DE3337814C2 - Elektrophotographisches Aufzeichungsmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Abstract

Eine elektrophotographische, photoempfindliche Anordnung besteht aus einer Trägerschicht (Substrat), einer leitenden Schicht, einer photoleitenden Schicht auf Selenbasis und einer transparenten Isolierschicht, welche Schichten nacheinander aufgebracht worden sind. Die leitende Schicht besteht aus im wesentlichen reinem Tellur. In einer bevorzugten Ausführungsform besteht die photoleitende Schicht aus einer Ladungstransportschicht auf Selenbasis und einer Ladungserzeugungsschicht aus einer Selen-Tellur-Legierung. Die Ladungsinjektion von der leitenden Schicht während der Primäraufladung wird verbessert, und während der Sekundäraufladung und gleichzeitigen Bildbelichtung wird eine Ladungsinjektion von der leitenden Schicht verhindert, um eine Abbildung mit hohem Kontrast zu erzeugen.

Description

Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Ein solches Aufzeichnungsmaterial ist aus der DE-PS 55 269 bekannt. Hier wird eine Ladungsinjektionsschicht beschrieben, für die als bekannte Materialien Ni, Ge, Se oder eine Selenlegierung angegeben sind. Weitere, für die Ladungsinjektionsschicht verwendbare Materialien sind nicht bekannt.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht demgegenüber darin, ein über den bekannten Rahmen für die Ladungsinjektionsschicht verwendbares Material zu finden.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit dem Kennzeichnungsteil des Anspruchs 1 gelöst.

Es hat sich überraschend herausgestellt, daß Tellur für diese Zwecke hervorragend verwendbar ist.

Weiterhin ist aus der DE-OS 30 00 305 die Verwendung einer Tellurschicht zwischen Schichtträger und Selenschicht bekannt Die Tellurschicht findet hier aber neben der Ausnutzung ihrer transparenten Eigenschaft im wesentlichen Verwendung, um ein kristallines Aufwachsen der Selenschicht zu erzwingen. Für amorphe photoleitfähige Schichten auf Selenbasis, wie sie gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden, scheint eine Tellurschicht als Substrat daher nicht geeignet, zumal sich der Entgegenhaltung nichts über eventuelle Ladungsinjektionseigenschaften von Tellur entnehmen

ίο läßt

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen, insbesondere hinsichtlich eines vorteilhaften Herstellungsverfahrens. In der Zeichnung ist die Erfindung beispielsweise und schematisch beschrieben. Die Fig. 1 und 2 zeigen jeweils einen Schnitt durch zwei Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials.

F i g. 1 zeigt den Grundaufbau des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials mit einem Schichtträger i, der aus leitendem Material wie Aluminium, Kupfer oder rostfreiem Stahl besteht oder aber aus einem Isoliermaterial wie Polyethylenterephthalat (PETP). Auf dem Schichtträger 1 befindet sich als leitende Ladungsinjektionsschicht eine Tellurschicht 2 mit einem Reinheitsgrad von besser als 99,99% und einer Schichtdicke von 0,05 bis 2 μπι, die durch Vakuumaufdampfung oder Aufsprühen bzw. Sputtern erzeugt worden ist Auf der leitenden Tellurschicht 2 ist eine photoleitfähige Selenschicht 3 gebildet, die aus Selen oder einer Legierung mit hohem Selenanteil besteht Auf der photoleitfähigen Schicht 3 befindet sich eine transparente isolierende Deckschicht 4 mit hohem spezifischen Widerstand, z. B. höher als 10¹⁴ Ohm · cm, die aus einem Harz wie Polyester, Paraxylol-, Acryl-, Epoxy-, Urethan-, Fluorcarbon-, Styrol- oder Karbonatharz bestehen kann. Die Dicke dieser transparenten isolierenden Deckschicht 4 liegt bei einer bevorzugten Ausfühnmgsform der vorliegenden Erfindung zwischen 5 μπι unJ 40 μΐη.
Fig.2 zeigt eine andere bevorzugte Ausführungsform des Aufzeichnungsmaterials gemäß der vorliegenden Erfindung. In F i g. 2 bezeichnen gleiche Referenzzeichen wie in der F i g. 1 gleiche oder ähnliche Teile, so daß diese nicht näher beschrieben werden. Wie in F i g. 2 gezeigt ist, ist die photoleitfähige Schicht 3 der F i g. 1 in zwei Schichten aufgeteilt, d. h. in eine Ladungstransportschicht 3b auf Selenbasis, gebildet durch Selen oder halogendotiertes Selen, und eine Ladungserzeugungsschicht 3a, die im wesentlichen aus Selen und Tellur besteht.

