DE2252912C3 - Elektrofotografisches Röntgenaufnahmeverfahren - Google Patents
Elektrofotografisches RöntgenaufnahmeverfahrenInfo
- Publication number
- DE2252912C3 DE2252912C3 DE19722252912 DE2252912A DE2252912C3 DE 2252912 C3 DE2252912 C3 DE 2252912C3 DE 19722252912 DE19722252912 DE 19722252912 DE 2252912 A DE2252912 A DE 2252912A DE 2252912 C3 DE2252912 C3 DE 2252912C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- selenium
- layer
- electrically conductive
- plate
- conductive plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N [As].[Se] Chemical compound [As].[Se] QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 1
- -1 remanite Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/102—Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein elektrofotografisches Röntgenaufnahmeverfahren, bei welchem eine elektrisch
leitfähige Platte, die mit einer Schicht aus einer Selen-Arsen-Legierung bedeckt ist, elektrisch in einer
Koronaentladungsanordnung aufgeladen und dann der abzubildenden Bestrahlung mit Röntgenstrahlen ausgesetzt
wird und bei der nach der Patentanmeldung
P 22 50 689.4 die Legierungsschicht neben dem Arsen einen Anteil von 0,01 bis 1 Atom % Selen enthält und
daß die Aufladung negativ ist. Abschließend wird das noch unsichtbare elektrische Bild durch die übliche
«erografische Entwicklung sichtbar gemacht. Derartige Verfahren werden angewandt, weil sie ein empfindliches
Material haben, welches erst im Augenblick der Aufnahme empfindlich gemacht wird und weil außer
dem das Verfahren schnell und wenig aufwendig isL
Bei bekannten Anordnungen zur Rönigenelektrofotografie,
die auch Xeroradiografie genannt wird,
werden Selenschic hlen als fotoleitende, d. h. empfindliche Schichten, verwendet. Es ist z. B. aus DE-AS
1077 976 bekannt, diesen Schichten geringe Mengen von Arsen beizufügen, um erhöhte Empfindlichkeit und
Beständigkeit zu erhalten. Nachteilig daran ist aber, daß nach jeder Aufnahme eine im Vergleich «ι der
möglichen Abbildungsfolge lange Zeit vergeht, bis die
aufgenommenen Bilder aus der empfindlichen Schicht verschwunden sind. Es ist schwierig, diese Nachwirkungen
zu vermeiden. Immer wieder kommt es vor, daß wegen der Nachwirkungen früher aufgenommene
Bilder als Hintergrund bei späteren Bildern erscheinen. Diese Störung ist unter der Bezeichnung »Geisterbilder«
bekannt.
Aufgabe der Erfindung ist, bei dem Verfahren nach dem Hauptpatent ohne Erhöhung des Aufwandes, insbesondere im Hinblick auf die Erscheinung von Geisterbildern, die Wirksamkeit weiter/u verbessern.
Aufgabe der Erfindung ist, bei dem Verfahren nach dem Hauptpatent ohne Erhöhung des Aufwandes, insbesondere im Hinblick auf die Erscheinung von Geisterbildern, die Wirksamkeit weiter/u verbessern.
Die Erfindung geht von einem elektrofotografischen ί Röntgenaufnahmeverfahren aus, bei welchem eine
elektrisch leitfähige Platte, die mit einer Arsen enthaltenden Selenschicht bedeckt ist, elektrisch in
einer Koronaentladungsanordnung aufgeladtn und dann der abzubildenden Bestrahlung mit Röntgenstrah-
len ausgesetzt wird, bei dem die Selenschicht 0,01 bis 1
Atom % Arsen im Selen enthält und bei dem die Aufladung negativ ist und ist dadurch gekennzeichnet,
daß die Selenschicht auf eine oxydfreie Oberfläche der elektrisch leitfahigen Platte aufgedampft ist
Durch die Erfindung wird erreicht, daß vom Substrat träger her verhindert wird, daß eine dünne
Oxyd- oder oxydähnliche Schicht als injiz;erender
Kontakt an die Halbleiterschicht angrenzt Diese nicht ρ Leitung injizierende Wirkung der Unterlage ist
-'" speziell bei der negativen Koronabeladung der Arsen
enthaltenen Selenschicht von großer Bedeutung, da amorpher Selen ein p- Leiter ist.
