DE3420003A1 - Anordnung zum verhindern uebermaessiger verlustleistung in einer leistungsschalthalbleitervorrichtung - Google Patents
Anordnung zum verhindern uebermaessiger verlustleistung in einer leistungsschalthalbleitervorrichtungInfo
- Publication number
- DE3420003A1 DE3420003A1 DE19843420003 DE3420003A DE3420003A1 DE 3420003 A1 DE3420003 A1 DE 3420003A1 DE 19843420003 DE19843420003 DE 19843420003 DE 3420003 A DE3420003 A DE 3420003A DE 3420003 A1 DE3420003 A1 DE 3420003A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- voltage
- arrangement according
- current
- signal
- control electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 22
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Description
936O-RD-14884
GENERAL ELECTRIC COMPANY
- S-
Anordnung zum Verhindern übermäßiger Verlustleistung in
einer Leistungsschalthalbleitervorrichtung
Die Erfindung bezieht sich auf den sicheren Betrieb von Halbleiterleistungsschaltvorrichtungen und betrifft insbesondere
eine neue Schaltungsanordnung zum Verhindern von übermäßiger Verlustleistung und/oder unerwünschtem Sperren
(Latch-up) in Leistungsschalthalbleitervorrichtungen durch Beseitigen des Ansteuersignals an deren Steuerelektrode,
wenn das Ansteuersignal nicht ausreicht, um den Vorrichtungslaststrom
aufrechtzuerhalten.
Es ist bekannt, daß eine Festkörperschaltvorrichtung, insbesondere
wenn sie zum Steuern von einer oder mehreren Belastungen benutzt wird, die aus der Netzleitung oder aus
für kleine Ströme ausgelegten Stromversorgungen gespeist werden, manchmal kein Steuerelektrodenansteuersignal ausreichender
Größe empfängt, um den größeren Laststrom aufrechtzuerhalten, der während eines "Kaltstarts" der züge-
ordneten Belastung erforderlich ist. Beispielsweise führt in dem Fall einer Wolframlast, wie beispielsweise einer
Glühlampe od.dgl., der Temperaturkoeffizient der Last zu einem Anlauflaststrom, der beträchtlich größer ist als der
Laststrom, der durch die Last aufgenommen wird, nachdem
diese stationäre Betriebsbedingungen erreicht hat. Eine Schalthalbleitervorrichtung in Reihe mit dieser Last kann
mit einer ausreichenden Ansteuerung versorgt werden, um den stationären Laststrom aufrechtzuerhalten, was aber nicht
für den größeren "Kaltstart"-Strom gilt, in welchem Fall sich der Arbeitspunkt der Vorrichtung in das aktive Gebiet
bewegt und eine übermäßige Verlustleistung auftritt. Weiter können in anderen Fällen, in denen eine Leistungsschalthalbleitervorrichtung
normalerweise entweder als eine voll gesperrte Vorrichtung oder als eine voll gesättigte
Vorrichtung zu betreiben ist, transiente Zustände während
des normalen Betriebes bewirken, daß die Schalthalbleitervorrichtung aus dem Sättigungszustand in den "aktiven" Zustand
gezogen wird. Der Betrieb in dem mit hoher Verlustleistung behafteten aktiven Gebiet bewirkt häufig, daß die
Schaltvorrichtungsmaximaltemperatur überschritten und die Vorrichtung zerstört wird. Das Problem wird in dem Fall von
über eine Steuerelektrode angesteuerten Metall-Oxid-Halbleiter (MOS)"Vorrichtungen weiter vergrößert, insbesondere
bei Vorrichtungen wie einem Isolierschicht- oder IG-Gleichrichter, die in einen zerstörenden Sperrbetrieb eintreten
können, wenn sie in dem aktiven Gebiet betrieben werden. Es ist deshalb äußerst erwünscht, eine Schaltungsanordnung
zu schaffen zum Steuern einer Leistungsschalthalbleitervorrichtung in deren Abschaltzustand, wenn das Ansteuersignal an
der Vorrichtungssteuerelektrode, z.B. der Gateelektrode in einer FET- oder IG-Gleichrichter-Vorrichtung oder der Basiselektrode
bei einem Leistungstransistor, nicht ausreicht, um die Halbleitervorrichtung bei einer Zunahme des durch
sie gesteuerten Laststroms in dem gesättigten Zustand zu halten.
Es ist demgemäß Aufgabe der Erfindung, eine neue Schutzschaltungsanordnung
zu schaffen zum Beseitigen des Ansteuersignals an der Steuerelektrode wenigstens einer Leistungsschalthalbleitervorrichtung,
wenn die Ansteuersignalgröße nicht ausreicht, um der Vorrichtung zu gestatten,
den durch sie fließenden Laststrom aufrechtzuerhalten.
den durch sie fließenden Laststrom aufrechtzuerhalten.
Gemäß der Erfindung überwacht eine Schutzschaltungsanordnung wenigstens den Spannungsabfall an dem gesteuert leitenden
Kreis einer Leistungsschalthalbleitervorrichtung
immer dann, wenn ein Ansteuersignal an der Steuerelektrode dieser Vorrichtung anliegt. Die Schutzschaltungsanordnung
beseitigt das Ansteuersignal an der Steuerelektrode, falls der Spannungsabfall an dem gesteuert leitenden Kreis einen vorbestimmten festen Wert oder einen zu dem Laststrom proportionalen Wert übersteigt. Die Schutzschaltungsanordnung schaltet deshalb die geschützte(n) Halbleitervorrichtung (en) in einen Abschalt zustand, um eine Beschädigung dieser Vorrichtung während Intervallen unzureichenden Steuerelektrodenansteuersignals zu verhindern; die Schutzschaltungsanordnung kann außerdem die gesteuerte(n) Vorrichtung(en) daran hindern, mehr als einen bestimmten maximalen Strom zu leiten, indem die Größe des Steuerelektrodenansteuersignals auf
einen Wert eingestellt wird, der nicht gestatten wird, daß die Halbleitervorrichtung mehr als den gewünschten Maximalstrom aufrechterhält, ohne aus der Sättigung gezogen und
anschließend in den Abschaltzustand gesteuert zu werden.
immer dann, wenn ein Ansteuersignal an der Steuerelektrode dieser Vorrichtung anliegt. Die Schutzschaltungsanordnung
beseitigt das Ansteuersignal an der Steuerelektrode, falls der Spannungsabfall an dem gesteuert leitenden Kreis einen vorbestimmten festen Wert oder einen zu dem Laststrom proportionalen Wert übersteigt. Die Schutzschaltungsanordnung schaltet deshalb die geschützte(n) Halbleitervorrichtung (en) in einen Abschalt zustand, um eine Beschädigung dieser Vorrichtung während Intervallen unzureichenden Steuerelektrodenansteuersignals zu verhindern; die Schutzschaltungsanordnung kann außerdem die gesteuerte(n) Vorrichtung(en) daran hindern, mehr als einen bestimmten maximalen Strom zu leiten, indem die Größe des Steuerelektrodenansteuersignals auf
einen Wert eingestellt wird, der nicht gestatten wird, daß die Halbleitervorrichtung mehr als den gewünschten Maximalstrom aufrechterhält, ohne aus der Sättigung gezogen und
anschließend in den Abschaltzustand gesteuert zu werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher beschrieben. Es
zeigen
zeigen
die Fig. 1a und 1b graphische Darstellungen der Vorwärts-
übertragungskennlinien eines Leistungsfeldeffekttransistors (FET) bzw. eines
Oberflächengleichrichters (IGR) und
insbesondere das Sättigungsgebiet und
Oberflächengleichrichters (IGR) und
insbesondere das Sättigungsgebiet und
die charakteristischen Betriebskennlinien der Schutzschaltungsanordnung nach
der Erfindung,
Fig. 2 ein Blockschaltbild einer Laststeuer
schaltung, die eine gegenwärtig bevorzugte Ausführungsform der Schutzschaltungsanordnung
nach der Erfindung enthält, und
die Fig. 2a und 2b koordinierte graphische Darstellungen
des Dräinstroms und der Drain-Source-Spannung
in einer FET-Laststromsteuerschaltung mit und ohne die Schutzschaltungsanordnung
nach der Erfindung.
