DE2703354C2 - Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitridpulvern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SiliciumnitridpulvernInfo
- Publication number
- DE2703354C2 DE2703354C2 DE2703354A DE2703354A DE2703354C2 DE 2703354 C2 DE2703354 C2 DE 2703354C2 DE 2703354 A DE2703354 A DE 2703354A DE 2703354 A DE2703354 A DE 2703354A DE 2703354 C2 DE2703354 C2 DE 2703354C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- powder
- silicon nitride
- silicon
- silicon oxide
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
- C01B21/0685—Preparation by carboreductive nitridation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitridpulver mit einem
< jhen Gehalt an α-Phase durch Nitridieren unter Zuführung eines
stickstoffhaltigen, nichtoxydierenden Gases und Brennen eines Pulvergemisches aus Siliciumdioxyd und
kohlenstoffhaltigem Material bei Temperaturen von 1300° C bis 17005C.
Es gibt das herkömmliche Verfahren zur Herstellung von .Siliciumnitridpulver. das gewöhnlich als »Siliciumoxyd-Reduktionsverfahren«
bezeichnet wird, bei welchem Siliciumoxydpulver und Graphitpulver in einem
stöchiometrischen Gewichtsverhältnis (C/SiO2) von 0.4
gemischt und das Gemisch in einer Stickstoffatmosphäre erhitzt wird, wodurch das aktive siliciumhaliige Gas.
das aus der Reduktion des Siliciumoxydpulvers durch das Graphitpulver stammt, zur Reaktion mit dem
Stickstoff gebracht wird. Das Siliciumnitridpulver. welches durch dieses Siliciumoxyd-Reduktionsverfahren
erzeugt wird, hat jedoch einen niedrigen Gehalt von a-SijN* und enthält nichtumgesetztes SiO2 oder Si2ON2.
so daß seine Qualität für Sinterzwecke zu schlecht ist.
Kürzlich sind auch die zwei weiteren nachstehend umrissenen Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitridpulver
mit einem hohen Gehalt an α-Phase vorgeschlagen worden. Eines besteht darin, metallisches
Siliciumpulver in einer Stickstoffatmosphäre zu erhitzen, während man den Partialdruck des Stickstoffgases
überwacht bzw. steuert, wodurch das Siliciumpulver bei einer Temperatur von 13000C oder weniger direkt
nitridierl wird. Das andere besteht darin, Siliciumtetrachlorid bei einer Temperatur von 1500°C oder
weniger in Kontakt mit Ammoniakgas zu bringen. Keines dieser beiden Verfahren hat jedoch praktische
Bedeutung, teils, weil die Reaktionsgeschwindigkeit zu klein ist, um eine zufriedenstellende Leistungsfähigkeit
des Verfahrens zu ergeben, teils, wei! die Einrichtungen
zur Durchführung der Reaktion kompliziert und teuer sind.
In Chem. Abstir. 1975. 83. 17 1883h. ist ein Verfahren
zur Herstellung von Λ-Siliciumnitrid beschrieben, bei
dem hochreines, amorphes SiO? und hochreiner Lampenruß
in einer N^-Atmosphäre erhitzt werden. Dieses Verfahren besitzt den Nachteil, daß Siliciumcarbid
gebildet wird. Außerdem ist die Reaktionsgeschwindigkeit
dieses Verfahrens zu gering, um industriell verwendet zu werden.
Ferner ist in Chem. Abstr. 1974, 80, 28 949s, ein Verfahren zur Nitridierung einer Mischung von SiO2
und C beschrieben, wobei Diatomeenerde als SiO?- Qielle verwendet wird. Mit diesem Verfahren ist es
jedoch nicht möglich, a-Si,Ni von hoher Reinheit
herzustellen.
Der Erfindung Hegt daher die Aufgabe zugrurde. ein
leicht durchzuführendes und leistungsfähiges Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitridpulver mit einem
hohen Gehalt an Λ-Phase. welches sich als Rohstoff für die Herstellung von eine hohe Dichte und Festigkeit
aufweisenden, gesinterten Erzeugnissen aus Siliciumonitrid eignet, zu schaffen.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitridpulver. welches dadurch
gekennzeichnet ist, da'l man amorphes Kohiepulver mit
einer ölabsorption von nicht weniger als 100 ml/100 g Siliciumdioxydpulver im Gewichtsverhältnis von 1 : 1
bis 3:1 verwepdet. Vorzugsweise entfernt man den Restkohlenstoff bei T emperaturen von 550 bis 800c C in
oxydierender Atmosphäre.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird in sehr einfacher Weise Siliciumnitridpulver mit einem hohen
Gehalt an α-Phase und ohne bzw. sehr geringem Gehalt an nichtumgesetztem SiO2 erhalten. Dies beruht darauf,
daß das Siliciumoxydpulver als Folge des niedrigen Siliciumoxydgehaltes des Pulvergemisches zu einem
aktiven. Silicium enthaltenden D-mpf mit einer adäquaten SiO-Konzentration und einer niedrigen
CO-Konzentration reduziert wird und dieser siliciumhaltige Dampf dann zur Reaktion gebracht wird mit
dem Stickstoff, der in dem Kohlepulver mit der hohen ölabsorption im Überschuß adsorbiert ist. Die obenerwähnte
Ölabsorption ist definiert gemäß dem Japanese Industrial Standard (JIS) K6221-1970. Verfahren B. und
wird ausgedrückt durch das Volumen (in ml) an
Dibutylphthalat. welches erforderlich ist. um die in 100 g
Ruß enthaltenen Hohlräume zu füllen.
