DE3216043C2 - Elektrophotographisches Aufzeichungsmaterial - Google Patents

Abstract

Es wird ein elektrophotographisches, lichtempfindliches Material mit einer langen Lebensdauer durch Aufbringen einer 0,01 bis 0,08 μm dicken Schicht aus amorphem Silizium auf die photoleitfähige Schicht eines elektrisch leitenden Substrats des Materials, ohne die Eigenschaften der photoleitfähigen Schicht zu verändern, bereitgestellt.

Description

6. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An orach 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Isdungentransportierende Teilschicht aus einem anorganischen, photoleitfahigt.it Material besteht

7. Elektrophotcgraphisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet daß die ladungenerzeugende Teilschicht eine Schicht aus einer Se-Te-Legierung ist. die mit Indium dotiert ist

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Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer photoleitfähigen Schicht sowie einer siliciumhaltigen Deckschicht.

Als elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien werden im allgemeinen Aufzeichnungsmaterialien, enthaltend einen Träger wie z. B. Aluminium, Eisen oder deren Legierungen und eine darauf aufgebrachte anorganische, photoieitfähige Schicht aus amorphen Selen, einer Se-Te-Legierung, aus mit Indium dotiertem amorphen Selen oder Se-Te-Legierung, oder einer organischen, photoleitfähigen Schicht, verwendet. Gewöhnlich wird diese Art von Aufzeichnungsmaterial für ein Abbildungsverfahren verwendet bei dem die Oberfläche eines Aufzeichnungsmaterials geladen, bildmässig beuchtet, zu einem Tonerbild entwickelt, sowie gegebenenfalls das beim Entwickeln erhaltene Tonerbild auf Papier als Bildempfangsmaterial übertragen wird.

Bei einem solchen Verfahren wird das Aufzeichnungsmaterial bei der Übertragung des entwickelten 'itronerbildes auf djistBildempfangsjnateria^oder bei der ^Entfernung des$ußderX)berfläcliPclesiAufzeicftiungs-'rhaterials verbleibenden tone? miUej's einer Bürste mechanisch beschädigt/Wegen der niedrigen Härte des die photoleitfähige Schicht bildenden Selens entstehen jedoch bei jeder Wiederholung der obigen Verfahrensschritte Abfiebspureii. Als Folge davon tritt an den durch Abnutzung beeinträchtigten Stellen eine Kristallisierung des Selens, auf weiche den Äufladungsvorgang erschwert, so daß es unmöglich wird, die für die Elektrophotographie notwendige Potentialdifferenz zu erhalten, und die Kopie unscharf wird.

In JP-OS 87.155/80 wird ein mit einer photoleitfähigen Schicht aus amorphem Silicium versehenes Aufzeichnungsmaterial zur Verbesserung der Abriebfestigkeit des photoleitfähigen Materials, wie z. B. CdS, ZnO oder Cd-Te beschrieben. In der US-PS 42 25 2?2 wird ein Verfahren zum Aufbringen einer Wasserstoff enthaltenden Siliciumschicht auf eine Trommeloberfläche erwähnt Alle diese bekannten Methoden basieren auf der Verwendung von amorphem Silicium als photoleitfähige Schicht Amorples Silicium ist jedoch nur schwach filmbildend, so daß zur Bildung von photoleitfähigem, amorphem Silicium durch das Verfahren der chemischen Zersetzung, kombiniert mit Ablagerung, oder ein Zerstäubungsverfahren ungefähr 1 Tag benötigt wird. Überdies weist amorphes Silicium eine geringe Empfindlichkeit gegenüber Strahlen mit langen WeI-Ienlängen, wie z. B. Halbleiter-Laser-Strahlen auf, während es eine hohe Empfindlichkeit gegenüber He-Ne-Gas-Laser oder He-Ce-Laser-Strahlen, die beide kurze Wellenlängen besitzen, hat

Aus der DE-AS 22 20 270 ist ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer Deckschicht aus

einem Siliciumoxid bekannt, wobei die Oberfläche der Deckschicht ein starker oxidiertes Siliciumoxid enthält als die darunterliegenden Schichtteile.

Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials mit einer erhöhten Abriebfestigkeit der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials ohne Abänderung der Eigenschaften der photoleitfähigen Schicht, welches bei wiederholter Verwendung in elektrophotographischen Verfahren eine höhere Lebensdauer aufweist und eine Erhöhung der Bildqualität erlaubt

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß wie aus den Ansprüchen ersichtlich gelöst.

