DE2428926C2

DE2428926C2 - Vorrichtung zum beidseitigem Kopieren von Schaltungsmustern auf ein Halbleiterplättchen

Info

Publication number: DE2428926C2
Application number: DE2428926A
Authority: DE
Inventors: Ichiro Yokohama Kanagawa Kano; Hideki Kawasaki Kanagawa Yoshinari
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1973-06-18
Filing date: 1974-06-15
Publication date: 1985-11-28
Also published as: JPS5017973A; FR2233650A1; FR2233650B1; JPS5636566B2; GB1462388A; US3950094A; DE2428926A1

Description

darauf zurückzuführen, daß bei Erfüllung der genannten Bedingung die Bildebene des einen Abbildungssystems Γ bis 5' entsprechend der Dicke des Halbleiterplättchens in die Bildebene 6a des anderen A.bbildungssystems i bis 5 verschoben wird, welche bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel eine t>3^:ldurchlässige Beschichtung aufweist, weiche die Objektebene des Mikroskops 8 bildet

Wenn zum Einjustieren ein sehr dünner halbdurchlässiger Spiegel mit einer Dicke von etwa IG Mikrometer eingesetzt wird, ist die durch den Halbspiegel verursachte Aberration oder Brennpunktverschiebung vernachlässigbar klein.

Das der Kopiermaske 4 zugeordnete Schaltungsmu-.ster wird mit Hilfe des Projektionssystems 5 auf der Oberfläche 6a der Platte 6 ausgebildet, dort und an dem halbdurchlässigen Spiegel 7 reflektiert und durch das Mikroskop 8 beobachtet Das der anderen Kopiermaske 4' zugeordnete Schaltungsmuster, das L der Bildebene Wb auf der Unterseite des HalWeherplättchens W abgebildet werden soll, wird bei Erfüllung der genannten Bedingung für die Platte 6 in die Bildebene 6a des Abbildungssystems 1 bis 5 verlagert, so daß beide Abbildungen in der Bildebene 6a beobachtet werden können. Durch Verschieben der Kopiermaske 4 bzw. 4' quer zur optischen Achse kann deshalb während einer Beobachtung durch das Mikroskop eine Einjustierung der Abbildungslage der beiden Schaltungsmuster auf die Oberseite bzw. Unterseite des anschließend einzusetzenden 1 lalbleiterplättchens Verfölgen.

Die Beobachtung einer geeigneten Justierlage kann auch vorgenommen werden, wenn der halbdurchlässige Spiegel 7 und das Mikroskop 8 zwischen der Kondensorlinse 3 und der Kopiermaske 4 angeordnet werden. In einem derartigen Fall erfolgt die Abbildung des Schaltungsmusters der Kopiermaske 4' auf der Platte 6 durch das Abbildungssystem Γ bis 5' und diese Abbildung wird durch das Projektionslinsensystem 5 auf die Kopiermaske 4 abgebildet. Deshalb kann eine Beobachtung der Kopiermaske 4 und der darauf erfolgten Abbildung erfolgen, um das Einjustieren durchführen zu können. Bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel ist es deshalb nicht erforderlich, daß die planparallele Platte 6 eine teildurchlässige Beschichtung aufweist, welche die Objektebene des Mikroskops 8 bildet. In diesem Falle ist jedoch ein Abbildungssystem wie beispielsweise ein tclezentrisches optisches System erforderlich, das eine ausreichende Intensität des Lichts für die Abbildung auf der Kopiermaske gewährleistet Eine Abwandlung dieses Ausführungsbeispiels ist ferner dadurch möglich, d;iß zum Einjustieren die eine Kopiermaske auf der Oberfläche der Platte 6 angeordnet wird und die Abbildung des Schaltungsmusters der anderen Kopiermaske auf die erste Kopiermaske erfolgt.

Obwohl bei dem zuerst beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispiel die teildurchlässige Beschichtung der Oberfläche der planparallelen Platte 6 vorgesehen im, kann diese teildurchlässige Schicht auch auf der Unterseite der Platte oder getrennt davon vorgesehen werden. Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel, bei dem eine nicht beschichtete Glasplatte verwendbar ist, kann ferner diese Glasplatte an irgendeiner Stelle hinter dem Projektionslinsensystem 5' angeordnet werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

1 2

Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, eine Vorrlch-

Patentansprüche: tung der eingangs genannten Art unter möglichst weit

gehender Vermeidung der genannten Nachteile und

L Vorrichtung zum beidseitigen Kopieren von Schwierigkeiten derart zu verbessern, daß mit Hilfe ci-Schaltungsniustern auf ein Halbleiterplättchen, ins- 5 nes einzigen Mikroskops eine genaue relative Einjusiiebesondere zur Herstellung von integrierten Schal- rung der beiden Abbildungsmuster bei Halbleiterplätttungen, mit einem ersten und einem zweiten Abbil- chen mit unterschiedlicher Dicke durchführbar ist
dungssystem mit je einer dem betreffenden Schal- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einer Vor-

tungsmuster entsprechenden Kopiermaske, wobei richtung der eingangs genannten Art durch den Gegcnmindestens eine der beiden Kopiermasken quer zur io stand des Patentanspruchs 1 gelöst Eine vorteilhafte optischen Achse einjustierbar angeordnet ist sowie Weiterbildung der Erfindung ist Gegenstand des Untermit einem Mikroskop zur Beobachtung der Abbil- anspruchs.

dungsmuster bei der Durchführung der relativen Anhand der Zeichnung soll die Erfindung beispiels-

