CN1782842A - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种适用于简化制造工序的透射反射式薄膜晶体管基板及其制造方法。该液晶显示器件包括：第一和第二基板；位于第一基板上的栅线；位于第一基板上的栅绝缘层；与栅线交叉以限定像素区的数据线；连接到栅线和数据线的薄膜晶体管；位于栅线、数据线和薄膜晶体管上的有机绝缘层，其在像素区中具有透射孔；像素电极，位于像素区的有机绝缘层上通过透射孔并连接到薄膜晶体管上；以及位于像素电极上的反射电极，其具有与像素电极相同的边缘部分或者位于像素电极边缘部分内侧的边缘部分并暴露透射孔的像素电极。

Description

液晶显示器件及其制造方法

本申请要求享有2004年12月4日在韩国递交的韩国专利申请P2004-101554号的权益，在此引入作为参考。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器件的透射反射式薄膜晶体管基板，尤其涉及一种适用于简化制造工艺的透射反射式薄膜晶体管基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器采用电场控制具有介电各向异性的液晶的透光率来显示图像。液晶显示器包括通过液晶单元矩阵显示图像的液晶显示面板，以及用来驱动该液晶显示面板的驱动电路。

在图1中，现有技术的液晶显示面板包括彼此粘接的滤色片基板10和薄膜晶体管基板20，在两个基板之间设有液晶材料24。

滤色片基板10包括依次设置于上玻璃基板2上的黑矩阵4、滤色片6和公共电极8。黑矩阵4以矩阵形式形成于上玻璃基板2上。黑矩阵4将上玻璃基板2的区域划分为多个要形成有滤色片的单元区域，并且黑矩阵4防止相邻单元之间的光发生干扰以及外部光的反射。滤色片6形成并由黑矩阵4在单元区域中划分为红(R)、绿(G)和蓝(B)三部分以透射红、绿、蓝色光。公共电极8向分布在滤色片6整个表面上的透明导电层提供公共电压Vcom，其中在驱动液晶材料24时该公共电压Vcom成为基准电压。并且，为了使滤色片6平坦化，可以在滤色片6和公共电极8之间额外地形成涂敷层(未示出)。

薄膜晶体管基板20包括在下玻璃基板12上由栅线14与数据线16交叉限定的各单元区域中形成的薄膜晶体管18和像素电极22。薄膜晶体管18响应来自栅线14的栅信号向像素电极22提供来自数据线16的数据信号。由透明导电层形成的像素电极22提供来自薄膜晶体管18的数据信号以驱动液晶材料24。

具有介电各向异性的液晶材料24沿着由公共电极8的公共电压Vcom和像素电极22的数据信号形成的电场旋转以控制透光率，从而实现灰度级。

并且，该液晶显示面板进一步包括在滤色片基板10和薄膜晶体管基板20之间用于维持盒间隙的衬垫料(未示出)。

通过多轮掩模工序形成液晶显示面板的滤色片基板10和薄膜晶体管基板20。这里，一轮掩模工序包括诸如薄膜沉积(涂敷)工序、清洁工序、光刻(以下称为光刻工序)工序、蚀刻工序、光刻胶剥离工序和检查工序等多个工序。特别地，薄膜晶体管基板包括半导体工序并需要多轮掩模工序，因此，其制造工序比较复杂，这成为导致液晶显示面板制造成本增加的主要因素。

液晶显示面板通常分为采用从背光单元入射的光来显示图像的透射型、通过反射诸如自然光的外界光来显示图像的反射型、以及利用透射型和反射型优点的透射反射型。

透射型存在背光单元功耗过高的问题而反射型依赖于外界光使其不能在黑暗的环境显示图像。另一方面，如果外界光是充足的，透射反射式液晶显示器件在反射模式下工作，并且如果外界光不充足，则在透射模式下工作。因此透射反射式液晶显示器件比透射型液晶显示器件更能减少功耗并且不同于受提供的外界光限制的反射型液晶显示器件。

