CN203589300U - 电连接器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种电连接器，包括一绝缘本体，所述绝缘本体开设有多个收容孔，一导电层设于所述收容孔内壁面，多个导电体，设于所述收容孔，所述导电体具有弹性，所述导电体设有至少两个导接部与所述导电层接触，所述导电体具有良好的弹性，通过所述导电体与所述导电层接触，从而使得信号通过所述第一接触部直接传输至所述导电层，再由所述导电层传输至所述第二接触部，由于所述导电层的导电路径比所述第一接触部传输至所述第二接触部的导电路径短，故使所述导电体的阻抗减小，从而使导电率提高，保证了正常电流的传输，从而提高了所述电连接器的导电性能。

Description

电连接器

技术领域

本实用新型涉及一种电连接器，尤指一种阻抗小的电连接器。 

背景技术

目前业界普遍使用的一种电连接器，用于电性连接一芯片模块至一电路板上，所述电连接器包括一绝缘本体，所述绝缘本体开设多个收容槽，多个导电体收容于所述收容槽，所述导电体具有一接触部与所述芯片模块接触，所述端子还具有一焊接部用以焊接至一电路板上，由于所述导电体必须具有足够的弹性，保证与所述芯片模块以及所述电路板紧密接触，故所述导电体必须经过多次弯折以提供足够的弹性，但所述导电体经过多次弯折后导电路径增长，故所述导电体的阻抗增大，从而使导电率低，造成正常电流的传输受到影响，导致所述电连接器的导电性能差。 

     因此，有必要设计一种改良的电连接器，以克服上述问题。 

发明内容

针对背景技术所面临的问题，本实用新型的目的在于提供一种阻抗小的电连接器。 

   为实现上述目的，本实用新型采用以下技术手段： 

    一种电连接器，用以电性连接一第一电子元件至一第二电子元件，包括一绝缘本体，所述绝缘本体开设有多个收容孔，一导电层设于所述收容孔内壁面，多个导电体，设于所述收容孔，所述导电体具有弹性，所述导电体具有一第一接触部用以与所述第一电子元件接触，所述导电体具有一第二接触部用以与所述第二电子元件接触，所述导电体还设有至少两个导接部与所述导电层接触。

    进一步， 所述导电体由金属板材冲压形成，所述导电体具有一板面和一裁切面，所述裁切面垂直于所述板面。 

    进一步，所述导接部均位于所述裁切面上。

    进一步，至少一个所述导接部位于所述板面上。 

    进一步，所述导电体经多次弯折形成多个S型弯折部位于所述第一接触部与所述第二接触部之间，所述S型弯折部为倾斜状，至少两个所述导接部位于所述裁切面上，至少一个所述导接部位于所述板面上。 

    进一步，所述导接部上设有低熔点金属层，当所述导接部与所述导电层接触时，所述导接部通过所述低熔点金属层与所述导电层形成较大面积的接触，降低接触阻抗。 

    进一步，所述低熔点金属层选自镓 ，铟-镓, 镓-锡, 铟-镓-锡，铟-镓-锡-锌其中任意一种，所述低熔点金属层为液态。 

    进一步，所述收容孔内壁面镀设低熔点金属层，所述低熔点金属层位于所述导电层上，当所述导接部与所述低熔点金属层接触时，所述导接部通过所述低熔点金属层与所述导电层形成较大面积的接触，降低接触阻抗。 

    进一步，所述导接部上镀设有铟-锡合金，所述收容孔内壁面镀设有镓元素，所述镓元素位于所述导电层上，当所述导电体回焊时，所述导接部上的铟-锡合金与所述收容孔内壁面上的镓元素熔合形成铟-镓-锡合金的低熔点金属层，所述低熔点金属层位于所述导电层上，当所述导接部与所述低熔点金属层接触时，所述导接部通过所述低熔点金属层与所述导电层形成较大面积的接触，降低接触阻抗。 

