DE10255462B4 - Elektrische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Anordnung - Google Patents
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Abstract
Elektrische
Anordnung
– mit einer Trägereinrichtung (80) mit mindestens einer Leiterbahn (100, 230),
– mit einem auf der Trägereinrichtung (80) befestigten elektrischen Bauelement (90), das an die mindestens eine Leiterbahn (100, 230) elektrisch angeschlossen ist, und
– mit einer Gehäusegrundplatte (20), auf der die Trägereinrichtung (80) montiert ist und durch die zumindest ein Kontaktierungspin (30, 40) hindurchgeführt ist,
– wobei der mindestens eine Kontaktierungspin (30, 40) an die mindestens eine Leiterbahn (100, 230) elektrisch angeschlossen ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
– der mindestens eine Kontaktierungspin (30, 40) die Trägereinrichtung (80) berührt und im Bereich der Berührungsstelle eine bonddrahtfreie Verbindung zwischen dem mindestens einen Kontaktierungspin (30, 40) und der mindestens einen Leiterbahn (100, 230) der Trägereinrichtung (80) vorhanden ist.
– mit einer Trägereinrichtung (80) mit mindestens einer Leiterbahn (100, 230),
– mit einem auf der Trägereinrichtung (80) befestigten elektrischen Bauelement (90), das an die mindestens eine Leiterbahn (100, 230) elektrisch angeschlossen ist, und
– mit einer Gehäusegrundplatte (20), auf der die Trägereinrichtung (80) montiert ist und durch die zumindest ein Kontaktierungspin (30, 40) hindurchgeführt ist,
– wobei der mindestens eine Kontaktierungspin (30, 40) an die mindestens eine Leiterbahn (100, 230) elektrisch angeschlossen ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
– der mindestens eine Kontaktierungspin (30, 40) die Trägereinrichtung (80) berührt und im Bereich der Berührungsstelle eine bonddrahtfreie Verbindung zwischen dem mindestens einen Kontaktierungspin (30, 40) und der mindestens einen Leiterbahn (100, 230) der Trägereinrichtung (80) vorhanden ist.
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf eine elektrische Anordnung mit den Merkmalen gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie auf ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Anordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 16.
- Eine derartige elektrische Anordnung ist beispielsweise aus dem Bereich der Opto-Elektronik bekannt. Opto-elektronische Bauelemente, speziell Laser und Photodetektoren, werden häufig in sogenannten TO-Gehäusen untergebracht bzw. „gehäust". Die Signalzuführung bzw. die Signalabführung erfolgt über Kontaktierungspins, die durch das Gehäuse hindurchgeführt sind und mittels Bonddrähte mit den Bauelementen verbunden sind. Die Durchführungen für die Kontaktierungspins sind verglast und koaxial ausgeführt und bieten somit eine hermetische Kapselung der empfindlichen opto-elektronischen Bauelemente. Ferner ist die TO-Gehäuseform relativ kompakt und hat einen niedrigen Preis, da es sich um ein großtechnisch hergestelltes Standardprodukt handelt. Insbesondere in TO-46-Gehäusen untergebrachte Laser haben sich zu einer Art Standardprodukt für die optische Datenübertragung über kurze und mittlere Distanzen im Bereich bis zu 2,5 Gigabit pro Sekunde etabliert.
