[go: up one dir, main page]

JPH05149814A - 二重ダイヤフラム式半導体圧力センサ - Google Patents

二重ダイヤフラム式半導体圧力センサ

Info

Publication number
JPH05149814A
JPH05149814A JP3315694A JP31569491A JPH05149814A JP H05149814 A JPH05149814 A JP H05149814A JP 3315694 A JP3315694 A JP 3315694A JP 31569491 A JP31569491 A JP 31569491A JP H05149814 A JPH05149814 A JP H05149814A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diaphragm
pressure
container
semiconductor element
seal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3315694A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyuki Kato
和之 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP3315694A priority Critical patent/JPH05149814A/ja
Priority to EP92120321A priority patent/EP0545319B1/en
Priority to DE69211504T priority patent/DE69211504T2/de
Priority to US07/982,655 priority patent/US5335549A/en
Publication of JPH05149814A publication Critical patent/JPH05149814A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0007—Fluidic connecting means
    • G01L19/0038—Fluidic connecting means being part of the housing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061—Electrical connection means
    • G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
    • G01L19/0645—Protection against aggressive medium in general using isolation membranes, specially adapted for protection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/148—Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】測定される圧力がシールダイヤフラムで区切ら
れた空間に満たされた液体を介して歪みゲージを有する
ダイヤフラム部に加わる二重ダイヤフラム式の半導体セ
ンサの小形化、低コスト化をはかる。 【構成】歪みゲージブリッジの出力を処理する信号処理
回路の回路素子をダイヤフラム部を有する半導体素体に
集積することにより、部品数を少なくし、小形化、低コ
スト化、高信頼性化を達成する。そしてこれは、絶対圧
検出用、相対圧検出用あるいは差圧検出用のいずれの圧
力センサにも適用できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、歪みゲージを形成した
半導体ダイヤフラムに圧力を測定する流体が直接接触し
ないように二重ダイヤフラム構造とした二重ダイヤフラ
ム式半導体圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】水圧、油圧などの液体、もしくはその混
合物の圧力を測定する用途に半導体圧力センサを用いる
場合、歪みゲージの形成された半導体ダイヤフラムに液
体の沈殿物などが付着したりして特性を劣化するのを避
けるために、金属製のシールダイヤフラムを圧力導入部
に取り付けた二重ダイヤフラム構造を用いる場合が一般
的である。この二重ダイヤフラム構造を適用した半導体
圧力センサの一例を図２に示す。シリコンチップ１は中
央部にダイヤフラムがエッチングにより形成されてお
り、そのダイヤフラム上には四つの歪みゲージが分散し
て形成され、ブリッジ回路を構成している。このシリコ
ンチップは熱応力緩和のためのシリコンあるいはガラス
からなる台座２を介して容器３に固定される。シリコン
チップ１のダイヤフラム表面にある凹部と台座２で囲ま
れた空間は真空に封止される。容器３の上部開口部は、
周囲が容器３に気密に結合されたステンレス鋼製のシー
ルダイヤフラム４により閉塞され、それによって生ずる
内部にシリコンチップ１および台座２を含む空間にはシ
リコーン油などの絶縁油５が封入される。シールダイヤ
フラム４の上には容器３の周囲に気密に結合された蓋６
が対向し、その蓋６とシールダイヤフラム４に囲まれた
空間は、蓋６の穴７を介して外部に通じている。歪みゲ
ージブリッジの入出力電圧は、導線８、リード９を経て
