DE19718584C1 - Sensor zur Detektion von oxidierenden und/oder reduzierenden Gasen oder Gasgemischen - Google Patents
Sensor zur Detektion von oxidierenden und/oder reduzierenden Gasen oder GasgemischenInfo
- Publication number
- DE19718584C1 DE19718584C1 DE1997118584 DE19718584A DE19718584C1 DE 19718584 C1 DE19718584 C1 DE 19718584C1 DE 1997118584 DE1997118584 DE 1997118584 DE 19718584 A DE19718584 A DE 19718584A DE 19718584 C1 DE19718584 C1 DE 19718584C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal oxide
- sensor according
- sensor
- strips
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/129—Diode type sensors, e.g. gas sensitive Schottky diodes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Sensor nach dem Oberbe
griff des Patentanspruches 1, mit dem die Bestimmung
verschiedener einzelner Gase, die auch in Gasge
mischen enthalten sein können, auch in möglichst
quantifizierbarer Form möglich ist.
Dünnschicht-Gassensoren auf Metalloxidbasis, bei
spielsweise SnO2-Sensoren, sind technologisch fort
geschritten, teils mikromechanische Bauelemente, wel
che in verschiedenen Bauformen und Technologien her
gestellt und für eine Vielzahl verschiedener Applika
tionen bereits marktfähig angeboten werden. Zu geeig
neten Anwendungsbeispielen zählen z. B. die kontinu
ierliche Arbeitsplatz- und Haushaltsgeräte-Über
wachung, Luftgüte-Kontrollsysteme für Automobile so
wie die Umweltanalytik.
Dünnschicht-Gassensoren auf Metalloxidbasis zeigen
durch spezifische Oberflächen-, Temperatur-, Volumen-
und Geometrie-Variationen bevorzugte Gasreaktionen
und finden aufgrund der thermodynamischen Stabilität
der aktiven Schichten sowie aufgrund der einfachen
Sensorherstellung durch bekannte Standardverfahren
häufige Verwendung. Gerade die Kombination aus tech
nischer Stabilität und einfacher, kostengünstiger
Verarbeitung prädestiniert Metalloxid-Gassensoren für
Anwendungen mit hohen Stückzahlen. Außerdem besitzen
derartige Sensoren eine Reihe von Vorteilen gegenüber
anderen Sensoren. So lassen sich die sensorischen
Eigenschaften durch Variation der Kontaktgeometrie
sowie durch Wahl der Dotierstoffe und Katalysatoren
gezielt beeinflussen. Ein weiterer Vorteil ist die
Kompatibilität der zur Herstellung erforderlichen
Prozeßschritte zur Mikroelektronik.
Fortschritte hinsichtlich der Selektivität von Me
talloxid-Gassensoren werden durch die DE 44 24 342 C1
erzielt. In Folge der geometrischen Variation von
sensoraktiver Fläche, Kontaktgeometrie und Kontakt
abstand läßt sich eine verbesserte Selektivität ge
genüber verschiedenen Analyten erreichen. Nachteilig
ist jedoch, daß die als einzelne Streifen ausgebilde
ten sensorischen Flächen ihre unterschiedlichen sen
sorischen Eigenschaften durch teilweise erheblich
unterschiedliche Dimensionierung von Kontaktfläche
und Kontaktabstand erhalten, was eine aufwendige
Strukturierung erforderlich macht. Weitere Nachteile
dieses Sensors sind um Größenordnungen auseinander
liegende Sensorwiderstände und meßtechnisch ungünstig
hohe Widerstände im MΩ-Bereich. Beide Aspekte er
schweren das elektrische Auslesen des Sensors.