Es hat sich gezeigt, daß die Empfiiiolichkeitsabnahme des Aufzeichnungsmaterial verhindert und eine hohe Abnebfestigkeit erhalten werden kann, wenn die sehr dünne Schicht aus amorphem Silicium keine Lichtabsorptionsfähigkeit aufweist und nicht als photoleitfähiges Material wirkt.

Wie oben erwähnt, wird in der DE-AS 22 20 270 eine Deckschicht aus stärker oxidiertem Siliciumoxid als die darunterliegenden Schichtteile vorgeschlagen. S1O2 und amorphes Silicium veisen zwar die selbe Härte auf. unterscheiden sich jedoch wesentlich im Berührungswinkel zu Wasser, in der Elektrophuiographie ist aligemein bekannt, daß bei Anfeuchtung der Oberfläche eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials der Oberfiächenwiderstand abnimmt und sich der Kontrast des latenten Bildes verschlechtert, ebenso wie sich die Qualität des entwickelten Bildes verschlechtert. Die Tatsache, daß die Oberfläche zur Benetzung mit Wasser tendiert (der Berührungswinkel zu Wasser ist nämlich sehr klein) bedeutet daß sie zur Fcuchtigkeitsadsorption neigt. Dementsprechend sind S1O2 und SiO weniger eöi'älSiOberfläehenschicht geeignet als amorphes Silicium. iSGiiJndsätzlich'WeisenvßiProder SiO, unabhängig von ■*!ihrer Form, eine höhere Benetzbarkeit als amorphes Silicium auf.

SiO₂ ist ein Isolierstoff, wohingegen amorphes Silicium ein photoleitfähiger Stoff ist.

SiOj und amorphes Silicium haben zwar die gleiche Härte (Bleistifthärte H), unterscheiden sich aber in ihrer Lichtempfindlichkeit. Bei einer Lichtempfindlichkeil ge-

genüber einem Licht mit einer Wellenlänge von 455 nm (Oszillationslicht eines He-Cd-Lasers) werden als Aufzeichnungsmaterialien gerne solche wie z. B. Selen und Se-Te, die derzeit die höchste Lichtempfindlichkeit aufweisen, verwendet Die beständige Leistungsabgabe des genannten Lasers beträgt etwa 20 mWatt (bei einer Lebensdauer des Lasers von 10⁵ Stungen oder 3 Jahren), womit anzunehmen ist, daß eine Lichtempfindlichkeit von 2,0—3,OmJ/ m² erforderlich ist, um in der Praxis verwertbar zu sein. Dementsprechend kann man davon ausgehen, daß amorphes Silicium die genannten Bedingungen bei einer Dicke von 0,01 — 0,08μπι erfüllt, während SiO₂ zwar eine hohe Halbwertbelichtung, aber nur eine geringe Lichtempfindlichkeit aufweist

Wie oben dargelegt, sind das erfindungsgemäße amorphe Silicium einerseits und SiÖ2 oder SiO andererseits keineswegs äquivalent und bei einer Dicke des Films von 0,01— 0,08μπι erhält man ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial, das in bezug auf Lichtempfindlichkeit wesentlich besser als die S1O2- Deckschicht ist Darüber hinaus ist das amorphe Silicium im Hinblick auf Wasserfestigkeit dem S1O2 oder SiO überlegen. Von daher ist durchaus ein überraschender technischer Fortschritt erkennbar, der darin besteht daß ein höherqualitatives Bild erhalten wird.

Anhand von Zeichnungen wird die Erfindung näher erläutert Es zeigt

F i g. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials im Schnitt,

Fig.2 ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials im Schnitt

F i g. 3 in einem Diagramm die Beziehung zwischen der Dicke der aus amorphem Silicium bestehenden Deckschicht und ihrer Oberflächenhärte,

F i g. 4 in einem Diagramm die Beziehung zwischen der Dicke der Deckschicht aus amorphem Silicium und der Halbwertbelichtung,

F i g. 5 in einem Diagramm die Beziehung zwischen dem Te-Anteil in der Se-Te-Legierung und der Halbwertbelichtung,

F i g. 6 in einem Diagramm den Zusammenhang zwischen dem Te-Anteil in der Photoleitfähigkeit verleihenden Se-Te-Schicht und der spektrometrischen Photoleitfähigkeit, und

F i g. 7 in einem Diagramm die Be?iehung zwischen dem In-Anteil in der Photoleitfähigkeit verleihenden Se-Te-Schicht und der spektrometrischen Lichtempfindlichkeit.