为此，透射反射式液晶显示器件包括具有反射区和透射区的各像素。因此，与图1所示的薄膜晶体管阵列相比较，形成于反射区的反射电极和用于使在反射区和透射区产生的光路径相同的绝缘层应该进一步添加在透射反射式薄膜晶体管中。这样，因为必须增加掩模工序的数量，因此存在现有技术的透射反射式薄膜晶体管基板的制造工序复杂的问题。

发明内容

因此，本发明提供了一种透射反射式薄膜晶体管基板及其制造方法。

为了实现本发明的这些和其他优点，根据本发明实施方式的液晶显示器件包括：第一和第二基板；位于第一基板上的栅线；位于第一基板上的栅绝缘层；与栅线交叉以限定像素区的数据线；连接到栅线和数据线的薄膜晶体管；位于栅线、数据线和薄膜晶体管上的有机绝缘层，其在像素区具有透射孔；像素电极，位于像素区的有机绝缘层上通过透射孔并连接到薄膜晶体管上；以及位于像素电极上的反射电极，其具有与像素电极相同的边缘部分或者位于像素电极边缘部分内侧的边缘部分并暴露透射孔的像素电极。

根据本发明的实施方式的液晶显示器件的制造方法包括：提供第一和第二基板；采用第一掩模工序在第一基板上形成栅线；采用第二掩模工序在第一基板上形成栅绝缘层、在栅绝缘层上形成半导体图案、在半导体图案上形成与栅线交叉以限定像素区的数据线以及源极和漏极；采用第三掩模工序在数据线、源极和漏极上形成有机绝缘层以及贯穿有机绝缘层的透射孔；采用第四掩模工序形成经过有机绝缘层和透射孔连接到漏极的像素电极，并且形成暴露透射孔的像素电极的反射电极。

附图说明

参考附图通过对本发明的实施方式进行详细描述将使本发明的这些和其他的特点更加显而易见，其中：

图1示出了现有技术液晶显示面板结构的透视图；

图2部分地示出了根据本发明实施方式的部分透射反射式薄膜晶体管基板的平面图；

图3A和图3B示出了沿图2中II-II’、III-III’和IV-IV’线提取的透射反射式薄膜晶体管基板的截面图；

图4A和图4B示出根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第一掩模工序的平面图和截面图；

图5A和图5B示出根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第二掩模工序的平面图和截面图；

图6A和图6B示出根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第三掩模工序的平面图和截面图；

图7A和图7B示出根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第四掩模工序的平面图和截面图；

图8A到图8F示出根据本发明采用半色调掩模的第四掩模工序的截面图；

图9示出在本发明的第四掩模工序中使用局部曝光掩模的截面图；

图10简要的示出根据本发明实施方式具有中心环绕部分的透射反射式薄膜晶体管基板的平面图；

图11A到图11C具体地示出图10所示的数据链环(data link)和数据线的接触区的平面图和截面图；

图12A和图12B示出说明图11A和11B所示的透射反射式薄膜晶体管基板第一掩模工序的平面图和截面图；

图13A和图13B示出说明图11A和11B所示的透射反射式薄膜晶体管基板第二掩模工序的平面图和截面图；

图14A和图14B示出为了说明图11A和11B所示的透射反射式薄膜晶体管基板第三掩模工序的平面图和截面图；

图15A和图15B示出为了说明图11A和11B所示的透射反射式薄膜晶体管基板第四掩模工序的平面图和截面图。

具体实施方式

将详细参考附图所示的实施例来说明本发明的实施方式。

以下将通过参考图2到图15B详细说明本发明的实施方式。

图2示出了根据本发明实施方式的透射反射式薄膜晶体管基板的平面图，并且图3A和图3B示出了沿图2中II-II’、III-III’和IV-IV’线提取的透射反射式薄膜晶体管基板的截面图。

参考图2和图3，透射反射式薄膜晶体管基板包括：通过彼此交叉在下基板142上限定像素区的栅线102和数据线104，在两者之间设置有栅绝缘层144；连接到栅线102和数据线104的薄膜晶体管106；形成在各像素区并连接到薄膜晶体管106的像素电极118；形成与各像素的反射区的像素电极重叠的反射电极156。因此，各像素区分为具有反射电极156的反射区和具有通过开口部分暴露的像素电极118的透射区。

