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DE2345686A1 - Bildwiedergabe- und/oder -umwandlungsvorrichtung - Google Patents

Bildwiedergabe- und/oder -umwandlungsvorrichtung

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Publication number
DE2345686A1
DE2345686A1 DE19732345686 DE2345686A DE2345686A1 DE 2345686 A1 DE2345686 A1 DE 2345686A1 DE 19732345686 DE19732345686 DE 19732345686 DE 2345686 A DE2345686 A DE 2345686A DE 2345686 A1 DE2345686 A1 DE 2345686A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
drain
main surface
source
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19732345686
Other languages
English (en)
Inventor
John Ernest Ralph
John Martin Shannon
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GB4395672A external-priority patent/GB1444541A/en
Priority claimed from GB4395772A external-priority patent/GB1444542A/en
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2345686A1 publication Critical patent/DE2345686A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Description

PHB.32278, Va/EVH.
P atenl assessor
Anmelder: M.V. PHILIPS1 ßLOcIUMPEMFABRIEKE»
Aktes PH (\ *? O
Änmeldunifl vom ι
und/oder -umwandlungsvorrichtuiig
Die Erfindung bezieht sich auf eine Bildwiedergabetmä/oder —umwandlungsvorrichtung mit einer Matrix von FeIdeffekttransistoTstarttkturen, wobei ein Wiedergabeelement elektrisch mit der Source- und/oder Drain-Elektrode jedes Transistors in Reihe geschaltet ist.
Bildverst&rkervorrichtungen, bei denen der elektrische Feldeffekt benutzt wird, sind in der britischen Patentschrift 1201374 und in der britischen Patentschrift 12020^9 beschrieben, Diese -Vorrichtungen wirken für viele Anwendungen nicht befriedigend, entweder weil ihre Ansprechgeschwindigkeit niedrig ist oder weil sie optisch zurückgesetzt werden müssen oder eine Umgebung-niedrigen Druckes erfordern.
A098U/0882
- 2 - PIiB.32278.
2 34->iS86
Die Erfindung bezweckt, eine Feststoffbildwiedergabe-'und/oder -Umwandlungsvorrichtung zu schaffen, die eine hohe Verstärkung aufweist und in der die obengenannten Nachteile wenigstens teilweise beseitigt werden.
Eine Bildwiedergabe- und/oder —Umwandlungsvorrichtung nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass sie eine Matrix von Feldeffekttransistorstrukturen enthält, die gesonderte Gates zur Bildung von Verarmungszonen innerhalb der Kanäle der genannten Transistorstrukturen aufweisen, wobei ein Bildwiedergabeelement mit der Source- und/oder Drain-Elektrode jeder Transistorstruktur elektrisch in Reihe geschaltet ist, und wobei die Matrix von Strukturen derart angeordnet ist, dass von ausserhalb der Matrix gerichtete Strahlung in Form eines Bildes in den genannten Verarmungszonen oder innerhalb einer Diffusionslange von diesen Verarmungszonen Ladungsträger erzeugen kann«
Die Gate-Elektrode kann aus einer Metallschicht bestehen, die gegen den Kanal oder die Kanalzonen mittels einer Isolierschicht isoliert ist. Vorzugsweise bildet die Gate-Elektrode einen gleichrichtenden Gate-Uebergang mit den Kanalzonen*
Der Gate-Uebergang jeder Transistorstruktur kann durch einen pn-Uebergang in Form eines HomoÜbergangs zwischen Zonen verschiedener Leitfähigkeitstypen, aber aus demselben Halbleitermaterial, oder durch einen gleichrichtenden HeteroÜbergang zwischen verschiedenen Halbleitermaterialien gebildet werden, Der Gate-Uebergang kann auch durch einen Metallkontakt
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ORIGINAL INSPECTED
PHB.32278.
auf dem Material des Kanals der Transistorstruktur gebildet werden, um einen Schottky-Uehergang zu erhalten.
Vorzugsweise ist für alle Gate-Elektroden ein gemeinsamer Adressierleiter vorgesehen, der mit jeder Gate-Elektrode über eine eigene Sperrschicht zur Verhinderung des Abfliessens von Ladung von der Gate-Elektrode zu dem Leiter verbunden ist. Jede dieser Sperrschichten kann durch einen Kondensator oder einen gleichrichtenden Uebergang in Form eines pn-Homoübergangs, eines HeteroÜbergangs oder eines Schottky-Uebergangs gebildet werden.
Jedes Wiedergabeelement kann z.B. aus einem unter der Einwirkung von Wechselstrom oder einem unter der Einwirkung von Gleichstrom aufleuchtenden Material bestehen oder durch eine elektrolumineszierende Diode gebildet werden, die aus einem in der Durchlassrichtung vorgespannten Uebergang oder einem in der Sperrichtung vorgespannten Schottky-Uebergang besteht. Auch kann dieses Element vom Flüssigkristalltyp sein. Die Wiedergabeelemente können einen kontinuierlichen Wiedergabeschirm bilden.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 einen (nicht masstäblichen) Querschnitt durch einen Teil einer ersten Bildumwandlungs- und -wiedergabevorrichtung, in der elektrische Leitung in lateraler Richtung auftritt,
Fig. 2 einen (nicht masstäblichen) Querschnitt durch einen Teil einer zweiten Bildumwandlungs- und -wiedergabe-
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vorrichtung, in der elektrische Leitung in der Dickenrichtung auftritt,
Fig. 3 und k einen Querschnitt durch bzw. eine Draufsicht auf einen dritten Bildumwandlungs- und - wiedergabevorrichtung (nicht masstäblich), in der Leitung in lateraler Richtung auftritt j
Fig. 5 ein Äquivalentes Schaltbild des in Fig. k gezeigten Teiles der Vorrichtung,
Fig. 6 und 7 (nicht masstäblich) einen Querschnitt durch bzw. eine Draufsicht auf eine vierte Bildumwandlungs- und -wiedergabevorrichtung, in der Leitung in lateraler Richtung auftritt,
Fig. 8 ein äquivalentes Schaltbild des in Fig. 7 gezeigten Teiles der Vorrichtung, und
Fig. 9 einen Querschnitt durch eine fünfte Bildumwandlungs- und -wiedergabevorrichtung, in der Leitung in der Dickenrichtung auftritt.