    进一步，所述导电体倾斜弯折设置，所述收容孔具有一上开口和一下开口，所述导接部位于所述上开口的下方且位于所述下开口的上方。 

    与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：所述绝缘本体开设有多个所述收容孔，所述导电层设于所述收容孔内壁面；多个所述导电体设于所述收容孔，所述导电体还设有至少两个所述导接部与所述导电层接触，所述导电体具有良好的弹性，所以所述导电体与所述第一电子元件接触以及所述第二电子元件形成紧密接触，通过所述导电体与所述导电层接触，从而使得信号通过所述第一接触部直接传输至所述导电层，再由所述导电层传输至所述第二接触部，由于所述导电层的导电路径比所述第一接触部传输至所述第二接触部的导电路径短，故使所述导电体的阻抗减小，从而使导电率提高，保证了正常电流的传输， 从而提高了所述电连接器的导电性能。 

【附图说明】

图1为本实用新型电连接器的立体分解图；

图2为本实用新型电连接器局部剖视图；

图3为图2的局部放大图；

图4为本实用新型电连接器另一视角的局部剖视图；

图5为图4的局部放大图。

具体实施方式的附图标号说明： 

电连接器100	绝缘本体1	收容孔11	上开口111
				下开口112	第一侧壁113	第二侧壁114	导电体2
第一接触部21	第二接触部22	S型弯折部23	导接部24
				板面25	裁切面26	低熔点金属层A	镍镀层B
导电层C	铜镀层C1	镍底层C2	液态导电液D
				第一电子元件200	锡球201	第二电子元件300	接触垫301

【具体实施方式】

    为便于更好的理解本发明的目的、结构、特征以及功效等，现结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。

    如图1和图2所示，本实用新型的电连接器100用以电性连接一第一电子元件200至一第二电子元件300，包括一绝缘本体1，位于所述第一电子元件200下方， 所述绝缘本体1开设有多个收容孔11，一导电层C设于所述收容孔11内壁面，多个导电体2，设于所述收容孔11，所述导电体2具有弹性，所述导电体2设有至少两个导接部24与所述导电层C接触。 

    如图2、图3和图4所示，所述绝缘本体1上表面向所述绝缘本体1下表面开设有多个所述收容孔11，每一所述收容孔11具有一上开口111和一下开口112 ，所述上开口111以及所述下开口112连通形成所述收容孔11，所述下开口112的孔径小于所述上开口111的孔径。每一所述收容孔11的内壁具有相对的两个第一侧壁113和连接两个所述第一侧壁113的两个第二侧壁114，每一所述第一侧壁113的长度大于每一所述第二侧壁114的长度，每一所述第一侧壁113以及每一所述第二侧壁114均设有所述导电层C，所述导接部24可以与所述第一侧壁113相抵接，也可以与所述第二侧壁114相抵接，也可以均与所述第一侧壁113以及所述第二侧壁114相抵接。所述导电层C包括一铜镀层C1和一镍底层C2，所述铜镀层C1位于所述收容孔11的内壁面，即所述铜镀层C1位于所述第一侧壁113以及所述第二侧壁114上，所述镍底层C2位于所述铜镀层C1上 ，使所述镍底层C2容易附着于所述铜镀层C1上，且所述镍底层C2保护了所述铜镀层C1，避免所述铜镀层C1被氧化。所述导电体2收容于所述收容孔11，一液态导电液D，位于所述收容孔11内，所述导电体2浸入所述液态导电液D中与所述导电体2接触。所述液态导电液D为液态金属， 所述液态导电液D为镓或镓合金，所述液态导电液D与所述导电体2接触，可以缩短所述导电体2的导电路径，降低其导电阻抗，使所述电连接器100具有更好的导电性能。 

    如图1、图2和图3所示，多个导电体2，对应收容于多个所述收容孔11，所述导电体2具有弹性，所述导电体2倾斜设置，方便组装。所述导电体2一端具有一第一接触部21用以与所述第一电子元件200接触，在本实施例中，所述第一电子元件200为芯片模块，所述导电体2另一端具有一第二接触部22用以与所述第二电子元件300接触，在本实施例中，所述第二电子元件300为电路板。所述第一接触部21显露于所述上开口111用以与所述第一导电元件200接触，所述第二接触部22伸出所述下开口112与所述第二导电元件300接触。在本实施例中，所述第二接触部22利用压接的方式与所述第二电子元件300进行电性接触 ，在其它实施例中，所述第二接触部22可以利用焊料焊接至所述第二电子元件300上进行固定并电性导接。所述导电体2经多次弯折形成多个S型弯折部23，所述S型弯折部23倾斜设置。在本实施例中，所述S型弯折部23为四个，在其它实施例中所述S型弯折部23可以为一个，也可以为多个。多个所述S型弯折部23依次相连并连接所述第一接触部21以及所述第二接触部22，即多个所述S型弯折部23位于所述第一接触部21与所述第二接触部22之间。 