Das in F i g. 1 gezeigte Aufzeichnungsmaterial hat einen elektrisch leitenden Schichträger 1, eine Schicht 2 aus Arsentriselenid, eine Schicht 3 aus amorphem Seien, und eine Schicht 4 aus amorphem Silicium.

Der elektrisch leitende Schichtträger 1 ist eine Platte aus einem Metall, 'vie Aluminium, Kupfer, Blei oder Eisen, eine Platte aus Metalloxid, wie etwa SnO₂. Ιη₂θ3, CrO₂ oder CuI oder eine Kunststoffolie, deren Oberfläche mit durch Dampfabscheidung oder Zerstäubung aufgebrachtem Metall oder Metalloxid beschichtet ist

Die Arsentriselenidschicht 2 ist die Sperrschicht. Die Schicht 3 aus amorphem Selen die die photoleitfahige .Schicht· , „·, - ,' _r \.

,' Das in Fig.2 gezeigte-Aufzeichnungsmaterial weist die Schichten 1 bis 4 wie Fig. 1 auf, zusätzlich ist eine Se-Te-Legierungsschicht 5, auf die Schicht 3 aus amorphen Selen aufgebracht. Da die photoleitfahige Schicht 3 aus amorphen Selen keinen photoleitfähigen Bereich auf der Seite der langen Wellenlängen hat, kann diese Schicht durch Aufbringen einer Se-Te-Legierungsschicht auf die Schicht aus amorphem Selen photoleitfähig gemacht werden. Bei dieser Art von Aufzeichnungsmaterial ist es gleichfalls möglich, eine Schicht aus amorphem Silicium vorzusehen. Die anorganische, photoleitfähige Schicht enthält außerdem noch eine mit Cadmium dotierte Selenschicht zur Sensibilisierung.

Die dünne, als Oberflächenschutz dienende Schicht aus amorphem Silicium kann nach einem bekannten Verfahren, wie z. B. durch Dampfabscheidung, Glimmentladung oder Zerstäubung ausgebildet werden, während das photoleitfahige, auf Selen basierende Material und der Schichtträger auf einer die Normaltemperatur nicht übersteigenden Temperatur gehalten werden. Das Aufbringen einer Sperrschicht, z. B. einer Schicht aus Arsentriselenid, richtet sich nach den vom Aufzeichnungsmaterial geforderten Eigenschaften, d. h. es muß nicht immer erforderlich sein.

Die Erfindung wird anhand eines Versuchsbeispiels wie folgt erläutert

Als Material zur Dampfabscheidu· _■ wurden Selen und Arsentriselenid mit jeweils einem Peinheitsgrad von 99,99% oder mehr verwendet. Als Material für die Bildung der Deckschicht aus amorphem Silicium verwendete man Monosilan (SiH4). Die Dampfabscheidung von Arse-.triselenid und amorphem Selen erfolgte unter Anwendung einer mit einer Schichtträger-Rotationseinrichtung und einer Heiz- und Kühleinrichtung versehenen Mandrelschen Vakuumabscheidevorrichtung. So wurde bei einem Druck von 6,7 χ 10~³ Pu ein das oben erwähnte Material enthaltendes Schiffchen auf die vorgegebene Temperatur erhitzt d. h. auf 500—600⁰C bei Arsentriselenid und auf 26O⁰C bei amorphem Selen, und das Material auf dem rotierenden Schichtträger abgeschieden. Die Rotationsgeschwindigkeit des Schichtträgers betrug 10—30 Umdrehungen/Minute. Der Schichtträger wurde bei der Dampfabscheidung auf 60-7I)⁰C erhitzt

Nach der Dampfabscheidung wurde zur raschen Abkühlung des Schichtträgers eine nichtgefrierende Flüssigkeit (Mischung von Wasser und Polyethylenglykol) mit einer Temperatur von —20⁰C aufgegossen. Na.chdem festgestellt worden war, daß der Schichtträger eine Temperatur von 30° C erreicht hatte, wurde Wonosilangas (S1H4) eingeleitet und eine Deckschicht aus amiorphem Silicium durch Glimmentladung gebildet, so daß man ein Aufzeichnungsmaterial mit der in Fi g. 1 aufgezeigten Struktur erhielt Die Dicke des Arsentriselenids wurde auf 0,1 — 1 ,Ομητι oder weniger eingestellt und über dem Arsentriselenid wurde eine 58—60μηη dicke Schicht aus amorphem Selen abgeschieden. Daraufhin wurde nach dem Glimmentladungsverfahren amorphes Silicium mit den in der Tabelle aufgezeigten Schichtiiikker abgeschieden.