In Fig. 1 ist die obere Fläche einer Glastragplatte 1 mit kammartig ineinander eingreifenden transparenten Elektrodenstreifen 2, 3 aus Zinnoxyd versehen, die sich quer zur Zeichnungsebene erstrecken. Die Herzlinien der Streifen 2,3 können etwa 500/um auseinander liegen und die Streifen können je eine Breite von etwa 250yum aufweisen. Vie schematisch dargestellt ist, sind die wechselweise angebrachten Streifen 2, gleich wie die wechselweise angebrachten Streifen 3, elektrisch miteinander verbunden. Die Streifen 2, 3 kontaktieren eine Schicht 4 aus elektrolumineszierendem Material, z. B, auf
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geeignete Weise dotiertem ZnS in einem Epoxydharzbindmittel. Die Schicht 4 kann eine Dicke von etwa 50 /um aufweisen und wird, nach Aushärtung, mit einer Schicht 5 aus (n-leitendem) Zinkoxydpulver in einem Styrolbutadienkopolymerbindemittel mit einer Dicke von etwa 25 /um überzogen.
Auf der Schicht 5 sind halbdurchlässige Streifen 6 aus p-leitendem Material, wie Cu2S, angebracht. Diese Streifen erstrecken sich quer zur Zeichnungsebene und bedecken je mindestens den Spalt 7 zwischen einem Streifen 2 und einem Streifen 3 und überlappen vorzugsweise auch einen Teil der entsprechenden Streifen 2 und 3» wie dargestellt ist. Die Streifen 6 werden parallel zu der Zeichnungsebene in nahezu quadratische Elemente unterteilt, deren Grosse für das erforderliche Auflösungsvermögen geeignet ist, wobei alle Elemente mit einem gemeinsamen Adressierleiter 8 versehen sind (der schematisch dargestellt ist; er kann in der Praxis auf einer Isolierschicht angebracht sein, die auf der oberen Fläche der Schicht 5 und auf den Streifen 6 liegt), der mit jedem Element jedes Streifens 6 über einen gesonderten Schottky-Gleichrichterübergang verbunden ist, der durch eine MetallkontaktfiSche 9 gebildet wird. Das Metall jeder Fläche 9 kann Gold sein und kann in einem Fenster in der obengenannten Isolierschicht angebracht sein, wenn letztere vorhanden ist·
Beim Betrieb wird eine Wechselspannung zwischen den Klemmen 10 und 11 und somit zwischen den wechselweise angebrachten Streifen 2 und 3 angelegt, die den Source- und den
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Drain-Anschluss einzelner Peldeffekttransistorstrukturen bilden, wobei Leitung zwischen zwei benachbarten Streifen 2 und 3 Ober die Halbleiterschicht 5 auftritt (die Schicht k ist viel dünner als die Trennung zwischen benachbarten Streifen 2 und 3 und weist somit einen viel, niedrigeren Widerstand in der Dickenrichtung als direkt zwischen jedem Paar benachbarter Streifen 2 und 3 auf). An den Adressierleiter 8 wird ein negativer Impuls in bezug auf die Streifen 2 und 3 angelegt, wodurch die Elemente der Streifen 6 aufgeladen werden, die je einen Gateöbergang för eine Feldeffekttransistorstruktur bilden, deren Source- und Drain-Anschlüsse durch die Streifen 2 und 3 gebildet werden, wobei der Spalt zwischen diesen Streifen von dem entsprechenden Element bedeckt wird. Die Ladung jeder Gate-Elektrode 6 (die nicht abfliessen kann, wenn der Impuls an der Leitung 8 eliminiert wird, weil die Schottky-Barriere, die durch den Uebergang zwischen der entsprechenden Fläche 9 und der Gate—Elektrode 6 gebildet wird, in der Sperrrichtung vorgespannt wird erzeugt eine Verarraungszone, die sich über den unterliegenden Teil der Schicht 5 erstreckt und dadurch den Leitungsweg zwischen dem entsprechenden Streifen 2 und dem Streifen 3 an dieser Stelle absperrt. Daher fliesst nahezu kein Strom durch die elektrolumineszierende Schicht 4 und das durch die Glastragplatte 1 beobachtete Bild ist daher gleichmässig dunkel.
Wenn nun ein Eingangsstrahlungsbild auf die obere FlSche der Vorrichtung einfällt und die einfallende Strahlung derartig ist, dass sie bis zu den Verarmungszonen vordringen
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und in diesen Zonen unter den Gate-Elektroden 6 absorbiert werden oder innerhalb einer Diffusionslänge von diesen Verarmungszonen gelangen kann, werden Elektronen-Loch-Paare mit einer der Intensität der Eingangsstrahlung proportionalen Geschwindigkeit erzeugt, wobei die resultierenden Ladungsträger in den Verarmungszonen teilweise die Ladungen an den entsprechenden Gate-Elektroden neutralisieren. Die entsprechenden Verarmungszonen ziehen sich daher zusammen und Leitung tritt zwischen den entsprechenden Streifen 2 und 3 an Punkten auf, an denen Strahlung einfällt, was zur Folge hat, dass von den entsprechenden Teilen der elektrolumineszierenden Schicht k Licht emittiert wird, dessen Intensität der einfallenden Strahlung an dieser Zone nahezu proportinal ist. Es sei bemerkt, dass die Vorrichtung den Effekt der Eingangsstrahlung integrieren kann, wobei Belichtung mit dieser Strahlung während längerer Zeit zur Folge hat, 'dass sich die Verarmungszonen in zunehmendem Masse zusammenziehen und die von den entsprechenden Teilen der Schicht emittierte Strahlungsmenge grosser wird. Di· Vorrichtung kann für eine neue Belichtung dadurch wiedereingestellt werden, dass wieder ein negativer Impuls an die Leitung 8 angelegt wird, wobei vor dem Anlegen dieses Impulses die Vorrichtung das Bild speichern kann.