Zur Herstellung der pulvrigen Ausgangsgemisches wird das Siliciumoxydpulver und amorphe Kohlepulver
in einen Mischer, beispielsweise inen V-Mischer oder
eine Kugelmühle, gegeben und feucht oder trocken gut durchgemischt. Das Gewichtsverhältnis (CZSiO2) des
Kohlepulvers zu dem Siliciumdioxydpulver wird auf nicht weniger als 0.5. vorzugsweise I bis 3. eingestellt.
Dann wird das Pulvergemisch in ein hitzebeständiges, schüssel- oider schalcnförmiges Gefäß aus einem
chemisch nicht angreifbaren Material, beispielsweise Kohlenstoff oder Siliciumnitrid, gegeben. Das Gefäß
wird beispielsweise in einen Röhrenofen gegeben und , auf eine Temperatur von 1300 bis 17000C während eines
gewünschten Zeitabschnittes erwärmt, während ein stickstoffhaltiges, nichtoxydierendes Gas über das
Gemisch geleitet wird. Hierdurch wird das in dem Pulvergemisch enthaltene Siliciumoxydpulver durch das
Kohlepulver zu einem siliciumhaltigen Gas reduziert. Das siliciumhaltige Gas wird dann mit dem in dem
stickstoffhaltigen, nichioxydierenden Gas enthaltenen
Stickstoff zur Reaktion gebracht, wodurch man Siliciumnitrid mit einem hohen Gehalt an Λ-Phase
erhält. Um das stickstoffhaltige, nichtoxydierende Gas
in engen Kontakt mit dem gesamten Pulvergemisch zu bringen und zu verhindern, daß während der obenerwähnten
Nitridierungsstufe und Brennstufe Kohlenmonoxyd
örtlich in dem Pulvergemisch konzentriert wird, ist es wünschenswert, das Pulvergemisch in das
schüsseiförmige Gefäß mit einer Dicke oder Schichtstarke von nicht mehr als 5 cm, vorzugsweise nicht mehr
als 2 cm. einzufüllen. Bei dem stickstoffhaltigen, nichtoxydierenden Gas handelt es sich vorzugsweise um
Sticksloffgas, Ammoniakgas und/oder Gasgemische aus Stickstoff und Inertgas, wie Argon oder Neon. Das
stickstoffhaltige, nichloxydierende Gas wird vorzugsweise mit einer Strömungsgeschwindigkeit von nicht
weniger als 2,0 cm/s zugeführt, wodurch die Konzentra
lion an Kohlenmonoxydgas in der Nähe des Pulvergemisches
niedrig gehalten und hierdurch die Bildung von SiO oder SijONi während des Nitridierns unJ
Brennens in wirkungsvoller Weise verhindert wird.
Das für das erfindungsgemäße Verfahren verwendete Siliciumoxydpulver besteht vorzugsweise aus iiichtkristallinem
Siliciumoxydpulver. insbesondere aus der Dampfphase gewonnenem Siiiciumoxydpulver, wasserfreiem
Siliciumoxydpulver. welches durch Gasphasensynthese erhalten wurde, durch chemische Ausfällung
oder ähnliche Prozesse erhaltenem Siliciumoxydpulver, kristallinem Siliciumoxydpulver und gemahlenem siliciumoxydhaltigen
Sand. Insbesondere bei der Verwendung von aus der Dampfphase gewonnenem Siliciumoxydpuiver
erhält man fein verteiltes Siliciumnitridpulver. da das Siliciumoxydpulver. das durch Abkühlen
eines heißen SiO. Si. S1O2 und O2 enthaltenden Gases
gewonnen wurde, in kleiner Konrgröße und sehr
unregelmäßiger Atomanordnung vorliegt. Das aus der Dampfphase gewonnene Siliciumoxydpulver ist sehr
reaktonsfähig. Die Bildung des Siliciumniirids erfolgt mit einer großen Reaktionsgeschwindigkeit und Keimbildungsgeschwindigkeit.
Auf diese Weise wird ein fein verteiltes Siliciumnitridpulver gebildet.
Eine niedrigere Reaktionsgeschwindigkeit verringert die Keimbildungsgeschwindigkeit, so daß die Kristallwachstumsgpschwindigkeit
der Keirre zunimmt, was zur Bildung grober Siliciumnitridkristalle führt.
Das in dem Pulvergemisch verwendete Kohlepulver kann eine beliebige Rußart mit einer Ölabsorption von
nicht weniger als 100 mI/!00 g sein. Vorzugsweise wird
jedoch Lampenruß. Kaminruß und/oder Acetylenruß verwendet. Im allgemeinen nimmt die ölabsorption zu.
je kleiner die Rußteüchen sind und je größer das Gefüge
ist.