- In der US-Patentschrift
US 5,504,349 A ist ebenfalls eine elektrische Anordnung mit den Merkmalen gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 offenbart. Bei dieser Anordnung ist ein Halbleiterlaser als elektrisches Bauelement auf einer Wärmesenke angeordnet, die eine Trägereinrichtung bildet. Die Wärmesenke besteht aus elektrisch isolierendem Material und ist mit einer leitenden Schicht und somit einer Art „Leiterbahn" versehen. Der Halbleiterlaser sowie die leitende Schicht der Wärmesenke sind jeweils mittels Bonddrähte mit Kontaktierungspins verbunden, die durch eine Gehäusegrundplatte der elektrischen Anordnung hindurchgeführt sind. - Aus dem japanischen Abstract mit der Veröffentlichungsnummer
JP 01059972 A - Aus der deutschen Patentschrift
DE 32 48 695 C2 ist eine elektrische Anordnung bekannt, bei der ein elektrisches Bauelement unmittelbar zwischen zwei Kontaktierungspins derart eingeklemmt ist, dass eine elektrische Verbindung zwischen den Kontaktierungspins und dem elektrischen Bauelement bonddrahtfrei erreicht wird. - Die Datenraten in der optischen Nachrichtentechnik liegen jedoch aktuell bereits im Bereich von 10 Gigabit pro Sekunde und höher, so dass sich die genannten TO-Gehäuse nicht mehr ohne weiteres für opto-elektronische Bauelemente einsetzen lassen. Laser und Photodetektoren mit Datenraten von 10 Gigabit pro Sekunde und mehr werden daher heute in speziellen Gehäusen aus Metall oder Keramik angeboten. Diese Gehäuse sind auf hohe Frequenzen optimiert und bieten die Möglichkeit, weitere Elektronik, wie beispielsweise Treiber- oder Vorverstärkerbauteile zu integrieren. Allerdings werden solche Gehäuse nur in sehr kleinen Volumina gefertigt, so dass die Preise für solche Gehäuse – auch Hybridgehäuse genannt – deutlich über den Kosten eines TO-Gehäuses liegen.
- Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine elektrische Anordnung der eingangs beschriebenen Art hinsichtlich der elektrischen Eigenschaften zu verbessern. So soll insbesondere ein besseres Frequenzverhalten, beispielsweise eine höhere Grenzfrequenz, als bei den vorbekannten elektrischen Anordnungen erzielt werden.
- Diese Aufgabe wird ausgehend von einer elektrischen Anordnung der eingangs angegebenen Art erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen elektrischen Anordnung sind in den Unteransprüchen beschrieben.
- Danach ist im Anspruch 1 vorgesehen, dass mindestens einer der durch das Gehäuse hindurchgeführten Kontaktierungspins die Trägereinrichtung berührt und dass im Bereich der Berührungsstelle eine bonddrahtfreie Verbindung zwischen diesem mindestens einen Kontaktierungspin und mindestens einer Leiterbahn der Trägereinrichtung vorhanden ist.
- Ein wesentlicher Vorteil der erfindungsgemäßen elektrischen Anordnung besteht in ihrem besseren Frequenzverhalten gegenüber den vorbekannten elektrischen Anordnungen. So lässt sich mit der erfindungsgemäßen elektrischen Anordnung eine größere Grenzfrequenz erreichen, da zwischen dem Kontaktierungspin und der Trägereinrichtung keine Bonddrahtverbindung zur elektrischen Kontaktierung erforderlich ist; denn bei der erfindungsgemäßen Anordnung berühren sich die Trägereinrichtung und der mindestens eine Kontaktierungspin derart, dass im Bereich der Berührungsstelle eine elektrische Verbindung ohne Bonddrähte möglich ist. Bonddrähte, wie sie bei den vorbekannten elektrischen Anordnungen zur Kontaktierung zwischen Trägereinrichtung und Kontaktierungspin erforderlich sind, weisen stets zusätzliche Leitungsinduktivitäten auf, die die Grenzfrequenz herabsetzen. An dieser Stelle setzt die Erfindung an, indem auf Bonddrähte zur elektrischen Kontaktierung zwischen Kontaktierungspin und Trägereinrichtung verzichtet wird; dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, dass die Trägereinrichtung derart auf der Gehäusegrundplatte der elektrischen Anordnung montiert wird, dass sie zumindest einen durchgeführten Kontaktierungspin berührt und eine bonddrahtfreie elektrische Verbindung ermöglicht.
- Im Rahmen einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Anordnung ist vorgesehen, dass die Trägereinrichtung im Bereich der Berührungsstelle eine randseitige Ausnehmung aufweist, deren Kontur an die Kontur des mindestens einen Kontaktierungspins angepasst ist. Aufgrund der Anpassung der Konturen der randseitigen Ausnehmung und des Kontaktierungspins wird eine besonders großflächige elektrische Anbindung zwischen dem elektrischen Kontaktierungspin und der Trägereinrichtung erreicht, so dass eine besonders niederohmige und sichere elektrische Verbindung zwischen Kontaktierungspin und der Leiterbahn der Trägereinrichtung möglich ist.
