DE3003449A1

DE3003449A1 - Drucksensor

Info

Publication number: DE3003449A1
Application number: DE19803003449
Authority: DE
Inventors: Teruyoshi Mihara; Takeshi Oguro; Masami Takeuchi; Tamotsu Tominaga
Original assignee: Nissan Motor Co Ltd
Current assignee: Nissan Motor Co Ltd
Priority date: 1979-02-02
Filing date: 1980-01-31
Publication date: 1980-08-07
Also published as: DE3003449C2; US4276533A; FR2448139B1; FR2448139A1; JPS55103439A; GB2047465B; GB2047465A; JPS5817421B2

Description

BESCHREIBUNG

Die Erfindung betrifft einen Drucksensor gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruchs.

Die Erfindung befaßt sich mit einem Drucksensor aus HaIbleiter-Material, der nach dem Piezowiderstandseffekt arbeitet, und insbesondere mit einem Drucksensor, der eine Silicium-Membran aufweist, auf deren einer Oberfläche ein diffundierter Widerstand als druckempfindliches Element ausgebildet ist, der einen auf die Membran ausgeübten Fluiddruck in ein entsprechendes elektrisches Signal durch Abtastung von Veränderungen des Widerstandes aufgrund auftretender Spannungen umwandelt.

Derartige Sensoren sind verhältnismäßig klein und haben eine hohe Empfindlichkeit. Sie können leicht in großen Stückzahlen und sehr gleichmäßig unter Verwendung der Herstellungsverfahren für integrierte Schaltkreise hergestellt werden. Diese erheblichen Vorteile haben in der Industrie große Beachtung gefunden, und die praktische Verwendung der Sensoren ist in zahlreichen Betrieben und Forschungsinstituten erprobt worden. Eines der bestehenden Probleme liegt in den thermischen Eigenschaften. Wenn nämlich die Silicium-Membran und eine Grundplatte, auf der diese befestigt ist, unterschiedliche lineare thermische Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, treten thermische Spannungen in der Membran bei Temperaturänderungen auf, so daß das Ausgangssignal des Sensors schwankt. Zur Vermeidung des Einflusses derartiger Temperaturveränderungen sind Materialien für die Trägerplatte verwendet worden, deren thermischer Ausdehnungskoeffizient sehr nahe bei demjenigen des Silicium liegt, wie es beispielsweise bei Mullit, Zircon und Pyrex-Glas (Handelsbezeichnung) der Fall ist. Jedoch haben diese

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Materialien zur Herstellung der Membran und der Grundplatte weiterhin ungleichmäßige Eigenschaften in bezug auf die lineare thermische Ausdehnung, die schwer vollständig zu beseitigen sind. Wenn die Grundplatte aus keramischen Materialien wie Mullit, Zircon oder Pyrex-Glas besteht, muß die Verbindungs- oder Klebstoffschicht zwischen der Grundplatte und der Membran relativ dick sein, da die Oberfläche der Grundplatte rauh ist. Daher kann die Membran nach wie vor der thermischen Ausdehnung der Verbindungsschicht ausgesetzt sein, so daß dieser Weg nicht zu einer ausreichenden Reduzierung der thermischen Spannungen der Membran geführt hat.

Weitere Vorschläge zur Verbesserung der thermischen Charakteristika der Membran zielen darauf ab, die Membran auf einer Silicium-Trägerplatte zu montieren, die denselben linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie die Membran aufweist. Figur 1 der beigefügten Zeichnung, auf die bereits hier bezug genommen werden soll, zeigt eine derartige Ausführungsform, bei der ein Drucksensor 10 eine Membrananordnung 12 umfaßt, die aus einem Silicium-Membranblock 14 mit einer Membran 16 besteht, auf der diffundierte Widerstände 18 ausgebildet sind, sowie aus einer Silicium-Trägerplatte 20, die auf die gegenüberliegende Oberfläche des Membranblocks 14 durch eine nicht gezeigte Schicht einer eutektischen Gold-Silicium-Legierung aufgebracht ist. Die Membrananordnung 12 ist in ihrem Mittelpunkt auf der rückwärtigen Oberfläche mit Hilfe eines Klebstoffs 24 oder dergleichen mit einer Aluminium-Grundplatte 22 verbunden.Der Zwischenraum 2 6 zwischen dem Membranblock und der Trägerplatte ist evakuiert. Die Oberfläche der Membran, auf der sich die diffundierten Widerstände 18 befinden, ist durch eine Kappe 28 abgedeckt, die an der Grundplatte 22 befestigt