容器３の外部へ引出され、回路基板40の配線と接続され
る。回路基板40には演算増幅器チップ41、厚膜抵抗42な
どが搭載され、ゲージブリッジ出力信号を増幅し、さら
に温度補償、特性調整を施す信号処理回路を構成してい
る。この回路からの出力はリード10により外部に引出さ
れる。容器３の大部分と回路基板40は保護用のモールド
樹脂43より被覆されている。
【０００３】測定される圧力は蓋６の穴７を通ってシー
ルダイヤフラム４に伝わり、さらに絶縁油５を介してシ
リコンチップ１上のダイヤフラムに伝達され、図３の等
価回路に示すように歪みゲージの抵抗ＲG1, ＲG2,
ＲG3, ＲG4の構成するブリッジが、チップ１の凹部空間
の真空との差、すなわち絶対圧に対応した出力を生ず
る。この出力は信号処理回路44で所定の特性を有するセ
ンサ信号に変換され、Ｖout端子から出力される。従っ
て容器３を貫通して電源電圧ＶCCを加える端子91、チッ
プ１をＧndに接続する接地端子92、信号処理回路44に接
続される二つの端子93、94の４端子を引出す必要があ
る。
【０００４】図４は従来技術の別の例であり、図２と共
通の部分には同一の符号が付されている。この場合は、
被測定圧がダイヤフラムのエッチングされた側の面に加
わる。シリコンチップ１は中央部に圧力を導くための穴
11のある台座２の上に固定される。さらに台座２は容器
３に結合される基板12の上に固定される。この基板12に
も台座２の穴11の延長上に圧力を導くための穴13が開け
られている。シリコンチップ１、基板12、筒状容器３お
よび周囲がその容器３に気密に結合されたシールダイヤ
フラム４で囲まれた空間に絶縁油５が封入されている。
被測定圧は蓋６に開けられている穴７より導かれ、シー
ルダイヤフラム４、絶縁油５を経由してシリコンチップ
１のダイヤフラムのエッチング面に伝達される。シリコ
ンチップ１のエッチングされていない表面は蓋14で覆わ
れており、蓋14にあけられている穴15により大気に開放
されている。これによりこのセンサは相対圧センサとし
て動作する。図２に示した従来技術の例と同様に、信号
処理を行って所定のセンサ信号を出力するための回路基
板40、およびその保護用モールド樹脂43が容器３の外側
に取り付けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような二重ダイ
ヤフラム式半導体圧力センサの普及を図るためには、小
形化、低コスト化が必要である。小形化、低コスト化の
ためには部品数を減らすことが有効である。
【０００６】本発明の目的は、そのような情勢に立脚し
て部品数の少ない二重ダイヤフラム式半導体圧力センサ
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、半導体素体の一面から凹部を形成する
ことによって生ずるダイヤフラム部にブリッジを構成す
る歪みゲージを有し、そのダイヤフラム部の表面と周縁
が前記半導体素体を収容する容器に気密に結合されたシ
ールダイヤフラムとの間に存在する閉ざされた空間に液
体が満たされていて、シールダイヤフラムの反半導体素
体側の面が圧力を導く穴を有する容器蓋部に対向するこ
とによって生ずる歪みゲージブリッジの出力が信号処理
回路によって出力信号に変換される半導体圧力センサに
おいて、信号処理回路を構成する回路素子を前記半導体
素体内およびその表面上に備え、その信号処理回路から
引出される出力端子、電源電圧を加えるための端子およ
び半導体素体を接地するための端子の三つの端子が前記
容器を貫通するものとする。そして、半導体素体の凹部
と容器によって囲まれた閉ざされた空間が真空であり、
シールダイヤフラムの反液体側の面に導かれる圧力が被
測定圧であることが有効である。または、半導体素体
が、その凹部に連通する穴を有し、容器に気密に結合さ
れる基板上に固定され、その基板の反半導体素体側にシ
ールダイヤフラムが対向し、そのシールダイヤフラムの
反液体側の面に導かれる圧力が被測定圧であり、その基
板および半導体素体の反シールダイヤフラム側に被測定
圧と異なる圧を導く穴を有する別の容器蓋部に対向する
ことが、あるいは半導体素体が、その凹部に連通する穴
を有し、容器に気密に結合される基板上に固定され、そ
の基板の反半導体素体側に第一のシールダイヤフラムが
対向し、基板および半導体素体の反第一シールダイヤフ
ラム側の面に第二のシールダイヤフラムが対向し、第一
および第二のシールダイヤフラムの反液体側の面がそれ
ぞれ被測定圧あるいはそれと異なる圧を導く穴を有する
容器蓋部に対向し、第一および第二のシールダイヤフラ
ムの厚さおよび面積が等しく、それらのおのおのに接す
る空間に満たされた液体が同一でそれらの空間の容積が
等しいことが有効である。
【０００８】
【作用】センサの全機能、すなわち歪みゲージと信号処
理回路の回路素子を一つのシリコンチップ上に集積化す
ることにより、センサの機能を損なうことなく容器の外
に配置していた回路基板および回路基板の保護のための
モールド樹脂を省略することができ、さらに容器を貫通
する端子を必要最小限の電源入力端子、信号出力端子、
接地端子のみとすることにより、単純な構造で小形の二
重ダイヤフラム式半導体圧力センサを実現し、そして部
品数を減少させることにより信頼性を向上させることが
可能である。
【０００９】
【実施例】図１(a) 、(b) は本発明の実施例の二重ダイ
ヤフラム式半導体圧力センサに用いたシリコンチップを
示し、(a) は平面図、(b) は断面図である。シリコンチ
ップ１の中央部にダイヤフラム16がエッチングにより形
