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DE1285529B - Aus mindestens zwei Dioden-Transistor-Logikelementen aufgebauter ODER-Schaltkreis - Google Patents

Aus mindestens zwei Dioden-Transistor-Logikelementen aufgebauter ODER-Schaltkreis

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Publication number
DE1285529B
DE1285529B DER42437A DER0042437A DE1285529B DE 1285529 B DE1285529 B DE 1285529B DE R42437 A DER42437 A DE R42437A DE R0042437 A DER0042437 A DE R0042437A DE 1285529 B DE1285529 B DE 1285529B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
output
logic elements
diode
volts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DER42437A
Other languages
English (en)
Inventor
Yao Ying-Luh
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE1285529B publication Critical patent/DE1285529B/de
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
    • H03K19/084Diode-transistor logic

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
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  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
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Description

  • Die Erfindung betrifft einen aus mindestens zwei Dioden-Transistor-Logikelementen aufgebauten ODER-Schaltkreis, bei dem jedes Logikelement einen ersten Transistor, einen,' als "aktive Last mit diesem in Reihe geschalteten zweiten Transistor und einen zwischen dem leitenden und dem gesperrten Zustand schaltbaren dritten Transistor mit jeweils zwei einen Leitungsweg bildenden Hauptelektroden und einer Steuerelektrode zum Steuern der Leitfähigkeit dieses Weges enthält, bei dem ferner in jedem Logikelement die Eingangssignale über Dioden auf die Steuerelektrode des dritten Transistors gekoppelt sind, dessen zwei Ausgänge bildende Hauptelektroden mit der Steuerelektrode des ersten"Transistors bzw. mit der Steuerelektrode des zweiten Transistors verbunden sind, und bei dem für sämtliche Transistoren über einen- allen Logikelementen gemeinsamen Punkt zugeführt ist.
  • Logikelemente, d. h. logische Grundfunktionen, wie z. B. die NAND-Funktion oder die NOR-Funktion erfüllende Schaltkreise, die bekanntlich in großem Umfange unter anderem in Schalt- und Datenverarbeitungsanlagen zur Weiterleitung von Informationen in Form von elektrischen Signalen innerhalb der Anlage über bestimmte Schaltungswege an bestimmte Stellen verwendet werden, können als Subminiaturpackungen, beispielsweise vom Monolith-oder Bausteintyp hergestellt werden. Wegen der sich dabei ergebenden gedrängten Anordnung der einzelnen Schaltungskomponenten kann die Wärmeableitung, besonders bei ohmschen Komponenten, ein kritisches Problem werden. Man ersetzt daher häufig solche ohmschen Widerstände durch aktive Bauelemente, beispielsweise den Kollektorarbeitswiderstand eines Transistors durch einen weiteren Transistor als aktive Last.
  • In Datenverarbeitungsanlagen sind die Logikelemente im allgemeinen zu komplexen Netzwerken verschaltet. Eine solche Verschaltungsart besteht darin, daß die Ausgänge zweier oder mehrerer Logikelemente direkt zusammengeschaltet werden, so daß ihre am gemeinsamen. Ausgang kombinierten Ausgangsgrößen die ODER-Funktion erfüllen, indem das gemeinsame Ausgangssignal immer dann anwesend ist, wenn eines oder mehrere der so zusammengeschalteten Logikelemente ein Ausgangssignal liefert bzw. liefern. Derart verschaltete Logikelemente simulieren also gewissermaßen die ODER-Funktion, so daß sie zum Unterschied von einem reellen ODER-Schaltkreis als »Virtuell-ODER-Schaltkreise« bezeichnet werden. Ihre Funktion wird entsprechend als »virtuelle« ODER-Funktion bezeichnet.