Bei Verwendung von Lampenruß erhält man fein verteiltes Siliciumnitridpulver. Lampenruß besteht zwai
aus Kohlenstoffteilchen mit vergleichsweise großen Korndurchmessern. er besitzt aber ein besonders
großes Gefüge und unterentwickelte Kristallite. Daher
zeigt Lampenruß eine gute Reaktionsfähigkeit und die
Eigenschaft, Stickstoffgas und das als Zwischenprodukt gebildete SiO-Gas zu adsorbieren, so daß die Reaktion
im System beschleunigt wird. Dies hat zur Folge, daß die Keimbildungsgeschwindigkeit von Siliciumnitrid stark
vergrößert wird und fein verteiltes bzw. Siliciumnitridpulver geringer Konrgföße gebildet wird.
Die Ölabsorption des erfindungsgemäß verwendeten Kohlepulvers wird nach· dem in JIS K6221-1970
(Methode B) beschriebenen Verfahren gemessen, Dazu wird eine Probe 1,00±0.01 g trockenen Kohlepulvers
ausgewogen und auf eine glatte Glasscheibe oder Steinplatte von mindestens 300 χ 300 mm gebracht und
mit einem Spatel aus rostfreiem Stahl zerdrückt. Aus einer Bürette gießt man vorsichtig die Hälfte des
voraussichtlich erforderlichen Volumens an Dibutylphthalat (DBP) auf die Glas- oder Steinplatte und
breitet es kreisförmig aus. Dann mischt man die Probe sukzessive in das DBP ein. Sodann fügt man etwa 1A bis
tu '/3 des\Anfangsvohimens des DBP hinzu und wiederhol",
den Vorgang, bis ein gleichförmiges Gemisch erreicht ist Vor dem Erreichen des Endpunktes fügt man das
DBP tropfenweise hinzu, und unmittelbar vor dem Endpunkt in halben Tropfen. Der Endpunkt ist erreicht,
η wenn die gesamte Probe eine feste Masse gebildet hat.
Dieses Verfahren sollte in 10 bis 15 Minuten durchgeführt sein. Drei Minuten nach der Beendigung
des Verfahrens wird das verarbeitete DBP-Volumen abgelesen und die Ölabsorption gemäß der folgenden
21« Gleichung berechnet:
OA = V/lVxlOO:
worin
worin
OA die Ö'qbsorption (ml/100 g) der trockenen Probe,
"' V das bis zum Erreichen des Endpunktes verbrauchte
"' V das bis zum Erreichen des Endpunktes verbrauchte
ölvolumen (ml),
W das Gewicht (g) der trockenen Probe
W das Gewicht (g) der trockenen Probe
bedeuten.
in Wenn anstelle von DBP Leinöl verwendet werden
soll, dann sollte seine Säurezahl 3 oder weniger betragen.
Entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren beträgt die für das Brennen in der Stickstoffatmosphäre
r. erforderliche Temperatur 1300 bis 1700" C. Bei Temperaturen
unterhalb 13000C ist die Geschwindigkeit, mit
welcher sich Siliciumnitrid bildet, zu gering, um eine wirkungsvolle Ausbeute an Siliciumnitripulver zu
ergeben, während bei Temperaturen über 1700°C
·"> steigende Anteile an /J-Siliciumnitrid gebildet werden.
Wird als Siliciumoxydpulver aus der Dampfphase gewonnenes Siliciumoxydpulver verwendet und als
Kohlepulver Lampenruß, so ist eine Brenntemperatur von 1300 bis 1700° C wegen der guten RerkiionsfRhig-
■>'· keit der Reaktanten zufriedenstellend. Wenn jedoch
andere Arten von Siliciumoxydpulver und Kohlepulver verwendet werden, so werden Brenntemperaturen von
1350 bis 1700° C bevorzugt, um eine hohe Geschwindigkeit
der Siliciumnitridbildung zu erzielen.
Bei Temperaturen von 1300 bis 1550'C wird das
Siliciumoxydpulver durch das amorphe Kohlepulver zu einem siliciumhaltigen Dampf reduziert, der dann mit
derr Suckstoff unter Bildung von a-Siliciumnitrid reagiert. Daher ist der größte Teil des Produk'es
>> a-Siliciumnitrid. Bei einer Brenntemperatur oberhalb
von I55O°C reagiert das siliciumhaltige Gas mit dem
amorphen Kohlepuiver unter Bildung steigender Anteile an Siliciumcarbid, so daß sich als Reaktionsprodukt
ein Pulvergemisch aus Siliciumnitrid und Siliciumcarbid
fen ergibt. In diesem Falle weist das Siliciumnitrid einen
Gehalt an α-Phase von nicht weniger als 75% aiii. Die
Geschwindigkeit des Temperaturanstieges wird im Bereich von 1300°C und darüber vorzugsweise nicht
größer eingestellt ?ls 100°C/h, da sich hierbei
fc5 Siliciumnitridpulver mit einem hohen Gehalt an Λ-Phase
bildet.
