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DE1054118B - Regenerative wahlweise ODER-Schaltung - Google Patents

Regenerative wahlweise ODER-Schaltung

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Publication number
DE1054118B
DE1054118B DEI14477A DEI0014477A DE1054118B DE 1054118 B DE1054118 B DE 1054118B DE I14477 A DEI14477 A DE I14477A DE I0014477 A DEI0014477 A DE I0014477A DE 1054118 B DE1054118 B DE 1054118B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
circuit
switch
collector
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEI14477A
Other languages
English (en)
Inventor
Harold Fleisher
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IBM Deutschland GmbH
Original Assignee
IBM Deutschland GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US389115A external-priority patent/US2903602A/en
Application filed by IBM Deutschland GmbH filed Critical IBM Deutschland GmbH
Publication of DE1054118B publication Critical patent/DE1054118B/de
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
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    • H03K19/21EXCLUSIVE-OR circuits, i.e. giving output if input signal exists at only one input; COINCIDENCE circuits, i.e. giving output only if all input signals are identical
    • H03K19/212EXCLUSIVE-OR circuits, i.e. giving output if input signal exists at only one input; COINCIDENCE circuits, i.e. giving output only if all input signals are identical using bipolar transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/01Details
    • H03K3/012Modifications of generator to improve response time or to decrease power consumption
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback

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Description

In elektronischen Rechenanlagen werden zur Durchführung der einzelnen Operationen nach logischen Prinzipien arbeitende Elemente benutzt. Die einfachsten dieser Elemente sind als UND- bzw. als ODER-Schalter bekannt. Ein UND-Schalter liefert an seinem einzigen Ausgang nur dann ein Ausgangssignal, wenn gleichzeitig an allen Eingängen ein Eingangsimpuls anliegt. Bei diesen einfachen Schaltungen ist im allgemeinen pro Eingangskanal ein aktives oder passives Schaltelement (Transistor, Diode) erforderlich. Sollen jedoch kompliziertere logische Zusammenhänge realisiert werden, so steigt die Anzahl der benötigten Elemente stärker als die Zahl der Eingänge.
Die Anordnung gemäß der Erfindung benötigt auch für einen regenerativen wahlweisen. ODER-Kreis nur aktive Elemente entsprechend der Zahl der Eingänge, indem die Basis-Emitter-Strecke des zweiten Transistors den Kollektorkreis des ersten Transistors bildet, daß der Kollektor des zweiten Transistors auf einen aus Batterie und Widerstand bestehenden Belastungszweig einwirkt, daß die Basiselektrode des ersten Transistors durch eine entgegengesetzt zur Kollektorbatterie gepolte Batterie vorgespannt wird und daß jedem Emitter ein Impulseingang zugeordnet ist. Eine Verbesserung der Schaltsicherheit dieser Anordnung kann vorteilhaft dadurch erreicht werden, daß die Basiselektrode des zweiten Transistors über eine Diode mit Masse verbunden wird, die so gepolt ist, daß sie die Basiseingangskennlinie des zweiten Transistors in dem niedrigen Kollektorströmen entsprechenden Bereich abknickt. Dadurch entsteht ein schärferer Schnittpunkt der Kennlinien, der die Strom- und Spannungswerte genauer definiert.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich an Hand der Beschreibung mehrerer Ausführungsbeispiele, den zeichnerischen Darstellungen und den Patentansprüchen. Es zeigt
Fig. 1 einen bistabilen Schaltkreis mit zwei in Serie geschalteten Transistoren,
Fig. 2 das Kollektorkennlinienfeld des linken Transistors in Fig. 1 mit den Belastungskurven,
Fig. 3 eine erfindungsgemäße Weiterbildung der Schaltung nach Fig. 1 zu einer regenerativen wahlweisen ODER-Schaltung,
Fig. 4 das Kollektorkennlinienfeld des linken Transistors in Fig. 3 mit den Belastungskurven.
Fig. 5 eine Weiterbildung der .Schaltung nach Fig. 3 mit steileren Kennlinienschnittpunkten.
Der bistabile Schaltkreis nach Fig. 1 besteht aus einem Transistor 54 in geerdeter Basisschaltung und einem Transistor 55 in geerdeter Emitterschaltung, dessen Basis 55 δ direkt mit dem Kollektor 54 c ver-Regenerative wahlweise ODER-Schaltung
Anmelder:
IBM Deutschland
Internationale Büro-Maschinen
Gesellschaft m. b. H., Sindelfingen (Württ), Tübinger Allee 49
Beanspruchte Priorität: V. St. v. Amerika vom 29. Oktober 1953
Harold Fleisher, Poughkeepsie, N. Y. (V. St. A.), ist als Erfinder genannt worden
bunden ist. Der Kollektor 55 c ist an einen Belastungskreis aus Widerstand 63 und Batterie 64 angeschlossen. In die Basis-Erde-Verbindung der Basis 54 & ist eine Batterie 70 und in die Emitter -Erde- Verbindung des Emitters 54 e ist ein Signalgenerator mit Widerstand 56 r, Schalter 56s und Batterie 56 & eingefügt.
Die Fig. 2 zeigt eine Schar von Kollektoorstrom-Spannungs-Kennlinien für den Transistor 54, und zwar ist jede Kennlinie für einen bestimmten konstanten Emitterstrom gezeichnet. Dieser Kennlinienschar ist eine Kurve 72 beigefügt. Die Kurve 72 wird aus der Basisstrom-Spannungs-Kennlinie des Transistors 55 (Fig. 1) bei geerdetem Emitter abgeleitet, indem diese Kennlinie einfach um die F"c-Achse umgekehrt wird. Diese Umkehrung ist durch die Schaltungsverbindungen nach Fig. 1 gerechtfertigt, da das Basispotential des Transistors 55 dasselbe ist wie das Kollektorpo'tential des Transistors 54 und da der Basisstrom des Transistors 55 der negative Kollektorstrom des Transistors 54 ist. Die Kurve 72 stellt genau die Belastung im Ausgang des Transistors 54 dar. Aus Fig. 2 ist ersichtlich, daß die Kurve 72 zwei Bereiche 72 α und 72 c mit positiver Neigung- aufweist, die durch einen Bereich 72 b mit negativer Neigung getrennt sind. Die Schaltung ist stabil, wenn sie in einem der Bereiche 72 a und 72 c betrieben wird. Im Bereich 72Z> ist die Schaltung jedoch nicht stabil. Der Bereich 72 α ist durch einen hohen Koillektorstrom im Transistor 55 und der Bereich 72 c durch niedrigen Kollektorstrom gekennzeichnet.
Beginnend mit einem Emitterstrom von 1 mA im Transistor 54, arbeitet die Schaltung an der Stelle 73
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3 4