- Als vorteilhaft wird es diesbezüglich angesehen, wenn die Ausnehmung halbkreisförmig ist, weil eine halbkreisförmige Ausnehmung einerseits eine sehr einfache Justage bzw. Montage der Trägereinrichtung auf der Gehäusegrundplatte ermöglicht und andererseits dennoch eine gute elektrische Kontaktierbarkeit zwischen dem Kontaktierungspin und der Trägereinrichtung erlaubt.
- Um einen besonders großflächigen und damit niederohmigen elektrischen Kontakt zwischen der Trägereinrichtung und dem Kontaktierungspin zu erreichen, wird es als vorteilhaft angesehen, wenn die Trägereinrichtung im Bereich der randseitigen Ausnehmung eine leitende Kontaktierungsschicht aufweist, z.B. metallisiert ist.
- Gemäß einer anderen vorteilhaften Ausgestaltung der erfindungsgemäßen elektrischen Anordnung ist vorgesehen, dass die Trägereinrichtung im Bereich der Berührungsstelle ein Kontaktierungsloch aufweist, durch das der mindestens eine Kontaktierungspin hindurchgeführt ist. Im Unterschied zu der zuvor beschriebenen vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung, bei der die Berührungsstelle zwischen dem Kontaktierungspin und der Trägereinrichtung im Randbereich der Trägereinrichtung liegt, ist bei dieser Ausgestaltung der elektrischen Anordnung die Berührungsstelle im Innenbereich der Trägereinrichtung angeordnet.
- Um eine besonders großflächige und damit niederohmige elektrische Verbindung zwischen dem Kontaktierungspin und der Trägereinrichtung zu erreichen, wird es diesbezüglich als vorteilhaft angesehen, wenn der Innenbereich des Kontaktierungslochs eine leitende Schicht aufweist, z.B. metallisiert ist.
- Die elektrische Kontaktierung zwischen der mindestens einen Leiterbahn der Trägereinrichtung und dem mindestens einen Kontaktierungspin kann besonders einfach und damit vorteilhaft beispielsweise durch Leitkleber bewirkt werden. Stattdessen ist es aber auch möglich, im Bereich der Berührungsstelle den mindestens einen Kontaktierungspin und die mindestens eine Leiterbahn der Trägereinrichtung miteinander zu verlöten.
- Eine Verlötung zwischen dem mindestens einen Kontaktierungspin und der mindestens einen Leiterplatte der Trägereinrichtung kann beispielsweise durch eine Lotkugel oder ein Lotplättchen bewirkt werden, die bzw. das im Bereich der Berührungsstelle auf den mindestens einen Kontaktierungspin und damit auch auf die mindestens eine Leiterbahn aufgebracht wird.
- Wie bereits oben im Zusammenhang mit dem vorbekannten Stand der Technik angedeutet, sind insbesondere im Bereich der Opto-Elektronik besonders hohe Anforderungen an Grenzfrequenzen gestellt. Es wird daher als vorteilhaft angesehen, wenn das elektrische Bauelement ein elektrooptisches Bauelement, insbesondere ein optisches Sende- und/oder Empfangselement ist. Das elektrische Bauelement kann somit also beispielsweise ein Laser oder ein Photodetektor sein.
- Bezüglich der Durchführung des mindestens einen Kontaktierungspins durch die Gehäusegrundplatte wird es als vorteilhaft angesehen, wenn die Durchführung eine verglaste koaxiale Durchführung ist. Verglaste koaxiale Durchführungen weisen den Vorteil auf, dass diese eine hermetische Abdichtung des Gehäuses ermöglichen.
- Im Übrigen wird es als vorteilhaft angesehen, wenn das Gehäuse der elektrischen Anordnung ein TO-Gehäuse, insbesondere ein TO-46-Gehäuse ist, da derartige Gehäuse aufgrund ihrer Massenproduktion sehr kostengünstig erhältlich sind, was in Folge auch die Kosten der elektrischen Gesamtanordnung reduziert.
- Die Trägereinrichtung kann in vorteilhafter Weise durch einen Schaltungsträger gebildet sein.