    如图3、图4和图5所示，所述导电体2与所述第一侧壁113或所述第二侧壁114上的所述导电层C抵接的部位为所述导接部24，所述导接部24可以设置成所述导电体2上的凸起，便于所述导接部24与所述导电层C接触，所述导接部24也可以设置成所述导电体2弯折部位的转折点。即所述导接部24可以位于任意一个所述S型弯折部23的转折点上或所述导电体2的其它凸起位置。在本实施例中，所述导接部24为三个，其中有两个所述导接部24为所述导电体2上的凸起，分别位于所述第一接触部21与所述S型弯折部23的连接处以及所述第二接触部22与所述S型弯折部23的连接处，另一个所述导接部24为所述S型弯折部23上的转折点，即位于所述S型弯折部23上。三个所述导接部24均与所述导电层C接触，当所述第一电子元件200上的信号传输至所述第一接触部21，信号经由所述导接部24传输至所述导电层C，然后由所述导电层C传输至所述第二接触部22，最后由所述第二接触部22传输至所述电路板，通过所述导电体2的所述导接部24与所述导电层C接触，从而使得信号通过所述第一接触部21直接传输至所述导电层C，再由所述导电层C传输至所述第二接触部22，由于所述导电层C的导电路径比所述第一接触部21传输至所述第二接触部22的导电路径短，故使所述导电体2的阻抗减小，从而使导电率提高，保证了正常电流的传输， 从而提高了所述电连接器100的导电性能。 

    如图1、图3和图5所示，所述导电体2由金属板材冲压形成，所述导电体2具有一板面25和一裁切面26，所述裁切面26垂直于所述板面25。所述导电体2可以绕所述板面25的方向弯折并与所述导电层C相抵接形成所述导接部24；所述导电体2也可以绕所述裁切面26的方向弯折并与所述导电层C相抵接形成所述导接部24；所述导电体2还可以绕垂直于所述板面25以及所述裁切面26的方向弯折并与所述导电层C相抵接形成所述导接部24。由于所述导电体2可以通过绕不同的方向弯折形成所述导接部24，故所述导接部24可以均位于所述裁切面26上，也可以至少一所述导接部24位于所述板面25上，也可以至少两个所述导接部24位于所述裁切面26上，一个所述导接部24位于所板面25上。在本实施例中，两个所述导接部24位于所述裁切面26上并与所述导电层C相接触，另一个所述导接部24位于所述板面25上并与所述导电层C相接触。 

    如图2、图3和图5所示，低熔点金属层A设于所述导接部24上，所述导接部24位于所述上开口111的下方且位于所述下开口112的上方，即所述导接部24不位于所述上开口111以及所述下开口112的转角位置，避免所述低熔点金属层A被刮掉。所述低熔点金属层A可以利用涂布或沾浸的方式形成，在高于低熔点金属合金熔点的环境下，将液态的低熔点金属合金液体以涂布或沾浸的方式设于所述导接部24上形成所述低熔点金属层A，或者利用电镀的方式镀设于所述导接部24上，在本实施例中所述低熔点金属层A电镀于所述导接部24上。所述低熔点金属层A为液态，液态的所述低熔点金属层A呈粘稠状或胶状，以使所述低熔点金属层A易附着于所述导接部24上。由于所述低熔点金属层A为液态，故使所述导电体2在所述导接部24上形成一接触平面，所述导电层C对应所述导接部24具有另一接触平面，当所述导接部24与所述导电层C接触时，所述导接部24通过所述接触平面形成平面式的接触，故所述导接部24通过所述低熔点金属层A与所述导电层C形成较大面积的接触，降低接触阻抗。与先前的以点对点的接触方式相比较，所述低熔点金属层A形成的平面式的接触方式显著降低接触阻抗，提高了导电率。所述第一接触部21上也设有所述低熔点金属层A，所述低熔点金属层A协助所述导电体2的所述第一接触部21与所述第一电子元件200形成较大的接触面，降低接触阻抗。在本实施例中，所述导电体2上均设有所述低熔点金属层A，在其它实施例中，所述低熔点金属层A仅设于所述第一接触部21以及所述导接部24上。 