成される。この表面には歪みゲージ17が拡散工程により
分散配置される。シリコンチップの周辺部には信号処理
回路がＩＣプロセスにより形成される。回路要素18は演
算増幅器である。19は薄膜抵抗でありレーザトリミング
などにより抵抗値を調整することが可能である。20は拡
散抵抗であり、正の大きな温度依存性を有し、温度特性
の補償のために回路内で用いられる。歪みゲージ17は図
３の従来技術の実施例と同じくブリッジに構成され、電
源電圧ＶCCで駆動される。ダイヤフラム部16に圧力が加
わると作動出力電圧が発生するように歪みゲージの配置
が決められている。ブリッジの作動出力電圧は信号処理
回路により増幅、温度特性の補償、特性の調整が施さ
れ、所定のセンサ出力信号に変換され出力される。電源
電圧の供給、大地電位への接続、センサ信号の出力は、
シリコンチップ１の表面に設けられた三つのアルミニウ
ムパッド21、22、23に接続されるアルミニウム導線によ
って行われる。
【００１０】図５(a) 、(b) は図１に示すシリコンチッ
プ１を用いた図２に示す従来技術の方式の絶対圧検出用
圧力センサにおける実施例であり、(a) は断面図、(b)
は下面図で、図２と共通の部分には同一の符号が付され
ている。図１に示すように、信号処理回路を集積したシ
リコンチップ１はシリコンもしくはガラス製の台座２に
真空中で接合され、ダイヤフラム部16の下の凹部と台座
で囲まれた空間は真空に封止される。この真空室により
このセンサは絶対圧検出用センサとして動作する。この
台座２は容器３の底面上に固定される。この容器の開口
部は、ステンレスなどの金属製のシールダイヤフラム４
が溶接や接着などにより気密を維持した状態で取り付け
られることによって閉塞される。シールダイヤフラム４
と容器３で囲まれた空間はシリコーン油などの絶縁油５
で満たされる。そのシールダイヤフラム４を保護するた
め、容器蓋６がシールダイヤフラム４を覆うように取り
付けられる。
【００１１】被測定圧は蓋６に開けられた穴７を通って
導かれ、シールダイヤフラム４、絶縁油５を経由してダ
イヤフラム部16に加わり、絶対圧に対応する電気信号に
変換され、更に信号処理回路で増幅、温度特性の補償、
特性の調整が成され、アルミニウムパッド23によりアル
ミニウム導線８と容器３を貫通するリード端子93を経由
してセンサ出力電圧として出力される。なお、リード端
子91は電源電圧ＶCCを外部より供給するためのものであ
り、リード端子92はセンサ回路を接地するためのもので
ある。
【００１２】次に特性調整の方法について説明する。回
路の調整はシールダイヤフラム４の取り付け、絶縁油５
の封入の前のシリコンチップが開放された状態でレーザ
トリミングなどの方法により行われる。ここでは後工程
の絶縁油５の封入、シールダイヤフラム４の取り付けに
よる特性の変化量を予め見込んだ調整が行われる。セン
サの圧力に対する感度はシールダイヤフラム取り付け後
ではシールダイヤフラムの弾性のため減衰し、また例え
ば溶接でシールダイヤフラムの封止を行った場合、セン
サ出力のオフセットは溶接時の絶縁油５の充填される空
間の体積収縮により若干上昇する。よって調整直後の特
性を Ｖout ＝ａＰ＋ｂ とすると、シールダイヤフラム４の封止後の特性は次の
ようになる。 Ｖout ＝ (ａ−δa ) Ｐ＋ｂ＋δb このδa 、δb の値はシールダイヤフラムの厚さや溶接
時の体積収縮が十分均一であればそれぞれ一定値と見な
すことができる。よってセンサの要求される目標特性が
図６の破線で表わされる特性 Ｖout ＝ＡＰ＋Ｂ である場合、調整直後の特性が図６の実線で表わされる
特性 Ｖout ＝ (Ａ＋δa ) Ｐ＋ｂ−δb になるように圧力に対する感度、オフセットを調整すれ
ばよい。またシールダイヤフラムにより絶縁油が封止さ
れると、絶縁油の熱膨張の影響のため温度上昇によりセ
ンサ出力を上昇させる傾向を生じるが、この正の温度特
性の分だけ予め負の温度特性を回路調整で持たせておく
ことによりこの絶縁油の熱膨張の影響を打ち消すことが
できる。このセンサは、図からわかるように図２のセン
サに比して著しく小形化されている。
【００１３】図７は図１に示す信号処理回路の回路素子
をダイヤフラム以外の領域に集積したシリコンチップ１
を用いた図４に示す従来技術の方式の相対圧検出用圧力
センサにおける実施例であり、図４と共通の部分には同
一の符号が付されている。このセンサでは、通常はダイ
ヤフラムの凹部側の面からの加圧によりセンサ出力が上
昇するように回路の構成が決められている。シリコンチ
ップ１は中央部に圧力を導くための穴11のある台座２の
上に固定される。さらに台座２は基板12の上に固定され
る。この基板12にも台座２の穴11の延長上に圧力を導く
ための穴13が開けられている。この穴13に対向するシー
ルダイヤフラム４、筒状容器３および基板12で囲まれた
空間に絶縁油５が封入される。被測定圧は蓋６に開けら
れている穴７より導かれ、シールダイヤフラム４、絶縁
油５を経由してシリコンチップ１のダイヤフラム16の凹
部側の面に伝達される。シリコンチップ１のエッチング
されていない表面は蓋14で覆われており、蓋に開けられ
ている穴15より大気に開放されている。これによりこの
センサは相対圧センサとして動作する。ダイヤフラムに
伝達された圧力は相対圧に応じた電気信号に変換され、
さらに信号処理回路により増幅、温度特性の補償、特性
の調整が施され、所定のセンサ出力信号として、リード
端子93より出力される。この場合も、図１に示した実施
例と同様の方法でシールダイヤフラムや絶縁油の特性に