- Vorteilhaft besteht der Schaltungsträger aus Silizium, aus Keramik, aus einem organischen Werkstoff oder aus einem mit einer Isolationsschicht versehenen Metall. Metall und auch Silizium weisen eine besonders hohe thermische Leitfähigkeit auf, so dass bei diesen Materialien eine besonders gute thermische Abführung von durch das elektrische Bauelement erzeugter Wärme möglich ist.
- Besonders hohe elektrische Grenzfrequenzen lassen sich erreichen, wenn möglichst alle vermeidbaren Bonddrahtverbindungen eingespart bzw. ersetzt werden; es wird daher als vorteilhaft angesehen, wenn bei einem elektrischen Bauelement mit zumindest zwei Anschlüssen jeder dieser Anschlüsse mit einer Leiterbahn elektrisch verbunden ist, und die Trägereinrichtung mit zumindest zwei nach außen geführten Kontaktierungspins in Berührung steht und die Verbindung zwischen den beiden Leiterbahnen und den beiden Kontaktierungspins bonddrahtfrei ausgeführt ist.
- Die Erfindung bezieht sich außerdem auf ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Anordnung mit den Merkmalen gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
- Um bei einem solchen Verfahren eine möglichst hohe Grenzfrequenz der elektrischen Anordnung zu erreichen, ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass die Trägereinrichtung auf einer Gehäusegrundplatte derart montiert wird, dass die Trägereinrichtung mindestens einen nach außen durchgeführten Kontaktierungspin berührt, und dass im Bereich der Berührungsstelle eine bonddrahtfreie Verbindung zwischen dem mindestens einen Kontaktierungspin und der mindestens einen Leiterbahn der Trägereinrichtung hergestellt wird.
- Vorteilhafte Ausgestaltungen zu diesem Verfahren sind in den Unteransprüchen beschrieben.
- Bezüglich der Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens und bezüglich der Vorteile der vorteilhaften Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens wird auf die obigen Ausführungen zur erfindungsgemäßen elektrischen Anordnung verwiesen, da die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens im Wesentlichen den Vorteilen der erfindungsgemäßen Anordnung entsprechen.
- Zur Erläuterung der Erfindung zeigen:
-
1 – eine elektrische Anordnung nach dem Stand der Technik, -
2 – ein Ausführungsbeispiel für eine erfindungsgemäße elektrische Anordnung, die vorteilhaft nach dem oben beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt ist, und -
3 – das Frequenzverhalten der elektrischen Anordnung gemäß der2 im Vergleich zu dem Frequenzverhalten gemäß der elektrischen Anordnung gemäß der1 . - Die
1 zeigt eine elektrische Anordnung nach dem Stand der Technik. Diese elektrische Anordnung weist ein TO46-Gehäuse10 mit einer Gehäusegrundplatte20 auf. Durch die Gehäusegrundplatte20 und damit durch das TO-Gehäuse10 sind vier Kontaktierungspins hindurchgeführt, und zwar ein Kontaktierungspin30 , ein weiterer Kontaktierungspin40 und zusätzliche Kontaktierungspins50 und60 . Die vier Kontaktierungspins30 ,40 ,50 und60 sind jeweils mittels einer koaxialen verglasten Durchführung70 durch die Gehäusegrundplatte20 und das TO-Gehäuse10 nach außen geführt, so dass eine hermetische Abdichtung des TO-Gehäuses10 erreicht ist. - Auf der Gehäusegrundplatte
20 ist eine Trägereinrichtung80 montiert. Auf dieser Trägereinrichtung80 ist ein Laser90 als elektrisches Bauelement befestigt. Ein Anschluss des Lasers90 ist an eine elektrische Leiterbahn100 der Trägereinrichtung80 angeschlossen. Die Leiterbahn100 ist außerdem durch einen Bonddraht110 mit dem einen Kontaktierungspin30 verbunden. - Ein weiterer Anschluss des Lasers
90 ist mittels eines weiteren Bonddrahts120 an eine zusätzliche Leiterbahn130 angeschlossen. Diese zusätzliche Leiterbahn130 ist über einen dritten Bonddraht135 und einen vierten Bonddraht140 mit dem weiteren Kontaktierungspin40 verbunden. - Wie sich der
