insbesondere
zwischen der Maske (2) und dem Substrat (4) angeordnet
ist, ein Antrieb (18) zugeordnet ist, wobei die Maske (2) zusammen
mit dem Substrat (4) mit einer Antriebseinheit im wesentlichen
senkrecht zur Bewegungsrichtung des Übertragers (14) ausrichtbar sind.
7. Ausrichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Tisch (6) zur Aufnahme der insbesondere
in einem Rahmen (32) angeordneten Maske (2) und dem Substrat (4)
vorgesehen und mittels Lagern (28, 30) auf einem Stator (8) in
horizontaler Richtung verschiebbar angeordnet ist und daß der
Antrieb (18) ortsfest auf dem Stator (8) angeordnet ist, wobei
der Übertrager (14) auf einer Führung (68) in vertikaler Richtung
verschiebbar angeordnet ist.
8. Ausrichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß der optische Übertrager (14) ein erstes, der
Maske (2) zugeordnetes Objektiv (38) und ferner ein zweites, dem
Substrat (4) zugeordnetes Objektiv (39) aufweist, wobei bevorzugt
mit einem Autofokus-System wenigstens eines der Objektive (38,
39) einstellbar ist.
9. Ausrichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß der optische Übertrager (14) für eine Projektion
im Maßstab 1 : 1 ausgebildet ist.
10. Ausrichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß der Übertrager (14) ein polarisierendes
Strahlenteiler-System (36) aufweist, welchem über lichtleitende
Mittel (16) von einer Strahlenquelle (34) Strahlen zugeführt
werden, welche über das erste Objektiv (39) zur Maske (2) gelangen,
von dort reflektiert werden und durch das Strahlenteiler-System
(36) über das zweite Objektiv (39) auf das Substrat (4)
geleitet werden, wobei die Objektive (38, 39) übereinstimmend
ausgebildet sind und eine 1:1-Projektion erreicht wird.
11. Ausrichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die Energie der Strahlenquelle (34) insbesondere
in Abhängigkeit der Geschwindigkeit des Übertragers (14)
vorgebbar ist.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3910048A DE3910048A1 (de) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | Verfahren zur herstellung oder inspektion von mikrostrukturen auf grossflaechigen substraten |
JP2080538A JPH02281232A (ja) | 1989-03-28 | 1990-03-28 | 大面積基板上に微細構造を製作し、または大面積基板上の微細構造を検査する方法、及び該方法実施のための装置 |
US07/500,312 US5103257A (en) | 1989-03-28 | 1990-03-28 | Process for producing or inspecting micropatterns on large-area substrates |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3910048A DE3910048A1 (de) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | Verfahren zur herstellung oder inspektion von mikrostrukturen auf grossflaechigen substraten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3910048A1 DE3910048A1 (de) | 1990-08-30 |
DE3910048C2 true DE3910048C2 (de) | 1991-06-20 |
Family
ID=6377324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE3910048A Granted DE3910048A1 (de) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | Verfahren zur herstellung oder inspektion von mikrostrukturen auf grossflaechigen substraten |
Country Status (3)
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---|---|
US (1) | US5103257A (de) |
JP (1) | JPH02281232A (de) |
DE (1) | DE3910048A1 (de) |
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- 1989-03-28 DE DE3910048A patent/DE3910048A1/de active Granted
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1990
- 1990-03-28 JP JP2080538A patent/JPH02281232A/ja active Pending
- 1990-03-28 US US07/500,312 patent/US5103257A/en not_active Expired - Lifetime
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