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JPS612371A - 半導体受光装置 - Google Patents

半導体受光装置

Info

Publication number
JPS612371A
JPS612371A JP59124145A JP12414584A JPS612371A JP S612371 A JPS612371 A JP S612371A JP 59124145 A JP59124145 A JP 59124145A JP 12414584 A JP12414584 A JP 12414584A JP S612371 A JPS612371 A JP S612371A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photodiode
polyimide film
hermetically sealed
glass
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59124145A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Shiba
哲夫 芝
Kazuhisa Takahashi
和久 高橋
Kenji Ikeda
健志 池田
Hideyo Higuchi
樋口　英世
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP59124145A priority Critical patent/JPS612371A/ja
Priority to US06/743,747 priority patent/US4706106A/en
Priority to EP85304227A priority patent/EP0168964B1/en
Priority to DE8585304227T priority patent/DE3565341D1/de
Publication of JPS612371A publication Critical patent/JPS612371A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge

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  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体受光装置に関するものである。
〔従来技術〕
第１図は従来から用いられている代表的な半導体受光装
置を示す。図において、１はホトダイオード、２はヒー
トシンク、３はリード線、４はヒー　トシンク２がマウ
ントされた円板状のステム、５は封入雰囲気ガス、６は
キャップ、７は入射光１０を取り込むためのガラス窓用
ガラス板、８は封■ヒ用ガラス、９は電極である。そし
て従来のこの種の装置では、封入雰囲気ガス５として、
不活性であり、露点が低く、安価な窒素ガスが用いられ
てきた。
ところで、従来、−上記ホトダイオード１の１例として
メカー型１ｎＧａＡｓホトダイオードが用いられている
が、このＩｎＧａＡｓホトダイオードを用いた半導体受
光装置では、組立時の劣化のため歩習りが低いという問
題点があった。
一方最近、新しい表面保護膜としてポリイミド膜が使わ
れ始めている。第２図は上記ポリイミド膜を用いた従来
のメサ型１ｎＧａＡｓホトダイオードを示し、図におい
て、１４はｎ−１ｎＰ層、１３はｎ−ＩｎＧａＡｓ層、
１２はｐ　−１ｎＧａＡｓ層、１１は電極であり、また
１５は表面保護膜としてのポリイミド膜である。
上記ポリイミドを表面に塗布したＩｎＧａＡｓホトダイ
オード１を第１図のパッケージにマウントした半導体受
光装置では、外部から入射した光１０はこのホトダイオ
ードｌによって電流に変換され、該変換された電流は電
極９によって外部に取り出される。
上記ポリイミド膜を用いた半導体受光装置では、組立時
の劣化がなく、歩留りが高く、また特性のそろったもの
が得られ、十分に実用化できることが期待されている。
しかし、一方ポリイミド膜を用いたものでは、暗電流の
初期値が多少高く、しかも暗電流が通電時間とともに増
加するという問題を残している。
以下この暗電流の問題について説明する。
第３図は半導体受光装Ｆにおける高温通電試験の暗電流
−通電時間特性を示し、図において、曲線Ａは、−Ｆ記
ポリイミド膜を形成して窒素ガスを封入した従来装置の
特性を示し、曲線Ｂはポリイミド膜を形成することなく
窒素ガスを封入した従来の半導体受光装置の特性を示す
。上記ポリイミド膜を形成していないものでは、曲線Ｂ
から明らかなように、通電時間が数百時間の範囲ではｌ
ｌ’１重流は増加していないのに対し、上記ボリイ’＋
　）’Ｉ’Ｎを形成したものでは、曲線へから明らかな
ように、上記と同程度の通電時間で暗電流の急速な増加
が見られる。
〔発明の概要〕
本発明者は、上記ポリイｉ　＋・膜を形成した半導体受
光装置において暗電流が増加するのは、雰囲気ガスとし
ての窒素ガスの影響により、高／ＦＡ通電中にポリイミ
ド−膜又はポリイミド膜と結晶との界面に変化が住じた
からであり、その結果暗電流が増大したものであること
を見い出した。そこで本発明は、ポリイミド膜を表面保