Aus der nicht vorveröffentlichten DE 197 10 456 C1 ist
ein Dünnschicht-Gassensor mit einer heizbaren Metall
oxidschicht, bei dem der Kontakt zwischen einer er
sten Elektrodenanordnung und der Metalloxidschicht
als Schottky-Kontakt mit einer diodenähnlichen Kenn
linie, und der Kontakt zwischen einer zweiten Elek
trodenanordnung und der Metalloxidschicht als
Ohmscher Kontakt mit annähernd linearer Kennlinie
ausgebildet ist, bekannt. mit dem insbesondere die
Sensitivität für NO2 gegenüber den aus der DE 44 24
342 bekannten Sensorstrukturen auf das bis zu 160-
fache verbessert ist.
Bei dem Kontakt-Layout gemäß der DE 44 24 342 (sym
metrischer SnO2-Streifen auf Pt-Kontakten) bilden
sich zwischen der Metalloxidschicht und Platinelek
troden jeweils Schottky-Kontakte aus. Das Ersatz
schaltbild zweier über eine Metalloxidschicht verbun
dener Elektrodenanordnungen entspricht somit prinzi
piell zwei gegeneinander geschalteten Schottky-Dio
den. Bei Messungen befindet sich somit stets eine der
beiden Dioden in Sperrichtung, wodurch ungünstig hohe
Widerstandsbereiche ausgewertet werden müssen. Durch
die in DE 197 10 456 beschriebene asymmetrische Kon
taktierung der Metalloxidschicht durch einen Schott
ky-Kontakt und einen Ohmschen Kontakt soll die Aus
wertung der Messung, sofern der Schottky-Kontakt in
Durchflußrichtung betrieben wird, in einem wesentlich
günstigeren, tieferen Widerstandsbereich durchgeführt
werden können.
Mit den bekannten Dünnschicht-Gassensoren bzw.
Sensorarrays ist es jedoch nicht ohne weiteres mög
lich, diese für die Detektion verschiedener Gase mit
ausreichender Genauigkeit und mit vernünftigem Auf
wand auszulegen oder einen einzigen Sensor zur Detek
tion verschiedener Gase zur Verfügung zu stellen.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, einen Sensor zur
Detektion von oxidierenden und/oder reduzierenden
Gasen oder Gasgemischen zur Verfügung zu stellen, der
einfach und komplex aufgebaut ist und einen solchen
Sensor durch einfache Anpassung oder ein entsprechen
des Layout für verschiedene Gase in ausreichendem
Maße sensitiv zu gestalten.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die Merkmale
des Patentanspruches 1 gelöst. Vorteilhafte Ausge
staltungsformen und Weiterbildungen der Erfindung
ergeben sich bei Anwendung der in den untergeordneten
Ansprüche genannten Merkmale.
Der erfindungsgemäße Sensor zur Detektion verschiede
ner oxidierender und/oder reduzierender Gase besteht
aus mindestens einer Metalloxidschicht und zwei mit
der Metalloxidschicht verbundenen Elektroden, wobei
wahlweise mindestens eine der Elektroden als Schott
ky-Kontakt ausgebildet ist. Dabei zeichnet sich der
erfindungsgemäße Sensor insbesondere dadurch aus, daß
die Metalloxidschicht in Form mehrerer parallel ge
schalteter Streifen ausgebildet ist. Dies hat den
Vorteil, daß auf einfache Art und Weise und in einem
technologischen Arbeitsgang die Streifenstruktur der
Metalloxidschicht ausgebildet werden kann und dabei
definitiv eine ganz bestimmte Querempfindlichkeit
einstellbar ist, so daß die Selektivität und/oder
Sensitivität für ein ganz bestimmtes Gas optimierbar
ist.
Durch die Auswahl der Anzahl und/oder der Breite der
einzelnen Metalloxidstreifen kann der Grundwiderstand
des sensitiven Teiles des Sensors definiert einge
stellt werden, so daß einmal ein Sensor für ein ganz
bestimmtes Gas, wie z. B. CO, NO oder CH4 bzw. H2O her
gestellt werden kann und eine Kombination mehrerer
solcher verschieden ausgebildeter Sensoren in Form
eines Sensorarrays für die Mischgasanalyse eingesetzt
werden können.
