CN1922472A - 在晶圆和太阳能电池之间建立对应性和可追溯性 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种在晶圆和由所述晶圆生产的太阳能电池之间建立对应性的方法和系统。所述方法包括对于每个晶圆和每个太阳能电池，提供晶圆图像，提供电池图像，将所述晶圆图像与所述电池图像比较，一旦电池图像和晶圆图像匹配，则将当前电池指定给当前晶圆。所述系统包括至少一个成像设备用于提供晶圆和电池的图像，处理单元用于将晶圆图像与电池图像比较，并且一旦电池图像和晶圆图像匹配，则将当前电池指定给当前晶圆，以及存储器单元。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池的生产，并且尤其涉及一种在晶圆和由所述晶圆生产的太阳能电池之间建立对应性以提供太阳能电池的可追溯性的方法和系统。
背景技术
太阳能电池板包括太阳能电池的阵列，太阳能电池将太阳能转化为电能。每个太阳能电池是通过处理硅晶圆而生产的。硅晶圆是从称为硅锭(ingot)的大型硅体上切割下来的。
硅锭是在熔炉中制造的，并且在诸多因素中特别注意控制制造过程中的硅锭温度，因为硅锭的温度对于决定硅锭质量起着重要作用。
大型硅锭通常具有不均匀的质量。这种不均匀质量反映在从硅锭切割出的晶圆和电池中，并且起着决定晶圆和电池特性的底线的作用。
电池质量可以迅速而可靠的测量。通常通过检验手段确定电池质量，其中测量电池的表面、电流、电压、效率和分流电阻。硅锭和晶圆质量不能如同电池质量那样准确的测量，并且晶圆和硅锭质量的全面特性通常包括材料的电池工艺。详细的晶圆和硅锭质量测量非常昂贵并且需要几周时间测试，这样并不适合于生产过程。
发明内容
因此本发明的一个目标是提供一种建立电池和晶圆之间对应性的方法，也就是标识哪个电池是由哪个晶圆制造的。
通过本发明的方法，电池质量可以很容易关联到晶圆和硅锭质量，并且可以对熔炉和其他生产参数进行修改以提高晶圆和电池的电气质量以及机械强度。
存在几种将电池追溯到晶圆的方法：
1)晶圆划线/涂色：通过标记器在晶圆表面写上该晶圆的标识，如美国专利6,482,661所述。多个晶圆从硅锭切下，具有局部的硅锭标记。然后在晶圆的周边作上晶圆标记。所述标记通过照相机读取并且存储信息。日本专利10321690描述了一种在不形成电路图案的表面周围部分中印上晶圆号码的方法。所述晶圆号码通过CCD照相机读取并且通过识别部件识别。这些方法的缺陷在于它们导致了晶圆表面质量的降低。并且它们并不适合于大规模生产。
2)在晶圆上作出小的切口。这种方法导致了破损率增加。
3)通过在所有工艺中“跟踪”晶圆的先进的数据系统进行追溯(例如美国专利6,330,971所述)。这种可选方法非常昂贵，因为它需要将追踪系统适应于不同实体生产的设备。
可选方法1)和2)目前仅在研究领域中使用。可选方法3)可以用于非常大量的电池，其中批量规模能够抵上在追踪系统上的高投资，但是就本申请人所知，目前该方法并没有在大规模生产中使用。
本发明的一个目标是提供一种方法和系统，不需要改变晶圆表面，并且同时不需要将追踪系统适应于不同设备。
该目标通过一种在晶圆和由所述晶圆生产的太阳能电池之间建立对应性的方法和系统而实现。所述方法包括，对于每个晶圆和每个太阳能电池，
a)提供晶圆图像，
b)提供电池图像，
c)将所述晶圆图像与所述电池图像比较，
d)一旦电池图像和晶圆图像匹配，则将当前电池指定给当前晶圆。
本发明是基于如下概念，即结晶结构对于每个晶圆是唯一的，并且该结构在晶圆和所制造的电池中都是可见的，从而结晶图像信息足以在电池和晶圆之间建立对应性。
根据本发明一个方面，上述方法中的步骤a)和b)包括描绘晶圆和电池的结晶结构，同时步骤c)包括将所述结晶结构进行互相比较。
对晶圆表面没有应用任何标识，因为晶圆和电池由于其结晶特性而形成的自身外观被用于标识。
一旦建立了对应性，则可以例如用于将晶圆数据指定给每个电池。根据所公开方法的一个方面，该方法包括将晶圆标识数据链接到对应电池。
如果在电池制造期间发生了晶圆破损，则该特定晶圆会从生产线移除并且不会有与所述晶圆的晶圆图像匹配的电池图像。如果没有电池图像匹配特定晶圆图像，则认为该晶圆是破损的。
根据另一个方面，所述方法允许确定硅锭不同部分的质量，其中每个部分对应于一个晶圆。在该实施方式中，所述方法包括：指定检验数据给每个电池，指定(硅锭中的)晶圆位置给每个晶圆，并且一旦电池图像和晶圆图像匹配，则将电池检验数据指定给硅锭中的每个晶圆位置。这些电池检验数据可以包括生产过程中晶圆的破损。
为每个晶圆指定晶圆位置并且将检验数据指定给每个电池是太阳能电池生产领域中目前使用的流程，因此不再详细描述。
通过所述过程得到的每个部分(晶圆)的硅锭质量数据可以允许对硅锭的生产过程进行分析。然后可以实施反馈系统以调整过程变量从而获得硅锭中的均匀的高质量。据此，本发明的一个方面包括基于电池检验数据调整硅锭和/或晶圆生产参数。
根据本发明的所述方法需要提供电池和晶圆图像。这些图像可以通过CCD照相机、CMOS照相机、数码照相机、IR描绘系统或者任何其他描绘系统中的至少一者而提供。适合的系统必须具有足够的清晰度/解析度从而为每个晶圆/电池提供几乎唯一的结晶图像。
在生产过程中不同位置处可以设置若干成像设备。这样可以提供制造步骤的质量的更加详细的信息，并且由此可以更加准确的调整过程变量。