     本实用新型中液态的所述低熔点金属层A为金属合金，是指其在室温环境下呈液态。由于镓的熔点在29.76℃左右，因此，本实用新型可直接使用镓元素的液态金属；由于铟的熔点在156.61℃左右，锡的熔点在231.93℃左右，但铟、镓、锡的二元或者三元合金的熔点却可以大幅降低，上述合金的熔点根据不同比例而异，例如，铟-镓比例为24.5:75.5时，铟镓二元合金的熔点为15.7℃，铟-镓-锡比例为20.5:66.5:13.0时，铟镓锡三元合金的熔点为10.7℃，铟-镓-锡-锌比例为25.0:61.0:13.0:1.0时，所述铟镓锡锌四元合金的熔点为7.6℃，因此本实用新型所使用的液态金属还可以是铟-镓, 镓-锡, 铟-镓-锡，铟-镓-锡-锌 其中任意一种。由于铟和锡的二元合金的熔点最低为44.8℃，在常温下不能成为液态，故因此本实用新型所使用的液态金属不能为铟锡合金，从而保证了所述低熔点金属层A在常温下为液态。 

    如图2和图3所示，在本实施例中，所述低熔点金属层A为铟-镓-锡三元合金，所述低熔点金属层A利用电镀的方式形成，在本实施例的电镀过程中，将铟、镓、锡金属一层一层的镀设于所述导接部24上，然后加热使铟、镓、锡金属熔合形成所述低熔点金属层A，当所述导接部24与所述导电层C接触时，所述导接部24通过所述低熔点金属层A与所述导电层C形成较大面积的接触，降低接触阻抗。在另一实施例的电镀过程中，将所述收容孔11内壁面镀设所述低熔点金属层A，且所述低熔点金属层A位于所述导电层C上，当所述导接部24与所述低熔点金属层A接触时，所述导接部24通过所述低熔点金属层A与所述导电层C形成较大面积的接触，降低接触阻抗。在其它实施例的电镀过程中，可以先将所述导接部24上镀设有铟-锡合金，所述收容孔11内壁面镀设有镓元素，所述镓元素位于所述导电层C上，当所述导电体2回焊时，所述导接部24受热使铟-锡合金与所述导电层C上的镓元素熔合形成铟-镓-锡合金，从而形成了所述低熔点金属层A，所述低熔点金属层A位于所述导电层C上，当所述导接部24与所述低熔点金属层A接触时，所述导接部24通过所述低熔点金属层A与所述导电层C形成较大面积的接触，降低接触阻抗。所述导电体2先涂布或电镀一层镍镀层B，再镀设所述低熔点金属层A，使所述低熔点金属层A位于所述镍镀层B上，防止所述导电体2被氧化，且所述镍镀层B有效的阻隔了所述低熔点金属层A，阻止了所述低熔点金属层A与所述导电体2的基材发生反应，避免破坏所述低熔点金属层A以及腐蚀所述导电体2的基材。 

    如图2所示，在常温状态下，所述低熔点金属层A呈液态，利用所述低熔点金属层A进行电性导通，可以将所述导接部24的接触阻抗由34mΩ以上降低至30mΩ以下，当所述第一电子元件200与所述导电体2进行压接时，液态的所述低熔点金属层A协助所述导电体2的所述导接部24与所述导电层C形成较大的接触面，降低接触阻抗，提高了导电率。 

     如图1及图2，将每一所述导电体2上镀设所述低熔点金属层A，将每一所述收容孔11内镀设所述导电层C，然后将所述导电体2对应装入所述收容孔11，组装成所述电连接器100，所述电连接器100用以与所述第一电子元件200以及所述第二电子元件300导接，所述第一电子元件200设有多个锡球201，所述第二电子元件300的表面设有多个接触垫301，所述电连接器100在室温下使用时，所述第一接触部21与所述锡球201对接，所述第二接触部22与所述接触垫301接触，所述低熔点金属层A位于所述导接部24上，所述导接部24与所述导电层C接触，从而实现完整的电性传输路径。 