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ist. Ein Fluid, dessen Druck zu messen ist, wird durch ein Einlaßrohr 30 und eine Bohrung 32 in der Grundplatte 22 an die Membran 16 und damit an die diffundierten Widerstände 18 herangeführt.

Bei einem derartigen Sensor bestehen die Membran und die Trägerplatte aus einem Material mit demselben linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, nämlich einem einkristalligen Silicium, so daß die Membran in geringerem Maße thermischen Spannungen ausgesetzt ist, als es der Fall wäre, wenn sie mit einer Trägerplatte aus einem Material mit unterschiedlichem thermischen Ausdehnungskoeffizienten verbunden wäre. Da jedoch die diffundierten Widerstände dem zu messenden Fluid ausgesetzt sind, können sie durch Feuchtigkeit und korrosive Gase beschädigt oder zerstört werden, die in dem Fluid enthalten sind. Ein derartiger Sensor kann daher nicht in einer oxidierenden Atmosphäre verwendet werden, wie sie etwa durch eine Brennkraftmaschine abgegeben wird und deren

20 Druck zu messen ist.

Ein weiterer bekannter Drucksensor ist in Fig. 2 gezeigt. Er umfaßt einen Silicium-Membranblock 14, der auf einer Silicium-Trägerplatte 20 angebracht ist, die in einem Stück mit einem Trägerzapfen 34 ausgebildet ist, der seinerseits fest in eine Aluminium-Grundplatte 22 eingeschraubt ist. Ein zu messender Fluiddruck gelangt durch ein Einlaßrohr 30 und einen Kanal 36 in dem Trägerzapfen 34 und gelangt zur Rückseite der Membran 16. Bei einem derartigen Sensor ist diejenige Oberfläche der Membran, auf der sich die diffundierten Widerstände 18 befinden, einem Unterdruck oder Vakuum innerhalb einer Kappe 28 ausgesetzt, so daß die diffundierten Widerstände 18 nicht durch das zu messende Gas beeinträchtigt werden

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können. Demgegenüber dient die Verwendung des relativ langen Trägerzapfens 34 dazu, die übertragung von thermischen Spannungen, die durch den Unterschied des linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Trägerzapfen 34 und der Grundplatte 22 entstehen, auf die Silicium-Membran zu verringern. Bei einem derartigen Sensor ist es jedoch erforderlich, die Trägerplatte in einem einzigen Stück aus einem Einkristall eines Silicium-Materials herzustellen, so daß eine beträchtliche Spanabnahme erforderlich ist und dieses Verfahren für die Massenproduktion nicht geeignet ist. Mit der Bezugsziffer 38 sind Klemmen bezeichnet, über die Drähte 40 mit den diffundierten Widerständen 18 verbunden sind.

Die Erfindung ist darauf gerichtet, einen Drucksensor zu schaffen, bei dem die diffundierten Widerstände auf einer Silicium-Membran nur in geringem Maße thermischen Spannungen ausgesetzt sind, das heißt, bei dem die thermischen Charakteristika verbessert sind. Dadurch soll verhindert werden, daß die diffundierten Widerstände durch eine zu messende Atmosphäre zerstört werden. Der Sensor soll im übrigen für eine Massenproduktion geeignet sein.

Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert.