Es ist einleuchtend, dass, wenn das Material der Schicht 5 für die von dem Material 4 emittierte Strahlung empfindlich wäre, eine positive optische Rückkopplung zwischen diesen beiden Materialien auftreten würde. Daher muss sichergestellt werden, dass dies nicht der Fall ist, oder, wenn
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dies wohl der Fall ist, dass eine undurchsichtige Schicht geeigneter Leitfähigkeit (nicht dargestellt) zwischen den Schichten k und 5 als Abschirmung angebracht wird.
Die Strahlung, auf die die Vorrichtung anspricht, und die von der Vorrichtung emittierte Strahlung werden u.a. durch die Materialien der Schichten h und 5 bestimmt. Die Vorrichtung kann daher dadurch für verschiedene Eingangs- und Ausgangsstrahlungen eingerichtet werden, dass die Materialien der Schichten h und 5 passend gewählt werden.
In Fig. 2 sind entsprechende Teile möglichst mit den gleichen Bezugsziffern wie in Fig. 1 bezeichnet.
Die Vorrichtung nach Fig. 2 enthält eine Einkristallschicht 5 aus η-leitendem Silicium, auf deren unterer Fläche sich eine Schicht 4 aus elektrolumineszierendem Material, wie mit Kupfer und Mangan dotiertem Zinksulfid, abgelagert hat. Eine Matrix ringförmiger Elektroden 3» z.B. aus transparentem Zinnoxyd, zusammen mit diese Elektrode minteinander verbindenden isolierten elektrischen Leitern (schematisch als eine bei 11 endende Leitung dargestellt) befindet sich auf der Oberfläche der Schicht 4 und bilden ohmsche Verbindungen mit dieser Schicht, ErwOnschtenfalls kann sich auch innerhalb jedes Ringes 3 transparentes leitendes Material erstrecken; dieses Material kann dünner als der umgebende Ring 3 sein, damit eine optimale Transmission von Ausgangsstrahlung durch dieses Material erzielt wird. Ringförmige p+-Zonen 6 werden durch Diffusion in der oberen Fläche der η-leitenden Siliciümschicht 5 angebracht, welche Zonen zu den Elektroden 3 koaxial sind und
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Gate-Uebergänge rait der Schicht 5 bilden. Das Gebilde der Siliciumschicht 5 und der darauf abgelagerten Schicht 4 sowie der Elektroden 3 samt den Verbindungen zwischen diesen Elektroden wird von einer Glasplatte 1 getragen.
Eine dünne Isolierschicht 12 wird auf der oberen Fläche der Siliciumschicht 5 angebracht und bedeckt die ρ -Zonen 6, wodurch die Schicht 12 ein Fenster aufweist, das mit der gemeinsamen Achse jeder Zone 6 und der darunter liegenden Elektrode 3 zusammenfällt. Metallkontakte 2 und 9» z»B. aus Gold, werden auf der Schicht 12 abgelagert, wobei die Kontakte 2 einen nahezu kreisförmigen Umfang aufweisen und η -Oberflächen-Drain-Zonen der Schicht 5 über das Fenster in der Schicht 12 kontaktieren, während die Kontakte 9 einen nahezu C-f8rmigen Umfang aufweisen und über den diffundierten Zonen 6 liegen, aber gegen diese Zonen isoliert sind. Auf diese Weise ist mit jeder Gate-Elektrodenzone 6 ein MIS-Speicherkondensator in Reihe geschaltet. Die Kontakte 9 sind alle miteinander über Leiter verbunden, die auf der Schicht 12 abgelagert und schematisch als ein Leiter 8 dargestellt sind, während die Kontakte 2 auf gleiche Weise miteinander über Leiter verbunden sind, die schematisch dargestellt sind und an 10 enden.
Beim Betrieb wird eine Spannung zwischen den Klemmen und 11 und somit zwischen jedem Paar von Kontakten 2 und 3 angelegt, welche Kontakte die Drain- bzw, Source-Anschlüsse einzelner Sperrschicht-Feldeffekttransistorstrukturen bilden, deren Gate-Elektroden durch die ringförmigen diffundierten Zonen 6 gebildet werden. Ein Teil der elektrolumineszierenden
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Schicht k liegt elektrisch in Reihe mit der Source-Drain-Strecke 3»5,2 jeder Transistorstruktur und dieser Teil leuchtet auf, wenn der entsprechende Transistor leitend ist.
Anfänglich wird an den Gate-Adressierleiter 8 ein positiver Impuls angelegt, wodurch die Gate-El-ektroden 6 über die durch die unmittelbare Nähe der Kontakte 9 und der Gate-Elektroden 6 erhaltenen Kondensatoren positiv aufgeladen werden. Dadurch würde jedoch der Uebergang zwischen jeder Zxrae 6 und der Schicht 5 in den leitenden Zustand gebracht werden. Die Zonen 6 behalten somit ihre ursprünglichen Potentiale bei und die Kondensatoren laden sich stattdessen auf. Am Ende des positiven Impulses nehmen die Kontakte 9 wieder Nullpotential an, wodurch die Zonen 6 negativ aufgeladen werden, weil sich die Kondensatoren nicht entladen können (die Uebergänge zwischen den Zonen 6 und der Schicht werden in der Sperrichtung vorgespannt). Eine Verarmungszone wird daher unter jeder Zone 6 gebildet und erstreckt sich durch die Schicht 5» wodurch der axiale Stroraweg von der entsprechenden Source-Elektrode 3 zu der entsprechenden Drain-Elektrode 2 abgesperrt wird. Daher fliesst nahezu kein Strom durch die elektrolumineszierende Schicht 4 und das durch die Glastragplatte 1 beobachtete Bild ist daher gleichmässig dunkel.