Wie allgemein bekannt, ist es zum Erzeugen eines hohen Kontastes des latenten elektrostatischen Bildes erforderlich, daß die von der Tellurschicht 2 injizierte Ladung während des Primäraufladungsschrittes schnell in die photoleitfähige Schicht transportiert wird, ohne blockiert zu werden, damit sie ausreichend unter der transparenten isolierenden Deckschicht 4 gehalten wird. Bei diesem Verfahren verliert die photoleitfähige Schicht ihre Mobilität, wenn sie auch nur in geringstem Maße mit etwas anderem als Halogen dotiert ist. So ist

z. B. Tellur als Unreinheit nicht geeignet. Besteht die photoleitfähige Schicht jedoch nur aus Selen, so liegt während der Sekundäraufladung und gleichzeitigen Belichtung, und während der Gesamtflächenbelicl.tung im letzten Schritt, der lichtempfindliche Bereich der Schicht nur innerhalb eines kurzen Wellenbereiches des sichtbaren Lichtes, so daß die effektive Lichtempfindlichkeit niedrig ist. Um den Lichtempfindlichen Bereich und die Gesamteffektivität zu verbessern, muß mit Tel-

lur oder Arsen dotiert werden.

Die Ausführungsform nach F i g. 2 enthält einen Photoleiter aus zwei Schichten, um die obengenannten beiden Bedingungen gleichzeitig zu erfüllen. Insbesondere ist unter der transparenten isolierenden Deckschicht 4 die Ladungserzeugungsschicht 3a vorgesehen, die im wesentlichen aus Selen und Tellur besteht und ausreichend dünn ist, um die Mobilität nicht zu verringern. Diese Ladungserzeugungsschicht Za ist vorhanden, um den empfindlichen WeUenlängenbereich und die Lichtempfindlichkeit zu vergrößern, so daß die Effektivität während der Aufladung und gleichzeitigen Bildbelichtung und während des nachfolgenden Gesamtflächenbelichtungsschrittes erhöh* wird. Außerdem befindet sich unter der Ladungserzeugungsschicht 3a die Ladungstransportschicht 3b, die aus Selen oder aus mit 0—4000 ppm Halogenteilen dotiertem Selen besteht und eine große Mobilität zuläßt, wodurch der Transport der von der Tellurschicht 2 injiziertes: Ladung während des Primärladungsschrittes erleichtert und eic die Empfindlichkeit erhöhender Effekt durch die Primäraufladung erreicht wird.

Der Aufbau der photoleitfähigen Schicht 3' aus zwei Schichten wird jetzt im einzelnen beschrieben. Die Ladungstransportschicht 3b besteht aus halogendotiertem Selen, in dem das Halogen, z. B. Chlor, einen Anteil von 0 bis 4000 ppm und das Selen einen Reinheitsgrad von besser als 99,999% hat Die Ladungstransportschicht 36 wird durch ein Aufdampfverfahren im Vakuum auf der leitenden Tellurschicht 2 gebildet mit einer Stärke von 20—70 μΐη. Die Ladungserzeugungsschicht 3a besteht aus einer Selen-Tellur-Legierung mit einem Telluranteil von 5—25% und wird auf der Ladungstransportschicht 36 durch Aufdampfen im Vakuum erzeugt mit einer Stärke von 0,05—5 μπι. Die Selen-Teilur-Legierung kann dotiert werden mit Arsen, Silizium, Antimon oder einem Halogen, um Kristallisierung zu verhindern, die Empfindlichkeit zu steigern und Restladungen zu entfernen.