Fig. 1 und 2 sind Querschnitte durch zwei verschiedene

bekannte Drucksensoren;

Fig. 3 ist ein Querschnitt durch eine erste Ausführungsform der Erfindung;

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Fig. 6

Fig. 7

Fig. 8

Fig. 9

ist ein vergrößerter Querschnitt durch die Membrananordnung der Fig. 3; ist eine Explosionsdarstellung der Membrananordnung der Fig. 3;

ist eine perspektivische Darstellung des Drucksensors der Fig. 3 in verkleinertem Maßstab; ist eine Darstellung ähnlich Fig. 3 und zeigt eine zweite Ausfuhrungsform der Erfindung; ist eine perspektivische Darstellung der für den Drucksensor der Fig. 7 verwendeten Membran; ist ein Querschnitt durch eine dritte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Drucksensors; Fig. 10 ist ein Teilquerschnitt durch einen Drucksensor gemäß Fig. 3 oder 7.

In Fig. 3 ist eine erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Drucksensors mit 10 bezeichnet. Der Drucksensor 10 umfaßt eine Membrananordnung 12, die im übrigen auch in Fig. 4 und 5 gezeigt ist und deren Membranblock 14 aus Einkristall-Silicium auf der vorderen Oberfläche 16a seiner Membran 16 diffundierte Widerstände 18 aufweist. Ein SiO^-FiIm 42 befindet sich auf den Widerständen 18 und dem Membranblock 14, und Aluminium-Leiter 44 sind mit den Widerständen 18 verbunden und in üblicher Weise hergestellt. Die andere Oberfläche 16b der Membran 16 ist einem Fluid ausgesetzt, dessen Druck zu messen ist. Zu diesem Zweck ist eine Aussparung 46 in dem Membranblock 14 durch bekannte Ätzverfahren hergestellt. Die Membran befindet sich vorzugsweise in einer exzentrischen Position des Membranblocks in der Nähe einer Seite, wie es in der Zeichnung gezeigt ist.

Die Membrananordnung 12 umfaßt weiterhin eine Trägerplatte 20 aus Einkristall-Silicium, die mit dem Membranblock verbunden, beispielsweise verklebt ist. Die Trägerplatte

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weist dieselbe Länge und Breite wie der Membranblock auf. Sie ist mit einer Bohrung 48 versehen, die die Trägerplatte senkrecht zu ihren Hauptflächen in der Nähe einer Seite der Trägerplatte durchläuft, die der Seite der diffundierten Widerstände 18 und der Membran 16 gegenüberliegt. Die Trägerplatte ist weiterhin auf ihrer Seite, die dem Membranblock zugewandt ist, mit einer Nut 50 versehen, die an einem Ende der Aussparung 4 6 in dem Membranblock 14 gegenüberliegt und am anderen Ende in die Bohrung 48 mündet. Die Trägerplatte weist in einem Endbereich einen ausreichend polierten äußeren Oberflächenbereich 52a auf, der die Bohrung 48 umgibt und zur Verbindung mit einem Gehäuse vorgesehen ist, wie später genauer erläutert werden soll. Die Trägerplatte ist vorzugsweise mit einer Nut 54 auf ihrer rückwärtigen Oberfläche 52 zwischen dem Oberflächenbereich 52a und dem verbleibenden Oberflächenbereich 5 2b versehen. Die Bohrung 48 und die Nuten 50 und 54 können hergestellt werden durch Verfahren, wie sie zur Herstellung von integrierten Schaltungen verwendet werden, beispielsweise durch Photoätzen.

Bei der Herstellung werden der Silicium-Membranblock 14 und die Silicium-Trägerplatte 20 hermetisch durch eine Schicht 56 einer eutektischen Gold-Silicium-Legierung verbunden, die erzeugt wird durch Erhitzen eines aufgedampften Gold-Films, der auf einer Seite ausgebildet ist, sowie beider Seiten der zu verbindenden Teile auf eine Temperatur von 380 bis 400⁰C. Diese Membrananordnung wird innerhalb des Gehäuses 58 gemäß Fig. 3 untergebracht.