薄膜晶体管106响应于栅线102的扫描信号保持提供给数据线104的像素信号。因此，薄膜晶体管106包括栅线102；连接到数据线104的源极110；与源极相对并连接到像素电极118的漏极112；与栅绝缘层144和栅线102重叠以在源极110和漏极112之间形成沟道的有源层116；与除沟道部分以外的有源层116、源极110和漏极112形成欧姆接触的欧姆接触层146。

并且，形成包括有源层116和欧姆接触层146的半导体图案148以与数据线104重叠。

在通过交叉的栅线102和数据线104限定的像素区形成像素电极118。具体地，在各像素区的有机绝缘层154上形成像素电极118以经过贯穿有机绝缘层154和钝化层150的漏极接触孔114和贯穿从有机绝缘层154到栅绝缘层144的透射孔170。因此，像素电极118经由漏极接触孔114连接到漏极112并经由透射孔170连接到基板142。而且，像素电极118在反射区与形成在像素电极118上的反射电极156重叠，并且该像素电极118在透射区经由反射电极的开口部分暴露以透射光。通过薄膜晶体管106提供像素信号，像素电极118与滤色片基板(未示出)的公共电极产生电势差。具有介电各向异性的液晶材料通过该电势差旋转以控制通过各反射区和透射区的液晶层的透光率，因此亮度根据视频信号而改变。

反射电极156形成在各像素的反射区以反射外界光。具体地，该反射电极156通过暴露形成在透射孔170中的像素电极限定透射区并通过与像素电极118的剩余部分重叠限定反射区，其中该像素电极118的剩余部分环绕该透射区。并且，反射电极156与诸如数据线104或栅线102的信号线上相邻像素的反射电极156分离形成。这样，反射电极156具有与像素电极118相同的边缘部分，或者具有位于像素电极118边缘部分稍微内侧的边缘部分。该反射电极156和像素电极118一起具有沿着有机绝缘层154表面的浮凸形状，因此由于该散射效果提高了反射效率。

这里，形成透射孔170以贯穿相对较厚的有机绝缘层154和位于有机绝缘层154下的钝化层150和栅绝缘层144。因此，穿过液晶层的光路径的长度在反射区和透射区相等，因此，反射模式和透射模式的透射效率相同。

本发明的薄膜晶体管基板进一步包括连接到漏极112以稳定的维持提供给像素电极118的视频信号的存储电容120。放大的漏极112与基本平行于栅线102的存储线122重叠，在漏极112和存储线122之间设置有栅绝缘层144以形成存储电容。因此，半导体图案148进一步在与存储线122重叠的漏极112下方重叠。并且，像素电极118在存储线122上经由接触孔114连接到漏极112。

栅线102通过栅焊盘126连接到栅驱动器(未示出)。该栅焊盘126包括延伸自栅线102的下栅焊盘电极128和经由贯穿从有机绝缘层154到栅绝缘层144的第一接触孔130连接到下栅焊盘电极128的上栅焊盘电极132。

数据线104通过数据焊盘134连接到数据驱动器(未示出)。该数据焊盘134以类似于上述栅焊盘126的结构形成。具体地，数据焊盘134包括形成于基板142上的下数据焊盘电极136和经由贯穿从有机绝缘层154到栅绝缘层144的第二接触孔138连接到下数据焊盘电极136的上数据焊盘电极140。该数据焊盘134的下数据焊盘电极136通过分离的接触电极连接到数据线104，其与半导体图案148一起形成在栅绝缘层144上。

图3A所示的钝化层150可以在图3B中省略。

根据本发明实施方式的薄膜晶体管由以下四轮掩模工序形成。

图4A和图4B说明根据本发明实施方式的薄膜晶体管基板制造方法的第一掩模工序的平面图和截面图。

通过第一掩模工序在下基板142上形成栅图案，其中栅图案包括栅线102、存储线122、连接到栅线102的下栅焊盘电极128以及下数据焊盘电极136。

具体地，通过诸如溅射的沉积方法形成栅金属层。该栅金属层以Mo、Cu、Al、Ti、Cr、Mo合金、诸如AlNd的Al合金或Cu合金形成的单层结构形成。或者，该栅金属层可以以诸如Al/Cr、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al(Nd)/Ti、Mo/Al、Mo/Ti/Al(Nd)、Cu合金/Mo、Cu合金/Al、Cu合金/Mo合金、Cu合金/Al合金、Al/Mo合金、Mo合金/Al、Al合金/Mo合金、Mo合金/Al合金的至少双层的多层层叠结构形成。随后，采用第一掩模的光刻工序和蚀刻工序对该栅金属层构图以形成包括栅线102、存储线122、下栅焊盘电极128和下数据焊盘电极136的栅金属图案。