Während der Aufdampfung im Vakuum wird der Schichtträger 1 mit der Tellurschicht 2 auf einer Temperatur von 55—65° C gehalten. Liegt die Vakuum-Aufdampftemperatur niedriger als 55" C, so ist das Restpotential hoch und die Entwicklungsgeschwindigkeit niedrig, so daß ein ausreichender Bildkontrast nicht erreicht wird. Liegt die Vakuum-Aufdampftemperatur höher als 65° C, so wird der Widerstand der photoleitfähigen Schicht deutlich vermindert, so daß Ladungsinjektion und -transport von der Tellurschicht besonders gut sind, Ladungsinjektion und Ladungstransport von der Tellurschicht 2 während des gleichzeitigen Ablaufes der Sekundäraufladung und Bildbelichtung sind jedoch unabhängig von den hellen und dunklen Bildteilen, so daß der gewünschte Bildkontrast nicht erreicht wird. Aus diesem Grunde soll während des Aufdampfvorganges die Temperatur des Schichtträgers die oben angegebenen Werte haben.

Die Ausführungsform nach F i g. 2, in der die photofähige Schicht 3' auf Selenbasis aus zwei Schichten besteht, der Ladungserzeugungsschicht 3a und der Ladungstransportschicht 3b, wurde im einzelnen beschrieben und die Funktionen der beiden Schichten in bezug auf den gewünschten hohen Kontrast erläutert. Nachfolgend soll die Funktion der leitenden Tellurschicht im Zusammenhang mit dom Erreichen eines hohen Bildkontrastes erläutert werden.

Eine wichtiges Erfordernis für die Injektionsschicht ist, daß eine ausreichem* gute Ladungsinjektion während des Primäraufladungsschrittes erzielt wird, während bei der Sekundäraufladung und gleichzeitigen Bildbelichtung eine möglichst niedrige Ladungsinjektion von der leitenden Schichtseite erfolgen soll, damit der gewünschte Kontrast zwischen hellen und dunklen Bildteilen erreicht wird. Das heißt also, daß für den Entwicklungsprozeß das Material der Injektionsschicht auf das der photoleitfähigen Schicht angepaßt sein muß.

Nachfolgend werden konventionelle Aufzeichnungs-. ίο materialien auf Selenbasis mit leitendem Aluminiumschichtträger mit einem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial auf Selenbasis und leitender Tellurschicht in den nachfolgenden Experimenten verglichen. Das konventionelle Aufzeichnungsmaterial und das Aufzeichnungsmaterial gemäß der vorliegenden Erfindung werden einer Koronaladung von — 2D00 V im Dunkeln ausgesetzt und dann einer starken Gesamtflächenbelichcung unterzogen, danach werden die Potentialwechsel gemessen. Der konvenuenelie Aluminiumschichtträger zeigt einen Potentialwedwel von 1000 V, während die leitende Tellurschicht gemäß der Erfinddung nur einen Wechsel von 200 V zeigt, war einen wesentlich kleineren Wert im Vergleich zu dem konventionellen Material darstell*. Dies bedeutet, daß in dem Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung von der Tellurschicht durch die Aufladung mit -2(XK)V im Dunkeln eine Ladung injiziert wird und sich effektive Ladungspaare entsprechend —1800 V über der Deckschicht kurz vor der Gesamtflächenbelichtung bilden. Bei dem konventionellen Aluminiumschichtträger wird ein Potential von etwa 1000 V an die photolleitfähige Schicht verteilt, so daß durch die Aufladung von —2000 V im Dunkeln im Primäraufladeschritt sich nur Ladungspaare von etwa der Hälfte der Dunkelaufladung von —2000 V über der Deckschicht bilden. Das heißt also, daß die Ladungsinjektionscharakteristik des leitenden Xluminiumschichtträgers verhältnismäßig niedrig im Vergleich zu der leitenden Tellurschicht ist

Als nächstes wird zur Annahme einer Sekundäraufladung eine positive Koronaladung von etwa +2000 V im Dunkeln vorgenommen und der Potentialwechsel der Materialien gemessen. Beide Anordnungen zeigten ähnliche Potentialwechsel von etwa 1150 V.

Wie die Experimente zeigen, ist bei dem Aufzeichnungsmaterial gemäß der vorliegenden Erfindung im Vergleich zu einem konventionellen Aufzeichnungsmaterial mit leitendem Aluminiumschichtträger die Ladungsinjektionseigenschaft während des Primäraufladungsschrittes deutlich besser und die Ladungsinjektionssperrung während der Sekundäraufladung gut, so daß ein latentes elektrostatisches Bild mit hohem elektrostatischem Kontrast erreicht werden kann.