Gemäß Fig. 3 besteht das Gehäuse 58 aus einer Grundplatte 22 mit einer Aussparung 60, an deren Boden die Membrananordnung 12 mit ausreichendem Abstand ringsum montiert

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ist. Ein Deckel 62 deckt das Gehäuse ab, und ein Rand 64 liegt zwischen dem Deckel 62 und der Grundplatte 22. Zwei Gruppen von Klemmen 38 sind an gegenüberliegenden Seiten des Gehäuses befestigt. Isolierende oder keramische Materialien können für das Gehäuse verwendet werden und sollten eine ausreichende Festigkeit und im wesentlichen denselben linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie Silicium haben. Der lineare thermische Ausdehnungskoeffizient von Silicium beträgt

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3 bis 4 χ 10 /⁰C. Als keramische Materialien kommen daher beispielsweise Mullit (thermischer Ausdehnungs-

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koeffizient 3 bis 4 χ 10 /⁰C) oder Zircon (Ausdehnungskoeffizient 3,7 bis 4,3 χ 10~ /⁰C) in Betracht. Die Membrananordnung 12 ist mit ihrer Oberfläche 12a auf dem Boden der Aussparung 60 der Grundplatte 22 mit Hilfe einer Verbindungs-Schicht 66 befestigt, die aus Wolfram oder Molybdän-Mangan besteht, das auf die obere rechte Oberfläche der Grundplatte 22 aufmetallisiert ist, oder aus plattiertem Nickel und gegebenenfalls einer auf die Nickel-Schicht plattierten Gold-Schicht bestehen kann. Die Gold-Schicht und die Silicium-Trägerplatte 20 bilden eine eutektische Au-Si-Legierung, wenn sie auf eine Temperatur von 380 bis 400⁰C erwärmt werden. Ein Fluid-Kanal 6 8 erstreckt sich durch die Grundplatte 22 und die Schicht 66 zu der Bohrung 48, die mit der Nut 50 in Verbindung steht, so daß unter Druck stehendes Fluid, dessen Druck zu messen ist, zu der Membran gelangen kann. Die Grundplatte 22 ist mit einer kleineren Aussparung 70 am Boden der größeren Aussparung 60 versehen. Die kleinere Aussparung verringert die Größe der Fläche 12a bzw. 52a der Membrananordnung 12, mit der diese gegen den Boden der Aussparung 60 anliegt. Die Membrananordnung 12 liegt daher nur mit dem äußeren Bereich 12a auf dem Boden der größeren Aussparung 60 auf. Metallisierte Drähte 72 aus Wolfram

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oder Molybdän-Mangan befinden sich auf der Grundplatte und sind elektrisch mit den Klemmen 38 verbunden. Teile der Drähte, die nicht durch den Rand 64 abgedeckt sind, sind mit einer Gold-Schicht 74 überzogen, die elektrisch mit den Aluminium-Leitern 44 auf dem Membranblock über Gold-Drähte 76 verbunden ist. Nachdem die Membrananordnung 12 in der Aussparung 60 der Grundplatte 22 montiert worden ist, werden diese Grundplatte und der Rand 64 sowie der Rand 64 und der Deckel 62 mit Hilfe von Lot- oder Schwexßmaterialien 78 und 80, wie etwa Glas mit niedrigem Schmelzpunkt oder eine Au-Sn-Legierung miteinander verbunden. Diese Verbindung erfolgt in einem nicht gezeigten Vakuum-Behälter, so daß das Gehäuse hermetisch verschlossen wird und die Oberfläche 16a der Membran, auf der die diffundierten Widerstände 18 vorgesehen sind, dem Vakuum 82 innerhalb des Gehäuses ausgesetzt ist.