图5A和图5B示出根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第二掩模工序的平面图和截面图。

在形成有栅金属图案的下基板142上形成栅绝缘层144。并且，通过第二掩模工序在栅绝缘层144上形成包括数据线104、源极110和漏极112的源/漏图案，和包括沿着源/漏图案背面重叠的有源层116和欧姆接触层146的半导体图案148。通过采用衍射曝光掩模或半色调掩模的一轮掩模工序形成半导体图案148和源/漏图案。以下，例如，仅对采用衍射曝光掩模的情况说明如下。

具体地，在形成有栅图案的下基板142上顺序形成栅绝缘层144、非晶硅层、掺杂有杂质n+或p+的非晶硅层、源/漏金属层。例如，通过PECVD形成栅绝缘层144、非晶硅层和掺杂有杂质的非晶硅层，并通过溅射形成源/漏金属层。栅绝缘层144由诸如氧化硅SiOx、氮化硅SiNx的无机绝缘材料形成，并且源/漏金属层以Mo、Cu、Al、Ti、Cr、Mo合金、诸如AlNd的Al合金或Cu合金形成的单层结构形成。或者，该栅绝缘层144可以由诸如Al/Cr、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al(Nd)/Ti、Mo/Al、Mo/Ti/Al(Nd)、Cu合金/Mo、Cu合金/Al、Cu合金/Mo合金、Cu合金/Al合金、Al/Mo合金、Mo合金/Al、Al合金/Mo合金、Mo合金/Al合金的至少双层的多层层叠结构形成。

通过采用衍射曝光掩模的光刻工序在源/漏金属层上形成具有台阶差的光刻胶图案。光刻胶图案在应该形成半导体图案和源/漏图案的区域具有较厚的厚度并在形成薄膜晶体管沟道的区域具有相对较薄的厚度。

通过采用具有台阶差的光刻胶图案的蚀刻工序形成源/漏金属图案及其下方的半导体图案。这里，该源/漏图案包括数据线104、与源极110一体的漏极112。

然后，通过灰化工序去除光刻胶较薄的部分并且使光刻胶较厚的部分变薄。通过采用灰化的光刻胶图案的蚀刻工序，源极110与漏极112分离，并且去除源极110和漏极112下方的欧姆接触层。随后，通过剥离工序去除剩余在源/漏金属图案上的光刻胶图案。

图6A和图6B分别示出根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第三掩模工序的平面图和截面图。

形成覆盖源/漏金属图案的钝化层150和有机绝缘层154，采用第三掩模工序形成贯穿钝化层150和有机层154的透射孔170、漏极接触孔114、第一接触孔130和第二接触孔138。钝化层150可以省略。

具体地，通过诸如PECVD的沉积方法在形成有源/漏金属图案的栅绝缘层144上形成钝化层150。该钝化层150由类似于栅绝缘层144的无机绝缘材料形成。

随后，在钝化层150上形成在反射区具有浮凸(embossing)表面并具有透射孔170、漏极接触孔114、第一接触孔130和第二接触孔138的有机绝缘层154。通过采用旋转涂敷方法涂敷诸如丙烯酸树脂的光敏有机材料在钝化层150上形成有机绝缘层154。然后，通过采用第三掩模的光刻工序对有机绝缘层154构图，从而对应于第三掩模的透射部分形成贯穿有机绝缘层154的透射孔170、漏极接触孔114、第一接触孔130和第二接触孔138。此外，第三掩模在除了透射部分的其他区域具有掩蔽部分和衍射曝光部分(半透射部分)重复的结构。对应于上述结构的有机绝缘层154构图为具有在反射区具有台阶差并且重复的掩蔽区(凸出部分)和散射曝光区(凹槽部分)的结构。随后，固化突出部分和凹槽部分被重复的有机层154使得有机绝缘层154的表面具有浮凸形状。