1 also entnehmen lässt, sind für den elektrischen Anschluss zwischen den beiden Kontaktierungspins30 und40 und den Leiterbahnen100 und130 der Trägereinrichtung80 bzw. dem Laser90 jeweils die Bonddrähte110 ,120 ,135 und140 vorgesehen. Diese vier Bonddrähte weisen Leitungsinduktivitäten auf, die insbesondere bei hohen Frequenzen ein sehr schlechtes Übertragungsverhalten bewirken. Die Grenzfrequenz der elektrischen Anordnung gemäß der1 wird durch diese Bonddrähte deutlich reduziert, so dass sich mit der elektrischen Anordnung gemäß der1 maximal Datenraten von 8 bis 9 Gigabit pro Sekunde erreichen lassen. - In der
2 ist ein Ausführungsbeispiel für die erfindungsgemäße elektrische Anordnung dargestellt. Dabei werden in der2 für alle diejenigen Komponenten, die bereits im Zusammenhang mit der elektrischen Anordnung gemäß1 erläutert worden sind, dieselben Bezugszeichen verwendet. - In der
2 erkennt man das TO-Gehäuse10 , auf dessen Gehäusegrundplatte20 die Trägereinrichtung80 montiert ist. Auf der Trägereinrichtung80 befindet sich der Laser90 als elektrisches Bauelement. Insoweit stimmt der Aufbau der elektrischen Anordnung gemäß der2 mit dem Aufbau der elektrischen Anordnung gemäß der1 überein. - Ein wesentlicher Unterschied zwischen der elektrischen Anordnung gemäß der
1 und der elektrischen Anordnung gemäß der2 besteht darin, dass für die elektrische Verbindung zwischen den beiden Kontaktierungspins30 und40 und den Leiterbahnen der Trägereinrichtung80 keine Bonddrähte notwendig sind. So ist die elektrische Verbindung zwischen dem einen Kontaktierungspin30 und der einen Leiterbahn100 bei der elektrischen Anordnung gemäß der2 dadurch gewährleistet, dass die Trägereinrichtung80 den einen Kontaktierungspin30 randseitig berührt. Hierzu weist die Trägereinrichtung80 eine halbkreisförmige Ausnehmung200 auf, die derart dimensioniert ist, dass der eine Kontaktierungspin30 ca. zur Hälfte in die randseitige Ausnehmung200 der Trägereinrichtung80 eingreifen kann. - Die randseitige Ausnehmung
200 ist dabei metallisiert, so dass eine elektrische Verbindung zwischen dem einen Kontaktierungspin30 und dem Randbereich der Trägereinrichtung80 bewirkt ist. Die eine Leiterbahn100 ist dabei elektrisch mit der randseitigen Metallisierung der Ausnehmung200 verbunden, so dass es zu einem elektrischen Kontakt zwischen der einen Leiterbahn100 und dem einen Kontaktierungspin30 kommt. - Entsprechendes gilt für den Anschluss des weiteren Kontaktierungspins
40 . Die Trägereinrichtung80 weist nämlich eine weitere halbkreisförmige Ausnehmung210 auf, die derart dimensioniert ist, dass das weitere Kontaktierungspin40 ca. zur Hälfte in die Ausnehmung210 der Trägereinrichtung80 eingreifen kann. Die weitere Ausnehmung210 ist randseitig ebenfalls metallisiert, so dass es zwischen dem Rand der weiteren Ausnehmung210 und dem weiteren Kontaktierungspin40 zu einem elektrischen Kontakt kommt. Auf der Trägereinrichtung80 ist darüber hinaus eine weitere Leiterbahn230 vorhanden, die mit dem metallisierten Randbereich der weiteren Ausnehmung210 in elektrischer Verbindung steht. Somit ist auch die weitere Leiterbahn230 mit dem weiteren Kontaktierungspin40 elektrisch verbunden, ohne dass es eines Bonddrahtes bedarf. - In der
2 lässt sich also erkennen, dass zur Kontaktierung des Lasers90 lediglich nur noch sehr kurze Bonddrähte300 erforderlich sind, mit denen nämlich der weitere Anschluss des Lasers90 mit der weiteren Leiterbahn230 verbunden wird. - Bei der Anordnung gemäß der
2 sind somit keine Bonddrähte zum Kontaktieren der beiden Kontaktierungspins30 und40 mit der Trägereinrichtung80 notwendig. Dieser Verzicht auf Bonddrähte, insbesondere also auf die Bonddrähte110 ,135 und140 gemäß der1 , ist deshalb möglich, weil der elektrische Kontakt zwischen den beiden Kontaktierungspins30 und40 durch die randseitige Berührung zwischen der Trägereinrichtung80 und den beiden Kontaktierungspins30 und40 gewährleistet wird. - Insgesamt weist die elektrische Anordnung gemäß der
2 somit zumindest zwei Bonddrähte weniger auf als die elektrische Anordnung gemäß der1 , da nämlich keine Bonddrähte für die elektrische Verbindung zwischen den Kontaktierungspins30 und40 und den zugehörigen Leiterbahnen100 und230 auf der Trägereinrichtung80 erforderlich sind. - Mit der elektrischen Anordnung gemäß der