Tabelle

Probe Nr. Diclce der Schicht aus

amorphem Silicium in μπι

0,005

0,01

0,05

0,08

0,1

Die Oberflächenhärte der in der Tabelle aufgelisteten Aufzeichnungsmaterialen wurde mittels Bleistifthärtetest gemessen, der gewöhnlich zur Messung der Hiirte

von elektrophotographischen, photoleitfähigen Schichten angewendet wird, Die Messung erfolgte, indem ein ■Bleistift mit abgestumpfter Mine (wobei die Minenhärte variierte) unter einem Winkel von 60° unter Druckanwendung über die Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials (Oberfläche der Deckschicht aus amorphem Silicium) bewegt wurde, und die Minenhärte, welche erforderlich war, um einen konkaven Eindruck auf der ,!•jchichtoberf lache zu hinterlassen, festgestellt-wurde. Die so festgestellte Härte wurde als Oberflächenhärte angenommen. Die Meßergebnisse sind in F i g. 3 zusammengefaßt.

Wie aus F i g. 3 ersichtlich, ist die Oberflächenhärte des Aufzeichnungsmaterials mit der gemäß Tabelle Ο,0Ό5μιτι dicken Schicht aus amorphem Silicium nicht wesentlich höher als die der bisher bekannten Schicht aus amorphem Selen, die keine Deckschicht aus amorphem Silicium auiwcibi. Die fiäCn ucf Täbcüc eine Dicke von 0.01 μηι oder mehr aufweisenden Schichten aus amorphem Silicium haben eine zwei- oder dreimal so große Härte wie die bisher bekannten Produkte.

Andererseits ist zum Erhalt einer scharfen Kopie eine Halbwertabklingbelichtung einer photoleitfähigen Schicht (eines der clcktrophotographischen Merkmale) von 3,0 mj/m² oder weniger erforderlich. In F i g. 4, welche den Zusammenhang zwischen der Dicke der Schicht aus amorphem Silicium und der Halbwertabklingbelichtung aufgezeigt, beträgt die Halbwertabklingbelichtung der photoleitfähigen Schicht bei einer Wellenlänge von 430 nm 3,20 mj/m², wenn die Dicke des amorphem Silicium Ο.ΐμπι beträgt, wobei die Halbwertabklingbelichtung mit zunehmender Schichtdicke auch zunimmt. Es wurde ferner herausgefunden, daß man bei einer Dicke der Schicht aus amorphem Silicium von 0,08μπι eine Halbwertabklingbelichtung von 3,0 mj/m² erhält. Demzufolge Liegt der optimale Bereich für die Dicke der Schicht aus amorphem Silicium zwischen 0,01 und 0,08μηι.

Außerdem wurde unter Verwendung der Aufzeichnungsmaterialen nach den Proben 1 bis 5 ein Kopiertest durchgeführt Als Vergleichsbeispiel verwendete man ein Aufzeichnungsmaterial mit einer Schicht aus amorphem Selen und einer auf einer elektrisch leitenden Schichtträgerplatte (Probe Nr. A) aufgebrachten Schicht aus einer Selen-Tellur-Antimon-Legierung. Das Ergebnis des Kopiertests war, daß auf der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials gemäß Probe NnA und Probe Nr. 1 Abnutzungserscheinungen durch das Bildempfangsmaterial aus Papier auftraten, nachdem ungefähr 200 000 Blatt Kopien gefertigt worden waren, und das Aufzeichnungsmaterial daraufhin unbrauchbar wurde. Bei den Proben 2 bis 4 konnten 1 000 000 Blatt mit einer guten Qualität kopiert werden.

Die oben erwähnten Testergebnisse beziehen sich auf das in F i g. 1 gezeigte Aufzeichnungsmaterial. Die gleichen Ergebnisse erhält man auch mit dem in Fig.2 dargestellten Aufzeichnungsmaterial.

Die erfindungsgemäße Schicht aus amorphem Silicium dient im wesentlichen zum Schütze der Abriebfestigkeit der photoleitfähigen Schicht und hat gleichzeitig so eine geringe Dicke, daß sie Licht nicht zu absorbieren vermag und deshalb keine wesentliche Veränderung der lichtempfindlichen Eigenschaften der photo- !eitfähigen Schicht bewirkt.