des Bereiches 72α stabil. Wenn jetzt der Emitter- und 81 überlagert. Jede von ihnen stellt die überstrom erhöht wird, z. B. durch Übertragung eines tragene Basiskennlinie des Transistors 55 für bepositiven Signals auf den Emitter 54e, dann bewegt stimmte Arbeitszustände dar. Die Belastungslinie 80 sich der Arbeitspunkt auf die rechte Seite des stabilen stellt die Arbeitszustände dar, die bestehen, wenn der Bereiches 72 β und bewegt sich dann plötzlich nach 5 Schalter 69 s gemäß Zeichnung in seiner linken Punkt 74 in den stabilen Bereich 72c, wo· die Kurve Stellung geschlossen ist. Die Belastungslinie 81 stellt 72 von der gesamten Kennlinienschar des Transistors die Arbeitszustände dar, die bestehen, wenn der 54 in deren Sättigungsbereich geschnitten wird. Schalter 69 .? in seiner rechten Stellung geschlossen Wenn jetzt der Emitterstrom herabgesetzt wird, ist.
z.B. durch Wegnahme des Eingangssignals, dann io Die Kurve82, die die Kollektorstrom-Spannungsbewegt sich der Arbeitspunkt entlang der Kurve 72 Kennlinie des Transistors 54 für den Null-Emitternach links, bis er den unstabilen negativen Wider- strom ist, ist der geometrische Ort der Arbeitspunkte Standsbereich 72 & erreicht, und bewegt sich dann für den Fall des offenen Schalters 56s im Signalgeber plötzlich zu Punkt 75 in dem stabilen Bereich 72 a. 56. Die Kurve 83, die die Kollektorstrom-Spannungs-
Solange der Emitterstrom in den bei 76 in Fig. 2 15 Kennlinie für den Transistor 54 ist, wenn der
gezeigten Bereich fällt, arbeitet die Schaltung ent- Emitterstrom 2 mA beträgt, ist der geometrische Ort
weder im Bereich 72α oder 72 c stabil. Ein geringerer der Arbeitspunkte für den Fall des geschlossenen
Emitterstrom als der durch den Bereich 76 abge- Schalters 56s.
grenzte hat zur Folge, daß die Schaltung im Bereich Wird die Schaltung mit einem beliebigen Arbeits-
72a arbeitet, während ein größerer Emitterstrom als 20 punkt auf einem der schwächer geneigten rechten
der durch den Bereich 76 definierte den Arbeitsbereich Teile der Kurven 80 und 81 betrieben, dann ist der
72 c herbeiführt. Die Schaltung arbeitet normaler- Kollektorstrom im Transistor 55 niedrig. Hier wird
weise in einem sogenannten Ruhearbeitspunkt inner- ausgangs sei tig kein Signal abgegeben. Man nennt
halb des Bereiches 76 und wird zwischen: seinen bei- diesen Zustand den AUS-Zustand an den Ausgangs-
den Ausgangszuständen durch Signale an den Emitter 25 klemmen. Wenn das Schaltungssystem mit einem
54 e hin- und hergeschaltet, so· daß der Emitterstrom Arbeitspunkt auf einem der steiler abfallenden linken
des Transistors 54 größer oder kleiner als der Ruhe- Teile der Kurven 80, 81 arbeitet, dann ist der
arbeitsstrom wird, und zwar um einen Betrag, der Kollektorstrom des Transistors 55 hoch, man gewinnt
mindestens etwas das durch den Bereich 76 gekenn- ein Ausgangssignal und erhält den EIN-Zustand "an
zeichnete Stromintervall übersteigt. 30 den Ausgangsklemmen. Dabei ist zu beachten, daß
In Fig. 3 ist eine erfindungsgemäße Weiterbildung die Schaltung im Bereich der mittleren negativ geausgehend von der Anordnung nach Fig. 1 in Form neigten Teile der Kurven 80 und 81 nicht stabil einer regenerativen, wahlweisen ODER-Schaltung arbeitet.
gezeigt. Diese Schaltung hat zwei Eingänge und einen Der Normal- oder Ausgangszustand der Schaltung
einzigen Ausgang, der zwischen EIN- und AUS- 35 ist vorhanden, wenn der Schalter 56 s geschlossen und1-
Zuständen umschaltbar ist. Das Charakteristische der Schalter 69s (Fig. 3) in seiner rechten Stellung
dieser Schaltung besteht darin, daß der Ausgang nur geschlossen ist. Der Arbaitspunkt liegt dann bei 84
dann aus dem AUS-Zustand in den EIN-Zustand um- am Schnittpunkt dar Kurven 83 und 81. ■
schaltbar ist, wenn ein Eingangssignal von einem Wenn, beginnend beim noirmalen Arbeitszustand,
bestimmten der Eingänge und kein Signal von dem 40 der Schalter 69 s in seine linke Schaltlage gebracht
anderen Eingang empfangen wird. Sie bleibt so lange wird, so verschiebt sich der Arbeitspunkt nach 85,
im EIN-Zustand, wie das Eingangssignal in dem be- dem Schnittpunkt zwischen der Kurve 83 und der
treffenden Eingang anhält, ob nun ein Signal von Kurve 80. Man sieht, daß für diesen Arbeitspunkt die
dem anderen Eingang kommt oder nicht. Ausgangssaite der Schaltung noch in ihrem AUS-
In der Fig. 3 sind Schaltelemente entsprechend 45 Zustand ist. AVird jetzt der Schalter 56 j geöffnet, so
den nach Fig. 1 mit denselben Bezugszeichen gekenn- verschiebt sich der Arbeitspunkt entlang der Kurve
zeichnet. Der Hauptunterschied zwischen den Schal- 80 bis zum Punkt 86, dem Schnittpunkt der Kurven
tungen nach Fig, 1 und 3 besteht in dem dem Tran- 80 und 82. Die Ausgangsseite befindet sich noch im
sistor 55 zugeordneten Signalgenerator 69. In Fig. 3 AUS-Zustand. Die Schaltung kann damit nicht vom
ist der Signalgenerator 69 völlig verschieden von dem 50 AUS- in den EIN-Zustand übergehen, wenn der
Generator 56 in der Schaltung nach Fig. 1, da er ein Schalter 69 j vor dem Schalter 56 s betätigt wird.
Niederimpedanzgenerator ist, der einen Schalter 69 s Auf den normalen Arbeitszustand der Schaltung, in
und eine Batterie 69 & ohne innere Impedanz umfaßt. dem der Schalter 69.? in seiner rechten Schaltlage ge-