  • Ein bekannter Schaltkreis der eingangs genannten. Art, der allerdings keine ODER-Funktion erfüllt; sondern als Pufferschaltkreis dient, ist ein sogenanntes »Dual Buffer Element« (gezeigt unter anderem in der Veröffentlichung »Electronie News« vom 10. B. 1964). Würde man bei einer solchen Anordnung die Ausgänge der einzelnen Logikelemente direkt zu einem Virtuell-ODER-Schaltkreis zusammenschalten, i wie es im Hinblick auf die schaltungstechnische Einfachheit und Arbeitsgeschwindigkeit in komplizierten Logiksystemen sehr wünschenswert ist, so würde ohne das Vorhandensein eines zusätzlichen Puffertransistors in jedem Logikelement infolge noch zu i erläuternder Vorgänge die Anordnung unstabil, indem sie einen übermäßigen Leistungsverbrauch mit Gefahr einer überhitzung und Zerstörung der Transistoren aufweist. Ein zusätzlicher Transistor in jedem Logikelement, der in diesem Falle unerläßlich wäre, hat aber wiederum . den Nachteil eines erhöhten Schaltungsaufwandes und außerdem einer Verringerung der Arbeitsgeschwindigkeit wegen der Eigenverzögerung des zusätzlichen Transistors.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, unter Vermeidung dieser Schwierigkeiten eine Möglichkeit zu schaffen, zwei oder mehr Logikelemente der spezifizierten Art, bei denen der Ausgangstransistor mit einem weiteren Transistor als aktiver Last arbeitet, ivie es besonders bei integrierten Subminiaturschaltungen bekannt und erwünscht ist, durch direktes Zusammenschalten der Ausgänge zu einem Virtuell-ODER-Schaltkreis ohne Aufwand eines zusätzlichen Transistors od. dgl. zu verknüpfen.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe ist bei einem Schaltkreis der eingangs genannten Art erfindungsgemäß vorgesehen, daß in jedem der Logikelemente der Verbindungspunkt zwischen dem einen Ausgang des dritten Transistors und der Steuerelektrode des zweiten Transistors mit einem sämtlichen Logikelementen gemeinsamen Schaltungspunkt verbunden ist und daß die mit dem zweiten Transistor verbundene Ausgangs-Hauptelektrode des ersten Transistors außerdem an eine sämtlichen Logikelementen gemeinsame Ausgangsklemme angeschlossen ist. Vorzugsweise ist dabei der andere Ausgang des dritten Transistors über eine Diode mit der Steuerelektrode des ersten Transistors gekoppelt.
  • Durch diese Maßnahmen wird erreicht, daß ein Transistor pro Logikelement, nämlich der andernfalls, wie erwähnt, erforderliche Puffertransistor, bei trotzdem einwandfreier Stabilität und erheblich reduziertem Leistungsverbrauch der Schaltung eingespart wird.
  • In den Zeichnungen zeigt F i g.1 das Schaltbild zweier als Virtuell-ODER-Schaltkreis verschalteter Logikelemente und F i g. 2 eine Funktionstabelle für die einzelnen Logikelemente in F ig. 1.
  • F i g. 1 zeigt zwei durch die gestrichelte Umrahmung angedeutete Logikelemente X und Y. Das Element X enthält ein Diodengatter 1, eine sogenannte Pegelsteuerschaltung 2, ein aktives Bauelement 3 und ein aktives Bauelement 4. Während das Diodengatter 1 hier aus zwei mit ihren Anoden an den Verbindungspunkt 5 angeschlossenen Dioden D 1 und D 2 besteht, kann man. natürlich auch mehr als zwei Dioden in dieser Weise verkoppeln, wie durch die gestrichelten Linien angedeutet. Die Kathoden der Dioden D 1 und D 2 sind mit Dateneingängen A bzw. B verbunden. An den Verbindungspunkt 5 ist ferner über einen Widerstand R 1 eine Betriebsspannungsquelle V, angeschlossen.
  • Ferner ist mit dem Verbindungspunkt 5 der Eingang 6 der Pegelsteuerschaltung 2 verbunden. Die Pegelsteuerschaltung 2 besteht aus einem Transistor Q 1, der mit seiner Basis über die Eingangsleitung 6 an den Verbindungspunkt 5 angeschlossen ist. Der Emitter des Transistors Q 1 ist über eine Diode D 3 mit einem ersten Ausgang 7 der Pegelsteuerschaltung gekoppelt. Die Diode D 3 ist im konventionellen Sinne so gepolt, daß sie vom Emitter zum Ausgang 7 weist. Der Kollektor des Transistors Q 1 ist mit einem zweiten Ausgang 8 der Pegelsteuerschaltung verbunden. Die beiden Ausgänge 7 und 8 der Pegelsteuerschaltung sind an Verbindungspunkte 9 bzw. 10 angeschlossen. Der Verbindungspunkt- 9 -ist ferner über einen Widerstand R 2 mit einem Bezugsspannungspunkt G, angedeutet durch das übliche Massesymbol, verbunden. Der Verbindungspunkt 10 ist über einen Widerstand R 3 mit der Vorspannungsquelle V, gekoppelt.
