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CN202127013U - 一种整体基体表面的半导体引线框架 - Google Patents

一种整体基体表面的半导体引线框架 Download PDF

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CN202127013U
CN202127013U CN2011202113307U CN201120211330U CN202127013U CN 202127013 U CN202127013 U CN 202127013U CN 2011202113307 U CN2011202113307 U CN 2011202113307U CN 201120211330 U CN201120211330 U CN 201120211330U CN 202127013 U CN202127013 U CN 202127013U
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China
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semiconductor lead
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沈健
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Abstract

本实用新型公开了一种整体基体表面的半导体引线框架，它包括框架体(1)，所述的框架体(1)由若干单片组成，每个单片的上部设置为整体基体(2)，下部为引线脚组合(3)，在每个单片的引线脚组合之间设有定位孔(4)，各单片通过连接筋(5)相互连接形成框架体(1)。本实用新型适用范围广，满足大型器件的封装要求。

Description

一种整体基体表面的半导体引线框架
技术领域
本实用新型提供了一种整体基体表面的半导体引线框架。
背景技术
随着电子行业的发展，半导体器件的芯片越来越大。这就要求引线框架的基面相应加大，然而目前芯片的基面是无法满足的大型半导体芯片的需求。
发明内容
本实用新型提供了一种整体基体表面的半导体引线框架，它适用范围广，满足大型器件的封装要求。
本实用新型采用了以下技术方案：一种整体基体表面的半导体引线框架，它包括框架体，所述的框架体由若干单片组成，每个单片的上部设置为整体基体，下部为引线脚组合，在每个单片的引线脚组合之间设有定位孔，各单片通过连接筋相互连接形成框架体。
所述的单片为KFC铜带。所述的框架体由10个单片组成，10个单片组成的框架长度为170mm，宽度为35.8mm。所述的整体基体表面的尺寸为13mm×13mm，平面度为0.05mm，厚度都为2mm。所述的引线脚组合的厚度为0.6mm，公差为±0.01mm，引线脚组合包括三只引脚，三只引脚向外折弯的厚度为2.5mm。
本实用新型具有以下有益效果：本实用新型设有整体基体，这样可以扩大适用范围，可以满足大型器件的封装要求。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图
具体实施方式
在图1中，本实用新型提供了一种整体基体表面的半导体引线框架，它包括框架体1，框架体1由10个单片组成，单片由KFC铜带依次经冲压、表面处理和切断成形制成，10个单片组成的框架长度为170mm，公差为±0.15mm，宽度为35.8mm，每个单片的上部设置为整体基体2，整体基体2表面的尺寸为13mm×13mm，平面度为0.05mm，厚度都为2mm，公差为±0.015mm，下部为引线脚组合3，引线脚组合3的厚度为0.6mm，公差为±0.01mm，引线脚组合3包括三只引脚，三只引脚向外折弯的厚度为2.5mm，在每个单片的引线脚组合之间设有定位孔4，各单片通过连接筋5相互连接形成框架体1。

Claims (5)

1.一种整体基体表面的半导体引线框架，它包括框架体(1)，其特征是所述的框架体(1)由若干单片组成，每个单片的上部设置为整体基体(2)，下部为引线脚组合(3)，在每个单片的引线脚组合之间设有定位孔(4)，各单片通过连接筋(5)相互连接形成框架体(1)。
2.根据权利要求1所述的整体基体表面的半导体引线框架，其特征是所述的单片为KFC铜带。
3.根据权利要求1所述的整体基体表面的半导体引线框架，其特征是所述的框架体(1)由10个单片组成，10个单片组成的框架长度为170mm，宽度为35.8mm。
4.根据权利要求1所述的整体基体表面的半导体引线框架，其特征是所述的整体基体(2)表面的尺寸为13mm×13mm，平面度为0.05mm，厚度都为2mm。
5.根据权利要求1所述的整体基体表面的半导体引线框架，其特征是所述的引线脚组合(3)的厚度为0.6mm，公差为±0.01mm，引线脚组合(3)包括三只引脚，三只引脚向外折弯的厚度为2.5mm。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102332444A (zh) * 2011-06-16 2012-01-25 沈健 一种整体基体表面的半导体引线框架
CN103531569A (zh) * 2013-10-28 2014-01-22 沈健 一种特大功率的塑封引线框架

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Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Taizhou Dongtian Electronics Co., Ltd.

Assignor: Shen Jian

Contract record no.: 2012320000223

Denomination of utility model: Semiconductor lead frame of whole matrix surface

Granted publication date: 20120125

License type: Exclusive License

Record date: 20120314

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120125

Termination date: 20140616

EXPY Termination of patent right or utility model