及ぼす影響を打ち消すことにより良好な圧力特性、温度
特性を得ることができる。このセンサも、図からわかる
ように図４に比して著しく小形化されている。
【００１４】図８は図１に示したシリコンチップ１を用
いた２種類の圧力の差圧を検出する圧力センサにおける
実施例を示し、図５、図７と共通の部分には同一の符号
が付されている。図に示すように、シリコンチップをは
さんで二つのシールダイヤフラム４が配置され、一方の
シールダイヤフラム４が区切り、絶縁油５の満たされた
空間は、図５のセンサにおけると同様に、シリコンチッ
プ１、ダイヤフラム部16の歪みゲージ17の形成される面
に、他方のシールダイヤフラム４が区切り、同じ絶縁油
５の満たされた空間は、図７のセンサにおける同様にダ
イヤフラム部16の凹部側の面に接している。これによ
り、二つのシールダイヤフラム４に封入された絶縁油を
経由して伝達される２種類の圧力の差圧を検出すること
が可能である。ここで二つのシールダイヤフラム４の面
積と厚さ、および二つの空間の絶縁油５が満たされる容
積を等しくすることにより、二つのシールダイヤフラム
４、および二つの空間の絶縁油５の影響を互いに釣り合
わせて打ち消すことが可能である。
【００１５】
【発明の効果】前述した実施例より明らかなように、全
ての回路素子をダイヤフラムを形成した一つの半導体素
体内および上に集積することにより、従来技術の実施例
に見られた半導体素体を内蔵した容器の外側に付加され
た回路基板や個別素子、さらにそれらを保護する樹脂等
を省略することが可能である。その結果、容器の大きさ
も数ミリ角の半導体素体を内蔵するのに必要な大きさま
で小形化することができ、また容器を貫通する端子も必
要最小限な電源端子、接地端子、出力端子の３端子にす
ることにより、超小型で簡単な組み立て構造の二重ダイ
ヤフラム式半導体圧力センサを得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に用いたシリコンチップを示
し、(a) は平面図、(b) は断面図
【図２】従来の絶対圧検出用圧力センサの断面図
【図３】図２のセンサの等価回路図
【図４】従来の相対圧検出用圧力センサの断面図
【図５】本発明の一実施例の絶対圧検出用圧力センサを
示し、(a) は断面図、(b) は下面図
【図６】絶縁油封止前後の圧力特性線図
【図７】本発明の別の実施例の相対圧検出用圧力センサ
の断面図
【図８】本発明のさらに別の実施例の差圧検出用圧力セ
ンサの断面図
【符号の説明】
１ シリコンチップ ２ 台座 ３ 容器 ４ シールダイヤフラム ５ 絶縁油 ６ 容器蓋 ８ 導線 ９１ 電源端子 ９２ 接地端子 ９３ 出力端子 １２ 基板 １４ 蓋 １６ ダイヤフラム部 １７ 歪みゲージ １８ 演算増幅器 １９ 薄膜抵抗 ２０ 拡散抵抗 ４４ 信号処理回路

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体素体の一面から凹部を形成すること
    によって生ずるダイヤフラム部にブリッジを構成する歪
    みゲージを有し、そのダイヤフラム部の表面と周縁が前
    記半導体素体を収容する容器に気密に結合されたシール
    ダイヤフラムとの間に存在する閉ざされた空間に液体が
    満たされていて、シールダイヤフラムの液体側の面が圧
    力を導く穴の有する容器蓋部に対向することによって生
    ずる歪みゲージブリッジの出力が信号処理回路によって
    出力信号に変換されるものにおいて、信号処理回路の回
    路素子を前記半導体素体内および表面上に備え、その信
    号処理回路から引出される出力端子、電源電圧を加える
    ための端子および半導体素体を接地するための端子の三
    つの端子が前記容器を貫通することを特徴とする二重ダ
    イヤフラム式半導体圧力センサ。
  2. 【請求項２】半導体素体の凹部と容器によって囲まれた
    閉ざされた空間が真空であり、シールダイヤフラムの反
    液体側の面に導かれる圧力が被測定圧である請求項１記
    載の二重ダイヤフラム式半導体圧力センサ。
  3. 【請求項３】半導体素体が、その凹部に連通する穴を有
    し、容器に気密に結合される基板上に固定され、その基
    板の反半導体素体側にシールダイヤフラムが対向し、そ
    のシールダイヤフラムの反液体側の面に導かれる圧力が
    被測定圧であり、その基板および半導体素体の反シール
    ダイヤフラム側に被測定圧と異なる圧を導く穴を有する
    別の容器蓋部に対向する請求項１記載の二重ダイヤフラ
    ム式半導体圧力センサ。
  4. 【請求項４】半導体素体が、その凹部に連通する穴を有
    し、容器に気密に結合される基板上に固定され、その基
    板の反半導体素体側に第一のシールダイヤフラムが対向
    し、基板および半導体素体の反第一シールダイヤフラム
    側に第二のシールダイヤフラムが対向し、第一および第
    二のシールダイヤフラムの反液体側の面がそれぞれ被測
    定圧およびそれと異なる圧を導く穴を有する容器蓋部に
    対向し、第一、第二のシールダイヤフラムの厚さおよび
    面積が等しく、それらのおのおのに接する閉ざされた空
    間に満たされた液体が同一でそれらの空間の容積が等し
    い請求項１記載の二重ダイヤフラム式半導体圧力セン
    サ。