Der Schalter 69 s des Signalgebers 69 ist zwischen schlossen und der Schalter 56 s geschlossen ist, zu-
einer linken positiven Signalstellung, in der die 55 rückkommend, sei angenommen, daß der Schalter
Batterie 69 δ zwischen den Emitter 55 e und die Lei- 56 s geöffnet wird, während der Schalter 69.? in seiner
tung 71 geschaltet ist, und einer rechten signallosen rechten Stellung bleibt. Der Arbeitspunkt verschiebt
Stellung, in der der Emitter 55 e direkt an die Leitung sich dann von 84 nach Punkt 87, dem Schnittpunkt
71 angeschlossen ist, umschaltbar. der Kurven 81 und 82. Dieser Punkt liegt auf dem
Die Schaltung nach Fig. 3 ist eine regenerative 60 stark geneigten Teil der Kurve 81, so daß die Schal-Schaltung, da ein im Ausgangskreis fließender Strom tung jetzt ein Ausgangssignal abgibt und daher in den wirksam ein Signal zu einem der Eingangskreise zu- EIN-Zustand übergeht. Wenn jetzt der Schalter 69s rückgibt, um den Ausgangsstrom weiterfließen zu nach links umgeschaltet wird, dann verschiebt sich lassen. der Axbeitspunkt nach 88, dem Schnittpunkt der
An Hand der Fig. 4 sei nachstehend die Arbeits- 65 Kurven 82 und 80. Dieser Punkt 88 liegt auf dem weise der Schaltung nach Fig. 3 beschrieben. Die stark geneigten Teil der Kurve 80, so daß die Schal-Schar von Kollektorstrom-Spannungs-Kennlinien ge- tung weiterhin ein Ausgangssignal abgibt, maß Fig. 4 ist dieselbe Schar, d. h. für den Tran- Aus vorstehendem geht hervor, daß die Schaltung sistor 54, die in Fig. 2 gezeigt ist. Dieser Schar von sich aus dem AUS- in den EIN-Zustand nur durch Kennlinien nach Fig. 4 sind zwei Belastungslinien 80 70 Öffnen des Schalters 56s umschalten kann, während
der Schalter 69.? gleichzeitig in seiner rechten Stellung geschlossen bleibt.
Nachdem die Schaltung den EIN-Zustand erreicht hat, behält sie diesen bei, solange der Schalter 56 s offen bleibt. Sie kehrt jedoch in den AUS-Zustand zurück, sobald der Schalter 56s geschlossen wird. Wenn die Schaltung einmal in einen AUS-Zustand zurückgeschaltet ist, kann sie nur durch Öffnen des Schalters 56.?, während der Schalter 69 s in seiner rechten Stellung geschlossen ist, wieder in den EIN-Zustand gebracht werden.
Die Fig. 5 zeigt eine andere erfindungsgemäß abgewandelte Form der Schaltung nach Fig. 1, indem ein asymmetrisch leitendes System 77 zwischen die Basis 55 b des Transistors 55 und Erde geschaltet ist. Die Wirkung dieser Abwandlung besteht in der Veränderung der Neigung der Belastungslinie im Bereich 72 c auf einen durch die Linie 79 in Fig. 2 gezeigten Wert.
Die Hauptvorteile der Verwendung dieser asymmeirischen Einheit 76 sind die, daß weniger Kollektorstrom verlorengeht, wenn die Schaltung in dem Bereich 72 c arbeitet, und daß in diesem Bereich ein schärferer Arbeitspunkt entsteht. In diesem Zusammenhang sei darauf hingewiesen, daß der Schnittpunkt zwischen der Kurve 79 und der Emitterstromkurve 76 c schärfer ist als der Schnittpunkt 74 zwischen den Kurven 72 und 76 c. Das stellt einen stabileren und deutlicher abgegrenzten Arbeitszustand für den Ausgangsstromkreis dar.
Die bei den vorstehend beschriebenen Schaltungen benutzten Signalgeber können auch durch andere an sich bekannte Impulsgeber ersetzt werden. Ebenso' lassen sich an Stelle der in diesen Schaltungen vorgesehenen Spitzentransistoren vom N-Typ auch solche vom P-Typ verwenden, wenn dabei eine entsprechende Polaritätsumpolung berücksichtigt wird.

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Regenerative wahlweise ODER-Schaltung mit zwei Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis-Emitter-Strecke des zweiten Transistors den Kollektorkreis des ersten Transistors bildet, daß der Kollektor des zweiten Transistors auf einen aus Batterie und Widerstand bestehenden Belastungszweig einwirkt, daß die Basiselektrode des ersten Transistors durch eine entgegengesetzt zur Kollektorbatterie gepolte Batterie vorgespannt wird und daß jedem Emitter ein Impulseingang zugeordnet ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode des zweiten Transistors über eine Diode mit Masse verbunden ist, die so gepolt ist, daß die Basiseingangskennlinie des zweiten Transistors in dem den niederen Kollektorströmen des ersten Transistors entsprechenden Bereich abgeknickt wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 809 788/249 3.59
DEI14477A 1953-10-29 1954-10-28 Regenerative wahlweise ODER-Schaltung Pending DE1054118B (de)

Applications Claiming Priority (3)

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Publications (1)

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DE1054118B true DE1054118B (de) 1959-04-02

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DEI14477A Pending DE1054118B (de) 1953-10-29 1954-10-28 Regenerative wahlweise ODER-Schaltung
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FR (1) FR1114488A (de)
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