2 ist es somit möglich, opto-elektronische Bauelemente in einem TO-Gehäuse zu integrieren und dabei Datenraten von 10 Gigabit pro Sekunde und mehr zu erreichen, weil frequenzbegrenzende Bonddrähte eingespart werden. - Die elektrische Kontaktierung bzw. die elektrische Verbindung der beiden Kontaktierungspins
30 und40 mit der randseitigen Metallisierung der Trägereinrichtung80 und damit mit den beiden Leiterbahnen100 und230 der Trägereinrichtung80 kann durch einen Lötprozess oder durch Leitklebung erfolgen. - Eine Lötverbindung kann beispielsweise derart realisiert werden, dass jeweils eine kleine Lotkugel auf jeden der beiden Kontaktierungspins
30 und40 aufgebracht wird. - Bei der Trägereinrichtung
80 kann es sich um einen Schaltungsträger handeln. Die Trägereinrichtung80 kann beispielsweise aus Silizium oder Keramik oder einem organischen Werkstoff gebildet sein. Stattdessen kann die Trägereinrichtung80 auch aus einem mit einer Isolationsschicht versehenen Metall bestehen. - Die
3 zeigt das Frequenzverhalten der elektrischen Anordnung gemäß der2 im Vergleich zu dem Frequenzverhalten gemäß der elektrischen Anordnung gemäß der1 . Konkret ist in der3 die simulierte Reflektionscharakteristik (S11) der beiden Anordnungen gezeigt. Man erkennt, dass sich mit der Anordnung gemäß der2 deutlich höhere Grenzfrequenzen erreichen lassen als bei der Anordnung gemäß der1 .
Claims (30)
- Elektrische Anordnung – mit einer Trägereinrichtung (
80 ) mit mindestens einer Leiterbahn (100 ,230 ), – mit einem auf der Trägereinrichtung (80 ) befestigten elektrischen Bauelement (90 ), das an die mindestens eine Leiterbahn (100 ,230 ) elektrisch angeschlossen ist, und – mit einer Gehäusegrundplatte (20 ), auf der die Trägereinrichtung (80 ) montiert ist und durch die zumindest ein Kontaktierungspin (30 ,40 ) hindurchgeführt ist, – wobei der mindestens eine Kontaktierungspin (30 ,40 ) an die mindestens eine Leiterbahn (100 ,230 ) elektrisch angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass – der mindestens eine Kontaktierungspin (30 ,40 ) die Trägereinrichtung (80 ) berührt und im Bereich der Berührungsstelle eine bonddrahtfreie Verbindung zwischen dem mindestens einen Kontaktierungspin (30 ,40 ) und der mindestens einen Leiterbahn (100 ,230 ) der Trägereinrichtung (80 ) vorhanden ist. - Elektrische Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägereinrichtung (
80 ) im Bereich der Berührungsstelle eine randseitige Ausnehmung (200 ,210 ) aufweist, deren Kontur an die Kontur des mindestens einen Kontaktierungspins (30 ,40 ) angepasst ist. - Elektrische Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausnehmung (
200 ,210 ) halbkreisförmig ist. - Elektrische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägereinrichtung (
80 ) im Bereich der randseitigen Ausnehmung (200 ,210 ) eine leitende Schicht aufweist. - Elektrische Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägereinrichtung (
80 ) ein Kontaktierungsloch aufweist, durch das der mindestens eine Kontaktierungspin (30 ,40 ) hindurchgeführt ist. - Elektrische Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägereinrichtung (
80 ) im Bereich des Kontaktierungslochs eine leitende Schicht aufweist. - Elektrische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen die Trägereinrichtung (
80 ) und den mindestens einen Kontaktierungspin (30 ,40 ) Leitkleber eingefügt ist. - Elektrische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass im Bereich der Berührungsstelle der mindestens eine Kontaktierungspin (
30 ,40 ) und die mindestens eine Leiterbahn (100 ,230 ) miteinander verlötet sind. - Elektrische Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlötung durch eine Lotkugel oder ein Lotplättchen bewirkt ist, die bzw. das im Bereich der Berührungsstelle auf dem mindestens einen Kontaktierungspin (
30 ,40 ) aufgebracht ist. - Elektrische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrische Bauelement (