JP3315694A 1991-11-29 1991-11-29 二重ダイヤフラム式半導体圧力センサ Pending JPH05149814A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3315694A JPH05149814A (ja) 1991-11-29 1991-11-29 二重ダイヤフラム式半導体圧力センサ
EP92120321A EP0545319B1 (en) 1991-11-29 1992-11-27 Semiconductor pressure sensor having double diaphragm structure
DE69211504T DE69211504T2 (de) 1991-11-29 1992-11-27 Halbleiter-Druckwandler mit zwei Membranen
US07/982,655 US5335549A (en) 1991-11-29 1992-11-27 Semiconductor pressure sensor having double diaphragm structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3315694A JPH05149814A (ja) 1991-11-29 1991-11-29 二重ダイヤフラム式半導体圧力センサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05149814A true JPH05149814A (ja) 1993-06-15

Family

ID=18068433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3315694A Pending JPH05149814A (ja) 1991-11-29 1991-11-29 二重ダイヤフラム式半導体圧力センサ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5335549A (ja)
EP (1) EP0545319B1 (ja)
JP (1) JPH05149814A (ja)
DE (1) DE69211504T2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5595939A (en) * 1994-03-04 1997-01-21 Nippondenso Co., Ltd. Liquid-sealed semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof
KR100331799B1 (ko) * 1999-06-04 2002-04-09 구자홍 압력센서 및 그 제조방법
US6802210B2 (en) 2002-10-02 2004-10-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Fuel pump module and vehicle fuel tank internal pressure sensor
US6978681B2 (en) 2003-07-18 2005-12-27 Fujikoki Corporation Pressure sensor
JP2006090846A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Denso Corp 圧力センサ
WO2008133314A1 (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Bridgestone Corporation センサモジュール
JP2009288003A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Kyocera Corp 圧力センサモジュール
JP4717237B2 (ja) * 2001-03-26 2011-07-06 株式会社鷺宮製作所 圧力センサ用ダイヤフラム保護カバーおよび圧力センサ
JP2016004016A (ja) * 2014-06-19 2016-01-12 富士電機株式会社 二重ダイアフラム式圧力センサ

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2145696A1 (en) * 1994-04-15 1995-10-16 Michael F. Mattes Pressure sensor assembly and method of producing the pressure sensor assembly
WO1996022515A1 (en) * 1995-01-19 1996-07-25 Honeywell Inc. Apparatus for detection of a diaphragm rupture in a pressure sensor
US5889211A (en) * 1995-04-03 1999-03-30 Motorola, Inc. Media compatible microsensor structure and methods of manufacturing and using the same
DE69706213T2 (de) * 1996-04-04 2002-05-16 Ssi Technologies, Inc. Druckmessgerät und Verfahren zu seiner Herstellung