Wie oben ausgeführt, kann erfindungsgemäß der Abriebwiderstand der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials ohne Beeinträchtigung der elektrophotographischen Eigenschaften verbessert werden, was eine längere Lebensdauer des Aufzeichnungsmaterials und eine Erhöhung der Zahl der herstellbaren Kopien zur Folge hat.

_r Bei einem weiteren Beispiel Unter Verwendung des (Materials von Fig. 1 wurde auf einen elektrisch leitenden Schichtträger 1 eine mitindatierte, photoleitfähige Schicht 3 aus Se-Te, eine ladungentransportierende 'Schicht 2 aus Se, und ,,eine Schicht 4 aus amorphem ^Silicium aufgebracht.

ίο In diesem Falle liegt der Anteil des Te in der photoleitfähigen Se-Te-Schicht vorzugsweise bei ungefähr 15Gew.-%, bezogen auf das Dunkelheitsabklingverhältnis (DDR). Der bevorzugte Gehalt an Te kann aus dem Verhältnis zwischen dem Te-Anteil in der Se-Te-Legierung und dem Dunkelhcitsabklingverhältnis. wie in F i g. 5 gezeigt, ermittelt werden. Die Kurve in F i g. 5 erhielt man folgendermaßen:

Seien wurde ;n einer Dicke vor. 4Cjirn auf einen Schichtträger aus Aluminium bei einer Schichtträgertemperatur von 62° C bei einem Vakuum von 13xl0~^JPa mit einer Abscheidungsgeschwindigkeit von ΙμΓη/Minute. und anschließend eine Se-Te-Legierung in einer Dicke von 0,5μπι bei einer Abscheidungsgeschwindigkeit von Ο.ΙμΓη/Minute abgeschieden, wobei der Anteil der Te in der Se-Te-Legierung in einem Bereich von bis zu 30% variierte. Unter Verwendung eines Pspieranalysators wurde eine Koronaspannung von 5,5 KV an das so erhaltene Aufzeichnungsmaterial angelegt, um eine Oberflächenausgangsspannung von 600 V zu erhalten. Nachdem die Materialien 5 Sekunden unter den erwähnten Bedingungen in der Dunkelheit stehengelassen worden waren, wurde der Spannungsabfall gemessen. Das Dunkelheitsabklingverhältnis (DDR) wurde durch den Spannungsquotienten nach 5 Sekunden mit 600 V ausgedrückt.

I Jm jedoch scharfe Kopien zu erhalten, muß das Dunkelheitsabklingverhältnis gewöhnlich folgende Bedingung erfüllen: DDR₅ δ 0,8. In F i g. 5 ist die Veränderung des Dunkelheitsabklingverhältnisses DDR5 relativ gering. Das Dunkelheitsabklingverhältnis selbst ist größer als 0,8, solange der Anteil an Te in der Se-Te-Legierung im Bereich zwischen 0 bis 15% liegt. Wenn allerdings der Gehalt an Te in der Se-Te-Legierung zu gering ist, sinkt die Lichtempfindlichkeit. Demnach liegt der bevorzugte Te-Gehalt bei ungefähr 15 Gew.-%.

Wenn man die Lichtempfindlichkeit G als Kehrwert der für die Herabsetzung der Oberflächenspannung auf die Hälfte des Ausgangswertes durch Belichtung erforderlichen Energie definiert, erhält man ein Verhältnis zwischen der Lichtempfindlichkeit G des obigen Aufzeichnungsmaterials und seinem Te-Gehalt, wie in F i g. 6 dargestellt. Das bedeutet, daß bei 632,8 nm die Lichtempfindlichkeit einer Legierung mit 15% Te ein Viertel von der einer Legierung mit 23% Te beträgt.

Zur Erhöhung der Lichtempfindlichkeit des Se-15% Te-Systems bei 632,8 nm muß die Bandlücke (E_g) im Hinblick auf die Materialeigenschaften verringert werden; der erforderliche £^-Wert beträgt 1,0 bis 1,5 eV. Ein in diiisen Bereich fallender Wert £_rWert kann durch Addieren eines Elements mit einem kleineren £^-Wert erreicht werden. Die Abhängigkeit von E_g von dem spezifischen Widerstand ρ einer Legierung ergibt sich aus folgender Gleichung (I):

worm

R die Boltzmannkonstante und
T die !absolute Temperatur sind, während
Po bei einer Absoluttemperatur von 0° K durch Extrapolation ρ wird.