90 ) ein elektro-optisches Bauelement, insbesondere ein optisches Sende- und/oder Empfangselement ist. - Elektrische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine der Durchführungen zum Durchführen des mindestens einen Kontaktierungspins (
30 ,40 ,50 ,60 ) durch die Gehäusegrundplatte (20 ) eine verglaste koaxiale Durchführung (70 ) ist. - Elektrische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gehäusegrundplatte (
20 ) Teil eines TO46-Gehäuses (10 ) ist. - Elektrische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägereinrichtung (
80 ) ein Schaltungsträger ist. - Elektrische Anordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger aus Silizium, aus Keramik, aus einem organischen Werkstoff oder aus einem mit einer Isolationsschicht versehenen Metall besteht.
- Elektrische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrische Bauelement (
90 ) zumindest zwei Anschlüsse aufweist, die jeweils mit einer Leiterbahn (100 ,230 ) elektrisch verbunden sind, und dass die Trägereinrichtung (80 ) zumindest zwei durch die Gehäusegrundplatte (20 ) geführte Kontaktierungspins (30 ,40 ) derart berührt, dass die Kontaktierungspins (30 ,40 ) jeweils mit einer Leiterbahn (100 ,230 ) verbunden sind. - Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Anordnung, bei dem – auf eine Trägereinrichtung (
80 ) mindestens eine Leiterbahn (100 ,230 ) aufgebracht wird, – auf der Trägereinrichtung (80 ) ein elektrisches Bauelement (90 ) befestigt und an die mindestens eine Leiterbahn (100 ,230 ) angeschlossen wird, – die Trägereinrichtung (80 ) auf einer Gehäusegrundplatte (20 ) eines Gehäuses (10 ) befestigt wird, durch das zumindest ein Kontaktierungspin (30 ,40 ) hindurchgeführt ist, und – das elektrische Bauelement (90 ) an das mindestens eine Kontaktierungspin (30 ,40 ) angeschlossen wird, dadurch gekennzeichnet, dass – die Trägereinrichtung (80 ) derart auf der Gehäusegrundplatte (20 ) montiert wird, dass die Trägereinrichtung (80 ) den mindestens einen Kontaktierungspin (30 ,40 ) berührt, und – im Bereich der Berührungsstelle eine bonddrahtfreie Verbindung zwischen dem mindestens einen Kontaktierungspin (30 ,40 ) und der mindestens einen Leiterbahn (100 ,230 ) der Trägereinrichtung (80 ) hergestellt wird. - Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass an der Trägereinrichtung (
80 ) im Bereich der Berührungsstelle eine randseitige Ausnehmung (200 ,210 ) gebildet wird, deren Kontur an die Kontur des mindestens einen Kontaktierungspins (30 ,40 ) angepasst wird. - Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausnehmung (
200 ,210 ) halbkreisförmig ausgeführt wird. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägereinrichtung (
80 ) im Bereich der randseitigen Ausnehmung (200 ,210 ) mit einer leitenden Schicht versehen wird. - Verfahren nach Anspruch 16 , dadurch gekennzeichnet, dass in der Trägereinrichtung (
80 ) ein Kontaktierungsloch hergestellt wird, durch das der mindestens eine Kontaktierungspin (30 ,40 ) hindurchgeführt wird. - Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägereinrichtung (
80 ) im Bereich des Kontaktierungslochs mit einer leitenden Schicht versehen wird. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 16 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen die Trägereinrichtung (
80 ) und den mindestens einen Kontaktierungspin (30 ,40 ) Leitkleber eingefügt wird. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 16 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass im Bereich der Berührungsstelle der mindestens eine Kontaktierungspin (
30 ,40 ) und die mindestens eine Leiterbahn (100 ,230 ) miteinander verlötet werden. - Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlötung durch eine Lotkugel oder ein Lotplättchen bewirkt wird, die bzw. das im Bereich der Berührungsstelle auf dem mindestens einen Kontaktierungspin (
30 ,40 ) aufgebracht wird. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 16 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass als das elektrische Bauelement (