通过采用有机绝缘层154作为掩模对有机层154下面的钝化层150和栅绝缘层144进行构图，使得透射孔170、第一接触孔130和第二接触孔138延伸穿过栅绝缘层144，并且漏极接触孔114延伸以贯穿钝化层150。

图7A和图7B示出根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第四掩模工序的平面图和截面图，并且图8A到图8F具体说明根据本发明采用半色调掩模的第四掩模工序的截面图。

通过应用第四掩模工序在具有浮凸形状的有机绝缘层154上形成包括像素电极118、上栅焊盘电极132和上数据焊盘电极140以及反射电极156的透明导电图案。通过衍射曝光掩模、半色调掩模和局部透射掩模形成透明导电图案和反射电极156。

在图8A中，通过诸如溅射的沉积方法沉积覆盖有机绝缘层154的透明导电层117和反射金属层155。该透明导电层117可以由ITO、TO、IZO、ITZO等形成，并且反射金属层155由具有高反射率诸如Al和AlNd的金属形成。该透明导电层117可以由诸如AlNd/Mo等的双层结构形成。随后，将光刻胶139施加于反射金属层155，然后，通过采用半色调掩模230的光刻工序曝光并显影，从而形成具有如图8B所示的台阶差的光刻胶图案240。

具体地，半色调掩模230包括石英衬底232、以及形成于石英衬底232上的半色调透射层236和掩蔽层234。该掩蔽层234由诸如Cr和CrOx的金属形成，并且半色调透射层236由MoSiX形成。这里，半色调透射层236和掩蔽层234重叠的掩蔽部分P1阻止紫外光。因此，如图8B所示，第一光刻胶图案240A保留在应该同时存在反射金属层155和透明导电层117的区域。半色调透射层236所处的局部透射部分P2局部透射紫外UV光。因此比第一光刻胶204A薄的第二光刻胶204B留在应该仅存在透明导电层117的区域。而且，如图8B所示，暴露石英衬底232的全透射部分P3透射全部的紫外UV光，使得在应该去除反射金属层155和透明导电层117的区域不存在光刻胶240。

在图8C中，通过采用光刻胶图案240作为掩模的时刻工序，即湿法蚀刻工序，对反射金属层155和透明导电层117构图，从而形成包括像素电极118、上栅焊盘电极132和上数据焊盘电极140以及与像素电极重叠的反射电极156的透明导电图案。这里，像素电极118和反射电极156具有同样的边缘部分。形成的像素电极118和反射电极156与在像素区贯穿有透射孔170的有机绝缘层154重叠。并且像素电极118和反射电极156通过漏极接触孔114连接到漏极112。由于有机绝缘层154的表面具有浮凸形状，在该有机绝缘层154上形成的像素电极118和反射电极156也具有浮凸形状。上栅焊盘电极132和上数据焊盘电极140分别经由第一和第二接触孔130和138连接到下栅焊盘电极128和下数据焊盘电极136。

在图8D中，通过灰化工序使第一光刻胶图案240A的厚度变薄以及使第二光刻胶图案240B去除。

在图8E中，采用灰化的第一光刻胶图案240A作为掩模的湿法蚀刻工序蚀刻暴露的反射电极156，从而在透射孔170、上栅焊盘电极132以及上数据焊盘电极140中暴露像素电极118。此时，在像素电极118上的反射电极156的边缘部分被暴露以沿着灰化的第一光刻胶图案240A受到蚀刻。因此，反射电极156的边缘部分可以位于像素电极118边缘部分的内侧。

在图8F中，通过剥离工序去除图8E中剩余在反射电极156上的第一光刻胶图案240A。

如图8B所示，通过连续采用两个掩模，即采用图9所示的下曝光(underexposure)的局部曝光掩模可以形成包括具有彼此不同厚度的第一和第二光刻胶图案240A和240B的光刻胶图案240。

