CN1725305A

CN1725305A - 磁记录介质以及磁记录复制装置

Info

Publication number: CN1725305A
Application number: CNA2005100792463A
Authority: CN
Inventors: 日比干晴; 服部一博; 岛川和也
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2004-02-26
Filing date: 2005-02-25
Publication date: 2006-01-25
Anticipated expiration: 2025-02-25
Also published as: JP2005243130A; CN100350462C; US7352529B2; US20050213239A1; JP4111276B2

Abstract

一种磁记录介质，至少包括磁盘基底(1A)，在磁盘基底(1A)上形成了带有预定凹陷－凸起图案的磁记录层(5)，以及填充到凹陷－凸起图案的凹陷部分的非磁层(6)，以便具有数据轨道区域(20)和伺服图案区域(21)。由于每个伺服图案区域(21)表面中凹陷和凸起的存在，前述的问题就能够解决。在这种情况下，优选的，每个伺服图案区域(21)表面的估定轮廓算术平均偏差(Ra)不低于0.3nm。优选的，伺服图案区域(21)表面存在的每个凹陷和凸起之间的表面水平差别不大于6nm。

Description

磁记录介质以及磁记录复制装置

技术领域

本发明涉及磁记录介质以及磁记录-复制装置，特别涉及一种磁记录介质，其中可以有效的避免磁记录介质和磁头滑块之间的静摩擦力，从而可以避免由静摩擦力导致的压碎及类似情况，磁头滑块在磁记录介质的表面飞旋并装有一个磁头，该磁头用于向/从所述磁记录介质上记录和复制信息，以及具有该磁记录介质磁记录复制装置。

背景技术

通过技术的改进，如优化用于形成磁记录层的磁粒子的粒化，更换材料以及优化头处理技术，使诸如硬盘之类的磁记录介质在表面密度方面已经得到了显著的改进。今后，可以期待在表面密度方面的进一步改进。然而，由于头处理技术以及磁场分布的限制，迄今为止所采用的改进技术已经带来了诸如边缘干扰(side fringe)，串扰(crosstalk)等问题。这样，在表面密度中使用背景技术中的技术所实现的改进，已经达到了极限。

作为这些问题的解决方案中的一种，即，作为能改进磁记录介质的表面密度的技术中的一种，已经提出了离散轨道类型磁记录介质(例如，参见JP-A-9-97419或JP-A-2000-195042)。典型的离散轨道类型磁记录介质带有由同心轨道图案构成的磁记录层，以及非磁层，该非磁层填充在相邻的磁记录层图案之间的凹陷部分，进而在轨道方向上连续延伸并将同心轨道图案彼此分开。

在带有上述离散轨道类型磁记录介质的磁记录-复制装置中，在磁记录介质的360度圆周上以及，例如，在相邻数据轨道区域之间的固定的角度间隔上，形成用于控制磁头寻轨到所需轨道的，作为寻轨控制基准的伺服图案区域。

图2是原理配置图，示出的是在离散轨道类型磁记录介质上形成的伺服图案区域的示例。在磁记录介质的整个360度圆周上，并且在彼此相邻的数据轨道区域20与20之间的固定的角度间隔上，形成伺服图案区域21。每一个伺服图案区域21主要是由同步信号区域22(前导区域)，地址区域23以及伺服脉冲信号区域24构成。该同步信号区域22用于通过AGC电路固定复制波形的幅度，或者用于保证与时钟同步。该地址区域23包括定时信号以及索引识别信号，定时信号指示扇区的起始位置并作为每一个数据轨道区域20的基准位置。该伺服脉冲信号区域24用来产生指示轨道中的位置的位置信号。顺便提及，地址区域23包括轨道数识别功能以及扇区数识别功能，轨道数识别功能用于识别在磁盘半径方向上排列的轨道的数目，扇区数识别功能用于识别在磁盘圆周方向上排列的伺服图案的数目。

伺服脉冲信号区域24是两相伺服系统，典型的由四个脉冲信号区域24A，24B，24C，24D组成。基于一对第一和第二脉冲信号区域24A，24B以及一对第三和第四脉冲信号区域24C，24D，来计算脉冲信号之间的幅度差。这样，按照幅度差，连接线性高的部分，从而获得线性位置误差信号。以上述伺服图案区域21作为磁头的基准，从而准确跟踪在磁记录介质上形成的轨道。这样，对于形成伺服图案区域21来说，需要高度的定位准确性。

在制造带有伺服图案区域和数据轨道区域的离散轨道类型磁记录介质的过程中，将非磁材料填充到预定的凹陷-凸起图案的凹陷部分，以凹陷-凸起图案形成磁记录层。这样，处理该表面，使其足够平坦，从而可以抑制装有磁头的磁头滑块在飞旋中的抖动。这样，使用在半导体制造领域中所使用的诸如溅射技术之类的薄膜形成技术作为一种填充的方法。然而，当使用该薄膜形成技术时，非磁材料不仅在前述的凹陷部分形成，而且也在磁记录层的上表面上形成。这样，在磁记录介质的表面，形成了在高起伏中的不规则，所述不规则，是由非磁材料在磁记录层上形成的层所导致的。由于高起伏中的不规则，将会引发如下问题。即，装有磁头的磁头滑块的飞旋高度，以及由于在记录-复制时，磁记录介质表面上气流的流动所导致的飞旋，会变得不稳定，或者会导致磁头和磁记录层之间的间隙长度增加(即，磁头和磁记录层之间的空间损失)。因此，将导致灵敏度的降低，或者很容易积累外来杂质。

作为解决前述问题的方法，需要在除去磁记录层上形成的作为一层的非磁材料的同时，平坦磁记录层的表面。例如，在半导体制作领域中用到的象CMP(化学机械抛光)这样的处理技术，就可以作为一种平坦方法。典型的，在磁记录介质的表面形成一种纹理，以便通过这种纹理的作用，来防止磁头滑块和磁记录介质之间的静摩擦力。当应用前述的CMP方法或类似方法，而使磁记录介质的表面太过平坦时，就不能充分发挥该纹理的作用了。因此，就存在一个问题，磁头滑块会粘在磁记录介质上，以至于很容易使磁头被压碎。

特别是，随着表面密度的提高，磁头滑块的飞旋高度不可以高于10nm。在这种情况下，将带来磁头和磁记录介质彼此之间的间断性接触。在这种状态下，当磁记录介质的表面太平坦时，就存在一个问题，磁头滑块和磁记录介质之间的摩擦力会增加，以至于出于前述原因，而使磁头很容易被压碎。

JP-A-2000-195042提出了一种解决这种问题的办法，其中，在非磁材料的平坦表面形成一种纹理，并且可以通过纹理的不规则，来防止磁头滑块和磁记录介质之间的静摩擦力，进而防止压碎情况的发生。

尽管在JP-A-2000-195042中公开的磁记录介质具备一些防止磁头滑块静摩擦力的作用，但是它需要增加在非磁材料的平坦表面形成纹理的步骤。这样，就存在一个问题，即增加了制造过程中步骤的数目，以至于增加了成本。另外，在这样制造的磁记录介质中，平坦的非磁材料会残留在磁记录层的表面上。这样，就存在一个问题，即磁记录介质上形成的磁记录层与磁头之间的间隙长度(与“空间损耗”同义，以下将应用相同的表述)会增加。

发明内容

为了解决前述的问题提出了本发明。本发明的第一个目的是提供一种磁记录介质，其带有的结构具备防止磁头滑块静摩擦力的作用，并且更好的降低了空间损耗以及具备更出众的成本优势。本发明的第二个目的是提供一种带有该磁记录介质的磁记录-复制装置。

为了实现前述的第一个目的，根据本发明的磁记录介质至少包括磁盘基底，在磁盘基底上形成的带有预定的凹陷-凸起图案的磁记录层，以及填充到凹陷-凸起图案的凹陷部分中的非磁层，其中，磁记录介质带有数据轨道区域和伺服图案区域。该磁记录介质的特征在于，每一个伺服图案区域的表面上都存在凹陷和凸起。

根据本发明，在带有该磁记录介质的硬盘驱动器或类似装置中，其中形成磁记录介质的每一个伺服图案区域表面上都带有凹陷和凸起，由于凹陷和凸起的存在，提高了防止在磁记录介质上飞旋并读/写磁记录信息的磁头滑块的静摩擦力的作用。因此，能够稳定的驱动硬盘驱动器或类似装置。

本发明的磁记录介质的特征还可以在于，每个伺服图案区域的表面的估定轮廓算术平均偏差(arithmetical mean deviation of assessed profile)不低于0.3nm。

根据本发明，在带有该磁记录介质的硬盘驱动器或类似装置中，每个伺服图案区域的表面的估定轮廓算术平均偏差不低于0.3nm，由于该表面的估定轮廓算术平均偏差，可以防止磁记录介质的表面过于平坦。这样，能够使磁记录介质与磁头滑块之间摩擦阻抗的增加得到抑制。因此，可以防止磁记录介质与在磁记录介质上飞旋并装有用于读/写磁记录信息的磁头滑块之间的静摩擦力。

根据本发明的磁记录介质的特征还可以在于，每一个伺服图案区域表面上存在的每一个凹陷与每一个凸起之间的表面水平差不高于6nm。

根据本发明，因为每一个伺服图案区域表面上存在的每一个凹陷与每一个凸起之间的表面水平差不高于6nm，在不降低在磁记录介质上飞旋的磁头滑块飞旋稳定性的前提下，能够使防止静摩擦力的作用得到提高。

根据本发明的磁记录介质的特征还可以在于，通过磁记录层与非磁层之间的表面水平差，形成每一个伺服图案区域表面上存在的凹陷和凸起，并且在每一个伺服图案区域中，磁记录层的厚度方向表面位置高于非磁层的厚度方向表面位置。

根据本发明，通过磁记录层与非磁层之间的表面水平差，形成每一个伺服图案区域表面上存在的凹陷和凸起，并且在每一个伺服图案区域中，磁记录层的厚度方向表面位置高于非磁层的厚度方向表面位置。因此，能够使磁记录层和磁头之间的距离变窄，从而减少二者之间的空间损耗。

根据本发明的磁记录介质的特征还可以在于，非磁层的厚度方向表面位置不高于磁记录层的厚度方向表面位置。

根据本发明，每一个数据轨道区域和每一个伺服图案区域中，非磁层的厚度方向表面位置不高于磁记录层的厚度方向表面位置。因此，充分暴露了磁记录层。因此，能够使磁记录层和磁头之间的距离变窄，从而减少二者之间的空间损耗。

根据本发明的磁记录介质的特征还可以在于，每个数据轨道区域表面的估定轮廓算术平均偏差低于每一个伺服图案区域表面的估定轮廓算术平均偏差。

根据本发明，因为每个数据轨道区域表面的估定轮廓算术平均偏差低于每一个伺服图案区域表面的估定轮廓算术平均偏差，所以可以进一步提高在每个数据轨道区域中复制数据的S/N比率。

根据本发明的磁记录介质的特征还可以在于，在凹陷-凸起图案的凹陷部分中没有磁记录层。

根据本发明，因为在凹陷-凸起图案的凹陷部分中没有磁记录层，从而消除了凹陷部分中产生噪声的问题。

根据本发明的磁记录介质的特征还可以在于，用来形成非磁层的非磁材料由选自氧化物、氮化物和碳化物的一种或多种化合物组成。

根据本发明，用来形成非磁层的非磁材料包括一种或多种选自氧化物、氮化物和碳化物的化合物。因此，例如因为与带有金属成分的磁记录层接触，那些化合物具备极好的自身化学稳定性，且很难发生腐蚀或类似的情况。因此，可以使磁记录介质具备极好的化学稳定性。

根据本发明的磁记录介质的特征还可以在于，形成非磁层的非磁材料是具备非晶结构的材料或微晶材料。

一般的，用非磁层填充的凹陷部分是通过蚀刻磁记录层来形成的。通过蚀刻，显著破坏凹陷部分的凹槽侧面，以至于产生象晶界(grain boundaries)之类的缺陷。用带有晶界的普通晶体材料，不能很好的保护上述缺陷。根据本发明，可以通过用具有非晶结构材料或微晶材料的非磁材料作为填充材料，保护上述缺陷。顺便提及，微晶(microcrystaline material)材料指的是在X-射线衍射中没有晶体峰(crystalline peak)的材料。

根据本发明的磁记录介质的特征还可以在于，用来形成非磁层的非磁材料用二氧化硅作为其主要成分。

根据本发明，由于非磁材料用容易被蚀刻的二氧化硅作为其主要成分，从而可以得到很好的平坦性，特别是在每一个数据轨道区域。另外，可以形成一种非磁层，该非磁层能够更好的附着在磁记录层上，且能够抑制晶体颗粒的生长。

为了实现第二个目的，根据本发明的磁记录-复制装置的特征在于，包括根据本发明的磁记录介质，设计用来在记录-复制时至少在磁记录介质表面部分飞旋的磁头滑块，以及装在磁头滑块上用于往/从磁记录介质上记录-复制信息的磁头。

根据本发明，该磁记录-复制装置配备有该磁记录介质，该磁记录介质具有这样的结构，该结构带有防止磁头滑块静摩擦力的作用，且能够降低空间损耗以及具备更出众的成本优势。因此，通过这样的配置，磁头滑块能够在磁记录介质上稳定的飞旋，而不会产生因为磁记录介质上的静摩擦力而导致的压碎的情况。因此，能够提供被稳定的驱动的磁记录-复制装置。

根据本发明的磁记录-复制装置的特征还可以在于，磁记录介质中的每一个数据轨道区域的圆周连续长度不大于磁头滑块的圆周长度。

根据本发明，因为磁记录介质中的每一个数据轨道区域的圆周连续长度不大于磁头滑块的圆周长度，所以至少磁头滑块的一部分始终位于带有凹陷和凸起的伺服图案区域上。因此，可以更安全地防止磁头滑块的静摩擦力。

顺便提及，在说明书中，“在磁盘基底上形成的带有预定凹陷-凸起图案的磁记录层”不仅意味着，将磁盘基底上的磁记录层划分成大量带有预定图案的记录部分，还意味着，将磁记录层部分地划分但部分地连接，在基底的一部分中连续地形成象螺旋磁记录层一样的磁记录层，且连续的磁记录层带有其中形成了凹陷部分和凸起部分的凹陷-凸起图案。此外，在说明书中，“凹陷-凸起图案的凹陷部分”意味着垂直于该表面的扇区中凹陷-凸起形状的突出部分。

如上所述，根据本发明的磁记录介质，防止磁记录介质的表面过于平坦，以至于能够抑制磁记录介质与磁头滑块之间摩擦阻抗的增加。因此，可以防止根据本发明的磁记录介质和磁头滑块之间的静摩擦力，该磁头滑块在磁记录介质上飞旋并装有用于读/写磁记录信息的磁头。因此，能够使由于静摩擦力导致的诸如磁头压碎之类的问题得到显著的抑制。另外，不需要增加给磁记录介质表面提供纹理的步骤。因此，能够降低成本。另外，磁记录介质上形成的磁记录层与磁头之间的距离很小，以至于减少了空间损耗。此外，不需要给每一个数据轨道区域提供纹理。因此，可以将数据轨道区域中的不规则抑制得很小，以便提高在数据轨道区域中复制数据的S/N比率。

另外，本发明的磁记录-复制装置带有前述的磁记录介质。因此，可以防止磁记录介质与磁头滑块之间的静摩擦力，该磁头滑块在磁记录介质上飞旋并装有用于读/写磁记录信息的磁头。这样，可以提供磁记录-复制装置，该装置能够显著抑制由静摩擦力导致的诸如磁头压碎之类的问题，且能够降低磁头与磁记录层之间的空间损耗，并具备更出众的成本优势。

附图说明

图1A-1B是表示根据本发明的磁记录介质的层配置的示意性截面图；

图2是根据本发明的磁记录介质中，每一个数据轨道区域和每一个伺服图案区域的示意性平面图；

图3A-3B是表示根据本发明的磁记录介质的一个实施例的示意性截面图；

图4A-4B是表示根据本发明的磁记录介质的另一个实施例的示意性截面图；

图5A-5B是表示根据本发明的磁记录介质的另一个实施例的示意性截面图；

图6A-6H是用于解释根据本发明的磁记录介质的制造过程的截面图；

图7A-7C是用于解释根据本发明的磁记录介质的制造过程的截面图；

图8是表示根据本发明的磁记录-复制装置的一个实施例的透视图；

图9是表示每一个伺服脉冲信号区域中每一个凸起部分到每一个凹陷部分的面积比率的示意性平面图；

图10是磁记录介质的表面中，估定轮廓算术平均偏差与摩擦系数之间关系的曲线图；以及

图11是用于解释凹陷-凸起图案的凸起部分范围的示意图。

具体实施方式

下面将对根据本发明的磁记录介质以及具备该磁记录介质的磁记录-复制装置进行详细的描述。

(磁记录介质)

根据本发明的磁记录介质包括仅用磁学原理记录和读取信息的硬盘，软(注册商标)盘，磁带等等。然而，根据本发明的磁记录介质不仅仅局限于那些介质，还包括同时使用磁和光的诸如MO(磁光)磁盘之类的磁光记录介质，以及同时使用磁和热的热辅助记录介质。例如，该磁记录介质能够用其中带有伺服图案区域的磁记录介质(参见将在后面详细说明的图2)来代表，其中的伺服图案区域作为寻轨控制的基准，用于控制诸如磁头之类的记录-复制头在所期望的轨道上进行寻轨，该伺服区域是以数据轨道区域之间的固定的角度间隔形成在磁记录介质的整个360度圆周上。

图1A和图1B是显示根据本发明的磁记录介质的一个基本截面模式的实例的截面配置图。

图1A和图1B中显示的根据本发明的磁记录介质是一个带有软磁层的垂直记录类型的磁记录介质。该磁记录介质至少包括磁盘基底1，在磁盘基底1上形成的带有预定凹陷-凸起图案的磁记录层5，以及填充到凹陷-凸起图案的凹陷部分的非磁层6。更准确的说，例如，内涂层(undercoat layer)2，软磁层3和定向层4依次层压在磁盘基底1上。此外在定向层4上，形成带有预定的凹陷-凸起图案的磁记录层5，和填充到该凹陷-凸起图案的凹陷部分的非磁层6。此外形成用来覆盖磁记录层5和非磁层6的保护薄膜7和润滑薄膜8。

顺便提及，在图1A和1B中，附图标记1A代表磁盘基底，为简便起见其表示为先后层压在磁盘基底1上的内涂层2，软磁层3和定向层4的总的叠层。图1A示出的是磁记录介质10的截面模式，其中磁盘基底1A上形成的带有预定凹陷-凸起图案的磁记录层5的各个元件之间没有磁记录层。图1B示出的是磁记录介质11(记为“掌型，palm”)的截面模式，其中在磁盘基底1A中形成凹陷和凸起，且在其上形成的磁记录层5作为一层凹陷和凸起之后的薄膜。以下，将主要基于图1A对带有软磁层3的垂直记录类型磁记录介质10进行说明。然而，根据本发明的磁记录介质可以是纵向记录类型的磁记录介质，或者可以是图1B中所示的磁记录介质11，其中凹陷-凸起图案的凹陷部分中存在磁记录层。

首先，将对组成根据本发明的磁记录介质的每一个层进行描述。

磁盘基底1必须非常平坦并且不能有起伏或类似的缺陷。这样，在最终形成的磁记录介质上的磁头滑块能够在较低的高度飞旋。玻璃基底，镀NiP的Al-Mg合金基底或者类似材料特别适合用来作为磁盘基底1。采用的磁盘基底1的厚度，例如，大约是300-700μm。特别是，玻璃基底的表面粗糙度低于镀NiP的Al-Mg合金基底。这样，玻璃基底能够得到高的表面平坦度。另外，玻璃基底在抗震能力方面也更出众。因此，玻璃基底更适合用于小尺寸的磁记录介质。

内涂层2，用于控制在其上形成的软磁层3的定向等等。软磁层3，用于在磁头与磁记录介质之间形成磁电路等等。定向层4，用于控制在其上形成的磁记录层5的定向等等。

作为如硬盘驱动器或类似装置中的磁记录层，该磁记录层5配有预定图案。例如，离散轨道类型(discrete track type)磁记录介质中，在构成磁记录介质的每一个数据轨道区域中，形成一个磁记录层，以便为了记录/复制磁记录信息，通过同心图案，将它的各部分在轨道的半径方向上以非常小的间隔进行排列。另一方面，在每一个伺服图案区域中，形成的该磁记录层作为所要使用的结构，是用于使该磁头在所期望的数据轨道上进行寻轨的寻轨控制的基准。另外，例如，在离散位类型(discrete bit type)磁记录介质中，在构成该磁记录介质的每一个数据轨道区域中，形成磁记录层，以便通过点图案，将它的各部分在轨道的圆周方向和半径方向上以非常小的间隔进行排列。另一方面，在构成该磁记录介质的每一个伺服图案区域中，形成一个带有对应于预定伺服信息或类似信息的图案的磁记录层。用于形成该磁记录层5的材料的优选例，包括象CoCrTa，CoCrPt，CoCrPtTa等等这样的以Co-Cr为基础的多元合金。通过用诸如溅射法，和蚀刻法之类的薄膜成形方法形成的该磁记录层5，厚度为5-30nm，凸起宽度为5-1,000nm，图案节距为10-2,000nm。

该非磁层6是填充在该磁盘基底上所形成的凹陷-凸起图案的每一个凹陷部分中的层。用来形成非磁层6的非磁材料的实例，包括SiO₂(二氧化硅)，In(铟)，ITO(锡掺杂氧化铟)，Al₂O₃，TiN，TaSi合金，Ta，MgO，SiC，TiC等等。通过诸如溅射法之类的薄膜成形方法形成的非磁层6，例如，厚5-30nm。

根据本发明，从前述的多种非磁材料中，优选出一种或多种氧化物(SiO₂，ITO，Al₂O₃，MgO等)，氮化物(TiN等)和碳化物(SiC，TiC等)的混合物。这些混合物具备极好的自身化学稳定性，且很难发生腐蚀或类似的情况，例如由于与带有金属成分的磁记录层5接触，而产生的腐蚀或类似的情况。因此，这些混合物可以使磁记录介质具备极好的化学稳定性。根据本发明，特别优选使用以SiO₂作为主要成分的非磁材料。SiO₂可以很容易地通过蚀刻进行处理，以便通过蚀刻，特别是在每一个数据轨道区域中，得到很好的平坦性。另外，SiO₂在附着于磁记录层5的方面更出众，并且还具备这样地作用，即它能形成抑制晶粒生长的非磁层6。

可选的，可以优选使用具备非晶结构或微晶材料的非磁材料作为非磁层6。典型的，通过蚀刻磁记录层5，形成以非磁层6填充的凹陷部分。凹进部分的凹槽侧面被蚀刻相当严重地毁坏以至于产生例如晶界(grain boundary)的缺陷。通过一般的带有晶界的晶体材料，不能很好的防止上述缺陷。因此，作为填充材料，通过使用没有晶界的非晶结构材料，或使用带有晶界，但其晶界起不到任何作用的微晶材料，可以使由蚀刻损坏的诸如晶界之类的缺陷得到保护。具备非晶结构的非磁材料的特定实例包括，C，Si，SiO₂，Al₂O₃，TaSi合金，TbFeCo合金，CoZr合金等等。通过用诸如溅射法之类的薄膜成形法形成的非磁层6，例如，厚5-30nm。顺便提及，微晶材料指的是在X-射线衍射中没有晶体峰的材料。

保护层7用于保护磁记录介质的表面，以便与将在后面说明的润滑层8一起，保证它的飞旋耐用度。特别是，保护层7用于使磁记录介质在与磁头滑块接触时免于受损。用于形成保护层7的材料的实例包括，称为类钻石碳(以下称为“DLC”)，氧化锆(ZrO₂)，二氧化硅(SiO₂)等等的硬碳薄膜。通过用诸如CVD(化学气相沉积)法或溅射法之类的薄膜成形方法形成的保护层7，厚1-5nm。顺便提及，DLC是以碳为主要成分的非晶结构薄膜，并且是硬度大约为200-8,000kgf/mm²的碳质材料，这个硬度是通过维氏硬度测量得到的。

润滑层8用于保护磁记录介质的表面，以便与前述的保护层7一起，保证它的滑动耐用度。形成润滑层8的材料的优选示例包括，诸如全氟聚醚(PFPE)之类的以氟为基础的液态化合物。通过用诸如浸渍(dipping)法之类的薄膜成形法形成的润滑层8，厚1-2nm。

图2是显示在根据本发明的磁记录介质中形成的数据轨道区域和伺服图案区域的示例的原理配置图。图3A-3B，4A-4B，以及5A-5B是显示根据第一到第三实施例的磁记录介质实例的示意性截面图。顺便提及，在图2中，阴影线部分指的是凹陷-凸起图案的凹陷部分，其它部分指的是凹陷-凸起图案的凸起部分。图3A-5A是沿图2中A-A线的截面图，示出了数据轨道区域。图3B-5B是沿图2中B-B线的截面图，示出了伺服图案区域。在图3A-3B，4A-4B，以及5A-5B中，为了指出本发明的特点，用“磁盘基底1A”指代由磁盘基底1，内涂层2，软磁层3和定向层4组成的叠层，并且并未示出磁记录层5和非磁层6上提供的保护层7和润滑层8。

如图2所示，根据本发明的磁记录介质包括数据轨道区域20和伺服图案区域21。在每一个数据轨道区域20中，形成了象轨道一样的用于记录-复制磁记录信息的磁记录层。每一个伺服图案区域21作为寻轨控制的基准，使磁头在所期望的数据轨道上寻轨。

在数据轨道区20与20之间，以固定的角度间隔在磁记录介质的整个360度圆周上形成伺服图案区域21。每个伺服图案区域21主要由同步信号区域(preamble region，前导区域)22，地址区域23以及伺服脉冲信号区域24构成。同步信号区域22用于通过AGC电路来固定被复制的波形的幅度，或者用于确保与时钟同步。地址区域23包括定时信号和索引识别信号，定时信号用来指示扇区的起始位置并且作为数据轨道区域20的基准位置。伺服脉冲信号区域24用于产生指示轨道位置的位置信号。顺便提及，地址区域23包括轨道数目识别函数，用来识别在磁盘的半径方向上排列的轨道的数目，以及扇区数目识别函数，用来识别在磁盘的圆周方向上排列的伺服图案的数目。

伺服脉冲信号区域24是两相伺服系统，典型的由四个脉冲信号区域24A，24B，24C，24D构成。基于一对第一和第二脉冲信号区域24A，24B以及一对第三和第四脉冲信号区域24C，24D，来计算脉冲信号之间的幅度差。这样，按照幅度差，连接线性高的部分，从而获得线性位置误差信号。以上述伺服图案区域21作为磁头的基准，从而准确跟踪在磁记录介质上形成的轨道。这样，对于形成伺服图案区域21来说，需要高度的定位准确性。

根据本发明的磁记录介质10，其特征首先在于，图3B，4B，5B中所示的每一个伺服图案区域21的表面上，存在凹陷和凸起。由于每一个伺服图案区域21的表面上凹陷和凸起的存在，所以在带有具备凹陷和凸起的磁记录介质的硬盘驱动器或类似装置中，改善了防止在磁记录介质上飞旋并读/写磁记录信息的磁头滑块的静摩擦力的作用。因此，能够稳定的驱动硬盘驱动器或类似的装置。

每个伺服图案区域21表面存在的凹陷和凸起，是通过图3B，4B，5B中所示的磁记录层5与非磁层6之间的表面水平差来形成的。这些实施例中，如图3B，4B所示，在每个伺服图案区域21中，最好磁记录层5表面的厚度方向位置高于非磁层6表面的厚度方向位置。在根据这些实施例的磁记录介质中，可以使磁记录层与磁头之间的距离变窄，进而能够减少二者之间的空间损耗。如图5B所示，在每一个伺服图案区域21中，非磁层6表面的厚度方向位置可以做得高于磁层5表面的厚度方向位置。在这种情况下，可以将磁记录介质设计得至少在防止磁头滑块静摩擦力的作用上有所提高。

所期望的是，每个伺服图案区域21表面上存在的凹陷和凸起之间的表面水平差不大于6nm。在这个范围内，可以在不降低在磁记录介质上飞旋的磁头滑块的飞旋稳定性的情况下，提高防止静摩擦力的作用。另一方面，当凹陷和凸起之间的表面水平差大于6nm时，磁头滑块的飞旋稳定性会恶化，进而带来实践的问题。此外，从考虑伺服信息的复制信号质量的角度来说，表面水平差最好不要超过3nm，更优选的不要超过1nm。顺便提及，表面水平差是通过原子显微镜测得的。

特别在根据本发明的磁记录介质中，图3A-3B中所示的实施例是优选的。即，每个数据轨道区域20中，磁记录层5表面上没有非磁层6，并且由每个伺服图案区域21中的磁记录层5构成凹陷-凸起图案的凸起部分。根据这样配置的本实施例，在数据轨道区域20或伺服图案区域21中，均未形成覆盖磁记录层5的表面的非磁层6。即，非磁层6的厚度方向表面位置不高于磁记录层5的厚度方向表面位置，并且非磁层6主要出现在凹陷-凸起图案的凹陷部分。这样，充分暴露了磁记录层5。因此，能够降低磁记录层和磁头之间的距离，进而减少二者之间的空间损耗。

根据图4A-4B所示实施例的磁记录介质中，在每个数据轨道区域20的磁记录层5上形成了非磁层6。因此，由于非磁层6的原因，可能导致空间损耗的问题。然而，当在磁记录层5上形成的非磁层6的厚度不大于1nm时，空间损耗会变得很小，而不会带来实际的问题。

另一方面，象图5A-5B中所示的磁记录介质那样，通过非磁层6形成每个伺服图案区域21的凸起部分，这就有了有关防止磁头滑块静摩擦力的作用。然而，所形成的非磁层6在厚度方向表面位置上高(厚)于磁记录层5。这样，根据所形成的非磁层6高于(厚于)磁记录层5的距离，在磁头与磁记录层之间产生了空间损耗。因此，在磁记录介质上飞旋的磁头滑块与磁记录介质上形成的磁记录层之间的间隙长度会增加，进而可能使灵敏度恶化。顺便提及，与前面说明的一样，在根据图5A-5B所示实施例的磁记录介质中，当磁记录层5与非磁层6之间的表面水平差不大于1nm时，空间损耗会变得很小，而不会导致任何实际问题。

另外，在根据图3A-3B，4A-4B，5A-5B所示实施例的磁记录介质中，凹陷-凸起图案的凹陷部分中没有磁记录层5。因此，就有了消除凹陷部分中产生噪声这种问题的作用。

顺便提及，在说明书中，“凹陷-凸起图案的凸起部分”的意思是，垂直于该表面的扇区中凹陷-凸起形状的突出部分。此外，当凸起部分92中出现如图11所示的锥形角度时，假设，说明书中的凹陷-凸起图案的每一个凸起部分92包括一个锥形部分。

根据本发明的磁记录介质的第二个特征在于，每个伺服图案区域21表面的估定轮廓算术平均偏差Ra不低于0.3nm，并且更优选的，不低于0.5nm。在带有上述表面的估定轮廓算术平均偏差的磁记录介质的硬盘驱动器或类似装置中，磁记录介质的表面不会太平，进而可能会使磁记录介质与磁头中间摩擦阻抗的增加得到抑制。因此，能够防止磁记录介质与在磁记录介质上飞旋用于读/写磁记录信息的磁头滑块之间的静摩擦力，以致于几乎不产生由于静摩擦力而导致的诸如磁头压碎之类的问题。顺便提及，估定轮廓算术平均偏差Ra按照JIS-B0601-2001来定义。

这里，每个伺服图案区域21表面的估定轮廓算术平均偏差指的是，包括在伺服图案区域21表面存在的凹陷和凸起表面的估定轮廓算术平均偏差(例如，磁记录层5与非磁层6之间的表面水平差)，伺服图案区域21作为示例如图3A-3B，4A-4B，5A-5B所示。由于表面的估定轮廓算术平均偏差不低于0.3nm，防止了磁记录介质与磁头滑块之间的静摩擦力，进而消除了由静摩擦力导致的磁头压碎的情况。如果表面的估定轮廓算术平均偏差低于0.3nm，则每个伺服图案区域21的表面会很平坦，以至于会使磁记录介质与磁头滑块之间的摩擦阻抗增加。因此，将很容易产生磁记录介质与磁头滑块之间的静摩擦力。

另一方面，根据本发明，象每个伺服图案区域21中一样，每个数据轨道区域20中也没有凹陷和凸起。因此，数据轨道区域20表面的估定轮廓算术平均偏差低于伺服图案区域21表面的估定轮廓算术平均偏差。这样，就有了进一步提高数据轨道区域20中复制数据的S/N比率的作用。根据S/N比率，数据轨道区域20表面的估定轮廓算术平均偏差Ra优选不高于1nm，并且更优选的，不高于0.5nm。如果数据轨道区域20表面的估定轮廓算术平均偏差Ra高于1nm，则S/N比率可能会减少，进而增加了伺服寻轨误差。顺便提及，测量数据轨道区域20表面的估定轮廓算术平均偏差的方法与前述的在伺服图案区域21中用的方法相似。

根据本发明的磁记录介质，如上所述，磁记录介质的表面不是太平坦，进而能抑制磁记录介质与磁头滑块之间摩擦阻抗的增加。因此，能够防止根据本发明的磁记录介质与在磁记录介质上飞旋并装有用于读/写磁记录信息的磁头的磁头滑块之间的静摩擦力。这样，诸如由静摩擦力导致的磁头压碎之类的问题能够得到显著的抑制。此外，不需要提供在磁记录介质的表面增加纹理的步骤。这样就能减少成本。另外，由于磁记录介质上形成的磁记录层与磁头之间的距离很小，就能够减少空间损耗。此外，不需要给任何数据轨道区域提供纹理。这样，能够将伺服图案区域中的不规则抑制的很小，进而能够提高数据轨道区域中复制数据的S/N比率。

在根据本发明前述实施例的磁记录介质中，在磁记录层5的下面形成内涂层2，软磁层3以及定向层4。本发明不局限于上述配置。根据磁记录介质的种类，可以对在磁记录层5下面的层的配置作出适当的改变。例如，内涂层2，软磁层3以及定向层4中的一或两层可以被省略，或者直接在基底上形成磁记录层5。

在前述的实施例中，根据本发明的磁记录介质10是一个垂直记录离散轨道类型的磁盘，其中，在轨道的半径方向上，以微小的间隔对磁记录层5进行了划分。然而本发明并不局限于上述配置。不用说，本发明还可以适用于下面这些磁盘，在轨道的圆周方向(扇区方向)上以微小的间隔对磁记录层进行划分的磁盘，在轨道的半径和圆周两个方向上以微小的间隔对磁记录层进行划分的磁盘，如图1B所示的，带有磁记录层并且具有连续的凹陷-凸起图案的掌型磁盘，以及带有螺旋磁记录层的磁盘。

(制造磁记录介质的方法)

接下来，将对用于制造前述磁记录介质的方法的示例进行说明。图6A-6H，和7A-7C是用于解释根据本发明的磁记录介质的制造过程的截面图。顺便提及，下面的制造方法仅仅是一个例子。磁记录介质的制造不局限于下面的方法。

首先，准备一个磁盘基底1，然后，例如，通过溅射法(参见图6A)或类似的方法，将内涂层2，软磁层3，定向层4以及磁记录层5按顺序，以预定的厚度形成并层压在磁盘基底1上。例如，通过溅射法或类似的方法，将第一掩膜层61和第二掩膜层62按顺序形成并层压在磁记录层5上，并且，例如，通过浸渍法或旋转涂层法(a spin coat method)(参见图6B)，将抗蚀层63进一步层压在其上。这里，例如，第一掩膜层61用TiN或类似材料制成，第二掩膜层62用Ni或类似材料制成，以及抗蚀层63用阴性类型抗蚀涂剂(诸如Sumitomo Chemical有限公司出品的NBE22A牌)制成。

接下来，通过纳米压印法(a nano-imprint method)将预定凹陷-凸起图案转化成抗蚀层63，来形成抗蚀层图案。其后，通过使用以O₂气作为蚀刻的反应气体的反应离子蚀刻，消除抗蚀图案的每个凹陷部分底部的抗蚀层(参见图6C)。可选的，可以用照相平板印刷法(photolithographic)来形成该抗蚀层图案。

接下来，例如，通过使用以Ar(氩)气进行蚀刻的离子束蚀刻，消除暴露在抗蚀图案的每个凹陷部分底部的第二掩膜层62。例如，通过以90度离子入射角度的离子束蚀刻，消除用Ni或类似材料制成的第二抗蚀层62。因此，也略微消除了在不是凹陷部分的区域中形成的抗蚀层63(参见图6D)。其后，例如，通过使用SF₆(六氟化硫)气的活性离子蚀刻，消除每个凹陷部分底部的第一掩膜层61(参见图6E)。这样将磁记录层5暴露在每个凹陷部分的底部。顺便提及，在这种情况下，优选的消除了在不是凹陷部分的区域中形成的抗蚀层63。另一方面，部分的消除了在不是凹陷部分的区域中形成的第二掩膜层62，但保留一定部分。

接下来，例如，通过用将CO气和NH₃气作为反应气体的反应离子蚀刻，消除暴露在每个凹陷部分底部的磁记录层5(参见图6F)。这样，就形成了带有预定凹陷-凸起图案的磁记录层5。顺便提及，通过这种反应离子蚀刻，优选的消除在不是凹陷部分的区域中形成的第二掩膜层62，并且也部分的消除在不是凹陷部分的区域中形成的的第一掩膜层61。在磁记录层5中保留一定量的第一掩膜层61。顺便提及，通过使用反应离子蚀刻，每个伺服图案区域21中的每个凹陷部分处理得比数据轨道区域20中的每个凹陷部分更深，其中，凹陷-凸起图案的节距和每个凹陷部分的宽度都比每个数据轨道区域20中的那些要大。

接下来，例如，通过用将SF₆作为反应气体的反应离子蚀刻，很好地消除磁记录层5上残留的第一掩膜层61(参见图6G)。这样就形成了具有预定凹陷-凸起图案的磁记录层5。

通过干洗，去除残留的反应气体。其后，例如，通过溅射法，将由SiO₂构成的非磁材料制成一个薄膜，进而将非磁材料填充到由磁记录层5制成的凹陷-凸起图案的凹陷部分。这样，就形成了非磁层6(参见图6H)。非磁层6不仅在凹陷-凸起图案的凹陷部分中形成，而且也在磁记录层5上形成。当用多个步骤形成非磁层6时，将能够使用它覆以薄膜的待处理主体的表面平坦化。例如，将带有施加到用非磁层覆以薄膜的待处理主体的表面的偏置功率形成非磁层的第二层。这样，将能够提高形成的非磁层的上表面的平坦度。

接下来，通过使用Ar气的离子束蚀刻法，对完全用非磁层6覆以薄膜的待处理主体的表面进行蚀刻。这样，消除高于磁记录层5表面位置的非磁层6，进而，平坦了待处理主体的表面(参见图7A-7C)。例如，用离子束71对磁记录层5上的用非磁层6覆以薄膜的待处理主体进行辐射，例如，以2度的入射角。通过离子束蚀刻，能够平坦待处理主体的表面。

顺便提及，在说明书中，术语“离子束蚀刻”是利用离子化气体辐射被处理的主体从而移除一层的处理方法中的一般术语，例如离子磨铣法(ionmilling)。离子束蚀刻并不局限于用窄离子束对待处理主体进行辐射的处理方法。术语“入射角”的意思是，考虑到待处理主体表面的离子束(离子化气体)的入射角，该角度同待处理主体表面与离子束中心轴线之间的角度同义。例如，当离子束的中心轴线平行于待处理主体的表面时，入射角为0度。当离子束的中心轴线垂直于待处理主体的表面时，入射角为90度。

接下来，通过CVD(化学气相沉积)法，在磁记录层5和非磁层6的上表面形成保护层7。此外，通过浸渍法在保护层7上形成润滑层8。这样，根据本发明的磁记录介质就完成了。

在前述用于制造磁记录介质的方法中，反应离子蚀刻作为对磁记录层5进行蚀刻，进而形成预定凹陷-凸起图案的方法。因此，每个伺服图案区域21被蚀刻得比数据轨道区域20中更深，其中凹陷-凸起图案的斜度和每个凹陷部分的宽度都比数据轨道区域20中的那些要大。因此，当通过溅射法或类似方法，将非磁层6填充到已经形成的凹陷-凸起图案的凹陷部分时，在伺服图案区域21中形成的非磁层6的表面位置，一般低于在数据轨道区域20中形成的非磁层6的表面位置。因此，通过随后执行的离子束蚀刻，如图3A-3B，4A-4B所示，伺服图案区域21中的非磁层6的表面位置会做得低于数据轨道区域20中的非磁层6的表面位置。这样，在伺服图案区域21中就形成了凹陷和凸起。

通过调整将非磁层6填充到由磁记录层5形成的凹陷-凸起图案的凹陷部分的各种条件(薄膜形成时的气体压力，偏置功率等等)，或通过离子束蚀刻将待处理主体表面平坦化的各种条件(离子束入射角度，气体类型等等)，可以使磁记录层5或非磁层6的蚀刻率发生改变。这样，在每个数据轨道区域20中，磁记录层5的蚀刻率可以等于非磁层6的蚀刻率。例如，当用质谱仪对蚀刻颗粒进行监视时，可以使用一种一旦开始检测到组成磁记录层5的材料，就完成平坦的方法。通过对前述的方法进行组合，可以得到如图3A-3B，4A-4B，5A-5B所示的结构。

如上所述，为了制造根据本发明的磁记录介质，特别的通过反应离子蚀刻，每个数据轨道区域20与每个伺服图案区域21之间的凹陷-凸起图案的凹陷部分的深度能够进行改变。这样，在将非磁层填充入凹陷部分之后，伺服图案区域21的表面就能够出现凹陷和凸起。此外，通过对诸如磁记录层5和非磁层6的蚀刻率，层5、6蚀刻率的粒子束入射角依赖性或气体依赖性等之类的处理条件进行优化，进而可以制造出根据前述实施例的磁记录介质。在带有上述磁记录介质的硬盘驱动器或类似的装置中，磁记录介质的表面不是太平坦，进而磁记录介质与磁头滑块之间的摩擦阻抗的增加能够得到抑制。因此，磁记录介质与在磁记录介质上飞旋并读/写磁记录信息的磁头滑块之间的摩擦阻抗的增加能够得到抑制，进而能够防止磁记录介质与磁头滑块之间的静摩擦力。

(磁记录-复制装置)

接下来，将对根据本发明的磁记录-复制装置进行说明。

图8是显示根据本发明的磁记录-复制装置的一个实施例的透视图。根据本发明的磁记录-复制装置80带有根据本发明的磁记录介质81，其已在前面进行了说明，磁头滑块82，其设计用来在记录-复制时，至少部分的在磁记录介质81的表面上飞旋，以及装在磁头滑块82上的磁头，且用于往/从磁记录介质81中记录-复制信息。

磁记录介质81跟着主轴马达84的转动而进行高速转动。旋转臂83顶部的磁头滑块82随着磁记录介质81转动产生的气流进行飞旋。根据在磁记录介质81中形成的伺服信号区域的伺服信号，驱动制动器85。这样，旋转臂83进行旋转，进而磁头82可以准确的跟踪磁记录介质81上形成的轨道。

在根据本发明的磁记录-复制装置中，优选的，磁记录介质81中每个数据轨道区域20的圆周连续长度不超过磁头滑块82的圆周长度。通过这种配置，至少磁头滑块82的一部分总定位在带有凹陷和凸起的伺服图案区域21中的任何一个上。这样，能够更安全的防止磁头的静摩擦力。

如上所述，根据本发明的磁记录-复制装置带有前述的根据本发明的磁记录介质。因此，能够防止磁记录介质与磁头滑块之间的静摩擦力，该磁头滑块在磁记录介质上飞旋并装有用于读/写磁记录信息的磁头。这样，提供的磁记录-复制装置，能够显著的抑制诸如由静摩擦力导致的磁头压碎之类的问题，并且降低磁头与磁记录层之间的空间损耗以及具备更出众的成本优势。

(示例)

下面将更为具体的在使用示例和比较示例，对本发明进行说明。

(待处理主体的制造)

首先，制造用于形成离散轨道类型磁记录介质的待处理主体。按顺序，用内涂层2，软磁层3，定向层4，磁记录层5(厚20nm)，第一掩膜层(TiN：厚25nm)以及第二掩膜层(Ni：厚10nm)对由玻璃基底组成的、厚63μm的磁盘基底1覆膜。通过旋转涂层法(a spin coat method)，用阴性类型抗蚀材料(诸如Sumitomo Chemical有限公司做的NBE22牌抗蚀涂剂)对覆膜样本进行涂层，进而形成厚100nm的抗蚀层。通过使用带有预定凹陷-凸起形状的压膜，在该样本上使用纳米压印法和以O2气作为反应气体的反应离子蚀刻进行挤压，将凹陷-凸起形状转化到样本表面的抗蚀层上。这样，当去除每个凹陷部分底部的抗蚀层时，就形成了由微图形(micro-figures)做出的抗蚀图案。接下来，用抗蚀层作为掩膜，通过用Ar气的离子束蚀刻法，将抗蚀图案的微图型转移化到第二覆盖掩膜层上。这样，就形成了由微图型做出的第二掩膜图案。接下来，用第二掩膜图案作为掩膜，通过用SF₆气作为反应气体的反应离子蚀刻法，将第二掩膜图案的微图型转移到第一掩膜层上。这样，就形成了从微图型做出的第一掩膜图案。接下来，用第一掩膜图案作为掩膜，通过用CO气和NH₃气作为反应气体的反应离子蚀刻法，将第一掩膜图案的微图型转移到磁记录层5上。这样，就形成了从微图型做出的磁记录层图案。接下来，通过用SF₆气作为反应气体的反应离子蚀刻法，消除保留在磁记录层图案上的第一掩膜层。

通过上述方法，制成用于形成离散轨道类型磁记录介质的待处理主体。每个数据轨道区域20的处理尺寸，轨道节距为150nm，磁记录层的图案宽度为90nm，不用来形成磁记录层的每个部分(凹陷-凸起图案的凹陷部分)的面积与用来形成磁记录层的每部分(凹陷-凸起图案的凸起部分)的面积的比率(凹陷-凸起比率)为1∶1.5，不用来形成磁记录层的每个部分(凹陷-凸起图案的凹陷部分)的宽度为60nm，以及每个凹陷部分的深度为22nm。磁记录层图案(凹陷-凸起图案)的位置设置在从10mm到30mm的径向范围内。另一方面，至于每个伺服图案区域21的处理尺寸，例如，在图9所示的伺服脉冲信号区域24中，测得组成凹陷-凸起图案的每个凸起部分92的磁记录层图案，径向宽度W_L5为150nm，周向宽度W_S5为100-300nm，测得组成凹陷-凸起图案的每个凹陷部分91的图案，径向宽度W_L6为150nm，周向宽度W_S6为100-300nm。此外，如图9所示，不形成磁记录层的每个凹陷部分91的面积S6与由磁记录层制成的每个凸起部分92的面积S5的比率设置为1∶3。顺便提及，每个凹陷部分91的深度是30nm，且与在数据轨道区域20中的方式一样，将磁记录层图案(凹陷-凸起图案)的位置设置在从10mm到30mm的径向范围内。

(示例1)

在按上述方法得到的待处理主体上形成的非磁层6。首先，在500W薄膜形成功率，150W偏置功率和0.3Pa的Ar气压力条件下，通过溅射法形成厚度为100nm的SiO₂薄膜。顺便提及，这里的薄膜厚度意味着，当薄膜平行的形成在平坦表面上时的薄膜厚度。非磁层6形成后，在待处理主体上，以Ar气，以及2度的入射角进行离子束蚀刻。这样，消除磁记录层5上剩余的SiO₂，进而使表面平坦。用质谱仪对蚀刻进行监视。一旦开始检测到数据轨道区域20中的磁记录层，平坦化就完成了。

顺便提及，当已经形成非磁层6时，伺服图案区域21中的非磁层6的表面位置比每个数据轨道区域20中的非磁层6的表面位置低。因此，当持续离子束蚀刻时，开始检测到伺服图案区域21中的磁记录层5，而后，才开始检测到数据轨道区域20中的磁记录层5。基于质谱仪中检测到的变化率的变化，能够对二者的检测进行区分。这样，一旦开始检测到数据轨道区域20中的磁记录层5，则通过暂停离子束蚀刻，能够使每个数据轨道区域20的表面平坦。

通过CVD法，在其上形成厚2nm的DLC作为保护层7。进一步在保护层7上，通过浸渍法，形成厚2nm的全氟聚醚(PFPE)作为润滑层8。这样，示例1中的磁记录介质就完成了。

这样制成的磁记录介质具备一种模式，其中，存在于每个数据轨道区域20表面的凹陷和凸起的表面粗糙度可以非常低，同时存在于每个伺服图案区域21表面的凹陷和凸起的表面粗糙度可以很高。在这种模式下，作为伺服图案区域21表面中的凹陷和凸起，凹陷部分由磁记录层构成，并且构成凹陷部分的磁记录层与非磁层之间，具有表面水平差。

在用平行其表面入射到磁记录介质的离子束进行照射的情况下，离子束的照射角记为0度，在用垂直其表面入射到磁记录介质的离子束进行照射的情况下，离子束照射角记为90度。在示例1中，由于以入射角度为2度的离子束进行照射，非磁层的蚀刻率高于磁记录层的蚀刻率。这样，填充在每个伺服图案区域21中磁记录层各部分之间的非磁层的蚀刻深度变大。

这样制成的磁记录介质的每个伺服图案区域21中，每个凹陷和每个凸起之间的表面水平差是2.5nm，且它的Ra(估定轮廓算术平均偏差，airthmeticalmean deviation of the assessed profile)是0.9nm。另一方面，每个数据轨道区域20的表面中的Ra(估定轮廓算术平均偏差)是0.3nm。

图10显示了磁记录介质表面中，估定轮廓算术平均偏差与摩擦系数之间的关系，是通过对磁头滑块进行飞旋测试得到的。图10所示的估定轮廓算术平均偏差与摩擦系数之间的关系，是通过使用估定轮廓算术平均偏差中不同的样本，以及通过用在CSS(Contact Start Stop，接触启停)测试中使用的测试器进行测量得到的。图10中的关系很显然，当表面的估定轮廓算术平均偏差不高于0.3nm时，摩擦系数突然上升。这个事实表明当表面的估定轮廓算术平均偏差不高于0.3nm时，很容易出现磁头静摩擦力。

(示例2)

图4A-4B所示的磁记录介质，其制作方法与示例1中的方法相似。该磁记录介质可以按如下方法制作。即，在示例1的非磁层离子束蚀刻中，从开始检测到每个伺服图案区域21中的磁记录层5，至开始检测到每个数据轨道区域20中的磁记录层5，延缓离子束蚀刻。这样，就完成了平坦化。

(示例3)

图5A-5B所示的磁记录介质，其制作方法与示例1中的方法相似。该磁记录介质可以按如下方法制作。即，在示例1的非磁层离子束蚀刻中，一旦开始检测到每个伺服图案区域21中的磁记录层5，离子束蚀刻就被暂停。入射角从2度变为90度(90度，是“磁记录层5蚀刻率高于非磁材料(SiO₂)蚀刻率”所采用的入射角)，然后恢复离子束蚀刻。一旦开始检测到每个数据轨道区域20中的磁记录层5，暂缓离子束蚀刻。这样，就完成了平坦化。

本申请要求2004年2月26日提交的，申请号为2004-50816的日本专利申请优先权，通过全文引用，其内容合并在本申请中。

Claims

1、一种磁记录介质，包括：

磁盘基底；

在所述磁盘基底上形成的，带有预定凹陷-凸起图案的磁记录层；

填充到所述凹陷-凸起图案的凹陷部分中的非磁层，

其中，所述磁记录介质带有数据轨道区域和伺服图案区域，以及

其中，凹陷和凸起存在于每个所述伺服图案区域表面。

2、如权利要求1所述的磁记录介质，其中，每个所述伺服图案区域表面的估定轮廓算术平均偏差不低于0.3nm。

3、如权利要求1所述的磁记录介质，其中，存在于每个所述伺服图案区域的表面中的每个所述凹陷与每个所述凸起之间的表面水平差不大于6nm。

4、如权利要求1所述的磁记录介质，其中，通过所述磁记录层与所述非磁层之间的表面水平差，构成了存在于每个所述伺服图案区域表面的所述凹陷和凸起，并且在每个所述伺服图案区域中，所述磁记录层的厚度方向表面位置高于所述非磁层的厚度方向表面位置。

5、如权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述非磁层的厚度方向表面位置不高于所述磁记录层的厚度方向表面位置。

6、如权利要求1所述的磁记录介质，其中，每个所述数据轨道区域表面的估定轮廓算术平均偏差低于每个所述伺服图案区域表面的估定轮廓算术平均偏差。

7、如权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述凹陷-凸起图案的所述凹陷部分中，没有所述的磁记录层。

8、如权利要求1所述的磁记录介质，其中，形成所述非磁层的非磁材料由从氧化物，氮化物以及碳化物中选出的一种或多种化合物组成。

9、如权利要求1所述的磁记录介质，其中，形成所述非磁层的非磁材料是具有非晶结构或微晶材料的材料。

10、如权利要求1所述的磁记录介质，其中，形成所述非磁层的非磁材料用二氧化硅作为它的主要成分。

11、一种磁记录-复制装置，包括：

根据权利要求1的磁记录介质；

在记录-复制时，设计用于至少在所述磁记录介质表面部分飞旋的磁头滑块；以及

装在所述磁头滑块上，并用于往/从所述磁记录介质上记录-复制信息的磁头。

12、如权利要求11所述的磁记录-复制装置，其中，所述磁记录介质的所述数据轨道区域的每个的圆周连续长度不长于所述磁头滑块的圆周长度。