根据另一个方面，所述方法允许对晶圆和电池生产过程中不同生产设备确定质量(电的或者机械的)。在此实施方式中，所述方法包括：将检验数据指定给每个电池，将完整的制造历史指定给每个晶圆，并且一旦电池图像和晶圆图像匹配，在每个晶圆制造历史中包括电池检验数据。
图像数据可以通过“指纹匹配”软件获得，这是市场中可用的图像识别软件。
可以实现所述方法的一个实施方式，其中通过图像匹配以及其他方法例如晶圆的数据追踪一起建立对应性。在此情况下，由于每个方法会互相补偿，可以达到满意结果而不需要成像系统的高清晰度或者完整的数据追踪。
通过本发明的方法，可以创建包括独立存储或者互相链接的电池/晶圆图像的数据库。所述数据库例如对于计算统计量等是非常有用的。据此，在一个方面中，所述方法包括在指定当前电池给当前晶圆之前和/或之后，在存储器中存储晶圆图像和电池图像。
本发明还包括一种在太阳能电池和/或晶圆生产过程中控制生产参数的方法，除了上述步骤之外还包括：
——提供每个晶圆的硅锭位置数据和/或制造历史，
——提供每个电池的检验数据，
——一旦电池图像和晶圆图像匹配，则将当前电池的检验数据指定给硅锭中的当前晶圆位置和/或晶圆的制造历史。
所述方法提供了关于硅锭中每个晶圆位置的硅锭数据。
在一个方面中，后一种方法包括基于指定给晶圆制造历史和标识(例如硅锭中的晶圆位置和晶圆制造历史的其他元素)的电池检验数据而管理硅锭和/或晶圆生产。当然也可以使用这些参数控制电池生产。
如上所述，电池检验数据可以包括晶圆破损。
本发明还包括一种在晶圆和由所述晶圆制造的太阳能电池之间建立对应性的系统，包括：
——至少一个成像设备，用于提供晶圆和电池的图像，
——处理单元，用于将晶圆图像与电池图像比较，并且一旦电池图像和晶圆图像匹配，则将当前电池指定给当前晶圆，以及
——存储器单元。
在本发明的一个方面中，所述成像设备适合于提供晶圆和电池的结晶结构的图像，并且所述处理单元适合于将晶圆和电池的结晶结构互相比较。
术语“成像设备”在此是指提供描绘结晶结构的图像所需的所有设备，即并不仅是指适合于提供图像的设备而且还是适合于处理所述图像以提供关于晶圆和电池的结晶信息的硬件设备。
在本发明的一个方面中，所述处理单元适合于将晶圆标识数据指定给对应的电池。晶圆标识数据可以通过公知设备例如个人计算机或者其他用户接口设备输入到处理单元。
在另一个方面中，所述处理单元连接到提供电池检验数据的电池检验单元，并且适合于
——将检验数据指定给每个电池，
——将晶圆位置指定给每个晶圆，以及
——一旦电池图像和晶圆图像匹配，将电池检验数据指定给每个晶圆位置。
如果在电池制造期间发生了晶圆破损，则该特定晶圆会从生产线移除并且不会存在与所述晶圆的晶圆图像匹配的电池图像。如果没有电池图像匹配特定晶圆图像，则该晶圆被认为是破损的。
所述处理单元还可以通过手动输入设备(操作员输入)或者其他类型的输入设备(数据文件)而接收电池检验数据。
在本发明的又一个方面中，所述处理单元连接到硅锭和/或晶圆生产控制设备。在又一个方面中，所述处理单元适合于基于电池检验数据调整硅锭和/或晶圆生产参数。
如上所述，电池检验数据可以包括晶圆破损。
在本发明的又一个方面中，所述系统包括两个成像设备。
所述成像设备可以类似或者不同，并且可以通过CCD照相机、数码照相机或者IR描绘系统等而实施为使用单个设备以及使用两个设备的情况。一个成像设备可以用于描绘晶圆而另一个可以用于描绘电池。
还可以在生产过程中不同位置处设置更多成像设备以提供不同制造步骤的更加详细的信息。这样可以更加准确的调整过程变量。
在本发明的一个实施方式中，所述存储器单元适合于在电池被指定给晶圆之前和/或之后在存储器中存储晶圆图像和电池图像。
本发明还包括一种如上所述并且适合于控制太阳能电池生产过程中的生产参数的系统，该系统包括：
——用于提供晶圆位置数据和/或制造历史的单元，
——用于提供每个电池的检验数据的电池检验单元，
其中所述系统中的处理单元适合于一旦电池图像和晶圆图像匹配，则将当前电池的检验数据指定给当前晶圆和/或晶圆位置。
根据所述系统的一个方面，所述处理单元适合于基于指定给晶圆和/或晶圆位置的电池检验数据而管理硅锭和/或晶圆生产。
附图说明
现在通过附图所示的示例描述本发明，其中：
图1为显示晶圆制造的示例的结构图；
图2为显示电池制造的示例的结构图；
图3为显示本发明一个实施方式的结构图；
图4为晶圆图像的示例；以及
图5为电池图像的示例。
具体实施方式
图1为显示晶圆制造的结构图。起始点(步骤101)为硅锭1。所述硅锭被首先分割为更小的硅锭2(步骤102)，并且被线状锯切割(步骤103)为晶圆3(步骤104)。可以看到，晶圆的颗粒结构在这个生产过程中没有变化。
图2显示了电池制造过程，以及提供晶圆和电池的图像的成像设备4和5。所述过程开始于图1中从硅锭1切割出的晶圆3。在步骤201中，晶圆经受蚀刻和组织化处理(texturisation)，在步骤202中，执行磷掺杂，在步骤203中蚀刻晶圆的边缘，在步骤204中去除晶圆上的氧化层。在步骤205中在表面上应用防反射涂覆。在这些步骤之后，所述晶圆进入丝网印刷流水线。在丝网印刷流水线中，所述晶圆通过第一印刷机(步骤206)、第一烘干器(步骤207)、第二印刷机(步骤208)以及第二烘干器(步骤209)而处理。在此之后是第三印刷机(步骤210)和熔炉中的烧结(sintering)工艺(步骤211)，此后是电池分类流程(步骤212)。当电池完成后，执行质量控制(步骤213)。