Die Fig. 1a und 1b zeigen die ungefähren Vorwärts-Übertragungskennlinien
eines FET (1a) und eines IGR (Fig. 1b), wobei die Drain-Source-Spannung V_.g und die Anode-Katode-Spannung
VAK auf der Abszisse 2a bzw. 2b und der Drainstrom
I und der Anodenstrom I. auf der Ordinate 3a bzw. 3b aufgetragen
sind. Bekanntlich gibt es eine Schar von Kurven für jede von mehreren unterschiedlichen Steuerelektrodenspannungen
V , bis Vg mit Bezug auf eine gemeinsame Elektrode der
Vorrichtung. Für kleinere Werte der Spannung an dem im Leiten gesteuerten Kanal der Vorrichtung, z.B. kleinere Werte
von VDS oder V^, ist ein Maximalwert für den Strom in dem
im Leiten gesteuerten Kanal möglich; dieser Maximalwert liegt längs der VorrichtungsSättigungskurve 4a bzw. 4b.
Eine Leistungsschalthalbleitervorrichtung wird typisch zwischen einem gesättigten Zustand und einem Abschaltzustand betrieben,
in welchem im wesentlichen ein Kanalstrom von null fließt (obgleich die Spannung an der Vorrichtung im allgemeinen
die maximale Schaltungsspannung ist und bis zu 180 V bei einer an 120 V Netzwechselspannung betriebenen Schaltung
betragen kann ).In dem Sättigungszustand hat die Vorrichtung einen "Ein-"Arbeitspunkt längs der Sättigungskurve 4. Die
durch die Kurven nach den Fig. 1a und 1b gekennzeichneten Vorrichtungen
wsrden z.B. mit einem gesättigten Last strom 1 von 10 A in den
gesättigten Arbeitspunkten 6a bzw. 6b betrieben. Der sich ergebende Vorwärtsspannungsabfall V- der FET-Schaltvorrichtung
(Fig. 1a) beträgt etwa 3 V bei einer Vorrichtung, die einen Sättigungswiderstand von 0,3 Ohm hat, während
der Spannungsabfall V , des IGR etwa 2 V beträgt (bei einem ErsatzSättigungswiderstand von 0,12 Ohm plus einem Diodenspannungsabfall
von etwa 0,8 V in Reihe damit) -Es ist außerdem bekannt, daß es nicht erwünscht ist, daß die
Schaltvorrichtung in dem aktiven Gebiet betrieben wird (jeder Punkt auf der chrakteristischen übertragungskurve,
bei welchem es sich nicht um den Punkt vollständiger Abschaltung (nicht dargestellt) oder den Sättigungspunkt 6
handelt), um die Verlustleistung zu minimieren. Es ist außerdem erwünscht, daß das Umschalten zwischen den Sättigungs-und
Abschaltpunkten in einem Minimum an Zeit erfolgt, das sich mit den zulässigen Grenzwerten für dv/dt und di/dt
für die Vorrichtung und/oder die Schaltung, in welcher die Vorrichtung benutzt wird, verträgt.
Es ist zu erkennen, daß eine Mindeststeuerelektrodenspannung V erforderlich ist, um jede Vorrichtung im wesentlichen
in dem dargestellten Arbeitspunkt 6 in Sättigung zu halten. Insbesondere sind wenigstens 7 V (wie durch die
V7-Kurve in Fig. 1a gezeigt) über einer Schwellenspannung
an der Gateelektrode in bezug auf die Sourceelektrode der FET-Vorrichtung erforderlich, während wenigstens 8 V über
dem Schwellenwert an der Steuerelektrode des IGR in bezug auf dessen Katode erforderlich sind, um die Vorrichtungen
bei dem dargestellten Wert von 10 A in Sättigung zu halten.
Jede Steuerelektroden- oder Gatespannung, die kleiner als
dieser Wert ist, wird bewirken, daß sich der Arbeitspunkt in der Richtung des Pfeils A insgesamt nach rechts bewegt.
Ebenso bewegt sich, wenn die Lastimpedanz verkleinert wird und ein noch größerer Strom durch den im Leiten gesteuerten
Kanal der Schaltvorrichtung fließen muß, der Arbeitspunkt längs der Gatespannungskurve in der Richtung des
Pfeils B und bewirkt, daß ein höherer Vorwärtsleitungs-
Spannungsabfall vorhanden ist. In jedem Fall bringt der erhöhte Vorwärtsleitungsspannungsabfall mit oder ohne einen
erhöhten Kanalstrom die Vorrichtung in das aktive Gebiet
und führt zu erhöhter Verlustleistung.