In einer Ausgestaltung der Erfindung wird als elektrisch leitfähige Platte, die den Träger der
is Selenschicht darstellt, z. B. eine Aluminiumplatte von
I mm Stärke verweedet Diese wird dann an ihrer mit der Selenschicht zu bedampfenden Oberfläche einer
elektrischen Glimmentladung von 1000 bis 2000 V bei 200 mA für die Dauer von 10 bis 30 min ausgesetzt Als
w Gas wird dabei Argon mit einem Druck von etwa
10-' torr verwendet Durch diese Beglimmung wird erreicht, daß die Unterlage einmal von Wasserhäuten
befreit wird und zum anderen eine Zerstörung von oxydhaltigen Oberflächenschichten erfolgt
JS In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird
statt Argon das sog. Formiergas verwendet, welches 70 bis 80% Stickstoff. Rest Wasserstoff enthält Die
elektrischen Größen stimmen mit denjenigen überein, die bei der Benutzung von Argon verwendet wurden.
Auch bei dieser Ausgestaltung wird erreicht, daß die
Oberfläche von der ihr anhaftenden Oxydschicht befreit wird.
Auch bei Verwendung anderer Metallplatten als Träger für die Selenschicht kann die Oberfläche von
Oxydschichten oder oxydähnlichen Schichten befreit werden, indem man in einer sauerstoffreien Atmosphäre
beglimmt Bekannte Metalle, die man außer Aluminium verwendet sind z. B. Messing, Remanit, Kupfer oder
Bronze.
nachfolgend anhand der Figuren weiter erläutert. In der
mungseinrichtung für den elektrisch leitfähigen Träger
der Selenschicht dargestellt und in der
M F i g. 2 ein Ausschnitt aus dem mit der Selenschicht
bedampften Träger.
In der F i g. 1 ist mit 1 die vakuumdichte Glocke
bezeichnet die auf dem fisch 2 steht und deren Innenraum mittels der Vakuumpumpe 1 auf 10 <
torr ausgepumpt wird, nachdem an dem Stutzen 4 Argon eingefüllt worden ist. An den Halterungen, von denen
die mit 5 und 6 sichtbar sind, ist in Abstand von der Platte 7 aus Aluminium die elektrisch leitfähige Platte 8
gehaltert, die als Träger für die Selenschicht benutzt M werden soll. Zur Beseitigung der an der Oberfläche 9
anhaftenden Oxydschicht wird zwischen der Platte 7 und der Platte 8 ein elektrisches Gleichfeld von 2000 V
angelegt, welches über die Leitungen 10 und 11 der
Gleichstromquelle 12 entnommen wird. Bei einem
Strom von 200 mA wird so für die Dauer von 20 min beglimmt Nach Beendigung dieser Beglimmung erfolgt
die Weiterverwendung der Platte 8 als Träger für eine Selenschicht, die aufgedampft wird.
Nach dem Bedampfen wird eine Anordnung erhalten, wie sie aus der F i g. 2 ersicntlich ist Dabei ist auf die als
Träger dienende Platte 8 die 0,1 Atom % Arsen enthaltende Selenschicht 13 aufgedampft die 100 bis
500 μΐη stark ist Dabei wurde darauf geachtet daß die
Oberflache 9 vor der Bedampfung nicht mehr oxydiert wird. Bei eier Verwendung der Atuminiumplatte erfolgt
dies im vorliegenden Beispiel dadurch, daB Aluminiumplatte 7 unter öl gesandstrahlt und dann in Toluol
entfettet in die Vakuumapparatur eingeführt wird.
Bei dem dargestellten Beispiel ergibt sich die Funktion der Erfindung in der oben bereits dargelegten
Weise durch Vermeidung eines injizierenden Kontaktes, so daB sich hier eine nochmalige Darlegung erübrigt
Claims (2)
1. Elektrofotografische* Röntgenaufnahmeverfahren,
bei welchem eine elektrisch leitfähige Platte, die mit einer Schicht aus einer Selen-Arsen-Legierung
bedeckt ist, elektrisch in einer Koronaentladungsanordnung aufgeladen und dann der abzubildenden
Bestrahlung mit Röntgenstrahlen ausgesetzt wird und bei der nach der Patentanmeldung
P 22 50 689.4 die Legierungsschicht neben dem Selen 0,01 bis 1 Atom % Arsen enthält und daß die
Aufladung negativ ist, dadurch gekennzeichnet,
daß die Selenschicht auf eine oxydfreie Oberfläche der elektrisch leitfähigen Platte aufgedampft
ist
2. Verfahren zur Herstellung einer Röntgenaufnahmeplatte
zur Verwendung bei einem Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei
Verwendung von Aluminium als elektrisch leitfähige Platte die zu bedampfende Oberfläche in einer
Argonatmosphäre von 10~2 bis 5 · 10-' torr, insbesondere
10-' torr. Argon einer elektrischen Glimmentladung
von 1000 bis 2000 V ausgesetzt wird bei einem Strom von 100 bis 300 mA, vorzugsweise
200 mA.