Einjustierung, dadurch gekennzeichnet, weise näher erläutert werden. Es zeigt
daß das zu belichtende Halbleiterplättchen (W)zur 15 Fig. 1 eine schematische Schnittansicht einer VorDurchführung der Beobachtung der beiden Abbil- richtung gemäß der Erfindung zum beidseitigen Kopiedungsmuster durch eine derartige planparallele Plat- ren von Schaltungsmustern auf ein Halbleiterplättchen; te (6) aus Glas oder dergleichen transparentem Ma- und

terial auswechselbar ist daß die Bildebene (Wb) des Fi g. 2 die in Fi g. 1 dargestellte Vorrichtung bei der

einen Abbildungssystems (Y bis 5') entsprechend der 20 Durchführung einer relativen Einjustierung.
Dicke des Halbleiterplättchens in die Bildebene (6a) In der in F i g. 1 dargestellten Vorrichtung ist ein

des anderen Abbildungssystems (1 bis 5) verlagerbar Halbleiterplättchen W angeordnet dessen gegenüberist, und daß die planparallele Platte (6) die Bedin- liegende Oberflächen geschliffen und mit einem lichtgung empfindlichen Material beschichtet sind. Das Halblei-

25 terplättchen kann mit Hilfe einer Einstelleinrichtung in

tw = tp(\ — l/n) einer vorbestimmten Lage angeordnet werden. Die

Vorrichtung enthält zwei Abbildungssysteme 1 bis 5

erfüllt wobei t_p die Dicke, η der Brechungsindex der bzw. V bis 5'. Das in Fig. 1 oben dargestellte Abbil-Platte und f^die Dicke des Halbleiterplättchens ist. dungssystem 1 bis 5 dient zur Abbildung in einer BiId-2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn- 30 ebene Wa auf der Oberseite des Halbleiterplättchens W zeichnet daß die planparallele Platte (6) in der Bild- und das andere Abbildungssystem 1' bis 5' dient zur ebene (6a) des anderen Abbildungssystems (1 bis 5) Abbildung in einer Bildebene Wb auf der Unterseite des eine teildurchlässige Beschichtung aufweist, welche Halbleiterplättchens W.

die Objektebene des Mikroskops (8) bildet. Die beiden Abbildungssysteme enthalten eine Licht-

35 quelle 1 (bzw. V), einen Spiegel 2, eine Kondensorlinse 3,

eine Kopiermaske 4 und ein Projektionslinsensystem 5.

Die beiden Kopiermasken 4, 4' sind quer zur optischen Achse einjustierbar angeordnet. Der Abstand der bei-

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum beidsei- den Bildebenen Wa, Wb entspricht der Dicke des HaIbtigen Kopieren von Schaltungsmustern auf ein Halblei- 40 leiterplättchens.

terplättchen, insbesondere zur Herstellung von inte- Unter Bezugnahme auf F i g. 2 soll die Einjustierung

grierten Schaltungen, entsprechend dem Oberbegriff näher erläutert werden. Zur Einjustierung findet eine des Patentanspruchs 1. planparallele Platte 6 aus Glas oder dergleichen trans-

Es ist bereits eine Vorrichtung dieser Art bekannt, bei parentem Material Verwendung. Neben der Vorrichder ein Mikroskop seitlich von dem Halbleiterplättchen 45 tung ist ein Mikroskop 8 mit einem Objektiv 9 und angeordnet ist, durch das gleichzeitig die auf gegen- einem Okular 10 angeordnet um mit hilfe eines im überliegenden Seiten des Halbleiterplättchens proji- Strahlengang angeordneten halbdurchlässigen Spiegels zierten Abbildungsmuster beobachtet werden können, 7 eine Beobachtung der Abbildungsmuster bei der um eine Einjustierung der Relativlage der beiden Abbil- Durchführung der relativen Einjustierung durchführen dungsmuster zu ermöglichen. Da jedoch die Schärfen- 50 zu können. Nach dem Einjustieren werden die Platte 6 tiefe eines Mikroskops sehr gering ist, können damit nur und das Mikroskop 8 wieder entfernt,
die Abbildungsmuster auf den gegenüberliegenden Sei- Die Gasplatte 6 wird derart im Strahlengang der Vor-

ten verhältnismäßig dünner durchsichtiger Halbleiter- richtung angeordnet, daß die Lage ihrer Oberfläche 6a plättchen beobachtet werden. der Lage der Oberfläche Wa des Halbleiterplättchens

Schwierigkeiten dieser Art können bei der Verwen- 55 W entspricht Die planparallele Platte 6 erfüllt die Bedung einer anderen bekannten Vorrichtung dieser Art dingung:
dadurch vermieden werden, daß zwei Objektive sym-

metrisch zu dem Halbleiterplättchen angeordnet wer- t_w = f_p(l - Mn)

den und das Licht von diesen Objektiven über einen

halbdurchlässigen Spiegel einem gemeinsamen Okular 60 wobei t_p die Dicke der Platte, η der Brechungsindex des zugeführt wird. Die relative Einjustierung der Abbil- Materials der Platte und t_w die Dicke des Halbleiterdungsmuster auf den gegenüberliegenden Seiten des plättchens Wist. Die planparallele Platte 6 weist ferner Halbleiterplättchens erfolgt durch Bewegung des einen eine in der Bildebene 6a des Abbildungssystems 1 bis 5 Abbildungsmusters unter Verwendung des anderen Ab- liegende teildurchlässige Beschichtung auf, welche die bildungsmusters als Bezugsgröße. Dabei ergibt sich je- 65 Objektebene des Mikroskops 8 bildet,
doch die Schwierigkeit, daß zwei Objektive erforderlich Beim Einjustieren wird das auf die Unterseite Wb des

sind, die genau relativ zu der optischen Achse einjustiert Halbleiterplättchens W zu kopierende Schaltungsmusein müssen. ster auf die Oberseite 6a der Platte 6 abgebildet Dies ist