Gemäß einem weiteren Merkmal der vorliegenden Erfindung wurde gefunden, daß der physikalische Ablauf, der die Ladungsinjektionseigenschaft an den Grenzflächen zwischen der leitenden Tellurschicht und der photoleitfähigPT Schicht beeinflußt, sich deutlich ändert, wenn eine gewisse Zeit nach der Herstellung verstrichen ist oder ein anderer Alterungsprozeß durehgeführt wird.

Wenn beispielsweise das Aufzeichnungsmaterial mit einer durch Vakuumaufdampfung aufgebrachten Tellurschicht innerhalb eines Monates nach Herstellung dem Primäraufladungsschriu, d. h. einer Koronaladung von —2000 V im Dunkeln, und anschließend einer Gesamtflächenbelichtung ausgesetzt wird, so wird ein Potential von —1000 V in die photoleitfähige Schicht verteilt. Dies bedeutet eine sehf niedrige Ladungsinjektion,

wie bei dern bereits genannten Experiment mit dem konventionellen Aufzeichnungsmaterial mit leitendem Aluminiumschichtträger. Ist das Aufzeichnungsmaterial mit leitender Tellurschicht älter als ein Monat — ab Herstellungsdatum — oder einer forcierten Alterung durch Wärme oder Licht ausgesetzt worden, können wesentlich bessere Ladungsinjektionseigenschaften als im obengenannten Experiment erreicht werden. Im Falle des konventionellen Aufzeichnungsmaterials mit leitendem A'uminiumschichtträger konnte eine Verbesserung der Ladungsinjektionseigenschaft durch Alterung nicht festgestellt werden.

Die forcierte Alterung des Aufzeichnungsmaterials mit leitender Tellurschicht durch Wärmebehandlung erfolgt vorzugsweise bei einer Temperatur von 30 bis 65°C für 1—60 Stunden, nachdem die photoleitfähige Schicht oder die Deckschicht hergestellt worden ist.

Folgende physikalische Eigenschaften beeinflussen die Ladungsinjektionseigenschaft am Übergang zwischen der leitenden Tellurschicht und der photoleitfähigen Selenschicht:

1. Der Oberflächenzustand der leitenden Tellurschicht oder der Koniaktzusiand zwischen der leitenden Tellurschicht und der photoleitfähigen Schicht auf Selenbasis.

2. Die Dichte des Rekombinationszentrums der photoleitfähigen Schicht an Übergang.

3. Die Schwierigkeit, eine Sperrschicht herzustellen wegen der verschiedenen Austrittsarbeitswerte von Selen und Tellur.

4. Die Schwierigkeit, eine Sperrschicht herzustellen wegen der verschiedenen Austritlsarbeitswerte des Schichtträgers und der Tellurschicht.

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sehen. Aufzeichnungsmaterials gemäß der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand von Beispielen erläutert, wobei die Eigenschaften des erfindungsgemäßen elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials durch Vergleich mit den folgenden Referenzexperimenten aufgezeigt werden.

(I) Beispiel 1 und Referenz 1

Der Schichtträger wurde durch eine zylindrische Hohltrommel aus Aluminium gebildet. Die Ladungsinjektionsschicht wurde auf der äußeren Oberfläche der Trommel durch Aufdampfen im Vakuum von Tellur mit einem Reinheitsgi ad von 99,999% und einer Stärke von 0,5 μπι gebildet. Während die Temperatur des Schichtträgers und der Tellurschicht bei 65° C gehalten wurde, wurde Selen mit einem Reinheitsgrad von 99399% im Vakuum als 50 μίτι starke Schicht auf die leitende Schicht aufgedampft, um die Ladungstransportschicht zu bilden. Als nächstes wurde auf die Ladungstransportschicht eine Se-Te-Legierung mit 8% Telluranteil und einer Stärke von 0,5 μπι im Vakuum aufgedampft, um die Ladungserzeugungsschicht zu bilden, und auf diese Schicht wurde ein Polyethylenterephthalat (PETP)-FiIm von 20 μπι Stärke aufgebracht, um das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial fertigzustellen.