Gemäß der Erfindung wird der Leitungskanalspannungsabfall/ z.B. die Spannung V^3 bei einem FET oder der Vorwärtsspannungsabfall
V . bei einem IGR und dgl., mit einer Referenzspannung verglichen/ um festzustellen, ob die Schaltvorrichtung
die Sättigung verlassen hat und in dem aktiven Gebiet arbeitet. Die Referenzspannung kann eine konstante
Spannung sein, wie es durch die gestrichelte Linie 8a bzw. 8b dargestellt ist, und eine Größe V- haben, die etwas
größer ist als der erwartete Kanalspannungsabfall der Vorrichtung, die auf ihrem vorgesehenen Sättigungsarbeitspunkt
arbeitet. Daher könnte der Drain-Source-Spannungsabfall der FET-Vorrichtung mit einer Kurve 8a konstanter Spannung der
Größe V - = 3,5 V bei einer Vorrichtung verglichen werden, die normalerweise einen Spannungsabfall V, von 3,0 V bei
dem vorgesehenen Sättigungsstrom IL von 10 A hat, während
die gewünschte Kanalspannung V , von 2,0 V des IGR mit einer Kurve 8b konstanter Spannung verglichen werden kann,
die einen Referenzspannungswert V1 von etwa 2,5 V hat. Es
ist zu erkennen, daß die verringerte Steuerelektrodenansteuersignalgröße
oder der erhöhte Kanalstromfluß den Arbeitspunkt längs einer Kurve A oder B bewegen und schnell
die Kurve 8a oder 8b erreichen wird, was bewirkt, daß die Ansteuerung an der Schaltvorrichtung beseitigt wird, um die
Schaltvorrichtung in den Abschaltzustand zu bringen. Noch vorteilhafter kann eine Referenzspannungskurve 9a oder 9b benutzt
werden, wobei die Kurve 9 zu dem Kanalstrom proportional ist. Die Steigung der Kurve 9 wird so festgelegt, daß
sie zu der Steigung der Vorrichtungssättigungskurve 4 im wesentlichen parallel ist. Daher hat eine "proportinale"
Referenzkurve 9 eine charakteristische Gleichung folgender Form: Vg - V 2 + Ir x Rc' w°bei v r2 e^ne ^m wesentlichen konstante
Offset-Spannung,Ip der Vorrichtungskanalstrom und
/Λ-
R der dynamische Kanalwiderstand der Vorrichtung ist. Für
den FET nach Fig. 1a ist die Offset-Spannung V- eine
erste Konstante (k1, vorzugsweise etwa 0,5 V), und der
dynamische Kanalwiderstand R beträgt etwa 0,3 Ohm. Ebenso
wird für den IGR nach Fig. 1b eine etwas größere Offset-Spannung
V 2 benutzt (die gleich einer weiteren Konstanten k1 ' von etwa 0,9 V ist), und zwar bei einem
dynamischen Kanalwiderstand R von etwa 0,12 Ohm, um die
Gleichung der Spannungsreferenzkurve 9b im Modell nachzubilden. Wie in dem Fall der Referenzkurve 8 konstanter
Größe bewegt sich, wenn die Steuerelektroden- oder Gatespannung kleiner als der erforderliche Wert ist oder wenn ein
übermäßiger Strom in dem im Leiten gesteuerten Kreis zu fließen beginnt, der Arbeitspunkt 6 der Vorrichtung
in der Richtung des Pfeils A bzw. B, und der Vorwärtsspannungsabfall der Vorrichtung steigt schnell auf einen Wert
an, der gleich oder größer als die Referenzspannung gemäß der Kurve 9 ist, woraufhin die Steuerelektrodenansteuerung
beseitigt und die Vorrichtung in den Abschaltzustand geschaltet wird, wodurch eine übermäßge Verlustleistung und/oder
ein unerwünschtes Sperren (Latch-up) verhindert wird.
Es sei angemerkt, daß in dem Fall einer Vorrichtung, wie
beispielsweise eines FET od.dgl., in welcher der Widerstand des im Leiten gesteuerten Kanals eine Temperaturabhängigkeit
hat, die im wesentlichen konstante Referenzspannung (Kurve 8) oder die kanalstromabhängige Referenzspannung
(Kurve 9) mit einem gleichen Temperaturkoeffizienten versehen werden könnte, um eine Maximalstromgrenze festzulegen,
oder mit einem höheren festen Referenzwert, um eine maximale Vorrichtungstemperaturgrenze bei einem bestimmten
Strom festzulegen. Daher veranschaulichen die in den Fig. 1a und 1b gezeigten Kurven den Betrieb bei einer einzelnen
Temperatur.
Fig. 2 zeigt eine gegenwärtig bevorzugte Ausführungsform
einer Schutzschaltungsanordnung 10 zum Beseitigen der
Steuerelektrodenansteuerung an einer Leistungsschaltvorrichtung, falls die Ansteuerung nicht ausreicht, um den durch
den im Leiten gesteuerten Kanal dieser Vorrichtung fliessenden Strom aufrechtzuerhalten oder falls ein übermäßiger
Strom durch den Kanal fließt. Die Schutzschaltungsanordnung 10 wird beispielshalber mit einer Last 11 der Größe R, benutzt,
in welcher ein Laststrom IL auf die Wirkung einer
Doppelkondensatorstromversorgung 12 hin fließt. Die Stromversorgung 12, die ausführlicher in einer älteren deutschen
Patentanmeldung der Anmelderin beschrieben ist, für die die Priorität der US-Patentanmeldung, Serial No. 379 393, vom
18. Mai 1982 beansprucht worden ist und auf die bezüglich
weiterer Einzelheiten verwiesen wird, arbeitet bei Netzfrequenz
en (z.B. bei ungefähr 60 Hz) und speist die Last 11, welche eine Lastspannung benötigt, die kleiner als die Leitungsspannung
zwischen den Leitungsklemmen L1 und L- ist.
Die Stromversorgung 12 enthält einen Hauptkondensator 12a, der ständig mit der Last 11 in Reihe geschaltet ist und
einen Mindestlaststrom festlegt, sowie einen Hilfskondensator
12b, der mit dem im Leiten gesteuerten Kanal einer Schaltvorrichtung in Form eines FET 14 an den Hauptkondensator
12a angeschlossen ist. Eine Diode 14a, wie beispielsweise
die bereits in einem FET vorhandene parasitäre Diode, ist an den FET-Drain-Source-Kreis angeschlossen. Zusätzlich
zu dem Mindestlaststrom, der durch den Hauptkondensator 12a festgelegt wird, wird ein zusätzlicher Laststrom I, durch
den Hilfskondensator 12b während derjenigen Teile der Stromquellenwellenformperiode
fließen, in denen der Hilfskondensator durch Sättigung der Vorrichtung 14 an den Hauptkondensator
angeschlossen ist, was gestattet, den Gesamtlaststrom IT über einem Bereich einzustellen, der durch die Größe des
Hauptkondensators 12a und des Hilfskondensators 12b festgelegt wird. Der Teil der Quellenwellenformperiode, während
welchem die Vorrichtung 14 leitet, wird durch das Vorhandensein
einer Spannung V zwischen der Gateelektrode der Vorrichtung 14 und dem gemeinsamen Schaltungspunkt, z.B. an
der Vorrichtungsquellenelektrode, festgelegt. Dieses
Steuerelektroden- oder Gateansteuersignal kann zum Teil durch eine Widerstandskomparatorschaltung 16 gesteuert
werden, die in einer weiteren älteren deutschen Patentanmeldung der Anmelderin beschrieben ist, für die die Priorität
der US-Patentanmeldung, Serial No. 382 875, vom 28. Mai 1982 in Anspruch genommen worden ist und auf die bezüglich
weiterer Einzelheiten verwiesen wird. Gemäß der Beschreibung in dieser weiteren älteren Patentanmeldung