Die Parallelschaltung der streifenförmig ausgebilde
ten gassensitiven Metalloxidschichten bewirkt eine
Verringerung des Gesamtwiderstandes und es kann wie
bereits genannt, durch gezielte Einflußnahme auf die
Geometrie und Anzahl der einzelnen Streifen die
letzliche Selektivität und Sensitivität des Sensors
bestimmt werden.
So führen breitere Metalloxidstreifen mit einer Brei
te zwischen 50 µm und 1000 µm dazu, daß insbesondere
die Sensitivität für reduzierend wirkende Gase ver
größert ist und schmalere Metalloxidstreifen mit ei
ner Breite zwischen 2 µm und 100 µm dazu, daß bevor
zugt oxidierend wirkende Gase detektierbar sind.
In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungs
gemäßen Sensors sind die Elektroden als Interdigital
kämme ausgebildet, wobei auch die jeweilige Breite
der Kontaktelektrodenfinger einen Einfluß auf die
Selektivität und Sensitivität des jeweiligen Sensors
hat. Beispielsweise ist ein solcher Sensor insbeson
dere für NO2-sensitiv, wenn er einmal relativ schmale
Metalloxidstreifen hat und auch die Kontaktelektro
denfinger in einer äquivalenten Breite ausgebildet
sind.
Es besteht aber auch die Möglichkeit, die Elektroden
als einfache Kontaktflecken auszubilden, die wiederum
vorzugsweise aus Platin oder anderen geeigneten Me
tallen, wie Aluminium, Palladium, Gold, Silber,
Chrom, Nickel und entsprechenden Legierungen beste
hen.
Als besonders geeignet hat sich SnO2 als Metalloxid
herausgestellt, wobei jedoch andere Metalloxide, wie
z. B. TiO2, WO3, Ga2O3, ZnO, ZrO2, V2O5, In2O3, SrTiO3
oder Sb2O3 oder Mischungen dieser Metalloxide eben
falls eingesetzt werden können.
Günstig ist es außerdem, wenn das sensitive Metall
oxid, wie z. B. SnO2 auf einer Kontaktseite wahlweise
mit einem als Donator wirkenden Material dotiert
wird, so daß dieser Bereich Ohmsches Verhalten auf
weist und die andere Elektrode als Schottky-Kontakt
in Durchlaßrichtung geschaltet, ausgebildet ist.
Prinzipiell besteht jedoch auch die Möglichkeit, bei
de Elektroden als Schottky-Kontakte auszubilden, wo
bei jedoch die Verwendung der zwei verschiedenartig
ausgebildeten Elektroden den Vorteil erhöhter Sensi
tivität, insbesondere bei oxidierend wirkenden Gasen
hat.
Für die Detektion reduzierend wirkender Gase ist es
jedoch günstiger, den Kontaktbereich nicht zu modifi
zieren. Die Streifen der Metalloxidschicht breiter
auszubilden, wie dies bereits genannt worden ist.
Die Metalloxidstreifen-Struktur läßt sich auf relativ
einfache Art und Weise mit einem bekannten Bedamp
fungsverfahren im Vakuum herstellen, wobei die Struk
tur auf bekanntem lithografischen Wege mit wenigen
Arbeitsschritten hergestellt werden kann und die
Schichtdicke in einem Beschichtungsgang für die ein
zelnen Streifen nahezu konstant eingehalten wird und
dabei bevorzugt im Bereich zwischen 30 nm und 500 nm
liegen sollte.
Der erfindungsgemäße Sensor hat weiter den Vorteil,
daß die sensitive Schicht in Form der Streifen im
Nachgang getrimmt werden kann, in dem ein Material
abtrag durch beispielsweise Oberflächen- oder Tiefen
laserbearbeitung erfolgen kann.
Dieser Vorgang kann aber auch bei den Elektroden
durchgeführt werden, um die jeweils gasabhängige Sen
sitivität zu optimieren.