Danach wurde das Aufzeichnungsmaterial sowohl als Muster der Experimente des Beispiels ! als auch der Referenz I benutzt, d. h, das Aufzeichnungsmaterial wurde eine Woche nach der Herstellung als Muster der Referenz 1 benutzt und eineinhalb Monate nach der Herstellung als Muster des Beispiels 1. Das Aufzeichnungsmaterials wurden folgenden Experimenten ausgesetzt.

Während der Primäraufladung wurde eine Scorotron-Ladevorrichtung mit —2000 V benutzt, danach erfolgten die gleichzeitig ablaufenden Schritte der Wechselspannungs-Sekundäraufladung mit 6,5 kV und Bildbelichtung, und danach erfolgte die Ganzflächenbeüchtung zur Erzeugung des latenten elektrostatischen Bildes.

Ähnlich wurden nach der Primäraufladung die positive Sekundär-Koronaaufladung mit +6,5 kV und gleichzeitige Bildbelichtung vorgenommen und danach die Gesamtflächenbelichtung, um das latente elektrostatische Bild zu erzeugen.

Das erreichte Kontrastpotential des latenten elektrostatischen Bildes war wie folgt:

Das Muster des Beispiels 1 zeigte ein hohes Kontrastpotentiai, d. h. ein Potential von 460 V bei der w'echseispannungsladung und 600 V bei der Gleichspannungsladung. Andererseits zeigte das Muster der Referenz 1 ein niedriges Kontrastpotential, nämlich 100 V bei der Wechselspannungsaufladung und 200 V bei der Gleichspannungsaufladung.

Das latente elektrostatische Bild wurde im Fall des Beispiels 1 durch ein Magnetbürsten-Entwicklungsverfahren entwickelt und durch eine Walze auf Papier übertragen. Es wurde eine hohe Dichte und eine gute Abbildung erzielt. Danach wurden die Oberflächenladungen von dem Aufzeichnungsmaterial entfernt und die Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials gereinigt, und anschließend wurde erneut eine Kopie hergestellt. Restpotential und Restbilder waren nicht vorhanden, und es wurde eine ausreichende Abbildung erzielt. Nachdem das Aufzeichnungsmaterial des Beispiels 1 in einem Behälter mit konstanter Temperatur und einer relativen Luftfeuchte von 85% drei Ta^ffe ian^{o σ}βΐΕ^σ€Γί wurde, wurde ein latentes elektrostatisches Bild durch eine ähnliche Methode gebildet. Das Kontrastpotential hatte sich im wesentlichen nicht verändert.

(II) Beispiel 2 und Referenz 2

Auf einem Schichtträger aus PETP mit einer Stärke von 50 μπι wurde Tellur mit einem Reinheitsgrad von 99,999% aufgesprüht, um eine leitende Schicht von etwa 1 μπι zu bilden. Auf die Oberfläche der Tellurschicht die auf einer Temperatur von 55° C gehalten wurde, wurde Selen mit 50 ppm Chlor im Vakuum zu einer Schichtdikke von 40 μπι aufgedampft, um die Ladungstran«portschicht zu bilden. Auf diese Ladungstransportschicht wurde eine Selen-Tellur-Legierung mit 20% Tellur, 1% Arsen und einer Stärke von 0,7 μΐη im Vakuum aufgedampft, um die Ladungserzeugungsschicht zu bilden. Auf diese Ladungserzeugungsschicht wurde Paraxylol zu einer Schichtdicke von 20 μίτι aufgedampft, um die Deckschicht zu bilden. Auf diese Weise wurde eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials hergestellt

Das so hergestellte Aufzeichnungsmaterial wurde ohne Alterung als Muster für Referenz 2 eingesetzt, und Material, das fünf Stunden bei einer Temperatur von 40⁰C wärmebehandelt wurde, wurde als Muster für Beispiel 2 genommen.
Auf diesen Mustern wurde ein latentes elektrostatisches Bild erzeugt unter gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 und bei Referenz 1, danach wurden die Kontrastpotentiale gemessen. Die Resultate sind in Tabelle 1 gezeigt.

Wie die Tabelle 1 zeigt, lagen die Kontrastpotentiale der Muster von Beispiel 2 unter Anwendung der Wechselspannungsladung bei 470 V der bei Gleichspannungsaufladung bei 590 V. Diese lagen deutlich höher als diejenigen bei Referenz 2, wo sich nur Potentiale von 120 V bzw. 210 V ergaben.