護膜としたホトタイオードの雰囲気ガスとして、ｆｌを
含む気体を用いることにより、高温通電時における暗電
流の増加を防止でき、信頼性の高い半導体受光装置を櫂
供することを目的としている。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の実施例を図に一ついて説明する。
本発明の一実施例による半導体受光装置は、第１図にお
いて、封入雰囲気ガス５を乾燥空気としたものである。
次に、第３図について本実施例による暗電流の改善効果
を説明する。第３図の曲線Ｃは、本実施例装置の暗電流
−通電時間特性を示し、本実施例装置では、曲線Ｃから
明らかなように、通電時間の経過とともに暗電流が減少
し、ポリイミドを塗布しない場合と同程度まで下がるこ
とがわかる。
これは乾燥空気中の酸素がポリイミドの膜質に暗電流を
低下するのに効果的な影響を及ぼし、暗電流を減少せし
めたものと考えられる。
このように本実施例では、封入雰囲気ガスとして乾燥空
気を用いたので、暗電流の増加を防１１でき、また乾燥
空気は従来の窒素ガスと比べて安価であり、装置のコス
トを低減できる。
なお、ト記実旅例では、雰囲気ガスとして乾燥空気を用
いた場合について説明したが、暗電流の改善に酸素が関
与していると考えられることから、乾燥空気の代わりに
酸素を用いることもできる。
また上記実施例では、ホトタイオードからなる２１′導
体受光装置について説明したが、本発明は、ホトダイオ
ード以外のＪ’ｖの半導体装置にも適用できる。
〔発明の効果〕
以−ヒのようにこの発明によれは、表面保護膜としてポ
リイミド膜を用いた半導体受光装置において、封入雰囲
気ガスに酸素を含む気体を用いたので、暗電流の増加を
防止でき、信頼性の高い半導体受光装置が得られる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来及び本発明の一実施例による半導体受光装
置の断面図、第２図はそのホトタイオードの１例である
メサ型１ｎＧａＡｓポトダイオードの断面図、第３図は
上記実施例の暗電流の改善効果を説明するための高温通
電試験での暗電流−通電時間特性図である。 １・・・ホトダイオ−１・、５・・・雰囲気ガス、６・
・・パンケージ、１５・・・ポリイミド膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ポリイミド膜を用いて表面が保護されたホトダイ
    オードを気密封止されたパッケージ内にマウントしてな
    る半導体受光装置において、上記パッケージ内雰囲気ガ
    スを酸素を含む気体としたことを特徴とする半導体受光
    装置。
JP59124145A 1984-06-14 1984-06-14 半導体受光装置 Pending JPS612371A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59124145A JPS612371A (ja) 1984-06-14 1984-06-14 半導体受光装置
US06/743,747 US4706106A (en) 1984-06-14 1985-06-12 Semiconductor light receiving device
EP85304227A EP0168964B1 (en) 1984-06-14 1985-06-13 A semiconductor light receiving device
DE8585304227T DE3565341D1 (en) 1984-06-14 1985-06-13 A semiconductor light receiving device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59124145A JPS612371A (ja) 1984-06-14 1984-06-14 半導体受光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS612371A true JPS612371A (ja) 1986-01-08

Family

ID=14878043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59124145A Pending JPS612371A (ja) 1984-06-14 1984-06-14 半導体受光装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4706106A (ja)
EP (1) EP0168964B1 (ja)
JP (1) JPS612371A (ja)
DE (1) DE3565341D1 (ja)

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Also Published As

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DE3565341D1 (en) 1988-11-03
US4706106A (en) 1987-11-10
EP0168964B1 (en) 1988-09-28
EP0168964A1 (en) 1986-01-22

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