90 ) ein elektro-optisches Bauelement, insbesondere ein optisches Sende- und/oder Empfangselement auf der Trägereinrichtung (80 ) montiert wird. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 16 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine der Durchführungen zum Durchführen des mindestens einen Kontaktierungspins (
30 ,40 ,50 ,60 ) durch die Gehäusegrundplatte (20 ) als eine verglaste koaxiale Durchführung (70 ) ausgebildet wird. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 16 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass als Gehäuse ein TO46-Gehäuse (
10 ) verwendet wird. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 16 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass als Trägereinrichtung (
80 ) ein Schaltungsträger eingesetzt wird. - Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger aus Silizium, Keramik oder einem organischen Werkstoff oder einem mit einer Isolationsschicht versehenen Metall besteht.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 16 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrische Bauelement (
90 ) zumindest zwei Anschlüsse aufweist, die jeweils mit einer Leiterbahn (100 ,230 ) elektrisch verbunden werden, und die Trägereinrichtung (80 ) derart an der Gehäusegrundplatte (20 ) befestigt wird, dass sie zumindest zwei durch die Gehäusegrundplatte (20 ) geführte Kontaktierungspins (30 ,40 ) berührt und diese jeweils mit einer Leiterbahn (100 ,230 ) verbindet.
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US10431955B2 (en) * | 2014-04-25 | 2019-10-01 | Lmd Power Of Light Corp | Laser core having conductive mass electrical connection |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6459972A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Nec Corp | Optical semiconductor device |
DE3248695C2 (de) * | 1982-12-30 | 1990-01-25 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen, De | |
US5504349A (en) * | 1993-08-13 | 1996-04-02 | Nec Corporation | Optoelectronic device |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3379823A (en) * | 1965-04-29 | 1968-04-23 | Corning Glass Works | Hermetic enclosure for electronic devices |
US3726987A (en) * | 1970-10-07 | 1973-04-10 | Olin Corp | Glass or ceramic-to-metal seals |
US4167647A (en) * | 1974-10-02 | 1979-09-11 | Santa Barbara Research Center | Hybrid microelectronic circuit package |
US4382327A (en) * | 1979-09-17 | 1983-05-10 | Beckman Instruments, Inc. | Method for particle entrapment within an electrical device package |
US4514587A (en) * | 1981-12-23 | 1985-04-30 | Unitrode Corporation | High power semiconductor package |
JPS612371A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光装置 |
KR100309623B1 (ko) * | 1994-02-28 | 2002-04-24 | 사토 게니치로 | 발광다이오드램프및이를이용한매트릭스표시기 |
JPH08276719A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 自動車用空調装置の日射センサ |
JP3436009B2 (ja) * | 1996-07-31 | 2003-08-11 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体素子 |
JP3830583B2 (ja) * | 1996-08-15 | 2006-10-04 | 富士通株式会社 | 光半導体アセンブリ |
US6274960B1 (en) * | 1998-09-29 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reluctance type rotating machine with permanent magnets |
US6091022A (en) * | 1998-12-17 | 2000-07-18 | Honeywell Inc. | High pressure header for a semiconductor pressure transducer |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3248695C2 (de) * | 1982-12-30 | 1990-01-25 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen, De | |
JPS6459972A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Nec Corp | Optical semiconductor device |
US5504349A (en) * | 1993-08-13 | 1996-04-02 | Nec Corporation | Optoelectronic device |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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US6781057B2 (en) | 2004-08-24 |
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CN1503414A (zh) | 2004-06-09 |
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