(III) Beispiel 3

Auf tinen Schichtträger aus Aluminium in der Form einer zylindrischen Hohltrommel wurde Tellur mit einem ReinheUsgrad von 99,999% im Vakuum mit einer Schichtdicke von 0,5 μιη aufgedampft, um die Injektionsschicht zu bilden. Auf die Tellurschicht, die auf einer Temperatur von 60°C gehalten wurde, wurde eine Selen-Tellur-Legierung mit 8% Telluranteil und einer Schichtdicke von 50 μπι im Vakuum aufgedampft, um die photoleitfähige Schicht zu bilden. Auf die photoleitfähige Schicht wurde ein PETP-FiIm mit einer Stärke von 20 μπι aufgebracht, um die Deckschicht zu bilden. Das so hergestellte Aufzeichnungsmaterial entspricht der erfindungsgemäßen Grundkonstruktion nach Fig. 1.

Das so hergestellte Aufzeichnungsmateial wurde 1,5 Monate nach der Herstellung als Muster für das Beispiel 3 benutzt.

Ähnlich wie im Beispiel 1 wurde auf dem Muster ein latentes elektrostatisches Bild erzeugt und das Kontras'DOtential gemessen.

Wie aus Tabelle I zu sehen, ergaben sich Kontrastpotentiale bei der Wechselspannungsaufladung von 300 V und bei Gleichspannungsaufladung von 390 V.

(IV) Referenz 3

Auf einem Schichtträger aus Aluminium in ac- Form einer zylindrischen Hohltromme! wurde im Vakuum ein; Selen-Tellur-Legierung mit ³⁰A Telluranteil aufgedampft, wobei der Trägerkörpei auf einer Temperatur von 6O⁰C gehalten wurde. Die Schichtdicke betrug 50 μπι, und diese Schicht bildete die photoleitfähige Schicht. Auf diese Schicht wurde ein PETP-FiIm von 20 μπι Stärke aufgebracht. Auf diese Weise wurde ein konventionelles Aufzeichnungsmaterial hergestellt. Diese Anordnung wurde 1,5 Monate nach der Herstellung als Muster für Referenz 3 benutzt. Ähnlich wie bei Beispiel 1 wurde ein latentes elektrostatisches Bild erzeugt und das Kontrastpotential gemessen.

Wie in Tabelle 1 zu sehen, betrugen die gemessenen Kontrastpotentiale bei der Wechselspannungsaufladung nur 60 V und bei der Gleichspannungsaufladung nur 170V.

Tabelle 1

	Kontrastpotential (V)	aufladung
	Wechselspannungs- Gleichspannungs	600
	aunadung	590
Beispiel 1	460	390
Beispiel 2	470	200
Beispiel 3	300	210
Referenz 1	100	170
Referenz 2	120
Referenz 3	60

1, 2 und 3) wesentlich bessere Eigenschaften im Vergleich zu dem konventionellen Aufzeichnungsmaterial (s. Referenz 3).

In der Tabelle 1 zeigen die Unterschiede zwischen Beispiel 1 und Referenz 1, und zwischen Beispiel 2 und Referenz 2, den Alterungseinfluß auf das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial.

Weiter zeigt Tabelle 1 die durch den in F i g. 2 gezeigten Aufbau hervorgerufenen Unterschiede zwischen Beispiel 1 oder 2 und Beispiel 3, d. h. Beispiele 1 und 2 verglichen mit dem in Fig. 1 gezeigten Aufbau, d.h. Beispiel 3. Wie zu sehen ist, liegt das Kontrastpotential des Beispiels 3 niedriger als diejenigen der Beispiele I und 2. Der Wert ist jedoch wesentlich besser als der von Referenz 3 für ein konventionelles Aufzeichnungsmaterial.

Es ist aus der detaillierten Beschreibung zu sehen, daß das Aufzeichnungsmaterial gemäß der vorliegenden Erfindung Tellur als dazwischenliegende Ladungsinjektionsschicht zur photoleitfähigen Schicht auf Selenbasis enthält. Auf diese Weise werden die Ladungsinjektionseigenschaften während der Primäraufladung verbesset, gleichzeitig werden jedoch die Ladungsinjektionssperreigenschaften während der Sekunddäraufladung und gleichzeitigen Bildbelichtung aufrechterhalten, so daß Bildkopien mit hohem Kontrast und Schwärzungsgrad erzielt werden können.