  • Der Verbindungspunkt 9 ist ferner mit dem Steuereingang 11 des aktiven Bauelements 3 verbunden. Der Verbindungspunkt 10 ist mit dem Steuereingang 12 des zweiten aktiven Bauelements 4 verbunden. Als aktive Bauelemente 3 und 4 dienen Transistoren Q2 bzw. Q 3. Die Basiselektroden der Transistoren Q 2 und Q 3 sind über die Eingangsleitungen 11 und 12 mit den Verbindungspunkten 9 bzw. 10 verbunden. Der Emitter des Transistors Q2 ist mit dem Bezugsspannungspunkt G verbunden. Der Kollektor des Transistors Q 2 ist an einen Verbindungspunkt 13 angeschlossen. Der Emitter des Transistors Q 3 ist über einen Widerstand R 4 mit dem Verbindungspunkt 13 gekoppelt. Der Kollektor des Transistors Q 3 ist an die Vorspannungsquelle V, angeschlossen.
  • Da das -Logikelement Y identisch ausgebildet ist wie das Element X, sind die einzelnen Teile mit den gleichen Bezugszeichen, jedoch jeweils mit Strichindizes, bezeichnet wie beim Element X.
  • Die Logikelemente X und Y sind zu einem Virtuell-ODER-Schaltkreis verschaltet, indem die Verbindungspunkte 13 und 13' über Ausgangsleitungen 14 bzw. 14' an eine gemeinsame Ausgangsklemme E, angeschlossen sind. Die Verbindungspunkte 10 und l-0' sind über Leitungen 15 bzw. 15' an einen gemeinsamen Verbindungspunkt 16 angeschlossen. Die Verbindungen 14" und 15" zum Ausgang Eo sowie zum Verbindungspunkt 16 stellen die Anschlüsse identischer Logikelemente dar. Die gestrichelt zwischen dem Ausgang Eo und Masse angedeutete Kapazität Co stellt die sich aus der Verdrahtung ergebende Streukapazität sowie die Eingangskapazität eines weiteren Logikelements, mit dem der Ausgang Eo verbunden sein kann, dar.
  • Es sei angenommen, daß die Vorspannung V,, -f-5 Volt, der Spannungsabfall (VBE) an der Basis-Emitter-Sperrschichtdiode jedes Transistors 0,7 Volt, der Spannungsabfall an der Kollektor-Emitter-Strecke (Vce) jedes Transistors 0,1 Volt bei Sättigung, der Spannungsabfall an den einzelnen Dioden im leitenden Zustand 0,7 Volt und die Spannungen an den Eingängen A und B sowie am Ausgang E, entweder 0,1 Volt oder 4,3 Volt betragen. Ferner sei angenommen, daß der Ausgang Eo mit dem Eingang eines gleichartigen Logikelements gekoppelt ist.
  • Es soll zunächst die Arbeitsweise des Logikelements X ohne die Virtuell-ODER-Verschaltungen 14 und 15 betrachtet werden. Wenn entweder der Eingang A oder der Eingang B oder beide Eingänge den Pegel 0,1 Volt führen, so leitet oder leiten die entsprechende bzw. beide der Dioden D 1 und D2. Die Basisspannung des Pegelsteuertransistors Q 1 am Verbindungspunkt 5 beträgt 0,8 Volt, was nicht ausreicht, um die Basis-Emitter-Sperrschicht des Transistors Q 1 und die Sperrschwelle der Diode D 3 zu durchbrechen. Der Transistor Q 1 ist daher verriegelt und liefert keinen Strom an die Basis des Transistors Q 2. Folglich ist der Transistor Q 2 ebenfalls verriegelt. Die Basis des Transistors Q3, der Verbindungspunkt 10 und der Pegelsteuertransistorausgang 8 werden gegen den Vorspannungswert von 5 Volt gedrückt. Der Transistor Q 3 leitet kräftig und beliefert die Ausgangskapazität Co mit einem Ladestrom. Beim Aufladen der Ausgangskapazität Co steigt die Spannung am Ausgang E, von 0,1 auf 4,3 Volt an. Wenn der Ausgang E, sich auf 4,3 Volt einpegelt, entnimmt der Transistor Q 3 sehr wenig Strom, da die Eingangsdiode des mit dem Ausgang gekoppelten Logikelements in der Sperrichtung vorgespannt ist. Wenn folglich entweder der Eingang A oder der Eingang B oder beide Eingänge 0,1 Volt führen, liegt der Ausgangspegel Eo am Verbindungspunkt 13 bei 4,3 Volt.