US5874679A (en) * 1996-04-04 1999-02-23 Ssi Technologies, Inc. Pressure sensor package and method of making the same
US5831170A (en) * 1996-04-04 1998-11-03 Ssi Technologies, Inc. Pressure sensor package and method of making the same
US5741975A (en) * 1996-07-31 1998-04-21 Motorola, Inc. Media isolated differential pressure sensor and fluid injection method
JPH10281897A (ja) * 1997-04-08 1998-10-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力検出装置
US6038961A (en) * 1998-03-02 2000-03-21 Rosemount Inc. Flush mount remote seal
US6570485B1 (en) * 2000-11-17 2003-05-27 Honeywell International Inc. Transducer packaging assembly for use in sensing unit subjected to high G forces
JP4325133B2 (ja) * 2001-08-27 2009-09-02 株式会社デンソー ガスセンサおよびその製造方法
JP2004198147A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Toyoda Mach Works Ltd 圧力センサ
DE102004044982A1 (de) * 2004-09-16 2006-04-06 Infineon Technologies Ag Drucksensorvorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
US9534972B2 (en) * 2012-02-16 2017-01-03 7-Sigma Inc. Pressure sensor with a deformable electrically resistive membrane
US8746075B2 (en) 2012-02-16 2014-06-10 7-Sigma, Inc. Flexible electrically conductive nanotube sensor for elastomeric devices

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5937716Y2 (ja) * 1979-01-31 1984-10-19 日産自動車株式会社 半導体差圧センサ
JPS5817421B2 (ja) * 1979-02-02 1983-04-07 日産自動車株式会社 半導体圧力センサ
JPS55103440A (en) * 1979-02-02 1980-08-07 Nissan Motor Co Ltd Semiconductor pressure sensor
DE2935476B2 (de) * 1979-09-01 1981-07-09 Hottinger Baldwin Messtechnik Gmbh, 6100 Darmstadt Flüssigkeitsgefüllter Differenzdruckaufnehmer
JPS59125032A (ja) * 1982-12-29 1984-07-19 Fuji Electric Co Ltd 差圧測定装置
DE3313261A1 (de) * 1983-04-13 1984-10-25 Ermeto Armaturen Gmbh, 4800 Bielefeld Sensor
JPS59217375A (ja) * 1983-05-26 1984-12-07 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 半導体機械−電気変換装置
EP0197130A1 (en) * 1984-10-12 1986-10-15 Ametek, Inc. Pressure transducer
US4665754A (en) * 1985-04-08 1987-05-19 Honeywell Inc. Pressure transducer
DE3703685A1 (de) * 1987-02-06 1988-08-18 Rbs Techn Anlagen Und Apparate Verfahren zur montage eines drucksensors sowie drucksensor
JPS63290932A (ja) * 1987-05-22 1988-11-28 Fuji Electric Co Ltd 半導体感圧素子
JPH0262032A (ja) * 1988-08-26 1990-03-01 Matsushita Electric Works Ltd 半導体基板及び半導体装置
US4944187A (en) * 1988-12-23 1990-07-31 Rosemount Inc. Multimodulus pressure sensor
KR930011091B1 (ko) * 1990-06-08 1993-11-20 미쯔비시 덴끼 가부시끼가이샤 압력 센서