Die Brennzeit hängt von der Zusammensetzugn des Pulvergemisches, der Brenntemperatur und anderen
Einflußgrößen ab. Wenn beispielsweise das Pulvergemisch, in welchem das Gewichtsverhältnis des amorphen
Kohlepulvers ?nm Siliciumoxydpulver 4 beträgt, bei einer Temperatur von 16000C gebrannt wird, dann
sollte man eine Brennzeit von 1 Stunde oder mehr ί wählen. Wenn jedoch das Pulvergemisch, in welchem
das Gewichtsvehällnis des amorphen Kohlepulvers zum Siliciumoxydpulver 2 beträgt, bei einer Temperatur von
1450 bis 15000C gebrannt wird, dann sollte man eine Brennzeit von 5 Stunden oder mehr wählen. ι»
Das auf diese Weise erhaltene Produkt enthalt einen großen Anteil an Restkohlenstoff. Der Restkohlenstuff
kann dadurch entfernt werden, daß das Produkt in stickstoffhaltiger, nichtoxydierender Atmosphäre auf
eine Temperatur von 550 bis 800°C abgekühlt wird, π
Dann wird die Atmosphäre durch e;ne oxydierende Atmosphäre ersetzt, wodurch der im Produkt enthaltene
Restkohlenstoff oxydiert und entfernt wird. Bei Temperature"· über S00°C so'Ue die siicksioiiliaiiige.
nichtoxydierende Atmosphäre nicht durch eine oxydie- ?<>
rende Atmosphäre ersetzt werden, da das in dem Produkt enthaltene Siliciumnitrid oder Siliciumcarbid zu
Siliciumdioxyd oxydiert wird.
Das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Siliciumnitrid weist einen Gehalt an Λ-Phnse von ?->
nicht weniger als 75 Gew.-% und einen Stickstoffgehalt von nicht weniger als 33 Gew.-°/o auf. Beim Sintern
dieses Siüciumnitridpulvers wird die Sinterfestigkeit verbessert und ein gleichförmiges und fehlerfreies
Gefüge geschaffen. Die gesinterten Siliciumnitrid-Pro- J0 dukte besitzen eine hohe Festigkeit, hohe Dichte,
ausgezeichnete Hochtemperaturfestigkeit, chemische Stabilität und Temperaturschockfestigkeit. Wenn aus
der Dampfphase gewonnenes Siliciumoxydpulver verwendet wird, erhält man fein verteiltes bzw. feinkörniges
Siliciumnitridpulver mit einer durchschnittlichen Korngröße von nicht mehr als 3 .um. Der größere Teil
dieses Siliciumnitridpulvers besteht entweder aus faserförmigen oder aus nadeiförmigen länglichen
Teilchen mit einer Dicke von nicht mehr als 1 μίπ oder ^o
aus länglichen Teilchen und kleinen körnigen Teilchen mit einem Durchmesser von nicht mehr als 1 μπι. Die
aus diesen feinteiligen Siliciumnitridpulvern gesinterter Gegenstände besitzen ausgezeichnete Eigenschaften.
Zwei nach dem erfindungsgemäßen Verfahren *5
hergestellte Siliciumnitridpulver sind in den folgenden Figuren dargestellt.
Fig. 1 zeigt eine elektronenmikroskopische Aufnahme
des in Beispiel 7 erhaltenen, pulverförmigen Erzeugnissesund
Fig.2 zeigt eine rlektronenmikroskopische Aufnahme
des in Beispiel 13 erhaltenen, pulverförmigen Erzeugnisses.
Die Erfindung wird durch die folgenden Beispiele näher erläutert.
Beispiele 1 bis 6
Sechs Typen von amorphem Kohlepulver wurden hergestellt, die Acetylenruß mit einer ölabsorption von
60 384 ml/100 g bzw. Kaminruß mit einer Ölabsorplion von
194 ml/100 g bzw. vier Typen von Lampenruß mit ölabsorptionen von 131 ml/100 g bzw. l39mI/IOOg
bzw. 166mI/100g bzw. 250 ml/100 g enthielten. |edes dieser Kohlepulver wurde mit Siliciumoxydpulver. das
durch Gasphasensynthese hergestellt worden ist, in einem Gewichtsverhältnis (CVSiO2) von 4 feucht
während einer Stunde mit einem magnetischen Rührer gemischt, sodann getrocknet und zu sechs verschiedene^
Pulvergemischen zerkleinert. Nachdem jedes Pulvergemisch in einen schüsselförmigen Behälter aus
Siliciumnitrid in einer Schichtdicke von 5 mm gegeben worden war, wurde der Behälter in einen Röhrenofen
mit einem Durchmesser von 30 mm eingebracht. Während dem Röhrenofen Stickstoffgas mit einer
Strömungsgeschwindigkeit von 7,6 cm/s zugeführt wurde, wurde die Ofentemperatur mit einer Geschwindigkeit
von 400°C/h erhöht und während 5 Stunden auf HöüC gehalten, wodurch das Pulvergemisch nitridiert
und gebrannt wurde. Sodann wurde der Röhrenofen bei weiter zugeführtem Stickstoffgas auf 7000C gekühlt und
auf dieser Temperatur während eines Zeitraumes von 14 Stunden gehalten, währenddem Luft statt Stickstoff
zugeführt wurde, um den Restkohlenstoff abzubrennen. Es ergaben sich sechs pulverförmige Erzeugnisse.
Zum Vergleich wurde Graphitpulver mit einer ölabsorption von 44 ml/100 g mit Siliciumoxydpulver.
das durch Gasphasensynthese hergestellt worden ist. in einem Gewichtsverhältnis (C/SiOj) von 4 gemischt. Das
erhaltene Pulvergemisch wurde in gleicher Weise wie vorstehend beschrieben nitridiert und gebrannt. Man
erhielt ein pulverförmiges (Vergleichsbeispiel 1).