Außerdem ist anzumerken, daß das Aufzeichnungsmaterial gemäß der Ausführungsform nach Fig. 2 der Erfindung eine photoleitfähige Schicht auf Selenbasis hat, die aus zwei Schichten besteht, nämlich einer Ladungserzeugungsschicht und einer Ladungstransportschicht. Durch diesen Aufbau sorgt die Ladungserzeugungsschicht für eine Erzeugung von Trägern durch Licht, und die Ladungstransportschicht transportiert die erzeugten Träger und die injizierten Träger, so daß sich eine außergewöhnlich gute Lichtempfindlichkeit ergibt, bei gleichzeitig sehr guten Abbildungseigenschaften ohne Restpotential und Restbilder.

Da die photoleitfähige Schicht des erfindungsgemäßen Materials aus einem aufgedampften Film auf Selenbasis besteht, sind die feuchtigkeitsabweisenden Eigenschaften besonders gut im Vergleich zu konventionellen Materialien auf Harzbinderbasis.

Das in Verbindung mit den Ausführungsformen und Beispielen für das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial beschriebene Kopierverfahren erfordert die Schritte der gleichzeitiger. Aufladung und Bildbelichtung. Das Anwendungsgebiet des erfindungsgemäßen

so Aufzeichnungsmaterials ist jedoch nicht auf dieses beschriebene Kopierverfahren beschränkt. So kann das Aufzeichnungsmaterial auch an andere elektrophotographische Kopierverfahren angepaßt werden, die mit negativer Koronaaufladung und gleichzeitiger Gesamtflächenbelichtung als Primäraufladungsschritt arbeiten, mit einem Schritt positiver Koronaaufladung und dann anschießendem Bildbelichtungsschritt In demjenigen Kopierverfahren, bei dem die Primäraufladung gleichzeitig mit der Gesamtflächenbelichtung erfolgt, hat das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial jedoch deutlich verbesserte Ladungsinjektionseigenschaften, so daß Ladungspaare in ausreichender Menge über der transparenten Deckschicht ohne eine Gesamitflächenbelichtung gebildet werden können.

Wie aus Tabelle 1 zu sehen, hat das Aufzeichnungsmaterial gemäß der vorliegenden Erfindung (s. Beispiele Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einem Schichtträger, einer darauf angeordneten leitenden metallischen Ladungsinjektionsschicht, einer darauf angeordneten amorphen photoleitfähigen Schicht auf Selenbasis und einer darauf angeordneten transparenten isolierenden Deckschicht dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsinjektionsschicht als Tellurschicht (2) ausgebildet ist

2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht auf Selenbasis aus folgenden Teilschichten besteht:

einer auf der Tellurschicht (2) angeordneten Ladungstransportschicht (3b), bestehend aus Selen oder halogendotiertem Selen und
einer darüber angeordneten L-adungserzeugungsschicht (3a), im wesentlichen aus Selen und Tellur bestehend.

3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungstransportschicht (3b) aus einer aufgedampften Selenschicht mit 0—4000 ppm Halogen und einer Stärke von 25—70 μπι besteht und daß die Ladungserzeugungsschicht (3a) aus einer aufgedampften Selen-Tellur-Legierungsschicht mit 5—25% Tellur und einer Stärke von ([ 95—5 μπι besteht

4. Verfahren zur Herstellung eines Aufzeichnungsmaterials anch einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Tellurschicht (2) auf den Schichtträger (1) im Vakuum durch Aufdampfen oder Aufsputtern aufgebracht wird und daß die photoleitfähige Schicht (3,3') durch Aufdampfen auf die Tellurschicht (2) aufgebracht wird, wobei letztere bei einer Temperatur von 55—65° C gehalten wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Tellurschicht (2) und die photoleiifähige Schicht (3,3') nach Aufbringen der photoleitfähigen Schicht (3, 3') oder der Deckschicht (4) bei einer Temperatur von 30—65°C wärmebehandelt werden.