  • Wenn beide Eingänge A und B den Pegel 4,3 Volt haben, leitet keine der Dioden D 1 und D 2. Der Spannungspegel an der Basis des Pegelsteuertransistors Q1 steigt auf 2,1 Volt (die Summe der Spannungsabfälle an den Basis-Emitter-Sperrschichten der Transistoren Q 1 und Q 2 sowie an der Diode D 3) an und übersteigt damit die durch die Basis-Emitter-Sperrschicht des Emitters Q 1 und die Diode D 3 gebildete Sperrschwelle. Der Transistor Q 1 sättigt sich und beliefert die Basis des Transistors Q2 mit Strom, so daß dieser Transistor in den Sättigungszustand gesteuert wird. Die Ausgangsspannung am Verbindungspunkt 13 fällt auf 0,1 Volt (VCE des gesättigten Transistors Q 2) ab. Die Basis des Transistors Q 3 wird von 5 auf 1,5 Volt gedrückt. Die Emitterspannung des Transistors Q 3 folgt der Basisspannung und beträgt 0,8 Volt (VB-VBE des Transistors Q 3). Da der Ausgangspunkt 13 mit einem gleichartigen Logikelement gekoppelt ist, ist der Gleichstrom-Lastwiderstand verhältnismäßig niedrig, weil die Eingangsdiode der Last in der Durchlaßrichtung vorgespannt ist. Es fließt daher ein Strom durch den Transistor Q 3, was einen Spannungsabfall von 0,7 Volt am Strombegrenzungswiderstand R 4 zur Folge hat. Wenn folglich sowohl der Eingang A als auch der Eingang B den Pegel 4,3 Volt führen, liegt die Ausgangsspannung E, am Verbindungspunkt 13 bei 0,1 Volt.
  • Die Diode D 3 ist vorteilhaft für die Arbeitsweise des Logikelements. Sie dient nicht nur dazu, einen angemessenen Spannungsabfall zu erzeugen, sondern sie sorgt auch für einen verbesserten Störschutz bei Schwankungen der Eingangsspannung um ungefähr 1,3 Volt beiderseits des 0,1-Volt-Pegels. Die Diode D3, die eine schnell erholende Diode (Diode kurzer Erholzeit) ist, schaltet bei Abfallen der Eingangsspannung A oder B von 4,3 auf 0,1 Volt sehr rasch ab, so daß sich eine sehr kurze Abschaltzeit für den Transistor Q 1 ergibt. Eine kurze Abschaltzeit des Transistors Q 1 ist wünschenswert, um eine schnellere Ansprechung der Ausgangsspannung E, auf Änderungen des Spannungspegels an den Eingängen A und B zu erhalten.
  • F i g. 2 zeigt die Funktionstabelle der einzelnen Logikelemente für zwei Eingänge A und B. Die Buchstaben H und L stellen jeweils hohe bzw. niedrige Spannungspegel dar. Der Ausgang Eo hat nur dann den niedrigen Pegel, wenn sämtliche Eingänge den hohen Pegel haben, während er den hohen Pegel hat, wenn einer oder mehrere der Eingänge den niedrigen Pegel führt bzw. führen. Das Logikelement erfüllt daher die NAND-Funktion für Signale hohen Wertes und die NOR-Funktion für Signale niedrigen Wertes.