Wie oben an Hand der Fig. 1 beschrieben wurde, werden, wenn ein Eingangsstrahlungsbxld auf der oberen Fläche der Vorrichtung einfällt und die einfallende Strahlung derartig ist, dass sie bis zu den Verarmungszonen der Gate-Elektroden
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vordringen oder in diesen Zonen absorbiert werden oder innerhalb einer Diffusionslänge von diesen Zonen gelangen kann, die erzeugten Elektron-Loch-Paare teilweise die Ladungen an den entsprechenden Gate-Elektroden neutralisieren. Die entsprechenden Verarmungszonen ziehen sich daher zusammen und Leitung tritt zwischen dem entsprechenden Source-Anschluss 3 und dem entsprechenden Drain—Anschluss 2 an Punkten auf, an denen Strahlung einfällt, was zur Folge hat, dass die entsprechenden Teile der elektrolumineszierenden Schicht Licht emittieren, dessen Intensität der Intensität der einfallenden Strahlung an dieser Zone nahezu proportional ist. Es sei bemerkt, dass die Vorrichtung wieder den Effekt der Eingangsstrahlung integrieren kann, wobei Belichtung mit dieser Strahlung während längerer Zeit zur Folge hat, dass sich die Verarmungszonen in zunehmendem Masse zusammenziehen und die von den entsprechenden Teilen der Schicht 4 emittierte Strahlungsmenge grosser wird. Die Vorrichtung kann dadurch für eine neue Beliohtung wiedereingestellt werden, dass ein weiterer positiver Impuls an die Leitung 8 angelegt wird.
Eine kapazitive Adressierung der Gate-Elektroden 6, die der nach Fig. 2.ähnlich ist, kann auch bei der Vorrichtung nach Fig. 1 benutzt werden, vorausgesetzt, dass die Bauart auf geeignete Weise abgeändert wird, während ebenfalls die Adressierung der Gate-Elektroden durch gleichrichtende Uebergänge nach Fig. 1 auch bei der Vorrichtung nach Fig. 2 benutzt werden kann. Es sei bemerkt, dass bei den genannten Leitfähigkeitstypen für die betreffenden Materialien ein
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positiver Rückstellimpuls erforderlich ist, wenn eine kapazitive Adressierung Anwendung findet, während ein positiver oder negativer Impuls bei Adressierung über gleichrichtende Uebergänge erforderlich ist, Erwünschtenfalls können die Reihenkondensatoren für die Gate-Elektroden nach Fig. 2 durch in der Sperrichtung vorgespannte. Dioden gebildet werden.
Obgleich die beschriebenen Bildwiedergabeeleraente elektrisch in einer kontinuierlichen Schicht aus elektrolumineszierend em Material definiert sind, ist es einleuchtend, dass andere Typen einer elektrischen und geometrischen Definition von BiIdwiedergäbeelementen auch Anwendung finden können. Sie können z.B. durch einzelne lumineszierende in der Durchlassrichtung vorgespannte pn-Uebergänge oder durch in der Sperrichtung vorgespannte Schottky-Uebergänge oder durch einen sogenannten Flüssigkristall gebildet werden. Beispiele der beiden ersteren Möglichkeiten werden nun an Hand der Fig. 3 bis 8 beschrieben,
Fig. 3 und 4 zeigen einen Teil eines anderen Feststoffbildverstärkers. Eine Halbleiterschicht 41 vom n-Leitfähigkeitstyp, z.B. aus Zinkoxydpulver in einem geeigneten Bindemittel, enthält eine Matrix von Sperrschicht-Feldeffekttransistor-Strukturen, von denen zwei in dem Querschnitt nach Fig. 3 und von denen vier in der Draufsicht nach Fig. 4 dargestellt sind. Auf der Oberfläche der η-leitenden Schicht liegt eine Isolierschicht 42 aus Siliciumoxyd. Jede Sperrschicht-Transistor-Struktur enthält eine mittlere Oeffnung kreisförmigen Umfangs in der Isolierschicht 42, in der eine
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p-leitende Halbleiterschicht 43, z.B. aus Zinktellurid, angebracht ist, die Drain-Anschlüsse 44 bildet. Jede der genannten kreisförmigen Oeffnungen und jeder der" Drain-Anschlüsse 44 sind an der Oberfläche der Schicht 41 von einer ringförmigen Gate-Elektrode 45 umgeben, die aus einer Metallschicht, z.B. aus Platin, besteht, die mit der n-leitenden Halbleiterschicht 41 einen Schottky-Uebergang 46 bildet. Die Gate-Elektroden 45 sind völlig mit der Isolierschicht bedeckt. Die Source-Elektroden aller Sperrschicht-Transistor-Strukturen werden durch ein Metallschichtgitter 47» z.B. aus Aluminium, gebildet, das ohmsche Source-Anschlüsse mit der oberen Fläche der Schicht 4i bildet. Das Gitter 47 ist derartig, dass die Oeffnungen darin zu den innerhalb des Gitters liegenden Drain-Anschlüssen 44 symmetrisch angebracht sind. Die Isolierschicht 42 bedeckt das Gitter 47» mit Ausnahme, eines (nicht dargestellten) Randteiles, mit dem eine Leitung verbunden ist. Auf der unteren Fläche der η-leitenden Schicht liegt eine dünne Metallschicht 49, z.B. aus Platin, die mit der n-leitenden Schicht 41 einen Schottky-Uebergang bildet. Die Metallschicht 49 ist genügend dünn, um den Durchgang einfallender Strahlung zu gestatten, wie dargestellt ist, während die Schicht 41 und die darauf angebrachte durchlässige Metallschicht 49 von einer Glasplatte 51 getragen weiden, der die für die einfallende Strahlung, die verstärkt und/oder umgewandelt werden soll, durchlässig ist.