在图9中，第一局部曝光掩模250包括石英衬底252和部分形成于石英衬底252上的掩蔽层254。第二局部曝光掩模260包括石英衬底262和部分形成于石英衬底262上的掩蔽层264。通过连续采用第一和第二局部曝光掩模250和260连续两次对光刻胶239曝光。因此，通过两次曝光量之和来区别光刻胶239的显影剂反应量，从而形成具有彼此不同厚度的第一和第二光刻胶图案240A和240B。

具体地，如图8B所示，第一和第二局部曝光掩模250和260的掩蔽层254和264所在的掩蔽部分P1在两次曝光中完全阻挡紫外UV光，从而在应该同时存在反射金属层155和透明导电层117的区域保留第一光刻胶图案240A。第一局部曝光掩模250的掩蔽层254所在的局部透射部分P2仅在两次曝光中透射第二紫外UV光，从而，如图8B所示，在应该仅存在透明导电层117的区域保留比第一光刻胶240A薄的第二光刻胶240B。如图8B所示，第一和第二曝光掩模250和260的石英衬底252和262所在的全透射部分P3在两次曝光中透射全部的紫外UV光，使得在应该去除反射金属层155和透明导电层117的区域不存在光刻胶240。

因此，可以通过执行四轮掩模工序简化根据本发明实施方式的透射反射式薄膜晶体管的制造方法。

图10简要的示出根据本发明具有中心环绕部分的透射反射式薄膜晶体管的平面图。

图10所示的透射反射式薄膜晶体管基板100包括接触电极160以将与栅焊盘126形成于同一层的数据焊盘134连接到数据线104。换句话说，接触电极160将延伸自数据焊盘134的数据链环135连接到数据线104。这里，接触电极160由与形成在有源区182的像素电极118相同的金属层形成，并由与反射电极156相同的反射金属层形成，或者以由透明导电层和反射金属层重叠的双层结构形成。这里，如果接触电极160由暴露于外部的反射金属层形成，则会出现接触电极160受到腐蚀的问题。因此，该接触电极160位于通过密封剂180密封的区域，即，位于密封剂180和有源区182之间。因此，可以避免接触电极160的腐蚀。

图11A示出了数据线104和数据链环135的接触区域的放大平面图，图11B和11C示出沿V-V’线提取的接触区域的截面图。

参考图11A和图11B，数据链环135邻近于数据线104或者与数据线104重叠。这里，该数据线104延伸自数据焊盘134，即下数据焊盘电极136，并位于由密封剂180密封的区域。

第三接触孔162贯穿有机绝缘层154到栅绝缘层144以暴露数据链环135，并且第四接触孔164贯穿有机绝缘层154和钝化层150以暴露数据线104。

接触电极160包括由与上数据焊盘电极140相同的透明导电层形成的第一接触电极166和由反射金属层形成以遮盖(capture)第一接触电极166的第二接触电极168。与此不同，接触电极160可以仅由第一接触电极166，或者仅由第二接触电极168形成。该接触电极160经由第三和第四接触孔162和164将数据链环135连接到数据线104。

图11B所示的钝化层150可以在图11C中省略。

通过执行上述的四轮掩模工序形成透射反射式薄膜晶体管的周围部分，即数据线104和数据链环135的接触区域。将参考图12A到15B对其进行说明。

在图12A和图12B中，通过第一掩模工序在下基板142上形成栅金属图案，其中栅金属图案包括连同下数据焊盘电极136一起的数据链环135。该第一掩模工序与图4A和4B所述的相同。

在图13A和图13B中，通过第二掩模工序形成栅绝缘层144，并且在栅绝缘层144上层叠包括有源层116和欧姆接触层146的半导体图案148和数据线104。该第二掩模工序与图5A和5B所述的相同。

在图14A和图14B中，采用第三掩模工序形成钝化层150和有机绝缘层154，并形成贯穿钝化层150和有机绝缘层154的第三和第四接触孔162和164。第三接触孔162贯穿有机绝缘层154到栅绝缘层144以暴露数据链环135，并且第四接触孔164贯穿有机层154和钝化层150以暴露数据线104。这里，钝化层150可以省略。该第三掩模工序与图6A和6B所述相同。