Da der Membranblock 14 und die Trägerplatte 20 bei einem derartigen Sensor aus Einkristall-Silicium bestehen, treten keine thermischen Spannungen zwischen beiden auf. Da die Membrananordnung 12 auf der Grundplatte 22 mit Hilfe der Verbindungs-Schicht 66 nur an ihrem rechten Ende in Abstand von der Membran verbunden ist, ist der Einfluß thermischer Spannungen auf die diffundierten Widerstände 18 auf der Membran sehr gering, obgleich thermische Spannungen in der Nähe des Oberflächenbereiches 52a der Trägerplatte 20 aufgrund unterschiedlicher linearer thermischer Ausdehnungskoeffizienten zwischen der Trägerplatte 20 und der Grundplatte 22 auftreten können. Dieser Sensor ist daher hinsichtlich seiner thermischen Eigenschaften im Vergleich zu herkömmlichen Sensoren mit einem Membranblock und einer Trägerplatte mit unterschiedlichen linearen Ausdehnungskoeffizienten sehr vorteilhaft. Die Nut 54 zwischen dem

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Oberflächenbereich 52a der Membrananordnung 12, der mit dem Gehäuse 58 verbunden ist, und der restlichen Oberfläche 52b der Membran dient dazu, eine Ausbreitung thermischer Spannungen von dem Oberflächenbereich 52a der Membrananordnung 12 auf die diffundierten Widerstände zu verhindern.

Wie oben erwähnt wurde, gelangt ein zu messender Fluiddruck durch den Kanal 68 in der Trägerplatte 22 zu der Oberfläche 16b der Membran, die der die diffundierten Widerstände 18 tragenden Oberfläche 16a gegenüberliegt. Die Oberfläche der Membran, auf der sich die diffundierten Widerstände 18 befinden, liegt innerhalb einer Vakuumkammer 82 des Gehäuses 58 und ist nicht den zu messenden Fluiden ausgesetzt, so daß eine Zerstörung der Widerstände 18 verhindert wird.

Die Membrananordnung 12 dieses Sensors weist kein zusammenhängendes Siliciumteil komplizierter Form auf, wie es gemäß Fig. 2 bei einer Zusammenfassung der Teile 20 und 34 der Fall ist, so daß komplizierte Schneidtechniken unnötig sind. Der erfindungsgemäße Sensor kann leicht unter Anwendung bekannter Verfahren für die Herstellung integrierter Schaltungen hergestellt werden, so daß die Spanabnahme vereinfacht wird und der Sensor für die Massenproduktion geeignet ist.

Fig. 7 und 8 zeigen eine zweite Ausführungsform des erfindungsgemäßen Drucksensors. Dieser mit 10 bezeichnete Drucksensor ist wie folgt aufgebaut. Ein Siliciumdioxid-FiIm 84, der in Fig. 8 schraffiert dargestellt ist, befindet sich auf dem Oberflächenbereich 52b der äußeren Oberfläche 52 der Membrananordnung 12. Der Oberflächenbereich 52a der Trägerplatte 20, der die Bohrung umgibt,

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ist poliert, und auf der polierten Fläche kann eine aufgedampfte Goldschicht vorgesehen sein. Wie Fig. 7 zeigt, ist die Membrananordnung 12 innerhalb der Aussparung 60 der Grundplatte 22 angebracht, und der Oberflächenbereich 52a der Membrananordnung ist mit der Grundplatte 22 durch eine Verbindungs-Schicht 66 aus einer eutektischen Au-Si-Legierung verbunden, die gebildet wird aus einer Goldschicht und Teilen der Membrananordnung und der Grundplatte, die die Goldschicht berühren. Da in diesem Falle der SiO-FiIm 84 und die Goldschicht nicht eine eutektische Legierung bilden, kann die Fläche des Oberflächenbereichs 52a der Membrananordnung, die mit der Grundplatte verbunden ist, bestimmt werden durch die Fläche der SiO^-Schicht 84 auf

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dem Oberflächenbereich 52b, so daß es nicht notwendig ist, eine kleinere Aussparung in der Grundplatte 22 wie etwa die Aussparung 70 in Fig. 3 vorzusehen und die Herstellung des Gehäuses erleichtert wird. Als Verbindungsschicht 66 kann anstelle der Goldschicht ein Hartlot- material verwendet werden, das den SiO₃-FiIm 48 nicht

erweicht. Andere Einzelheiten der zweiten Ausführungsform stimmen im wesentlichen mit der ersten Ausführungsform gemäß Fig, 3 überein.