如图所示，第一成像设备4(在此示例中为照相机)适合于在电池制造过程开始之前提供每个晶圆的图像。在分类步骤中，通过第二成像设备5提供每个电池的图像。
图3显示了根据本发明的系统的一个实施方式。所述系统包括：
——一个或者多个成像设备4、5，用于提供晶圆和电池图像，
——单元6，用于提供晶圆位置数据，所述单元的功能是提供关于硅锭中每个晶圆的原始位置的数据，
——电池检验单元7，用于提供每个电池的检验数据，所述电池检验单元在图2中的步骤213中执行质量控制操作，
——处理单元，用于将每个晶圆图像与电池图像比较以识别每个电池的原始晶圆，并且将电池检验数据指定给对应的晶圆和/或晶圆位置，
——存储器单元9，用于存储处理指令和数据。
在所述系统的一个实施方式中，所述处理单元适合于基于指定给晶圆和/或晶圆位置的电池检验数据而管理硅锭和/或晶圆生产(IPP、WPP)。如图3所示，其中处理单元8可以直接控制或者通过生产过程输入设备9控制硅锭生产过程，生产过程输入设备9可以发送指令给控制硅锭和晶圆生产过程的处理单元。尽管在图中没有显示，也可以通过处理单元8控制电池生产过程(CPP)。
所述系统还可以包括用户接口10，用于输入关于硅锭/晶圆/电池的指令和数据，以及用于与用户交流的显示器。
图3还显示了收集关于硅锭/晶圆/电池的处理数据的步骤，其中所述数据包括晶圆和电池图像、晶圆位置信息、电池检验数据等等。
可以看到，本发明提供了关于过程质量的可靠且快速的反馈，并且由此允许调整过程参数从而达到更好的结果。
图4显示了制造过程开始之前的晶圆图像，并且图5显示了制造过程产生的电池图像。可以看到，在图像中可以清楚识别结晶结构，并且该结构对于每个晶圆和对应电池是唯一的。
Claims (21)
1.一种在晶圆和由所述晶圆生产的太阳能电池之间建立对应性的方法，包括，对于每个晶圆和每个太阳能电池，
a)提供晶圆图像，
b)提供电池图像，
c)将所述晶圆图像与所述电池图像进行比较，
d)一旦电池图像和晶圆图像匹配，则将当前电池指定给当前晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤a)和b)包括描绘晶圆和电池的结晶结构，并且步骤c)包括将所述晶圆和电池的结晶结构进行互相比较。
3.根据前述任何一项权利要求所述的方法，其中所述方法包括指定晶圆标识数据给对应的电池。
4.根据前述任何一项权利要求所述的方法，其中所述方法包括：
——指定检验数据给每个电池，
——指定晶圆位置给每个晶圆，以及
——一旦电池图像和晶圆图像匹配，则将电池检验数据指定给硅锭中的所述晶圆位置。
5.根据权利要求4所述的方法，其中在晶圆图像和电池图像之间没有发现匹配时，为所述晶圆位置指定“破损”作为检验数据。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述方法包括：
——基于电池检验数据而调整硅锭和/或晶圆生产参数。
7.根据权利要求1所述的方法，其中通过CCD照相机、CMOS照相机、数码照相机或者IR描绘系统中的至少一者而提供所述图像。
8.根据前述任何一项权利要求所述的方法，其中所述方法包括在指定当前电池给当前晶圆之前和/或之后在存储器中存储所述晶圆图像和所述电池图像。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括：
——提供每个晶圆的硅锭位置数据和/或制造历史，
——提供每个电池的检验数据，
——一旦电池图像和晶圆图像匹配，则将当前电池的检验数据指定给硅锭中的当前晶圆位置和/或晶圆的制造历史。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述方法包括基于指定给晶圆制造历史和标识，例如硅锭中的晶圆位置和所述晶圆制造历史的其他元素，的电池检验数据而管理硅锭和/或晶圆生产。
11.一种在晶圆和由所述晶圆制造的太阳能电池之间建立对应性的系统，该系统包括：
——至少一个成像设备，用于提供晶圆和电池的图像，
——处理单元，用于将晶圆图像与电池图像比较，并且一旦电池图像和晶圆图像匹配，则将当前电池指定给当前晶圆，以及
——存储器单元。
12.根据权利要求11所述的系统，其特征在于所述成像设备适合于提供晶圆和电池的结晶结构的图像，并且所述处理单元适合于将晶圆和电池的结晶结构互相比较。
13.根据权利要求11或12所述的系统，其中所述处理单元适合于将晶圆标识数据指定给对应的电池。
14.根据前述任何一项权利要求所述的系统，其中所述处理单元连接到提供电池检验数据的电池检验单元，并且所述处理单元适合于：
——将检验数据指定给每个电池，
——将晶圆位置指定给每个晶圆，以及
——一旦电池图像和晶圆图像匹配，将电池检验数据指定给每个晶圆位置。
15.根据权利要求14所述的方法，其中在晶圆图像和电池图像之间没有发现匹配时，为所述晶圆位置指定“破损”作为检验数据。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述处理单元连接到硅锭和/或晶圆生产控制的输入设备，和/或所述处理单元适合于
——基于电池检验数据而调整硅锭和/或晶圆生产参数。
17.根据前述任何一项权利要求所述的系统，其中所述系统包括两个成像设备。
18.根据前述任何一项权利要求所述的系统，其中所述成像设备为CCD照相机、数码照相机或者IR描绘系统。