Das bedeutet, es existiert eine Untergrenze des spezifischen "»Viderstandes in der Elektrophotographie, bei der die Oberfläche des Aufzeichnungsmaterial statisch ,-geladen werden muß, damit es photoleitfähig wird, wozu ein spezifischer Widerstand von 10¹⁰ bis -'-0¹²X? · cm oder großer notwendig ist. Wenn der E^-Wert zwischen 1,0 und 13 eV liegt, beträgt der Wert der Te-Se-Legierung ungefähr 10⁸X? · cm und fällt unter die Untergrenze des erforderlichen spezifischen Widerstandes. Demnach steht eine Verringerung von E_g im Widerspruch zu einer Erhöhung von p. Deshalb wird erfindungsgemäß der Se-Te-Schicht 3 Indium, welches mit Te eine Ab-

heißt, diiiß Indium mit einem E^-Wert von 1,0 bis 13 eV in der Grundmasse eines Se-Te-Systems mit hohem spezifischeri Widerstand, insbesondere eines Systems, das ungefähr 15% Te enthält, dispergiert wird, um einen hohen spezifischen Widerstand aufrechtzuerhalten, ohne dabeii die Lichtempfindlichkeit des gesamten photoleitfähigen Se-Te-Systems zu verringern.

Der Anteil des der photoleitfähigen Se-Te-Schicht 3 beigegebenen Indiums wird unter Berücksichtigung des photoleitfähig machenden Effekts und der Photoleitfähigkeitscigenschaften gewählt und liegt vorzugsweise in dem w abstehenden Bereich. 30 '-

F i g. 7 zeigt die Veränderung der spektrometrischen Photoleitfähigkeit in Abhängigkeit von der der photo- '

leitfähigen, 15% Te enthaltenden Se-Te-Schicht zugegebenen Menge an Indium, wobei sich die Kurven A, B. Q D und £ entsprechend auf 0,0,05,0,1,2 und 5 Gew.-Io beigegebenem Indium beziehen.

Gemäß F i g. 7 entspricht die spektrometrische Photoleitfähigkeit in der photoleitfähigen, 0,05 Gew.-% Indium enthaltenden Schicht B ungefähr der photoleitfähigen Schicht A, was bedeutet, daß keine Erhöhung der 40 ¹J photoIeitfähigKeit festzustellen ist Wenn der Gehalt an zugegebenem Indium auf 0,1 und auf 2,0 Gew.-% erhöht ^ wird, erhöht sich auch die photoleitfähigkeit. Bei Errei- jü chen eines Indiumgehalts von 5,0 Gew.-% nimmt dage- '^ι gen die spektrometrische Photoleitfähigkeit ab. Man hat 45 _ιή ein Aufzeichnungsmaterial mit einer 6 Gew.-% indium '*' enthaltenden, photoleitfähigen Se-Te-Schicht herge- ' > Ί stellt und eine Koronaspannung von 53 KV angelegt. ^ •J Man stellte ein ungefähres Ladungspotential von f, '»200 V fest. Das Produkt war für die Verwendung als 50 % Aufzeichnungsmaterial ungeeignet. Die optimalste "■ ■ sj Menge des der photoleitfähigen Se-Te-Schicht zugegebenen Indiums liegt deshalb bei 0,1 bis 5,0 Gew.-%.

Die gleiche vorstehend erläuterte Wirkung kann auch dann erzielt werden, wenn die Schichtreihenfolge der photoleltfähigen Se-Te-Schicht 3 und der ladungentransportierenden Se-Schicht 2 umgestellt wird. Das für die laduingentransportierende Schicht verwendete erwähnte Material kann neben Se auch ein organischer Photoleiter, beispielsweise ein Polyvinylcarbazol- oder Trinitrolluorenon-Photoleitersein.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

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Claims (5)

Patentansprüche:

1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer photoleitfähigen Schicht sowie einer siliciumhaltigen Deckschicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht eine im wesentlichen kontinuierliche Schicht aus amorphem Silicium ist, deren Dicke so gewählt ist, daß sie das verwendete Licht im wesentlichen nicht zu absorbieren vermag.

2. lElektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus amorphem Silicium eine Dicke von 0,01 bis 0,08μπι aufweist

3. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht eine anorganische, photoleitfähige, Qe enthaltende Schicht ist.

4. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die anorganische, photoleitfähige Schicht ein Se-Te-System darstellt

5. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Scnicht aus je einer ladungenerzeugenden und einer ladungentransportierenden Teilschicht aufgebaut ist