在图15A和图15B中，采用第四掩模工序与上数据焊盘电极140一起形成具有第一和第二接触电极166和168的接触电极160。该第一接触电极166经过第一和第二接触孔162和164以将数据链环135连接到数据线104。该第一接触电极166由与上数据焊盘电极140相同的透明导电层形成，并且第二接触电极168由与上述反射电极156相同的反射金属层形成。对应于图8B所示的掩蔽部分P1的第一光刻胶图案240A形成该接触电极160。此时，第二接触电极168具有与第一接触电极166相同的边缘部分或者具有位于第一接触电极166边缘部分内侧的边缘部分。

与此不同，接触电极160可以仅由第一接触电极166，即透明导电层形成。在这种情况下，对应于图8B所示的局部透射部分P2的第二光刻胶图案240B形成接触电极160。

如上所述，在根据本发明的透射反射式式薄膜晶体管基板及其制造方法中，通过一轮掩模工序形成有机绝缘层和多个接触孔。此外，通过另一掩模工序形成具有像素电极和反射电极的透明导电图案。因此，可以通过执行四轮掩模工序来简化工序。

此外，在根据本发明的透射反射式薄膜晶体管基板及其制造方法中，通过包括透明导电层和反射金属层至少其中之一的接触电极将分别形成于不同层的数据链环和数据线连接在一起。在该结构中，接触电极形成在由密封剂密封的区域，因此，可以防止由于由反射金属层形成的接触电极暴露而产生的腐蚀问题。

对于熟悉本领域的技术人员来说，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明做出各种变型和改进。因此，本发明意欲包括所有落入所附权利要求及其等效物所限定的范围内的变形和改进。

Claims (38)

1.一种液晶显示器件，包括：

第一和第二基板；

位于第一基板上的栅线；

位于第一基板上的栅绝缘层；

与栅线交叉以限定像素区的数据线；

连接到栅线和数据线的薄膜晶体管；

位于栅线、数据线和薄膜晶体管上的有机绝缘层，其在像素区中具有透射孔；

在像素区的有机绝缘层上通过透射孔并连接到薄膜晶体管的像素电极；以及

反射电极，具有与像素电极相同的边缘部分或者位于像素电极边缘部分内侧的边缘部分并暴露透射孔的像素电极。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述有机绝缘层和像素电极具有浮凸表面。

3.根据权利要求2所述的液晶显示器件，其特征在于，所述反射电极具有相同的浮凸表面。

4.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述反射电极连接到像素电极并包围透射孔的侧表面。

5.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括位于有机绝缘层下方的钝化层。

6.根据权利要求5所述的液晶显示器件，其特征在于，所述钝化层由无机绝缘材料形成。

7.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述透射孔贯穿有机绝缘层和栅绝缘层。

8.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述像素电极经由贯穿有机绝缘层的漏极接触孔连接到薄膜晶体管的漏极。

9.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述反射电极和像素电极与栅线和数据线至少其中之一重叠。

10.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括：

包括存储线的存储电容，该存储线与数据线变叉；以及

漏极，其中所述存储线与延伸自薄膜晶体管的漏极重叠，并且在存储线和漏极之间设置有栅绝缘层。

11.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括与数据线和薄膜晶体管重叠的半导体图案。

12.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括连接到栅线和数据线至少其中之一的焊盘。

13.根据权利要求12所述的液晶显示器件，其特征在于，所述焊盘包括：

连接到栅线和数据线至少其中之一的下焊盘电极；

贯穿有机绝缘层和栅绝缘层以暴露下焊盘电极的接触孔；

经由接触孔连接到下焊盘电极的上焊盘电极。

14.根据权利要求13所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括：

延伸自下焊盘电极并邻近于数据线的数据链环；

多个暴露数据链环和数据线的接触孔；以及

经过接触孔以连接数据链环和数据线的接触电极。

15.根据权利要求14所述的液晶显示器件，其特征在于，所述接触电极包括与像素电极相同的透明导电层和与反射电极相同的反射金属层至少其中之一。

16.根据权利要求15所述的液晶显示器件，其特征在于，所述接触电极由透明导电层和反射金属层形成。

17.根据权利要求16所述的液晶显示器件，其特征在于，所述反射金属层形成为具有与透明导电层相同的边缘部分或者具有位于透明导电层边缘部分内侧的边缘部分。

18.根据权利要求14所述的液晶显示器件，其特征在于，所述接触电极位于由密封剂密封的区域。

19.根据权利要求12所述的液晶显示器件，其特征在于，所述焊盘为数据焊盘和栅焊盘其中之一。

20.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括位于第一和第二基板之间的液晶层。

21.一种液晶显示器件的制造方法，包括：

提供第一和第二基板；

采用第一掩模工序在第一基板上形成栅线；

采用第二掩模工序在第一基板上形成栅绝缘层、在栅绝缘层上形成半导体图案、在半导体图案上形成与栅线交叉以限定像素区的数据线并且形成源极和漏极；

采用第三掩模工序在数据线、源极和漏极上形成有机绝缘层以及贯穿有机绝缘层的透射孔；

采用第四掩模工序形成经过有机绝缘层和透射孔连接到漏极的像素电极，并且形成暴露透射孔的像素电极的反射电极。

22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，

第一掩模工序进一步包括在第一基板上形成平行于栅线的存储线；以及

第二掩模工序进一步包括通过延伸漏极和半导体图案形成与存储线重叠的存储电容，其中栅绝缘层位于所述延伸漏极和半导体图案与存储线之间。

23.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，

第一掩模工序进一步包括形成连接到栅线和数据线至少其中之一的下焊盘电极；

第三掩模工序进一步包括在第三掩模工序期间形成暴露下焊盘电极的接触孔；

第四掩模工序进一步包括在第四掩模工序期间形成经由接触孔连接到下焊盘电极的上焊盘电极。

24.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，

第一掩模工序进一步包括形成延伸自下焊盘电极并连接到数据线的数据链环；

第三掩模工序进一步包括形成多个暴露数据链环和数据线的接触孔；以及

第四掩模工序进一步包括形成通过接触孔连接到数据链环和数据线的接触电极。

25.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，所述接触电极包括与像素电极相同的透明导电层和与反射电极相同的反射金属层至少其中之一。

26.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，所述接触电极位于由密封剂密封的区域内。

27.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述反射电极连接到像素电极并包围透射孔的侧表面。

28.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，第四掩模工序进一步包括：

在有机绝缘层上形成透明导电层和反射金属层；

在反射金属层上形成具有不同厚度的第一和第二光刻胶图案；

通过采用第一和第二光刻胶图案作为掩模的蚀刻工序对透明导电层和反射金属层构图，以形成具有像素电极、上焊盘电极、接触电极和反射电极的透明导电图案，其中反射电极具有与透明导电图案相同的边缘部分；

通过采用第一光刻胶图案作为掩模的蚀刻工序去除透射孔中的像素电极以及上焊盘电极上的反射电极；以及

去除第一光刻胶图案。

29.根据权利要求28所述的方法，其特征在于，通过采用衍射曝光掩模、半色调掩模和局部透射掩模其中之一的光刻工序形成第一和第二光刻胶图案。

30.根据权利要求29所述的方法，其特征在于，在采用局部曝光掩模的情况下，所述光刻工序具有采用第一和第二局部曝光掩模的两个曝光工序。

31.根据权利要求29所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶图案对应于第一和第二局部曝光掩模中的掩蔽层，而所述第二光刻胶图案对应于第一局部曝光掩模中的掩蔽层。

32.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述第三掩模工序进一步包括在有机绝缘层下方形成钝化层。

33.根据权利要求32所述的方法，其特征在于，所述钝化层由无机绝缘材料形成。

34.根据权利要求32所述的方法，其特征在于，所述透射孔贯穿从有机绝缘层到栅绝缘层。

35.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述透射孔贯穿从有机绝缘层到栅绝缘层。

36.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述第三掩模工序进一步包括形成贯穿有机绝缘层的漏极接触孔以暴露漏极，所述像素电极经由漏极接触孔连接到漏极。

37.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述反射电极和像素电极覆盖栅线或数据线至少其中之一。

38.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述像素电极的边缘部分和反射电极的边缘部分彼此不同。

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