i. Verfahren zur Herstellung einer Röntgenaufnahmeplatte zur Verwendung bei einem Verfahren
nach Anspruch I. dadurch gekennzeichnet, daß bei
einer Beglimmung entsprechend Anspruch 2 das Gas zu 70 bis 80% aus Stickstoff, Rest Wasserstoff
besteht
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722252912 DE2252912C3 (de) | 1972-10-27 | 1972-10-27 | Elektrofotografisches Röntgenaufnahmeverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722252912 DE2252912C3 (de) | 1972-10-27 | 1972-10-27 | Elektrofotografisches Röntgenaufnahmeverfahren |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2252912A1 DE2252912A1 (de) | 1974-05-02 |
DE2252912B2 DE2252912B2 (de) | 1980-06-04 |
DE2252912C3 true DE2252912C3 (de) | 1981-02-26 |
Family
ID=5860278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19722252912 Expired DE2252912C3 (de) | 1972-10-27 | 1972-10-27 | Elektrofotografisches Röntgenaufnahmeverfahren |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2252912C3 (de) |
-
1972
- 1972-10-27 DE DE19722252912 patent/DE2252912C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2252912A1 (de) | 1974-05-02 |
DE2252912B2 (de) | 1980-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2363088A1 (de) | Beschichtete elektrode fuer koronaentladung | |
DE1162001B (de) | Elektronenentladungsvorrichtung, insbesondere Fernsehaufnahmeroehre | |
DE2252912C3 (de) | Elektrofotografisches Röntgenaufnahmeverfahren | |
DE2612542A1 (de) | Mit amorphem selen beschichtete perforierte unterlagen und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE2511896C2 (de) | Röntgenelektrophotographisches Bilderzeugungsverfahren | |
DE919309C (de) | Photoleitfaehiger Schirm fuer Kathodenstrahlroehren | |
DE2250689C3 (de) | Elektrofotografisches Röntgenaufnahmeverfahren | |
DE3815458A1 (de) | Anordnung zur erzeugung von roentgenaufnahmen mittels eines photoleiters | |
DE2616270C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer schweroxidierbaren Schicht auf einem Körper aus einem leichtoxidierenden Metall oder einer entsprechenden Metallegierung | |
DE1201865B (de) | Schirm fuer Fernsehaufnahmeroehren vom Vidicontyp | |
DE2258364B2 (de) | Verfahren zur Erzeugung eines elektrostatischen Bildes auf einem dielektrischen Blatt mittels Röntgenstrahlen sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE878221C (de) | Verfahren zur Herstellung von Mosaikelektroden | |
DE1295374C2 (de) | Verfahren zur herstellung eines allein durch lichteinwirkung nicht loeschbaren ladungsbildes auf einer isolatorschicht | |
DE2101399C3 (de) | Verfahren zum gleichförmigen elektrostatischen Aufladen eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials mittels einer Koronaentladungseinrichtung | |
DE2338520C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials | |
DE2012805C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials | |
DE2061655B2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2233538B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Entwickeln eines elektrostatischen Ladungsbildes | |
DE2433853A1 (de) | Flexibles elektrofotografisches aufzeichnungsmaterial | |
DE2052849C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE2205702B2 (de) | Verfahren zur elektrofotografischen Aufnahme von Durchleuchtungsbildern | |
DE112022002270T5 (de) | Kondensatorelektrode und verfahren zur herstellung einer kondensatorelektrode | |
DE2347414C3 (de) | Verfahren zur Beseitigung der Untergrundrestladung bei elektrofotografischer Bildwiedergabe | |
DE1963980B2 (de) | Verfahren und einrichtung zur elektrofotografischen aufnahme von durchleuchtungsbildern | |
AT155763B (de) | Kathodenstrahlröhre zum Abtasten von Fernsehbildern. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8340 | Patent of addition ceased/non-payment of fee of main patent |