Die Produkte der Beispiele 1 bis 6 und das Produkt des Vergleichsbeispiels 1 wurden einem Identifizierungstest
durch Anfertigung von Röntgenbeugungs-Spektren unterworfen. Dabei ergab sich, daß alle
Produkte der Beispiele ! bis 6 im wesentlichen aus Siliciumnitrid bestanden, während das Produkt des
Vergleichsbeispiels 1 große Anteile an Siliciumcarbid. a-Cristobalit und nichtkristallinem Siliciumoxyd neben
Siliciumnitrid enthielt.
Die Produkte der Beispiele 1 bis 6 wurden ferner mit Hilfe eines Elektronenmirkroskops untersucht. Hierbei
wurde bezüglich ihrer Morphologie festgestellt, daß das Pulver aus Nadeln (0.1 bis 2 μπι Dicke). Fasern (0,2 bis
5 μπι Dicke), Körnern (0.1 bis 4 μπι Durchmesser),
hexagonalen Prismen (0.5 bis 10 μΐη Durchschnittsdurchmesser) und dergleichen bestand. Darunter
herrschten in dem Pulver Nadeln und Fasern vor.
Sodann wurde der Siliciumnitridgehait der Produkte
der Beispiele 1 bis 6 und des Produktes des Vergleichsbeispiels 1 durch Anfertigung von Röntgenbeugungsspektren
analysiert, um den Umwandlungsgrad zu «-Siliciumnitrid (oder den Gehalt an α-Phase)
zu bestimmen. Die Ergebnisse zeigt Tabelle 1. Bei der Berechnung des Umwandlungsgrades zu «-Siliciumnitrid
ergaben sich die Intensitäten Ice (102) und /a(210)
der Beugungslinien Nummern 102 und 210 von A-Si3N.!,
wie auch die Intensitäten /ß(10I) und 7)3(210) der
Beugungslinien Nummern 101 und 210 von JS-Si3N4 aus
dem Röntgenbeugungsspektrum der Pulverprobe, und wurden in die folgende Gleichung eingesetzt:
Umwandlungsgrad zu ff-Siliziumnitrid (in %) =
Ia
(102)
+ Ia
(210)
/ff C102)+/σ (210)+ #(101)+ #(210}
100.
Beispiel 1
2
3
4
5
6
2
3
4
5
6
Vergleichsbeispiel 1
Kohlcpulver
Typ
Typ
Ölahsorplion
(ml/100 g)
(ml/100 g)
Umwand· lungsgrud zu o-Siliziumnilrid
Acelylruß
Kn mi n ruß
Lampenruß
Lampenruß
Lampenruß
Lampenruß
Graphit
384
194
131
139
166
250
44
194
131
139
166
250
44
88 87 87 89 76 93 34
IO
hervorgehi, betrüg der Urmvariulungsgrad
zu a-Siliciumnitrid 76% oder mehr für die mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens erhaltenen
Produkte (Beispiele I bis 6), während er nur 34% für das Produkt des Vergleichsbeispiels I betrug, bei welchem
Graphitpulver mit einer ölabsorption von 44 ml/100 g als Kohlepulver verwendet wurde. 2j
Beispiele 7 bis 9
Aus der Dampfphase gewonnenes Siliciumoxydpul-
Aus der Dampfphase gewonnenes Siliciumoxydpul-
ver mit einer Zusammensetzung gemäß Tabelle 2 und einer durchschnittlichen Teilchengröße von etwa 0,1 μπι
wurde als Siliciumoxydpulver verwendet, und jeder der verschiedenen Rußlypen gemäß Tabelle 3 wurde als
Kohiepulver verwendet. Beide Pulver wurden in einem Gewichtsverhältnis (C/SiO?) von 3 trocken in einem
V-Mischer zu sechs Pulvergemischen (Beispiele 7 bis 9 und Vergleichsbeispiele 2 bis 4) gemischt. Nachdem
jedes Pulvergemisch in einen schüsseiförmigen Behälter •aus Graphit in einer Schichtdicke von 5 mm eingefüllt
worden war, wurde der Behälter in einen Röhrenofen mit einem Durchmesser von 50 mm eingesetzt. Während
diesem Röhrenofen Stickstoffgas mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 2 cm/s zugeführt wurde,
wurde die Ofentemperatur mit einer Geschwindigkeit von 100°C/h erhöht und während 5 Stunden auf 15000C
gehalten, wodurch das Pulvergemisch nitridiert und gebrannt wurde. Dann wurde der Röhrenofen unter
weiterer Zuführung von Stickstoffgas auf 7000C
gekühlt. Danach wurde das erhaltene Pulver in ein Gefäß aus Silikaglas gefüllt und während 14 Stunden in
Luft auf 7000C gehalten, um den Restkohlenstoff abzubrennen. Es ergaben sich sechs pulverförmige
Produkte.