Fig. 9 zeigt eine dritte Ausführungsform der Erfindung. Bei diesem Sensor ist die Membrananordnung 12 mit einer Grundplatte 22 mit Hilfe einer Verbindungsschicht 66 an ihrer Stirnfläche senkrecht zu der Erstreckungsrichtung der Nut 50 und in größerem Abstand zu den diffundierten Widerständen 18 verbunden. Der Kanal 68 in der Grundplatte 22 steht mit der Nut 50 in der Membrananordnung über die verbundenen Oberflächen der Membrananordnung und der Grundplatte 22 in Verbindung. Wie bei der zuvor beschriebenen Ausführungsform ist auch in diesem Falle die Oberfläche der Membran, die die diffundierten Wider-

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stände 18 trägt, hermetisch innerhalb einer Vakuumkammer 82 eines Gehäuses 58 eingeschlossen, das gebildet wird durch eine Kappe 28 und die Grundplatte Die diffundierten Widerstände 18 und die Klemmen 38, von denen eine in Fig. 9 gezeigt ist, sind elektrisch miteinander über Gold-Drähte 40 verbunden, von denen einer in der Zeichnung gezeigt ist. Der Drucksensor liefert einen Effekt, der denjenigen der zuvor beschriebenen Ausführungsformen entspricht.

Gemäß Fig. 10 weist der Drucksensor 10 der Fig. 3 oder ein Gehäuse 86 auf, das aus einer Grundplatte 88, beispielsweise aus Aluminium, und einer Kappe 90 bestehen kann, die mit Hilfe eines Verbindungsmaterials 92 verbunden sind. Die Klemmen 38 sind ebenfalls durch dieses Verbindungsmaterial, beispielsweise Klebstoff oder Lot mit Teilen gedruckter Leiter 94 einer nicht gezeigten Verarbeitungsschaltung verbunden, die auf der Grundplatte 88 ausgebildet ist, und nicht durch Glas-Isolierschichten 96 abgedeckt, so daß der Drucksensor durch die Klemmen abgestützt wird. Ein zu messender Fluiddruck wird durch ein Einlaßrohr 98 in das Innere der Kappe 90 und von dort durch den Kanal 68 in dem Gehäuse 58 eingeleitet. Die diffundierten Widerstände 18 auf der Membran 16 erzeugen elektrische Signale entsprechend einer Fluiddruckänderung auf der Oberfläche der Membran.

Bei den zuvor beschriebenen Ausführungsformen ist die Nut 50 in der Trägerplatte 20 vorgesehen, jedoch kann sie auch auf der Oberfläche des Membranblocks 14 gegenüber der Trägerplatte 20 ausgebildet sein.

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ZUSAMMENFASSUNG

Eine Membrananordnung 12 eines Drucksensors 10 umfaßt einen Silicium-Membranblock 14, der eine Membran 16 in einer exzentrischen Position trägt. Ein diffundierter Widerstand 18 befindet sich als druckempfindliches Element auf der vorderen Oberfläche der Membran, und eine Silicium-Trägerplatte 22 ist mit dem Membranblock fest verbunden, so daß die rückseitige Oberfläche der Membran abgedeckt ist. Die Membrananordnung liegt dicht innerhalb eines hohlen Gehäuses 58 und ist mit diesem in einem Endbereich 52a verbunden, der auf der anderen Seite in bezug auf die Membran liegt. Die vordere Oberfläche der Membran und der diffundierte Widerstand auf der Membran sind einem Vakuum zugewandt, während ein zu messendes Fluid durch einen Kanal 68 in dem Gehäuse und den festgelegten Endbereich der Membrananordnung zur rückwärtigen Oberfläche der Membran zugeführt wird.