hat die Widerstandskomparatorschaltung eine erste Eingangsklemme 16a, die mit einer gemeinsamen Schaltungsklemme 10a
verbunden ist, und eine Eingangsstrom-IIN-Klemme 16b, die
mit einer Lastklemme 10b verbunden ist, sowie eine Eingangs spannungs-V. -Klemme 16c,die mit einer Schaltungsleitungs-L^-Klemme
10c verbunden ist. Die Komparatorschaltung 16 enthält einen Abtastwiderstand 17 der Größe R_, der mit
dem Lastwiderstand 11 in Reihe geschaltet ist, zum Liefern
einer Spannung an der Klemme 16b mit Bezug auf die Klemme 16a, die in Beziehung zu dem durch die Last fließenden
Strom steht. Diese laststrombezogene Spannung wird mit einer Spannung an der Klemme 16c in bezug auf die Klemme
16a, die sich auf die Spannung an dem temperaturabhängigen Widerstand R- der Last 11 bezieht, verglichen. Auf die
Augenblicksspannungen an den Klemmen 16b und 16c hin liefert die Widerstandskomparatorschaltung 16 ein erstes SET-Signal
an einem ersten Ausgang 16d und weiter ein RESET-Signal an einem zweiten Ausgang 16e. Die SET- und RESET-Signale
werden benutzt, um die Steuerelektroden- oder Gatespannung V an einer Klemme 10d freizugeben bzw. zu sperren,
um die Vorrichtung 14 in das gesättigte bzw. in das Abschaltgebiet
zu schalten. In der oben erwähnten älteren Patentanmeldung wird durch die SET- und RESET-Signale eine flipflopartige
Schaltung gesetzt bzw. rückgesetzt, um eine positive Gatespannung freizugeben bzw. diese Gatespannung an der
Gateelektrode der Schaltvorrichtung 14 auf im wesentlichen null Volt rückzusetzen. Die dargestellte Ausführungsform
der Schutzschaltungsanordnung 10 nach der Erfindung enthält ein D-Flipflop 18, dessen Takteingang C mit dem SET-Ausgang
16d der Widerstandskomparatorschaltung 16 und dessen Dateneingang
D mit einer Potentialquelle +V ' Verbunden ist, wobei die Potentialquelle +V · außerdem das Betriebspotential
für das Flipflop 18 liefert. Der Rücksetzeingang R des
Flipflops 18 ist mit dem Ausgang 20a eines zwei Eingänge aufweisenden ODER-Gatters 20 verbunden, dessen erster Eingang
20b mit dem RESET-Ausgang 16e der Widerstandskomparatorschaltung 16 verbunden ist. Der andere Gattereingang
20c ist mit dem Ausgang 22a eines !Comparators 22 verbunden. Der Ausgang Q des Flipflops 18 ist in einer ersten bevorzugten
Ausführungsform direkt mit der Steuerausgangsklemme 10d der Schutzschaltungsanordnung und daher mit der Gateelektrode
der Schaltvorrichtung 14 verbunden. In dieser Konfiguration
wird durch die Q-Ausgangsspannung mit dem Signalwert H des Flipflops (etwa die Spannung V ') die Vorrichtung
14 auf das Vorhandensein eines logischen Signalwerts H an dem SET-Ausgang 16d der Widerstandskomparatorschaltung
hin freigegeben, um in die Sättigung zu gehen, und durch die Q-Ausgangsspannung mit dem Signalwert L wird die Vorrichtung
14 gesperrt, um in den Abschaltzustand zu gehen, und zwar entweder auf einen logischen Signalwert H an dem RESET-Ausgang
16e der Widerstandskomparatorschaltung oder auf einen logischen Signalwert H an dem Komparatorausgang 22a
hin.
Der Komparatorausgang 22a wird auf den logischen Signalwert H hin nur dann freigegeben, wenn die Drain-Source-Spannung
vds ^er Scnaltvorr;'-cn'tun9 14 eine Augenblicksgröße hat, die
einen Referenzspannungswert V an dem invertierenden Komparatoreingang
22b übersteigt. Zum Erleichtern des vorgenannten Vorgangs wird die Drain-Source-Spannung der Schaltvorrichtung
über einen Strombegrenzungswiderstand 24 an den nichtinvertierenden Eingang 22c des Komparators angelegt.
Der Eingang 22c ist außerdem mit der Verbindung von zwei in Reihe geschalteten Schutzdioden 26a und 26b verbunden; die
Anode der Diode 26a ist mit dem gemeinsamen oder Massepotential verbunden, während deren Katode sowie die Anode der
Diode 26b mit dem Eingang 22c verbunden sind. Die Katode der
Diode 26b ist mit einer Quelle positiven Betriebspotentials +V verbunden.
Die Referenzspannung V an dem Komparatoreingang 22b wird
durch eine Referenzspannungsgeneratoranordnung 28 geliefert, die wenigstens einen Generator 30 enthält, der eine
im wesentlichen konstante Referenzspannung liefert. Wenn die Kurve 8 der im wesentlichen konstanten Vergleichspannung
(vgl. Fig. 1a und 1b) benutzt werden soll, liefert der Referenzspannungsgenerator 30 die Referenzspannung V als
die im wesentlichen konstante Spannung V1 in bezug auf den
gemeinsamen Schaltungspunkt. In diesem Fall ist die Drainelektrode der Vorrichtung 14 mit einer Schaltungsklemme 1Oe
und von dieser aus über eine Schaltdrahtverbindung 32 mit einer weiteren Klemme 10f verbunden, mit der die zugeordnete
Klemme des Hilfskondensators 12b verbunden ist. Wenn die
Kurve 9 variabler Spannung nach den Fig. Ta und 1b benutzt werden soll, wird der Referenzspannungsgenerator 30, der
eine im wesentlichen konstante Referenzspannung liefert, auf den zugeordneten Offset-Spannungswert V - eingestellt
(z.B. die Offset-Spannung k1, k1' und dgl.), und diese
Spannung wird zu einer variablen Spannung V addiert, welehe
zu dem dynamischen Widerstand der Vorrichtung proportional ist.
Diese Spannung V kann an dem Ausgang 34a einer Trenneinrichtung
34 geliefert werden, so daß die Summe der variablen Spannung V und der im wesentlichen konstanten Offset-
Spannung V 2 die Gesamtreferenzspannung V an dem Komparatoreingang
22b ergibt. Die Größe der Ausgangsspannung V
der Trenneinrichtung 34 ist im wesentlichen gleich der Grösse V ' einer Spannung zwischen zwei Trenneinrichtungseingangsklemmen
34b und 34c. Wenn die Trenneinrichtung 34 benutzt wird, sind die Eingangsklemmen 34b und 34c mit den
Schaltungsklemmen 10e bzw. 1Of verbunden, und der Schaltdraht 32 ist durch einen Widerstand 36 (gestrichelt dargestellt)
der Größe Rc (dem dynamischen Kanalwiderstand) er-
setzt. Daher muß der in die Vorrichtung 14 fließende Drainstrom
I- durch den Widerstand 36 fließen, wodurch diese Spannung V ' nicht auf Massepotential bezogen ist, die Ein-
Ji
richtung 34 trennt diese potentialmäßig nicht festgelegte Spannung und liefert deren Größe als die Ausgangsspannung
V an dem Ausgang 34a nun auf Massepotential bezogen. Des-
halb ist die Referenzspannung V nun gleich der Summe von
V2 (geliefert durch den Referenzspannungsgenerator 30) und
der Spannung V = 1^R,,/ ^™ eine Vergleichs spannung gemäß
der Kurve 9 festzulegen.
Wenn die normale Steuereinrichtung wie die Widerstandskomparatorschaltung
16 die Verwendung eines Stromabtastwiderstands 17 erfordert, ist die variable Spannung V bereits
Ji
aus der Spannung V an dem Abtastwiderstand verfügbar.