Diese Produkte wurden einem !dentifizierungstest durch Anfertigung von Röntgenbeugungsspektren sowie
einer Stickstoffanalyse unterworfen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
Zusammensetzung des aus der Dampfphase gewonnenen Siliziumoxydpulvers (Durchschnittliche Teilchengröße
etwa 0,1 ;j.m)
Al-,
Fe2O3
MgO CaO
Na2O
K3O
Zündverlusl
99,5% 0,004% 0,02% 0,002% 0,002% 0,01%
0,05%
0,47%
Tabelle 3
Ruß
Ruß
Typ
Asche- Ölabsorp- Metallgehalt (ppm)
gehalt tion
(%) (ml/100 g) Al Fe
Mg
Beispiel
7
8
9
7
8
9
Lampenruß
Acetylenruß
Kaminruß
Vergleichsbeispiel
χ χ^αΓΩρ£ΩΓι1
Kaminruß
Ofenruß
0,07 0,04 1,53
1,75 0,13 0.23 250
384
194
384
194
63
35
70
35
70
24
12
540
22
230 | 2 |
44 | 4 |
42 | 8 |
6170 | 110 |
210 | 6 |
61 | 9 |
ι ο·
Pcak-Intensita't im Röntgenbeugungsspcklrum
σ-Crislobalit SiC
Uniwand- Slick-
lungsgmd stolT-
zu σ-Silizium- gehall
nitric!
Beispiel
7
7
Vergleichsbeispiel
Bewertung der Pcak-Intensität im Röntgenbeugungsspektrum:
++++ > +++ >++> + >- (kein Peak).
Wie aus Tabelle 4 hervorgeht, betrug der Umwandlungsgrad zu a-Siliciumnitrid 92% oder meh für die
Produkte der Beispiele 7 bis 9, und es konnten keine j feststellbaren Anteile an a-Cristobalit und SiC in diesen
Produkten gefunden werden.
Sodann wurden die durchschnittlichen Teilchengrößen der Produkte der Beispile 7 bis 9 mit Hilfe der
Fisher-Untersieb-Klassierung (Fisher Sub-Sieve Sizer)
93 92 92
89 7ö 63
37,2 36,6 37,3
31,3 29,8 35,1
gemessen und ihre Morphologien mit Hilfe eines Elektronenmikroskops bestimmt. Die Ergebnisse sind in
Tabelle 5 angegeben. Ferner ist eine elektronenmikroskopische Aufnahme (5000fach) des pulverförmigen
Erzeugnisses des Beispiels 7 in F i g. 1 dargestellt. Die in dieser Figur gezeigte Linie hat eine Abmessung von
4 μίτι. ■[
Durchschnittliche Teilchengröße
(um)
Produklmorphologie
Beispiel 7 1,7
Beispiel 8 2,9
Beispiel 9 2,6
Fasern (etwa 0,3 ;j.m Dicke), ultrafeine Anteile irregulärer Gestalt
(Durchmesser <Ö,3 μΐη)
Stäbe (etwa 1 bis 2 ;j.m Dicke), Nadeln (etwa 0,8 am Dicke),
feine Partikel irregulärer Gestalt (etwa 0,8 um Durchmesser)
Fasern (etwa 0,7 μιη Dicke), feine Partikel irregulärer Gestalt
(etwa 0,7 Um Durchmesser)
Wie aus Tabelle 5 hervorgeht, ergab sich als Produkt bei Beispiel 7 bei welchem Lampenruß mit einer
ölabsorption von 250 ml/100 g als Kohlepulver verwendet
wurde, das feinteiligste Siliciumnitridpulver.
Beispiele 10 bis 12
Der gleiche Rußtyp wie in Beispeil 7 wurde als Kohlepulver verwendet, und jeder der drei Silicium-
Tabelle 6
Siliziumoxydpulver
Siliziumoxydpulver
oxydpulver-Typen, wie in Tabelle 6 gezeigt, wurde als
Siliciumoxydpulver verwendet. Die erzeugten Pulvergemische
wurden in gleicherweise wie in den Beispielen 7 bis 9 nitridiert und gebrannt. Dann wurden für jedes
Produkt der Umwandlungsgrad zu «-Siliciumnitrid und
der Stickstoffgehalt bestimmt Die Ergebnisse sind in Tabelle 7 angegeben. Die Tabellen 6 und 7 enthalten
auch das Beispiel 7 zu Vergleichszwecken.
Beispiel 7 aus der Dampfphase gewonnenes Siliziumoxydpulver
Beispiel 10 durch Gasphasensynthese gewonnenes Siliziumoxydpulver
durchschnittliche Teilchengröße: etwa 0,01 im Glühverlust: 0,139%
Zusam mensetzung:
Zusam mensetzung:
SiO2 Al2O3 Fe2O3 TiO2
99.8% 0,04% 0.001% 0.02%
Ii. fi
l-orisclzung
Beispiel 11
Beispiel 11
Il
durch chemische Ausfällung gewonnenes Siliziumoxydpulver
durchschnililichc Teilchengröße: 0,9 am
ülühvcrlust: 0,0347c
Zusammensetzung:
SiO2 Al2O., Fe2O3 Na2O
99,9% 0,005% 0,001% 0,06%
gemahlener siliziumoxydhalliger Sand durchschnittliche Teilchengröße: 12 am
Glühverlust: 0,09%
Zusammensetzung:
Zusammensetzung:
12
SiO2 | AI2Oj | Fe2Oj | MgO | CaO | Na2O | K2O |
97,5% | 0,7% | 0,4% | 0,08% | 0,03% | 0,4% | 0,6°/! |
Siliziumoxydpulver
Umvvandlungs- Stickgrad zu slolT-c-Siliziumnilrid
gehalt
Beispiel 7 | aus der Dampfphase gewonnenes Siliziumoxydpulver |
93 | 37,6 |
Beispiel 10 | durch Gasphasensynthese gewonnenes Siliziumoxydpulver |
96 | 37,6 |
Beispiel 11 | durch chemische Ausfällung gewonnenes Siliziumoxydpulver |
90 | 35,1 |
Beispiel 12 | gemahlener siliziumoxydhaltiger Sand | 88 | 34,8 |
Wie aus Tabelle 7 hervorgeht, ergab jeder der drei wurden die Teilchengrößen der Produkte der Beispiele
Siliciumoxydpulver-Typen einen zufriedenstellend ho- 45 10 bis 12 gemessen und ihre Morphologien bestimmt,
hen Umwandlungsgrad zu a-Siliciumnitrid. Die Ergebnisse sind in Tabelle 8 angegeben.