Die wirksame Kontaktlänge wird im wesentlichen durch
die Anzahl der parallelgeschalteten Metalloxidstrei
fen, die in der Regel zwischen 2 und 50 Streifen,
deren Länge zwischen 10 µm und 10 mm liegen kann,
bestimmt.
Die Dicke für die Kontakte sollte bevorzugt bei etwa
250 nm liegen, Dicken bis zu 1 µm sind möglich.
Mit der erfindungsgemäßen Lösung ist es aber auch
möglich, einen Sensor mit einem Layout vorzugeben,
der in der Lage ist, mehrere verschiedene Gase zu de
tektieren. Hierfür werden Metalloxidstreifen mit un
terschiedlicher Breite hergestellt, die wahlweise in
verschiedenen Kombinationen kurzschließbar gestaltet
sind, so daß, je nachdem welche der Streifen kurzge
schlossen werden, der Grundwiderstand variabel wird
und demzufolge je nach Schaltungszustand eine be
stimmte Sensitivität für ein bestimmtes Gas ausge
wählt werden kann und durch Mehrfachschaltung inter
mittierend mit nur einem Sensor mehrere Gase detek
tierbar sind.
Eine weitere verbesserte Möglichkeit für einen erfin
dungsgemäßen Sensor besteht darin, daß zumindest an
einer der Seiten der streifenförmig ausgebildeten
sensitiven Metalloxidschicht zwei verschiedene Elek
troden, beispielsweise ein Interdigitalkamm und ein
Elektrodenfleck ausgebildet sind, von denen wahlweise
das Meßsignal abgenommen werden kann. Dadurch besteht
die Möglichkeit, einen Sensor zu erhalten, der beid
seitig als Schottky-Kontakt ausgebildete Elektroden
aufweist und, wie dies bereits aus DE 197 10 456 be
kannt ist, an einer Seite einen Schottky-Kontakt und
auf der anderen Seite eine Ohmsche Elektrode auf
weist.
Der erfindungsgemäße Sensor verfügt, wie dies bereits
aus dem Stand der Technik bekannt ist, über eine Hei
zung mit der die erforderlichen Temperaturen zwischen
100 und 800°C für die Detektion eingestellt werden
können. Da die Sensitivität temperaturabhängig ist,
ist es besonders günstig, wenn die Heizung steuer-
und/oder regelbar ist, wobei am erfindungsgemäßen
Gassensor ein Temperatursensor vorhanden sein soll,
dessen Signal einmal zur Steuerung bzw. Regelung der
Heizung eingesetzt werden kann und zum anderen ge
zielt bestimmte Temperaturen im Detektionsbereich des
Gassensors eingestellt werden können, um temperatur
abhängig die Selektivität des Gassensors zu beein
flussen oder eine Temperaturkompensation der Meßsi
gnale vorzunehmen.
Die Heizung kann dabei, wie dies bereits aus dem
Stand der Technik bekannt ist, auf einem Substrat
ausgebildet werden, wobei die auf der detektiven Sei
te, also dort, wo die Elektroden- und die Streifen
struktur ausgebildet ist, aber auch auf der anderen
Seite des Substrates ausgebildet sein.
Nachfolgend soll die Erfindung an Ausführungsbeispie
len näher beschrieben werden.
Dabei zeigt:
Fig. 1 einen schematischen Aufbau eines Beispiels
eines erfindungsgemäßen Gassensors;
Fig. 2 ein Sensorarray mit verschiedenen Gassenso
ren;
Fig. 3 ein weiteres Beispiel eines Sensorarrays
mit anderen Gassensoren;
Fig. 4 ein Beispiel eines Sensors mit spezieller
Elektrodenanordnung;
Fig. 5 ein Beispiel nach Fig. 4 mit variabler
Struktur der Metalloxidstreifen;
Fig. 6 ein Beispiel eines Sensors mit einer zu
sätzlichen Elektrode und
Fig. 7 ein weiteres Beispiel mit einer zusätzli
chen Elektrode.