19.根据前述任何一项权利要求所述的系统，其中所述存储器单元适合于在电池被指定给晶圆之前和/或之后在存储器中存储所述晶圆图像和所述电池图像。
20.一种根据前述任何一项权利要求所述并且适合于控制太阳能电池生产过程中的生产参数的系统，其特征在于该系统包括：
——用于提供晶圆位置数据和/或制造历史的单元，
——用于提供每个电池的检验数据的电池检验单元，
其中所述处理单元适合于一旦电池图像和晶圆图像匹配，则将当前电池的检验数据指定给当前晶圆和/或晶圆位置。
21.根据权利要求20所述的系统，其中所述处理单元适合于基于指定给晶圆和/或晶圆位置的电池检验数据而管理硅锭和/或晶圆生产。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101861643B (zh) * | 2007-08-30 | 2012-11-21 | Bt成像股份有限公司 | 光生伏打电池制造 |
| CN112071952A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-11 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种硅片的制作方法及电池片、光伏组件 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008294364A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| WO2010112614A1 (de) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | Singulus Technologies Ag | Verfahren und vorrichtung zur identifizierung von gegenständen sowie zum verfolgen von gegenständen in einem produktionsprozess |
| WO2010138764A2 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate side marking and identification |
| US8768040B2 (en) * | 2011-01-14 | 2014-07-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Substrate identification and tracking through surface reflectance |
| DE102012213793B3 (de) * | 2012-08-03 | 2013-10-24 | Solarworld Innovations Gmbh | Untersuchung eines Siliziumsubstrats für eine Solarzelle |
| US9754365B2 (en) | 2014-02-21 | 2017-09-05 | Applied Materials, Inc. | Wafer inspection method and software |
| KR102267996B1 (ko) * | 2017-02-10 | 2021-06-22 | 케이엘에이 코포레이션 | 제품 제조 중의 프로세스 변동들의 식별 |
| JP6431643B1 (ja) * | 2018-03-30 | 2018-11-28 | 日新製鋼株式会社 | 金属板の表面欠陥検査方法および表面欠陥検査装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4256681A (en) * | 1976-12-16 | 1981-03-17 | Semix Incorporated | Method of producing semicrystalline silicon |
| JPH0677509A (ja) | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池に於けるセル識別方式 |
| US5757474A (en) * | 1993-05-10 | 1998-05-26 | Midwest Research Institute | System for characterizing semiconductor materials and photovoltaic devices through calibration |
| JPH0722635A (ja) | 1993-06-28 | 1995-01-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 多結晶太陽電池識別方法 |
| JP3491977B2 (ja) | 1994-07-29 | 2004-02-03 | キヤノン株式会社 | 多結晶シリコン太陽電池 |
| JP2943673B2 (ja) | 1995-10-31 | 1999-08-30 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の製造装置及び製造方法 |