KR950005891B1 (ko) * 1990-11-28 1995-06-02 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 압력센서

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5595939A (en) * 1994-03-04 1997-01-21 Nippondenso Co., Ltd. Liquid-sealed semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof
KR100331799B1 (ko) * 1999-06-04 2002-04-09 구자홍 압력센서 및 그 제조방법
JP4717237B2 (ja) * 2001-03-26 2011-07-06 株式会社鷺宮製作所 圧力センサ用ダイヤフラム保護カバーおよび圧力センサ
US6802210B2 (en) 2002-10-02 2004-10-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Fuel pump module and vehicle fuel tank internal pressure sensor
US6978681B2 (en) 2003-07-18 2005-12-27 Fujikoki Corporation Pressure sensor
JP2006090846A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Denso Corp 圧力センサ
JP4548066B2 (ja) * 2004-09-24 2010-09-22 株式会社デンソー 圧力センサ
WO2008133314A1 (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Bridgestone Corporation センサモジュール
JP2009288003A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Kyocera Corp 圧力センサモジュール
JP2016004016A (ja) * 2014-06-19 2016-01-12 富士電機株式会社 二重ダイアフラム式圧力センサ
US9733140B2 (en) 2014-06-19 2017-08-15 Fuji Electric Co., Ltd. Double diaphragm type pressure sensor

Also Published As

Publication number Publication date
EP0545319A2 (en) 1993-06-09
US5335549A (en) 1994-08-09
DE69211504T2 (de) 1996-10-10
EP0545319A3 (en) 1993-06-30
DE69211504D1 (de) 1996-07-18
EP0545319B1 (en) 1996-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05149814A (ja) 二重ダイヤフラム式半導体圧力センサ
US6647794B1 (en) Absolute pressure sensor
US6848318B2 (en) Pressure sensor having metallic diaphragm seal joint
US7436037B2 (en) Moisture resistant pressure sensors
US6351996B1 (en) Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors
JP4044307B2 (ja) 圧力センサ
US4831492A (en) Capacitor construction for use in pressure transducers
US5604363A (en) Semiconductor pressure sensor with package
EP0049955A1 (en) Dual cavity pressure sensor
JPH04240777A (ja) 半導体圧力検出装置
US5034848A (en) Low pressure sensor
JPH0629821B2 (ja) 複合機能形差圧センサ
JP2000337983A (ja) 圧力検出器及びその製造方法
US4400682A (en) Pressure sensor
EP0080186A2 (en) Semiconductor pressure transducer
US6598482B2 (en) Overload resistant differential pressure sensor
GB2034970A (en) Semiconductor pressure transducer
JPH02196938A (ja) 圧力センサ
JPS583081Y2 (ja) 拡散形半導体圧力センサ
US20210048363A1 (en) Oil filled transducers with isolated compensating capsule
JPH11160179A (ja) 半導体圧力センサ
JPS6147370B2 (ja)
JPH04370726A (ja) 半導体圧力センサ
JPH09138173A (ja) 半導体圧力センサ
JP3158353B2 (ja) 圧力検出装置