XcI
Durch richtiges Skalieren dieser Spannung V . zum Teil, um
XcL
den Stromfluß durch den Hauptkondensator 12a zu berücksichtigen, der bei der Bestimmung der variablen Spannung V
Ji
nicht zu betrachten ist, kann die Referenzspannung V
gleich der Summe aus νχ und V2 gemacht werden, um die Vergleichsspannungskurve
9 festzulegen.
Im Betrieb wird der normale Betrieb der Schaltvorrichtung 14 durch die Widerstandskomparatorschaltung 16 gesteuert,
wie es in den oben erwähnten älteren Anmeldungen beschrieben ist. Bei Kaltstart-, transienten und ähnlichen Bedingungen,
unter denen der Laststrom IL auf eine Größe ansteigt,
die über der Stromgröße liegt, die durch die Steuerelektroden- oder Gatespannung V , die an die Vorrichtung
angelegt wird, aufrechterhalten werden kann, arbeitet die Schutzschaltungsanordnung 10 folgendermaßen: weil die Ansteuerspannung
V nicht ausreicht, um die Vorrichtung 14 bei dem Augenblicksstrom I,, der dann fließt, in Sättigung
zu halten, steigt die Schaltvorrichtungsleitungskanalspannung V, augenblicklich an. Bei nur einem relativ unbedeutenden
Komparatoreingangsvorspannungsstrom, der durch den Reihenwiderstand 24 fließt, ist die Spannung an dem
nicht invertierenden Eingang 22c des !Comparators im wesentlichen
gleich der Kanalspannung V-, sofern sich die Kanalspannung nicht in einem derartigen Ausmaß ändert, daß eine
der Schutzdioden 26 in Durchlaßrichtung betrieben wird. Die Spannung an dem Eingang 22c ist normalerweise kleiner als
die Referenzspannung V an dem Komparatoreingang 22b, wodurch
der Komparatorausgang 22a normalerweise auf einem logischen Signalwert L ist; das L-Komparatorausgangssignal
setzt das Flipflop 18 nicht zurück. Auf einen vergrößerten Kanalspannungsabfall V, hin, der im wesentlichen gleich
der oder größer als die Referenzspannung V ist, schaltet der Komparatorausgang 22a auf einen logischen Signalwert H
um. Dieser logische Signalwert H an dem Gattereingang 20c ergibt einen logischen Signalwert H an dem Rücksetzeingang
R des Flipflops 18, was zur Folge hat, daß dessen Q-Ausgang
auf einen logischen Signalwert L umschaltet. Auf den logischen
Signalwert L an dem Q-Ausgang hin wird die Vorrichtung 14 in den Sperrzustand geschaltet und dadurch eine
übermäßige Verlustleistung in der Vorrichtung verhindert.
Es sei angemerkt, daß das Flipflop 18 vom CMOS- oder einem
ähnlichen Typ sein kann, wodurch das Flipflop über einem Bereich von Versorgungsspannungen +V ' arbeiten und ein Q-Ausgangssignal
mit dem Signalwert H liefern wird, der zu der Versorgungsspannung proportional ist. Auf diese Weise
kann die Steuerelektrödenspannung +V so eingestellt werden,
daß ein gewünschter maximaler gesteuerter Leitungsstrom I^
für einen besonderen Zweck aufrechterhalten wird. Es sei auch angemerkt, daß der Q-Ausgang des Flipflops 18 nicht
direkt mit der Schaltungsanordnungsausgangsklemme 1Od (und der Steuer- oder Gateelektrode der Vorrichtung 14) verbunden
zu sein braucht, sondern mit einer anderen Steuerelektrodenansteuerschaltungsanordnung
verbunden sein könnte, beispielsweise mit einer gesteuerten Einschalteinrichtung
38. Die Einschalteinrichtung 38 kann für einen zeitgesteuerten
Schaltungseinschaltvorgang und einen schnellen Schal-
tungsausschaltvorgang sorgen (oder auch für einen zeitgesteuerten
Schaltungsausschaltvorgang und einen schnellen Schaltungseinschaltvorgang oder für einen zeigesteuerten
Schaltungseinschalt- und Schaltungsausschaltvorgang), was erwünscht sein kann, beispielsweise um die zeitliche Änderung
der Lastspannung und/oder des Laststroms zu begrenzen und so elektromagnetischen Brumm und andere potentielle
Probleme zu steuern, die mit der Laststeuerschaltungsanordnung verbunden sind.
Der Schutzbetrieb der Schaltungsanordnung 10 wird weiter durch die Fig. 2a und 2b veranschaulicht, in denen die
Wellenform des Stroms I in der Hilfskapazität 12b (die Summe
des Stroms I^ des im Leiten gesteuerten Kanals und des
Stroms in der parasitären Diode) und die Drain-Source-Spannungswellenform
VDS für eine am Netz betriebene Lampensteuerschaltung
dargestellt sind. Im linken Teil der Wellenformen ist die Schutzschaltung 10 vorübergehend abgeschaltet
worden. Zur Zeit t_ ist die Klemme L1 in bezug auf die
Klemme L, positiv, wodurch ein Teil des Laststroms durch
die in Durchlaßrichtung betriebene parasitäre Diode 14a und
den Hilfskondensator 12b fließt. Dieser Stromteil 41 lädt den Hilfskondensator 12b auf die Scheitelnetzspannung (z.B.
etwa 175 V) auf, wodurch die Drain-Source-Spannung VQS der
Schaltvorrichtung 14 in anschließenden Quellenwellenformhalbperioden
verschoben wird, in denen die Vorrichtung 14 nicht nennenswert leitet, so daß sie einen Nindestwert von
im wesentlichen null und einen Maximalwert von etwa dem Doppelten der verketteten Scheitelspannung hat, z.B. etwa
350 V, wie es der Spannungswellenforrateil 43 zeigt. Eine für kleine Ströme ausgelegte ("starved") Stromversorgung
(nicht dargestellt in Fig. 2, aber zumindest in der älteren Patentanmeldung dargestellt, für die die Priorität der US-Patentanmeldung,
Serial No. 382 875 in Anspruch genommen worden ist) steigert langsam ihr Ausgangspotential, das an
die Widerstandskomparatorschaltung 16 und an das Flipflop 18 angelegt wird. Das Stromversorgungspotential erreicht
* to-
schließlich zur Zeit t- einen Wert, bei dem die Schaltvorrichtung
14 eingeschaltet werden kann. Während des Zeitintervalls zwischen der Zeit tg und der Zeit t- hat der
Lampenlastwiderstand 11 den Mindestlaststrom IL, der durch
den Hauptstromversorgungskondensator 12a eingestellt worden
ist, und die Temperatur des Lastwiderstands 11 hat langsam
zugenommen. Zur Zeit t^ ist jedoch der Lastwiderstand noch
kleiner als der stationäre Widerstand, den die Lampe haben wird, wenn sie ihre volle Betriebstemperatur erreicht. Daher
ist zur Zeit t- eine gewisse Gateelektrodenspannung V
an der Klemme 1Od verfügbar, und der Strom beginnt durch den im Leiten gesteuerten Kanal der Vorrichtung 14 zu fliessen,
wenn die Klemme L2 in bezug auf die Klemme L1 positiv
ist. Der Kanalstrom I, -Teil 45 steigt an, bis die Vorrichtung die Sättigung verläßt und in das aktive Gebiet in dem
Punkt 45a eintritt. Gleichzeitig damit ist die Schaltvorrichtungskanalspannung in dem Teil 47 auf dem zugeordneten
Sättigungsspannungswert, bis der Punkt 47a erreicht wird. Da die die Last darstellende Lampe einen niedrigeren als
normalen "kalten" Widerstand hat, versucht die Last 11, mehr Strom aufzunehmen als durch die Steuerelektrodenoder
Gatespannung V , die dann anliegt, aufrechterhalten werden kann. Demgemäß nimmt bei einem zusätzlichen kleinen
Stromanstieg, der in dem Teil 45b gezeigt ist, die Drain-Source-Spannung
der Schaltvorrichtung schnell zu, wie in dem Teil 47b, da die Vorrichtung die Sättigung wegen des
Fehlens eines ausreichenden Gateansteuersignals verläßt. Daher arbeitet anschließend bis zur Zeit t2 die Vorrichtung
14 in dem aktiven Gebiet und verbraucht übermäßig Leistung.