Die p-leitende Halbleiterschicht 43, die die Drain-Anschlüsse 44 mit der Schicht 41 bildet, erstreckt sich auch
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Beim Betrieb wird die Metallschicht 49 mit dem Metallschichtgitter 47 über eine veränderliche Gleichstromvorspannungsquelle verbunden. Auf diese Weise kann der Schottky-Uebergang zwischen der Schicht 41 und der Schicht erwünschtenfalls in der Sperrichtung vorgespannt werden. Eine Eingangsimpulsquelle wird zwischen der genannten ersten und der genannten zweiten gemeinsamen Eingangsklemme angeordnet und liefert eine Reihe von Spannungsimpulsen mit einem Intervall von z.B. 5 msec. Die Impulse können eine Dauer von 1 /usec. haben. Der Effekt des Anlegens jedes Spannungsimpulses besteht darin, dass der Kanal jeder Sperrschicht-Transistor-Struktur gesperrt wird. Dies wird erreicht, weil der Impuls, der nachstehend als der Ruckstellimpuls bezeichnet wird, in derartigem Sinne angelegt wird, dass die Metallschicht 53 in bezug auf das Metallschichtgitter 47 positiv ist und jeder Gate-Schottkyüebergang in der Durchlassrichtung betrieben wird, während der MOS-Speicherkondensator, der zwischen diesem Uebergang und der Schicht 43 gebildet wird, aufgeladen wird, wonach nach Beendigung des Impulses der Versuch zum Entladen jedes MOS-Speicherkondensators zur Folge hat, dass jeder Gate-Schottky-Uebergang zwangsweise in der Sperrichtung vorgespannt wird, während eine Verarmungszone gebildet wird, die sich von je einem der genannten Uebergänge bis in die Schicht 41 erstreckt. Die Grosse und die Dauer des RUckstellimpulses sind derart gewählt, dass die Verarmungszonen sich genügend weit in die η-leitende Schicht 41 erstrecken, um die entsprechenden Sperrschicht-Transistor-Kanäle zu sperren. Im Falle des Anlegens einer Sperrvorspannung zwischen den
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auf der Isolierschicht 42 als eine kontinuierliche Schicht, Auf einer Oberfläche der p-leitenden Schicht 43 oberhalb jedes Drain-Anschlusses 44 befindet sich ein kreisförmiger Metallschichtteil 53» der einen Strahlungsemittierenden Schottky-Uebergang 54 mit der p-leitenden Halbleiterschicht bildet. Weitere Metallschichtteile 55 in Form von Streifen erstrecken sich auf der Oberfläche der p-leitenden Schicht 4-3 und verbinden die kreisförmigen Metallschichtteile 53 miteinander. Die Metallschichtteile 53 bilden zusammen mit den Metallschichtteilen 55 eine erste gemeinsame Klemme für die Sperrschicht-Transistor-Strukturen, für die eine zweite gemeinsame Klemme durch das Metallschichtgitter 47 gebildet wird.
In jeder Sperrschicht-Transistor-Struktur besitzt die Gate-Elektrode 45 keine direkte ohmsche Verbindung, sondern ist kapazitiv mit dem Drain-Anschluss 44 verbunden. Dies wird durch das Vorhandensein der p-leitenden auf der Isolierschicht 42 liegenden Schicht 43 oberhalb der ringförmigen Gate-Elektrode 45 erzielt. Die Gate-Elektrode 45, die Isolierschicht 42 und die p-leitende Schicht 43 bilden auf diese Weise einen Speicherkondensator ähnlich dem Kondensator 9»12,6 der Fig. 2, während die erste gemeinsame Klemme, die durch die Metallschichtteile 53 und ^5 gebildet wird, einen gemeinsamen Anschluss mit jedem Drain-Anschluss 44 (über die unterliegende p-leitende Schicht 43) und mit der von der entsprechenden Gate-Elektrode abgekehrten Seite jedes Speicherkondensators bildet,
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Schichten 49 und 4i, die von der obenerwähnten Vorspannungsquelle geliefert wird, genügt es, dass die Verarmungszone des Gate-Uebergangs der zu dem Uebergang zwischen den Schichten und 49 gehörigen Verarmungszone begegnet. Bei dem bevorzugten Arbeitsmodus, der nachstehend als Durchschlagmodus "Punch-through" Mode bezeichnet wird, ist jedoch keine Vorspannungsquelle vorgesehen, wobei die Metallschicht 49 direkt mit dem Metallschichtgitter 47 verbunden ist» Wenn jede Verarmungszone eines Gate-Schottky-Uebergangs den Schottky-Uebergang zwischen den Schichten 49 und 4 T erreicht, injiziert die Metallschicht Löcher in die Schicht 41, wodurch die Verarmungszone des Gate-Uebergangs beschränkt wird und sich bis zu, aber nicht jenseits des Uebergangs zwischen den Schichten 41 und 49 erstreckt.
Nach dem Anlegen des Rückstellimpulses bewirkt die absorbierte einfallende Strahlung, die freie Ladungsträger in jeder Verarmungszone eines Gate-Uebergangs oder innerhalb einer Diffusionslänge von dieser Zone erzeugt, dass sich die entsprechende Verarmungszone zurückzieht, wodurch der entsprechende Kanal geöffnet wird. In jedem Zeitintervall zwischen Rückstellimpulsen integriert die Sperrschicht-Transistor-Struktur die von der einfallenden Strahlung erzeugten freien Ladungsträger, ¥ährend dieser Intervalle wird ein Auslesepotentialunterschied zwischen der ersten und der zweiten gemeinsamen Klemme angelegt, derart, dass die Metallschicht in bezug auf das Schichtgitter 47 positiv ist. Der genannte Potentialunterschied wird vorzugsweise kontinuierlich angelegt,
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wobei die Rückstellimpulse z.B. diesem Unterschied hinzugefügt werden. Dies hat zur Folge, dass infolge der von jeder Sperrschicht-Transistor-Struktur gelieferten Verstärkung eine erheblich vergrösserte Bildverstärkerwirkung erzielt wird. So kann ein an der unteren Fläche der Vorrichtung einfallendes Strahlungsmuster (siehe Fig, 3) in. ein verstärktes an den strahlungsemittierenden Schottky-Uebergängen 5k erzeugtes Bild umgewandelt werden. Strahlung wird von einem solchen Schottky-Uebergang beim Anlegen des Auslesepotentialunterschiedes emittiert, wenn Stromleitung zwischen den beiden gemeinsamen Klemmen über den Kanal der entsprechenden Sperrschicht-Transistor-Struktur auftritt, welche Stromleitung von dem Ausmass des von der einfallenden Strahlung hervorgerufenen Zurückziehens der Gate-Verarmungszone abhängig ist. Die Uebergänge 5^· emittieren Strahlung unter Sperrvorspannungsbedingungen, was der für den Auslesepotentialunterschied angeführten Polarität entspricht. Die Isolierung zwischen benachbarten strahlungsemittierenden Schottky-Uebergängen 5^ wird dadurch erhalten, dass die p-leitende Schicht k3 einen hohen spezifischen Widerstand aufweist.
In Fig. 3 sind mit gestrichelten Linien die Grenzen der zu den Gate-Uebergängen und dem Schottky-Uebergang zwischen den Schichten k9 und 41 gehörigen Verarmungszonen zu einem gewissen Zeitpunkt zwischen den Rückstellimpulsen angegeben, wenn die Strahlung einfällt und das Zurückziehen der Gate-Verarmung sz one bewirkt hat, wodurch der Kanal geöffnet wird. Die zu dem Uebergang zwischen den Schichten 49 und kl gehörige
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Verarmungszone, die erhalten wird, wenn daran die obengenannte Gleichstromvorspannung angelegt wird, weist eine grössere Dicke unterhalb des Uebergangs 44 als unterhalb des Uebergangs auf, was auf den lateralen Spannungsabfall in der Schicht 41 zwischen den Uebergängen 44 und 48 zurückzuführen ist.
In der abgewandelten Ausführungsform nach den Fig. 3 und 4 wird das Halbleitermaterial der p-leitenden Schicht 43 de.rart gewählt, dass die pn-Uebergänge 44, die die Drain- . Anschlüsse bilden, in der Durchlassrichtung vorgespannte Strahlungsemittierende pn-Uebergänge sind. In diesem Falle wird das Material der Metallschichten 53» 55 derart gewählt, dass eine ohmsche Verbindung mit der Schicht 43 hergestellt wird, während die Teile 53 statt kreisförmig nur ringförmig sein können. Weiter wird die Dicke der Schicht 43 derart gewählt, dass ein Durchgang der von den Uebergängen 44 emittierten Strahlung gestattet wird.
Fig. 5 zeigt ein Schaltbild des in Fig. 4 dargestellten Teiles der Vorrichtung. Die erste gemeinsame Klemme T1 wird durch die Metallschichtteile 53» 55 an der oberen FlSche und die zweite gemeinsame Klemme Tp wird durch das mit der Metallschicht 49 verbundene Metallschichtgitter 47 gebildet. Die Drain-Anschlüsse 44 sind als Dioden mit pn-Uebergang dargestellt, während in der Reihenanordnung zwischen T1 und den Drain-Anschlüssen 44 die Strahlungsemittierenden Schottky-Uebergänge 5^ dargestellt sind. Die ohmsche Isolierung der Uebergänge 54, die durch die Schicht 43 erhalten wird, ist mit Widerständen Rl- angegeben.
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Fig. 6 und 7 zeigen einen Teil einer anderen mit zwei Klemmen versehenen PeststoffbildverStärkervorrichtung, Eine η-leitende Halbleiterschicht 61, z.B. aus Galliumphosphid mit einer Dicke von 5/um, enthält eine Matrix von Sperrschicht-Transistor-Strukturen, von denen zwei in dem Querschnitt nach Fig. 6 und von denen vier in der Draufsicht nach Fig. J dargestellt sind. Die η-leitende Schicht 61 liegt auf einem p-leitenden Substrat 62, z.B. aus Galliumarsenid oder Galliumphosphid, wobei die Schicht 61 die Form einer epitaktischen Schicht auf dem Substrat 62 aufweist. Auf der Oberfläche der Schicht 61 liegt eine Isolierschicht 63· Jede Sperrschicht-Transistor-Struktur enthält einen Drain-Anschluss 64, der durch eine p-leitende Oberflächenzone 65 kreisförmigen Umfangs gebildet wird. Die Drain-Anschlüsse 6h bilden strahlungsemittierende pn-Uebergänge. Jede ρ -Zone 65 ist von einer ringförmigen ρ -Oberflächenzone 66 umgeben, die eine Gate-Elektrodenzone ist und einen pn-Uebergang 67 mit der n-leitenden Schicht 61 bildet. Die Source-Elektroden aller Sperrschicht-Transistor-Strukturen werden durch ein Metallschichtgitter gebildet, das auf der Oberfläche der Schicht 61 angebracht ist und ohmsche Source-Anschltisse 69 bildet. Die Oeffnungen im Gitter 68 sind zu den ρ -Zonen 65 und 66 symmetrisch angeordnet. Das Source-Elektrodengitter ist zum Betreiben in dem "Punch-through"-Modus mit dem p-leitenden Substrat 62 verbunden. Auf der Oberfläche des Gitters 68 liegt ein Isolierschichtteil 70, der dieses Gitter bedeckt, mit Ausnahme eines Randteiles (nicht dargestellt), an den ein Leiter
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angeschlossen ist. Auf der Oberfläche der Isolierschicht 63» befindet sich eine kontinuierliche Metallschicht 72, z.B. aus Silber/Zinn mit einer Dicke von 200 A*. Die Metallschicht erstreckt sich in Oeffnungen in der Isolierschicht 63 und bildet Kontakte mit den p+-Zonen 65 und bildet die erste gemeinsame Klemme der Sperrschicht-Transistor-Strukturen. Die Gate-Elektrodenzonen 66 werden völlig mit der Isolierschicht 63 bedeckt, aber sind kapazitiv mit den Drain-Anschlüssen 6h verbunden. Dies ist darauf zurückzuführen, dass die Metallschicht 72 auf den Teilen der Isolierschicht 63 oberhalb der ρ -Gate—Zonen 66 liegt, welche Teile somit einen Speicherkondensator bilden. Die zweite gemeinsame Klemme der Sperrschicht-Transistor-Strukturen wird durch das Source-Elektrodenmetallgitter 68 gebildet, das mit dem Substrat 62 verbunden ist.
Durch gleichzeitigen Betrieb aller Sperrschicht-Transistor-Strukturen auf die in der vorhergehenden Ausführungsform beschriebene Weise kann ein an der oberen Fläche des Körpers einfallendes Strahlungsmuster in ein von den strahlungsemittierenden pn-Uebergängen 6h erzeugtes verstärktes Bild umgewandelt werden. Strahlung wird von einem solchen Uebergang während des Anlegens des Auslesepotentials emittiert, wenn Stromleitung zwischen den beiden gemeinsamen Klemmen über den Kanal der entsprechenden Sperrschicht-Feideffekttransistor-Struktur auftritt, welche Stromleitung von dem Ausmass des durch die einfallende Strahlung herbeigeführten Zurückziehens der Gate-Verarmungszone abhängig ist. Eine Vergrösserung des
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beabsichtigten Effekts wird infolge der von jeder Sperrschicht-Transistor-Struktur gelieferten Verstärkung erzielt.
Es ist einleuchtend, dass eine unerwünschte optische Rückkopplung in Form der Absorption der emittierten Strahlung und der weiteren Erzeugung freier Ladungsträger, derart, dass sich die Gate-Verarmungszone weiter zurückzieht, vermieden werden muss. Dies kann dadurch erreicht werden, dass ein geeigneter Abstand zwischen den ρ -Zonen 65 und 66 eingehalten und gleichzeitig das gewünschte Auflösungsvermögen der Vorrichtung beibehalten wird.
Fig. 8 zeigt ein Schaltbild des Teiles der Vorrichtung nach Fig. 7· Di© erste gemeinsame Klemme T1 wird durch die Metallschicht 72 an der oberen Fläche und die zweite gemeinsame Klemme T2 wird durch das Metallschichtgitter 68 gebildet, das mit dem p-leitenden Substrat 62 verbunden ist. Die Drain-Anschlüsse 6h sind als Strahlungsemittierende pn-Uebergänge dargestellt.
Bei Abwandlungen des Bildverstärkers nach den Fig. und 7 ist die Struktur derartig, dass Strahlung von der unteren Fläche der Schicht 61 her einfällt. Bei einer AusfUhrungsform wird dies dadurch erreicht, dass ein verhältnismässig dünnes p-leitendes Substrat aus einem Halbleitermaterial verwendet wird, dessen Energieabstand grosser als der der Schicht ist, wodurch zu detektierende einfallende Strahlung das Substrat passieren und in der η-leitenden Schicht 61 absorbiert werden kann. Bei einer anderen AusfUhrungsform wird das p-leitende Substrat durch eine durchlässige Metallschicht
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ersetzt, die mit der η-leitenden Schicht 61 einen Schottky-Uebergang bildet.
Es leuchtet ein, dass zur Optimalisierung der Empfindlichkeit für die Strahlungswellenlänge der beschriebenen Vorrichtungenι die eine Matrix lateraler FET-Strukturen enthalten, der pn-Uebergang zwischen Substrat und Schicht oder der Schottky-Kontaktübergang an der unteren Fläche der Halbleiterschicht in der Sperrichtung vorgespannt werden kann, um eine Verarmungszone zu bilden, die sich bis in die Schicht erstreckt. Ausserdem kann ein Betrieb unter solchen Sperrvorspannungsbedingungen noch immer in dem "Punch-through"-Arbeitsmodus stattfinden, bei dem ein höherer Rückstellspannungsimpuls Vn erforderlich ist, um zu bewirken, dass die Gate-Verarmungszone die Verarmungszone des Uebergangs zwischen Substrat und Schicht oder des Schottky-Kontaktübergangs zu dem genannten Uebergang zurücktreibt,
Fig. 9 zeigt im Querschnitt einen Teil einer mit drei Klemmen versehenen Feststoffbildverstärkervorrichtung mit einer Matrix transversaler FET-Strukturen, In diesem Beispiel enthält die Matrix Sperrschicht-Feldeffekttransistor-Strukturen, aber sie kann derart abgeändert werden, dass sie MIS-FET-Strukturen enthält. Eine η-leitende Halbleiterschicht 81 enthält auf ihrer oberen Fläche eine Isolierschicht 82. Jede FET-Struktur enthält eine n+-Oberflächenzone 83 kreisförmigen Umfangs, die die Drain-Elektrodenzone bildet, Metallschichtteile 84 kreisförmigen Umfangs erstrecken sich in Oeffnungen in der Isolierschicht 82 und bilden Drain-Anschlüsse 85 mit
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den n+-Drain-Zonen 83. Dip Metallschichtteile 84 sind alle miteinander über weitere Metallschichtteile auf der Isolierschicht verbunden und weisen eine gemeinsame Drain-Klemme D auf.
Jede Drain Zone 83 ist von einer ringförmigen p+-Gate-Zone 86 umgeben, die einen Gate-Uebergang 87 mit der n-leitenden Schicht 81 bildet. Auf der Oberfläche der Isolierschicht oberhalb der Gate-Elektrodenzonen 86 befinden sich isolierte Gate-Anschluss-Metallschichtteile 88 nahezu C-förmigen Umfangs. Jede Gate-Elektrodenzone 86 weist also einen mit ihr in Reihe liegenden MIS-Speicherkondensator auf. Die Metallschichtteile 88 sind miteinander über weitere Metallschichtteile auf der Oberfläche der Isolierschicht verbunden und weisen eine gemeinsame Gate-Klemme G auf.
Auf der unteren Fläche der η-leitenden Schicht 81 liegt eine Schicht 89 aus οlektrolumineszierendem Material, z.B.aus Zinksulfid. Die Schicht 89 bildet Source-Anschltisse der FET-Strukturen. Auf der unteren Fläche der Schicht 89 befindet sich eine Anzahl Metallschichtteile 90, die ohmsche Verbindungen mit der elektrolumineszierenden Schicht 89 bilden. Die Metallschichtteile 90 weisen einen kreisförmigen Umfang auf und fluchten mit den Drain-Zonen 83. Jeder Metallschichtteil 90 enthält einen Aussenring und einen dünneren Innenteil mit einer derartigen Dicke, dass eine Transmission der von der Schicht emittierten Strahlung gestattet wird. Alle Metallschichtteile 90 sind miteinander verbunden und weisen eine gemeinsame Klemme S auf«
Die Vorrichtung kann in dem Ladungsspeicherungsmodus
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betrieben werden, wodurch, alle FET-Kanäle zunächst durch das Anlegen einer Rücksteilspannung zwischen G und S gesperrt werden, um zu bewirken, dass die Verarmungszone jeder FET-Struktur den Kanal dadurch absperrt, dass sich die genannte Verarmungszone nach innen unter der Drain-Zone 83 erstreckt. Wenn Strahlung an der oberen Fläche einfällt, wie dargestellt ist, und bis zu oder innerhalb einer Diffusionslänge von der genannten Verarmungszone vordringt, bewirken die durch Absorption erzeugten freien Ladungsträger, dass sich die Verarmungszone zurückzieht. Beim Anlegen einer Abfragespannung zwischen den Klemmen S und D fliesst ein Strom durch die nicht gesperrten FET-Kanäle quer über die Schicht von den unterliegenden Source-Anschlüssen her, die durch die elektrolumineszierende Schicht 89 gebildet werden. Der Strom, der durch die Schicht 89 von den Metallschichtteilen 90 zu den Drain-Elektrodenzonen 83 fliesst, erzeugt Strahlung, wie in Fig. 9 schematisch dargestellt ist. So wird eine erhebliche Vergrösserung der Bildverstärkungswirkung infolge der von jeder FET-Struktur gelieferten Verstärkung erzielt, wobei ein an der oberen Fläche der Vorrichtung einfallendes Strahlungsmuster, wie dargestellt, in ein verstärktes Bild umgewandelt wird, das auf der elektrolumineszierenden Schicht 89 erzeugt wird.
Andere Ausführungsformen strahlungsempfindlicher
Feldeffekttransistorstrukturmatrizen können in einer Vorrichtung nach der Erfindung Anwendung finden. Z.B. kann eine Matrix der in der gleichzeitig eingereichten britischen Patentanmeldung 13415/72, 43956/72 oder
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^3957/72 beschriebenen Art verwendet werden, wobei es notwendig ist, ein Bildwiedergabeelement, wie ein elektrolumineszierendes Element, in Reihe mit der Source- und/oder der Drain-Elektrode jeder Transistorstruktur der Matrix anzuordnen.
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Claims (1)

  1. PATENTANSPRUECHEι
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    1« j Bildwiedergabe- und/oder -Umwandlungsvorrichtung, dadurch, gekennzeichnet, dass eine Matrix von Feldeffekttransistor· strukturen vorhanden ist, welche Feldeffekttransistorstrukturen gesonderte Gate-Elektroden zur Bildung von Verarmungszonen innerhalb der Kanäle dieser Feldeffekttransistorstrukturen aufweisen, wobei mit der Source- und/oder Drain-Elektrode jeder Transistorstruktur ein Bildwiedergabeelement elektrisch in Reihe angeordnet ist, und wobei die Matrix von Strukturen derart angeordnet ist, dass von ausserhalb der Matrix gerichtete Strahlung in Form eines Bildes Ladungsträger in den genannten Verarraungszonen oder innerhalb einer Diffusionslänge von diesen Verarmungszonen erzeugen kann,
    2, Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein geraeinsamer Adressierleiter für alle Gate-Elektroden mit jeder Gate-Elektrode über eine gesonderte Sperrschicht zur Verhinderung des Abfliessens von Ladung von der Gate-Elektrode zu dem Leiter verbunden ist, 3» Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Sperrschichten je einen Kondensator enthalten,
    4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Sperrschichten je einen gleichrichtenden üebergang enthalten,
    5, Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanäle der Transistorstrukturen alle in einer einzigen Schicht aus Halbleitermaterial liegen,
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    6. Vorrichtung nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, dass die Gate-Uebergänge der genannten Transistorstrukturen alle nahezu an derselben Hauptfläche der genannten Schicht liegen,
    7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Bildwiedergabeelement einen Teil einer einzigen Schicht aus elektrolumineszierendem Material enthält, die auf der anderen Hauptfläche der genannten Halbleiterschicht liegt und diese Hauptfläche elektrisch kontaktiert, wobei die Source- imd Drain-Anschlüsse für jede Transistorstruktur beide praktisch an der von der Halbleiterschicht abgekehrten Fläche der Leuchtschicht liegen und mit dieser Fläche in elektrischer Verbindung stehen, während der Gate-TJebergang jeder Transistorstruktur auf dem Gebiet zwischen dem Source- und dem Drain-Anschluss für die betreffende Transistorstruktur liegt.
    8. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Gate—Uebergang jeder Transistorstruktur eine derartige Konfiguration aufweist, dass eine Verarmungszone erzeugt wird, die einen Stromweg von einem Source-Anschluss zu einem Drain-Anschluss für diese Transistorstruktur umgibt, wobei mindestens einer dieser Source- und Drain-Anschlüsse an derselben genannten Hauptfläche liegt und mit dieser Hauptfläche in elektrischer Verbindung steht.
    9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der andere der genannten Source- und Drain-Anschlüsse an der anderen Hauptfläche der Halbleiterschicht liegt und
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    über das entsprechende Bildwiedergabeelement mit dieser Hauptfläche elektrisch verbunden ist.
    10. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der genannte Anschluss, der an derselben genannten Hauptfläche liegt, diese Hauptfläche über das entsprechende Bildwiedergabeelement kontaktiert.
    11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Bildwiedergabeelement einen lumineszierenden pn-Uebergang zwischen einem Halbleitermaterial von einem dem der genannten Halbleiterschicht entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp und dem Material dieser Schicht enthält.
    12. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Bildwiedergabeelement einen lumineszierenden Schottky-Uebergang zwischen einem Metall und dem Material der Halbleiterschicht enthält.
    13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass eine weitere Schicht mit der anderen Hauptfläche der Halbleitermaterialschicht in Verbindung steht, um eine Verarmungszone zu erzeugen, die sich bis in die Halbleitermaterialschicht erstreckt,
    14. Vorrichtung nach Anspruch 2 und einem der Ansprüche
    8 bis 13» dadurch gekennzeichnet, das der gemeinsame Adressierleiter auch einen gemeinsamen Zuführungsieiter für die genannten Anschlüsse nahezu an derselben genannten Hauptfläche bildet,
    15· Vorrichtung nach Anspruch 8, 10, 11, 12, 13 oder lh, dadurch gekennzeichnet, dass der Source- sowie der Drain-Anschluss
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    für jede Transistorstruktur an derselben genannten HauptflSche liegen und mit dieser Hauptfläche in elektrischer Verbindung stehen.
    16. Vorrichtung nach Anspruch 2,oder nach Ansprüchen 2 und Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass der genannte geraeinsame Adressierleiter auch einen gemeinsamen Zuführungsleiter für die Source- oder Drain-Elektroden der Transistorstrukturen bildet.
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