Der in Fig. 1 schematisch gezeigte Gassensor besitzt
einen sensitiven Schichtaufbau aus SnO2, der strei
fenförmig ausgebildet ist und dabei die Streifen 1
parallel geschaltet sind. Bei diesem Beispiel eines
erfindungsgemäßen Gassensors sind die beiden Elektro
den 2 und 3 als Interdigitalkämme ausgebildet, wobei
das Metalloxid auf den Kontaktelektrodenfingern einer
der Elektroden 2 oder 3 in den, jedoch in zumindest
in einem der SnO2-Streifen 1 implantiert sind oder,
daß die Kontaktelektroden aus einem anderen Metall,
als die andere Elektrode bestehen, so daß diese Elek
trode Ohmsches Verhalten aufweist. Im Gegensatz dazu
kann die andere Elektrode 2 oder 3 dann als Schottky-
Kontakt ausgebildet sein. Es besteht aber auch die
Möglichkeit, beide Elektroden 2 und 3 als Schottky-
Kontakt auszubilden. Die Selektivität und Sensitivi
tät eines solchen Sensors wird im wesentlichen durch
die Anzahl der SnO2-Streifen 1, deren Breite und die
Breite bzw. Kontaktfläche der mit den SnO2-Streifen 1
in Verbindung stehenden Kontaktelektrodenfingern be
stimmt.
In der Fig. 2 ist dann ein aus mehreren verschieden
ausgebildeten Gassensoren bestehendes Sensorarray
dargestellt, mit denen verschiedene Gase detektierbar
sind.
Dabei ist der Gassensor 4 so ausgebildet, daß die
SnO2-Streifen schmal ausgebildet sind, also eine re
lativ kleine Breite BS und einen einseitig dotierten
Kontaktbereich aufweisen, so daß die NO2-Sensitivi
tät, bei verminderter Querempfindlichkeit zu reduzie
rend wirkenden Gasen, wie z. B. CO erhöht, ist.
Im Gegensatz dazu ist der Gassensor 5, mit erhöhter
Breite der SnO2-Streifen, bei gleichzeitig erhöhter
Breite der Kontaktelektrodenfinger für reduzierend
wirkende Gase, wie z. B. CO, empfindlicher. Ein sol
cher Sensor kann aber auch mit schmaleren SnO2-Strei
fen ausgebildet werden, wenn diese nicht dotiert
sind. Bei den in der Fig. 2 gezeigten Gassensoren 4,
5, 6 und 7 sind die Elektroden jeweils als Interdigi
talkamm ausgebildet und mit den Gassensoren 6 und 7
können wiederum andere Gase, als mit den Gassensoren
4 oder 5 detektiert werden.
An dem in Fig. 2 gezeigten Sensorarray ist auch eine
Heizung 8, 8' ausgebildet, in deren Nähe ein Tempera
tursensor 9, 9' vorhanden ist, mit dem die Temperatur
erfaßt und wie bereits in der Beschreibung erwähnt,
zur Steuerung und Regelung bzw. Meßwertauswertung
ausgenutzt werden kann.
Das in der Fig. 3 gezeigte Sensorarray entspricht im
wesentlichen dem Aufbau, wie er auch dem in der Fig.
2 dargestellten, entspricht. Dabei sind die Gassenso
ren 12 und 13 als erfindungsgemäße Gassensoren ausge
bildet und die Sensoren 10 und 11 verfügen über eine
geschlossene sensitive SnO2-Schicht. Bei den in der
Fig. 3 dargestellten Gassensoren 10, 11, 12 und 13
sind jedoch im Gegensatz zu den Gassensoren 4, 5, 6
und 7 (Fig. 2) die Kontakte einfache Metallstreifen,
deren Länge zwischen 10 µm und 10 mm liegt und die
Breite der Kontaktstreifen Bk zwischen 2 µm und 100
µm liegt.
In der Fig. 4 ist ein Beispiel eines erfindungsgemä
ßen Sensors dargestellt, bei dem eine Elektrode 3 als
Interdigitalkamm und die andere Elektrode 2 aus meh
reren Kontaktflecken an den Metalloxidstreifen 1 aus
gebildet ist.