| US5716459A (en) * | 1995-12-13 | 1998-02-10 | Hughes Aircraft Company | Monolithically integrated solar cell microarray and fabrication method |
| EP1909318A3 (en) | 1996-03-19 | 2009-12-09 | Hitachi, Ltd. | Process management system |
| JP3213563B2 (ja) | 1997-03-11 | 2001-10-02 | 株式会社スーパーシリコン研究所 | ノッチレスウェーハの製造方法 |
| JP3819993B2 (ja) | 1997-05-23 | 2006-09-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | ウエハ検査装置 |
| WO2000002236A2 (en) | 1998-07-07 | 2000-01-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Radio frequency identification system and method for tracking silicon wafers |
| US6140140A (en) * | 1998-09-16 | 2000-10-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for detecting process sensitivity to integrated circuit layout by compound processing |
| US6482661B1 (en) * | 2000-03-09 | 2002-11-19 | Intergen, Inc. | Method of tracking wafers from ingot |
| JP2001313274A (ja) | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Nippei Toyama Corp | ウエーハの回収方法 |
| GB0107618D0 (en) * | 2001-03-27 | 2001-05-16 | Aoti Operating Co Inc | Detection and classification of micro-defects in semi-conductors |
| US7065239B2 (en) * | 2001-10-24 | 2006-06-20 | Applied Materials, Inc. | Automated repetitive array microstructure defect inspection |
| JP2003243675A (ja) | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Kyocera Corp | 太陽電池用多結晶シリコンウエハおよびその製造方法 |
| US7144457B1 (en) * | 2002-03-21 | 2006-12-05 | Takeda San Diego, Inc. | Methods and devices for analyzing crystalline content of precipitates and crystals without isolation |
-
2004
- 2004-02-20 NO NO20040756A patent/NO20040756L/no not_active Application Discontinuation
-
2005
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- 2005-02-18 US US10/598,123 patent/US7920738B2/en active Active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101861643B (zh) * | 2007-08-30 | 2012-11-21 | Bt成像股份有限公司 | 光生伏打电池制造 |
| TWI476846B (zh) * | 2007-08-30 | 2015-03-11 | Bt Imaging Pty Ltd | 光伏打胞元製造技術 |
| CN112071952A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-11 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种硅片的制作方法及电池片、光伏组件 |
| CN112071952B (zh) * | 2020-08-31 | 2022-03-22 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种硅片的制作方法及电池片、光伏组件 |
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