Wenn diese übermäßige Verlustleistung für eine ausreichend lange Zeit in dem Intervall zwischen der Zeit t. und der
Zeit t2 auftritt, kann die Vorrichtung 14 zerstört werden.
Die nachteiligen Temperaturauswirkungen auf die Vorrichtung 14 können weiter durch den Stromteil 49 gesteigert
werden, der anschließend durch die parasitäre Diode 14a der Schaltvorrichtung fließt und zum Wiederaufladen des Hilfskondensators
12b dient und deshalb eine Fläche darunter hat,
die gleich der Fläche unter der Gesamtheit der Stromkurventeile
45 und 45b ist.
Wenn die Schutzschaltungsanordnung 10 angeschlossen ist,
was in dem rechten Teil der Wellenformen in den Fig. 2a und 2b gezeigt ist, treten dieselben Anlauferscheinungen in dem
Zeitintervall zwischen der Zeit tg und einer Zeit t..' auf,
zu der die Steuerelektroden- oder Gatespannung V zuerst den LeitungsSchwellenwert der Schaltvorrichtung 14 erreicht.
Nach einem gewissen Aufladen des Hilfskondensators 12b über die parasitäre Diode 14a, was durch jeden Teil 41* gezeigt
ist, ändert sich die Quellenspannungspolarität zwischen den Klemmen L. und L2· Wenn die Klemme L- gegenüber der Klemme
L1 positiv ist, beginnt der Hilfskondensatorstrom I durch
den im Leiten gesteuerten Kanal der Schaltvorrichtung 14 zu fließen. Weil die Spannung der für kleine Ströme ausgelegten
Stromversorgung noch auf ihren stationären Wert "ansteigt", ist die Steuerelektroden(Gate)-Spannung zur Zeit t kleiner
als die gewünschte volle Steuerelektrodenspannung, wodurch der Sattigungsstrom I1 (der sehr viel kleiner als der stationäre
Sättigungsstrom In ist) aufrechterhalten werden
kann. Die augenblickliche Drain-Source-Spannung an dem im Leiten gesteuerten Kanal der Vorrichtung 14 steigt deshalb,
wie es in dem Teil 49a gezeigt ist, auf einen Wert an, der größer als die Referenzspannung Vr ist, was bewirkt, daß
die Spannung an dem Komparatorausgang 22a ansteigt und das Flipflop 18 rücksetzt, um die Gateansteuerung von der Vorrichtung
zu entfernen. Daraufhin wird die Leistungsschaltvorrichtung 14 in den Sperrzustand gesteuert, und der Fluß
des Stroms I durch den Hilfskondensatorzweig 12b hört abrupt
auf. Eine Quellenwellenformhalbperiode später, zur Zeit t, , ist die Klemme L2 gegenüber der Klemme L1 wieder
positiv; der Hilfskondensatorstrom beginnt wieder durch den in Reihe geschalteten, im Leiten gesteuerten Kanal der Leistungsschaltvorrichtung
14 zu fließen. Da die Stromversorgungsspannung etwas angestiegen ist, ist die Gatespannung V
etwas größer als zur Zeit t und wird einen etwas größeren
Cl
Sättigungsstrom I- aufrechterhalten. Der jetzt aufrechterhaltene
Sättigungsstrom I2 ist jedoch noch kleiner als der
Strom In, den die Last verlangt, wodurch die Drain-Source-Spannung
der Vorrichtung wieder über die Sättigungsreferenzspannung V hinaus ansteigt, wie in dem Teil 49b. Der
Wert des Signals an dem Komparatorausgang 22a steigt wieder an und bewirkt, daß die Steuerelektrodenspannung an der
Leistungsschaltvorrichtung entfernt wird, wodurch der Stromfluß in dieser abrupt beendet und eine übermäßige
Verlustleistung verhindert wird. Zu späteren Zeiten t_~t
wird durch Vergrößern der Stromversorgungsspannung die Gate-Spannung vergrößert, um zunehmende Größen des Stromflusses
in dem im Leiten gesteuerten Kanal der Leistungsschaltvorrichtung aufrechtzuerhalten, wie in den Teilen 48c-48g.
Jeder dieser Stromflüsse erreicht einen Scheitelstrom, der größer ist als der zugeordnete Sättigungsstromwert I3-
1η, der durch die dann vorhandene Gatespannung aufrechterhalten
werden kann, und der noch kleiner ist als der normale Laststrom In. Die Vorrichtung verläßt die Sättigung
und bewirkt, daß die Drain-Source-Spannungswellenform der Vorrichtung einen Teil 49c-49g hat, der größer als die Referenzspannung
V ist, wodurch die Schutzschaltungsanordnung wirksam wird und das Ansteuersignal an der Vorrichtung
14 beseitigt. Zur Zeit th liefert die für kleine Ströme
ausgelegte Stromversorgung schließlich das volle Betriebspotential, und die Gatespannung V erreicht schließlich
ihren normalen Wert, der in der Lage ist, die normale Hilfskondensatorstromgröße In als Sattigungsstrom aufrechtzuerhalten.
Die Source-Drain-Spannung VDg der Vorrichtung
in dem Teil 49h erreicht keinen Wert, der gleich der ReferanzSpannungsgröße
V ist, und die Schutzschaltungsanordnung 10 ist nicht wirksam. Statt dessen ist die Widerstandskomparatorschaltung
16 auf ihre beabsichtigte und normale Weise wirksam und liefert ein Signal mit dem logischen Wert
H an dem RESET-Ausgang 16e eine gewisse Zeit nach der Zeit t, , um den HiIfskondensatorsignalfluß zu beenden und so die
Lastwiderstandstemperatur durch Steuern des Stromflusses
darin zu steuern. Daraufhin ändert sich die Spannung an der Last 11 ebenso wie die Spitze-Spitze-Spannung an der
Schaltvorrichtung. Nur in dem Fall einer Verringerung der Steuerelektroden(Gate)-Spannung V oder eines größeren
Laststrombedarfs, der größer ist als der, der durch die
Steuerelektrodenspannung .gedeckt werden kann, die dann an der Vorrichtung 14 anliegt, wird nun die Schutzschaltungsanordnung
10 wirksam, um eine übermäßige Verlustleistung in der geschützten Leistungsschaltvorrichtung
zu verhindern.