In der Fig. 5 ist ein Beispiel für einen erfindungs
gemäßen Sensor dargestellt, bei die Metalloxidstrei
fen 1 jeweils unterschiedliche Breiten aufweisen und
durch wahlweises kurzschließen in verschiedenster
Kombination die Selektivität bzw. Sensitivität beein
flußbar ist.
Der Sensor nach Fig. 6 ist dahingehend verbessert,
daß bei ihm eine zusätzliche Elektrode 2' vorhanden
ist, so daß der Sensor wahlweise intermittierend oder
parallel so geschaltet werden kann, daß er mit zwei
Schottky-Kontakten in deren Durchlaßrichtung betrie
ben wird oder eine Elektrode 3 ein Schottky-Kontakt
ist und die andere Elektrode Ohmsches Verhalten auf
weist. Wodurch weitere Möglichkeiten eröffnet werden,
bei Verwendung von nur einem Sensor, die Selektivität
bzw. Sensitivität zu verbessern oder sogar mindestens
zwei verschiedene Komponenten zu detektieren.
Die Elektroden 2 und 2' können wahlweise identisch
oder unterschiedlich sein. Dabei kann eine der Elek
troden 2 oder 2' Ohmsches Verhalten und die anderen
Elektroden nichtlineares Verhalten zeigen.
Dies kann beispielsweise durch unterschiedliche Me
talle für die Elektrode 2 oder 2' erreicht werden und
eine weitere Möglichkeit besteht darin, eine der
Elektroden zu implantieren.
Der Sensor kann auch so betrieben werden, daß die
Elektrode 3 Ohmsches- oder Schottky-Verhalten auf
weist, während die Elektrode 2 oder 2' nichtlineares
Verhalten aufweist.
Das in der Fig. 7 gezeigte Beispiel eines Sensors
verwendet zwei als Interdigitalkamm ausgebildete
Elektroden 3, 3' und eine zusätzliche Elektrode 2.
Der ähnlich betrieben werden kann, wie dies mit dem
Sensor nach Fig. 6 der Fall ist.
Claims (13)
1. Sensor zur Detektion von oxidierenden und/oder
reduzierenden Gasen oder Gasgemischen mit minde
stens einer Metalloxidschicht und zwei mit der
Metalloxidschicht verbundenen Elektroden, wobei
mindestens eine der Elektroden als Schottky-Kon
takt ausgebildet ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Metalloxidschicht in Form mehrerer
parallel geschalteter Streifen (1) ausgebildet
ist.
2. Sensor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Metalloxidstrei
fen (1) zur Messung oxidierender Gase eine Brei
te BS zwischen 2 µm und 100 µm aufweisen.
3. Sensor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Metalloxidstrei
fen (1) zur Messung reduzierender Gase eine
Breite BS zwischen 50 µm und 1000 µm aufweisen.
4. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Breite BS der
parallel geschalteten Metalloxidstreifen (1)
variiert und ausgewählte Metalloxidstreifen (1)
selektiv kurzschließbar sind.
5. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (2,
3) als Interdigitalkämme ausgebildet sind.
6. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (2,
3) als Kontaktflecken oder Interdigitalkamm aus
gebildet sind, wobei die Metalloxidstreifen (1)
einseitig mit einem als Donator wirkenden Mate
rial dotiert sind.
7. Sensor nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß das Dotiermaterial
Antimon, Indium, Vanadium, Nickel, Chrom, Molyb
dän, Tantal, Gadolinium oder Wismut ist.
8. Sensor nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektro
denfinger zur Messung oxidierender Gase eine
Breite Bk zwischen 2 µm und 100 µm aufweisen.
9. Sensor nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß einseitig an den
Metalloxidstreifen (2) eine zusätzliche als Kon
taktfläche ausgebildete Elektrode angeordnet
oder in mindestens einem Metalloxidstreifen
implantiert ist.
10. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die Metalloxidstrei
fen (1) aus SnO2, ZnO, TiO2, WO3, Ga2O3, SrTiO3,
ZrO2, V2O5, In2O3 oder Sb2O3 bestehen.
11. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß die Metalloxidstrei
fen (1) eine Dicke zwischen 30 nm und 500 nm
aufweisen.
12. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 11,
dadurch gekennzeichnet, daß mehrere unterschied
lich dimensionierte und/oder mit unterschiedli
chen Elektroden (2, 3) ausgebildete Einzelsen
soren (4, 5, 6, 7, 10, 11, 12, 13) auf einem
Substrat zur Detektion verschiedener Gase eines
Gasgemisches aufgebracht sind.
13. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 12,
dadurch gekennzeichnet, daß eine steuer- und/-
oder regelbare Heizung (8, 8') vorhanden ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997118584 DE19718584C1 (de) | 1997-05-05 | 1997-05-05 | Sensor zur Detektion von oxidierenden und/oder reduzierenden Gasen oder Gasgemischen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997118584 DE19718584C1 (de) | 1997-05-05 | 1997-05-05 | Sensor zur Detektion von oxidierenden und/oder reduzierenden Gasen oder Gasgemischen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19718584C1 true DE19718584C1 (de) | 1998-11-19 |
Family
ID=7828434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1997118584 Expired - Fee Related DE19718584C1 (de) | 1997-05-05 | 1997-05-05 | Sensor zur Detektion von oxidierenden und/oder reduzierenden Gasen oder Gasgemischen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19718584C1 (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1141690A1 (de) * | 1998-12-01 | 2001-10-10 | Cyrano Sciences Inc. | Auf in linien gebrachten partikeln basieter sensor |
EP1254478A1 (de) * | 2000-01-19 | 2002-11-06 | The Regents of the University of California | Chemischer snesor basierend auf der chemisch induzierten generierung von elektron-lochpaaren in einem schottky-übergang |
US6903433B1 (en) | 2000-01-19 | 2005-06-07 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
US7113069B1 (en) | 1999-11-30 | 2006-09-26 | Smiths Detection Inc. | Aligned particle based sensor elements |
US7153401B2 (en) * | 2002-05-13 | 2006-12-26 | The Regents Of The University Of California | Current-biased potentiometric NOx sensor for vehicle emissions |
US7274082B2 (en) | 2000-01-19 | 2007-09-25 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
US7406856B2 (en) | 2001-09-12 | 2008-08-05 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Chromium/titanium oxide semiconductor gas sensor and method for production thereof |
EP3559659B1 (de) * | 2016-12-22 | 2024-07-31 | Materials Center Leoben Forschung GmbH | Sensoranordnung zur bestimmung und gegebenenfalls messung einer konzentration von mehreren gasen und verfahren zur herstellung einer sensoranordnung |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4424342C1 (de) * | 1994-07-11 | 1995-11-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Sensorarray |
DE19710456C1 (de) * | 1997-03-13 | 1998-08-13 | Fraunhofer Ges Forschung | Dünnschicht-Gassensor |
-
1997
- 1997-05-05 DE DE1997118584 patent/DE19718584C1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4424342C1 (de) * | 1994-07-11 | 1995-11-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Sensorarray |
DE19710456C1 (de) * | 1997-03-13 | 1998-08-13 | Fraunhofer Ges Forschung | Dünnschicht-Gassensor |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1141690A4 (de) * | 1998-12-01 | 2002-08-07 | Cyrano Sciences Inc | Auf in linien gebrachten partikeln basieter sensor |
US7471185B2 (en) | 1998-12-01 | 2008-12-30 | Smiths Detection, Inc. | Aligned particle based sensor elements |
EP1141690A1 (de) * | 1998-12-01 | 2001-10-10 | Cyrano Sciences Inc. | Auf in linien gebrachten partikeln basieter sensor |
US7113069B1 (en) | 1999-11-30 | 2006-09-26 | Smiths Detection Inc. | Aligned particle based sensor elements |