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Claims

PATENTANWÄLTE

TER MEER - MÜLLER = STEiS^

Beim Europaischen Patentamt zugelassene Vertreter Prof. Representatives before the European Patent Office - Mandalalres agrees prda rOfflce europeen des brevets

Dipl.-Chem. Dr. N. ter Meer Dipl.-lng. H. Steinmeister

Dipl.-lng.FE.MÜller siekerwall 7, Triftstrasse 4,

D-8000 MÜNCHEN 22 D-4800 BIELEFELD

WG 9215/281(3)/SH 31. Januar 1980

St/hm

NISSAN MOTOR COMPANY, LIMITED 2,Takara-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa-ken, Japan

DRÜCKSENSOR

Priorität: 2. Februar 1979 - Japan - No. 54-10329

PATENTANSPRÜCHE

Drucksensor mit einer Membrananordnung, die einen Silicium-Membranblock mit einer Membran umfaßt, einem diffundierten Widerstand als druckempfindliches Element auf der vorderen Oberfläche der Membran, einer Silicium-Trägerplatte, die mit dem Membranblock derart verbunden ist, daß sie die Rückseite der Membran abdeckt, und einem ersten Kanal zur Verbindung der Rückseite der Membran mit einer öffnung in der Oberfläche der Membranordnung, gekennzeichnet durch ein hohles, dicht verschlossenes Gehäuse (58), das die Membranordnung (12)

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aufnimmt und in dem die Membranordnung in einem Bereich in Abstand von der Position der Membran befestigt ist, welcher Bereich die Öffnung des ersten Kanals(48, 50) aufnimmt, während die vordere Oberfläche der Membran (16) und der auf dieser ausgebildete diffundierte Widerstand

(18) im Abstand von der Innenwand des Gehäuses liegt und ein zweiter Kanal (68) in dem Gehäuse (58) zur Verbindung der öffnung des ersten Kanals mit der Außenseite des Gehäuses vorgesehen ist, und durch eine Anzahl von Klemmen (38), die sich zur Außenseite des Gehäuses erstrecken und elektrisch mit dem diffundierten Widerstand (18) verbunden sind.
2. Drucksensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Membran (16) und der diffundierte Widerstand (18) auf der Membran im wesentlichen am entgegengesetzten Ende des Membranblocks in bezug auf die öffnung (48) des ersten Kanals (48, 50) vorgesehen sind.
3. Drucksensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Membrananordnung (12), die mit dem Gehäuse (58) verbunden ist, einen Teil der äußeren Oberfläche der Trägerplatte (20) einschließt.
4. Drucksensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Trägerplatte (20) auf ihrer äußeren Oberfläche (52) mit einer Nut (54) versehen ist, die die Grenze bildet zwischen dem mit dem Gehäuse (58) verbundenen Bereich (52a) der äußeren Oberfläche und dem restlichen Bereich (52b).

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5. Drucksensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Membranordnung (12) mit einer Stirnfläche senkrecht zu den verbundenen Oberflächen des Membranblocks (14) und der Trägerplatte (20) verläuft und daß die Membrananordnung mit der Innenfläche des Gehäuses (58) in dieser Stirnfläche verbunden ist.
6. Drucksensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Kanal eine Nut (50) in der Oberfläche des Membranblocks (14) , die mit der Trägerplatte verbunden ist, umfaßt.
7. Drucksensor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine innere Aussparung (60) am Boden der Membrananordnung (12) vorgesehen ist.
8. Drucksensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß am Boden der Aussparung (60) eine kleinere Aussparung (70) vorgesehen ist, die die Berührungsfläche zwischen der äußeren Oberfläche der Membrananordnung und dem Gehäuse verkleinert.
9. Drucksensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Kanal eine Nut (50) in der mit dem Membranblock verbundenen Oberfläche der Trägerplatte (22) umfaßt.
10. Drucksensor nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Innere des Gehäuses(58) einen Unterdruck aufweist.

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