  • Die Arbeitsweise des Logikelements Y ist die gleiche wie die des Elements X, so daß hier nur auf die Zusammenarbeit der beiden Elemente im Virtuell-ODER-Schaltkreis betreffende Vorgänge im Element Y eingegangen zu werden braucht. Die Virtuell-ODER-Schaltung arbeitet wie folgt: Wenn entweder der Eingang A oder der Eingang B des Logikelements X den Pegel 0,1 Volt führt und entweder der Eingang A' oder der Eingang B' des Logikelements Y den Pegel 0,1 Volt führt, sind die Transistoren Q 1, Q2, Q l' und Q2' verriegelt, wie im Zusammenhang mit dem Logikelement X erläutert. Die Basisspannungen der Transistoren Q3 und Q 3' werden gegen 5 Volt gedrückt. Die Emitterspannungen dieser beiden Transistoren folgen den Basisspannungen und liegen bei 4,3 Volt. Wenn der Ausgang E, mit einem weiteren Logikelement gekoppelt ist, ist die Lastimpedanz sehr groß, da die Eingangsdiode der Last in der Sperrichtung vorgespannt ist. In den Transistoren Q 3 und Q 3' fließt ein sehr geringer Strom, und die Spannung am Ausgang Eo beträgt 4,3 Volt. Wenn folglich einer der Eingänge jedes der Logikelemente X und Y den Pegel 0,1 Volt führt, hat der Ausgang Eo den Pegel 4,3 Volt.
  • Wenn beide Eingänge A und B des Logikelements X den Pegel 4,3 Volt führen, werden die Transistoren Q 1 und Q 2 gesättigt, wie bereits beschrieben. Liegt nun an einem oder beiden der Eingänge A' und B' des Logikelements Y der Spannungspegel 0,1 Volt, so würde die Spannung an der Basis des Transistors Q 3' oder am Verbindungspunkt 10' normalerweise gegen den Vorspannungswert von 5 Volt gedrückt, was zur Folge haben würde, daß der Transistor Q 3' sehr kräftig leitet. Da der Transistor Q 2 des Logikelements X gesättigt ist, würde durch die Reihen- ; schalteng der beiden Transistoren Q 2 und Q 3' ein sehr starker Strom fließen. Die Kollektorspannung des Transistors Q 2 würde bestrebt sein, auf einen Gleichgewichtspegel anzusteigen. Ein hoher Leistungsverbrauch in den beiden Transistoren Q 2 und Q 3 wäre die Folge, was möglicherweise dazu führen könnte, daß die Transistoren beschädigt werden. Eine derartige Schaltung würde daher unstabil sein.
  • Dieser unstabile Zustand wird durch die Virtuell-ODER-Verschaltung 15, 15' und 16 verhindert. Wenn die Transistoren Q 1 und Q 2 des Logikelements X gesättigt sind, wird der Spannungspegel am Verbindungspunkt 16 auf 1,5 Volt gedrückt, wodurch jeder der Transistoren Q 3 und Q 3' in einen verhältnismäßig schwach leitenden Zustand gesetzt wird. Der an die Lastkapazität gelieferte Ladestrom verteilt sich jetzt auf die Kollektor-Emitter-Kreise der Transistoren Q2 und Q3'. Die Ausgangsspannung Eo liegt um 0,1 Volt (VCE des gesättigten Transistors Q2) über dem Bezugspegel G.
  • Ebenso sind immer dann, wenn die Eingänge A' und B' des Logikelements Y den Pegel 4,3 Volt führen und einer oder beide der Eingänge A und B des logischen Elements X den Pegel 0,1 Volt führen, die Transistoren Q 3 und Q 3' im verhältnismäßig schwach leitenden Zustand, wobei sie sich in den an den Ausgang E, gelieferten Strom teilen. Wenn folglich einer der Pegelsteuertransistoren Q 1 und Q 1' leitet, so führt der gemeinsame Verbindungspunkt 16 den einen Spannungspegel, während, wenn sämtliche Pegelsteuertransistoren nicht leiten, der gemeinsame Verbindungspunkt 16 den anderen Spannungspegel führt. Diese beiden Spannungspegel am Verbindungspunkt 16 steuern die Stromleitung der Transistoren der aktiven Bauelemente, so, daß ein stabiler Virtuell-ODER-Betrieb erhalten wird.