Claims (15)
1 River Road
Schenectady, N.Y./U.S.A.
Schenectady, N.Y./U.S.A.
Patentansprüche :
\AJ Anordnung zum Verhindern von übermäßiger Verlustleistung
in einer Leistungsschalthalbleitervorrichtung, die einen im Leiten gesteuerten Kreis und eine Steuerelektrode hat/ welche
ein Ansteuersignal empfängt, das einen Fluß eines Sättigungsstroms
durch den im Leiten gesteuerten Kreis bis zu
einem Maximalwert/ der durch die Größe des Ansteuersignals
bestimmt wird, aufrechterhält, gekennzeichnet durch:
eine Einrichtung (30) zum Liefern einer Sättigungsreferenzspannung;
einem Maximalwert/ der durch die Größe des Ansteuersignals
bestimmt wird, aufrechterhält, gekennzeichnet durch:
eine Einrichtung (30) zum Liefern einer Sättigungsreferenzspannung;
eine Komparatoranordnung (22) zum Vergleichen der Größe der Spannung an dem im Leiten gesteuerten Kreis der Halbleitervorrichtung
(14) mit der Sättigungsreferenzspannung; und
eine Einrichtung (18, 20) zum Beseitigen des Steuerelektrodenansteuersignals an der Vorrichtung, wenn die Komparatoreinrichtung feststellt, daß die Vorrichtungsspannung die
Sättigungsreferenzspannung übersteigt.
eine Einrichtung (18, 20) zum Beseitigen des Steuerelektrodenansteuersignals an der Vorrichtung, wenn die Komparatoreinrichtung feststellt, daß die Vorrichtungsspannung die
Sättigungsreferenzspannung übersteigt.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Sättigungsreferenzspannung eine im wesentlichen konstante Spannung ist.
die Sättigungsreferenzspannung eine im wesentlichen konstante Spannung ist.
3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die im wesentlichen konstante Spannung eine vorgewählte
Größe hat, die größer ist als die der Spannung an dem im Leiten gesteuerten Kreis der Vorrichtung (14) bei dem
Maximalwert des Sättigungsstromflusses durch die Vorrichtung.
4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sättigungsreferenzspannung zu der Größe des durch den
im Leiten gesteuerten Kreis der Vorrichtung (14) fließenden Stroms proportional ist.
5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Sättigungsreferenzspannung gleich der Summe aus einer
Offset-Spannung und einer Spannung ist, die zu der Größe des durch den im Leiten gesteuerten Kreis der Vorrichtung
(14) fließenden Stroms proportional ist.
6. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (14) einen dynamischen Kanalwiderstand (Rc)
hat und daß die Anordnung weiter eine Einrichtung enthält zum Liefern der proportionalen Spannung (V ) als einem Produkt
aus dem dynamischen Kanalwiderstand (R) und dem durch diesen fließenden Strom (I,).
7. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Offset-Spannung eine im wesentlichen konstante Spannung
ist.
8. Anordnung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (30) zum Liefern der im wesentlichen konstanten
Offset-Spannung (V-) mit einer vorbestimmten Größe.
9. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die die proportionale Spannung liefernde Einrichtung enthält:
einen Widerstand (36) in Reihe mit dem im Stromfluß gesteuerten Kreis der Vorrichtung (14), der eine Größe hat,
die im wesentlichen gleich der Größe des dynamischen Kanalwiderstands
(R_) der Vorrichtung ist, und eine Trenneinrichtung (34) zum Liefern der proportionalen Spannung (V )
mit einer Größe, die im wesentlichen gleich der Größe der Spannung ist, die an dem Reihenwiderstand abfällt, in Reihe
mit der Offset-Spannung.
10. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Komparatoranordnung enthält: einen Komparator (22), der
einen ersten Eingang (22c) hat, welcher die Spannung an dem im Leiten gesteuerten Kreis der Vorrichtung (14) empfängt,
einen zweiten Eingang (22b), der die Sättigungsreferenzspannung empfängt, und einen Ausgang (22a), der ein Schutzsignal
nur dann liefert, wenn die Größe der Spannung an dem ersten Eingang die Größe der Spannung an dem zweiten
Eingang übersteigt.
11. Anordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die Beseitigungseinrichtung (18, 20) enthält: ein Flipflopelement (18), das einen Setzeingang (C), einen Rücksetzeingang
(R), welcher das Komparatorausgangsschutzsignal empfängt, und einen Ausgang (Q) hat, an welchem das Steuerelektrodensignal
(V ) erscheint, wenn der Setzeingang durch ein Signal außerhalb der Vorrichtung freigegeben ist, aber
nur dann, wenn das Komparatorausgangsschutzsignal an dem
Rücksetzeingang nicht vorhanden ist.
12. Anordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (38), die in Zusammenwirkung mit der Ansteuersignalbeseitigungseinrichtung
(18, 20) bewirkt, daß sich die Größe des Ansteuersignals auf zeitgesteuerte Weise ändert,
und zwar wenigstens während des Anliegens oder der Beseitigung des Ansteuersignals an der Vorrichtungssteuerelektrode
.
13. Anordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
die zeitgesteuerte Einrichtung (38) nur das Anlegen des
Ansteuersignals an die Steuerelektrode steuert und die Beseitigungseinrichtung
(18, 20) im wesentlichen nicht daran hindert/ das Ansteuersignal an der Steuerelektrode abrupt
zu beseitigen.
14. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch
gekennzeichnet, daß das Steuerelektrodensignal eine Ansteuerspannung ist.
15. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch
gekennzeichnet, daß das Steuerelektrodensignal ein Ansteuerstrom ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/499,590 US4547828A (en) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | Circuit for preventing excessive power dissipation in power switching semiconductors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3420003A1 true DE3420003A1 (de) | 1984-12-06 |
Family
ID=23985860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843420003 Withdrawn DE3420003A1 (de) | 1983-05-31 | 1984-05-29 | Anordnung zum verhindern uebermaessiger verlustleistung in einer leistungsschalthalbleitervorrichtung |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4547828A (de) |
JP (1) | JPS6041324A (de) |
BE (1) | BE899756A (de) |
BR (1) | BR8402664A (de) |
DE (1) | DE3420003A1 (de) |
FR (1) | FR2547133A1 (de) |
GB (1) | GB2140997A (de) |
NL (1) | NL8401736A (de) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5629607A (en) * | 1984-08-15 | 1997-05-13 | Callahan; Michael | Initializing controlled transition light dimmers |
US4823069A (en) * | 1984-08-15 | 1989-04-18 | Michael Callahan | Light dimmer for distributed use employing inductorless controlled transition phase control power stage |
US5225765A (en) * | 1984-08-15 | 1993-07-06 | Michael Callahan | Inductorless controlled transition and other light dimmers |
US5319301A (en) * | 1984-08-15 | 1994-06-07 | Michael Callahan | Inductorless controlled transition and other light dimmers |
US4633161A (en) * | 1984-08-15 | 1986-12-30 | Michael Callahan | Improved inductorless phase control dimmer power stage with semiconductor controlled voltage rise time |
US5038081A (en) * | 1987-12-16 | 1991-08-06 | Lutron Electronics Co., Inc. | Reverse phase-controlled dimmer |
EP0380833A1 (de) * | 1989-01-31 | 1990-08-08 | Lutron Electronics Co., Inc. | Dimmer mit umgekehrter Phasenanschnittsteuerung |
US5212611A (en) * | 1991-07-16 | 1993-05-18 | Storage Technology Corporation | Integral read/write recording head with dual gap dimension |
US5206774A (en) * | 1991-07-26 | 1993-04-27 | Storage Technology Corporation | Process for making a magneto-resistive magnetic transducer having increased sensitivity and an improved flux path and the product made thereby |
US5212616A (en) * | 1991-10-23 | 1993-05-18 | International Business Machines Corporation | Voltage regulation and latch-up protection circuits |
JP3008924B2 (ja) * | 1998-04-10 | 2000-02-14 | 富士電機株式会社 | パワー素子のドライブ回路 |
US7492560B2 (en) * | 2004-12-13 | 2009-02-17 | Seagate Technology Llc | ASIC latch-up recovery circuit |
US7843248B1 (en) * | 2007-11-01 | 2010-11-30 | Intersil Americas Inc. | Analog switch with overcurrent detection |
CN101267166B (zh) * | 2008-01-22 | 2012-05-30 | 佛山市顺德区瑞德电子实业有限公司 | 音响功放系统开关电源 |
US7848123B2 (en) * | 2009-01-05 | 2010-12-07 | Hamilton Sunstrand Corporation | Current controlled shunt regulator |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1396314A (en) * | 1971-09-03 | 1975-06-04 | British Aircraft Corp Ltd | Pulse driving circuits |
SE423168B (sv) * | 1977-03-07 | 1982-04-13 | Philippe Lataire | Anordning for styrning av basstrommen till effektransistorer |
US4115828A (en) * | 1977-04-05 | 1978-09-19 | Gte Sylvania Incorporated | Arc detection and control apparatus |
US4146903A (en) * | 1977-09-16 | 1979-03-27 | National Semiconductor Corporation | System for limiting power dissipation in a power transistor to less than a destructive level |
US4150413A (en) * | 1977-11-04 | 1979-04-17 | Rohr Industries, Inc. | Transistor overload inhibit |
US4158866A (en) * | 1977-11-30 | 1979-06-19 | Exxon Research & Engineering Co. | Protection circuit for transistorized switch |
EP0010882B1 (de) * | 1978-10-21 | 1983-10-05 | WARD & GOLDSTONE LIMITED | Schaltkreis |
GB2056808A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-18 | Lumenition Ltd | Power transistor protection |
US4375073A (en) * | 1980-06-16 | 1983-02-22 | Reliance Electric Company | Dual-monitoring protection circuit for switching transistor |
US4375074A (en) * | 1980-08-08 | 1983-02-22 | Reliance Electric Company | Dual-mode transistor turn-off |
US4363068A (en) * | 1980-08-18 | 1982-12-07 | Sundstrand Corporation | Power FET short circuit protection |
US4447764A (en) * | 1982-05-18 | 1984-05-08 | General Electric Company | Power supply for low-voltage incandescent lamp and like load |
US4421993A (en) * | 1982-05-28 | 1983-12-20 | General Electric Company | Load resistance control circuitry |
US4429339A (en) * | 1982-06-21 | 1984-01-31 | Eaton Corporation | AC Transistor switch with overcurrent protection |
-
1983
- 1983-05-31 US US06/499,590 patent/US4547828A/en not_active Expired - Fee Related
-
1984
- 1984-04-27 GB GB08410849A patent/GB2140997A/en not_active Withdrawn
- 1984-05-25 BE BE0/213008A patent/BE899756A/fr not_active IP Right Cessation
- 1984-05-25 FR FR8408213A patent/FR2547133A1/fr not_active Withdrawn
- 1984-05-28 BR BR8402664A patent/BR8402664A/pt unknown
- 1984-05-29 DE DE19843420003 patent/DE3420003A1/de not_active Withdrawn
- 1984-05-30 JP JP59108737A patent/JPS6041324A/ja active Pending
- 1984-05-30 NL NL8401736A patent/NL8401736A/nl not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL8401736A (nl) | 1984-12-17 |
GB8410849D0 (en) | 1984-06-06 |
US4547828A (en) | 1985-10-15 |
GB2140997A (en) | 1984-12-05 |
BR8402664A (pt) | 1985-05-07 |
JPS6041324A (ja) | 1985-03-05 |
FR2547133A1 (fr) | 1984-12-07 |
BE899756A (fr) | 1984-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69023552T2 (de) | Schaltung zur internen Strombegrenzung für schnellen Leistungsschalter. | |
EP0108283B1 (de) | Elektronischer Schalter | |
EP0423885B1 (de) | Stromversorgungseinrichtung mit Einschaltstrombegrenzungsschaltung | |
DE69315495T2 (de) | Schutzschaltung gegen Überspannungen für Leistungsbauteil | |
DE19817767C2 (de) | Halbleiter-Leistungsschaltung | |
DE69530131T2 (de) | Schutzanordnung für eine aktive Fernsprechsleitungsschnittstellenschaltung | |
DE102006029475A1 (de) | Effiziente Einschaltstrom-Begrenzungsschaltung mit bidirektionellen Doppelgate-HEMT-Bauteilen | |
DE69219583T2 (de) | Überstromschutzvorrichtung | |
DE10062026A1 (de) | Elektronische Schalteinrichtung | |
DE3335220A1 (de) | Phasenregelschaltung fuer eine niederspannungslast | |
DE3420003A1 (de) | Anordnung zum verhindern uebermaessiger verlustleistung in einer leistungsschalthalbleitervorrichtung | |
DE3019262A1 (de) | Schaltvorrichtung und verfahren zu deren betrieb | |
DE112014004979B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
EP3711162B1 (de) | Schutz eines in einem schaltbetrieb betriebenen feldeffekttransistors vor einem überlaststrom | |
DE2506021C2 (de) | Überspannungs-Schutzschaltungsanordnung für Hochleistungsthyristoren | |
DE69510717T2 (de) | Überstromschutzvorrichtung | |
DE2520431B2 (de) | Leistungstransistorschalter | |
DE69222831T2 (de) | Stromversorgungssystem mit Serien-Schutzschaltung | |
DE2906961C2 (de) | Schaltungsanordnung mit einem feldgesteuerten Thyristor | |
DE4421249A1 (de) | Schaltstromversorgungsgerät mit Snubber-Schaltung | |
DE102015110513B3 (de) | Leistungshalbleiterschaltung mit einem Feldeffekttransistor | |
DE1763492C3 (de) | Fühleinrichtung für die Strombegrenzungseinrichtung einer Regeleinrichtung | |
DE3402341A1 (de) | Schutzvorrichtung fuer ein leistungselement einer integrierten schaltung | |
DE3510450A1 (de) | Schaltung zum selbstkommutierten ausschalten einer leistungsschaltvorrichtung | |
DE102006034351A1 (de) | Treiberstufe für ein Leistungshalbleiterbauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |