JP2003015145A - 電極形成方法及び液晶表示装置 - Google Patents
電極形成方法及び液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2003015145A JP2003015145A JP2001198660A JP2001198660A JP2003015145A JP 2003015145 A JP2003015145 A JP 2003015145A JP 2001198660 A JP2001198660 A JP 2001198660A JP 2001198660 A JP2001198660 A JP 2001198660A JP 2003015145 A JP2003015145 A JP 2003015145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- reflective electrode
- transparent electrode
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 232
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 235000002918 Fraxinus excelsior Nutrition 0.000 claims 1
- 239000002956 ash Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 238000004380 ashing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100029777 Eukaryotic translation initiation factor 3 subunit M Human genes 0.000 description 1
- 101001012700 Homo sapiens Eukaryotic translation initiation factor 3 subunit M Proteins 0.000 description 1
- 101100293260 Homo sapiens NAA15 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100026781 N-alpha-acetyltransferase 15, NatA auxiliary subunit Human genes 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001094026 Synechocystis sp. (strain PCC 6803 / Kazusa) Phasin PhaP Proteins 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
- G02F1/133555—Transflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/09—Function characteristic transflective
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】製造コストの削減が図られた電極形成方法、及
びこの電極形成方法が適用された液晶表示装置を提供す
る。 【解決手段】透明電極膜１０及び反射電極膜１１を形成
した後、レジスト膜１２を形成し、このレジスト膜１２
に溝１２ａと薄肉部１２ｂとが形成されるようにレジス
ト膜１２を除去し、溝１２ａ及び薄肉部１２ｂが形成さ
れたレジスト膜１２をマスクとして反射電極膜１１及び
透明電極膜１０をエッチングし、その後、レジスト膜１
２をアッシングすることにより薄肉部１２ｂを除去し、
薄肉部１２が除去されたレジスト膜１２で反射電極１１
０をエッチングする。
びこの電極形成方法が適用された液晶表示装置を提供す
る。 【解決手段】透明電極膜１０及び反射電極膜１１を形成
した後、レジスト膜１２を形成し、このレジスト膜１２
に溝１２ａと薄肉部１２ｂとが形成されるようにレジス
ト膜１２を除去し、溝１２ａ及び薄肉部１２ｂが形成さ
れたレジスト膜１２をマスクとして反射電極膜１１及び
透明電極膜１０をエッチングし、その後、レジスト膜１
２をアッシングすることにより薄肉部１２ｂを除去し、
薄肉部１２が除去されたレジスト膜１２で反射電極１１
０をエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上の所定領域
に透明電極と反射電極とを形成する電極形成方法及び液
晶表示装置に関する。
に透明電極と反射電極とを形成する電極形成方法及び液
晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、透過型と反射型との両方の機能を
備えた、いわゆる半透過型の液晶表示装置が普及してい
る。この半透過型の液晶表示装置は、透過型と反射型と
の両方の機能を発揮することができるように、各画素に
透明電極と反射電極とが形成されている。
備えた、いわゆる半透過型の液晶表示装置が普及してい
る。この半透過型の液晶表示装置は、透過型と反射型と
の両方の機能を発揮することができるように、各画素に
透明電極と反射電極とが形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半透過型の液晶表示装
置の製造工程では、透明電極を形成するためのリソグラ
フィ工程と、反射電極を形成するためのリソグラフィ工
程とが必要となるため、製造工程数が増大し、製造コス
トがかかるという問題がある。
置の製造工程では、透明電極を形成するためのリソグラ
フィ工程と、反射電極を形成するためのリソグラフィ工
程とが必要となるため、製造工程数が増大し、製造コス
トがかかるという問題がある。
【０００４】本発明は、上記の事情に鑑み、製造コスト
の削減が図られた電極形成方法、及びこの電極形成方法
が適用された液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
の削減が図られた電極形成方法、及びこの電極形成方法
が適用された液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の電極形成方法は、基板上の所定領域に透明電極と反
射電極とを形成する電極形成方法であって、前記基板上
に前記透明電極用の第１の膜を形成する第１の工程と、
前記第１の膜上に前記反射電極用の第２の膜を形成する
第２の工程と、前記第２の膜上に第３の膜を形成する第
３の工程と、前記第３の膜の前記所定領域に対応する部
分が相対的に膜厚の薄い部分と厚い部分とを有し、且つ
前記第３の膜の前記所定領域の周囲に対応する部分が除
去されるように、第３の膜を加工する第４の工程と、前
記加工された第３の膜をマスクとして前記第１の膜及び
前記第２の膜をエッチングする第５の工程と、前記第３
の膜の膜厚の薄い部分を除去する第６の工程と、前記膜
厚の薄い部分が除去された第３の膜をマスクとして前記
第２の膜をエッチングする第７の工程とを備えたことを
特徴とする。
明の電極形成方法は、基板上の所定領域に透明電極と反
射電極とを形成する電極形成方法であって、前記基板上
に前記透明電極用の第１の膜を形成する第１の工程と、
前記第１の膜上に前記反射電極用の第２の膜を形成する
第２の工程と、前記第２の膜上に第３の膜を形成する第
３の工程と、前記第３の膜の前記所定領域に対応する部
分が相対的に膜厚の薄い部分と厚い部分とを有し、且つ
前記第３の膜の前記所定領域の周囲に対応する部分が除
去されるように、第３の膜を加工する第４の工程と、前
記加工された第３の膜をマスクとして前記第１の膜及び
前記第２の膜をエッチングする第５の工程と、前記第３
の膜の膜厚の薄い部分を除去する第６の工程と、前記膜
厚の薄い部分が除去された第３の膜をマスクとして前記
第２の膜をエッチングする第７の工程とを備えたことを
特徴とする。
【０００６】本発明の電極形成方法では、第４の工程
で、第３の膜の上記所定領域の周囲に対応する部分が除
去され、且つ上記所定領域に対応する部分に相対的に膜
厚の薄い部分と厚い部分とが形成されるように、第３の
膜は加工される。第５の工程では、このように加工され
た第３の膜をマスクとして透明電極用の第１の膜と反射
電極用の第２の膜とをエッチングするため、透明電極用
の第１の膜と反射電極用の第２の膜とを上記所定領域に
のみ残すことができる。第６の工程では第３の膜の膜厚
の薄い部分は除去される。従って、第７の工程で、この
膜厚の薄い部分が除去された第３の膜をマスクとして用
いることにより、反射電極用の第２の膜をエッチングす
ることが可能となる。このように、本発明の電極形成方
法では、第５の工程において透明電極用の第１の膜と反
射電極用の第２の膜との両方の膜をエッチングした後、
第６の工程において第３の膜の膜厚の薄い部分を除去
し、第７の工程においてこの膜厚の薄い部分が除去され
た第３の膜をマスクとして第２の膜をエッチングしてい
る。つまり、第６の工程で第３の膜の膜厚の薄い部分を
除去することで、透明電極用の第１の膜と反射電極用の
第２の膜とを異なる形状にパターニングすることができ
る。従って、透明電極用の第１の膜のみをエッチングす
るためのマスクと、反射電極用の第２の膜のみをエッチ
ングするためのマスクとを別々に形成しなくても、透明
電極用の第１の膜と反射電極用の第２の膜とを異なる形
状にパターニングすることができ、製造工程数及び製造
コストの削減が図られる。
で、第３の膜の上記所定領域の周囲に対応する部分が除
去され、且つ上記所定領域に対応する部分に相対的に膜
厚の薄い部分と厚い部分とが形成されるように、第３の
膜は加工される。第５の工程では、このように加工され
た第３の膜をマスクとして透明電極用の第１の膜と反射
電極用の第２の膜とをエッチングするため、透明電極用
の第１の膜と反射電極用の第２の膜とを上記所定領域に
のみ残すことができる。第６の工程では第３の膜の膜厚
の薄い部分は除去される。従って、第７の工程で、この
膜厚の薄い部分が除去された第３の膜をマスクとして用
いることにより、反射電極用の第２の膜をエッチングす
ることが可能となる。このように、本発明の電極形成方
法では、第５の工程において透明電極用の第１の膜と反
射電極用の第２の膜との両方の膜をエッチングした後、
第６の工程において第３の膜の膜厚の薄い部分を除去
し、第７の工程においてこの膜厚の薄い部分が除去され
た第３の膜をマスクとして第２の膜をエッチングしてい
る。つまり、第６の工程で第３の膜の膜厚の薄い部分を
除去することで、透明電極用の第１の膜と反射電極用の
第２の膜とを異なる形状にパターニングすることができ
る。従って、透明電極用の第１の膜のみをエッチングす
るためのマスクと、反射電極用の第２の膜のみをエッチ
ングするためのマスクとを別々に形成しなくても、透明
電極用の第１の膜と反射電極用の第２の膜とを異なる形
状にパターニングすることができ、製造工程数及び製造
コストの削減が図られる。
【０００７】ここで、本発明の電極形成方法は、前記第
３の膜が感光性膜であり、前記第４の工程が、前記感光
性膜の部位に応じて異なる露光エネルギーが付与される
ように、前記感光性膜を露光する露光工程と、前記露光
された感光性膜を現像する現像工程とを備えたことが好
ましい。
３の膜が感光性膜であり、前記第４の工程が、前記感光
性膜の部位に応じて異なる露光エネルギーが付与される
ように、前記感光性膜を露光する露光工程と、前記露光
された感光性膜を現像する現像工程とを備えたことが好
ましい。
【０００８】上記の工程を実行することにより、前記感
光性膜の前記所定領域に対応する部分に相対的に膜厚の
薄い部分と厚い部分とを持たせ、且つ前記感光性膜の前
記所定領域の周囲に対応する部分を除去することが可能
となる。
光性膜の前記所定領域に対応する部分に相対的に膜厚の
薄い部分と厚い部分とを持たせ、且つ前記感光性膜の前
記所定領域の周囲に対応する部分を除去することが可能
となる。
【０００９】さらに、本発明の電極形成方法は、前記第
１の工程実行前に、前記基板上に、凹部又は凸部を有す
る第４の膜を形成する第８の工程を備えたことが好まし
い。
１の工程実行前に、前記基板上に、凹部又は凸部を有す
る第４の膜を形成する第８の工程を備えたことが好まし
い。
【００１０】第１の工程実行前に、凹部又は凸部を有す
る第４の膜を形成することにより、反射電極に凹部又は
凸部を形成することができる。
る第４の膜を形成することにより、反射電極に凹部又は
凸部を形成することができる。
【００１１】また、本発明の液晶表示装置は、請求項１
乃至３のいずれか１項に記載の電極形成方法を用いて形
成された反射電極及び透明電極を有することを特徴とす
る。
乃至３のいずれか１項に記載の電極形成方法を用いて形
成された反射電極及び透明電極を有することを特徴とす
る。
【００１２】ここで、本発明の液晶表示装置は、前記反
射電極が、前記透明電極上に直に形成されたことを特徴
とする。
射電極が、前記透明電極上に直に形成されたことを特徴
とする。
【００１３】さらに、本発明の液晶表示装置は、前記透
明電極又は前記反射電極が積層構造を有していてもよ
い。
明電極又は前記反射電極が積層構造を有していてもよ
い。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【００１５】図１は、本発明の電極形成方法の一実施形
態を用いて形成された透明電極及び反射電極を有する半
透過型の液晶表示装置の一部断面図である。
態を用いて形成された透明電極及び反射電極を有する半
透過型の液晶表示装置の一部断面図である。
【００１６】この液晶表示装置は、ＴＦＴ５０、透明電
極１００及び反射電極１１０等が形成されたＴＦＴ基板
５１と、カラーフィルタ等が形成されたカラーフィルタ
基板５２とを有している。カラーフィルタ基板５２の構
造は、本実施形態の特徴部分とは無関係であるため、図
１には、簡略化して記載されている。ＴＦＴ基板５１と
カラーフィルタ基板５２との間には液晶層５３が存在し
ている。ＴＦＴ基板５１の背面には、バックライト５４
が備えられている。
極１００及び反射電極１１０等が形成されたＴＦＴ基板
５１と、カラーフィルタ等が形成されたカラーフィルタ
基板５２とを有している。カラーフィルタ基板５２の構
造は、本実施形態の特徴部分とは無関係であるため、図
１には、簡略化して記載されている。ＴＦＴ基板５１と
カラーフィルタ基板５２との間には液晶層５３が存在し
ている。ＴＦＴ基板５１の背面には、バックライト５４
が備えられている。
【００１７】以下、本実施形態の特徴部分である透明電
極１００及び反射電極１１０が形成されたＴＦＴ基板５
１の製造方法について説明する。
極１００及び反射電極１１０が形成されたＴＦＴ基板５
１の製造方法について説明する。
【００１８】図２は、図１に示すＴＦＴ基板５１のガラ
ス基板１上にＴＦＴ５０が形成された直後の様子を示す
平面図、図３は、図２のＩ−Ｉ方向から見た断面図であ
る。
ス基板１上にＴＦＴ５０が形成された直後の様子を示す
平面図、図３は、図２のＩ−Ｉ方向から見た断面図であ
る。
【００１９】先ず、図３に示すように、ガラス基板１上
にゲート電極２及びゲート絶縁膜３を形成する。その
後、このゲート絶縁膜３上に、例えばａ−Ｓｉ：Ｈ等の
半導体層４、例えばｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ等のオーミックコ
ンタクト層５、ソース電極６及びドレイン電極７を形成
することにより、各画素領域にＴＦＴ５０を形成する。
図２に示すように、行方向に並ぶＴＦＴ５０のゲート電
極２は、ゲートバス２０により互いに電気的に接続さ
れ、列方向に並ぶＴＦＴ５０のソース電極６は、ソース
バス６０により互いに電気的に接続されている。ＴＦＴ
５０を形成した後、ガラス基板１上に絶縁膜及び平坦化
膜を形成する（図４参照）。
にゲート電極２及びゲート絶縁膜３を形成する。その
後、このゲート絶縁膜３上に、例えばａ−Ｓｉ：Ｈ等の
半導体層４、例えばｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ等のオーミックコ
ンタクト層５、ソース電極６及びドレイン電極７を形成
することにより、各画素領域にＴＦＴ５０を形成する。
図２に示すように、行方向に並ぶＴＦＴ５０のゲート電
極２は、ゲートバス２０により互いに電気的に接続さ
れ、列方向に並ぶＴＦＴ５０のソース電極６は、ソース
バス６０により互いに電気的に接続されている。ＴＦＴ
５０を形成した後、ガラス基板１上に絶縁膜及び平坦化
膜を形成する（図４参照）。
【００２０】図４は、絶縁膜及び平坦化膜が形成された
ガラス基板の断面図である。
ガラス基板の断面図である。
【００２１】図４に示すように、ＴＦＴ５０を覆うよう
に、ガラス基板１上に絶縁膜８を形成する。次いで、こ
の絶縁膜８全面に感光性を有する材料を塗布して平坦化
膜９を形成する。平坦化膜９を形成した後、この平坦化
膜９を露光、現像する（図５参照）。
に、ガラス基板１上に絶縁膜８を形成する。次いで、こ
の絶縁膜８全面に感光性を有する材料を塗布して平坦化
膜９を形成する。平坦化膜９を形成した後、この平坦化
膜９を露光、現像する（図５参照）。
【００２２】図５は、平坦化膜９を露光、現像した後の
様子を示す断面図である。
様子を示す断面図である。
【００２３】平坦化膜９を露光、現像することにより、
この平坦化膜９に、多数の凹部９ａと、この平坦化膜９
を貫通するスルーホール９ｂとを形成する。このスルー
ホール９ｂは、各ＴＦＴ５０のドレイン電極７の真上に
形成される。図５に示すような凹部９ａ及びスルーホー
ル９ｂを形成するためには、平坦化膜９を露光するとき
に、平坦化膜９の凹部９ａが形成される部分で吸収され
る露光エネルギーの量と、スルーホール９ｂが形成され
る部分で吸収される露光エネルギーの量とを異ならせれ
ばよい。これにより、露光後の平坦化膜９を現像した場
合、平坦化膜９の除去される深さを、吸収された露光エ
ネルギーの量に応じて調整することができ、凹部９ａ及
びスルーホール９ｂを形成することができる。平坦化膜
９に凹部９ａとスルーホール９ｂとを形成した後、この
平坦化膜９をマスクとして絶縁膜８をエッチングする
（図６参照）。
この平坦化膜９に、多数の凹部９ａと、この平坦化膜９
を貫通するスルーホール９ｂとを形成する。このスルー
ホール９ｂは、各ＴＦＴ５０のドレイン電極７の真上に
形成される。図５に示すような凹部９ａ及びスルーホー
ル９ｂを形成するためには、平坦化膜９を露光するとき
に、平坦化膜９の凹部９ａが形成される部分で吸収され
る露光エネルギーの量と、スルーホール９ｂが形成され
る部分で吸収される露光エネルギーの量とを異ならせれ
ばよい。これにより、露光後の平坦化膜９を現像した場
合、平坦化膜９の除去される深さを、吸収された露光エ
ネルギーの量に応じて調整することができ、凹部９ａ及
びスルーホール９ｂを形成することができる。平坦化膜
９に凹部９ａとスルーホール９ｂとを形成した後、この
平坦化膜９をマスクとして絶縁膜８をエッチングする
（図６参照）。
【００２４】図６は、絶縁膜８がエッチングされた様子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【００２５】平坦化膜９に形成されたスルーホール９ｂ
は、ドレイン電極７の真上に形成されているため、この
平坦化膜９をマスクとして絶縁膜８をエッチングする
と、この絶縁膜８に、ドレイン電極７を露出させるスル
ーホール８ａが形成される。絶縁膜８をエッチングした
後、以下に示す図７乃至図１３に示す方法で透明電極と
反射電極とを形成する。以下、図７乃至図１３について
説明する。
は、ドレイン電極７の真上に形成されているため、この
平坦化膜９をマスクとして絶縁膜８をエッチングする
と、この絶縁膜８に、ドレイン電極７を露出させるスル
ーホール８ａが形成される。絶縁膜８をエッチングした
後、以下に示す図７乃至図１３に示す方法で透明電極と
反射電極とを形成する。以下、図７乃至図１３について
説明する。
【００２６】図７は、透明電極膜１０、反射電極膜１１
及びレジスト膜１２が形成されたガラス基板の断面図で
ある。
及びレジスト膜１２が形成されたガラス基板の断面図で
ある。
【００２７】絶縁膜８をエッチングした後（図６参
照）、図７に示すように、透明電極の材料及び反射電極
の材料を順次に堆積して透明電極膜１０及び反射電極膜
１１を形成する。透明電極膜１０の材料としては例えば
ＩＴＯ等を用いることができ、反射電極膜１１の材料と
しては、例えばＡｌ合金や、Ａｇ合金等を用いることが
できる。透明電極膜１０の下に形成されている平坦化膜
９には、凹部９ａが形成されているため（図６参照）、
平坦化膜９の凹部９ａの形状に倣って透明電極膜１０及
び反射電極膜１１にも凹部１０ａ及び１１ａが形成され
る。透明電極膜１０及び反射電極膜１１を形成した後、
この反射電極膜１１の全面にレジストを塗布してレジス
ト膜１２を形成する。レジスト膜１２を形成した後、以
下のように、このレジスト膜１２の一部を除去する。
照）、図７に示すように、透明電極の材料及び反射電極
の材料を順次に堆積して透明電極膜１０及び反射電極膜
１１を形成する。透明電極膜１０の材料としては例えば
ＩＴＯ等を用いることができ、反射電極膜１１の材料と
しては、例えばＡｌ合金や、Ａｇ合金等を用いることが
できる。透明電極膜１０の下に形成されている平坦化膜
９には、凹部９ａが形成されているため（図６参照）、
平坦化膜９の凹部９ａの形状に倣って透明電極膜１０及
び反射電極膜１１にも凹部１０ａ及び１１ａが形成され
る。透明電極膜１０及び反射電極膜１１を形成した後、
この反射電極膜１１の全面にレジストを塗布してレジス
ト膜１２を形成する。レジスト膜１２を形成した後、以
下のように、このレジスト膜１２の一部を除去する。
【００２８】図８は、レジスト膜１２の一部を除去した
後の様子を示す平面図、図９は、図８のII−II方向から
見た断面図である。
後の様子を示す平面図、図９は、図８のII−II方向から
見た断面図である。
【００２９】レジスト膜１２を形成した後（図７参
照）、このレジスト膜１２を露光、現像することによ
り、図９に示すように、レジスト膜１２を各画素領域毎
に分離するための溝１２ａと、膜厚の薄い薄肉部１２ｂ
とが形成される。この溝１２ａにより、レジスト膜１２
から、各画素領域毎に分離されたレジスト膜（以下、
「分離レジスト膜」と呼ぶ）１２ｃが形成される。図８
では、分離レジスト膜１２ｃを斜線で示し、この分離レ
ジスト膜１２ｃ内に形成された薄肉部１２ｂを網目状の
ハッチングで示してある。溝１２ａは、ゲートバス２０
及びソースバス６０に沿って、反射電極膜１１が露出す
るように形成されており、このため、分離レジスト膜１
２ｃの周囲はレジスト膜１２の材料が除去された状態に
なっている。一方、薄肉部１２ｂは、膜厚が薄くなるよ
うに形成されているため、各分離レジスト膜１２ｃに
は、図９に示すように、相対的に膜厚の厚い部分と薄い
部分が形成されている。従って、溝１２ａでは反射電極
膜１１は露出しているが、一方、薄肉部１２ｂでは反射
電極膜１１は露出していない。図９に示すような溝１２
ａ及び薄肉部１２ｂを形成するためには、レジスト膜１
２を露光するときに、レジスト膜１２の溝１２ａが形成
される部分で吸収される露光エネルギーの量と、薄肉部
１２ｂが形成される部分で吸収される露光エネルギーの
量とを異ならせればよい。これにより、露光後の平坦化
膜９を現像した場合、レジスト膜１２の除去される深さ
を、吸収された露光エネルギーの量に応じて調整するこ
とができ、溝１２ａ及び薄肉部１２ｂを形成することが
できる。レジスト膜１２に溝１２ａ及び薄肉部１２ｂを
形成した後、分離レジスト膜１２ｃをマスクとして反射
電極膜１１及び透明電極膜１０をエッチングする（図１
０参照）。
照）、このレジスト膜１２を露光、現像することによ
り、図９に示すように、レジスト膜１２を各画素領域毎
に分離するための溝１２ａと、膜厚の薄い薄肉部１２ｂ
とが形成される。この溝１２ａにより、レジスト膜１２
から、各画素領域毎に分離されたレジスト膜（以下、
「分離レジスト膜」と呼ぶ）１２ｃが形成される。図８
では、分離レジスト膜１２ｃを斜線で示し、この分離レ
ジスト膜１２ｃ内に形成された薄肉部１２ｂを網目状の
ハッチングで示してある。溝１２ａは、ゲートバス２０
及びソースバス６０に沿って、反射電極膜１１が露出す
るように形成されており、このため、分離レジスト膜１
２ｃの周囲はレジスト膜１２の材料が除去された状態に
なっている。一方、薄肉部１２ｂは、膜厚が薄くなるよ
うに形成されているため、各分離レジスト膜１２ｃに
は、図９に示すように、相対的に膜厚の厚い部分と薄い
部分が形成されている。従って、溝１２ａでは反射電極
膜１１は露出しているが、一方、薄肉部１２ｂでは反射
電極膜１１は露出していない。図９に示すような溝１２
ａ及び薄肉部１２ｂを形成するためには、レジスト膜１
２を露光するときに、レジスト膜１２の溝１２ａが形成
される部分で吸収される露光エネルギーの量と、薄肉部
１２ｂが形成される部分で吸収される露光エネルギーの
量とを異ならせればよい。これにより、露光後の平坦化
膜９を現像した場合、レジスト膜１２の除去される深さ
を、吸収された露光エネルギーの量に応じて調整するこ
とができ、溝１２ａ及び薄肉部１２ｂを形成することが
できる。レジスト膜１２に溝１２ａ及び薄肉部１２ｂを
形成した後、分離レジスト膜１２ｃをマスクとして反射
電極膜１１及び透明電極膜１０をエッチングする（図１
０参照）。
【００３０】図１０は、反射電極膜１１及び透明電極膜
１０がエッチングされた様子を示す断面図である。
１０がエッチングされた様子を示す断面図である。
【００３１】反射電極膜１１の材料に例えばＡｌ合金や
Ａｇ合金を用いた場合、燐酸、硝酸、酢酸及び水の混合
液をエッチング液として用いることができる。また、透
明電極膜１０の材料に例えばＩＴＯを用いた場合、塩酸
及び水の混合液をエッチング液として用いることができ
る。分離レジスト膜１２ｃをマスクとして反射電極膜１
１及び透明電極膜１０をエッチングすることにより、反
射電極膜１１及び透明電極膜１０は各画素領域毎に分離
され、各画素領域に透明電極１００及び反射電極１１０
が形成される。以上の工程により、各画素領域に透明電
極１００及び反射電極１１０が形成される。しかしなが
ら、図１０では、反射電極１１０は、透明電極１００の
全面を覆うようにしてこの透明電極１００に積層されて
いる。従って、反射電極１１０が透明電極１００の全面
を覆っている状態では、液晶表示装置を透過型モードで
使用しようとしたときに、バックライト５４（図１参
照）の光が反射電極１１０に遮蔽されてしまい、バック
ライト５４の光を液晶層５３に入射させることができな
い。そこで、以下の図１１及び図１３に示すやり方で、
反射電極１１０にバックライト５４の光を通過させるた
めの通過窓を形成する。
Ａｇ合金を用いた場合、燐酸、硝酸、酢酸及び水の混合
液をエッチング液として用いることができる。また、透
明電極膜１０の材料に例えばＩＴＯを用いた場合、塩酸
及び水の混合液をエッチング液として用いることができ
る。分離レジスト膜１２ｃをマスクとして反射電極膜１
１及び透明電極膜１０をエッチングすることにより、反
射電極膜１１及び透明電極膜１０は各画素領域毎に分離
され、各画素領域に透明電極１００及び反射電極１１０
が形成される。以上の工程により、各画素領域に透明電
極１００及び反射電極１１０が形成される。しかしなが
ら、図１０では、反射電極１１０は、透明電極１００の
全面を覆うようにしてこの透明電極１００に積層されて
いる。従って、反射電極１１０が透明電極１００の全面
を覆っている状態では、液晶表示装置を透過型モードで
使用しようとしたときに、バックライト５４（図１参
照）の光が反射電極１１０に遮蔽されてしまい、バック
ライト５４の光を液晶層５３に入射させることができな
い。そこで、以下の図１１及び図１３に示すやり方で、
反射電極１１０にバックライト５４の光を通過させるた
めの通過窓を形成する。
【００３２】先ず、反射電極膜１１及び透明電極膜１０
をエッチングした後（図１０参照）、図１１に示すよう
に、分離レジスト膜１２ｃをアッシングする。
をエッチングした後（図１０参照）、図１１に示すよう
に、分離レジスト膜１２ｃをアッシングする。
【００３３】図１１は、分離レジスト膜１２ｃがアッシ
ングされた様子を示す断面図である。
ングされた様子を示す断面図である。
【００３４】分離レジスト膜１２ｃをアッシングしてい
くと、分離レジスト膜１２ｃの膜厚が全体的に薄くなっ
ていくが、分離レジスト膜１２ｃには薄肉部１２ｂが形
成されているため（図１０参照）、図１１に示すよう
に、反射電極１１０の薄肉部１２ｂに対応する領域Ａが
最初に露出する。領域Ａが露出した時点でアッシングを
終了する。アッシングの終了後、アッシングされた分離
レジスト膜１２ｃをマスクとして、反射電極１１０をエ
ッチングする（図１２及び１３参照）。
くと、分離レジスト膜１２ｃの膜厚が全体的に薄くなっ
ていくが、分離レジスト膜１２ｃには薄肉部１２ｂが形
成されているため（図１０参照）、図１１に示すよう
に、反射電極１１０の薄肉部１２ｂに対応する領域Ａが
最初に露出する。領域Ａが露出した時点でアッシングを
終了する。アッシングの終了後、アッシングされた分離
レジスト膜１２ｃをマスクとして、反射電極１１０をエ
ッチングする（図１２及び１３参照）。
【００３５】図１２は、反射電極１１０がエッチングさ
れた後の様子を示す平面図、図１３は、図１２のIII−I
II方向から見た断面図である。
れた後の様子を示す平面図、図１３は、図１２のIII−I
II方向から見た断面図である。
【００３６】反射電極１１０をエッチングすることによ
り、反射電極１１０の領域Ａ（図１１参照）が除去さ
れ、この反射電極１１０に、バックライト５４の光を通
過させるための通過窓１１０ａが形成される。これによ
り、透明電極１００が露出する。透明電極１００をこの
ようにして露出させることにより、液晶表示装置を透過
型のモードで用いるときに、バックライト５４の光を液
晶層５３に入射させる領域を確保することができる。
り、反射電極１１０の領域Ａ（図１１参照）が除去さ
れ、この反射電極１１０に、バックライト５４の光を通
過させるための通過窓１１０ａが形成される。これによ
り、透明電極１００が露出する。透明電極１００をこの
ようにして露出させることにより、液晶表示装置を透過
型のモードで用いるときに、バックライト５４の光を液
晶層５３に入射させる領域を確保することができる。
【００３７】反射電極をエッチングした後、分離レジス
ト膜１２ｃを剥離する。その後、配向膜１３（図１参
照）を印刷しラビング処理を行う。このようにして、Ｔ
ＦＴ基板５１が形成される。
ト膜１２ｃを剥離する。その後、配向膜１３（図１参
照）を印刷しラビング処理を行う。このようにして、Ｔ
ＦＴ基板５１が形成される。
【００３８】本実施形態では、透明電極膜１０及び反射
電極膜１１の上にレジスト膜１２を形成し、このレジス
ト膜１２を露光、現像することにより、このレジスト膜
１２を図９に示す形状に加工している。反射電極膜１１
及び透明電極膜１０は、図９に示す形状の分離レジスト
膜１２ｃをマスクとしてエッチングされるため、各画素
領域毎に分離され、図１０に示すように各画素領域毎に
反射電極１１０及び透明電極１００が形成される。その
後、分離レジスト膜１２ｃはアッシングされて図１１に
示す形状に加工され、反射電極１１０は、図１１に示す
形状の分離レジスト膜１２ｃをマスクとしてエッチング
され、反射電極１１０に通過窓１１０ａ（図１２及び図
１３参照）が形成される。このように、本実施形態で
は、レジスト膜１２の形状を図９及び図１１に示す２段
階に変形させることにより、反射電極膜１１と透明電極
膜１０との両方の膜を所望の形状にパターニングしてい
る。従って、反射電極膜１１と透明電極膜１０とを所望
の形状にパターニングするために、反射電極膜１１のみ
をパターニングするためのレジスト膜と、透明電極膜１
０のみをパターニングするためのレジスト膜とを別々に
形成する必要はなく、製造工程数及び製造コストの削減
が図られる。
電極膜１１の上にレジスト膜１２を形成し、このレジス
ト膜１２を露光、現像することにより、このレジスト膜
１２を図９に示す形状に加工している。反射電極膜１１
及び透明電極膜１０は、図９に示す形状の分離レジスト
膜１２ｃをマスクとしてエッチングされるため、各画素
領域毎に分離され、図１０に示すように各画素領域毎に
反射電極１１０及び透明電極１００が形成される。その
後、分離レジスト膜１２ｃはアッシングされて図１１に
示す形状に加工され、反射電極１１０は、図１１に示す
形状の分離レジスト膜１２ｃをマスクとしてエッチング
され、反射電極１１０に通過窓１１０ａ（図１２及び図
１３参照）が形成される。このように、本実施形態で
は、レジスト膜１２の形状を図９及び図１１に示す２段
階に変形させることにより、反射電極膜１１と透明電極
膜１０との両方の膜を所望の形状にパターニングしてい
る。従って、反射電極膜１１と透明電極膜１０とを所望
の形状にパターニングするために、反射電極膜１１のみ
をパターニングするためのレジスト膜と、透明電極膜１
０のみをパターニングするためのレジスト膜とを別々に
形成する必要はなく、製造工程数及び製造コストの削減
が図られる。
【００３９】また、本実施形態では、反射電極１１０の
下に形成された平坦化膜９には、多数の凹部９ａが形成
されているため、反射電極１１０にも多数の凹部１１ａ
が形成される。反射電極１１０に凹部１１ａを持たせる
ことにより、反射電極１１０に所望の光反射特性を持た
せることができる。尚、本実施形態では、反射電極１１
０に所望の光反射特性を持たせるために、反射電極１１
０に凹部１１ａを形成しているが、反射電極１１０に凹
部１１ａを持たせる代わりに凸部を持たせても、反射電
極１１０に所望の光反射特性を持たせることができる。
反射電極１１０に凸部を持たせるためには、平坦化膜９
を露光するときの露光パターンを変えればよい。平坦化
膜９の露光パターンを変えることにより、平坦化膜９に
凹部ではなく凸部を持たせることができるため、反射電
極１１０にも凸部を持たせることができる。尚、反射電
極１１０に凹部又は凸部を形成することは必ずしも必要
ではないが、反射電極１１０に所望の光反射特性を持た
せるためには、反射電極１１０に凹部又は凸部を形成す
ることが好ましい。
下に形成された平坦化膜９には、多数の凹部９ａが形成
されているため、反射電極１１０にも多数の凹部１１ａ
が形成される。反射電極１１０に凹部１１ａを持たせる
ことにより、反射電極１１０に所望の光反射特性を持た
せることができる。尚、本実施形態では、反射電極１１
０に所望の光反射特性を持たせるために、反射電極１１
０に凹部１１ａを形成しているが、反射電極１１０に凹
部１１ａを持たせる代わりに凸部を持たせても、反射電
極１１０に所望の光反射特性を持たせることができる。
反射電極１１０に凸部を持たせるためには、平坦化膜９
を露光するときの露光パターンを変えればよい。平坦化
膜９の露光パターンを変えることにより、平坦化膜９に
凹部ではなく凸部を持たせることができるため、反射電
極１１０にも凸部を持たせることができる。尚、反射電
極１１０に凹部又は凸部を形成することは必ずしも必要
ではないが、反射電極１１０に所望の光反射特性を持た
せるためには、反射電極１１０に凹部又は凸部を形成す
ることが好ましい。
【００４０】また、本実施形態では、平坦化膜９の下に
絶縁膜８を形成しているが、この絶縁膜８を省略しても
よい。更に本実施形態では、反射電極１１０に凹部１１
ａを形成するために、多数の凹部９ａを有する平坦化膜
９を形成しているが、例えば絶縁膜８に凹部を形成する
ことにより、平坦化膜９を形成せずに反射電極１１０に
凹部を形成することが可能となる。
絶縁膜８を形成しているが、この絶縁膜８を省略しても
よい。更に本実施形態では、反射電極１１０に凹部１１
ａを形成するために、多数の凹部９ａを有する平坦化膜
９を形成しているが、例えば絶縁膜８に凹部を形成する
ことにより、平坦化膜９を形成せずに反射電極１１０に
凹部を形成することが可能となる。
【００４１】尚、本実施形態では、透明電極１００及び
反射電極１１０は両方とも単層構造であるが、これら透
明電極１００及び反射電極１１０それぞれは２層以上か
らなる積層構造を有していてもよい。例えば反射電極１
１０を積層構造にするためには、レジスト膜１２を形成
する前に、反射電極膜１１の他に更に別の反射電極膜を
形成しておけばよい。このように複数の反射電極膜を形
成しておき、分離レジスト膜１２ｃをマスクとしてこれ
ら複数の反射電極膜をエッチングすることにより、反射
電極１１０を積層構造にすることができる。同様に、透
明電極１００についても積層構造にすることか可能であ
る。従って、例えば、透明電極及び反射電極を両方とも
二層構造にするためには、透明電極膜を二層形成すると
共に反射電極膜も二層形成しておけばよい。この場合、
透明電極膜と反射電極膜とを合わせて４層の膜が形成さ
れることになるが、レジスト膜１２を変形することによ
り、これら４層の膜を所望の形状にパターニングするこ
とができる。
反射電極１１０は両方とも単層構造であるが、これら透
明電極１００及び反射電極１１０それぞれは２層以上か
らなる積層構造を有していてもよい。例えば反射電極１
１０を積層構造にするためには、レジスト膜１２を形成
する前に、反射電極膜１１の他に更に別の反射電極膜を
形成しておけばよい。このように複数の反射電極膜を形
成しておき、分離レジスト膜１２ｃをマスクとしてこれ
ら複数の反射電極膜をエッチングすることにより、反射
電極１１０を積層構造にすることができる。同様に、透
明電極１００についても積層構造にすることか可能であ
る。従って、例えば、透明電極及び反射電極を両方とも
二層構造にするためには、透明電極膜を二層形成すると
共に反射電極膜も二層形成しておけばよい。この場合、
透明電極膜と反射電極膜とを合わせて４層の膜が形成さ
れることになるが、レジスト膜１２を変形することによ
り、これら４層の膜を所望の形状にパターニングするこ
とができる。
【００４２】最後に、本実施形態の電極形成方法につい
て、従来の電極形成方法と比較しながら簡単に説明す
る。
て、従来の電極形成方法と比較しながら簡単に説明す
る。
【００４３】図１４は、従来の電極形成方法の一例を用
いて透明電極及び反射電極が形成された基板の断面図で
ある。
いて透明電極及び反射電極が形成された基板の断面図で
ある。
【００４４】従来は、透明電極３０を形成した後、例え
ば、絶縁膜３１、１層目の平坦化膜３２及び２層目の平
坦化膜３３を形成し、次いで反射電極３４を形成してい
る。従って、透明電極３０及び反射電極３４を形成する
ためには、透明電極膜のみをパターニングするためのレ
ジスト膜と、反射電極膜のみをパターニングするための
レジスト膜とが必要となる。これに対し、本実施形態の
電極形成方法では、上記のように、レジスト膜１２の形
状を２段階で変形することにより、透明電極膜１０と反
射電極膜１１との両方の膜をパターニングすることがで
きる。従って、従来の方法と比較して、製造工程数及び
製造コストの削減が図られることがわかる。
ば、絶縁膜３１、１層目の平坦化膜３２及び２層目の平
坦化膜３３を形成し、次いで反射電極３４を形成してい
る。従って、透明電極３０及び反射電極３４を形成する
ためには、透明電極膜のみをパターニングするためのレ
ジスト膜と、反射電極膜のみをパターニングするための
レジスト膜とが必要となる。これに対し、本実施形態の
電極形成方法では、上記のように、レジスト膜１２の形
状を２段階で変形することにより、透明電極膜１０と反
射電極膜１１との両方の膜をパターニングすることがで
きる。従って、従来の方法と比較して、製造工程数及び
製造コストの削減が図られることがわかる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
製造コストの削減が図られた電極形成方法、及びこの電
極形成方法が適用された液晶表示装置が提供される。
製造コストの削減が図られた電極形成方法、及びこの電
極形成方法が適用された液晶表示装置が提供される。
【図１】本発明の電極形成方法の一実施形態を用いて形
成された透明電極及び反射電極を有する半透過型の液晶
表示装置の一部断面図である。
成された透明電極及び反射電極を有する半透過型の液晶
表示装置の一部断面図である。
【図２】図１に示すＴＦＴ基板５１のガラス基板１上に
ＴＦＴ５０が形成された直後の様子を示す平面図であ
る。
ＴＦＴ５０が形成された直後の様子を示す平面図であ
る。
【図３】図２のI−I方向から見た断面図である。
【図４】絶縁膜及び平坦化膜が形成されたガラス基板の
断面図である。
断面図である。
【図５】平坦化膜９を露光、現像した後の様子を示す断
面図である。
面図である。
【図６】絶縁膜８がエッチングされた様子を示す断面図
である。
である。
【図７】透明電極膜１０、反射電極膜１１及びレジスト
膜１２が形成されたガラス基板の断面図である。
膜１２が形成されたガラス基板の断面図である。
【図８】レジスト膜１２の一部を除去した後の様子を示
す平面図である。
す平面図である。
【図９】図８のII−II方向から見た断面図である。
【図１０】反射電極膜１１及び透明電極膜１０がエッチ
ングされた様子を示す断面図である。
ングされた様子を示す断面図である。
【図１１】レジスト膜１２がアッシングされた様子を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１２】反射電極１１０がエッチングされた後の様子
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１３】図１２のIII−III方向から見た断面図であ
る。
る。
【図１４】従来の電極形成方法の一例を用いて透明電極
及び反射電極が形成された基板の断面図である。
及び反射電極が形成された基板の断面図である。
１ ガラス基板
２ ゲート電極
３ ゲート絶縁膜
４ 半導体層
５ オーミックコンタクト層
６ ソース電極
７ ドレイン電極
８ 絶縁膜
８ａ スルーホール
９ 平坦化膜
９ａ、１０ａ、１１ａ 凹部
９ｂ スルーホール
１０ 透明電極膜
１１ 反射電極膜
１２ レジスト膜
１２ａ 溝
１２ｂ 薄肉部
１３ 配向膜
５０ ＴＦＴ
５１ ＴＦＴ基板
５２ カラーフィルタ基板
５３ 液晶層
５４ バックライト
１００ 透明電極
１１０ 反射電極
１１０ａ 通過窓
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 湯川 禎三
兵庫県神戸市西区高塚台４丁目３番１ フ
ィリップスモバイルディスプレイシステム
ズ神戸株式会社内
(72)発明者 砂田 富久
兵庫県神戸市西区高塚台４丁目３番１ フ
ィリップスモバイルディスプレイシステム
ズ神戸株式会社内
Ｆターム(参考） 2H092 GA13 GA17 GA19 JA26 JB07
JB08 JB58 MA15 MA16 MA18
MA19 NA27 PA12
5C094 AA22 AA43 AA44 BA03 BA43
CA19 CA24 DA13 EA04 EA05
EA06 EB02 ED03 ED11 ED13
FA01 FB01 FB02 FB12 FB15
GB10
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上の所定領域に透明電極と反射電極
とを形成する電極形成方法であって、 前記基板上に前記透明電極用の第１の膜を形成する第１
の工程と、 前記第１の膜上に前記反射電極用の第２の膜を形成する
第２の工程と、 前記第２の膜上に第３の膜を形成する第３の工程と、 前記第３の膜の前記所定領域に対応する部分が相対的に
膜厚の薄い部分と厚い部分とを有し、且つ前記第３の膜
の前記所定領域の周囲に対応する部分が除去されるよう
に、第３の膜を加工する第４の工程と、 前記加工された第３の膜をマスクとして前記第１の膜及
び前記第２の膜をエッチングする第５の工程と、 前記第３の膜の膜厚の薄い部分を除去する第６の工程
と、 前記膜厚の薄い部分が除去された第３の膜をマスクとし
て前記第２の膜をエッチングする第７の工程とを備えた
ことを特徴とする電極形成方法。 - 【請求項２】 前記第３の膜が感光性膜であり、 前記第４の工程が、前記感光性膜の部位に応じて異なる
露光エネルギーが付与されるように、前記感光性膜を露
光する露光工程と、前記露光された感光性膜を現像する
現像工程とを備え、 前記第６の工程が、前記現像された感光性膜をアッシン
グすることを特徴とする請求項１に記載の電極形成方
法。 - 【請求項３】 前記第１の工程実行前に、前記基板上
に、凹部又は凸部を有する第４の膜を形成する第８の工
程を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の電
極形成方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
電極形成方法を用いて形成された反射電極及び透明電極
を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記反射電極が、前記透明電極上に直に
形成されたこと特徴とする請求項５に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項６】 前記透明電極又は前記反射電極が積層構
造を有することを特徴とする請求項４又は５に記載の液
晶表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001198660A JP2003015145A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 電極形成方法及び液晶表示装置 |
| PCT/IB2002/002438 WO2003003107A1 (en) | 2001-06-29 | 2002-06-20 | Method of forming a transflective electrode and liquid crystal display device |
| TW91114331A TW567369B (en) | 2001-06-29 | 2002-06-28 | Method of forming an electrode and liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001198660A JP2003015145A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 電極形成方法及び液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003015145A true JP2003015145A (ja) | 2003-01-15 |
Family
ID=19036069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001198660A Withdrawn JP2003015145A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 電極形成方法及び液晶表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003015145A (ja) |
| TW (1) | TW567369B (ja) |
| WO (1) | WO2003003107A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008217030A (ja) * | 2008-04-14 | 2008-09-18 | Sony Corp | 液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置 |
| JP2012137771A (ja) * | 2006-11-14 | 2012-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200402756A (en) * | 2002-03-19 | 2004-02-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device and liquid crystal display apparatus |
| WO2006006110A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid crystal display |
| KR101139522B1 (ko) | 2004-12-04 | 2012-05-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6195140B1 (en) * | 1997-07-28 | 2001-02-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region |
| CN1246931A (zh) * | 1997-12-04 | 2000-03-08 | 平板展示(Fpd)有限公司 | 显示装置 |
-
2001
- 2001-06-29 JP JP2001198660A patent/JP2003015145A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-06-20 WO PCT/IB2002/002438 patent/WO2003003107A1/en active Application Filing
- 2002-06-28 TW TW91114331A patent/TW567369B/zh active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012137771A (ja) * | 2006-11-14 | 2012-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法 |
| JP2008217030A (ja) * | 2008-04-14 | 2008-09-18 | Sony Corp | 液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003003107A1 (en) | 2003-01-09 |
| TW567369B (en) | 2003-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100333274B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100403935B1 (ko) | 패턴형성방법 및 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| US7106400B1 (en) | Method of making LCD with asperities in insulation layer under reflective electrode | |
| JP4817178B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| KR20080023659A (ko) | Ｔｆｔ-ｌｃｄ 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR100394069B1 (ko) | 액정표시패널의 고유번호 표시부의 구조 및 그 제조방법 | |
| JP2002026333A (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
| KR20020070100A (ko) | 패턴형성방법 및 액정표시장치 제조방법 | |
| KR20100100693A (ko) | Ｔｆｔ-ｌｃｄ 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| US6815347B2 (en) | Method of forming a reflective electrode | |
| JP2002107744A (ja) | 電極形成方法、画素電極形成方法、及び液晶表示装置 | |
| JP2002250934A (ja) | 液晶用マトリクス基板の製造方法 | |
| US20020127493A1 (en) | Method for manufacturing a liquid crystal display device | |
| JP2003015145A (ja) | 電極形成方法及び液晶表示装置 | |
| JP4339232B2 (ja) | アクテイブマトリクス型表示装置用フォトマスク及びその製造方法 | |
| US20080024702A1 (en) | Pixel structure and fabrication method thereof | |
| JP3372882B2 (ja) | 反射型液晶表示装置における基板の製造方法 | |
| KR20050078180A (ko) | 표시 장치용 기판의 제조 방법 및 그것을 이용한 표시장치의 제조 방법 | |
| JP2004104134A (ja) | パターン形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2005331675A (ja) | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2007059926A (ja) | パターン形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3528388B2 (ja) | トランジスタアレイの製造方法 | |
| JP2003167259A (ja) | 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置 | |
| JP2008047932A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2008022028A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080902 |