Jn der gleichen Weise wie in den Beispielen 7 bis 9
Beispiel 7
Beispiel 10
Beispiel 10
Beispiel 11
Beispiel 12
Beispiel 12
Durchschnittliche Teilchengröße
(um)
Produktmorphologie
1,7 3,1
4,9 5,7
rasern (etwa 0,3 vim Dicke), ultrafeine Partikel
irregulärer Gestalt (Durchmesser <0,3 am)
Fasern (etwa 1,5 am Dicke), ultrafeine Partikel irregulärer Gestalt (etwa 1 am Durchmesser)
Stäbe (1 bis 3 μπι Dicke), irreguläre Körner (etwa
5 am Durchmesser)
Bänder (etwa 10 am Breite), NadeJn (etwa 0,8 am Dicke)
Wie aus Tabelle 8 hervorgeht, war das Produkt aus Beispiel 7, bei weichem aus der Dampfphase gewonnenes
Siliciumoxydpulver als Siüciumoxydpulver verwendet wurde das feinteiligste Siliciumnitridpulver.
Ein Gemisch aus 50 Gew.-°/o Siliziumoxydpulver,
welches durch Gasphasensynthese erhalten worden war, mit 50 Gew.-% aus der Dampfphase gewonnenem
Siliciumoxydpulver wurde als Siliciumoxydpulver eingesetzt Das sich erghebende Pulvergemisch wurde in
gleicher Weise wie bei den Beispielen 7 bis 12 nitridiert und gebrannt, und es wurden verschiedenene Eigenschaften
des Produktes bestimmt. Es ergab sich ein Umwandlungsgrad zu a-Siliziumnitrid von 95%, ein
Stickstoffgehalt von 37,6% und eine durchschnittliche Teilchengröße von 1,8 μπι. Ferner war die mit Hilfe des
Elektronenmikroskops, wie anhand der elektronenmikroskopischen
Aufnahme der F i g. 2 geze:gt, festgestell-'te
Morphologie dahingehend, daß das Pulver aus Fasern {Oß um Dicke) und ultrafeinen Teilchen von irregulärer
Gestalt (etwa 03 μπι Durchmesser) bestand.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitridpulver mit einem hohen Gehalt an Λ-Phase durch
Nitridieren unter Zuführung eines stickstoffhaltigen, nichtoxydierenden Gases und Brennen eines Pulvergemisches
aus Siliciumdioxyd und kohlenstoffhaltigem Material bei Temperaturen von 13000C bis
17000C, dadurch gekennzeichnet, daß
man amorphes Kohlepulver mit einer ölabsorption von nicht weniger als 10OmVlOOg mit Siliciumdioxydpulver
im Gewichtsverhältnis von 1 :1 bis 3 : 1
verwendet
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß man den im Reaktionsprodukt enthaltenen Restkohlenstoff bei Temperaturen von
550 bis 800° C in oxydierender Atmosphäre entfernt.
3. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß man als Siliciumdioxydpulver
aus der Damp/phase gewonnenes Siliciumoxvdpulver,
durch Gasphasensynthese gewonnenes Siliciumoxydpulver, durch chemische Ausfällung gewonnenes
Siliciumoxydpulver und/oder gemahlenen Siliciumoxyd-haltigen Sand verwendet.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß man als
amorphes Kohlepulver Acetylenruß. Kaminruß und/oder Lampenruß verwende:.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP769476A JPS5290499A (en) | 1976-01-27 | 1976-01-27 | Process for preparing siliconnitride having high alphaaphase content |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2703354A1 DE2703354A1 (de) | 1977-07-28 |
DE2703354C2 true DE2703354C2 (de) | 1983-08-18 |
Family
ID=11672869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2703354A Expired DE2703354C2 (de) | 1976-01-27 | 1977-01-27 | Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitridpulvern |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4122152A (de) |
JP (1) | JPS5290499A (de) |
DE (1) | DE2703354C2 (de) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5515964A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-04 | Tokyo Shibaura Electric Co | Producing silicon nitride sintered body |
JPS5527844A (en) * | 1978-08-16 | 1980-02-28 | Tokyo Shibaura Electric Co | Manufacture of silicon nitride sintered article |
JPS5815463B2 (ja) * | 1978-09-08 | 1983-03-25 | 株式会社東芝 | 窒化ケイ素質焼結体の製法 |
JPS5673603A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-18 | Toshiba Corp | Manufacture of silicon nitride |
JPS5673604A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-18 | Toshiba Corp | Manufacture of silicon nitride |
US4396587A (en) * | 1980-08-29 | 1983-08-02 | Asahi-Dow Limited | Method for manufacture of silicon nitride |
US4388255A (en) * | 1981-03-27 | 1983-06-14 | Boeing Aerospace Co. (A Division Of The Boeing Company) | Method for producing pre-shaped α-silicon nitride whisker compacts and loose whiskers for composite material reinforcement |
US4579699A (en) * | 1983-09-29 | 1986-04-01 | The Boeing Company | Method for making α-Si3 N4 whiskers and articles therefrom |
JPS60221398A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | キラを原料とするβ型窒化けい素ウイスカ−の製造方法 |
US4619905A (en) * | 1984-12-24 | 1986-10-28 | Gte Laboratories Incorporated | Process for the synthesis of silicon nitride |
US4604273A (en) * | 1985-04-19 | 1986-08-05 | Gte Products Corporation | Process for the growth of alpha silicon nitride whiskers |