    综上所述，本发明电连接器100有下列有益效果： 

     （1）当所述第一电子元件200上的信号传输至所述第一接触部21，信号经由所述导接部24传输至所述导电层C，然后由所述导电层C传输至所述第二接触部22，最后由所述第二接触部22传输至所述第二电子元件300，通过所述导电体2的所述导接部24与所述导电层C接触，从而使得信号通过所述第一接触部21直接传输至所述导电层C，再由所述导电层C传输至所述第二接触部22，由于所述导电层C的导电路径比所述第一接触部21传输至所述第二接触部22的导电路径短，故使所述导电体2的阻抗减小，从而使导电率提高，保证了正常电流的传输， 从而提高了所述电连接器100的导电性能。

    （2）由于所述低熔点金属层A为液态，故使所述导电体2在所述导接部24上形成一接触平面，所述导电层C对应所述导接部24具有另一接触平面，当所述导接部24与所述导电层C接触时，所述导接部24通过所述接触平面形成平面式的接触，故所述导接部24通过所述低熔点金属层A与所述导电层C形成较大面积的接触，降低接触阻抗，提高了导电率。 

    （3）所述导电体2先涂布或电镀一层镍镀层B，再镀设所述低熔点金属层A，使所述低熔点金属层A位于所述镍镀层B上，防止所述导电体2被氧化，且所述镍镀层B有效的阻隔了所述低熔点金属层A，阻止了所述低熔点金属层A与所述导电体2的基材发生反应，避免破坏所述低熔点金属层A以及腐蚀所述导电体2的基材。 

    以上详细说明仅为本实用新型之较佳实施例的说明，非因此局限本实用新型的专利范围，所以，凡运用本创作说明书及图示内容所为的等效技术变化，均包含于本发明的专利范围内。 

Claims (10)

1.一种电连接器，用以电性连接一第一电子元件至一第二电子元件，其特征在于，包括：

   一绝缘本体，所述绝缘本体开设有多个收容孔，一导电层设于所述收容孔内壁面；

   多个导电体，设于所述收容孔，所述导电体具有弹性，所述导电体具有一第一接触部用以与所述第一电子元件接触，所述导电体具有一第二接触部用以与所述第二电子元件接触，所述导电体还设有至少两个导接部与所述导电层接触。

2.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于： 所述导电体由金属板材冲压形成，所述导电体具有一板面和一裁切面，所述裁切面垂直于所述板面。

3.如权利要求2所述的电连接器，其特征在于：所述导接部均位于所述裁切面上。

4.如权利要求2所述的电连接器，其特征在于：至少一个所述导接部位于所述板面上。

5.如权利要求2所述的电连接器，其特征在于：所述导电体经多次弯折形成多个S型弯折部位于所述第一接触部与所述第二接触部之间，所述S型弯折部为倾斜状，至少两个所述导接部位于所述裁切面上，至少一个所述导接部位于所述板面上。

6.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于：所述导接部上设有低熔点金属层，当所述导接部与所述导电层接触时，所述导接部通过所述低熔点金属层与所述导电层形成较大面积的接触，降低接触阻抗。

7.如权利要求6所述的电连接器，其特征在于：所述低熔点金属层选自镓 ，铟-镓, 镓-锡, 铟-镓-锡，铟-镓-锡-锌其中任意一种，所述低熔点金属层为液态。

8.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于：所述收容孔内壁面镀设低熔点金属层，所述低熔点金属层位于所述导电层上，当所述导接部与所述低熔点金属层接触时，所述导接部通过所述低熔点金属层与所述导电层形成较大面积的接触，降低接触阻抗。

9.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于：所述导接部上镀设有铟-锡合金，所述收容孔内壁面镀设有镓元素，所述镓元素位于所述导电层上，当所述导电体回焊时，所述导接部上的铟-锡合金与所述收容孔内壁面上的镓元素熔合形成铟-镓-锡合金的低熔点金属层，所述低熔点金属层位于所述导电层上，当所述导接部与所述低熔点金属层接触时，所述导接部通过所述低熔点金属层与所述导电层形成较大面积的接触，降低接触阻抗。

10.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于：所述导电体倾斜弯折设置，所述收容孔具有一上开口和一下开口，所述导接部位于所述上开口的下方且位于所述下开口的上方。

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