US7391056B2 (en) | 2000-01-19 | 2008-06-24 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a Schottky barrier |
US6998693B2 (en) | 2000-01-19 | 2006-02-14 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
US7057213B2 (en) | 2000-01-19 | 2006-06-06 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
US6903433B1 (en) | 2000-01-19 | 2005-06-07 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
US7274082B2 (en) | 2000-01-19 | 2007-09-25 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
US7282778B2 (en) | 2000-01-19 | 2007-10-16 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a Schottky barrier |
US7385271B2 (en) | 2000-01-19 | 2008-06-10 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
EP1254478A4 (de) * | 2000-01-19 | 2004-12-01 | Adrena Inc | Chemischer snesor basierend auf der chemisch induzierten generierung von elektron-lochpaaren in einem schottky-übergang |
EP1254478A1 (de) * | 2000-01-19 | 2002-11-06 | The Regents of the University of California | Chemischer snesor basierend auf der chemisch induzierten generierung von elektron-lochpaaren in einem schottky-übergang |
US7406856B2 (en) | 2001-09-12 | 2008-08-05 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Chromium/titanium oxide semiconductor gas sensor and method for production thereof |
US7153401B2 (en) * | 2002-05-13 | 2006-12-26 | The Regents Of The University Of California | Current-biased potentiometric NOx sensor for vehicle emissions |
EP3559659B1 (de) * | 2016-12-22 | 2024-07-31 | Materials Center Leoben Forschung GmbH | Sensoranordnung zur bestimmung und gegebenenfalls messung einer konzentration von mehreren gasen und verfahren zur herstellung einer sensoranordnung |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10011562C2 (de) | Gassensor | |
DE3019387C2 (de) | Dünnschicht-Halbleiter-Gassensor mit einem in den Sensoraufbau integrierten Heizelement | |
DE69713698T2 (de) | Gasfühler | |
DE69117374T2 (de) | SiC-Dünnschichtthermistor und Verfahren und Herstellungsverfahren. | |
EP2220482B1 (de) | Gassensor mit einer verbesserten selektivität | |
EP2936093A2 (de) | Sensorelement, thermometer sowie verfahren zur bestimmung einer temperatur | |
DE19718584C1 (de) | Sensor zur Detektion von oxidierenden und/oder reduzierenden Gasen oder Gasgemischen | |
DE2933971C2 (de) | Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung des Verunreinigungsgehaltes von Luft auf der Basis von Metalloxidhalbleitern | |
WO2001044797A1 (de) | Elektrochemischer messfühler | |
DE69419570T2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Nachweis einer Flüssigkeit und/oder einer Phasenveränderung | |
DE69018471T2 (de) | Selbsttragender dünnschichtsensor, verfahren zu seiner herstellung und anwendung in der gasdetektion und gaschromatographie. | |
DE3515035C2 (de) | ||
DE4320881A1 (de) | Kombination von Lambda-Sonden | |
EP1010002A1 (de) | Wasserstoffsensor | |
DE19910444A1 (de) | Temperaturfühler | |
EP0665428B1 (de) | Einrichtung für die Messung von Zustandsgrössen in Gasen mit zumindest einem Halbleiter-Gassensor | |
DE4334410C3 (de) | Dünnschicht-Gassensor | |
WO2006122875A1 (de) | Schaltungsanordnung zum betrieb eines gassensor-arrays | |
DE19900017C2 (de) | Gassensor | |
DE69422878T2 (de) | Nachweis von reaktiven Gasen | |
DE10339944A1 (de) | Grenzstromtyp-Sauerstoffsensor | |
EP0893688A1 (de) | Heizleiter-Schicht mit veränderlichem elektrischen Widerstand und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP2936094B1 (de) | Sensorelement, thermometer sowie verfahren zur bestimmung einer temperatur | |
DE69105770T2 (de) | Sauerstoffsensor. | |
DE2831400A1 (de) | Kohlenmonoxid-sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of the examined application without publication of unexamined application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20131203 |