DE3608352A1 (de) * | 1986-03-13 | 1987-09-17 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von kohlenstoffarmem siliciumnitrid |
DE3612162A1 (de) * | 1986-04-11 | 1987-10-15 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von siliciumnitrid |
US4701316A (en) * | 1986-08-29 | 1987-10-20 | Allied Corporation | Preparation of silicon nitride powder |
US4914063A (en) * | 1988-04-04 | 1990-04-03 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Process for producing organic products containing silicon, hydrogen, nitrogen, and carbon by the direct reaction between elemental silicon and organic amines |
JPH04243906A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-09-01 | Lonza Ag | α−窒化ケイ素粉末の製造方法 |
US5538675A (en) * | 1994-04-14 | 1996-07-23 | The Dow Chemical Company | Method for producing silicon nitride/silicon carbide composite |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US928476A (en) * | 1909-03-17 | 1909-07-20 | Alf Sinding-Larsen | Process of manufacturing silicon nitrid. |
GB191015641A (en) * | 1910-06-29 | 1911-03-30 | Charles Thomas Lee | Improvements in or relating to the Ventilation of Strong Rooms. |
US3244480A (en) * | 1964-03-03 | 1966-04-05 | Robert C Johnson | Synthesis of fibrous silicon nitride |
AU458193B2 (en) * | 1970-09-26 | 1975-02-20 | Joseph Lucas (Industries) Limited | Silicon nitride products |
US3959446A (en) * | 1974-03-01 | 1976-05-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Synthesis of high purity, alpha phase silicon nitride powder |
JPS5238500A (en) * | 1975-09-22 | 1977-03-25 | Toshiba Corp | Production of alpha-silicon nitride powder |
-
1976
- 1976-01-27 JP JP769476A patent/JPS5290499A/ja active Pending
-
1977
- 1977-01-27 US US05/763,094 patent/US4122152A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-01-27 DE DE2703354A patent/DE2703354C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4122152A (en) | 1978-10-24 |
JPS5290499A (en) | 1977-07-29 |
DE2703354A1 (de) | 1977-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2703354C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitridpulvern | |
DE3305057C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid-Whiskern | |
DE2814235C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von a -Siliziumnitridpulver | |
DE2642554C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von a- Siliziumnitrid | |
DE3333406A1 (de) | Feines aluminiumnitridpulver, verfahren zu seiner herstellung und es enthaltendes mittel | |
DE10297420T5 (de) | Kubisches Bornitrid mit geringem Sauerstoffgehalt und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2528869C3 (de) | Sinterkörper auf der Basis von Siliziumnitrid und ein Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE1542037A1 (de) | Verfahren zur Herstellung feinverteilter metallhaltiger Pulver | |
DE3633030A1 (de) | Aluminiumoxid-titandioxid-compositpulver und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE2737521B2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Pulvers von | |
EP0279389B1 (de) | Katalysator für die Dampfreformierung von Kohlenwasserstoffen | |
DE102008062177A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumnitrid | |
DE3000463A1 (de) | Hochreines siliziumnitrid-pulver und verfahren zu seiner herstellung | |
EP1140698B1 (de) | Verfahren zur herstellung von wolframkarbiden durch gasphasenkarburierung | |
DE3541238C2 (de) | ||
DE2833909C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von aktivem Borcarbid enthaltendem Siliziumcarbidpulver | |
DE3100554C2 (de) | ||
DE3835966C2 (de) | ||
DE3912686C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Aluminiumnitridpulver | |
DE4013923A1 (de) | Siliciumnitridpulver, siliciumnitrid-sinterkoerper und verfahren zu deren herstellung | |
DE19519864A1 (de) | Siliciumnitridsinterprodukt und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP1343735B1 (de) | Verfahren zur herstellung von wolframcarbid | |
DE2253684C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Urandioxid durch Defluorieren und Einstellen des Sauerstoff-zu-Metall-Verhältnisses einer Uranverbindungen enthaltenden Feststoffteilchen-Zusammensetzung | |
DE19630114A1 (de) | Siliciumnitridpulver und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE4134144A1 (de) | Karbidisches spritzpulver |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8125 | Change of the main classification |
Ipc: C01B 21/068 |
|
8126 | Change of the secondary classification |
Ipc: ENTFAELLT |
|
D2 | Grant after examination | ||
8381 | Inventor (new situation) |
Free format text: MORI, MASAAKI, HADANO, KANAGAWA, JP TAKAI, NORIHIRA, YAMATO, KANAGAWA, JP |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |