DE2250689A1

DE2250689A1 - Elektrofotografisches roentgenaufnahmeverfahren

Info

Publication number: DE2250689A1
Application number: DE2250689A
Authority: DE
Inventors: Gottfried Dipl Phys Lange
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1972-10-16
Filing date: 1972-10-16
Publication date: 1974-04-18
Also published as: DE2250689C3; GB1451790A; DE2250689B2; FR2203099A1; US3906228A; FR2203099B1; JPS4974943A

Description

Elektrofotografisches Röntgenaufnahmeverfahren

Die Erfindung betrifft ein röntgenfotografisches Aufnahmeverfahren, bei welchem eine elektrisch leitfähige Platte, die mit einer Arsen enthaltenden Selenschicht bedeckt ist, elektrisch in einer Koronaentladungsanordnung aufgeladen und c.ann der abzubildenden Bestrahlung mit Röntgenstrahlen ausgesetzt wird. Abschließend wird das noch unsichtbare elektrische Bild durch die übliche xerografische Entwicklung sichtbar gemacht. Derartige Verfahren werden angewandt, weil sie ein empfindliches Material haben, welches erst im Moment der Aufnahme empfindlich gemacht wird und weil außerdem das Verfahren " schnell und wenig aufwendig ist.

Bei bekannten Anordnungen zur Röntgenelektrofotografie, die auch Xeroradiografie genannt wird, werden Selenschichten als fotoleitende, d.h. empfindliche Schichten verwendet. Es ist z.B. aus DT-AS 1 077 976 bekannt, diesen Schichten geringe Mengen von Arsen beizufügen, um erhöhte Empfindlichkeit und Beständigkeit zu erhalten. Nachteilig daran ist aber_; daß

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nach jeder Aufnahme eine im Vergleich zu der möglichen Abbildungsfolge lange Zeit vergeht, bis die aufgenommenen Bilder aus der empfindlichen Schicht verschwunden sind. Es ist schwierig, diese Nachwirkungen zu vermeiden. Immer wieder kommt es vor, daß wegen der Nachwirkungen früher aufgenommene Bilder als Hintergrund bei späteren Bildern erscheinen. Diese Störung ist unter der Bezeichnung "Geisterbilder¹¹ bekannt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ohne erhöhten Aufwand insbesondere die-Erscheinung von Geisterbildern zu vermeiden.

Die vorgenannte Aufgabe ist erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Selenschicht 0,05 bis 1 Atom % Arsen im Selen enthält und daß die Aufladung negativ ist. Dadurch wird gegenüber den vorbekannten Schichten, die 0,5 bis ungefähr 20 Gewichtsprozent, insbesondere 1 bis 10 Gewichtsprozent Arsen im Selen enthalten sollen, erhöhte Röntgenempfindlichkeit und wesentlich erhöhte Durchschlagsfestigkeit erhalten, weil die Dotierung mit den geringen Mengen Arsen nennenswert die Störbandleitfähigkeit des amorphen reinen Selens unterdrückt. Diese Verbesserung wird durch die negative Aufladung auch schon bei Arsenmengen von den geringen Mengen 0,1 bis 0,4 % noch erhöht. Gleichzeitig erhalten dadurch die fotoelektrisch gebildeten Ladungsträger größere Schubwege und erhöhen damit die Röntgenempfindlichkeit. Außerdem ist die Ladungsspeicherung bei der negativen Aufladung wesentlich verbessert. Gegenüber der Position Aufladung wird die Dunkelleitfähigkeit um einen Faktor von ca. 5 verbessert. Auch bei dicht aufeinanderfolgenden Röntgenaufnahmen erscheinen keine Geisterbilder. Dies beruht offenbar darauf, daß bestimmte Trapniveaus im verbotenen Band, die beim reinen amorphen Selen

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stets in großer Anzahl (10 ' - 10 cm" ) vorhanden sind, durch die Arsen-Dotierung besetzt werden und dadurch ein Einfangen der beweglichen Ladungsträger verhindern. Das Befreien der Ladungsträger kann beim reinen Selen durch Erwärmung herbeigeführt und damit die sog. Geisterbilder wieder beseitigt werden. Diese Erwärmung ist aber außer als zusätzlicher Arbeitsvorgang auch nachteilig, weil er die Struktur des Selens verändert.

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Die Erfindung ist an sich bei allen bekannten xerografischen Einrichtungen anwendbar. Es wird lediglich vorausgesetzt, daß die eigentliche empfindliche Schicht durch die erfindungsgemäße Schicht ersetzt wird'und daß die Koronaaufladungseinheit umpolbar ist.

Die Herstellung der Schicht kann nach allen bekannten Verfahren erfolgen, etwa dadurch, daß das entsprechende Gemisch von Selen und Arsen auf de"n Träger, der wegen seiner elektrischen Leitfähigkeit aus Metall oder anderem leitfähigen Material bestehen kann, aufgedampft wird. Bekanntlich sind Metalle, wie etwa Aluminium, Messing, Bronze etc. anvendbar. Andere Materialien sind metallisiertes Papier oder leitfähig gemachter Kunststoff. Anstatt einer Metallisierung kann auch die Behandlung mit einem leitfähigen Material, wie etwa Kupferiodid, auf einem isolierenden Material vorgesehen sein.

Die Ausbildung der Erfindung wird nachfolgend anhand des in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels weiter erläutert.

Auf dem 0,5 bis 2 mm starken Träger 1 aus Aluminium ist die Schicht 2 aus Selen, welches 0,3% Arsen enthält, aufgedampft. Die Dicke der Schicht 2 beträgt dabei 100 bis 500/u. Zur Einstellung der Empfindlichkeit wird die Kombination der Schicht mit dem Träger 1 in Richtung des Pfeiles 3 unter der Koronaentladungseinheit 4 hindurch bewegt, so daß die zwischen der Kammelektrode 5 und der geerdeten Platte 6 sich ausbildende Entladung die Oberfläche der Schicht 2 negativ auflädt. Dazu ist über die Leitung 7 der positive Pol der Hochspannungsquelle 8, die eine Spannungsdifferenz von ca. 5500 Y erzeugt, mit Erde verbunden. Am negativen Pol liegt die Elektrode 5.

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In einem wegen der damit erzielbaren guten Ergebnisse vorzuziehenden Herstellungsverfahren wird eine Aluminiumfolie von 0,5 bis 2 mm, insbesondere 1 mm, mit 0,3 % Arsen enthaltendem

-5 Selen bedampft. Die Bedampfung erfolgt im Vakuum von 10 bis 10" torr und mit einer Geschwindigkeit von ca. 3/u pro Minute, bis die Schicht die erforderliche Dicke erreicht hat, die in der Regel bei 100 bis 500/u liegt.

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Claims

Patentansprüche

Elektrofotografisch.es Aufnahmeverfahren, bei welchem eine elektrisch leitfähige Platte, die mit einer Arsen enthaltenden Selenschicht bedeckt ist, elektrisch in einer Koronaentladungsariordnung aufgeladen- und dann der abzubildenden Bestrahlung mit Röntgenstrahlen ausgesetzt wird, d a d u r c h gekennzeichnet, daß die Selenschicht 0,01 bis 1 Atom % Arsen im Selen enthält und daß die Aufladung negativ ist,
2. Aufnahmeverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Selen mit 0,1 bis 0,4 Atom % Arsen dotiert ist.
3. Verfahren zur Herstellung einer Selenschicht für das Aufnahmeverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Träger aus Aluminium von 0,5 bis 2 mm Stärke, der auf 50⁰C ernitzt ist, mit 0,3 % Arsen dotiertes Selen mit 3/u/min im Vakuum aufgedampft wird, bis die Schicht 100 bis 500/u stark ist.

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