  • Selbstverständlich kann man an Stelle der hier gezeigten npn-Transistoren auch pnp-Transistoren bei entsprechenden Polaritätsänderungen der Vorspannung verwenden. Es ist ferner klar, daß die aktiven Bauelemente 4 und 4' der Logikelemente X und Y auch jeweils mehrere Einzelelemente enthalten können, vorausgesetzt, daß der Eingang 12 die Stromleitung am Ausgang des aktiven Bauelements steuert. Ferner kann die Pegelsteuerschaltung 2 beliebig in der Weise auslegen, daß jeweils der Verbindungspunkt 9 der Ausschwingung der Eingangsspannung folgt, während die Ausschwingung der Eingangsspannung am Verbindungspunkt 10 umgekehrt wird. Statt nur zwei Logikelemente in Virtuell-ODER-Schaltung auszulegen, kann man, wie erwähnt, auch mehr als zwei derartige Logikelemente mit ihren Ausgängen 13 an den gemeinsamen Ausgangspunkt E, und mit ihren Schaltungspunkten 10 an den gemeinsamen Verbindungspunkt 16 anschalten, wie durch die Verbindungen 14" und 15" angedeutet. Die Anzahl der so verschaltbaren logischen Elemente ist lediglich durch das Verzweigungs- oder Ausfächerungsvermögen der einzelnen Pegelsteuerschaltung 2 begrenzt.

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Aus mindestens zwei Dioden-Transistor-Logikelementen aufgebauter ODER-Schaltkreis, bei dem jedes Logikelement einen ersten Transistor, einen als aktive Last mit diesem in Reihe geschalteten zweiten Transistor und einen zwischen dem leitenden und dem gesperrten Zustand schaltbaren dritten Transistor mit jeweils zwei einen Leitungsweg bildenden Hauptelektroden und einer Steuerelektrode zum Steuern der Leitfähigkeit dieses Weges enthält, bei dem ferner in jedem Logikelement die Eingangssignale über Dioden auf die Steuerelektrode des dritten Transistors gekoppelt sind, dessen zwei Ausgänge bildende Hauptelektroden mit der Steuerelektrode des ersten Transistors bzw. mit der Steuerelektrode des zweiten Transistors verbunden sind, und bei dem die Betriebsspannung für sämtliche Transistoren über einen allen Logikelementen gemeinsamen Punkt zugeführt ist, d a d u r c h gekennzeichnet, daß in jedem der Logikelemente (X, Y) der Verbindungspunkt (10, 10') zwischen dem einen Ausgang (Kollektor) des dritten Transistors (Q 1, Q 1') und der Steuerelektrode (Basis) des zweiten Transistors (Q3, Q3 ') mit einem sämtlichen Logikelementen gemeinsamen Schaltungspunkt (16) verbunden ist und daß die mit dem zweiten Transistor verbundene (über R4, R4') Ausgangs-Hauptelektrode (Kollektor) des ersten Transistors (Q 2, Q 2') außerdem an eine sämtlichen Logikelementen gemeinsame Ausgangsklemme (E.) angeschlossen ist.
  2. 2. ODER-Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der andere Ausgang (Emitter) des dritten Transistors (Q 1, Q 1') über eine Diode (D 3, D 3') mit der Steuerelektrode (Basis) des ersten Transistors (Q2, Q2') gekoppelt ist.
DER42437A 1965-01-19 1966-01-17 Aus mindestens zwei Dioden-Transistor-Logikelementen aufgebauter ODER-Schaltkreis Pending DE1285529B (de)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3751681A (en) * 1966-03-23 1973-08-07 Honeywell Inc Memory selection apparatus
US3523194A (en) * 1967-03-31 1970-08-04 Rca Corp Current mode circuit
US3619670A (en) * 1969-11-13 1971-11-09 North American Rockwell Elimination of high valued {37 p{38 {0 resistors from mos lsi circuits
US3694665A (en) * 1970-11-05 1972-09-26 Sanders Associates Inc Wired or circuit
US3829853A (en) * 1972-08-07 1974-08-13 Rca Corp High-speed analog-to-digital converter
NZ198054A (en) * 1981-08-17 1986-05-09 New Zealand Dev Finance Polernary logic:multilevel circuits

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1035942B (de) * 1955-02-02 1958-08-07 Philco Corp Koinzidenz-Schaltkreise mit Transistoren

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1035942B (de) * 1955-02-02 1958-08-07 Philco Corp Koinzidenz-Schaltkreise mit Transistoren

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Publication number Publication date
GB1091032A (en) 1967-11-15
SE335874B (de) 1971-06-14
US3417262A (en) 1968-12-17

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